JP3150267B2 - 光記録媒体 - Google Patents
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- Inorganic Chemistry (AREA)
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ビーム照射による記
録層の結晶状態の変化を利用して情報の記録を行なう光
記録媒体に関する。
録層の結晶状態の変化を利用して情報の記録を行なう光
記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高密度記録が可能で、しかも記録
情報を消去して書き換えることが可能な光記録媒体が注
目されている。書き換え可能型の光記録媒体のうち相変
化型の光記録媒体は、レーザー光を照射することにより
記録層の結晶状態を変化させ、このような状態変化に伴
なう記録層の反射率変化を検出するものである。相変化
型の光記録媒体は単一の光ビームによるオーバーライト
が可能であり、また、駆動装置の光学系が光磁気記録媒
体のそれに比べて単純であるため、注目されている。
情報を消去して書き換えることが可能な光記録媒体が注
目されている。書き換え可能型の光記録媒体のうち相変
化型の光記録媒体は、レーザー光を照射することにより
記録層の結晶状態を変化させ、このような状態変化に伴
なう記録層の反射率変化を検出するものである。相変化
型の光記録媒体は単一の光ビームによるオーバーライト
が可能であり、また、駆動装置の光学系が光磁気記録媒
体のそれに比べて単純であるため、注目されている。
【０００３】相変化型の光記録媒体には、結晶状態と非
晶質状態とで反射率の差が大きいこと、非晶質状態の安
定度が比較的高いことなどから、Ｇｅ−Ｔｅ系材料が用
いられることが多いが、最近、カルコパイライトと呼ば
れる化合物を応用することが提案されている。
晶質状態とで反射率の差が大きいこと、非晶質状態の安
定度が比較的高いことなどから、Ｇｅ−Ｔｅ系材料が用
いられることが多いが、最近、カルコパイライトと呼ば
れる化合物を応用することが提案されている。
【０００４】カルコパイライト型化合物は化合物半導体
材料として広く研究され、太陽電池などにも応用されて
いる。カルコパイライト型化合物は、化学周期律表を用
いるとIb-IIIb-VIb2やIIb-IVb-Vb2 で表わされる組成で
あり、ダイヤモンド構造を２つ積み重ねた構造を有す
る。カルコパイライト型化合物はＸ線構造解析によって
容易に構造を決定することができ、その基礎的な特性
は、例えば月刊フィジクスvol.8,No.8,1987,pp-441や、
電気化学vol.56,No.4,1988,pp-228 などに記載されてい
る。
材料として広く研究され、太陽電池などにも応用されて
いる。カルコパイライト型化合物は、化学周期律表を用
いるとIb-IIIb-VIb2やIIb-IVb-Vb2 で表わされる組成で
あり、ダイヤモンド構造を２つ積み重ねた構造を有す
る。カルコパイライト型化合物はＸ線構造解析によって
容易に構造を決定することができ、その基礎的な特性
は、例えば月刊フィジクスvol.8,No.8,1987,pp-441や、
電気化学vol.56,No.4,1988,pp-228 などに記載されてい
る。
【０００５】これらのカルコパイライト型化合物の中で
特にＡｇＩｎＴｅ2 は、ＳｂやＢｉを用いて希釈するこ
とにより、線速度７m/s 前後の光記録媒体の記録層材料
として使用できることが知られている（特開平３−２４
０５９０号公報、同３−９９８８４号公報、同３−８２
５９３号公報、同３−７３３８４号公報、同４−１５１
２８６号公報等）。
特にＡｇＩｎＴｅ2 は、ＳｂやＢｉを用いて希釈するこ
とにより、線速度７m/s 前後の光記録媒体の記録層材料
として使用できることが知られている（特開平３−２４
０５９０号公報、同３−９９８８４号公報、同３−８２
５９３号公報、同３−７３３８４号公報、同４−１５１
２８６号公報等）。
【０００６】このようなカルコパイライト型化合物を用
いた相変化型光記録媒体の他、特開平４−２６７１９２
号公報や特開平４−２３２７７９号公報、特開平６−１
６６２６８号公報には、記録層が結晶化する際にＡｇＳ
ｂＴｅ2 相が生成する相変化型光記録媒体が開示されて
いる。
いた相変化型光記録媒体の他、特開平４−２６７１９２
号公報や特開平４−２３２７７９号公報、特開平６−１
６６２６８号公報には、記録層が結晶化する際にＡｇＳ
ｂＴｅ2 相が生成する相変化型光記録媒体が開示されて
いる。
【０００７】本発明者らが先に出願した特願平４−１０
８９９６号、同４−１７９２６７号、同４−２５３８３
２号、同５−１７９６８号、同５−３４１８１８号、同
６−８７８５４号などでも、Ａｇ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｉｎを
主体とする４元系組成にＶやＴｉ等を添加することによ
り、比較的低線速度領域（１．２〜２．８m/s 程度）に
おける記録層の安定化をはかって信頼性を向上させた相
変化型光記録媒体を提案している。
８９９６号、同４−１７９２６７号、同４−２５３８３
２号、同５−１７９６８号、同５−３４１８１８号、同
６−８７８５４号などでも、Ａｇ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｉｎを
主体とする４元系組成にＶやＴｉ等を添加することによ
り、比較的低線速度領域（１．２〜２．８m/s 程度）に
おける記録層の安定化をはかって信頼性を向上させた相
変化型光記録媒体を提案している。
【０００８】しかし、高密度画像記録を行なう場合に
は、線速度を速くして高速オーバーライトを実現する必
要がある。Ａｇ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｉｎを主体とする記録層
へのオーバーライトは、レーザ光源にバイアスパワーを
加えながら、記録マーク形成部において記録パワーを加
える。バイアスパワーは記録パワーよりも弱く、バイア
スパワー印加により非晶質部は結晶化し、結晶質部も再
結晶するので、記録マークは消去されて初期状態に戻
る。レーザ光照射後の冷却速度は媒体の線速度に依存す
るので、このようなオーバーライトを可能とするために
は、記録層が線速度に応じた結晶転移速度（非晶質ない
し微結晶が粗大結晶に成長する速度）をもっている必要
がある。線速度を速くして高速オーバーライトを行なう
ためには、記録層の結晶転移速度を速くする必要があ
り、このためには、Ｓｂを相対的に増やし、逆にＴｅを
相対的に減らせばよい。しかし、ＳｂとＴｅとを調整す
る方法を用いても高速オーバーライトには限界があり、
消去特性が不十分となりやすい。しかも、Ｓｂを増やし
てＴｅを減らすと記録層の活性化エネルギーが低下する
ため、記録マークが結晶化しやすくなり、高温環境下で
の保存の際の信頼性が低くなってしまう。例えば、信頼
性向上のためにＶを添加してあっても、記録時の線速度
が４m/s 以上であった場合には、８０℃の環境下で保存
すると２００時間程度で非晶質状の記録マークが結晶化
してしまう。
は、線速度を速くして高速オーバーライトを実現する必
要がある。Ａｇ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｉｎを主体とする記録層
へのオーバーライトは、レーザ光源にバイアスパワーを
加えながら、記録マーク形成部において記録パワーを加
える。バイアスパワーは記録パワーよりも弱く、バイア
スパワー印加により非晶質部は結晶化し、結晶質部も再
結晶するので、記録マークは消去されて初期状態に戻
る。レーザ光照射後の冷却速度は媒体の線速度に依存す
るので、このようなオーバーライトを可能とするために
は、記録層が線速度に応じた結晶転移速度（非晶質ない
し微結晶が粗大結晶に成長する速度）をもっている必要
がある。線速度を速くして高速オーバーライトを行なう
ためには、記録層の結晶転移速度を速くする必要があ
り、このためには、Ｓｂを相対的に増やし、逆にＴｅを
相対的に減らせばよい。しかし、ＳｂとＴｅとを調整す
る方法を用いても高速オーバーライトには限界があり、
消去特性が不十分となりやすい。しかも、Ｓｂを増やし
てＴｅを減らすと記録層の活性化エネルギーが低下する
ため、記録マークが結晶化しやすくなり、高温環境下で
の保存の際の信頼性が低くなってしまう。例えば、信頼
