JP3075816B2 - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
- Publication number
- JP3075816B2 JP3075816B2 JP03352007A JP35200791A JP3075816B2 JP 3075816 B2 JP3075816 B2 JP 3075816B2 JP 03352007 A JP03352007 A JP 03352007A JP 35200791 A JP35200791 A JP 35200791A JP 3075816 B2 JP3075816 B2 JP 3075816B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording layer
- recording
- optical recording
- recording medium
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、記録層の結晶状態の変
化を利用して情報の記録・再生を行なう光記録媒体に関
する。
化を利用して情報の記録・再生を行なう光記録媒体に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高密度記録が可能で、しかも記録
情報を消去して書き換えることが可能な光記録媒体が注
目されている。書き換え可能型の光記録媒体のうち、相
変化型の光記録媒体は、レーザー光を照射することによ
り、記録層を結晶質から非晶質に変化させたり、あるい
は非晶質から結晶質に変化させ、このような状態変化に
伴なう記録層の反射率変化を検出するものである。相変
化型の光記録媒体の駆動装置は、光学系の構成が光磁気
記録媒体のそれに比べて単純である。
情報を消去して書き換えることが可能な光記録媒体が注
目されている。書き換え可能型の光記録媒体のうち、相
変化型の光記録媒体は、レーザー光を照射することによ
り、記録層を結晶質から非晶質に変化させたり、あるい
は非晶質から結晶質に変化させ、このような状態変化に
伴なう記録層の反射率変化を検出するものである。相変
化型の光記録媒体の駆動装置は、光学系の構成が光磁気
記録媒体のそれに比べて単純である。
【０００３】相変化型の光記録媒体には、結晶状態と非
晶質状態とで反射率の差が大きいこと、非晶質状態の安
定度が比較的高いことなどから、ＴｅおよびＧｅを主成
分とする記録層が通常用いられている。
晶質状態とで反射率の差が大きいこと、非晶質状態の安
定度が比較的高いことなどから、ＴｅおよびＧｅを主成
分とする記録層が通常用いられている。
【０００４】相変化型光記録媒体の記録層の改良につい
ては、以下に示すような提案が行なわれている。
ては、以下に示すような提案が行なわれている。
【０００５】例えば、特開昭６３−６３１４１号公報の
特許請求の範囲第二項には、
特許請求の範囲第二項には、
【０００６】「薄膜の組成を示す一般式を、 （Ｔｅy Ｇｅ100-y ）100-x Ｍx Ｍ：（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｚｎ，Ｎｉ）の中から選ばれ
た、少なくとも１種以上の元素。 ｘ：薄膜中のＭの原子数％ ｙ：（ＴｅとＧｅ）中のＴｅの原子数％ と表わした場合、ｘとｙの範囲がそれぞれ２≦ｘ≦２
０、３０≦ｙ≦７０であることを特徴とする情報記録媒
体」
た、少なくとも１種以上の元素。 ｘ：薄膜中のＭの原子数％ ｙ：（ＴｅとＧｅ）中のＴｅの原子数％ と表わした場合、ｘとｙの範囲がそれぞれ２≦ｘ≦２
０、３０≦ｙ≦７０であることを特徴とする情報記録媒
体」
【０００７】が開示されている。この情報記録媒体の薄
膜（記録層）では、通常、非晶質から結晶質への変化に
より記録がなされる。そして、同公報には、読み出し光
による吸収熱で薄膜が結晶化する（記録状態となる）こ
とを防止するために、上記組成により薄膜の結晶化転移
温度を上昇させた旨が開示されている。同公報の実施例
では、原子数比５０％のＴｅＧｅ合金を薄膜の原料とし
て用いている。
膜（記録層）では、通常、非晶質から結晶質への変化に
より記録がなされる。そして、同公報には、読み出し光
による吸収熱で薄膜が結晶化する（記録状態となる）こ
とを防止するために、上記組成により薄膜の結晶化転移
温度を上昇させた旨が開示されている。同公報の実施例
では、原子数比５０％のＴｅＧｅ合金を薄膜の原料とし
て用いている。
【０００８】また、特開平３−１５５９１号公報では、
