JPH10241211A - 光記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 相変化型光記録媒体において、従来、初期化
処理後、出荷前に行う必要があった記録・消去の繰り返
しを不要とし、かつ良好な繰り返し記録特性を実現する 【解決手段】 相変化型光記録媒体を製造する際に、従
来の初期化処理に替えて、改質処理工程と、これに続く
結晶化処理工程とを設ける。改質処理工程は、スパッタ
法により形成した非結晶状態の記録層を、溶融して冷却
することにより、形成直後の非結晶状態とは異なる非結
晶状態とする工程であり、結晶化処理工程は、改質処理
後の非結晶状態の記録層を加熱することにより結晶化す
る工程である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、相変化型光記録媒
体の製造方法、より詳しくは初期化方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、高密度記録が可能で、しかも記録
情報を消去して書き換えることが可能な光記録媒体が注
目されている。書き換え可能型の光記録媒体のうち相変
化型のものは、レーザー光を照射することにより記録層
の結晶状態を変化させて記録を行い、このような状態変
化に伴なう記録層の反射率変化を検出することにより再
生を行うものである。相変化型の光記録媒体は単一の光
ビームの強度を変調することによりオーバーライトが可
能であり、また、駆動装置の光学系が光磁気記録媒体の
それに比べて単純であるため、注目されている。

【０００３】相変化型の光記録媒体には、結晶質状態と
非晶質状態とで反射率の差が大きいこと、非晶質状態の
安定度が比較的高いことなどから、Ｇｅ−Ｔｅ系材料が
用いられることが多いが、最近、カルコパイライトと呼
ばれる化合物を応用することが提案されている。

【０００４】カルコパイライト型化合物は化合物半導体
材料として広く研究され、太陽電池などにも応用されて
いる。カルコパイライト型化合物は、化学周期律表を用
いるとIb-IIIb-VIb₂やIIb-IVb-Vb₂で表わされる組成で
あり、ダイヤモンド構造を２つ積み重ねた構造を有す
る。カルコパイライト型化合物はＸ線構造解析によって
容易に構造を決定することができ、その基礎的な特性
は、例えば月刊フィジクスvol.8,No.8,1987,pp-441や、
電気化学vol.56,No.4,1988,pp-228などに記載されてい
る。

【０００５】これらのカルコパイライト型化合物の中で
特にＡｇＩｎＴｅ₂は、ＳｂやＢｉを用いて希釈するこ
とにより、線速度７m/s前後の光記録媒体の記録層材料
として使用できることが知られている（特開平３−２４
０５９０号公報、同３−９９８８４号公報、同３−８２
５９３号公報、同３−７３３８４号公報、同４−１５１
２８６号公報等）。

【０００６】このようなカルコパイライト型化合物を用
いた相変化型光記録媒体の他、特開平４−２６７１９２
号公報や特開平４−２３２７７９号公報、特開平６−１
６６２６８号公報には、記録層が結晶化する際にＡｇＳ
ｂＴｅ₂相が生成する相変化型光記録媒体が開示されて
いる。

【０００７】従来の相変化型光記録媒体では、真空成膜
装置などを用いて記録層を形成しているため、形成直後
の記録層は非晶質状である。これを書き換え型の媒体と
して利用する場合には、一般に初期化と呼ばれる操作に
より、記録層を結晶化する必要がある。

【０００８】初期化の方法としては、成膜後に記録層の
結晶化温度まで基板を加熱して結晶化させる方法（特開
平２−３１３１号公報）、成膜後にレーザービームを照
射して結晶化させる固相初期化と呼ばれる方法（特開平
４−３６６４２４号公報、同２−２０１７３４号公報、
同３−７６０２７号公報）、カルコゲン化合物の光特性
を利用してフラッシュ光を成膜後の基板に照射し、いわ
ゆる光黒化によって擬似的に結晶化させる方法（特開平
４−２８１２１９号公報）、高周波を用いて誘導加熱に
よって結晶化させる方法、成膜中に基板を加熱して結晶
化させる方法（特開平２−９８８４７号公報）、第１層
目の誘電体を形成し、次いで記録層を形成した後、これ
を加熱して結晶化し、さらに誘電体を形成する方法（特
開平２−５２４６号公報）などが提案されている。

【０００９】しかし、レーザービーム照射による初期化
は長時間を要し、生産性に問題がある。また、媒体全体
を加熱する方法では、安価な樹脂基板を使いにくいとい
う問題がある。すなわち、初期化処理の際の加熱によっ
て樹脂基板が歪み、トラッキングなどに支障をきたすよ
うになってしまう。また、フラッシュ光を用いる方法で
は、完全に結晶化するためには複数回の照射が必要であ
り、生産性に問題がある。

【００１０】このため、現在、工業的に適当な方法とし
て利用されているのは、バルクイレーザーと呼ばれる装
置を用いる方法である。バルクイレーザーは、出力の高
いガスレーザーや半導体レーザーのビームをあまり絞ら
ずに照射して、多数のトラックを一挙に結晶化させる装
置である。バルクイレーザーでは、記録層を限定的に加
熱できるため基板の温度上昇が小さくなるので、耐熱性
の低い樹脂基板の利用が可能である。

【００１１】従来、相変化型光記録媒体では、上記した
バルクイレーザー等による初期化処理後、出荷する前
に、いわゆる「なじませ」と呼ぶ処理を施す必要があ
る。「なじませ」処理は、数十回程度の記録・消去を繰
り返す作業である。「なじませ」処理が必要な理由を、
図１（ｂ）により説明する。

【００１２】図１（ｂ）は、相変化型記録層の形成直
後、初期化処理後およびオーバーライト後の各段階での
記録層の結晶性を示すものである。図１（ｂ）では、縦
軸が結晶性の高低を表す。

【００１３】スパッタ法により形成された記録層は、非
結晶状態である。これを非結晶状態Ａとする。この状態
の記録層を従来の方法で初期化すると、記録層は結晶化
する。初期化処理では、通常、記録層をいったん溶融
し、徐冷する。初期化処理後の状態を結晶状態Ｂとす
る。初期化後の記録層に記録を行うと、記録層は融点付
近まで加熱された後、急冷され、非結晶状態の記録マー
クが形成される。これを非結晶状態Ｃとする。記録後、
結晶化する温度以上であって溶融する温度未満の加熱を
行って、記録マークを結晶化する。これがオーバーライ
ト時の消去である。消去後の状態を、結晶状態Ｄとす
る。