性向上のためにＶを添加してあっても、記録時の線速度
が４m/s 以上であった場合には、８０℃の環境下で保存
すると２００時間程度で非晶質状の記録マークが結晶化
してしまう。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、高線
速度でのオーバーライトが可能であり、かつ高温環境下
で保存した場合でも十分な信頼性を示す相変化型光記録
媒体を提供することである。
速度でのオーバーライトが可能であり、かつ高温環境下
で保存した場合でも十分な信頼性を示す相変化型光記録
媒体を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）、（２）のいずれかの構成により達成される。 （１）基板上に相変化型の記録層を有し、この記録層は
下記式で表わされる主成分を含有するとともに結晶相と
してＡＢＣ2相（ここで、Ａは、Ａｇおよび／またはＡ
ｕであり、Ｂは、Ｓｂおよび／またはＢｉであり、Ｃ
は、Ｔｅおよび／またはＳｅである）が含まれているこ
とを特徴とする光記録媒体。 式 ｛（Ａa Ｂb Ｃc ）1-d Ｄd ｝1-e Ｅe （上記式において、Ａは、Ａｇおよび／またはＡｕであ
り、Ｂは、Ｓｂおよび／またはＢｉであり、Ｃは、Ｔｅ
および／またはＳｅであり、Ｄは、Ｉｎであるか、Ｉｎ
ならびにＡｌおよび／またはＰであり、Ｅは、Ｓｉ、Ｇ
ｅ、ＳｎおよびＰｂから選択される少なくとも１種の元
素である。また、ａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｅは原子比を表
わし、 ０．００１≦ａ≦０．２０、 ０．４０≦ｂ≦０．９０、 ０．１０≦ｃ≦０．５０、 ａ＋ｂ＋ｃ＝１、 ０＜ｄ≦０．０６、 ０．００１≦ｅ≦０．１０ である） （２）記録層がＭ（Ｍは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｍｎ、ＷおよびＭｏから選択される少なくと
も１種の元素である）を含み、記録層中のＭの比率が５
原子％以下である上記（１）の光記録媒体。
（１）、（２）のいずれかの構成により達成される。 （１）基板上に相変化型の記録層を有し、この記録層は
下記式で表わされる主成分を含有するとともに結晶相と
してＡＢＣ2相（ここで、Ａは、Ａｇおよび／またはＡ
ｕであり、Ｂは、Ｓｂおよび／またはＢｉであり、Ｃ
は、Ｔｅおよび／またはＳｅである）が含まれているこ
とを特徴とする光記録媒体。 式 ｛（Ａa Ｂb Ｃc ）1-d Ｄd ｝1-e Ｅe （上記式において、Ａは、Ａｇおよび／またはＡｕであ
り、Ｂは、Ｓｂおよび／またはＢｉであり、Ｃは、Ｔｅ
および／またはＳｅであり、Ｄは、Ｉｎであるか、Ｉｎ
ならびにＡｌおよび／またはＰであり、Ｅは、Ｓｉ、Ｇ
ｅ、ＳｎおよびＰｂから選択される少なくとも１種の元
素である。また、ａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｅは原子比を表
わし、 ０．００１≦ａ≦０．２０、 ０．４０≦ｂ≦０．９０、 ０．１０≦ｃ≦０．５０、 ａ＋ｂ＋ｃ＝１、 ０＜ｄ≦０．０６、 ０．００１≦ｅ≦０．１０ である） （２）記録層がＭ（Ｍは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｍｎ、ＷおよびＭｏから選択される少なくと
も１種の元素である）を含み、記録層中のＭの比率が５
原子％以下である上記（１）の光記録媒体。
【００１１】
【作用および効果】本発明では、ＡＢＣ2 相等のＡｇＳ
ｂＴｅ2 相を主体とする相変化型の記録層に、上記元素
Ｅを添加する。元素Ｅの添加により結晶転移速度が著し
く向上するため、高線速度でのオーバーライトが可能と
なる。しかも、元素Ｅの添加により記録層の活性化エネ
ルギーは低下しないので、高温環境下での保存に際して
も十分に高い信頼性が得られる。したがって、Ｅ添加量
を調整することにより、高信頼性を保ったまま、オーバ
ーライト可能な線速度を自在に制御することができる。
ｂＴｅ2 相を主体とする相変化型の記録層に、上記元素
Ｅを添加する。元素Ｅの添加により結晶転移速度が著し
く向上するため、高線速度でのオーバーライトが可能と
なる。しかも、元素Ｅの添加により記録層の活性化エネ
ルギーは低下しないので、高温環境下での保存に際して
も十分に高い信頼性が得られる。したがって、Ｅ添加量
を調整することにより、高信頼性を保ったまま、オーバ
ーライト可能な線速度を自在に制御することができる。
【００１２】また、記録マークの安定化のために元素Ｍ
を添加した場合、結晶転移速度が遅くなるが、元素Ｅの
添加により結晶化速度の低下が抑えられるため、高線速
度でのオーバーライト特性を犠牲にせずに、さらに高い
信頼性が得られる。
を添加した場合、結晶転移速度が遅くなるが、元素Ｅの
添加により結晶化速度の低下が抑えられるため、高線速
度でのオーバーライト特性を犠牲にせずに、さらに高い
信頼性が得られる。
【００１３】
【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。
に説明する。
【００１４】本発明の光記録媒体は、基板上に相変化型
の記録層を有する。この記録層は、Ａ（Ａｇおよび／ま
たはＡｕ）、Ｂ（Ｓｂおよび／またはＢｉ）、Ｃ（Ｔｅ
および／またはＳｅ）、Ｄ（Ｉｎであるか、Ｉｎならび
にＡｌおよび／またはＰ）およびＥ（Ｅは、Ｓｉ、Ｇ
ｅ、ＳｎおよびＰｂから選択される少なくとも１種の元
素）を含有する。また、これらの他、必要に応じ、Ｍ
（Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｎ、Ｗおよび
Ｍｏから選択される少なくとも１種の元素）を含有して
もよい。
の記録層を有する。この記録層は、Ａ（Ａｇおよび／ま
たはＡｕ）、Ｂ（Ｓｂおよび／またはＢｉ）、Ｃ（Ｔｅ
および／またはＳｅ）、Ｄ（Ｉｎであるか、Ｉｎならび
にＡｌおよび／またはＰ）およびＥ（Ｅは、Ｓｉ、Ｇ
ｅ、ＳｎおよびＰｂから選択される少なくとも１種の元
素）を含有する。また、これらの他、必要に応じ、Ｍ
（Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｎ、Ｗおよび
Ｍｏから選択される少なくとも１種の元素）を含有して
もよい。
【００１５】この記録層では、未記録部が結晶質、記録
マークが非晶質または微結晶質となるように記録が行な
われる。
マークが非晶質または微結晶質となるように記録が行な
われる。
【００１６】未記録部には、結晶相としてＡｇＳｂＴｅ
2 相等のＡＢＣ2 相が含まれる。記録層の反射率変化
は、主としてＡＢＣ2 相が担う。また、未記録部には、
ＡＢＣ2 相の他に、Ｓｂ相等のＢ相が含まれることが好
ましい。Ｂ相は結晶相である。
2 相等のＡＢＣ2 相が含まれる。記録層の反射率変化
は、主としてＡＢＣ2 相が担う。また、未記録部には、
ＡＢＣ2 相の他に、Ｓｂ相等のＢ相が含まれることが好
ましい。Ｂ相は結晶相である。
【００１７】ＤはＣと結合し、未記録部においてＩｎ−
Ｔｅ相等のＤ−Ｃ相として存在する。Ｄ−Ｃ相は、Ｄお
よびＣを主体とする結晶相であり、実質的にＤ：Ｃは
１：１であると考えられる。
Ｔｅ相等のＤ−Ｃ相として存在する。Ｄ−Ｃ相は、Ｄお
よびＣを主体とする結晶相であり、実質的にＤ：Ｃは
１：１であると考えられる。
【００１８】上記各相の存在は、透過型電子顕微鏡、Ｅ
ＰＭＡ等により確認することができる。
ＰＭＡ等により確認することができる。
【００１９】Ｅは、結晶転移速度を著しく向上させ、高
線速度でのオーバーライトを可能にする。Ｅは、Ｓｂ相
等のＢ相に主として入ると考えられ、Ｂ相の結晶化を促
進することにより記録層全体の結晶転移速度を向上させ
ると考えられる。Ｅのうちでは、Ｓｉ、Ｇｅの効果が高
く、特にＳｉの効果が高いので、ＳｉがＥ全体の８０原
子％以上、特に１００原子％を占めることが好ましい。
線速度でのオーバーライトを可能にする。Ｅは、Ｓｂ相
等のＢ相に主として入ると考えられ、Ｂ相の結晶化を促
進することにより記録層全体の結晶転移速度を向上させ
ると考えられる。Ｅのうちでは、Ｓｉ、Ｇｅの効果が高
く、特にＳｉの効果が高いので、ＳｉがＥ全体の８０原
子％以上、特に１００原子％を占めることが好ましい。
【００２０】Ｍは、非晶質の記録マークの安定性を増す
ため、高温・高湿などの悪条件下での媒体の信頼性を向
上させる。信頼性向上には特にＶが有効なので、ＶがＭ