上記特開昭６３−６３１４１号公報に開示されている記
録層組成ではＣ／Ｎおよび耐久性が不十分であるとし
て、
上記特開昭６３−６３１４１号公報に開示されている記
録層組成ではＣ／Ｎおよび耐久性が不十分であるとし
て、
【０００９】「記録層に含まれるＴｅ、ＧｅおよびＺｎ
の原子数比を、（Ｔｅx Ｇｅ100-x）100-y Ｚｎy の
ｘ、ｙで表わした場合に、２０≦ｘ≦９０および２０＜
ｙ≦７０」
の原子数比を、（Ｔｅx Ｇｅ100-x）100-y Ｚｎy の
ｘ、ｙで表わした場合に、２０≦ｘ≦９０および２０＜
ｙ≦７０」
【００１０】とし、記録層の結晶化温度を高めている。
同公報の第６ページ左上欄には、「レーザ光が照射され
ない部分では非晶質であり、レーザ光が照射された部分
が徐冷されて部分的に結晶化されることにより情報の記
録が可能になっている」と記載されている。
同公報の第６ページ左上欄には、「レーザ光が照射され
ない部分では非晶質であり、レーザ光が照射された部分
が徐冷されて部分的に結晶化されることにより情報の記
録が可能になっている」と記載されている。
【００１１】一方、結晶状態から非結晶状態への変化に
よって記録がなされる光記録媒体については、例えば特
開平１−１６５０４７号公報に開示されている。同公報
記載の光記録媒体は、ＧｅとＴｅの１：１の化合物であ
るＧｅＴｅに、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｖ、Ｃｒ、Ｔ
ｉ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｙ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｇ、Ａｕ、
Ｒｈの少なくとも一つを１０％以下添加した光記録材料
層を有する。ＧｅＴｅ薄膜では、記録時の結晶状態から
非結晶状態への変化速度（ディスク周速１０m/s 以下に
相当）に比べ、消去時の非結晶状態から結晶状態への変
化速度（ディスク周速２m/s 以下に相当）が遅いため
に、ディスクの周速を高められなかったが、同公報記載
の光記録媒体では、結晶化速度を高めることができたの
で、ディスクの周速を速くすることができ、これにより
データ転送速度が向上できた旨が同公報に記載されてい
る。
よって記録がなされる光記録媒体については、例えば特
開平１−１６５０４７号公報に開示されている。同公報
記載の光記録媒体は、ＧｅとＴｅの１：１の化合物であ
るＧｅＴｅに、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｖ、Ｃｒ、Ｔ
ｉ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｙ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｇ、Ａｕ、
Ｒｈの少なくとも一つを１０％以下添加した光記録材料
層を有する。ＧｅＴｅ薄膜では、記録時の結晶状態から
非結晶状態への変化速度（ディスク周速１０m/s 以下に
相当）に比べ、消去時の非結晶状態から結晶状態への変
化速度（ディスク周速２m/s 以下に相当）が遅いため
に、ディスクの周速を高められなかったが、同公報記載
の光記録媒体では、結晶化速度を高めることができたの
で、ディスクの周速を速くすることができ、これにより
データ転送速度が向上できた旨が同公報に記載されてい
る。
【００１２】ところで、最近、コンパクトディスク（Ｃ
Ｄ）と同じ線速度で記録・再生が可能な光記録ディスク
が、光学系を追加ないし変更するだけでＣＤと駆動装置
を共用できるために注目されている。このような光記録
ディスクとしては、例えば、記録層に有機色素を用いた
追記型の光記録ディスクや光磁気記録ディスクなどが開
発されている。相変化型の光記録ディスクは書き換えが
可能であり、しかも光磁気記録ディスクに比べ駆動装置
の光学系の構成が単純なので、このような用途に好適で
あると考えられる。
Ｄ）と同じ線速度で記録・再生が可能な光記録ディスク
が、光学系を追加ないし変更するだけでＣＤと駆動装置
を共用できるために注目されている。このような光記録
ディスクとしては、例えば、記録層に有機色素を用いた
追記型の光記録ディスクや光磁気記録ディスクなどが開
発されている。相変化型の光記録ディスクは書き換えが
可能であり、しかも光磁気記録ディスクに比べ駆動装置
の光学系の構成が単純なので、このような用途に好適で
あると考えられる。
【００１３】しかし、上記した特開平１−１６５０４７
号公報に記載されているような、結晶状態から非晶質状
