JP2001199166A - 光記録媒体 - Google Patents
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料を記録層に用
いた光記録媒体において、高温信頼性、特に、多数回オ
ーバーライトを行ったときの高温信頼性、を改善する。 【解決手段】 相変化型の記録層を有し、この記録層
が、Ａｇ、Ｉｎ、ＳｂおよびＴｅを主成分とし、副成分
としてＧｅを含有し、主成分および副成分を構成する元
素のモル比を式Ｉ （ＡｇaＩｎbＳｂcＴｅd）
(1-e/100)Ｇｅeで表したとき、ａ＝２〜２０、ｂ＝２〜
２０、ｃ＝３５〜８０、ｄ＝８〜４０、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ
＝１００、ｅ＝１〜１５である光記録媒体。
いた光記録媒体において、高温信頼性、特に、多数回オ
ーバーライトを行ったときの高温信頼性、を改善する。 【解決手段】 相変化型の記録層を有し、この記録層
が、Ａｇ、Ｉｎ、ＳｂおよびＴｅを主成分とし、副成分
としてＧｅを含有し、主成分および副成分を構成する元
素のモル比を式Ｉ （ＡｇaＩｎbＳｂcＴｅd）
(1-e/100)Ｇｅeで表したとき、ａ＝２〜２０、ｂ＝２〜
２０、ｃ＝３５〜８０、ｄ＝８〜４０、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ
＝１００、ｅ＝１〜１５である光記録媒体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、相変化型光記録媒
体に関する。
体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高密度記録が可能で、しかも記録
情報を消去して書き換えることが可能な光記録媒体が注
目されている。書き換え可能型の光記録媒体のうち相変
化型のものは、レーザービームを照射することにより記
録層の結晶状態を変化させて記録を行い、このような状
態変化に伴なう記録層の反射率変化を検出することによ
り再生を行うものである。相変化型の光記録媒体は単一
のレーザービームの強度を変調することによりオーバー
ライトが可能であり、また、駆動装置の光学系が光磁気
記録媒体のそれに比べて単純であるため、注目されてい
る。
情報を消去して書き換えることが可能な光記録媒体が注
目されている。書き換え可能型の光記録媒体のうち相変
化型のものは、レーザービームを照射することにより記
録層の結晶状態を変化させて記録を行い、このような状
態変化に伴なう記録層の反射率変化を検出することによ
り再生を行うものである。相変化型の光記録媒体は単一
のレーザービームの強度を変調することによりオーバー
ライトが可能であり、また、駆動装置の光学系が光磁気
記録媒体のそれに比べて単純であるため、注目されてい
る。
【０００３】一般に相変化型光記録媒体において情報を
記録する際には、まず、記録層全体を結晶質状態として
おき、記録層が融点以上まで昇温されるような高パワー
（記録パワー）のレーザービームを照射する。記録パワ
ーが加えられた部分では記録層が溶融した後、急冷さ
れ、非晶質の記録マークが形成される。一方、記録マー
クを消去する際には、記録層がその結晶化温度以上であ
ってかつ融点未満の温度まで昇温されるような比較的低
パワー（消去パワー）のレーザービームを照射する。消
去パワーが加えられた記録マークは、結晶化温度以上ま
で加熱された後、徐冷されることになるので、結晶質に
戻る。したがって、相変化型光記録媒体では、単一の光
ビームの強度を変調することにより、オーバーライトが
可能である。
記録する際には、まず、記録層全体を結晶質状態として
おき、記録層が融点以上まで昇温されるような高パワー
（記録パワー）のレーザービームを照射する。記録パワ
ーが加えられた部分では記録層が溶融した後、急冷さ
れ、非晶質の記録マークが形成される。一方、記録マー
クを消去する際には、記録層がその結晶化温度以上であ
ってかつ融点未満の温度まで昇温されるような比較的低
パワー（消去パワー）のレーザービームを照射する。消
去パワーが加えられた記録マークは、結晶化温度以上ま
で加熱された後、徐冷されることになるので、結晶質に
戻る。したがって、相変化型光記録媒体では、単一の光
ビームの強度を変調することにより、オーバーライトが
可能である。
【０００４】相変化型の記録層には、結晶質状態と非晶
質状態とで反射率の差が大きいこと、非晶質状態の安定
度が比較的高いことなどから、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料
やＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料が用いられることが多
い。
質状態とで反射率の差が大きいこと、非晶質状態の安定
度が比較的高いことなどから、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料
やＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料が用いられることが多
い。
【０００５】Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料は、Ｇｅ−
Ｓｂ−Ｔｅ系材料に比べ小さい記録マークの出力が大き
くなるという利点がある。そのため、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ
−Ｔｅ系材料は、今後さらに進む高密度記録化に対して
有望な材料として期待されている。
Ｓｂ−Ｔｅ系材料に比べ小さい記録マークの出力が大き
くなるという利点がある。そのため、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ
−Ｔｅ系材料は、今後さらに進む高密度記録化に対して
有望な材料として期待されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、本発明者らの
実験によれば、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料はＧｅ−
Ｓｂ−Ｔｅ系材料に比べ、高温環境で保存したときに記
録マークが結晶化しやすい、すなわち高温信頼性が低い
ことがわかった。また、オーバーライト回数が多くなる
と、さらに高温信頼性が低くなることがわかった。
実験によれば、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料はＧｅ−
Ｓｂ−Ｔｅ系材料に比べ、高温環境で保存したときに記
録マークが結晶化しやすい、すなわち高温信頼性が低い
ことがわかった。また、オーバーライト回数が多くなる
と、さらに高温信頼性が低くなることがわかった。
【０００７】そこで本発明は、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ
系材料を記録層に用いた光記録媒体において、高温信頼