全体の８０原子％以上、特に１００原子％を占めること
が好ましい。
ため、高温・高湿などの悪条件下での媒体の信頼性を向
上させる。信頼性向上には特にＶが有効なので、ＶがＭ
全体の８０原子％以上、特に１００原子％を占めること
が好ましい。
【００２１】本発明の光記録媒体の記録層の主成分は、
下記式で表わされる。
下記式で表わされる。
【００２２】 式 ｛（Ａa Ｂb Ｃc ）1-d Ｄd ｝1-e Ｅe
【００２３】上記式において、ａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｅ
は原子比を表わし、 ０．００１≦ａ≦０．２０、 ０．４０≦ｂ≦０．９０、 ０．１０≦ｃ≦０．５０、 ａ＋ｂ＋ｃ＝１、 ０＜ｄ≦０．０６、 ０．００１≦ｅ≦０．１０ であり、好ましくは ０．０５≦ａ≦０．１５、 ０．５０≦ｂ≦０．８０、 ０．２０≦ｃ≦０．４５、 ａ＋ｂ＋ｃ＝１、 ０．０２≦ｄ≦０．０５、 ０．０１≦ｅ≦０．０５ である。
は原子比を表わし、 ０．００１≦ａ≦０．２０、 ０．４０≦ｂ≦０．９０、 ０．１０≦ｃ≦０．５０、 ａ＋ｂ＋ｃ＝１、 ０＜ｄ≦０．０６、 ０．００１≦ｅ≦０．１０ であり、好ましくは ０．０５≦ａ≦０．１５、 ０．５０≦ｂ≦０．８０、 ０．２０≦ｃ≦０．４５、 ａ＋ｂ＋ｃ＝１、 ０．０２≦ｄ≦０．０５、 ０．０１≦ｅ≦０．０５ である。
【００２４】上記式においてａが小さすぎると、記録マ
ークの再結晶化が困難となり、繰り返しオーバーライト
が困難となる。ａが大きすぎると、記録層の信頼性が低
くなってしまう。すなわち、高温で保存したときに記録
マークの結晶化が進んで、Ｃ／Ｎや変調度が劣化しやす
くなる。また、繰り返して記録を行なったときのＣ／Ｎ
および変調度の劣化も進みやすくなる。
ークの再結晶化が困難となり、繰り返しオーバーライト
が困難となる。ａが大きすぎると、記録層の信頼性が低
くなってしまう。すなわち、高温で保存したときに記録
マークの結晶化が進んで、Ｃ／Ｎや変調度が劣化しやす
くなる。また、繰り返して記録を行なったときのＣ／Ｎ
および変調度の劣化も進みやすくなる。
【００２５】上記式においてｂが小さすぎると、未記録
部におけるＢ相の割合が減少し、相変化に伴なう反射率
差は大きくなるが結晶転移速度が急激に遅くなって消去
が困難となる。ｂが大きすぎると、相変化に伴なう反射
率差が小さくなって変調度が小さくなり、また、結晶転
移速度が速くなりすぎる。
部におけるＢ相の割合が減少し、相変化に伴なう反射率
差は大きくなるが結晶転移速度が急激に遅くなって消去
が困難となる。ｂが大きすぎると、相変化に伴なう反射
率差が小さくなって変調度が小さくなり、また、結晶転
移速度が速くなりすぎる。
【００２６】上記式においてｃが小さすぎると、ＡＢＣ
2 相を形成するためのＣが不足し、ＡＢＣ2 相の割合が
減少してしまう。このためＡが過剰となって、Ａ相や他
のＡＢＣ2 相以外の相を構成することになる。このた
め、記録時にＡが記録マークから未記録部にほとんど拡
散しないか、あるいは逆にＡが記録マーク中に拡散して
しまい、信頼性向上が実現しないか、信頼性はかえって
低下する。ｃが大きすぎると、ＡＢＣ2 相とＤ−Ｃ相と
を形成した後でもＣが過剰となって、Ｃ相が形成され
る。Ｃ相は結晶転移速度を低下させるため、消去が困難
となる。
2 相を形成するためのＣが不足し、ＡＢＣ2 相の割合が
減少してしまう。このためＡが過剰となって、Ａ相や他
のＡＢＣ2 相以外の相を構成することになる。このた
め、記録時にＡが記録マークから未記録部にほとんど拡
散しないか、あるいは逆にＡが記録マーク中に拡散して
しまい、信頼性向上が実現しないか、信頼性はかえって
低下する。ｃが大きすぎると、ＡＢＣ2 相とＤ−Ｃ相と
を形成した後でもＣが過剰となって、Ｃ相が形成され
る。Ｃ相は結晶転移速度を低下させるため、消去が困難
となる。
【００２７】上記式においてｄが小さすぎると、Ｄ−Ｃ
相の割合が減少する。Ｄ−Ｃ相はＡＢＣ2 相の結晶粒の
成長を阻害する作用を示すため、Ｄ−Ｃ相の減少はＡＢ
Ｃ2相の結晶粒の成長を助長する。このため、記録マー
クの非晶質化が不十分となって変調度が低下し、また、
信頼性も低くなってしまう。ｄが大きすぎると、ＡＢＣ
2 相の結晶粒の成長が阻害されるため、消去が困難とな
る。
相の割合が減少する。Ｄ−Ｃ相はＡＢＣ2 相の結晶粒の
成長を阻害する作用を示すため、Ｄ−Ｃ相の減少はＡＢ
Ｃ2相の結晶粒の成長を助長する。このため、記録マー
クの非晶質化が不十分となって変調度が低下し、また、
信頼性も低くなってしまう。ｄが大きすぎると、ＡＢＣ
2 相の結晶粒の成長が阻害されるため、消去が困難とな
る。
【００２８】上記式において、ｅが小さすぎると、結晶
転移速度の向上が不十分となって、オーバーライト可能
な線速度が低くなってしまう。ｅが大きすぎると、オー
バーライトの繰り返しによりＢ相の中に多量にＥが拡散
してＥ粒子が析出分離し、ＢＥ相が減少してしまう。こ
のためＥ添加による効果が減じられ、高速オーバーライ
トの繰り返しが不可能となる。
転移速度の向上が不十分となって、オーバーライト可能
な線速度が低くなってしまう。ｅが大きすぎると、オー
バーライトの繰り返しによりＢ相の中に多量にＥが拡散
してＥ粒子が析出分離し、ＢＥ相が減少してしまう。こ
のためＥ添加による効果が減じられ、高速オーバーライ
トの繰り返しが不可能となる。
【００２９】上記主成分に加えてＭが含まれるとき、記
録層中のＭの比率は好ましくは５原子％以下、より好ま
しくは３原子％以下である。Ｍの比率が高すぎると相変
化に伴なう反射率変化が小さくなって十分な変調度が得
られなくなる。Ｍは、ＡＢＣ2 の結晶構造の変化を阻害
することにより結晶転移速度を低下させると考えられ
る。このため、Ｍの比率が高いと、ＥによるＢ相への効
果が相対的に大きく減殺されてしまう。
録層中のＭの比率は好ましくは５原子％以下、より好ま
しくは３原子％以下である。Ｍの比率が高すぎると相変
化に伴なう反射率変化が小さくなって十分な変調度が得
られなくなる。Ｍは、ＡＢＣ2 の結晶構造の変化を阻害
することにより結晶転移速度を低下させると考えられ
る。このため、Ｍの比率が高いと、ＥによるＢ相への効
果が相対的に大きく減殺されてしまう。
【００３０】ＡとしてはＡｇが好ましく、好ましくはＡ
中の５０原子％以上、より好ましくは８０原子％以上を
Ａｇとし、さらに好ましくはＡｇだけを用いる。Ａ中の
Ａｕ比率が高すぎると結晶転移速度が速くなりすぎ、十
分な変調度およびＣ／Ｎを確保することが難しくなる。
中の５０原子％以上、より好ましくは８０原子％以上を
Ａｇとし、さらに好ましくはＡｇだけを用いる。Ａ中の
Ａｕ比率が高すぎると結晶転移速度が速くなりすぎ、十
分な変調度およびＣ／Ｎを確保することが難しくなる。
【００３１】ＢとしてはＳｂが好ましく、好ましくはＢ
中の５０原子％以上、より好ましくは８０原子％以上を
Ｓｂとし、さらに好ましくはＳｂだけを用いる。Ｂ中の
Ｂｉ比率が高すぎると記録層の吸収係数が増加して光の
干渉効果が減少し、このため結晶−非晶質間の反射率差
が小さくなって高Ｃ／Ｎが得られなくなる。
中の５０原子％以上、より好ましくは８０原子％以上を
Ｓｂとし、さらに好ましくはＳｂだけを用いる。Ｂ中の
Ｂｉ比率が高すぎると記録層の吸収係数が増加して光の
干渉効果が減少し、このため結晶−非晶質間の反射率差
が小さくなって高Ｃ／Ｎが得られなくなる。
【００３２】ＣとしてはＴｅが好ましく、好ましくはＣ
中の５０原子％以上、より好ましくは８０原子％以上を
Ｔｅとし、さらに好ましくはＴｅだけを用いる。Ｃ中の
Ｓｅ比率が高すぎると結晶転移速度が遅くなりすぎ、十
分な消去率が得られなくなる。
中の５０原子％以上、より好ましくは８０原子％以上を
Ｔｅとし、さらに好ましくはＴｅだけを用いる。Ｃ中の
Ｓｅ比率が高すぎると結晶転移速度が遅くなりすぎ、十
分な消去率が得られなくなる。
【００３３】Ｄ中のＩｎの比率は、好ましくは６０原子
％以上、より好ましくは８０原子％以上である。Ｄ中の
Ｉｎ比率が低すぎると、信頼性が低くなる。記録時に
は、記録マークにおいてＡｇが周囲に拡散し、Ａｇの替
わりにＩｎがＴｅと結合してＩｎ−Ｔｅ結晶となる。Ｉ
ｎ−Ｔｅの微小結晶核は、ＡｇＳｂＴｅ2 相等のＡＢＣ
2 相の結晶成長を阻害するが、Ｉｎ量が少ないとＩｎ−
Ｔｅの微小結晶核が少なくなるため、ＡＢＣ2 の微小結
晶核が結合して成長しやすくなり、記録マークの安定性
が不十分となるのである。なお、ＡｌとＰとの比率は任
意である。