態へ変化させることにより記録を行なう相変化型の光記
録ディスクでは、ＣＤと同等の線速度で使用すると良好
なＣ／Ｎが得られない。ＣＤでは、線速度が１．４m/s
以下であり、これは従来の相変化型光記録ディスクに比
べ極端に遅い。このため、ＣＤと同等の線速度で相変化
型光記録ディスクを使用すると、レーザービームによる
熱の影響が照射領域外にまで及ぶことになる。信号記録
部は、レーザービームにより加熱された領域が急速に冷
却されて非晶質状態となったところであるが、信号記録
部が長い場合、例えば１１Ｔ信号などの記録部では、照
射終了領域が隣接する照射部の影響を受けて引き続き僅
かに加熱されるため、徐冷状態となってしまい良好な非
晶質化を行なうことができない。このため、良好なＣ／
Ｎが得られなくなる。
号公報に記載されているような、結晶状態から非晶質状
態へ変化させることにより記録を行なう相変化型の光記
録ディスクでは、ＣＤと同等の線速度で使用すると良好
なＣ／Ｎが得られない。ＣＤでは、線速度が１．４m/s
以下であり、これは従来の相変化型光記録ディスクに比
べ極端に遅い。このため、ＣＤと同等の線速度で相変化
型光記録ディスクを使用すると、レーザービームによる
熱の影響が照射領域外にまで及ぶことになる。信号記録
部は、レーザービームにより加熱された領域が急速に冷
却されて非晶質状態となったところであるが、信号記録
部が長い場合、例えば１１Ｔ信号などの記録部では、照
射終了領域が隣接する照射部の影響を受けて引き続き僅
かに加熱されるため、徐冷状態となってしまい良好な非
晶質化を行なうことができない。このため、良好なＣ／
Ｎが得られなくなる。
【００１４】このような問題を解決するためには、記録
層の結晶化速度を遅くして非晶質化が可能な冷却速度の
範囲を広げることが必要とされる。しかし、上記したよ
うに高密度記録のための結晶化速度向上の提案はなされ
ているが、結晶化速度を低下させる提案はなされていな
かった。
層の結晶化速度を遅くして非晶質化が可能な冷却速度の
範囲を広げることが必要とされる。しかし、上記したよ
うに高密度記録のための結晶化速度向上の提案はなされ
ているが、結晶化速度を低下させる提案はなされていな
かった。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような事
情からなされたものであり、相変化型の光記録媒体にお
いて、記録層の結晶化速度を低下させることにより、光
ビームに対する記録層の相対速度が低い場合に良好なＣ
／Ｎを実現することを目的とする。
情からなされたものであり、相変化型の光記録媒体にお
いて、記録層の結晶化速度を低下させることにより、光
ビームに対する記録層の相対速度が低い場合に良好なＣ
／Ｎを実現することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（３）の本発明により達成される。
（１）〜（３）の本発明により達成される。
【００１７】（１）基板上に記録層を有し、光ビーム照
射により前記記録層の結晶状態が変化して記録が行なわ
れる光記録媒体であって、前記記録層がＴｅ、Ｇｅおよ
びＭ（Ｍは、ＺｎまたはＺｎおよびＴｉである。）を含
有し、前記記録層中におけるＴｅ、ＧｅおよびＭの原子
比が下記式で表わされることを特徴とする光記録媒体。 式 （ＧｅｘＴｅ１−ｘ）１００−ｙＭｙ （上記式において、 ０．０５≦ｘ≦０．２０、 ０＜ｙ≦１０ である。）
射により前記記録層の結晶状態が変化して記録が行なわ
れる光記録媒体であって、前記記録層がＴｅ、Ｇｅおよ
びＭ（Ｍは、ＺｎまたはＺｎおよびＴｉである。）を含
有し、前記記録層中におけるＴｅ、ＧｅおよびＭの原子
比が下記式で表わされることを特徴とする光記録媒体。 式 （ＧｅｘＴｅ１−ｘ）１００−ｙＭｙ （上記式において、 ０．０５≦ｘ≦０．２０、 ０＜ｙ≦１０ である。）
【００１８】（２）前記記録層において、信号未記録部
が結晶質であり、信号記録部が非晶質である上記（１）
に記載の光記録媒体。
が結晶質であり、信号記録部が非晶質である上記（１）
に記載の光記録媒体。
【００１９】（３）光ビームに対する記録層の相対速度
が１．２〜２．８m/s で使用される上記（１）または
（２）に記載の光記録媒体。
が１．２〜２．８m/s で使用される上記（１）または
（２）に記載の光記録媒体。
【００２０】
【作用】本発明の光記録媒体では、ＴｅおよびＧｅに加
え、Ｔｉおよび／またはＺｎを添加して記録層を構成す
る。Ｔｅが上記範囲含まれる記録層に上記範囲のＴｉお
よび／またはＺｎを添加したとき、記録層の結晶化速度