【００１４】図１（ｂ）において、初期化後の結晶状態
Ｂと消去後の結晶状態Ｄとは、記録層が結晶状態である
点では同じであるが、結晶性が異なり、初期化後の結晶
状態Ｂのほうが結晶性が高い。具体的には、溶融した後
に結晶化した結晶状態Ｂでは、溶融せずに結晶化した結
晶状態Ｄよりも結晶粒が大きくなる。このように、初期
化処理時に結晶化した領域とオーバーライト時に結晶化
した領域とでは結晶性が異なるため、反射率も異なるこ
とになり、オーバーライト領域が記録層全面に及ぶまで
は反射率が安定しない。書き換え型のデジタルビデオデ
ィスク（ＤＶＤ−ＲＡＭ）などで利用されるマークエッ
ジ記録の場合には、このような反射率のばらつきが生じ
ると、マークエッジと誤認されるという問題が生じ得
る。

【００１５】上記した「なじませ」処理は、初期化処理
による結晶化と消去による結晶化との結晶性の違いを解
消するためになされる。

【００１６】しかし、「なじませ」処理は長時間を要す
るため、生産性を著しく低下させてしまう。

【００１７】従来の初期化処理には、このほかにも、バ
ルクイレーザーを用いることによる以下のような問題も
ある。

【００１８】バルクイレーザーでは、１２cm径の光記録
ディスクを初期化するときでさえ数十秒間から数分間程
度の時間が必要であるため、光記録ディスク生産工程に
おける律速段階となっている。

【００１９】また、バルクイレーザーでは、出力の高い
レーザーで一度に多数のトラックを初期化するために、
次の問題が生じる。

【００２０】バルクイレーザーでは、ビームスポットを
あまり絞らずに大きくしているが、スポット内のエネル
ギー密度は均一ではなく、また、ビームスポットを螺旋
状に走査する際に、前の周に走査した領域の一部とオー
バーラップさせるため、初期化された部分の結晶状態は
それぞれのトラックで異なることになる。このため、初
期化処理後の反射率がトラック間でばらついてしまい、
「なじませ」処理が必須となるほか、「なじませ」処理
時に駆動装置のフォーカスサーボ不良を引き起こすこと
もある。また、基板にあらかじめピットを形成してある
プレピット部は、再生専用であってオーバーライトが行
われないため、プレピット部において初期化処理時に生
じた反射率のばらつきは「なじませ」処理によって解消
することはない。このため、プレピット部におけるサー
ボや再生に関して、問題を生じることがある。なお、図
１（ｂ）では、このようなばらつきを、結晶状態Ｂに縦
軸方向の幅をもたせて表現している。

【００２１】また、バルクイレーザーはビームスポット
が大きいため、全エネルギーに対する１トラックあたり
のエネルギーが低くなる。これを補うために、初期化完
了までに同一トラックを複数回照射したり、レーザーパ
ワーを大きくしたりする必要がある。この結果、記録層
やその上下に設けられる誘電体層にダメージを与え、繰
り返し記録特性の低下と共に反射率の変化も招く。ま
た、バルクイレーザーは、多数のトラックを同時に初期
化する、すなわち初期化面積が大きい。このため、記録
層が溶融したとき、１トラックごとに初期化する場合よ
りも大きな応力が誘電体層に生じ、記録層および誘電体
層のダメージが大きくなる。しかも、バルクイレーザー
では、上記したようにビーム内に強度分布があり、ま
た、オーバーラップ照射をおこなうので、上記ダメージ
はトラック間で異なることになる。このダメージによる
反射率変化は、上記した「なじませ」処理によっても完
全に解消することはできないので、結晶化部に反射率の
ばらつきが存在し、これがジッターの増大や駆動装置の
サーボ不良を招く。

【００２２】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、相変
化型光記録媒体において、従来、初期化処理後、出荷前
に行う必要があった記録・消去の繰り返しを不要とし、
かつ良好な繰り返し記録特性を実現することである。

【００２３】

【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（４）のいずれかの構成により達成される。 （１） 基体上に相変化型の記録層を有する光記録媒体
を製造する方法であって、スパッタ法により形成した非
結晶状態の記録層を、溶融して冷却することにより、形
成直後の非結晶状態とは異なる非結晶状態とする改質処
理工程と、この改質処理工程に続いて、非結晶状態の記
録層を加熱することにより結晶化する結晶化処理工程と
を有する光記録媒体の製造方法。 （２） 前記改質処理工程において、形成直後の記録層
に、パルス変調したレーザービームを照射する上記
（１）の光記録媒体の製造方法。 （３） 前記記録層が、Ｇｅ、ＳｂおよびＴｅを含有す
る上記（１）または（２）の光記録媒体の製造方法。 （４） 前記記録層が、Ａｇ、Ｉｎ、ＳｂおよびＴｅを
含有する上記（１）または（２）の光記録媒体の製造方
法。

【００２４】

【作用および効果】上記「なじませ」処理が必要となる
のは、上述したように初期化処理直後の結晶性と繰り返
し記録後の結晶化部の結晶性とが異なるためである。ま
た、「なじませ」処理によっても解消し得ない反射率変
動は、形成直後の非結晶状態の記録層をバルクイレーザ
ーにより一挙に結晶化することによるダメージのためで
ある。

【００２５】生産性を著しく低下させる「なじませ」処
理を省き、また、「なじませ」によっても完全には解消
しない反射率変動を防ぐためには、形成直後の非結晶状
態Ａを、記録層を溶融させることなく結晶状態Ｄとする
こと、すなわち、初期化により形成される結晶状態Ｂを
経ずに、形成直後の非結晶状態Ａから直接、消去後の結
晶状態Ｄとすることが必要である。しかし、記録により
非結晶化された非結晶状態Ｃに比べ、スパッタ法により
形成された非結晶状態Ａはランダム性が高いため、記録
層を溶融させることなく結晶化して結晶状態Ｄとするた
めには高パワーのレーザー光を長時間照射しなければな
らず、実用的ではない。

【００２６】これに対し本発明では、図１（ａ）に示す
ように、従来、初期化→記録の過程で形成される記録マ
ークの非結晶状態Ｃとほぼ同じランダム性を有する結晶
状態Ｃ′を、まず、改質処理により形成する。すなわ
ち、改質処理により、形成直後の非結晶状態Ａから、同
じく非結晶ではあるがランダム性の異なる非結晶状態
Ｃ′とする。改質処理は、記録層を溶融して急冷する処
理である。

【００２７】次いで、記録層を加熱することにより結晶
化処理を施し、消去後の結晶状態Ｄとほぼ同じ結晶性を
有する結晶状態Ｄ′とする。改質処理後の非結晶状態
Ｃ′は、結晶のランダム性が記録マークの非結晶状態Ｃ
とほぼ同じであるため、改質処理後の非結晶状態Ｃ′を
結晶化させて結晶状態Ｄ′にするためには、通常の消去
操作と同様に低パワーのレーザー光を短時間照射するだ
けですむ。結晶化処理に際しては、記録層を溶融しても
よく、溶融せずに固相で結晶化してもよい。