％以上、より好ましくは８０原子％以上である。Ｄ中の
Ｉｎ比率が低すぎると、信頼性が低くなる。記録時に
は、記録マークにおいてＡｇが周囲に拡散し、Ａｇの替
わりにＩｎがＴｅと結合してＩｎ−Ｔｅ結晶となる。Ｉ
ｎ−Ｔｅの微小結晶核は、ＡｇＳｂＴｅ2 相等のＡＢＣ
2 相の結晶成長を阻害するが、Ｉｎ量が少ないとＩｎ−
Ｔｅの微小結晶核が少なくなるため、ＡＢＣ2 の微小結
晶核が結合して成長しやすくなり、記録マークの安定性
が不十分となるのである。なお、ＡｌとＰとの比率は任
意である。
【００３４】記録層中には、上記した各元素に加え、例
えば、微量不純物として、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｆｅ、
Ｏ、Ｎ、Ｃ等の他の元素が含まれていてもよいが、これ
らの元素の合計含有量は０．０５原子％以下であること
が好ましい。
えば、微量不純物として、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｆｅ、
Ｏ、Ｎ、Ｃ等の他の元素が含まれていてもよいが、これ
らの元素の合計含有量は０．０５原子％以下であること
が好ましい。
【００３５】記録層の組成は、電子線プローブマイクロ
アナリシス（ＥＰＭＡ）やＸ線マイクロアナリシスなど
により測定することができる。
アナリシス（ＥＰＭＡ）やＸ線マイクロアナリシスなど
により測定することができる。
【００３６】なお、記録層の吸収係数ｋは、結晶状態の
ときが３．３程度、微結晶ないし非晶質のときが２．２
程度である。
ときが３．３程度、微結晶ないし非晶質のときが２．２
程度である。
【００３７】記録層の厚さは、好ましくは１０〜５０n
m、より好ましくは１３〜３０nmとする。記録層が薄す
ぎると結晶相の成長が困難となり、相変化に伴なう反射
率変化が不十分となる。一方、記録層が厚すぎると、記
録マーク形成時に記録層の厚さ方向へＡが多量に拡散
し、記録層面内方向へ拡散するＡの比率が小さくなって
しまうため、記録層の信頼性が低くなってしまう。
m、より好ましくは１３〜３０nmとする。記録層が薄す
ぎると結晶相の成長が困難となり、相変化に伴なう反射
率変化が不十分となる。一方、記録層が厚すぎると、記
録マーク形成時に記録層の厚さ方向へＡが多量に拡散
し、記録層面内方向へ拡散するＡの比率が小さくなって
しまうため、記録層の信頼性が低くなってしまう。
【００３８】記録層の形成方法は特に限定されず、スパ
ッタ法や蒸着法などから適宜選択すればよいが、通常、
スパッタ法を用いる。スパッタ法を用いる場合、合金タ
ーゲットだけを用いてもよく、金属単体や合金からなる
ターゲットを複数種用いて多元スパッタを行なってもよ
い。このようなターゲットを用いて形成された記録層は
非晶質であるため、記録前に初期化操作が必要である。
初期化は、バルクイレーザなどによって結晶化させるこ
とにより行なう。
ッタ法や蒸着法などから適宜選択すればよいが、通常、
スパッタ法を用いる。スパッタ法を用いる場合、合金タ
ーゲットだけを用いてもよく、金属単体や合金からなる
ターゲットを複数種用いて多元スパッタを行なってもよ
い。このようなターゲットを用いて形成された記録層は
非晶質であるため、記録前に初期化操作が必要である。
初期化は、バルクイレーザなどによって結晶化させるこ
とにより行なう。
【００３９】ただし、スパッタ工程を２工程または３工
程に分割することにより、結晶化した記録層を形成する
ことができる。この方法では、ＡおよびＣを主体とする
Ａ−Ｃ系金属をスパッタするＡ−Ｃ系金属スパッタ工程
と、Ｂを主体とするＢ系金属をスパッタするＢ系金属ス
パッタ工程とを隣接して設ける。そして、Ｂ系金属にＤ
を含有させるか、Ｂ系金属スパッタ工程に隣接して、Ｄ
を主体とするＤ系金属をスパッタするＤ系金属スパッタ
工程を設ける。ＥおよびＭは、Ａ−Ｃ系金属、Ｂ系金属
およびＤ系金属の少なくとも１種に含有させればよい。
この方法の詳細は、本願出願人による平成７年２月１３
日付の出願（整理番号０７Ｐ００７）に開示されてい
る。
程に分割することにより、結晶化した記録層を形成する
ことができる。この方法では、ＡおよびＣを主体とする
Ａ−Ｃ系金属をスパッタするＡ−Ｃ系金属スパッタ工程
と、Ｂを主体とするＢ系金属をスパッタするＢ系金属ス
パッタ工程とを隣接して設ける。そして、Ｂ系金属にＤ
を含有させるか、Ｂ系金属スパッタ工程に隣接して、Ｄ
を主体とするＤ系金属をスパッタするＤ系金属スパッタ
工程を設ける。ＥおよびＭは、Ａ−Ｃ系金属、Ｂ系金属
およびＤ系金属の少なくとも１種に含有させればよい。
この方法の詳細は、本願出願人による平成７年２月１３
日付の出願（整理番号０７Ｐ００７）に開示されてい
る。
【００４０】本発明の光記録媒体の構成例を図１に示
す。同図において光記録媒体１は、基板２上に下部誘電
体層３、記録層４、上部誘電体層５、反射層６および保
護層７を有する。
す。同図において光記録媒体１は、基板２上に下部誘電
体層３、記録層４、上部誘電体層５、反射層６および保
護層７を有する。
【００４１】この構成の光記録媒体では基板２を通して
記録層４に光ビームが照射されるので、基板２は、用い
る光ビームに対して実質的に透明である材質、例えば、
樹脂やガラスなどから構成されることが好ましい。これ
らのうち、取り扱いが容易で安価であることなどから、
基板の材質としては樹脂が好ましい。具体的には、アク
リル樹脂、ポリカーボネート、エポキシ樹脂、ポリオレ
フィン等の各種樹脂を用いればよい。基板の形状および
寸法は特に限定されないが、通常、ディスク状であり、
厚さは０．５〜３mm程度、直径は５０〜３６０mm程度で
ある。基板の表面には、トラッキング用やアドレス用等
のために、グルーブ等の所定のパターンが必要に応じて
設けられる。
記録層４に光ビームが照射されるので、基板２は、用い
る光ビームに対して実質的に透明である材質、例えば、
樹脂やガラスなどから構成されることが好ましい。これ
らのうち、取り扱いが容易で安価であることなどから、
基板の材質としては樹脂が好ましい。具体的には、アク
リル樹脂、ポリカーボネート、エポキシ樹脂、ポリオレ
フィン等の各種樹脂を用いればよい。基板の形状および
寸法は特に限定されないが、通常、ディスク状であり、
厚さは０．５〜３mm程度、直径は５０〜３６０mm程度で
ある。基板の表面には、トラッキング用やアドレス用等
のために、グルーブ等の所定のパターンが必要に応じて
設けられる。
【００４２】下部誘電体層３は、記録層の酸化を防ぎ、
また、記録時に記録層から基板に伝わる熱を遮断して基
板を保護する。上部誘電体層５は、記録層を保護すると
共に、記録後、記録層に残った熱を熱伝導により放出す
るために設けられる。各誘電体層に用いる誘電体は特に
限定されず、例えば、ＳｉＯ2 等の酸化ケイ素やＳｉ3
Ｎ4 等の窒化ケイ素、ＺｎＳ等の硫化亜鉛、あるいはこ
れらの混合物など、透明な各種セラミックスを用いれば
よく、また、各種ガラスなどを用いてもよい。また、例
えば、Ｌａ、Ｓｉ、ＯおよびＮを含有する所謂LaSiON
や、Ｓｉ、Ａｌ、ＯおよびＮを含有する所謂SiAlON、あ
るいはＹを含有するSiAlON等も好ましく用いることがで
きる。これらの中では、例えば波長４００〜８５０nmの
範囲での屈折率が１．４以上であるものが好ましく、特
に屈折率が１．８以上であるものが好ましい。なお、上
記波長範囲は、現在のＣＤプレーヤの使用波長である７
８０nmや、次世代の記録波長として実用化が進められて
いる６８０nmを含むものであり、本発明の光記録媒体に
対し好ましく使用される波長範囲である。使用する誘電
体材料は、具体的にはＳｉ3 Ｎ4 、ＺｎＳとＳｉＯ2 と
の混合物、ＺｎＳとＳｉ3 Ｎ4 との混合物、ＺｎＳとＴ
ａ2 Ｏ5 との混合物などが好ましい。下部誘電体層３の
厚さは、好ましくは５０〜３００nm、より好ましくは１
００〜２５０nmとする。下部誘電体層をこのような厚さ
とすることにより、記録に際しての基板損傷を効果的に
防ぐことができ、しかも変調度も高くなる。上部誘電体
層５の厚さは、好ましくは１０〜６０nmとする。上部誘
電体層をこのような厚さとすることにより冷却速度が速
くなるので、記録マークのエッジが明瞭となってジッタ
ーが低くなる。また、このような厚さとすることによ
り、変調度を高くすることができる。
また、記録時に記録層から基板に伝わる熱を遮断して基
板を保護する。上部誘電体層５は、記録層を保護すると
共に、記録後、記録層に残った熱を熱伝導により放出す