は低下する。このため、線速度の低い光記録ディスクに
本発明を適用した場合に良好なＣ／Ｎが得られる。
え、Ｔｉおよび／またはＺｎを添加して記録層を構成す
る。Ｔｅが上記範囲含まれる記録層に上記範囲のＴｉお
よび／またはＺｎを添加したとき、記録層の結晶化速度
は低下する。このため、線速度の低い光記録ディスクに
本発明を適用した場合に良好なＣ／Ｎが得られる。
【００２１】
【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。
に説明する。
【００２２】本発明の光記録媒体は、基板上に記録層を
有し、光ビーム照射により前記記録層の結晶状態が変化
して記録が行なわれる光記録媒体であり、
有し、光ビーム照射により前記記録層の結晶状態が変化
して記録が行なわれる光記録媒体であり、
【００２３】前記記録層がＴｅ、ＧｅおよびＭ（Ｍは、
ＺｎまたはＺｎおよびＴｉである。）を含有し、前記記
録層中におけるＴｅ、ＧｅおよびＭの原子比が下記式で
表わされることを特徴とする。
ＺｎまたはＺｎおよびＴｉである。）を含有し、前記記
録層中におけるＴｅ、ＧｅおよびＭの原子比が下記式で
表わされることを特徴とする。
【００２４】式 （Ｇｅx Ｔｅ1-x ）100-yＭy 上記式において、０．０５≦ｘ、好ましくは０．１０≦
ｘであり、ｘ≦０．２０、好ましくはｘ≦０．１５であ
る。また、０＜ｙ≦１０、好ましくは５≦ｙ≦８であ
る。
ｘであり、ｘ≦０．２０、好ましくはｘ≦０．１５であ
る。また、０＜ｙ≦１０、好ましくは５≦ｙ≦８であ
る。
【００２５】ｘが前記範囲を超えると、すなわちＧｅに
対するＴｅの含有量が不十分となると、結晶化速度が高
くなりすぎて、信号長の長い１１Ｔ信号などを非晶質状
態として固定できず、良好なＣ／Ｎが得られなくなる。
また、結晶状態と非晶質状態との反射率の差が不十分と
なる。ｘが前記範囲未満となると、すなわちＧｅに対す
るＴｅの含有量が多すぎると、Ｔｅ同士の結合が増加し
て非晶質状態が不安定となり、記録後まもなく結晶化が
生じてしまう。
対するＴｅの含有量が不十分となると、結晶化速度が高
くなりすぎて、信号長の長い１１Ｔ信号などを非晶質状
態として固定できず、良好なＣ／Ｎが得られなくなる。
また、結晶状態と非晶質状態との反射率の差が不十分と
なる。ｘが前記範囲未満となると、すなわちＧｅに対す
るＴｅの含有量が多すぎると、Ｔｅ同士の結合が増加し
て非晶質状態が不安定となり、記録後まもなく結晶化が
生じてしまう。
【００２６】ＴｅおよびＧｅの含有量を前記範囲とした
上で、Ｍの含有量を前記範囲内とすれば、記録層の結晶
化速度を低下させることができる。このため、記録用光
ビームに対する記録層の相対速度が低い場合、すなわち
線速度の低い記録において良好なＣ／Ｎが得られる。Ｍ
の含有量を表わすｙが前記範囲未満であるとＣ／Ｎ向上
効果が実現せず、前記範囲を超えると、結晶状態と非晶
質状態との反射率の差が不十分となる。
上で、Ｍの含有量を前記範囲内とすれば、記録層の結晶
化速度を低下させることができる。このため、記録用光
ビームに対する記録層の相対速度が低い場合、すなわち
線速度の低い記録において良好なＣ／Ｎが得られる。Ｍ
の含有量を表わすｙが前記範囲未満であるとＣ／Ｎ向上
効果が実現せず、前記範囲を超えると、結晶状態と非晶
質状態との反射率の差が不十分となる。
【００２７】
【００２８】記録層の厚さは特に限定されないが、通
常、１００〜２０００A、特に１５０〜１５００A とす
ることが好ましい。
常、１００〜２０００A、特に１５０〜１５００A とす
ることが好ましい。
【００２９】記録層の形成方法は特に限定されず、スパ
ッタ法や蒸着法などから適宜選択すればよい。
ッタ法や蒸着法などから適宜選択すればよい。
【００３０】本発明の光記録媒体では、基板を通して記
録層に記録光および再生光が照射される構成とすること
が好ましいので、基板はこれらの光に対して実質的に透
明である材質、例えば、樹脂やガラスなどから構成する
ことが好ましい。これらのうち、取り扱いが容易で安価
であることから、基板の材質としては樹脂が好ましい。
具体的には、アクリル樹脂、ポリカーボネート、エポキ
シ樹脂、ポリオレフィン等の各種樹脂を用いればよい。
録層に記録光および再生光が照射される構成とすること
が好ましいので、基板はこれらの光に対して実質的に透
明である材質、例えば、樹脂やガラスなどから構成する
ことが好ましい。これらのうち、取り扱いが容易で安価
であることから、基板の材質としては樹脂が好ましい。
具体的には、アクリル樹脂、ポリカーボネート、エポキ