性、特に、多数回オーバーライトを行ったときの高温信
頼性、を改善することを目的とする。
系材料を記録層に用いた光記録媒体において、高温信頼
性、特に、多数回オーバーライトを行ったときの高温信
頼性、を改善することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（４）の本発明により達成される。 （１） 相変化型の記録層を有し、この記録層が、Ａ
ｇ、Ｉｎ、ＳｂおよびＴｅを主成分とし、副成分として
Ｇｅを含有し、主成分および副成分を構成する元素のモ
ル比を 式Ｉ （ＡｇaＩｎbＳｂcＴｅd）(1-e/100)Ｇｅe で表したとき、 ａ＝２〜２０、 ｂ＝２〜２０、 ｃ＝３５〜８０、 ｄ＝８〜４０、 ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００、 ｅ＝１〜１５ である光記録媒体。 （２） ｅ≧１．８ である上記（１）の光記録媒体。 （３） ｅ≦８ である上記（１）または（２）の光記録媒体。 （４） ｃ＝５８〜８０ である上記（１）〜（３）のいずれかの光記録媒体。
（１）〜（４）の本発明により達成される。 （１） 相変化型の記録層を有し、この記録層が、Ａ
ｇ、Ｉｎ、ＳｂおよびＴｅを主成分とし、副成分として
Ｇｅを含有し、主成分および副成分を構成する元素のモ
ル比を 式Ｉ （ＡｇaＩｎbＳｂcＴｅd）(1-e/100)Ｇｅe で表したとき、 ａ＝２〜２０、 ｂ＝２〜２０、 ｃ＝３５〜８０、 ｄ＝８〜４０、 ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００、 ｅ＝１〜１５ である光記録媒体。 （２） ｅ≧１．８ である上記（１）の光記録媒体。 （３） ｅ≦８ である上記（１）または（２）の光記録媒体。 （４） ｃ＝５８〜８０ である上記（１）〜（３）のいずれかの光記録媒体。
【０００９】
【作用および効果】本発明者らは、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−
Ｔｅ系材料からなる記録層にＧｅを１モル％以上含有さ
せることにより、高温信頼性が大幅に向上すること、ま
た、Ｇｅの含有量を１．８モル％以上、特に２．０モル
％以上とすれば、多数回オーバーライトした後でも、十
分な高温信頼性が得られることを見いだした。高温信頼
性が向上するのは、Ｇｅ添加により記録層の結晶化温度
および活性化エネルギーが同時に向上し、非晶質相の熱
的安定性が向上するためである。
Ｔｅ系材料からなる記録層にＧｅを１モル％以上含有さ
せることにより、高温信頼性が大幅に向上すること、ま
た、Ｇｅの含有量を１．８モル％以上、特に２．０モル
％以上とすれば、多数回オーバーライトした後でも、十
分な高温信頼性が得られることを見いだした。高温信頼
性が向上するのは、Ｇｅ添加により記録層の結晶化温度
および活性化エネルギーが同時に向上し、非晶質相の熱
的安定性が向上するためである。
【００１０】さらに、本発明者らは、主成分構成元素の
モル比とＧｅ含有量とを制御することにより、高温信頼
性を確保した上で、記録層の結晶転移速度の調節が可能
となることを見いだした。
モル比とＧｅ含有量とを制御することにより、高温信頼
性を確保した上で、記録層の結晶転移速度の調節が可能
となることを見いだした。
【００１１】結晶転移速度は、非晶質が結晶に成長する
速度であり、非晶質の記録マークを消去（結晶化）する
際に重要となるパラメータである。相変化型媒体では、
上述したように消去パワーを照射することにより非晶質
記録マークを結晶化する。記録マークを結晶化するため
には、記録層の結晶転移速度に応じて、消去パワー照射
時の到達温度および加熱時間を制御する必要がある。例
えば、加熱時間は媒体の線速度に依存し、線速度が速い
ほど加熱時間は短くなる。速い線速度で使用する場合に
は、結晶転移速度の速い記録層が必要である。ただし、
結晶転移速度の速い記録層と遅い線速度とを組み合わせ
ても、消去は可能である。したがって、使用可能な線速
度を広くとりたい場合には、結晶転移速度の速い記録層
が必要となる。
速度であり、非晶質の記録マークを消去（結晶化）する
際に重要となるパラメータである。相変化型媒体では、
上述したように消去パワーを照射することにより非晶質
記録マークを結晶化する。記録マークを結晶化するため
には、記録層の結晶転移速度に応じて、消去パワー照射
時の到達温度および加熱時間を制御する必要がある。例
えば、加熱時間は媒体の線速度に依存し、線速度が速い
ほど加熱時間は短くなる。速い線速度で使用する場合に
は、結晶転移速度の速い記録層が必要である。ただし、
結晶転移速度の速い記録層と遅い線速度とを組み合わせ
ても、消去は可能である。したがって、使用可能な線速
度を広くとりたい場合には、結晶転移速度の速い記録層
が必要となる。
【００１２】一方、記録パワー照射により記録層は溶融
し、その後の冷却速度が速ければ非晶質の記録マークを
形成できるが、冷却速度が遅いと結晶化してしまう。し
たがって、記録マーク形成の際には記録パワー照射後の
冷却速度を制御する必要がある。この冷却速度は、媒体
の線速度および後述する記録パルスストラテジに大きく
依存し、例えば線速度が速い場合には冷却速度が速くな
るので、記録マークを形成できる。また、線速度が遅い
場合でも、記録パルスストラテジを制御することにより
冷却速度を引き上げることが可能なので、記録に関する
線速度マージンは比較的広い。
し、その後の冷却速度が速ければ非晶質の記録マークを
形成できるが、冷却速度が遅いと結晶化してしまう。し
たがって、記録マーク形成の際には記録パワー照射後の
冷却速度を制御する必要がある。この冷却速度は、媒体
の線速度および後述する記録パルスストラテジに大きく
依存し、例えば線速度が速い場合には冷却速度が速くな
るので、記録マークを形成できる。また、線速度が遅い
場合でも、記録パルスストラテジを制御することにより
冷却速度を引き上げることが可能なので、記録に関する
線速度マージンは比較的広い。
【００１３】以上の説明から明らかなように、記録層の
結晶転移速度が速ければ、媒体の線速度が速くても遅く
ても消去および記録が可能である。すなわち、線速度マ
ージンが広くなる。したがって、記録層の結晶転移速度
は速いことが好ましい。
結晶転移速度が速ければ、媒体の線速度が速くても遅く
ても消去および記録が可能である。すなわち、線速度マ
ージンが広くなる。したがって、記録層の結晶転移速度
は速いことが好ましい。
【００１４】しかし、結晶転移速度を速くすると、以下
に説明するように問題が生じる。例えば、主成分中にお
いてＳｂのモル比を高くすると、結晶転移速度が上昇す
ることが知られている。しかし、その場合、記録層の活
性化エネルギーが低下するため、非晶質の記録マークが
結晶化しやすくなってしまう。すなわち、高温信頼性が
低下してしまう。
に説明するように問題が生じる。例えば、主成分中にお
いてＳｂのモル比を高くすると、結晶転移速度が上昇す
ることが知られている。しかし、その場合、記録層の活