【００２８】本発明では、従来の初期化処理工程に替え
て、改質処理工程と結晶化処理工程とを続けて設けるこ
とにより、結晶化処理後に繰り返しオーバーライト後の
結晶性（消去後の結晶状態Ｄ）と同等の結晶性（結晶状
態Ｄ′）が得られるので、従来必須であった「なじま
せ」が不必要になる。このため、生産性が著しく向上す
る。

【００２９】上述したように従来の初期化処理では、バ
ルクイレーザーで同一トラックを複数回照射したり、バ
ルクイレーザーのレーザーパワーを大きくしたりする必
要があり、この結果、記録層やその上下に設けられる誘
電体層にダメージを与え、繰り返し記録特性の低下と共
に反射率変動を招いていた。一方、本発明では、改質処
理に要するパワーは従来の初期化処理より小さくならな
いが、改質処理では非結晶状態Ｃ′とするために、パル
ス変調したレーザービームを用いたり線速度を速くした
りすることにより記録層を急冷するので、熱によるダメ
ージが従来の初期化処理に比べ著しく小さい。このた
め、改質処理にバルクイレーザーを用いた場合でも、記
録層や誘電体層のダメージを防ぐことができ、「なじま
せ」処理によっても解消し得ない反射率変動を防ぐこと
ができる。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。

【００３１】改質処理および結晶化処理 本発明では、まず、従来と同様にスパッタ法により相変
化型の記録層を形成する。形成された記録層は非結晶状
態［図１（ａ）の非結晶状態Ａ］である。

【００３２】続いて、記録層に改質処理を施す。この改
質処理は、記録層を溶融して冷却することにより、非結
晶状態Ａとは異なる非結晶状態［図１（ａ）の非結晶状
態Ｃ′］とするものである。

【００３３】改質処理工程において、記録層を溶融する
ために用いる方法は特に限定されず、非結晶状態Ａから
非結晶状態Ｃ′に変化させ得る方法であればどのような
ものであってもよい。このような方法としては、例え
ば、パルス変調したレーザービームを照射する方法が好
ましい。改質処理には、従来の初期化処理と同様にバル
クイレーザーを用いることが生産性の点で好ましいが、
バルクイレーザーのレーザービームをパルス変調するこ
とにより部分的にエネルギーを抜くことになるため、バ
ルクイレーザーを用いて従来の初期化処理と同等の線速
度で改質処理を行った場合でも、非結晶状態Ｃ′が容易
に得られると共に、記録層や誘電体層のダメージを防ぐ
こともできる。

【００３４】パルス変調周波数は特に限定されない。最
適なパルス変調周波数はレーザーパワーやレーザービー
ムの線速度等の各種条件に応じて異なるので、記録マー
ク非結晶状態Ｃ′に相当する反射率が得られるように実
験的に決定すればよいが、通常、１MHz以上、好ましく
は５MHz以上、より好ましくは８MHz以上である。パルス
変調周波数の上限は特にないが、バルクイレーザー等の
比較的パワーの大きな装置では、通常、１０MHzを超え
る変調周波数とすることは困難である。

【００３５】なお、パルス変調しないレーザービームを
用いる場合には、高パワーのレーザービームを用い、線
速度を速くして冷却速度を速くすればよい。この場合の
レーザービームのパワーおよび線速度の好ましい範囲
は、レーザービームのスポット径や記録層の組成によっ
ても異なるため、非結晶状態Ｃ′に相当する反射率が得
られるように実験的に決定すればよい。

【００３６】改質処理工程に続いて、記録層を加熱する
ことにより結晶状態［図１（ａ）の結晶状態Ｄ′］とす
る結晶化処理工程を設ける。この結晶化処理工程では、
結晶化温度以上まで記録層を昇温する。なお、結晶化処
理に際しては、記録層を溶融させて結晶化してもよく、
記録層を溶融させない程度の加熱を行い、固相状態で結
晶化してもよい。

【００３７】結晶化処理工程における各種条件は特に限
定されず、結晶状態Ｄ′に相当する反射率が得られるよ
うに実験的に決定すればよい。

【００３８】図２の媒体構成 本発明が適用される光記録媒体の具体的な構成例を図２
に示す。同図において光記録媒体は、基体２上に第１誘
電体層３１、記録層４、第２誘電体層３２、反射層５お
よび保護層６を有する。

【００３９】基体この構成の光記録媒体では基体２を通
して記録層４に光ビームが照射されるので、基体２は、
用いる光ビームに対して実質的に透明である材質、例え
ば、樹脂やガラスなどから構成されることが好ましい。
樹脂としては、アクリル樹脂、ポリカーボネート、エポ
キシ樹脂、ポリオレフィン等を用いればよい。基体の形
状および寸法は特に限定されないが、通常、ディスク状
とし、厚さは０．５〜３mm程度、直径は５０〜３６０mm
程度とする。基体の表面には、トラッキング用やアドレ
ス用等のために、グルーブ等の所定のパターンが必要に
応じて設けられる。

【００４０】誘電体層 第１誘電体層３１は、記録層の酸化を防ぎ、また、記録
時に記録層から基体に伝わる熱を遮断して基体を保護す
る。第２誘電体層３２は、記録層を保護すると共に、記
録後、記録層に残った熱を熱伝導により放出するために
設けられる。また、両誘電体層を設けることにより、変
調度を向上させることができる。

【００４１】第１誘電体層および第２誘電体層に用いる
誘電体材料は特に限定されず、各種誘電体やそれらの混
合物、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ₂など、透明な各種セラミックスを用いればよく、ま
た、各種ガラスなどを用いてもよい。また、例えば、Ｌ
ａ、Ｓｉ、ＯおよびＮを含有する所謂LaSiONや、Ｓｉ、
Ａｌ、ＯおよびＮを含有する所謂SiAlON、あるいはＹを
含有するSiAlON等も好ましく用いることができる。

【００４２】ただし、第１誘電体層および第２誘電体層
の少なくとも一方には、屈折率等の特性の最適化のため
に硫化亜鉛を含有させることが好ましい。以下、硫化亜
鉛を含有する誘電体層をＺｎＳ含有誘電体層という。そ
して、ＺｎＳ含有誘電体層には、０〜１０００℃におい
てその硫化物生成標準自由エネルギーがＺｎＳ生成標準
自由エネルギーより低い元素（以下、金属元素Ａとい
う）を含有させることが好ましい。ＺｎＳ含有誘電体層
中に金属元素Ａを含有させることにより、繰り返しオー
バーライトの際のＳ遊離を抑制することができ、これに
よりジッター増大を防ぐことができ、繰り返しオーバー
ライト可能な回数を増やすことができる。

【００４３】金属元素Ａとしては、Ｃｅ、Ｃａ、Ｍｇ、
Ｓｒ、ＢａおよびＮａの少なくとも１種を用いることが
好ましく、硫化物生成標準自由エネルギーが小さいこと
から、Ｃｅを用いることが特に好ましい。例えば３００
Ｋでは、ＺｎＳ生成標準自由エネルギーは約−２３０kJ
/mol、ＣｅＳ生成標準自由エネルギーは約−５４０kJ/m
ol、ＣａＳ生成標準自由エネルギーは約−５１０kJ/mo
l、ＭｇＳ生成標準自由エネルギーは約−３９０kJ/mo
l、ＳｒＳ生成標準自由エネルギーは約−５００kJ/mo
l、ＢａＳ生成標準自由エネルギーは約−４６０kJ/mo
l、Ｎａ₂Ｓ生成標準自由エネルギーは約−４００kJ/mol
である。

【００４４】ＺｎＳ含有誘電体層中において、全金属元
素に対する金属元素Ａの比率は、２原子％未満、好まし
くは１．５原子％以下、より好ましくは１．３原子％以
下である。金属元素Ａの比率が高すぎると、繰り返しオ
ーバーライト時のジッター増大抑制効果が実現しない。
なお、金属元素Ａの添加による効果を十分に実現するた
めには、金属元素Ａの比率を好ましくは０．０１原子％
以上、より好ましくは０．０３原子％以上とする。全金
属元素中の金属元素Ａの比率は、蛍光Ｘ線分析やＥＰＭ
Ａ（電子線プローブＸ線マイクロアナリシス）などによ
り測定することができる。なお、誘電体層中における全
金属には、Ｓｉ等の半金属も含まれるものとする。

【００４５】誘電体層中において、金属元素Ａは、単
体、硫化物、酸化物、フッ化物等のいずれの形態で存在
していてもよい。

【００４６】ＺｎＳ含有誘電体層には、硫化亜鉛以外の
化合物、例えば、各種酸化物、窒化物、フッ化物等が含
有されていることが好ましい。このような化合物として
は、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ₂、ＳｉＯ）、酸化タ
ンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）、酸化チタン（ＴｉＯ₂）、酸化ラ
ンタン（Ｌａ₂Ｏ₃）、窒化ケイ素（Ｓｉ₃Ｎ₄）、窒化ア
ルミニウム（ＡｌＮ）、フッ化マグネシウム（Ｍｇ
Ｆ₂）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）およびフッ化トリ
ウム（ＴｈＦ₄）の少なくとも１種が好ましい。誘電体
層を実質的に硫化亜鉛だけから構成した場合には誘電体
層が硬くなりすぎ、繰り返しオーバーライトを行ったと
きの熱衝撃により剥離が生じるなど、耐久性が低くなっ
てしまうが、酸化ケイ素や窒化ケイ素などを含有させる
ことにより、オーバーライト耐久性が向上する。

【００４７】ＺｎＳ含有誘電体層中における硫化亜鉛の
含有量は、好ましくは５０〜９５モル％、より好ましく
は７０〜９０モル％である。ＺｎＳが少なすぎると、熱
伝導率が高くなりすぎると共に屈折率が小さくなりす
ぎ、高Ｃ／Ｎが得られにくくなる。一方、ＺｎＳが多す
ぎると、オーバーライト耐久性が低くなってしまう。誘
電体層中のＺｎＳ含有量は、蛍光Ｘ線分析などにより求
めたＳ量とＺｎ量とに基づいて決定し、例えばＳに対し
Ｚｎが過剰であった場合には、過剰なＺｎは他の化合
物、例えばＺｎＯとして含有されているものとする。

【００４８】なお、以上ではＺｎＳ含有誘電体層中に金
属元素Ａを含有させる構成について説明したが、ＺｎＳ
含有誘電体層と記録層との間に金属元素Ａを含有する中
間層を設ける構成としてもよい。このような中間層とし
ては、例えば、酸化セリウム（ＣｅＯ₂）単体からなる
もの、あるいはＺｎＳ−ＣｅＯ₂混合物からなるものな
どが挙げられる。

【００４９】第１誘電体層および第２誘電体層の一方だ
けをＺｎＳ含有誘電体層とする場合、他方の誘電体層、
すなわち硫化亜鉛を含有しない誘電体層に用いる誘電体
材料は特に限定されず、ＺｎＳ以外の上記各種誘電体を
用いればよい。

【００５０】第１誘電体層および第２誘電体層の屈折率
は、波長４００〜８５０nmの範囲で１．４以上、特に
１．８以上であることが好ましい。上記波長範囲は、現
在のＣＤプレーヤの使用波長である７８０nmや、次世代
の記録波長として実用化が進められている６３０〜６８
０nmを含むものであり、本発明の光記録媒体に対し好ま
しく使用される波長範囲である。

【００５１】第１誘電体層３１の厚さは、好ましくは５
０〜３００nm、より好ましくは１００〜２５０nmであ
る。第１誘電体層をこのような厚さとすることにより、
記録に際しての基体損傷を効果的に防ぐことができ、し
かも変調度も高くなる。第２誘電体層３２の厚さは、好
ましくは１０〜３０nm、より好ましくは１３〜２０nmで
ある。第２誘電体層をこのような厚さとすることにより
冷却速度が速くなるので、記録マークのエッジが明瞭と
なってジッターが少なくなる。また、このような厚さと
することにより、変調度を高くすることができる。

【００５２】各誘電体層は、スパッタ法や蒸着法等の気
相成長法により形成することが好ましい。誘電体層中に
金属元素Ａを含有させるためには、様々な方法を利用す
ることができる。例えば、金属元素ＡがＣｅである場合
には、Ｃｅ単体やＣｅＯ₂からなるチップを、誘電体層
の主成分となる主ターゲット上に載せたものをターゲッ
トとして用いてもよく、主ターゲット中にＣｅＯ₂やそ
の他のＣｅ化合物として含有させてもよい。また、金属
元素ＡとしてＣａやＭｇを用いる場合、上記主ターゲッ
ト上にＣａＯやＭｇＯからなるチップを載せてターゲッ
トとしてもよいが、これらには潮解性があるので、好ま
しくない。したがって、この場合には、ＣａＦ₂やＭｇ
Ｆ₂からなるチップを主ターゲット上に載せてターゲッ
トとすることが好ましい。金属元素ＡとしてＳｒ、Ｂ
ａ、Ｎａなどを用いる場合も、潮解性の点で、酸化物チ
ップよりもフッ化物チップを用いるほうが好ましい。ま
た、Ｃａ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｎａは、酸化物やこれ以
外の化合物として主ターゲット中に含有させて用いても
よい。なお、主ターゲットには、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂など
のような複合ターゲットを用いてもよく、主ターゲット
としてＺｎＳとＳｉＯ₂とをそれぞれ単独で用いるよう
な多元スパッタ法を利用してもよい。