シ樹脂、ポリオレフィン等の各種樹脂を用いればよい。
【００３１】基板の形状および寸法は特に限定されない
が、通常、ディスク状であり、その厚さは、通常、０．
５〜３mm程度、直径は５０〜３６０mm程度である。基板
の表面には、トラッキング用やアドレス用等のために、
グルーブ等の所定のパターンが必要に応じて設けられ
る。
が、通常、ディスク状であり、その厚さは、通常、０．
５〜３mm程度、直径は５０〜３６０mm程度である。基板
の表面には、トラッキング用やアドレス用等のために、
グルーブ等の所定のパターンが必要に応じて設けられ
る。
【００３２】記録層と基板との間および記録層上には、
誘電体薄膜を設けることが好ましい。用いる誘電体は特
に限定されず、例えば、ＳｉＯ2 等の酸化ケイ素やＳｉ
3 Ｎ4 等の窒化ケイ素、あるいはこれらの他、透明な各
種セラミックスや各種ガラスなどを用いてもよく、例え
ば、Ｌａ、Ｓｉ、ＯおよびＮを含有する所謂LaSiONや、
Ｓｉ、Ａｌ、ＯおよびＮを含有する所謂SiAlON、あるい
はＹを含有するSiAlON等を好ましく用いることができ
る。
誘電体薄膜を設けることが好ましい。用いる誘電体は特
に限定されず、例えば、ＳｉＯ2 等の酸化ケイ素やＳｉ
3 Ｎ4 等の窒化ケイ素、あるいはこれらの他、透明な各
種セラミックスや各種ガラスなどを用いてもよく、例え
ば、Ｌａ、Ｓｉ、ＯおよびＮを含有する所謂LaSiONや、
Ｓｉ、Ａｌ、ＯおよびＮを含有する所謂SiAlON、あるい
はＹを含有するSiAlON等を好ましく用いることができ
る。
【００３３】このような誘電体薄膜は、記録層の保護作
用を有する他、記録後、記録層に残った熱を熱伝導によ
り速やかに放出する作用も有する。
用を有する他、記録後、記録層に残った熱を熱伝導によ
り速やかに放出する作用も有する。
【００３４】誘電体薄膜の厚さは５００〜２０００A 程
度とすることが好ましく、また、誘電体薄膜はスパッタ
法や蒸着法等の気相成長法により形成することが好まし
い。
度とすることが好ましく、また、誘電体薄膜はスパッタ
法や蒸着法等の気相成長法により形成することが好まし
い。
【００３５】記録層の上あるいは必要に応じて記録層上
に設けられる誘電体薄膜上には、必要に応じて反射薄膜
を設けてもよい。反射薄膜の材質は特に限定されない
が、通常、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ等の高反射率金属か
ら構成すればよい。反射薄膜の厚さは、３００〜１５０
０A とすることが好ましい。厚さが前記範囲未満である
と十分な反射率が得にくくなる。また、前記範囲を超え
ても反射率の向上は小さく、コスト的に不利になる。反
射薄膜は、スパッタ法や蒸着法等の気相成長法により形
成されることが好ましい。
に設けられる誘電体薄膜上には、必要に応じて反射薄膜
を設けてもよい。反射薄膜の材質は特に限定されない
が、通常、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ等の高反射率金属か
ら構成すればよい。反射薄膜の厚さは、３００〜１５０
０A とすることが好ましい。厚さが前記範囲未満である
と十分な反射率が得にくくなる。また、前記範囲を超え
ても反射率の向上は小さく、コスト的に不利になる。反
射薄膜は、スパッタ法や蒸着法等の気相成長法により形
成されることが好ましい。
【００３６】誘電体薄膜あるいは反射薄膜上には、耐擦
傷性や耐食性の向上のために、必要に応じて保護膜を設
けてもよい。この保護膜は、種々の有機系の物質から構
成されることが好ましいが、特に、放射線硬化型化合物
やその組成物を、電子線、紫外線等の放射線により硬化
させた物質から構成されることが好ましい。保護膜の厚
さは、通常、０．１〜１００μm 程度であり、スピンコ
ート、グラビア塗布、スプレーコート、ディッピング
等、通常の方法により形成すればよい。
傷性や耐食性の向上のために、必要に応じて保護膜を設
けてもよい。この保護膜は、種々の有機系の物質から構
成されることが好ましいが、特に、放射線硬化型化合物
やその組成物を、電子線、紫外線等の放射線により硬化
させた物質から構成されることが好ましい。保護膜の厚
さは、通常、０．１〜１００μm 程度であり、スピンコ
ート、グラビア塗布、スプレーコート、ディッピング
等、通常の方法により形成すればよい。
【００３７】本発明の光記録媒体では、記録および再生
は以下のようにして行なわれる。
は以下のようにして行なわれる。
【００３８】本発明の光記録媒体は、初期化された状態
では記録層全面が結晶化している。結晶化状態の記録層