性化エネルギーが低下するため、非晶質の記録マークが
結晶化しやすくなってしまう。すなわち、高温信頼性が
低下してしまう。
【００１５】これに対し、主成分中のＳｂ含有量を多く
しても、本発明にしたがって副成分としてＧｅを添加す
れば、Ｓｂ量増加による高温信頼性の低下を著しく抑制
することができる。なお、Ｇｅの添加はＳｂ増量による
結晶転移速度向上効果をやや減殺するため、Ｇｅ添加に
伴ってＳｂ量をさらに増やす必要がある。ただし、この
ようにＳｂをさらに増量しても、Ｇｅが含まれる限り高
温信頼性は低下しない。
しても、本発明にしたがって副成分としてＧｅを添加す
れば、Ｓｂ量増加による高温信頼性の低下を著しく抑制
することができる。なお、Ｇｅの添加はＳｂ増量による
結晶転移速度向上効果をやや減殺するため、Ｇｅ添加に
伴ってＳｂ量をさらに増やす必要がある。ただし、この
ようにＳｂをさらに増量しても、Ｇｅが含まれる限り高
温信頼性は低下しない。
【００１６】なお、Ｓｂ増量に伴う高温信頼性の低下を
Ｇｅが抑制することは、本発明者らが初めて見いだした
ことである。
Ｇｅが抑制することは、本発明者らが初めて見いだした
ことである。
【００１７】また、上述したように、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ
−Ｔｅ系記録層では、オーバーライト回数が多くなると
高温信頼性がさらに低くなる。すなわち、オーバーライ
ト回数が多くなるほど、高温保存の際に記録マークの結
晶化が進みやすくなる。このことは、本発明者らの実験
によって初めて見いだされたことである。本発明では、
オーバーライト回数の多い場合の高温信頼性の著しい低
下を、Ｇｅ添加量を増加させることによりほぼ完全に抑
制できる。
−Ｔｅ系記録層では、オーバーライト回数が多くなると
高温信頼性がさらに低くなる。すなわち、オーバーライ
ト回数が多くなるほど、高温保存の際に記録マークの結
晶化が進みやすくなる。このことは、本発明者らの実験
によって初めて見いだされたことである。本発明では、
オーバーライト回数の多い場合の高温信頼性の著しい低
下を、Ｇｅ添加量を増加させることによりほぼ完全に抑
制できる。
【００１８】ところで、特開平８−２６７９２６号公報
には、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料に、添加元素とし
てＳｉ、Ｇｅ、ＳｎおよびＰｂの少なくとも１種を含有
する記録層が記載されている。すなわち、Ａｇ−Ｉｎ−
Ｓｂ−Ｔｅ系材料にＧｅを添加する提案は既になされて
いる。しかし、Ｇｅ添加により記録層の結晶化温度およ
び活性化エネルギーが向上することは知られていない。
特に、Ｇｅ含有量を１．８モル％以上、特に２．０モル
％以上とすることで、オーバーライト回数が多い場合の
高温信頼性の低下を著しく改善できることは、従来全く
知られていないことである。
には、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料に、添加元素とし
てＳｉ、Ｇｅ、ＳｎおよびＰｂの少なくとも１種を含有
する記録層が記載されている。すなわち、Ａｇ−Ｉｎ−
Ｓｂ−Ｔｅ系材料にＧｅを添加する提案は既になされて
いる。しかし、Ｇｅ添加により記録層の結晶化温度およ
び活性化エネルギーが向上することは知られていない。
特に、Ｇｅ含有量を１．８モル％以上、特に２．０モル
％以上とすることで、オーバーライト回数が多い場合の
高温信頼性の低下を著しく改善できることは、従来全く
知られていないことである。
【００１９】上記特開平８−２６７９２６号公報には、
上記添加元素を含有させることにより、記録層の活性化
エネルギーを低下させずに結晶転移速度を向上できる旨
が記載されている。同公報の実施例１では、添加元素と
してＳｉを用いて光記録ディスクサンプルを作製してい
る。このサンプルでは、記録層の組成を ｛（Ａｇa Ｓｂb Ｔｅc ）1-d Ｉｎd ｝1-e Ｓｉe で表したとき、 ａ＝０．１２３、 ｂ＝０．５４４、 ｃ＝０．３３３、 ｄ＝０．０５、 ｅ＝０．０１７ としている。また、同公報の比較例１では、ｅ＝０とし
て比較例サンプルを作製している。実施例サンプルにお
けるＳｉ含有量は１．７モル％、主成分（Ａｇ＋Ｉｎ＋
Ｓｂ＋Ｔｅ）中におけるＳｂ量は５１．７モル％とな
る。この実施例においてオーバーライト可能な最高線速
度は、Ｓｉを添加しないときが２．８m/s、Ｓｉを１．
７モル％添加したときが１２m/sであり、Ｓｉ添加によ
り結晶転移速度が向上している。また、この実施例で
は、Ｓｉを１．７モル％添加したサンプルに対し線速度
１２m/s で３．３８MHz の単一信号（記録マーク長１．
８μm）を記録した後、８０℃・８０％ＲＨの条件下で
保存し、Ｃ／Ｎの劣化を調べている。その結果、このサ
ンプルでは５０００時間以上にわたってＣ／Ｎの劣化は
認められなかった旨の記載がある。
上記添加元素を含有させることにより、記録層の活性化
エネルギーを低下させずに結晶転移速度を向上できる旨
が記載されている。同公報の実施例１では、添加元素と
してＳｉを用いて光記録ディスクサンプルを作製してい
る。このサンプルでは、記録層の組成を ｛（Ａｇa Ｓｂb Ｔｅc ）1-d Ｉｎd ｝1-e Ｓｉe で表したとき、 ａ＝０．１２３、 ｂ＝０．５４４、 ｃ＝０．３３３、 ｄ＝０．０５、 ｅ＝０．０１７ としている。また、同公報の比較例１では、ｅ＝０とし
て比較例サンプルを作製している。実施例サンプルにお
けるＳｉ含有量は１．７モル％、主成分（Ａｇ＋Ｉｎ＋
Ｓｂ＋Ｔｅ）中におけるＳｂ量は５１．７モル％とな
る。この実施例においてオーバーライト可能な最高線速
度は、Ｓｉを添加しないときが２．８m/s、Ｓｉを１．
７モル％添加したときが１２m/sであり、Ｓｉ添加によ
り結晶転移速度が向上している。また、この実施例で
は、Ｓｉを１．７モル％添加したサンプルに対し線速度
１２m/s で３．３８MHz の単一信号（記録マーク長１．
８μm）を記録した後、８０℃・８０％ＲＨの条件下で
保存し、Ｃ／Ｎの劣化を調べている。その結果、このサ
ンプルでは５０００時間以上にわたってＣ／Ｎの劣化は
認められなかった旨の記載がある。
【００２０】このように、同公報にはＧｅを包含する添
加元素は記載されているが、高温信頼性の向上に関しＧ
ｅが特異的な効果を示すことは開示されていない。ま
た、同公報の実施例では、主成分中におけるＳｂの比率
が比較的低いため、高温信頼性は比較的良好になると考
えられる。
加元素は記載されているが、高温信頼性の向上に関しＧ
ｅが特異的な効果を示すことは開示されていない。ま
た、同公報の実施例では、主成分中におけるＳｂの比率
が比較的低いため、高温信頼性は比較的良好になると考
えられる。
【００２１】なお、本明細書における高温安定性の評価
方法は、上記特開平８−２６７９２６号公報の実施例と
は異なる。すなわち、本明細書では、単一信号のＣ／Ｎ
ではなく、複数種の信号を含む混合信号のジッタ特性に
よって高温信頼性を評価する。これは、信号読み出しの