【００５３】ＺｎＳ含有誘電体層は、Ａｒ中で通常のス
パッタ法により形成してもよいが、上記金属元素Ａを含
有させる場合には、好ましくはＡｒとＯ₂との混合雰囲
気中でスパッタを行う。このような混合雰囲気中でスパ
ッタを行うことにより、繰り返しオーバーライト時のジ
ッター増大を抑える効果が、より高くなる。スパッタ時
のＯ₂導入は、金属元素Ａ単体からなるチップを上記主
ターゲット上に載せてスパッタを行う場合に特に有効で
あるが、金属元素Ａの化合物からなるチップを主ターゲ
ットに載せたり、主ターゲットに金属元素Ａの化合物を
含有させたりする場合にも有効である。スパッタ雰囲気
中へのＯ₂導入量を分圧比Ｏ₂／（Ａｒ＋Ｏ₂）で表した
とき、この分圧比は好ましくは３０％以下、より好まし
くは２５％以下である。Ｏ₂導入量が多すぎると、記録
パワーは低下するが消去パワーは変化しないため、消去
パワーマージンが極度に狭くなってしまい、好ましくな
い。なお、Ｏ₂導入による効果を十分に発揮させるため
には、上記分圧比を好ましくは５％以上、より好ましく
は１０％以上とする。

【００５４】記録層 記録層の組成は、従来の初期化処理に替えて上述した改
質処理と結晶化処理とが可能なものであれば特に限定さ
れないが、以下に説明するＩｎ−Ａｇ−Ｔｅ−Ｓｂ系組
成やＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系組成、特にＩｎ−Ａｇ−Ｔｅ−
Ｓｂ系組成に対し、本発明は特に有効である。

【００５５】Ｉｎ−Ａｇ−Ｔｅ−Ｓｂ系組成の記録層で
は、構成元素の原子比を 式Ｉ ｛（Ｉｎ_aＡｇ_bＴｅ_1-a-b）_1-cＳｂ_c｝_1-dＭ_d で表したとき、好ましくは ａ＝０．１〜０．３、 ｂ＝０．１〜０．３、 ｃ＝０．５〜０．８、 ｄ＝０〜０．０５ であり、より好ましくは ａ＝０．１１〜０．２８、 ｂ＝０．１５〜０．２８、 ｃ＝０．５５〜０．６５、 ｄ＝０．００５〜０．０５ である。

【００５６】式Ｉにおいてａが小さすぎると、記録層中
のＩｎ含有率が相対的に低くなりすぎる。このため、記
録マークの非晶質化が不十分となって変調度が低下し、
また、信頼性も低くなってしまう。一方、ａが大きすぎ
ると、記録層中のＩｎ含有率が相対的に高くなりすぎ
る。このため、記録マーク以外の反射率が低くなって変
調度が低下してしまう。

【００５７】式Ｉにおいてｂが小さすぎると、記録層中
のＡｇ含有率が相対的に低くなりすぎる。このため、記
録マークの再結晶化が困難となって、繰り返しオーバー
ライトが困難となる。一方、ｂが大きすぎると、記録層
中のＡｇ含有率が相対的に高くなり、過剰なＡｇが記録
および消去の際に単独でＳｂ相中に拡散することにな
る。このため、書き換え耐久性が低下すると共に、記録
マークの安定性および結晶質部の安定性がいずれも低く
なってしまい、信頼性が低下する。すなわち、高温で保
存したときに記録マークの結晶化が進んで、Ｃ／Ｎや変
調度が劣化しやすくなる。また、繰り返して記録を行な
ったときのＣ／Ｎおよび変調度の劣化も進みやすくな
る。

【００５８】また、ａ＋ｂが小さすぎるとＴｅが過剰と
なってＴｅ相が形成される。Ｔｅ相は結晶転移速度を低
下させるため、消去が困難となる。一方、ａ＋ｂが大き
すぎると、記録層の非晶質化が困難となり、信号が記録
できなくなる可能性が生じる。

【００５９】式Ｉにおいてｃが小さすぎると、相変化に
伴なう反射率差は大きくなるが結晶転移速度が急激に遅
くなって消去が困難となる。一方、ｃが大きすぎると、
相変化に伴なう反射率差が小さくなって変調度が小さく
なる。

【００６０】式Ｉにおける元素Ｍは、Ｈ、Ｓｉ、Ｃ、
Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｃｅ、ＴｂおよびＹから選
択される少なくとも１種の元素である。元素Ｍは、書き
換え耐久性を向上させる効果、具体的には、書き換えの
繰り返しによる消去率の低下を抑える効果を示す。ま
た、高温・高湿などの悪条件下での信頼性を向上させ
る。このような効果が強力であることから、元素Ｍのう
ちＶ、Ｔａ、ＣｅおよびＹの少なくとも１種が好まし
く、ＶおよびＴａの少なくとも１種がより好ましく、Ｖ
が特に好ましい。

【００６１】元素Ｍの含有率を表すｄが大きすぎると、
相変化に伴なう反射率変化が小さくなって十分な変調度
が得られなくなる。ｄが小さすぎると、元素Ｍ添加によ
る効果が不十分となる。

【００６２】この組成系では、記録層にはＡｇ、Ｓｂ、
Ｔｅ、Ｉｎおよび必要に応じて添加されるＭだけを用い
ることが好ましいが、Ａｇの一部をＡｕで置換してもよ
く、Ｓｂの一部をＢｉで置換してもよく、Ｔｅの一部を
Ｓｅで置換してもよく、Ｉｎの一部をＡｌおよび／また
はＰで置換してもよい。

【００６３】ＡｕによるＡｇの置換率は、好ましくは５
０原子％以下、より好ましくは２０原子％以下である。
置換率が高すぎると、記録マークが結晶化しやすくなっ
て高温下での信頼性が悪化する。

【００６４】ＢｉによるＳｂの置換率は、好ましくは５
０原子％以下、より好ましくは２０原子％以下である。
置換率が高すぎると記録層の吸収係数が増加して光の干
渉効果が減少し、このため結晶−非晶質間の反射率差が
小さくなって変調度が低下し、高Ｃ／Ｎが得られなくな
る。

【００６５】ＳｅによるＴｅの置換率は、好ましくは５
０原子％以下、より好ましくは２０原子％以下である。
置換率が高すぎると結晶転移速度が遅くなりすぎ、十分
な消去率が得られなくなる。

【００６６】Ａｌおよび／またはＰによるＩｎの置換率
は、好ましくは４０原子％以下、より好ましくは２０原
子％以下である。置換率が高すぎると、記録マークの安
定性が低くなって信頼性が低くなる。なお、ＡｌとＰと
の比率は任意である。

【００６７】なお、この組成系において繰り返し書き換
え後の記録層の吸収係数ｋは、結晶状態のときが３．３
程度、微結晶ないし非晶質のときが２．２程度である。

【００６８】この組成系の記録層の厚さは、好ましくは
９．５〜５０nm、より好ましくは１３〜３０nmである。
記録層が薄すぎると結晶相の成長が困難となり、相変化
に伴なう反射率変化が不十分となる。一方、記録層が厚
すぎると、記録マーク形成時に記録層の厚さ方向へＡｇ
が多量に拡散し、記録層面内方向へ拡散するＡｇの比率
が小さくなってしまうため、記録層の信頼性が低くなっ
てしまう。また、記録層が厚すぎると、反射率および変
調度が低くなってしまう。

【００６９】Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系組成の記録層では、構
成元素の原子比を 式II Ｇｅ_aＳｂ_bＴｅ_1-a-b で表わしたとき、好ましくは ０．０８≦ａ≦０．２５、 ０．２０≦ｂ≦０．４０ である。

【００７０】式IIにおいてａが小さすぎると、記録マー
クが結晶化しにくくなり、消去率が低くなってしまう。
ａが大きすぎると、多量のＴｅがＧｅと結合することに
なり、その結果、Ｓｂが析出して記録マークが形成しに
くくなる。

【００７１】式IIにおいてｂが小さすぎると、Ｔｅが多
くなりすぎるために高温での保存時に記録マークが結晶
化しやすくなって、信頼性が低くなってしまう。ｂが大
きすぎると、Ｓｂが析出して記録マークが形成しにくく
なる。

【００７２】この組成系における記録層の厚さは、好ま
しくは１４〜５０nmである。記録層が薄すぎると結晶相
の成長が困難となり、相変化に伴なう反射率変化が不十
分となる。一方、記録層が厚すぎると、反射率および変
調度が低くなってしまう。

【００７３】記録層の組成は、ＥＰＭＡやＸ線マイクロ
アナリシス、ＩＣＰなどにより測定することができる。

【００７４】記録層の形成は、スパッタ法により行う。
スパッタ条件は特に限定されず、例えば、複数の元素を
含む材料をスパッタする際には、合金ターゲットを用い
てもよく、ターゲットを複数個用いる多元スパッタ法を
用いてもよい。

【００７５】反射層 反射層５の材質は特に限定されないが、通常、Ａｌ、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ等の単体あるいはこれらの１種以
上を含む合金などの高反射率金属から構成すればよい。
反射層の厚さは、３０〜２００nmとすることが好まし
い。厚さが前記範囲未満であると十分な反射率が得にく
くなる。また、前記範囲を超えても反射率の向上は小さ
く、コスト的に不利になる。反射層は、スパッタ法や蒸
着法等の気相成長法により形成することが好ましい。

【００７６】保護層 保護層６は、耐擦傷性や耐食性の向上のために設けられ
る。この保護層は種々の有機系の物質から構成されるこ
とが好ましいが、特に、放射線硬化型化合物やその組成
物を、電子線、紫外線等の放射線により硬化させた物質
から構成されることが好ましい。保護層の厚さは、通
常、０．１〜１００μm程度であり、スピンコート、グ
ラビア塗布、スプレーコート、ディッピング等、通常の
方法により形成すればよい。

【００７７】図３の媒体構成 図３に、本発明が適用される光記録媒体の他の構成例を
示す。この構成の光記録媒体は、オーバーライトによる
ジッター増大を抑制することを目的とするものであり、
例えば特開平８−１２４２１８号公報などに記載されて
いる。この光記録媒体は両面記録型であり、基体２上に
第１誘電体層３１、記録層４、第２誘電体層３２、反射
層５、第３誘電体層３３および保護層６を有する片面記
録型（単板型）媒体を２枚用い、記録層４を内側にして
接着層７により接着したものである。

【００７８】図３の光記録媒体において、基体２、第１
誘電体層３１、記録層４、第２誘電体層３２および保護
層６は、図２に示す光記録媒体と同様な構成である。

【００７９】反射層５は、図２の構成よりも光透過率が
高い極薄のものであるか、レーザービーム波長が含まれ
る近赤外から赤外域にかけての透過性が高いＳｉやＧｅ
等から構成される。反射層５上に設けられる第３誘電体
層３３は、第１誘電体層３１や第２誘電体層３２などと
同様な材料から構成すればよいが、好ましくは保護層６
よりも屈折率の高い材料から構成する。

【００８０】書き換え 本発明により製造された光記録媒体に対する書き換え
（オーバーライト）は、従来の相変化型光記録媒体と同
様に行われる。記録パワーは、パルス状に加えてもよ
い。一つの信号を少なくとも２回の照射で記録すること
により記録マークでの蓄熱が抑制され、記録マーク後端
部の膨れ（ティアドロップ現象）を抑えることができる
ので、Ｃ／Ｎが向上する。また、パルス状照射により消
去率も向上する。記録パワーおよび消去パワーの具体的
値は、実験的に決定することができる。なお、再生用レ
ーザー光には、記録層の結晶状態に影響を与えない低パ
ワーのものを用いる。

【００８１】記録に際し、レーザー光に対する記録層の
線速度は、通常、０．８〜２０m/s程度、好ましくは
１．２〜１６m/sである。

【００８２】上記組成の光記録媒体は、書き換えおよび
再生に用いる光を、広い波長域、例えば１００〜５００
０nmの範囲から自在に選択できる。

【００８３】

【実施例】以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明
をさらに詳細に説明する。

【００８４】実施例１ 射出成形によりグルーブを同時形成した直径１３０mm、
厚さ０．６mmのディスク状ポリカーボネート基板２の表
面に、第１誘電体層３１、記録層４、第２誘電体層３
２、反射層５および保護層６を形成し、図２の構成を有
する光記録ディスクとした。グルーブは、幅０．７４μ
m、深さ６５nm、ピッチ１．４８μmとした。

【００８５】第１誘電体層３１は、スパッタ法により形
成した。ターゲットには、ＺｎＳ（８５モル％）−Ｓｉ
Ｏ₂（１５モル％）を用いた。第１誘電体層の厚さは２
４０nmとした。

【００８６】記録層４は、スパッタ法により形成した。
記録層の組成は、 式 ［（Ｉｎ_aＡｇ_bＴｅ_1-a-b）_1-cＳｂ_c］_1-dＶ_d において ａ＝０．１８、 ｂ＝０．１９、 ｃ＝０．６１、 ｄ＝０．０２ とした。記録層の厚さは１６nmとした。

【００８７】第２誘電体層３２は、第１誘電体層３１と
同様にして形成した。第２誘電体層の厚さは２２nmとし
た。

【００８８】反射層５は、Ａｕターゲットに用いてスパ
ッタ法により形成した。反射層の厚さは１５０nmとし
た。

【００８９】保護層６は、紫外線硬化型樹脂をスピンコ
ート法により塗布後、紫外線照射により硬化して形成し
た。硬化後の保護層厚さは５μmであった。

【００９０】このようにして作製した光記録ディスクに
対し、本発明にしたがって改質処理および結晶化処理を
施し、これをサンプルNo.１０１とした。また、この光
記録ディスクに対し、従来の方法で初期化処理を施し、
これをサンプルNo.１０２とした。

【００９１】サンプルNo.１０１における改質処理に際
しては、線速度を１２m/sとし、レーザービームのパワ
ーを８００mWとし、ビームスポットの送りをサンプル１
回転あたり６０μmとし、パルス変調周数を９MHzとし、
パルスのデューティー比を５０％とした。結晶化処理
は、光記録ディスクを光記録媒体評価装置に載せ、線速
度５m/sで回転させながら、８mWのレーザービームを１
トラックごとに照射することにより行った。結晶化処理
後、最適記録パワーは１１．０mW、消去パワーは４．０
mWであった。なお、この場合の消去パワーは、最も高い
消去率が得られるパワーのことである。

【００９２】サンプルNo.１０２における初期化処理
は、線速度を３m/sとし、レーザービームのパワーを７
３０Wとし、ビームスポットの送りをサンプル１回転あ
たり６６μmとして行った。初期化処理後、最適記録パ
ワーは９．３mW、消去パワーは４．１mWであった。

【００９３】サンプルNo.１０１の結晶化処理後の反射
率は２１％であり、サンプルNo.１０２の初期化処理後
の反射率は２４％であり、両サンプルに線速度１２m/s
で１−７ＲＬＬ変調の信号を繰り返しオーバーライトし
た後の消去部（結晶化部）の反射率は２０％であった。
なお、これらの反射率は全トラックでの平均値である。
この結果から、従来の初期化処理後の記録層は繰り返し
オーバーライト後の消去部よりも反射率が高くなってい
るが、初期化処理に替えて改質処理および結晶化処理を
施した場合には、結晶化処理後の反射率が繰り返しオー
バーライト後の反射率とほぼ同じとなっていることがわ
かる。すなわち、本発明にしたがって処理されたサンプ
ルNo.１０１では、「なじませ」処理が不要であること
がわかる。

【００９４】また、これらのサンプルに上記オーバーラ
イトを繰り返し行い、８Ｔ信号のリーディングエッジ・
ジッターのオーバーライト回数依存性を調べた。結果を
図４に示す。

【００９５】図４において、従来の初期化処理を施した
サンプルでは、２０回の繰り返しオーバーライトの間に
ジッターが一度増大しその減少して安定する傾向を示し
ている。このジッターの増大と減少とは、「なじませ」
処理の効果に相当すると考えられる。そして、オーバー
ライトを１０００回繰り返したときには、ジッターが急
激に増大してしまっている。これに対し、高周波パルス
変調による改質処理および結晶化処理を施したサンプル
では、初回のオーバーライトからジッターが小さく、し
かも安定しており、オーバーライト１０００回後にもジ
ッターが急激に増大することはなく、オーバーライト可
能回数が増えていることがわかる。サンプルNo.１０２
が初回のオーバーライト時からジッターが大きく、オー
バーライトを繰り返してもジッターがサンプルNo.１０
２と同等まで減少しないのは、初期化処理の際の記録層
や誘電体層のダメージのためと考えられる。

【００９６】実施例２ 実施例１で作製した光記録ディスクに、線速度４m/sで
回転させながらレーザービームを照射することにより、
改質処理を施した。レーザーには、デューティー比５０
％でパルス変調したものを用い、レーザーパワーは７０
０mWとし、ビームスポットの送りはサンプル１回転あた
り６０μmとした。

【００９７】改質処理後、サンプルを光記録媒体評価装
置に載せ、線速度５m/sで回転させながら、８mWのレー
ザービームを１トラックごとに照射することにより、結
晶化処理を施した。

【００９８】改質処理の際のパルス変調周波数の異なる
各サンプルについて、結晶化処理後の平均反射率を求め
た。平均反射率は、最高値Ｒ_tと最低値Ｒ_bとから、 （Ｒ_t＋Ｒ_b）／２ により算出した。なお、反射率は全トラックについて測
定した。また、比較のために、従来の初期化処理を施し
た比較サンプルについても、同様な測定を行った。結果
を図５に示す。なお、比較サンプルの初期化は、線速度
を３m/sとし、レーザービームのパワーを７００Wとし、
ビームスポットの送りをサンプル１回転あたり６０μm
として行った。この比較サンプルのデータは、変調周波
数ゼロの位置にプロットしてある。

【００９９】実施例１において測定した繰り返しオーバ
ーライト後の反射率と図５との比較から、パルス変調周
波数が高くなるほど反射率が低くなって繰り返しオーバ
ーライト後の反射率に近づくことがわかる。すなわち、
図１（ａ）において、結晶状態Ｄ′が結晶状態Ｄに近づ
くことがわかる。

【０１００】また、改質処理の際のパルス変調周波数の
異なる各サンプルについて、結晶化処理後の反射率の変
動率を求めた。なお、この変動率は、平均の反射率に対
する変動率であり、 ２（Ｒ_t−Ｒ_b）／（Ｒ_t＋Ｒ_b） により算出した。また、比較のために、通常の初期化処
理を施した上記比較サンプルについても変動率を求め
た。これらの結果を図６に示す。なお、比較サンプルの
データは、変調周波数ゼロの位置にプロットしてある。

【０１０１】図６に示される結果から、レーザービーム
をパルス変調した場合には周波数が高くなるほど変動率
が低くなり、変動率１０％以下を達成できることがわか
る

【０１０２】図７は、トラック１周分の反射率変動を示
すグラフであり、縦軸が反射率である。図７（ａ）は、
周波数１０MHzでパルス変調したレーザービームを用い
たものであり、図７（ｂ）は、通常の初期化処理を施し
た上記比較サンプルのものである。図７（ａ）では、図
７（ｂ）に比べ反射率変動が極めて小さく、また、緩や
かである。すなわち図７（ａ）では、ジッターの増大に
影響する反射率変動、特に短周期の反射率変動が、図７
（ｂ）に比べ著しく少ない。なお、図７（ｂ）に示す反
射率変動は、繰り返しオーバーライト後も消失しなかっ
たので、初期化処理による記録層や誘電体層のダメージ
によるものと考えられる。

【０１０３】実施例３ 実施例１で作製した光記録ディスクに対し、パルス変調
周波数を図８に示す値としたほかは実施例２と同様にし
て改質処理および結晶化処理を施し、測定用サンプルと
した。これらのサンプルについて実施例２と同様なジッ
ター評価を行った。ただし、ディスクの線速度は６m/s
とした。また、比較のために、通常の初期化処理を施し
た比較サンプル（実施例２の比較サンプル）についても
同様な評価を行った。なお、この比較サンプルのデータ
は、変調周波数ゼロの位置にプロットしてある。結果を
図８に示す。

【０１０４】図８に示される結果から、従来の初期化処
理に替えて改質処理および結晶化処理を施すことにより
ジッターが減少し、パルス変調周波数が高くなるほどジ
ッター減少量が大きくなることがわかる。従来の初期化
処理を施した比較サンプルではジッターが６nsを超えて
おり、使用不能である。なお、図８では図４に対しジッ
ターの絶対値が約２倍となっているが、これは図８にお
ける線速度が図４における線速度の１／２だからであ
る。

【０１０５】実施例４ 改質処理においてレーザービームをパルス変調せず、改
質処理時のディスクの線速度を図９に示すものとしたほ
かは実施例２と同様にして光記録ディスクを作製した。
これらの光記録ディスクについて、実施例２と同様にし
て結晶化処理後の反射率の変動率を求めた。結果を図９
に示す。

【０１０６】図９では、従来の初期化処理に近い低線速
度での改質処理のときには反射率変動が大きくなってい
るが、改質処理を高線速度で施したときには反射率変動
が低く抑えられている。具体的には、線速度７m/sでは
反射率変動が１０％程度に下がっている。この光記録デ
ィスクの書き換え可能な線速度が６m/sであることを考
えると、レーザービームをパルス変調しなくても、ディ
スクの書き換え可能線速度に近い線速度においてＤＣレ
ーザーを照射することにより、パルス変調を利用した場
合と同等の改質処理が可能であることがわかる。

【０１０７】実施例５ 記録層の組成（原子比）を、 式 Ｇｅ_a Ｓｂ_b Ｔｅ_1-a-b において ａ＝０．２２、 ｂ＝０．２２ とし、記録層の厚さを２０nmとし、第１誘電体層の厚さ
を１１０nmとし、第２誘電体層の厚さを２５nmとし、反
射層の厚さを１００nmとしたほかは実施例１と同様にし
て光記録ディスクを作製した。この光記録ディスクに、
実施例１のサンプルNo.１０１と同様にして改質処理お
よび結晶化処理を施して光記録ディスクサンプルNo.６
０１を作製し、一方、前記光記録ディスクにサンプルN
o.１０２と同様にして通常の初期化処理を施したサンプ
ルNo.６０２を作製した。

【０１０８】サンプルNo.６０１および６０２につい
て、反射率変動およびジッターの測定を行ったところ、
上記各実施例と同様に、本発明にしたがって改質処理お
よび結晶化処理を施すことによる効果が認められた。

【０１０９】なお、従来の初期化処理による問題点を確
認するために、サンプルNo.６０２にオーバーライトを
行った後、反射層を剥離し、次いでポリカーボネート基
板をクロロフォルムで溶解し、さらに、フッ酸でエッチ
ングすることにより第１誘電体層および第２誘電体層を
除去して、記録層だけを取り出した。この記録層の透過
型電子顕微鏡写真を図１０に示す。図１０に示す写真
を、図１１を用いて説明する。図中の中央付近に存在す
る長円形の暗部の一部（暗部内の下側１／５程度）は、
記録マーク（非結晶状態Ｃ）であり、実質的に無構造で
ある。暗部内の残りの４／５程度はオーバーライト時に
消去された領域（結晶状態Ｄ）であり、比較的細かい結
晶粒から構成されている。一方、長円形の暗部を囲む領
域は、初期化処理により形成された結晶化部（結晶状態
Ｂ）であり、大きな結晶粒から構成されている。従来の
初期化処理後、反射率が安定するまでに前述した「なじ
ませ」処理が必要なのは、結晶状態Ｂと結晶状態Ｄとの
結晶性の違いによることが、図１０に明瞭に示されてい
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は、本発明法の説明図であり、（ｂ）
は、従来の初期化法の説明図である。

【図２】本発明の光記録媒体の構成例を示す部分断面図
である。

【図３】本発明の光記録媒体の構成例を示す部分断面図
である。

【図４】本発明により製造された光記録ディスクと、従
来の初期化処理を施した光記録ディスクとについて、オ
ーバーライト回数とジッターとの関係を示すグラフであ
る。

【図５】改質処理の際のパルス変調周波数と、結晶化処
理後の平均反射率との関係を示すグラフである。

【図６】改質処理の際のパルス変調周波数と、結晶化処
理後の反射率の変動率との関係を示すグラフである。

【図７】オシロ波形を表す図面代用写真であって、
（ａ）は、本発明により製造された光記録ディスクのト
ラック１周あたりの反射率変動を示すグラフであり、
（ｂ）は、従来の方法により初期化された光記録ディス
クのトラック１周あたりの反射率変動を示すグラフであ
る。

【図８】改質処理の際のパルス変調周波数と、ジッター
との関係を示すグラフである。

【図９】改質処理の際の光記録ディスクの線速度と、反
射率の変動率との関係を示すグラフである。

【図１０】結晶構造を表す図面代用写真であって、従来
の初期化処理が施された記録層の透過型電子顕微鏡写真
である。

【図１１】図１０の透過型電子顕微鏡写真の説明図であ
る。

【符号の説明】

２ 基体 ３１ 第１誘電体層 ３２ 第２誘電体層 ３３ 第３誘電体層 ４ 記録層 ５ 反射層 ６ 保護層 ７ 接着層

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基体上に相変化型の記録層を有する光記
   録媒体を製造する方法であって、 スパッタ法により形成した非結晶状態の記録層を、溶融
   して冷却することにより、形成直後の非結晶状態とは異
   なる非結晶状態とする改質処理工程と、この改質処理工
   程に続いて、非結晶状態の記録層を加熱することにより
   結晶化する結晶化処理工程とを有する光記録媒体の製造
   方法。
2. 【請求項２】 前記改質処理工程において、形成直後の
   記録層に、パルス変調したレーザービームを照射する請
   求項１の光記録媒体の製造方法。
3. 【請求項３】 前記記録層が、Ｇｅ、ＳｂおよびＴｅを
   含有する請求項１または２の光記録媒体の製造方法。
4. 【請求項４】 前記記録層が、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂおよび
   Ｔｅを含有する請求項１または２の光記録媒体の製造方
   法。