に記録用光ビーム（レーザー光ビーム）を照射すること
により、照射部位は溶融する。そして、記録用光ビーム
通過後に前記部位の温度は急速に下がるので前記部位は
実質的に非晶質化し、信号記録部となる。本発明の光記
録媒体では記録層の結晶化速度が低いので、記録層に対
する記録用光ビームの相対速度が低く照射部位の冷却速
度が比較的低くなる場合でも、良好な非晶質化がなさ
れ、高いＣ／Ｎが得られる。
では記録層全面が結晶化している。結晶化状態の記録層
に記録用光ビーム（レーザー光ビーム）を照射すること
により、照射部位は溶融する。そして、記録用光ビーム
通過後に前記部位の温度は急速に下がるので前記部位は
実質的に非晶質化し、信号記録部となる。本発明の光記
録媒体では記録層の結晶化速度が低いので、記録層に対
する記録用光ビームの相対速度が低く照射部位の冷却速
度が比較的低くなる場合でも、良好な非晶質化がなさ
れ、高いＣ／Ｎが得られる。
【００３９】一方、記録情報を書き換えるときには、新
たに書き込む信号の記録部位において記録用光ビームを
照射し、その他の部位では消去用光ビームを照射する。
消去用光ビームは記録用光ビームに比べ低パワーであ
り、照射部位は結晶化温度以上まで昇温されるが到達温
度は比較的低いため、冷却速度が結晶化速度以下となっ
て照射部位は結晶化する。書き換えの際には、照射前の
状態が結晶質であっても非晶質であっても、記録用光ビ
ーム照射部位は全て非晶質となり、また、消去用光ビー
ム照射部位は全て結晶質となる。
たに書き込む信号の記録部位において記録用光ビームを
照射し、その他の部位では消去用光ビームを照射する。
消去用光ビームは記録用光ビームに比べ低パワーであ
り、照射部位は結晶化温度以上まで昇温されるが到達温
度は比較的低いため、冷却速度が結晶化速度以下となっ
て照射部位は結晶化する。書き換えの際には、照射前の
状態が結晶質であっても非晶質であっても、記録用光ビ
ーム照射部位は全て非晶質となり、また、消去用光ビー
ム照射部位は全て結晶質となる。
【００４０】なお、記録層の結晶化温度は８０〜１２０
℃程度なので、耐熱性の低い樹脂製基板を用いた場合で
も、光記録媒体全体を恒温槽中で熱処理して記録層全面
を初期化することが可能である。
℃程度なので、耐熱性の低い樹脂製基板を用いた場合で
も、光記録媒体全体を恒温槽中で熱処理して記録層全面
を初期化することが可能である。
【００４１】再生用光ビームは、記録層の結晶状態に影
響を与えない低パワーの光ビームである。なお、非晶質
の信号記録部は、結晶質の未記録部に比べ反射率が低下
する。
響を与えない低パワーの光ビームである。なお、非晶質
の信号記録部は、結晶質の未記録部に比べ反射率が低下
する。
【００４２】本発明の光記録媒体では、上記各光ビーム
に対する記録層の相対速度を１．２〜２．８m/s 程度、
特に、ＣＤの線速度と同等の１．２〜１．４m/s とする
ことが好ましい。この範囲の線速において良好なＣ／Ｎ
が得られる。
に対する記録層の相対速度を１．２〜２．８m/s 程度、
特に、ＣＤの線速度と同等の１．２〜１．４m/s とする
ことが好ましい。この範囲の線速において良好なＣ／Ｎ
が得られる。
【００４３】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明
をさらに詳細に説明する。
をさらに詳細に説明する。
【００４４】基板の表面に、第一の誘電体薄膜、記録
層、第二の誘電体薄膜および保護膜を形成し、表１に示
される光記録ディスクサンプルを作製した。基板には、
射出成形によりグルーブを同時形成した直径１３３ｍ
ｍ、厚さ１．２ｍｍのディスク状ポリカーボネートを用
いた。第一および第二の誘電体薄膜は、ＳｉＯ２をター
ゲットとしてスパッタ法により１５００Ａの厚さに形成
した。記録層はＲＦスパッタ法により形成した。ターゲ
ットには、Ｇｅ−Ｔｅ合金表面にＺｎチップあるいはＺ
ｎおよびＴｉチップを貼ったものを用いた。記録層の厚
さは１０００Ａとした。記録層の組成を下記表１に示
す。保護膜は、紫外線硬化型樹脂をスピンコート法によ
り塗布後、紫外線照射により硬化して形成した。硬化後
の保護膜厚さは５μｍであった。
層、第二の誘電体薄膜および保護膜を形成し、表１に示
される光記録ディスクサンプルを作製した。基板には、
射出成形によりグルーブを同時形成した直径１３３ｍ
ｍ、厚さ１．２ｍｍのディスク状ポリカーボネートを用
いた。第一および第二の誘電体薄膜は、ＳｉＯ２をター
ゲットとしてスパッタ法により１５００Ａの厚さに形成
した。記録層はＲＦスパッタ法により形成した。ターゲ