際の最終的なエラー特性が、混合信号のジッタ特性とよ
く相関するためである。ジッタ特性による評価では、Ｓ
ｉ、Ｇｅ、ＳｎおよびＰｂのうち、高温信頼性に関して
Ｇｅが特異的な効果を示す。
方法は、上記特開平８−２６７９２６号公報の実施例と
は異なる。すなわち、本明細書では、単一信号のＣ／Ｎ
ではなく、複数種の信号を含む混合信号のジッタ特性に
よって高温信頼性を評価する。これは、信号読み出しの
際の最終的なエラー特性が、混合信号のジッタ特性とよ
く相関するためである。ジッタ特性による評価では、Ｓ
ｉ、Ｇｅ、ＳｎおよびＰｂのうち、高温信頼性に関して
Ｇｅが特異的な効果を示す。
【００２２】
【発明の実施の形態】本発明の光記録媒体の記録層は、
主成分としてＡｇ、Ｉｎ、ＳｂおよびＴｅを、副成分と
してＧｅをそれぞれ含有する。主成分および副成分構成
元素のモル比を 式Ｉ （ＡｇaＩｎbＳｂcＴｅd）(1-e/100)Ｇｅe で表したとき、 ａ＝２〜２０、 ｂ＝２〜２０、 ｃ＝３５〜８０、 ｄ＝８〜４０、 ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００、 ｅ＝１〜１５ である。
主成分としてＡｇ、Ｉｎ、ＳｂおよびＴｅを、副成分と
してＧｅをそれぞれ含有する。主成分および副成分構成
元素のモル比を 式Ｉ （ＡｇaＩｎbＳｂcＴｅd）(1-e/100)Ｇｅe で表したとき、 ａ＝２〜２０、 ｂ＝２〜２０、 ｃ＝３５〜８０、 ｄ＝８〜４０、 ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００、 ｅ＝１〜１５ である。
【００２３】上記式Ｉにおいて、Ｇｅ含有量を表すｅが
１未満であると、高温安定性を向上する効果が不十分と
なる。オーバーライトを繰り返した領域に形成した記録
マークの熱的安定性を改善するためには、ｅを１．８以
上、特に２．０以上とすることが好ましい。一方、ｅが
１５を超えると、初期のジッタ特性が悪くなってしま
う。すなわち、高温保存前において良好なジッタ特性が
得られなくなる。なお、初期のジッタ特性をさらに良好
とするためには、ｅを８以下とすることが好ましい。
１未満であると、高温安定性を向上する効果が不十分と
なる。オーバーライトを繰り返した領域に形成した記録
マークの熱的安定性を改善するためには、ｅを１．８以
上、特に２．０以上とすることが好ましい。一方、ｅが
１５を超えると、初期のジッタ特性が悪くなってしま
う。すなわち、高温保存前において良好なジッタ特性が
得られなくなる。なお、初期のジッタ特性をさらに良好
とするためには、ｅを８以下とすることが好ましい。
【００２４】上記式Ｉにおいてａが小さすぎると、記録
マークの再結晶化が困難となって、繰り返しオーバーラ
イトが困難となる。一方、ａが大きすぎると、過剰なＡ
ｇが記録および消去の際に単独でＳｂ相中に拡散するこ
とになる。このため、書き換え耐久性が低下すると共
に、記録マークの安定性および結晶質部の安定性がいず
れも低くなってしまい、信頼性が低下する。すなわち、
高温で保存したときに記録マークの結晶化が進んで、ジ
ッタや変調度が劣化しやすくなる。また、繰り返して記
録を行なったときのジッタおよび変調度の劣化も進みや
すくなる。
マークの再結晶化が困難となって、繰り返しオーバーラ
イトが困難となる。一方、ａが大きすぎると、過剰なＡ
ｇが記録および消去の際に単独でＳｂ相中に拡散するこ
とになる。このため、書き換え耐久性が低下すると共
に、記録マークの安定性および結晶質部の安定性がいず
れも低くなってしまい、信頼性が低下する。すなわち、
高温で保存したときに記録マークの結晶化が進んで、ジ
ッタや変調度が劣化しやすくなる。また、繰り返して記
録を行なったときのジッタおよび変調度の劣化も進みや
すくなる。
【００２５】式Ｉにおいてｂが小さすぎると、記録マー
クの非晶質化が不十分となって変調度が低下し、また、
信頼性も低くなってしまう。一方、ｂが大きすぎると、
記録マーク以外の反射率が低くなって変調度が低下して
しまう。
クの非晶質化が不十分となって変調度が低下し、また、
信頼性も低くなってしまう。一方、ｂが大きすぎると、
記録マーク以外の反射率が低くなって変調度が低下して
しまう。
【００２６】式Ｉにおいてｃが小さすぎると、相変化に
伴なう反射率差は大きくなるが結晶転移速度が急激に遅
くなって消去が困難となる。一方、ｃが大きすぎると、
相変化に伴なう反射率差が小さくなって変調度が小さく
なる。
伴なう反射率差は大きくなるが結晶転移速度が急激に遅
くなって消去が困難となる。一方、ｃが大きすぎると、
相変化に伴なう反射率差が小さくなって変調度が小さく
なる。
【００２７】式Ｉにおいてｄが小さすぎると、記録層の
非晶質化が困難となり、信号が記録できなくなる可能性
が生じる。一方、ｄが大きすぎると、結晶転移速度が低
くなりすぎるため、消去が困難となる。
非晶質化が困難となり、信号が記録できなくなる可能性
が生じる。一方、ｄが大きすぎると、結晶転移速度が低
くなりすぎるため、消去が困難となる。
【００２８】主成分中において、Ｓｂの比率を高くすれ
ば、前述したように結晶転移速度を速くすることができ
る。そして、Ｓｂの比率を高くしたときの高温安定性の
低下は、Ｇｅ添加によりほぼ完全に抑制できる。ただ
し、前述したように、Ｇｅの添加はＳｂの添加による結
晶転移速度向上をやや阻害するので、Ｇｅ添加に対応し
てＳｂの添加量を増やす必要がある。本発明におけるＧ
ｅの添加は、Ｓｂを多くした場合、具体的には、Ｓｂの
含有量を表すｃが ｃ＝５８〜８０ であるときに、特に有効である。
ば、前述したように結晶転移速度を速くすることができ
る。そして、Ｓｂの比率を高くしたときの高温安定性の
低下は、Ｇｅ添加によりほぼ完全に抑制できる。ただ
し、前述したように、Ｇｅの添加はＳｂの添加による結
晶転移速度向上をやや阻害するので、Ｇｅ添加に対応し
てＳｂの添加量を増やす必要がある。本発明におけるＧ
ｅの添加は、Ｓｂを多くした場合、具体的には、Ｓｂの
含有量を表すｃが ｃ＝５８〜８０ であるときに、特に有効である。
【００２９】記録層中には、上記した主成分および副成
分のほか、必要に応じて他の元素が添加されていてもよ
い。このような添加元素としては、Ｈ、Ｓｉ、Ｃ、Ｖ、
Ｗ、Ｔａ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｃｅ、Ｔｂ、Ｓｎ、Ｐｂおよび
Ｙから選択される少なくとも１種の元素が挙げられる。
これらの添加元素は、書き換え耐久性を向上させる効
果、具体的には、書き換えの繰り返しによる消去率の低
下を抑える効果を示す。このような効果が強力であるこ
とから、Ｖ、Ｔａ、ＣｅおよびＹの少なくとも１種が好
ましい。記録層中におけるこれらの添加元素の含有率
は、１０モル％以下であることが好ましい。これらの添
加元素の含有率が高すぎると、相変化に伴なう反射率変
化が小さくなって十分な変調度が得られなくなる。
分のほか、必要に応じて他の元素が添加されていてもよ
い。このような添加元素としては、Ｈ、Ｓｉ、Ｃ、Ｖ、
Ｗ、Ｔａ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｃｅ、Ｔｂ、Ｓｎ、Ｐｂおよび
Ｙから選択される少なくとも１種の元素が挙げられる。
これらの添加元素は、書き換え耐久性を向上させる効
果、具体的には、書き換えの繰り返しによる消去率の低
下を抑える効果を示す。このような効果が強力であるこ
とから、Ｖ、Ｔａ、ＣｅおよびＹの少なくとも１種が好
ましい。記録層中におけるこれらの添加元素の含有率
は、１０モル％以下であることが好ましい。これらの添
加元素の含有率が高すぎると、相変化に伴なう反射率変
化が小さくなって十分な変調度が得られなくなる。
【００３０】記録層は、実質的に上記元素だけが含有さ
れることが好ましいが、Ａｇの一部をＡｕで置換しても
よく、Ｓｂの一部をＢｉで置換してもよく、Ｔｅの一部
をＳｅで置換してもよく、Ｉｎの一部をＡｌおよび／ま
たはＰで置換してもよい。
れることが好ましいが、Ａｇの一部をＡｕで置換しても
よく、Ｓｂの一部をＢｉで置換してもよく、Ｔｅの一部
をＳｅで置換してもよく、Ｉｎの一部をＡｌおよび／ま
たはＰで置換してもよい。
【００３１】ＡｕによるＡｇの置換率は、好ましくは５
０モル％以下、より好ましくは２０モル％以下である。
置換率が高すぎると、記録マークが結晶化しやすくなっ
て高温下での信頼性が悪化する。
０モル％以下、より好ましくは２０モル％以下である。
置換率が高すぎると、記録マークが結晶化しやすくなっ
て高温下での信頼性が悪化する。
【００３２】ＢｉによるＳｂの置換率は、好ましくは５
０モル％以下、より好ましくは２０モル％以下である。
置換率が高すぎると記録層の吸収係数が増加して光の干
渉効果が減少し、このため結晶−非晶質間の反射率差が
小さくなって変調度が低下し、高Ｃ／Ｎが得られなくな
る。
０モル％以下、より好ましくは２０モル％以下である。
置換率が高すぎると記録層の吸収係数が増加して光の干
渉効果が減少し、このため結晶−非晶質間の反射率差が
小さくなって変調度が低下し、高Ｃ／Ｎが得られなくな
る。
【００３３】ＳｅによるＴｅの置換率は、好ましくは５
０モル％以下、より好ましくは２０モル％以下である。
置換率が高すぎると結晶転移速度が遅くなりすぎ、十分
な消去率が得られなくなる。
０モル％以下、より好ましくは２０モル％以下である。
置換率が高すぎると結晶転移速度が遅くなりすぎ、十分
な消去率が得られなくなる。
【００３４】Ａｌおよび／またはＰによるＩｎの置換率
は、好ましくは４０モル％以下、より好ましくは２０モ
ル％以下である。置換率が高すぎると、記録マークの安
定性が低くなって信頼性が低くなる。なお、ＡｌとＰと
の比率は任意である。
は、好ましくは４０モル％以下、より好ましくは２０モ
ル％以下である。置換率が高すぎると、記録マークの安
定性が低くなって信頼性が低くなる。なお、ＡｌとＰと
の比率は任意である。
【００３５】記録層の厚さは、好ましくは９．５〜５０
nm、より好ましくは１３〜３０nmである。記録層が薄す
ぎると結晶相の成長が困難となり、相変化に伴なう反射
率変化が不十分となる。一方、記録層が厚すぎると、記
録層の熱容量が大きくなるため記録が困難となる。ま
た、記録層が厚すぎると、反射率および変調度が低くな
ってしまう。
nm、より好ましくは１３〜３０nmである。記録層が薄す
ぎると結晶相の成長が困難となり、相変化に伴なう反射
率変化が不十分となる。一方、記録層が厚すぎると、記
録層の熱容量が大きくなるため記録が困難となる。ま
た、記録層が厚すぎると、反射率および変調度が低くな
ってしまう。
【００３６】記録層の組成は、ＥＰＭＡやＸ線マイクロ
アナリシス、ＩＣＰなどにより測定することができる。
アナリシス、ＩＣＰなどにより測定することができる。
【００３７】記録層の形成は、スパッタ法により行うこ
とが好ましい。スパッタ条件は特に限定されず、例え
ば、複数の元素を含む材料をスパッタする際には、合金
ターゲットを用いてもよく、ターゲットを複数個用いる
多元スパッタ法を用いてもよい。
とが好ましい。スパッタ条件は特に限定されず、例え
ば、複数の元素を含む材料をスパッタする際には、合金
ターゲットを用いてもよく、ターゲットを複数個用いる
多元スパッタ法を用いてもよい。
【００３８】本発明では、記録層の組成以外は特に限定
されない。すなわち、媒体構造は特に限定されない。
されない。すなわち、媒体構造は特に限定されない。
【００３９】一般的な相変化型光記録媒体の構成例とし
ては、例えば図６に示すように、基体２上に、第１誘電
体層３１、記録層４、第２誘電体層３２、反射層５およ
び保護層６を順次積層したものが挙げられる。この媒体
では、基体２を通して記録再生光が照射される。
ては、例えば図６に示すように、基体２上に、第１誘電
体層３１、記録層４、第２誘電体層３２、反射層５およ
び保護層６を順次積層したものが挙げられる。この媒体
では、基体２を通して記録再生光が照射される。
【００４０】また、例えば、図７に示すように、基体２
を通さずに記録再生光を照射する構成としてもよい。こ
の場合、基体２側から、反射層５、第２誘電体層３２、
記録層４、第１誘電体層３１の順に積層し、最後に保護
層６を積層する。
を通さずに記録再生光を照射する構成としてもよい。こ
の場合、基体２側から、反射層５、第２誘電体層３２、
記録層４、第１誘電体層３１の順に積層し、最後に保護
層６を積層する。
【００４１】本発明の光記録媒体に書き込みを行う際に
は、前述したように、記録パルスストラテジを適宜設定
する。ここで、記録パルスストラテジについて説明す
る。一般に、相変化型光記録媒体に記録する際には、記
録パワーを記録マークの長さに対応して連続的に照射す
るのではなく、例えば特開平９−７１７６号公報に記載
されているように、記録マーク形状の制御のため、複数
のパルスからなるパルス列として照射する場合が多い。
この場合のパルス分割の具体的構成を、一般に記録パル
スストラテジと呼ぶ。記録パルスストラテジの例を、図
８に示す。図８には、ＮＲＺＩ信号の５Ｔ信号に対応す
る記録パルス列を例示してある。同図において、Ｔtop
は先頭パルスの幅であり、Ｔmpは先頭パルス以外のパル
ス（マルチパルスともいう）の幅であり、Ｔclは最後尾
パルスの後ろに付加された下向きパルス（クーリングパ
ルスともいう）の幅である。これらのパルス幅は、通
常、基準クロック幅（１Ｔ）で規格化した値で表示され
る。図示する記録パルスストラテジでは、クーリングパ
ルスを含むすべての下向きパルスのパワー（バイアスパ
ワーＰｂ）を消去パワーＰｅよりも低く設定している。
は、前述したように、記録パルスストラテジを適宜設定
する。ここで、記録パルスストラテジについて説明す
る。一般に、相変化型光記録媒体に記録する際には、記
録パワーを記録マークの長さに対応して連続的に照射す
るのではなく、例えば特開平９−７１７６号公報に記載
されているように、記録マーク形状の制御のため、複数
のパルスからなるパルス列として照射する場合が多い。
この場合のパルス分割の具体的構成を、一般に記録パル
スストラテジと呼ぶ。記録パルスストラテジの例を、図
８に示す。図８には、ＮＲＺＩ信号の５Ｔ信号に対応す
る記録パルス列を例示してある。同図において、Ｔtop
は先頭パルスの幅であり、Ｔmpは先頭パルス以外のパル
ス（マルチパルスともいう）の幅であり、Ｔclは最後尾
パルスの後ろに付加された下向きパルス（クーリングパ
ルスともいう）の幅である。これらのパルス幅は、通
常、基準クロック幅（１Ｔ）で規格化した値で表示され
る。図示する記録パルスストラテジでは、クーリングパ
ルスを含むすべての下向きパルスのパワー（バイアスパ
ワーＰｂ）を消去パワーＰｅよりも低く設定している。
【００４２】
【実施例】実験１ 射出成形によりグルーブを同時形成した直径１２０mm、
厚さ０．６mmのディスク状ポリカーボネートを基体とし
て用い、その表面に、第１誘電体層、記録層、第２誘電
体層および反射層を順次形成して、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−
Ｔｅ系記録層を有する光記録ディスクサンプルを作製し
た。
厚さ０．６mmのディスク状ポリカーボネートを基体とし
て用い、その表面に、第１誘電体層、記録層、第２誘電
体層および反射層を順次形成して、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−
Ｔｅ系記録層を有する光記録ディスクサンプルを作製し
た。
【００４３】第１誘電体層は、ＺｎＳ（８０モル％）−
ＳｉＯ2（２０モル％）ターゲットを用いてＡｒ雰囲気
中でスパッタ法により形成した。第１誘電体層の厚さは
８０nmとした。
ＳｉＯ2（２０モル％）ターゲットを用いてＡｒ雰囲気
中でスパッタ法により形成した。第１誘電体層の厚さは
８０nmとした。
【００４４】記録層は、ターゲットとしてＡｇ−Ｉｎ−
Ｓｂ−Ｔｅ合金またはＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合
金を用い、Ａｒ雰囲気中でスパッタ法により形成した。
記録層の組成は、 式Ｉ （ＡｇaＩｎbＳｂcＴｅd）(1-e/100)Ｇｅe において ａ＝ ６．７８、 ｂ＝ ４．５７、 ｃ＝５９．３６、 ｄ＝２９．２９、 ｅ＝０ とした。記録層の厚さは２３nmとした。
Ｓｂ−Ｔｅ合金またはＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合
金を用い、Ａｒ雰囲気中でスパッタ法により形成した。
記録層の組成は、 式Ｉ （ＡｇaＩｎbＳｂcＴｅd）(1-e/100)Ｇｅe において ａ＝ ６．７８、 ｂ＝ ４．５７、 ｃ＝５９．３６、 ｄ＝２９．２９、 ｅ＝０ とした。記録層の厚さは２３nmとした。
【００４５】第２誘電体層は、ＺｎＳ（８０モル％）−
ＳｉＯ2（２０モル％）ターゲットを用いてＡｒ雰囲気
中でスパッタ法により形成した。第２誘電体層の厚さは
２５nmとした。
ＳｉＯ2（２０モル％）ターゲットを用いてＡｒ雰囲気
中でスパッタ法により形成した。第２誘電体層の厚さは
２５nmとした。
【００４６】反射層は、Ａｒ雰囲気中においてスパッタ
法により形成した。ターゲットにはＡｌ−１．７モル％
Ｃｒを用いた。反射層の厚さは１００nmとした。
法により形成した。ターゲットにはＡｌ−１．７モル％
Ｃｒを用いた。反射層の厚さは１００nmとした。
【００４７】また、比較のために、記録層の組成をＧｅ
2Ｓｂ2Ｔｅ5としたほかは上記サンプルと同様にして、
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系記録層を有するサンプルも作製し
た。
2Ｓｂ2Ｔｅ5としたほかは上記サンプルと同様にして、
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系記録層を有するサンプルも作製し
た。
【００４８】これらのサンプルの記録層をバルクイレー
ザーにより初期化（結晶化）した後、各サンプルを光記
録媒体評価装置に載せ、 レーザー波長：６３５nm、 開口数ＮＡ：０．６、 線速度：６m/s、 記録信号：８−１６変調信号 の条件で記録を行った。なお、上記線速度は、ジッタが
最小となる線速度である。この記録における最短マーク
長は、６００nmとなる。
ザーにより初期化（結晶化）した後、各サンプルを光記
録媒体評価装置に載せ、 レーザー波長：６３５nm、 開口数ＮＡ：０．６、 線速度：６m/s、 記録信号：８−１６変調信号 の条件で記録を行った。なお、上記線速度は、ジッタが
最小となる線速度である。この記録における最短マーク
長は、６００nmとなる。
【００４９】次に、各サンプルを８０℃・８０％ＲＨの
環境下で保存し、保存に伴うジッタの増大を調べた。結
果を図１に示す。
環境下で保存し、保存に伴うジッタの増大を調べた。結
果を図１に示す。
【００５０】図１に示されるように、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ
−Ｔｅ系サンプルでは、保存時間が長くなるにしたがっ
てジッタが増大している。一方、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系サ
ンプルでは、保存時間２００時間まではジッタの顕著な
増大は認められない。この結果から、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ
−Ｔｅ系組成は、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系組成に比べ高温信
頼性が劣ることがわかる。
−Ｔｅ系サンプルでは、保存時間が長くなるにしたがっ
てジッタが増大している。一方、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系サ
ンプルでは、保存時間２００時間まではジッタの顕著な
増大は認められない。この結果から、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ
−Ｔｅ系組成は、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系組成に比べ高温信
頼性が劣ることがわかる。
【００５１】実験２ 実験１で作製したＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系サンプルを
用い、実験１と同条件で繰り返しオーバーライトを行っ
た後、８０℃・８０％ＲＨの環境下で保存し、保存に伴
うジッタの増大を調べた。なお、オーバーライトにおけ
る記録回数は、１０回、１００回または１０００回とし
た。結果を図２に示す。図２には、実験１（１回記録）
の結果も示してある。
用い、実験１と同条件で繰り返しオーバーライトを行っ
た後、８０℃・８０％ＲＨの環境下で保存し、保存に伴
うジッタの増大を調べた。なお、オーバーライトにおけ
る記録回数は、１０回、１００回または１０００回とし
た。結果を図２に示す。図２には、実験１（１回記録）
の結果も示してある。