るために設けられる。各誘電体層に用いる誘電体は特に
限定されず、例えば、ＳｉＯ2 等の酸化ケイ素やＳｉ3
Ｎ4 等の窒化ケイ素、ＺｎＳ等の硫化亜鉛、あるいはこ
れらの混合物など、透明な各種セラミックスを用いれば
よく、また、各種ガラスなどを用いてもよい。また、例
えば、Ｌａ、Ｓｉ、ＯおよびＮを含有する所謂LaSiON
や、Ｓｉ、Ａｌ、ＯおよびＮを含有する所謂SiAlON、あ
るいはＹを含有するSiAlON等も好ましく用いることがで
きる。これらの中では、例えば波長４００〜８５０nmの
範囲での屈折率が１．４以上であるものが好ましく、特
に屈折率が１．８以上であるものが好ましい。なお、上
記波長範囲は、現在のＣＤプレーヤの使用波長である７
８０nmや、次世代の記録波長として実用化が進められて
いる６８０nmを含むものであり、本発明の光記録媒体に
対し好ましく使用される波長範囲である。使用する誘電
体材料は、具体的にはＳｉ3 Ｎ4 、ＺｎＳとＳｉＯ2 と
の混合物、ＺｎＳとＳｉ3 Ｎ4 との混合物、ＺｎＳとＴ
ａ2 Ｏ5 との混合物などが好ましい。下部誘電体層３の
厚さは、好ましくは５０〜３００nm、より好ましくは１
００〜２５０nmとする。下部誘電体層をこのような厚さ
とすることにより、記録に際しての基板損傷を効果的に
防ぐことができ、しかも変調度も高くなる。上部誘電体
層５の厚さは、好ましくは１０〜６０nmとする。上部誘
電体層をこのような厚さとすることにより冷却速度が速
くなるので、記録マークのエッジが明瞭となってジッタ
ーが低くなる。また、このような厚さとすることによ
り、変調度を高くすることができる。
【００４３】なお、例えば後述するように、下部誘電体
層３および／または上部誘電体層５を、組成の異なる２
層以上の誘電体層から構成してもよい。
層３および／または上部誘電体層５を、組成の異なる２
層以上の誘電体層から構成してもよい。
【００４４】各誘電体層は、スパッタ法や蒸着法等の気
相成長法により形成することが好ましい。
相成長法により形成することが好ましい。
【００４５】反射層６の材質は特に限定されないが、通
常、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ等の単体あるいはこ
れらの１種以上を含む合金などの高反射率金属から構成
すればよい。反射層の厚さは、３０〜１５０nmとするこ
とが好ましい。厚さが前記範囲未満であると十分な反射
率が得にくくなる。また、前記範囲を超えても反射率の
向上は小さく、コスト的に不利になる。反射層は、スパ
ッタ法や蒸着法等の気相成長法により形成することが好
ましい。
常、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ等の単体あるいはこ
れらの１種以上を含む合金などの高反射率金属から構成
すればよい。反射層の厚さは、３０〜１５０nmとするこ
とが好ましい。厚さが前記範囲未満であると十分な反射
率が得にくくなる。また、前記範囲を超えても反射率の
向上は小さく、コスト的に不利になる。反射層は、スパ
ッタ法や蒸着法等の気相成長法により形成することが好
ましい。
【００４６】保護層７は、耐擦傷性や耐食性の向上のた
めに設けられる。この保護層は種々の有機系の物質から
構成されることが好ましいが、特に、放射線硬化型化合
物やその組成物を、電子線、紫外線等の放射線により硬
化させた物質から構成されることが好ましい。保護層の
厚さは、通常、０．１〜１００μm 程度であり、スピン
コート、グラビア塗布、スプレーコート、ディッピング
等、通常の方法により形成すればよい。
めに設けられる。この保護層は種々の有機系の物質から
構成されることが好ましいが、特に、放射線硬化型化合
物やその組成物を、電子線、紫外線等の放射線により硬
化させた物質から構成されることが好ましい。保護層の
厚さは、通常、０．１〜１００μm 程度であり、スピン
コート、グラビア塗布、スプレーコート、ディッピング
等、通常の方法により形成すればよい。
【００４７】なお、媒体からの反射率を高くするため
に、下部誘電体層が屈折率の相異なる２層の誘電体層か
らなる積層体を少なくとも１つ含み、前記積層体におい
て屈折率のより高い誘電体層が基板側に存在する構成と
してもよい。この構成では、通常、基板上に高屈折率
層、低屈折率層、記録層、上部誘電体層、反射層および
保護層の順に積層する。
に、下部誘電体層が屈折率の相異なる２層の誘電体層か
らなる積層体を少なくとも１つ含み、前記積層体におい
て屈折率のより高い誘電体層が基板側に存在する構成と
してもよい。この構成では、通常、基板上に高屈折率
層、低屈折率層、記録層、上部誘電体層、反射層および
保護層の順に積層する。
【００４８】本発明の光記録媒体では、記録および再生
は以下のようにして行なわれる。
は以下のようにして行なわれる。
【００４９】本発明の光記録媒体は、製造後、必要に応
じて記録層が初期化（結晶化）される。結晶化状態の記
録層に記録用光ビーム（レーザ光ビーム）を照射するこ
とにより、照射部位は溶融する。そして、記録用光ビー
ム通過後に前記部位の温度は急速に下がるので、前記部
位は実質的に非晶質化ないし微結晶化して記録マークと
なる。
じて記録層が初期化（結晶化）される。結晶化状態の記
録層に記録用光ビーム（レーザ光ビーム）を照射するこ
とにより、照射部位は溶融する。そして、記録用光ビー
ム通過後に前記部位の温度は急速に下がるので、前記部
位は実質的に非晶質化ないし微結晶化して記録マークと
なる。
【００５０】一方、記録情報を書き換えるときには、新
たに記録マークとする部位で記録用光ビームを照射し、
その他の部位では消去用光ビームを連続的に照射する。
消去用光ビームの照射部位の温度は上昇するが、消去用
光ビームは記録用光ビームに比べ低パワーなので到達温
度は相対的に低く記録層の融点を超えない温度である。
しかし、消去用光ビームの照射領域は広いため、蓄熱効
果により温度勾配がなだらかになって冷却速度が上記結
晶転移速度より遅くなり、結晶質が形成される。記録マ
ークは記録用光ビームの照射によって一旦溶融するが、
このときの熱は反射層方面に急速に拡散してしまうた
め、非晶質ないし微結晶状態を維持できる。従って、書
き換えの際には、照射前の状態が結晶質であっても非晶
質ないし微結晶であっても、記録用光ビーム照射部位は
全て非晶質ないし微結晶の記録マークとなり、また、消
去用光ビーム照射部位は全て結晶質となり、オーバーラ
イト記録が可能となる。なお、このようなオーバーライ
ト記録において、単一の光ビームを変調することによ
り、記録用光ビームと消去用光ビームとを照射すること
が可能である。すなわち、レーザ光源にバイアスパワー
を加えておき、記録マーク形成部では記録パワーを加え
る。
たに記録マークとする部位で記録用光ビームを照射し、
その他の部位では消去用光ビームを連続的に照射する。
消去用光ビームの照射部位の温度は上昇するが、消去用
光ビームは記録用光ビームに比べ低パワーなので到達温
度は相対的に低く記録層の融点を超えない温度である。
しかし、消去用光ビームの照射領域は広いため、蓄熱効
果により温度勾配がなだらかになって冷却速度が上記結
晶転移速度より遅くなり、結晶質が形成される。記録マ
ークは記録用光ビームの照射によって一旦溶融するが、
このときの熱は反射層方面に急速に拡散してしまうた
め、非晶質ないし微結晶状態を維持できる。従って、書
き換えの際には、照射前の状態が結晶質であっても非晶
質ないし微結晶であっても、記録用光ビーム照射部位は
全て非晶質ないし微結晶の記録マークとなり、また、消
去用光ビーム照射部位は全て結晶質となり、オーバーラ
イト記録が可能となる。なお、このようなオーバーライ
ト記録において、単一の光ビームを変調することによ
り、記録用光ビームと消去用光ビームとを照射すること
が可能である。すなわち、レーザ光源にバイアスパワー
を加えておき、記録マーク形成部では記録パワーを加え
る。
【００５１】記録用光ビームは、パルス状に照射するこ
とが好ましい。一つの信号を少なくとも２回の照射で記
録することにより記録マークでの蓄熱が抑制され、記録
マーク後端部の膨れ（ティアドロップ現象）を抑えるこ
とができるので、Ｃ／Ｎが向上する。また、パルス状照
射により消去率も向上する。
とが好ましい。一つの信号を少なくとも２回の照射で記
録することにより記録マークでの蓄熱が抑制され、記録
マーク後端部の膨れ（ティアドロップ現象）を抑えるこ
とができるので、Ｃ／Ｎが向上する。また、パルス状照