ットには、Ｇｅ−Ｔｅ合金表面にＺｎチップあるいはＺ
ｎおよびＴｉチップを貼ったものを用いた。記録層の厚
さは１０００Ａとした。記録層の組成を下記表１に示
す。保護膜は、紫外線硬化型樹脂をスピンコート法によ
り塗布後、紫外線照射により硬化して形成した。硬化後
の保護膜厚さは５μｍであった。
【００４５】各サンプルを恒温槽中に入れ、１００℃ま
で昇温した後、槽外に出して自然冷却し、記録層の全領
域を結晶化させて初期化した。記録層が結晶化されてい
ることは、Ｘ線回折により確認した。
で昇温した後、槽外に出して自然冷却し、記録層の全領
域を結晶化させて初期化した。記録層が結晶化されてい
ることは、Ｘ線回折により確認した。
【００４６】次いで、各サンプルをＣＤと同等の線速度
（１．４m/s ）で回転させながら、ＣＤ信号｛１１Ｔ信
号（１９６kHz ）｝を記録した。また、その後、さらに
上記ＣＤ信号の書き換えを行なった。なお、記録用光ビ
ームのパワーは６mWとし、消去用光ビームのパワーは３
mWとした。これらの光ビームの波長は、７８０nmとし
た。
（１．４m/s ）で回転させながら、ＣＤ信号｛１１Ｔ信
号（１９６kHz ）｝を記録した。また、その後、さらに
上記ＣＤ信号の書き換えを行なった。なお、記録用光ビ
ームのパワーは６mWとし、消去用光ビームのパワーは３
mWとした。これらの光ビームの波長は、７８０nmとし
た。
【００４７】これらの信号を、０．７mWの光ビームを照
射して再生し、Ｃ／Ｎを測定した。結果を表１に示す。
射して再生し、Ｃ／Ｎを測定した。結果を表１に示す。
【００４８】
【表１】
【００４９】表１に示される結果から、本発明の効果が
明らかである。すなわち、ＴｅとＧｅの比率およびＭの
含有量が本発明の範囲内であるサンプルＮｏ．１〜３で
は、良好なＣ／Ｎが得られている。
明らかである。すなわち、ＴｅとＧｅの比率およびＭの
含有量が本発明の範囲内であるサンプルＮｏ．１〜３で
は、良好なＣ／Ｎが得られている。
【００５０】一方、Ｍが含まれないサンプルＮｏ．４お
よび６、Ｍの含有量が本発明範囲を超えているサンプル
Ｎｏ．５、Ｔｅの比率が本発明の範囲を下回るサンプル
Ｎｏ．７、８は、Ｃ／Ｎが著しく低い。
よび６、Ｍの含有量が本発明範囲を超えているサンプル
Ｎｏ．５、Ｔｅの比率が本発明の範囲を下回るサンプル
Ｎｏ．７、８は、Ｃ／Ｎが著しく低い。
【００５１】
【発明の効果】本発明によれば、ＣＤと同等の低い線速
度で記録を行なった場合でも、極めて良好なＣ／Ｎが得
られる相変化型光記録媒体が実現する。
度で記録を行なった場合でも、極めて良好なＣ／Ｎが得
られる相変化型光記録媒体が実現する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−63141（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−15591（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−165047（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−155442（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B41M 5/26
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に記録層を有し、光ビーム照射に
より前記記録層の結晶状態が変化して記録が行なわれる
光記録媒体であって、 前記記録層がＴｅ、ＧｅおよびＭ（Ｍは、ＺｎまたはＺ
ｎおよびＴｉである。）を含有し、前記記録層中におけ
るＴｅ、ＧｅおよびＭの原子比が下記式で表わされるこ
とを特徴とする光記録媒体。 式 （ＧｅｘＴｅ１−ｘ）１００−ｙＭｙ （上記式において、 ０．０５≦ｘ≦０．２０、 ０＜ｙ≦１０ である。） - 【請求項２】 前記記録層において、信号未記録部が結
晶質であり、信号記録部が非晶質である請求項１に記載
の光記録媒体。 - 【請求項３】 光ビームに対する記録層の相対速度が
１．２〜２．８m/s で使用される請求項１または２に記
載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03352007A JP3075816B2 (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03352007A JP3075816B2 (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05162451A JPH05162451A (ja) | 1993-06-29 |