【００５２】図２から、オーバーライト回数が増えるに
したがって高温信頼性が低下することがわかる。
したがって高温信頼性が低下することがわかる。
【００５３】実験３ 前記式Ｉで表される記録層の組成を下記No.１〜５とし
たほかは実験１と同様にして、光記録ディスクサンプル
を作製した。
たほかは実験１と同様にして、光記録ディスクサンプル
を作製した。
【００５４】組成No.１ ａ＝ ６．７４、 ｂ＝ ４．３９、 ｃ＝６０．６３、 ｄ＝２８．２４、 ｅ＝ ０
【００５５】組成No.２ ａ＝ ５．９１、 ｂ＝ ４．０９、 ｃ＝６３．９１、 ｄ＝２６．０９、 ｅ＝ １．９３
【００５６】組成No.３ ａ＝ ６．０１、 ｂ＝ ３．７５、 ｃ＝６６．１５、 ｄ＝２４．０９、 ｅ＝５．３７
【００５７】組成No.４ ａ＝ ５．０９、 ｂ＝ ３．３４、 ｃ＝７０．３６、 ｄ＝２１．２１、 ｅ＝１０．７２
【００５８】組成No.５ ａ＝ ３．５６、 ｂ＝ ２．３５、 ｃ＝７９．００、 ｄ＝１５．０９、 ｅ＝１６．６６
【００５９】なお、これらの組成では、Ｇｅ含有量の増
大に対応してＳｂ含有量が増えているが、これは、ジッ
タが最小となる線速度をほぼ一致させるためである。
大に対応してＳｂ含有量が増えているが、これは、ジッ
タが最小となる線速度をほぼ一致させるためである。
【００６０】これらのサンプルについて、線速度を８m/
sとし、かつクロック周波数を変更したほかは実験１と
同条件で、オーバーライト（記録回数１０回）を行っ
た。なお、この線速度は、上記各サンプルにおいてジッ
タがほぼ最小となる値である。また、このときの最短マ
ーク長は４００nmである。オーバーライト後、８０℃・
８０％ＲＨの環境下で保存し、保存に伴うジッタの増大
を調べた。結果を図３に示す。
sとし、かつクロック周波数を変更したほかは実験１と
同条件で、オーバーライト（記録回数１０回）を行っ
た。なお、この線速度は、上記各サンプルにおいてジッ
タがほぼ最小となる値である。また、このときの最短マ
ーク長は４００nmである。オーバーライト後、８０℃・
８０％ＲＨの環境下で保存し、保存に伴うジッタの増大
を調べた。結果を図３に示す。
【００６１】図３から、Ｇｅ添加により、高温保存に伴
うジッタ増大が抑制されることがわかる。また、Ｇｅ含
有量が多くなると、初期ジッタが悪化することがわか
る。
うジッタ増大が抑制されることがわかる。また、Ｇｅ含
有量が多くなると、初期ジッタが悪化することがわか
る。
【００６２】実験４ 前記式ＩにおいてＧｅ含有量を表すｅを０、０．５、１
または２としたほかは実験１と同様にして、光記録ディ
スクサンプルを作製した。これらのサンプルに対し、実
験３と同条件で１回記録またはオーバーライト（記録回
数１０００回）を行った。記録後、８０℃・８０％ＲＨ
の環境下で保存し、保存に伴うジッタの増大を調べた。
１回記録を行った場合の結果を図４（Ａ）に、オーバー
ライトを行った場合の結果を図４（Ｂ）に、それぞれ示
す。
または２としたほかは実験１と同様にして、光記録ディ
スクサンプルを作製した。これらのサンプルに対し、実
験３と同条件で１回記録またはオーバーライト（記録回
数１０００回）を行った。記録後、８０℃・８０％ＲＨ
の環境下で保存し、保存に伴うジッタの増大を調べた。
１回記録を行った場合の結果を図４（Ａ）に、オーバー
ライトを行った場合の結果を図４（Ｂ）に、それぞれ示
す。
【００６３】図４（Ａ）から、記録回数が１回の場合に
は、Ｇｅ含有量が１モル％以上であれば高温信頼性を十
分に確保できることがわかる。また、図４（Ｂ）から、
繰り返しオーバーライト後の高温信頼性を確保するため
には、Ｇｅ含有量を２モル％以上とすることが好ましい
ことがわかる。
は、Ｇｅ含有量が１モル％以上であれば高温信頼性を十
分に確保できることがわかる。また、図４（Ｂ）から、
繰り返しオーバーライト後の高温信頼性を確保するため
には、Ｇｅ含有量を２モル％以上とすることが好ましい
ことがわかる。
【００６４】実験５ 式II （ＡｇaＩｎbＳｂcＴｅd）(1-e/100)Ｍe で表される記録層の組成を下記No.６〜８としたほかは
実験１と同様にして、光記録ディスクサンプルを作製し
た。
実験１と同様にして、光記録ディスクサンプルを作製し
た。
【００６５】組成No.６ Ｍ＝Ｓｉ、 ａ＝ ６．７７、 ｂ＝ ３．６８、 ｃ＝６６．６６、 ｄ＝２２．８９、 ｅ＝ ７．５６
【００６６】組成No.７ Ｍ＝Ｇｅ、 ａ＝ ６．７５、 ｂ＝ ３．９４、 ｃ＝６８．４１、 ｄ＝２０．９０、 ｅ＝ ５．２１
【００６７】組成No.８ Ｍ＝Ｓｎ、 ａ＝ ７．６０、 ｂ＝ ３．８８、 ｃ＝６５．６０、 ｄ＝２２．９２、 ｅ＝ ６．２４
【００６８】これらのサンプルについて、線速度を１０
m/sとし、かつクロック周波数を変更したほかは実験１
と同条件で、オーバーライト（記録回数１０回）を行っ
た。なお、この線速度は、上記各サンプルにおいてジッ
タがほぼ最小となる値である。また、このときの最短マ
ーク長は４００nmである。オーバーライト後、８０℃・
８０％ＲＨの環境下で保存し、保存に伴うジッタの増大
を調べた。結果を図５に示す。
m/sとし、かつクロック周波数を変更したほかは実験１
と同条件で、オーバーライト（記録回数１０回）を行っ
た。なお、この線速度は、上記各サンプルにおいてジッ
タがほぼ最小となる値である。また、このときの最短マ
ーク長は４００nmである。オーバーライト後、８０℃・
８０％ＲＨの環境下で保存し、保存に伴うジッタの増大
を調べた。結果を図５に示す。
【００６９】図５から、Ｓｉ、ＧｅおよびＳｎのうちで
Ｇｅだけが特異的に、高温信頼性向上効果を示すことが
わかる。
Ｇｅだけが特異的に、高温信頼性向上効果を示すことが
わかる。
【００７０】実験６ 基体としてスライドガラスを用い、また、Ｇｅ含有量を
表１に示す値としたほかは実験１のＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−
Ｔｅ系サンプルと同様にして、測定用サンプルを作製し
た。なお、これらのサンプルの記録層において、主成分
中のモル比は実験１と同じである。
表１に示す値としたほかは実験１のＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−
Ｔｅ系サンプルと同様にして、測定用サンプルを作製し
た。なお、これらのサンプルの記録層において、主成分
中のモル比は実験１と同じである。
【００７１】各サンプルを加熱ステージに載せ、３０℃
／分で昇温しながら基体を通してレーザービームを照射
し、反射率が変化する温度を測定することにより記録層
の結晶化温度を求めた。また、この結晶化温度をＴｃ
（単位K）としたとき、０．９５Ｔｃ、０．９６Ｔｃ、
０．９７Ｔｃ、０．９８Ｔｃ、０．９９Ｔｃの温度でサ
ンプルを等温保持することにより、これら各温度におい
て結晶化に要する時間を測定し、その結果からアレニウ
ス法により記録層の活性化エネルギーを算出した。各サ
ンプルにおける結晶化温度および活性化エネルギーを、
表１に示す。
／分で昇温しながら基体を通してレーザービームを照射
し、反射率が変化する温度を測定することにより記録層
の結晶化温度を求めた。また、この結晶化温度をＴｃ
（単位K）としたとき、０．９５Ｔｃ、０．９６Ｔｃ、
０．９７Ｔｃ、０．９８Ｔｃ、０．９９Ｔｃの温度でサ
ンプルを等温保持することにより、これら各温度におい
て結晶化に要する時間を測定し、その結果からアレニウ
ス法により記録層の活性化エネルギーを算出した。各サ
ンプルにおける結晶化温度および活性化エネルギーを、
表１に示す。
【００７２】
【表１】
【００７３】表１から、副成分としてＧｅを添加するこ
とにより、結晶化温度および活性化エネルギーが向上す
ることがわかる。
とにより、結晶化温度および活性化エネルギーが向上す
ることがわかる。
【図１】高温・高湿環境下での保存時間とジッタとの関
係を示すグラフである。
係を示すグラフである。
【図２】高温・高湿環境下での保存時間とジッタとの関
係を示すグラフである。
係を示すグラフである。
【図３】高温・高湿環境下での保存時間とジッタとの関
係を示すグラフである。
係を示すグラフである。
【図４】（Ａ）および（Ｂ）は、高温・高湿環境下での
保存時間とジッタとの関係を示すグラフである。
保存時間とジッタとの関係を示すグラフである。
【図５】高温・高湿環境下での保存時間とジッタとの関
係を示すグラフである。
係を示すグラフである。
【図６】光記録媒体の構成例を示す断面図である。
【図７】光記録媒体の構成例を示す断面図である。
【図８】記録パルスストラテジの例を示す図である。
２ 基体 ３１ 第１誘電体層 ３２ 第２誘電体層 ４ 記録層 ５ 反射層 ６ 保護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H111 EA04 EA12 EA23 EA31 EA40 FA01 FB05 FB09 FB12 FB17 FB21 FB30 5D029 JA01 JC13 JC17 JC18
Claims (4)
- 【請求項１】 相変化型の記録層を有し、この記録層
が、Ａｇ、Ｉｎ、ＳｂおよびＴｅを主成分とし、副成分
としてＧｅを含有し、 主成分および副成分を構成する元素のモル比を 式Ｉ （ＡｇaＩｎbＳｂcＴｅd）(1-e/100)Ｇｅe で表したとき、 ａ＝２〜２０、 ｂ＝２〜２０、 ｃ＝３５〜８０、 ｄ＝８〜４０、 ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００、 ｅ＝１〜１５ である光記録媒体。 - 【請求項２】ｅ≧１．８ である請求項１の光記録媒体。
- 【請求項３】ｅ≦８ である請求項１または２の光記録媒体。
- 【請求項４】ｃ＝５８〜８０ である請求項１〜３のいずれかの光記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000009461A JP2001199166A (ja) | 2000-01-18 | 2000-01-18 | 光記録媒体 |
| US09/760,847 US6465070B2 (en) | 2000-01-18 | 2001-01-17 | Optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000009461A JP2001199166A (ja) | 2000-01-18 | 2000-01-18 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001199166A true JP2001199166A (ja) | 2001-07-24 |
Family
ID=18537610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000009461A Pending JP2001199166A (ja) | 2000-01-18 | 2000-01-18 | 光記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6465070B2 (ja) |
| JP (1) | JP2001199166A (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| TW565835B (en) * | 2001-01-10 | 2003-12-11 | Ricoh Kk | Phase change optical recording medium |
| US7304930B2 (en) * | 2001-09-12 | 2007-12-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and recording method using the same |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3171103B2 (ja) | 1995-03-31 | 2001-05-28 | 三菱化学株式会社 | 光記録方法および光記録媒体 |
| JP3150267B2 (ja) | 1995-03-31 | 2001-03-26 | ティーディーケイ株式会社 | 光記録媒体 |
| JPH11167722A (ja) | 1997-10-01 | 1999-06-22 | Tdk Corp | 光記録媒体、その記録方法およびその記録装置 |
| JP3806827B2 (ja) | 1998-02-10 | 2006-08-09 | Ｔｄｋ株式会社 | 相変化型光記録媒体の設計方法 |
| JP3502297B2 (ja) | 1998-07-21 | 2004-03-02 | Ｔｄｋ株式会社 | 光記録方法 |
| JP2000229478A (ja) | 1998-12-09 | 2000-08-22 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
| US6592958B2 (en) * | 2000-05-25 | 2003-07-15 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium and sputtering target for fabricating the recording medium |
-
2000
- 2000-01-18 JP JP2000009461A patent/JP2001199166A/ja active Pending
-
2001
- 2001-01-17 US US09/760,847 patent/US6465070B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6465070B2 (en) | 2002-10-15 |
| US20010009708A1 (en) | 2001-07-26 |
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