射により消去率も向上する。
【００５２】記録用光ビームのパワー、消去用光ビーム
のパワーの具体的値は実験的に決定することができる。
のパワーの具体的値は実験的に決定することができる。
【００５３】再生用光ビームは、記録層の結晶状態に影
響を与えない低パワーの光ビームである。
響を与えない低パワーの光ビームである。
【００５４】なお、非晶質ないし微結晶質からなる記録
マークは、結晶質の未記録部に比べ反射率が低くなる。
マークは、結晶質の未記録部に比べ反射率が低くなる。
【００５５】本発明の光記録媒体への記録に際し、記録
用光ビームに対する記録層の相対速度（相対線速度）
は、通常、１〜３０m/s 程度であるが、好ましくは４〜
２５m/s 、より好ましくは６〜２０m/s 、さらに好まし
くは１０〜２０m/s である。本発明の光記録媒体では、
このような高線速度領域でのオーバーライトが可能で、
しかも十分な信頼性が得られる。
用光ビームに対する記録層の相対速度（相対線速度）
は、通常、１〜３０m/s 程度であるが、好ましくは４〜
２５m/s 、より好ましくは６〜２０m/s 、さらに好まし
くは１０〜２０m/s である。本発明の光記録媒体では、
このような高線速度領域でのオーバーライトが可能で、
しかも十分な信頼性が得られる。
【００５６】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明
をさらに詳細に説明する。
をさらに詳細に説明する。
【００５７】＜実施例１＞射出成形によりグルーブを同
時形成した直径１３３mm、厚さ１．２mmのディスク状ポ
リカーボネート基板の表面に、下部誘電体層、記録層、
上部誘電体層、反射層および保護層を形成して、図１の
構成を有する光記録ディスクサンプルとした。
時形成した直径１３３mm、厚さ１．２mmのディスク状ポ
リカーボネート基板の表面に、下部誘電体層、記録層、
上部誘電体層、反射層および保護層を形成して、図１の
構成を有する光記録ディスクサンプルとした。
【００５８】下部誘電体層は、ＺｎＳおよびＳｉＯ2 を
ターゲットとしてスパッタ法により形成した。ＳｉＯ2
／（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2 ）は１５モル％とした。下部誘電
体層の厚さは１２０nmとした。
ターゲットとしてスパッタ法により形成した。ＳｉＯ2
／（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2 ）は１５モル％とした。下部誘電
体層の厚さは１２０nmとした。
【００５９】記録層は、ＲＦスパッタにより形成した。
スパッタターゲットには、Ｓｂターゲットの表面にＡ
ｇ、Ｉｎ、ＴｅおよびＳｉの各チップを貼ったものを用
いた。記録層の厚さは２５nmとした。記録層の組成をＩ
ＣＰにより測定したところ、 ｛（Ａｇa Ｓｂb Ｔｅc ）1-d Ｉｎd ｝1-e Ｓｉe において、 ａ＝０．１２３、 ｂ＝０．５４４、 ｃ＝０．３３３、 ｄ＝０．０５、 ｅ＝０．０１７ であった。
スパッタターゲットには、Ｓｂターゲットの表面にＡ
ｇ、Ｉｎ、ＴｅおよびＳｉの各チップを貼ったものを用
いた。記録層の厚さは２５nmとした。記録層の組成をＩ
ＣＰにより測定したところ、 ｛（Ａｇa Ｓｂb Ｔｅc ）1-d Ｉｎd ｝1-e Ｓｉe において、 ａ＝０．１２３、 ｂ＝０．５４４、 ｃ＝０．３３３、 ｄ＝０．０５、 ｅ＝０．０１７ であった。
【００６０】上部誘電体層は、下部誘電体層と同様にし
て形成した。上部誘電体層の厚さは２２nmとした。
て形成した。上部誘電体層の厚さは２２nmとした。
【００６１】反射層はＡｌ−Ｎｉをターゲットに用いて
スパッタ法により形成し、厚さは１００nmとした。
スパッタ法により形成し、厚さは１００nmとした。
【００６２】保護層は、紫外線硬化型樹脂をスピンコー
ト法により塗布後、紫外線照射により硬化して形成し
た。硬化後の保護層厚さは５μm であった。
ト法により塗布後、紫外線照射により硬化して形成し
た。硬化後の保護層厚さは５μm であった。
【００６３】このサンプルの記録層をバルクイレーザに
より初期化した。初期化後の記録層を透過型電子顕微
鏡、ＥＰＭＡおよびＸ線マイクロアナリシスにより解析
したところ、結晶質はＡｇＳｂＴｅ2 相、Ｓｂ相，Ｓｂ
Ｓｉ相およびＩｎＴｅ相の混相であった。
より初期化した。初期化後の記録層を透過型電子顕微
鏡、ＥＰＭＡおよびＸ線マイクロアナリシスにより解析
したところ、結晶質はＡｇＳｂＴｅ2 相、Ｓｂ相，Ｓｂ
Ｓｉ相およびＩｎＴｅ相の混相であった。
【００６４】次いで、記録パワーを１２mW、バイアスパ
ワーを６mWとし、３．３８MHz の信号を繰り返しオーバ
ーライトし、オーバーライト可能（２５ dB 以上の消去
が可能）な最高線速度を調べた。その結果、このサンプ
ルのオーバーライト可能な最高線速度は、１２m/s であ
った。
ワーを６mWとし、３．３８MHz の信号を繰り返しオーバ
ーライトし、オーバーライト可能（２５ dB 以上の消去
が可能）な最高線速度を調べた。その結果、このサンプ
ルのオーバーライト可能な最高線速度は、１２m/s であ
った。
【００６５】次に、このサンプルに線速度１２m/s で
３．３８MHz の信号を記録し、その再生信号のＣ／Ｎを
測定した。なお、レーザビームの波長は、６８０nmとし
た。そして、記録後、８０℃・８０％ＲＨの条件下で保
存して、記録層の信頼性を調べた。その結果、このサン
プルでは５０００時間以上にわたってＣ／Ｎの劣化は認
められなかった。
３．３８MHz の信号を記録し、その再生信号のＣ／Ｎを
測定した。なお、レーザビームの波長は、６８０nmとし
た。そして、記録後、８０℃・８０％ＲＨの条件下で保
存して、記録層の信頼性を調べた。その結果、このサン
プルでは５０００時間以上にわたってＣ／Ｎの劣化は認
められなかった。
【００６６】＜比較例１＞記録層の組成を （Ａｇa Ｓｂb Ｔｅc ）1-d Ｉｎd （ａ、ｂ、ｃ、ｄは実施例１と同一）とし、これ以外は
実施例１と同様にして比較サンプルを作製した。この比
較サンプルの記録層は、実施例１のサンプルの記録層か
らＳｉを除いたものである。この比較サンプルについて
も、実施例１と同様にしてオーバーライト可能な最高線
速度を求めたところ、２．８m/s であった。比較例１と
実施例１との比較から、主組成のＡｇ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｉ
ｎの比率を変更することなくＳｉを添加するだけで、オ
ーバーライト可能な線速度が著しく高くなり、しかも、
高信頼性が得られることがわかる。
実施例１と同様にして比較サンプルを作製した。この比
較サンプルの記録層は、実施例１のサンプルの記録層か
らＳｉを除いたものである。この比較サンプルについて
も、実施例１と同様にしてオーバーライト可能な最高線
速度を求めたところ、２．８m/s であった。比較例１と
実施例１との比較から、主組成のＡｇ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｉ
ｎの比率を変更することなくＳｉを添加するだけで、オ
ーバーライト可能な線速度が著しく高くなり、しかも、
高信頼性が得られることがわかる。
【００６７】＜比較例２＞記録層の組成を ｛（Ａｇa Ｓｂb Ｔｅc ）1-d Ｉｎd ｝1-e Ｖe （ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅは実施例１と同一）とし、これ以
外は実施例１と同様にして比較サンプルを作製した。こ
の比較サンプルの記録層は、実施例１のサンプルの記録
層のＳｉをＶに替えたものである。この比較サンプルに
ついても、実施例１と同様にしてオーバーライト可能な
最高線速度を求めたところ、１．４m/s であった。
外は実施例１と同様にして比較サンプルを作製した。こ
の比較サンプルの記録層は、実施例１のサンプルの記録
層のＳｉをＶに替えたものである。この比較サンプルに
ついても、実施例１と同様にしてオーバーライト可能な
最高線速度を求めたところ、１．４m/s であった。
【００６８】なお、実施例１のサンプルの記録層のＳｉ
の少なくとも一部を、Ｇｅ、ＳｎおよびＰｂの少なくと
も１種に替えた場合でも、オーバーライト可能な最高線
速度が向上することが認められた。
の少なくとも一部を、Ｇｅ、ＳｎおよびＰｂの少なくと
も１種に替えた場合でも、オーバーライト可能な最高線
速度が向上することが認められた。
【００６９】また、実施例１で作製したサンプルにおい
て、記録層のＳｂの少なくとも一部をＢｉに替えた場
合、Ａｇの少なくとも一部をＡｕに替えた場合、Ｔｅの
少なくとも一部をＳｅに替えた場合、Ｉｎの一部をＡｌ
および／またはＰに替えた場合のいずれにおいても、Ｓ
ｉ添加の効果が得られた。ただし、Ｂｉ置換量がＳｂの
８０原子％を超えると、記録層の吸収係数が高くなって
光学的に取り得る結晶−非晶質間の反射率差が小さくな
り、変調度が減少してしまった。
て、記録層のＳｂの少なくとも一部をＢｉに替えた場
合、Ａｇの少なくとも一部をＡｕに替えた場合、Ｔｅの
少なくとも一部をＳｅに替えた場合、Ｉｎの一部をＡｌ
および／またはＰに替えた場合のいずれにおいても、Ｓ
ｉ添加の効果が得られた。ただし、Ｂｉ置換量がＳｂの
８０原子％を超えると、記録層の吸収係数が高くなって
光学的に取り得る結晶−非晶質間の反射率差が小さくな
り、変調度が減少してしまった。
【００７０】また、実施例１のサンプルの記録層に、含
有率が０．５原子％となるようにＶを添加したところ、
オーバーライト可能な最高線速度はやや低下したが、信
頼性の向上が認められた。
有率が０．５原子％となるようにＶを添加したところ、
オーバーライト可能な最高線速度はやや低下したが、信
頼性の向上が認められた。
【００７１】以上の結果から、本発明の効果が明らかで
ある。
ある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光記録媒体の構成例を示す部分断面図
である。
である。
１ 光記録媒体 ２ 基板 ３ 下部誘電体層 ４ 記録層 ５ 上部誘電体層 ６ 反射層 ７ 保護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加藤 達也 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 テ ィーディーケイ株式会社内 (56)参考文献 特開 平５−151619（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−345478（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−60419（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−169094（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−63195（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−286249（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−86287（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−304439（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−35636（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−63178（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−266704（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B41M 5/26
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に相変化型の記録層を有し、この
記録層は下記式で表わされる主成分を含有するとともに
結晶相としてＡＢＣ2相（ここで、Ａは、Ａｇおよび／
またはＡｕであり、Ｂは、Ｓｂおよび／またはＢｉであ
り、Ｃは、Ｔｅおよび／またはＳｅである）が含まれて
いることを特徴とする光記録媒体。 式 ｛（Ａa Ｂb Ｃc ）1-d Ｄd ｝1-e Ｅe （上記式において、Ａは、Ａｇおよび／またはＡｕであ
り、Ｂは、Ｓｂおよび／またはＢｉであり、Ｃは、Ｔｅ
および／またはＳｅであり、Ｄは、Ｉｎであるか、Ｉｎ
ならびにＡｌおよび／またはＰであり、Ｅは、Ｓｉ、Ｇ
ｅ、ＳｎおよびＰｂから選択される少なくとも１種の元
素である。また、ａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｅは原子比を表
わし、 ０．００１≦ａ≦０．２０、 ０．４０≦ｂ≦０．９０、 ０．１０≦ｃ≦０．５０、 ａ＋ｂ＋ｃ＝１、 ０＜ｄ≦０．０６、 ０．００１≦ｅ≦０．１０ である） - 【請求項２】 記録層がＭ（Ｍは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、
Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｎ、ＷおよびＭｏから選択される少
なくとも１種の元素である）を含み、記録層中のＭの比
率が５原子％以下である請求項１の光記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09994595A JP3150267B2 (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 光記録媒体 |
| US08/614,307 US5637372A (en) | 1995-03-31 | 1996-03-12 | Phase change optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09994595A JP3150267B2 (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08267926A JPH08267926A (ja) | 1996-10-15 |
| JP3150267B2 true JP3150267B2 (ja) | 2001-03-26 |
Family
ID=14260852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09994595A Expired - Fee Related JP3150267B2 (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 光記録媒体 |
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| US (1) | US5637372A (ja) |
| JP (1) | JP3150267B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6764974B2 (en) | 2000-06-16 | 2004-07-20 | Japan As Represented By Secretary Of Agency Of Industrial Science And Technology | Reaction synthesis of silicon carbide-boron nitride composites |
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|---|---|---|---|---|
| KR100411658B1 (ko) * | 1995-03-27 | 2004-04-03 | 히다치 마쿠세루가부시키가이샤 | 정보기록매체및정보메모리장치 |
| DE19612823C2 (de) * | 1995-03-31 | 2001-03-01 | Mitsubishi Chem Corp | Optisches Aufzeichnungsverfahren |
| US6143468A (en) | 1996-10-04 | 2000-11-07 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical information recording medium and optical recording method |
| EP1143432A3 (en) * | 1997-03-27 | 2002-04-24 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical information recording medium |
| US5974025A (en) * | 1997-08-15 | 1999-10-26 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium and recording and reproducing method using the same |
| JPH11167722A (ja) * | 1997-10-01 | 1999-06-22 | Tdk Corp | 光記録媒体、その記録方法およびその記録装置 |
| US6096398A (en) * | 1997-11-28 | 2000-08-01 | Ricoh Company, Ltd. | Phase-change optical recording medium |
| CN1312685C (zh) * | 1998-09-09 | 2007-04-25 | 三菱化学媒体株式会社 | 光学信息记录媒体及光记录方法 |
| JP3819193B2 (ja) | 1998-12-09 | 2006-09-06 | Ｔｄｋ株式会社 | 光記録方法 |
| US6537721B2 (en) * | 1999-02-15 | 2003-03-25 | Tdk Corporation | Optical recording medium and method for its initialization |
| JP2000348397A (ja) * | 1999-03-29 | 2000-12-15 | Tdk Corp | 情報媒体、情報再生方法および情報再生装置 |
| JP2000339751A (ja) | 1999-06-01 | 2000-12-08 | Ricoh Co Ltd | 相変化形光記録媒体 |
| JP2000348378A (ja) * | 1999-06-04 | 2000-12-15 | Ricoh Co Ltd | 光記録媒体および該光記録媒体を使用した記録方法 |
| JP2001199166A (ja) | 2000-01-18 | 2001-07-24 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
| TW519637B (en) * | 2000-03-10 | 2003-02-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Information recording medium and its manufacturing method |
| TW565835B (en) * | 2001-01-10 | 2003-12-11 | Ricoh Kk | Phase change optical recording medium |
| US20030112731A1 (en) * | 2001-09-13 | 2003-06-19 | Shuichi Ohkubo | Phase-change recording medium, recording method and recorder therefor |
| JP2004306583A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-11-04 | Victor Co Of Japan Ltd | 光情報記録媒体 |
| JP4140060B2 (ja) * | 2004-07-15 | 2008-08-27 | 日本電気株式会社 | 光学的情報記録媒体、光学的情報記録方法、及び光学的情報記録装置 |
| US7235501B2 (en) | 2004-12-13 | 2007-06-26 | Micron Technology, Inc. | Lanthanum hafnium oxide dielectrics |
| US7560395B2 (en) | 2005-01-05 | 2009-07-14 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposited hafnium tantalum oxide dielectrics |
| US7410910B2 (en) | 2005-08-31 | 2008-08-12 | Micron Technology, Inc. | Lanthanum aluminum oxynitride dielectric films |
| US7776765B2 (en) | 2006-08-31 | 2010-08-17 | Micron Technology, Inc. | Tantalum silicon oxynitride high-k dielectrics and metal gates |
| US7605030B2 (en) | 2006-08-31 | 2009-10-20 | Micron Technology, Inc. | Hafnium tantalum oxynitride high-k dielectric and metal gates |
| US7563730B2 (en) | 2006-08-31 | 2009-07-21 | Micron Technology, Inc. | Hafnium lanthanide oxynitride films |
| US7759747B2 (en) | 2006-08-31 | 2010-07-20 | Micron Technology, Inc. | Tantalum aluminum oxynitride high-κ dielectric |
| US7544604B2 (en) | 2006-08-31 | 2009-06-09 | Micron Technology, Inc. | Tantalum lanthanide oxynitride films |
| US7432548B2 (en) | 2006-08-31 | 2008-10-07 | Micron Technology, Inc. | Silicon lanthanide oxynitride films |
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|---|---|---|---|---|
| JP2908826B2 (ja) * | 1990-02-20 | 1999-06-21 | 株式会社リコー | 情報記録媒体 |
| JP3032585B2 (ja) * | 1990-12-28 | 2000-04-17 | 株式会社リコー | 情報記録媒体 |
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| JPH06166268A (ja) * | 1992-07-09 | 1994-06-14 | Ricoh Co Ltd | 光情報記録媒体およびその製造方法 |
| JP2901433B2 (ja) * | 1992-08-28 | 1999-06-07 | ティーディーケイ株式会社 | 光記録媒体 |
-
1995
- 1995-03-31 JP JP09994595A patent/JP3150267B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-03-12 US US08/614,307 patent/US5637372A/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6764974B2 (en) | 2000-06-16 | 2004-07-20 | Japan As Represented By Secretary Of Agency Of Industrial Science And Technology | Reaction synthesis of silicon carbide-boron nitride composites |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08267926A (ja) | 1996-10-15 |
| US5637372A (en) | 1997-06-10 |
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