| JP3075816B2 true JP3075816B2 (ja) | 2000-08-14 |
Family
ID=18421146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03352007A Expired - Fee Related JP3075816B2 (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3075816B2 (ja) |
-
1991
- 1991-12-13 JP JP03352007A patent/JP3075816B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05162451A (ja) | 1993-06-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3506491B2 (ja) | 光情報媒体 | |
| US5418030A (en) | Optical recording medium and method for making | |
| US5637372A (en) | Phase change optical recording medium | |
| JP3566743B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JP4145446B2 (ja) | 光記録媒体の使用方法 | |
| US5627012A (en) | Method for preparing phase change optical recording medium | |
| US5523140A (en) | Optical recording method and medium | |
| US5688574A (en) | Optical recording medium | |
| EP0288354B1 (en) | Process for manufacturing an optical recording medium | |
| US5637371A (en) | Phase change optical recording medium and activation energy determining method | |
| EP1030292B1 (en) | Optical recording medium and method for its initialization | |
| JP2000229479A (ja) | 光記録媒体 | |
| US5965323A (en) | Method for preparing optical recording medium | |
| US6051363A (en) | Method for making an optical recording medium | |
| JPH01277338A (ja) | 光記録媒体 | |
| TWI237244B (en) | Optic recording method and optic recording medium | |
| JPH11513166A (ja) | 可逆性光情報媒体 | |
| JP3075816B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH08329521A (ja) | 光記録媒体 | |
| US5202881A (en) | Information storage medium | |
| JP2557347B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2903969B2 (ja) | 光学的記録用媒体およびこれを用いた記録再生方法 | |
| JP3506621B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2982329B2 (ja) | 情報光記録媒体とその記録再生方法 | |
| JP2798247B2 (ja) | 光記録媒体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000509 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |