JPH11167722A - 光記録媒体、その記録方法およびその記録装置 - Google Patents
光記録媒体、その記録方法およびその記録装置Info
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- JPH11167722A JPH11167722A JP10247812A JP24781298A JPH11167722A JP H11167722 A JPH11167722 A JP H11167722A JP 10247812 A JP10247812 A JP 10247812A JP 24781298 A JP24781298 A JP 24781298A JP H11167722 A JPH11167722 A JP H11167722A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 相変化型光記録媒体において、高温環境下で
保存した後の追記特性を改善する。具体的には、高温保
存後の初回の記録の際に生じる消去率の低下を防ぐ。 【解決手段】 基体上に相変化型の記録層を有する光記
録媒体にオーバーライトを行うに際し、最適線速度ｖOP
とオーバーライト時の線速度ｖOWとの関係を、ｖOW／ｖ
OP＜１とする。これにより、記録マーク形成後に６０〜
８０℃で少なくとも１００時間保存した後の前記記録マ
ークの消去率を、２６dB以上とできる。
保存した後の追記特性を改善する。具体的には、高温保
存後の初回の記録の際に生じる消去率の低下を防ぐ。 【解決手段】 基体上に相変化型の記録層を有する光記
録媒体にオーバーライトを行うに際し、最適線速度ｖOP
とオーバーライト時の線速度ｖOWとの関係を、ｖOW／ｖ
OP＜１とする。これにより、記録マーク形成後に６０〜
８０℃で少なくとも１００時間保存した後の前記記録マ
ークの消去率を、２６dB以上とできる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、相変化型の光記録
媒体と、これにオーバーライトを行う方法と、このオー
バーライトに用いる記録装置とに関する。
媒体と、これにオーバーライトを行う方法と、このオー
バーライトに用いる記録装置とに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高密度記録が可能で、しかも記録
情報を消去して書き換えることが可能な光記録媒体が注
目されている。書き換え可能型の光記録媒体のうち相変
化型のものは、レーザー光を照射することにより記録層
の結晶状態を変化させて記録を行い、このような状態変
化に伴なう記録層の反射率変化を検出することにより再
生を行うものである。相変化型の光記録媒体は、駆動装
置の光学系が光磁気記録媒体のそれに比べて単純である
ため、注目されている。
情報を消去して書き換えることが可能な光記録媒体が注
目されている。書き換え可能型の光記録媒体のうち相変
化型のものは、レーザー光を照射することにより記録層
の結晶状態を変化させて記録を行い、このような状態変
化に伴なう記録層の反射率変化を検出することにより再
生を行うものである。相変化型の光記録媒体は、駆動装
置の光学系が光磁気記録媒体のそれに比べて単純である
ため、注目されている。
【０００３】相変化型の記録層には、結晶質状態と非晶
質状態とで反射率の差が大きいこと、非晶質状態の安定
度が比較的高いことなどから、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系等の
カルコゲナイト系材料が用いられることが多い。
質状態とで反射率の差が大きいこと、非晶質状態の安定
度が比較的高いことなどから、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系等の
カルコゲナイト系材料が用いられることが多い。
【０００４】相変化型光記録媒体において情報を記録す
る際には、記録層が融点以上まで昇温されるような高パ
ワー（記録パワー）のレーザー光を照射する。記録パワ
ーが加えられた部分では記録層が溶融した後、急冷さ
れ、非晶質の記録マークが形成される。一方、記録マー
クを消去する際には、記録層がその結晶化温度以上であ
ってかつ融点未満の温度まで昇温されるような比較的低
パワー（消去パワー）のレーザー光を照射する。消去パ
ワーが加えられた記録マークは、結晶化温度以上まで加
熱された後、徐冷されることになるので、結晶質に戻
る。したがって、相変化型光記録媒体では、単一の光ビ
ームの強度を変調することにより、オーバーライトが可
能である。
る際には、記録層が融点以上まで昇温されるような高パ
ワー（記録パワー）のレーザー光を照射する。記録パワ
ーが加えられた部分では記録層が溶融した後、急冷さ
れ、非晶質の記録マークが形成される。一方、記録マー
クを消去する際には、記録層がその結晶化温度以上であ
ってかつ融点未満の温度まで昇温されるような比較的低
パワー（消去パワー）のレーザー光を照射する。消去パ
ワーが加えられた記録マークは、結晶化温度以上まで加
熱された後、徐冷されることになるので、結晶質に戻
る。したがって、相変化型光記録媒体では、単一の光ビ
ームの強度を変調することにより、オーバーライトが可
能である。
【０００５】しかし、本発明者らの研究の結果、Ｇｅ−
Ｓｂ−Ｔｅ系等の記録層を有する相変化型光記録媒体で
は、記録マークを形成し、高温にて１００時間程度以上
保存した後、記録マークの上からオーバーライトして
も、最初に形成した記録マークを十分に消去できないこ
とがわかった。以前の記録マークが消去できないと、記
録後に照合を行わない場合にはエラーとなってしまう。
なお、高温保存を挟むことなくオーバーライトを続けて
２回行うと、すなわち、消去パワー以上のパワーレベル
のレーザー光を２回照射すると、記録マークは十分に消
去されるので、オーバーライト後に照合を行って再度記
録を行えばエラーの発生は防げるが、この場合には書き
込みに要する時間が長くなってしまうという問題が生じ
る。
Ｓｂ−Ｔｅ系等の記録層を有する相変化型光記録媒体で
は、記録マークを形成し、高温にて１００時間程度以上
保存した後、記録マークの上からオーバーライトして
も、最初に形成した記録マークを十分に消去できないこ
とがわかった。以前の記録マークが消去できないと、記
録後に照合を行わない場合にはエラーとなってしまう。
なお、高温保存を挟むことなくオーバーライトを続けて
２回行うと、すなわち、消去パワー以上のパワーレベル
のレーザー光を２回照射すると、記録マークは十分に消
去されるので、オーバーライト後に照合を行って再度記
録を行えばエラーの発生は防げるが、この場合には書き
込みに要する時間が長くなってしまうという問題が生じ
る。
【０００６】相変化型光記録媒体の高温環境下での保存
における特性劣化を防ぐ提案は、例えば特開平５−１５
９３６９号公報に記載されている。同公報では、記録層
と共に基板上に設ける誘電体層を、カルコゲン化合物と
酸化物と炭素（Ｃ）を含む複合物から構成することによ
り、誘電体層内に発生する内部応力を低減し、誘電体層
と記録層との接着力を向上させ、その結果、膜の剥離や
クラックの発生を防いで、長期の信頼性を確保したとし
ている。このように、同公報では、高温保存後の消去率
の低下およびその改善については、触れられていない。
における特性劣化を防ぐ提案は、例えば特開平５−１５
９３６９号公報に記載されている。同公報では、記録層
と共に基板上に設ける誘電体層を、カルコゲン化合物と
酸化物と炭素（Ｃ）を含む複合物から構成することによ
り、誘電体層内に発生する内部応力を低減し、誘電体層
と記録層との接着力を向上させ、その結果、膜の剥離や
クラックの発生を防いで、長期の信頼性を確保したとし
ている。このように、同公報では、高温保存後の消去率
の低下およびその改善については、触れられていない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、相変
化型光記録媒体において、高温環境下で保存した後の追
記特性を改善することであり、具体的には、高温保存後
の初回の記録の際に生じる消去率の低下を防ぐことであ
る。
化型光記録媒体において、高温環境下で保存した後の追
記特性を改善することであり、具体的には、高温保存後
の初回の記録の際に生じる消去率の低下を防ぐことであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（９）のいずれかの構成により達成される。 （１） 基体上に相変化型の記録層を有する光記録媒体
であって、記録層に記録マークを形成し、この光記録媒
体が使用される最高温度下または保管される最高温度下
において少なくとも１００時間保存した後、前記記録マ
ークの上からオーバーライトを行ったときに、前記記録
マークの消去率が２６dB以上である光記録媒体。 （２） 前記最高温度が６０〜８０℃である上記（１）
の光記録媒体。 （３） 最適線速度をｖOPとしたとき、 ｖOW／ｖOP＜１ となる線速度ｖOWでオーバーライトが行われる上記
（１）または（２）の光記録媒体。 （４） ０．５≦ｖOW／ｖOP≦０．９５ である上記（３）の光記録媒体。 （５） 記録層がＧｅ、ＳｂおよびＴｅを主成分とする
上記（１）〜（４）のいずれかの光記録媒体。 （６） 基体上に相変化型の記録層を有する光記録媒体
にオーバーライトを行う方法であって、最適線速度をｖ
OPとし、オーバーライト時の線速度をｖOWとしたとき、 ｖOW／ｖOP＜１ である光記録媒体の記録方法。 （７） ０．５≦ｖOW／ｖOP≦０．９５ である上記（６）の光記録媒体の記録方法。 （８） 前記光記録媒体において、記録層がＧｅ、Ｓｂ
およびＴｅを主成分とするものである上記（６）または
（７）の光記録媒体の記録方法。 （９） 上記（６）〜（８）のいずれかの方法により記
録を行う光記録媒体の記録装置。
（１）〜（９）のいずれかの構成により達成される。 （１） 基体上に相変化型の記録層を有する光記録媒体
であって、記録層に記録マークを形成し、この光記録媒
体が使用される最高温度下または保管される最高温度下
において少なくとも１００時間保存した後、前記記録マ
ークの上からオーバーライトを行ったときに、前記記録
マークの消去率が２６dB以上である光記録媒体。 （２） 前記最高温度が６０〜８０℃である上記（１）
の光記録媒体。 （３） 最適線速度をｖOPとしたとき、 ｖOW／ｖOP＜１ となる線速度ｖOWでオーバーライトが行われる上記
（１）または（２）の光記録媒体。 （４） ０．５≦ｖOW／ｖOP≦０．９５ である上記（３）の光記録媒体。 （５） 記録層がＧｅ、ＳｂおよびＴｅを主成分とする
上記（１）〜（４）のいずれかの光記録媒体。 （６） 基体上に相変化型の記録層を有する光記録媒体
にオーバーライトを行う方法であって、最適線速度をｖ
OPとし、オーバーライト時の線速度をｖOWとしたとき、 ｖOW／ｖOP＜１ である光記録媒体の記録方法。 （７） ０．５≦ｖOW／ｖOP≦０．９５ である上記（６）の光記録媒体の記録方法。 （８） 前記光記録媒体において、記録層がＧｅ、Ｓｂ
およびＴｅを主成分とするものである上記（６）または
（７）の光記録媒体の記録方法。 （９） 上記（６）〜（８）のいずれかの方法により記
録を行う光記録媒体の記録装置。
【０００９】
【作用および効果】前述したように、従来の相変化型光
記録媒体では、記録マークを形成し、高温において１０
０時間程度以上保存した後、前記記録マークを消去して
再び記録マークを形成するオーバーライトを行う際に、
最初に形成した記録マークの消去が不十分となること
を、本発明者らは見いだした。
記録媒体では、記録マークを形成し、高温において１０
０時間程度以上保存した後、前記記録マークを消去して
再び記録マークを形成するオーバーライトを行う際に、
最初に形成した記録マークの消去が不十分となること
を、本発明者らは見いだした。
【００１０】本発明者らがこの現象について詳細に研究
を行ったところ、高温下での保存により、光記録媒体の
最適線速度が遅くなることがわかった。なお、この場合
の最適線速度とは、ジッターが最小となる線速度を意味
する。具体的には、保存前の最適線速度が例えば７m/s
であった場合、保存後に１回オーバーライトすると、消
去率は１８dBとなった。一般に、消去率は２６dB以上必
要なので、この場合には消去が不十分である。保存後に
最適線速度を測定すると、６m/sであったので、保存後
に線速度６m/sでオーバーライトを行うと、消去率は３
０dBと十分な値であった。また、上記保存後に、最適線
速度の７m/sでオーバーライトを２回行うと、消去率は
２９dBとなり、この場合には十分な消去率が得られた。
を行ったところ、高温下での保存により、光記録媒体の
最適線速度が遅くなることがわかった。なお、この場合
の最適線速度とは、ジッターが最小となる線速度を意味
する。具体的には、保存前の最適線速度が例えば７m/s
であった場合、保存後に１回オーバーライトすると、消
去率は１８dBとなった。一般に、消去率は２６dB以上必
要なので、この場合には消去が不十分である。保存後に
最適線速度を測定すると、６m/sであったので、保存後
に線速度６m/sでオーバーライトを行うと、消去率は３
０dBと十分な値であった。また、上記保存後に、最適線
速度の７m/sでオーバーライトを２回行うと、消去率は
２９dBとなり、この場合には十分な消去率が得られた。
【００１１】光記録システムでは、光記録媒体はその最
適線速度が駆動装置の線速度とほぼ一致するように設計
されるので、光記録媒体をその消去パワーマージンが著
しく広くなる設計としない限り、高温保存後の消去率の
低さにより十分な信頼性が得られない。
適線速度が駆動装置の線速度とほぼ一致するように設計
されるので、光記録媒体をその消去パワーマージンが著
しく広くなる設計としない限り、高温保存後の消去率の
低さにより十分な信頼性が得られない。
【００１２】これに対し本発明では、最適線速度よりも
遅い線速度でオーバーライトを行う。すなわち、高温保
存後の最適線速度またはその近傍の線速度でオーバーラ
イトを行う。このため、高温保存後の初回のオーバーラ
イトの際に、消去率の低下を防ぐことができ、信頼性の
高い光記録媒体が実現する。具体的には、光記録媒体が
使用される最高温度下または保管される最高温度（通
常、６０℃以上８０℃以下）下において少なくとも１０
０時間保存した後においても、消去率を２６dB以上とす
ることができる。なお、消去率は、オーバーライトする
記録マークの長さが短いほど良好となるが、最適線速度
でオーバーライトを行った場合、オーバーライトにより
形成される記録マークが最小反転間隔のものであって
も、高温保存後の消去率は２６dB未満となってしまう。
これに対し本発明において最適線速度よりも遅い線速度
で、最小反転間隔の記録マークでオーバーライトすれ
ば、消去率を２６dB以上とすることができる。
遅い線速度でオーバーライトを行う。すなわち、高温保
存後の最適線速度またはその近傍の線速度でオーバーラ
イトを行う。このため、高温保存後の初回のオーバーラ
イトの際に、消去率の低下を防ぐことができ、信頼性の
高い光記録媒体が実現する。具体的には、光記録媒体が
使用される最高温度下または保管される最高温度（通
常、６０℃以上８０℃以下）下において少なくとも１０
０時間保存した後においても、消去率を２６dB以上とす
ることができる。なお、消去率は、オーバーライトする
記録マークの長さが短いほど良好となるが、最適線速度
でオーバーライトを行った場合、オーバーライトにより
形成される記録マークが最小反転間隔のものであって
も、高温保存後の消去率は２６dB未満となってしまう。
これに対し本発明において最適線速度よりも遅い線速度
で、最小反転間隔の記録マークでオーバーライトすれ
ば、消去率を２６dB以上とすることができる。
【００１３】本発明では、媒体駆動装置の線速度よりも
媒体の最適線速度を速くする必要があるので、記録層が
徐冷される構造とするか、記録層の結晶化速度を比較的
速くする必要がある。徐冷構造とするには、記録層を厚
くしたり、記録層と反射層との間に設ける誘電体層（図
３における第２誘電体層３２）を厚くしたりすればよ
い。結晶化速度は、記録層の組成を制御することにより
調整できる。また、図３における第１誘電体層３１や第
２誘電体層３２の組成を制御することによっても、結晶
化速度を速くすることができる。
媒体の最適線速度を速くする必要があるので、記録層が
徐冷される構造とするか、記録層の結晶化速度を比較的
速くする必要がある。徐冷構造とするには、記録層を厚
くしたり、記録層と反射層との間に設ける誘電体層（図
３における第２誘電体層３２）を厚くしたりすればよ
い。結晶化速度は、記録層の組成を制御することにより
調整できる。また、図３における第１誘電体層３１や第
２誘電体層３２の組成を制御することによっても、結晶
化速度を速くすることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【００１５】記録方法 本発明では、記録対象の光記録媒体の最適線速度よりも
遅い線速度でオーバーライトを行う。最適線速度ｖOPに
対するオーバーライト時の線速度ｖOWの具体的比率は、
光記録媒体の消去パワーマージンや他の各種条件によっ
ても異なるので、これらに応じて適宜決定すればよい
が、好ましくは ０．５≦ｖOW／ｖOP≦０．９５ とし、より好ましくは ０．７≦ｖOW／ｖOP≦０．９５ とする。ｖOW／ｖOPが小さすぎると、高温下での保存を
行わない場合に記録が困難となり、ｖOW／ｖOPが大きす
ぎると、高温保存後に十分な消去率が得られなくなる。
遅い線速度でオーバーライトを行う。最適線速度ｖOPに
対するオーバーライト時の線速度ｖOWの具体的比率は、
光記録媒体の消去パワーマージンや他の各種条件によっ
ても異なるので、これらに応じて適宜決定すればよい
が、好ましくは ０．５≦ｖOW／ｖOP≦０．９５ とし、より好ましくは ０．７≦ｖOW／ｖOP≦０．９５ とする。ｖOW／ｖOPが小さすぎると、高温下での保存を
行わない場合に記録が困難となり、ｖOW／ｖOPが大きす
ぎると、高温保存後に十分な消去率が得られなくなる。
【００１６】本明細書において最適線速度とは、ジッタ
ーが最小になる線速度のことである。前述したように、
最適線速度は高温保存により変化するので、ジッターの
測定は、高温保存していない媒体について行う必要があ
る。測定には、通常の方法を用いればよい。ただし、高
温保存した媒体でも、測定前に２回以上続けてオーバー
ライトを行うことにより、本来の最適線速度の測定が可
能である。
ーが最小になる線速度のことである。前述したように、
最適線速度は高温保存により変化するので、ジッターの
測定は、高温保存していない媒体について行う必要があ
る。測定には、通常の方法を用いればよい。ただし、高
温保存した媒体でも、測定前に２回以上続けてオーバー
ライトを行うことにより、本来の最適線速度の測定が可
能である。
【００１７】本発明においてオーバーライトに使用する
レーザービームの変調パターンは特に限定されないが、
次に説明するものとすることが好ましい。
レーザービームの変調パターンは特に限定されないが、
次に説明するものとすることが好ましい。
【００１８】本発明において好ましく使用されるレーザ
ービームの変調パターンを、図１および図２に示す。図
１は、３Ｔ信号記録用の変調パターン（記録パルスパタ
ーン）であり、図２は、１１Ｔ信号記録用の変調パター
ンである。各図において、横方向は時間、縦方向はレー
ザービームのパワーレベルである。なお、各図には、３
Ｔおよび１１ＴのＮＲＺＩ信号パターンを併記してあ
る。
ービームの変調パターンを、図１および図２に示す。図
１は、３Ｔ信号記録用の変調パターン（記録パルスパタ
ーン）であり、図２は、１１Ｔ信号記録用の変調パター
ンである。各図において、横方向は時間、縦方向はレー
ザービームのパワーレベルである。なお、各図には、３
Ｔおよび１１ＴのＮＲＺＩ信号パターンを併記してあ
る。
【００１９】これらの変調パターンにおけるパワーレベ
ルは、ＰP（ピークパワー）と、ＰPよりも低いＰB1（バ
イアスパワー１）と、ＰB1よりも低いＰB2（バイアスパ
ワー２）との３段階である。記録パワーをパルス変調す
ることは従来も行われているが、その場合には、記録パ
ルスのボトム値は消去パワーであるＰB1となっていた。
これに対し、このパターンの特徴は、記録パルスを、ピ
ーク値ＰP、ボトム値ＰB 2とし、かつ最終パルス照射後
に、パワーレベルをいったんボトム値ＰB2まで低下させ
た後、消去パワーレベルであるＰB1に戻すことである。
記録パルスをこのようなパターンとすることにより、記
録密度を高くした場合でも記録マークの形状が歪みにく
くなり、ジッターの増大を抑えることができる。
ルは、ＰP（ピークパワー）と、ＰPよりも低いＰB1（バ
イアスパワー１）と、ＰB1よりも低いＰB2（バイアスパ
ワー２）との３段階である。記録パワーをパルス変調す
ることは従来も行われているが、その場合には、記録パ
ルスのボトム値は消去パワーであるＰB1となっていた。
これに対し、このパターンの特徴は、記録パルスを、ピ
ーク値ＰP、ボトム値ＰB 2とし、かつ最終パルス照射後
に、パワーレベルをいったんボトム値ＰB2まで低下させ
た後、消去パワーレベルであるＰB1に戻すことである。
記録パルスをこのようなパターンとすることにより、記
録密度を高くした場合でも記録マークの形状が歪みにく
くなり、ジッターの増大を抑えることができる。
【００２０】オーバーライト時の線速度は特に限定され
ないが、通常、０．８〜２０m/s程度、好ましくは１．
２〜１６m/sである。
ないが、通常、０．８〜２０m/s程度、好ましくは１．
２〜１６m/sである。
【００２１】媒体構成 本発明が適用される光記録媒体の具体的な構成例を、図
３に示す。この光記録媒体は、基体２表面側に、第１誘
電体層３１、記録層４、第２誘電体層３２、反射層５お
よび保護層６をこの順に設けた片面記録型（単板型）媒
体である。なお、この片面記録型媒体を２枚用い、保護
層６が内側になるように接着層により接着した両面記録
型の媒体にも、本発明は適用できる。また、上記片面記
録型媒体と保護基体とを接着層により接着した媒体に
も、本発明は適用できる。
３に示す。この光記録媒体は、基体２表面側に、第１誘
電体層３１、記録層４、第２誘電体層３２、反射層５お
よび保護層６をこの順に設けた片面記録型（単板型）媒
体である。なお、この片面記録型媒体を２枚用い、保護
層６が内側になるように接着層により接着した両面記録
型の媒体にも、本発明は適用できる。また、上記片面記
録型媒体と保護基体とを接着層により接着した媒体に
も、本発明は適用できる。
【００２２】基体 この光記録媒体では基体２を通して記録層４に光ビーム
が照射されるので、基体２は、用いる光ビームに対して
実質的に透明である材質、例えば、樹脂やガラスなどか
ら構成されることが好ましい。樹脂としては、アクリル
樹脂、ポリカーボネート、エポキシ樹脂、ポリオレフィ
ン等を用いればよい。基体の形状および寸法は特に限定
されないが、通常、ディスク状とし、厚さは０．５〜３
mm程度、直径は５０〜３６０mm程度とする。基体の表面
には、トラッキング用やアドレス用等のために、グルー
ブ等の所定のパターンが必要に応じて設けられる。
が照射されるので、基体２は、用いる光ビームに対して
実質的に透明である材質、例えば、樹脂やガラスなどか
ら構成されることが好ましい。樹脂としては、アクリル
樹脂、ポリカーボネート、エポキシ樹脂、ポリオレフィ
ン等を用いればよい。基体の形状および寸法は特に限定
されないが、通常、ディスク状とし、厚さは０．５〜３
mm程度、直径は５０〜３６０mm程度とする。基体の表面
には、トラッキング用やアドレス用等のために、グルー
ブ等の所定のパターンが必要に応じて設けられる。
【００２３】第１誘電体層３１、第２誘電体層３２ 第１誘電体層３１は、記録層の酸化を防ぎ、また、記録
時に記録層から基体に伝わる熱を遮断して基体を保護す
る。第２誘電体層３２は、記録層を保護すると共に、記
録後、記録層に残った熱の放出を調整するために設けら
れる。また、両誘電体層を設けることにより、変調度を
向上させることができる。
時に記録層から基体に伝わる熱を遮断して基体を保護す
る。第２誘電体層３２は、記録層を保護すると共に、記
録後、記録層に残った熱の放出を調整するために設けら
れる。また、両誘電体層を設けることにより、変調度を
向上させることができる。
【００２４】各誘電体層を構成する誘電体材料は特に限
定されず、各種誘電体、例えば、各種の酸化物、窒化
物、硫化物、炭化物等や、これらの混合物、固溶体など
から適宜選択すればよいが、前述したように本発明では
媒体の最適線速度を比較的速くする必要があるので、そ
のような設計が容易となるように誘電体材料を選択する
ことが好ましい。具体的には、酸化ケイ素、窒化ケイ素
および／または窒化ゲルマニウム、硫化亜鉛と酸化ケイ
素との混合物などから構成される誘電体層を記録層に接
して設け、記録層の結晶化を促進する構成とすることが
好ましい。このうち、硫化亜鉛（ＺｎＳ）と酸化ケイ素
（ＳｉＯ2）との混合物は、従来はＺｎＳ（８５mol%）
−ＳｉＯ2（１５mol%）を中心とする組成が一般的であ
ったが、結晶化速度を速くするためには、酸化ケイ素含
有率を従来より高く、例えば４０mol%程度以上にするこ
とが好ましい。
定されず、各種誘電体、例えば、各種の酸化物、窒化
物、硫化物、炭化物等や、これらの混合物、固溶体など
から適宜選択すればよいが、前述したように本発明では
媒体の最適線速度を比較的速くする必要があるので、そ
のような設計が容易となるように誘電体材料を選択する
ことが好ましい。具体的には、酸化ケイ素、窒化ケイ素
および／または窒化ゲルマニウム、硫化亜鉛と酸化ケイ
素との混合物などから構成される誘電体層を記録層に接
して設け、記録層の結晶化を促進する構成とすることが
好ましい。このうち、硫化亜鉛（ＺｎＳ）と酸化ケイ素
（ＳｉＯ2）との混合物は、従来はＺｎＳ（８５mol%）
−ＳｉＯ2（１５mol%）を中心とする組成が一般的であ
ったが、結晶化速度を速くするためには、酸化ケイ素含
有率を従来より高く、例えば４０mol%程度以上にするこ
とが好ましい。
【００２５】なお、本明細書における酸化ケイ素含有率
は、硫化亜鉛および酸化ケイ素をそれぞれＺｎＳおよび
ＳｉＯ2に換算して、ＳｉＯ2／（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2）に
より求めた値である。すなわち、蛍光Ｘ線分析などによ
り求めたＳ量、Ｚｎ量、Ｓｉ量に基づいて決定する。な
お、例えばＳに対しＺｎが過剰であった場合や、Ｚｎに
対しＳが過剰であった場合には、過剰なＺｎやＳは、他
の化合物（ＺｎＯ等）として含有されているか、遊離状
態で存在しているものと考え、ＺｎＳ含有率算出の際に
はＺｎおよびＳのうち少ないほうに合わせる。
は、硫化亜鉛および酸化ケイ素をそれぞれＺｎＳおよび
ＳｉＯ2に換算して、ＳｉＯ2／（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2）に
より求めた値である。すなわち、蛍光Ｘ線分析などによ
り求めたＳ量、Ｚｎ量、Ｓｉ量に基づいて決定する。な
お、例えばＳに対しＺｎが過剰であった場合や、Ｚｎに
対しＳが過剰であった場合には、過剰なＺｎやＳは、他
の化合物（ＺｎＯ等）として含有されているか、遊離状
態で存在しているものと考え、ＺｎＳ含有率算出の際に
はＺｎおよびＳのうち少ないほうに合わせる。
【００２６】各誘電体層は、単層構造であっても２層以
上の積層構造であってもよい。
上の積層構造であってもよい。
【００２７】第１誘電体層３１の厚さは、好ましくは３
０〜３００nm、より好ましくは５０〜２５０nmである。
第１誘電体層をこのような厚さとすることにより、記録
に際しての基体損傷を効果的に防ぐことができ、変調度
も高くなる。
０〜３００nm、より好ましくは５０〜２５０nmである。
第１誘電体層をこのような厚さとすることにより、記録
に際しての基体損傷を効果的に防ぐことができ、変調度
も高くなる。
【００２８】第２誘電体層３２の厚さは、１０〜５０n
m、好ましくは１３〜３５nmである。第２誘電体層をこ
のような厚さとすることにより冷却速度が速くなるの
で、記録マークのエッジが明瞭となってジッターが小さ
くなる。また、このような厚さとすることにより、変調
度を高くすることができる。
m、好ましくは１３〜３５nmである。第２誘電体層をこ
のような厚さとすることにより冷却速度が速くなるの
で、記録マークのエッジが明瞭となってジッターが小さ
くなる。また、このような厚さとすることにより、変調
度を高くすることができる。
【００２９】誘電体層のうち硫化亜鉛を含有するものに
は、０〜１０００℃においてその硫化物生成標準自由エ
ネルギーがＺｎＳ生成標準自由エネルギーより低い元素
（以下、金属元素Ａという）を含有させることが好まし
い。誘電体層中に金属元素Ａを含有させることにより、
繰り返しオーバーライトの際に誘電体層からのＳやＺｎ
の遊離を抑制することができ、これによりジッター増大
を防ぐことができるので、オーバーライト可能回数を増
やすことができる。
は、０〜１０００℃においてその硫化物生成標準自由エ
ネルギーがＺｎＳ生成標準自由エネルギーより低い元素
（以下、金属元素Ａという）を含有させることが好まし
い。誘電体層中に金属元素Ａを含有させることにより、
繰り返しオーバーライトの際に誘電体層からのＳやＺｎ
の遊離を抑制することができ、これによりジッター増大
を防ぐことができるので、オーバーライト可能回数を増
やすことができる。
【００３０】金属元素Ａとしては、Ｃｅ、Ｃａ、Ｍｇ、
Ｓｒ、ＢａおよびＮａの少なくとも１種を用いることが
好ましく、硫化物生成標準自由エネルギーが小さいこと
から、Ｃｅを用いることが特に好ましい。例えば３００
Ｋでは、ＺｎＳ生成標準自由エネルギーは約−２３０kJ
/mol、ＣｅＳ生成標準自由エネルギーは約−５４０kJ/m
ol、ＣａＳ生成標準自由エネルギーは約−５１０kJ/mo
l、ＭｇＳ生成標準自由エネルギーは約−３９０kJ/mo
l、ＳｒＳ生成標準自由エネルギーは約−５００kJ/mo
l、ＢａＳ生成標準自由エネルギーは約−４６０kJ/mo
l、Ｎａ2Ｓ生成標準自由エネルギーは約−４００kJ/mol
である。
Ｓｒ、ＢａおよびＮａの少なくとも１種を用いることが
好ましく、硫化物生成標準自由エネルギーが小さいこと
から、Ｃｅを用いることが特に好ましい。例えば３００
Ｋでは、ＺｎＳ生成標準自由エネルギーは約−２３０kJ
/mol、ＣｅＳ生成標準自由エネルギーは約−５４０kJ/m
ol、ＣａＳ生成標準自由エネルギーは約−５１０kJ/mo
l、ＭｇＳ生成標準自由エネルギーは約−３９０kJ/mo
l、ＳｒＳ生成標準自由エネルギーは約−５００kJ/mo
l、ＢａＳ生成標準自由エネルギーは約−４６０kJ/mo
l、Ｎａ2Ｓ生成標準自由エネルギーは約−４００kJ/mol
である。
【００３１】誘電体層中において、全金属元素に対する
金属元素Ａの比率は、２原子％未満、好ましくは１．５
原子％以下、より好ましくは１．３原子％以下である。
金属元素Ａの比率が高すぎると、繰り返しオーバーライ
ト時のジッター増大抑制効果が実現しない。なお、金属
元素Ａの添加による効果を十分に実現するためには、金
属元素Ａの比率を好ましくは０．０１原子％以上、より
好ましくは０．０３原子％以上とする。全金属元素中の
金属元素Ａの比率は、蛍光Ｘ線分析やＥＰＭＡ（電子線
プローブＸ線マイクロアナリシス）などにより測定する
ことができる。なお、誘電体層中における全金属量を求
める際には、Ｓｉ等の半金属も加えるものとする。
金属元素Ａの比率は、２原子％未満、好ましくは１．５
原子％以下、より好ましくは１．３原子％以下である。
金属元素Ａの比率が高すぎると、繰り返しオーバーライ
ト時のジッター増大抑制効果が実現しない。なお、金属
元素Ａの添加による効果を十分に実現するためには、金
属元素Ａの比率を好ましくは０．０１原子％以上、より
好ましくは０．０３原子％以上とする。全金属元素中の
金属元素Ａの比率は、蛍光Ｘ線分析やＥＰＭＡ（電子線
プローブＸ線マイクロアナリシス）などにより測定する
ことができる。なお、誘電体層中における全金属量を求
める際には、Ｓｉ等の半金属も加えるものとする。
【００３２】誘電体層中において、金属元素Ａは、単
体、硫化物、酸化物、フッ化物等のいずれの形態で存在
していてもよい。
体、硫化物、酸化物、フッ化物等のいずれの形態で存在
していてもよい。
【００３３】なお、以上では誘電体層中に金属元素Ａを
含有させる構成について説明したが、誘電体層と記録層
との間に金属元素Ａを含有する中間層を設ける構成とし
てもよい。このような中間層としては、例えば、酸化セ
リウム（ＣｅＯ2）単体からなるもの、あるいはＺｎＳ
−ＣｅＯ2混合物からなるものなどが挙げられる。
含有させる構成について説明したが、誘電体層と記録層
との間に金属元素Ａを含有する中間層を設ける構成とし
てもよい。このような中間層としては、例えば、酸化セ
リウム（ＣｅＯ2）単体からなるもの、あるいはＺｎＳ
−ＣｅＯ2混合物からなるものなどが挙げられる。
【００３４】各誘電体層は、スパッタ法や蒸着法等の気
相成長法により形成することが好ましく、特にスパッタ
法により形成することが好ましい。
相成長法により形成することが好ましく、特にスパッタ
法により形成することが好ましい。
【００３５】誘電体層中に上記金属元素Ａを含有させる
ためには、様々な方法を利用することができる。例え
ば、金属元素ＡがＣｅである場合には、Ｃｅ単体やＣｅ
Ｏ2からなるチップを、誘電体層の主成分となる主ター
ゲット上に載せたものをターゲットとして用いてもよ
く、主ターゲット中にＣｅＯ2やその他のＣｅ化合物と
して含有させてもよい。また、金属元素ＡとしてＣａや
Ｍｇを用いる場合、上記主ターゲット上にＣａＯやＭｇ
Ｏからなるチップを載せてターゲットとしてもよいが、
これらには潮解性があるので、好ましくない。したがっ
て、この場合には、ＣａＦ2やＭｇＦ2からなるチップを
主ターゲット上に載せてターゲットとすることが好まし
い。金属元素ＡとしてＳｒ、Ｂａ、Ｎａなどを用いる場
合も、潮解性の点で、酸化物チップよりもフッ化物チッ
プを用いるほうが好ましい。また、Ｃａ、Ｍｇ、Ｓｒ、
Ｂａ、Ｎａは、酸化物やこれ以外の化合物として主ター
ゲット中に含有させて用いてもよい。なお、主ターゲッ
トには、ＺｎＳ−ＳｉＯ2などのような複合ターゲット
を用いてもよく、主ターゲットとしてＺｎＳとＳｉＯ2
とをそれぞれ単独で用いるような多元スパッタ法を利用
してもよい。
ためには、様々な方法を利用することができる。例え
ば、金属元素ＡがＣｅである場合には、Ｃｅ単体やＣｅ
Ｏ2からなるチップを、誘電体層の主成分となる主ター
ゲット上に載せたものをターゲットとして用いてもよ
く、主ターゲット中にＣｅＯ2やその他のＣｅ化合物と
して含有させてもよい。また、金属元素ＡとしてＣａや
Ｍｇを用いる場合、上記主ターゲット上にＣａＯやＭｇ
Ｏからなるチップを載せてターゲットとしてもよいが、
これらには潮解性があるので、好ましくない。したがっ
て、この場合には、ＣａＦ2やＭｇＦ2からなるチップを
主ターゲット上に載せてターゲットとすることが好まし
い。金属元素ＡとしてＳｒ、Ｂａ、Ｎａなどを用いる場
合も、潮解性の点で、酸化物チップよりもフッ化物チッ
プを用いるほうが好ましい。また、Ｃａ、Ｍｇ、Ｓｒ、
Ｂａ、Ｎａは、酸化物やこれ以外の化合物として主ター
ゲット中に含有させて用いてもよい。なお、主ターゲッ
トには、ＺｎＳ−ＳｉＯ2などのような複合ターゲット
を用いてもよく、主ターゲットとしてＺｎＳとＳｉＯ2
とをそれぞれ単独で用いるような多元スパッタ法を利用
してもよい。
【００３６】スパッタは、通常、Ａｒ雰囲気中で行う
が、上記金属元素Ａを含有させる場合には、好ましくは
ＡｒとＯ2との混合雰囲気中でスパッタを行う。スパッ
タ時のＯ2導入は、金属元素Ａ単体からなるチップを上
記主ターゲット上に載せてスパッタを行う場合に特に有
効であるが、金属元素Ａの化合物からなるチップを主タ
ーゲットに載せたり、主ターゲットに金属元素Ａの化合
物を含有させたりする場合にも有効である。スパッタ雰
囲気中へのＯ2導入量を流量比Ｏ2／（Ａｒ＋Ｏ2）で表
したとき、この流量比は好ましくは３０％以下、より好
ましくは２５％以下である。Ｏ2導入量が多すぎると、
記録パワーは低下するが消去パワーは変化しないため、
消去パワーマージンが極度に狭くなってしまい、好まし
くない。なお、Ｏ2導入による効果を十分に発揮させる
ためには、上記流量比を好ましくは５％以上、より好ま
しくは１０％以上とする。
が、上記金属元素Ａを含有させる場合には、好ましくは
ＡｒとＯ2との混合雰囲気中でスパッタを行う。スパッ
タ時のＯ2導入は、金属元素Ａ単体からなるチップを上
記主ターゲット上に載せてスパッタを行う場合に特に有
効であるが、金属元素Ａの化合物からなるチップを主タ
ーゲットに載せたり、主ターゲットに金属元素Ａの化合
物を含有させたりする場合にも有効である。スパッタ雰
囲気中へのＯ2導入量を流量比Ｏ2／（Ａｒ＋Ｏ2）で表
したとき、この流量比は好ましくは３０％以下、より好
ましくは２５％以下である。Ｏ2導入量が多すぎると、
記録パワーは低下するが消去パワーは変化しないため、
消去パワーマージンが極度に狭くなってしまい、好まし
くない。なお、Ｏ2導入による効果を十分に発揮させる
ためには、上記流量比を好ましくは５％以上、より好ま
しくは１０％以上とする。
【００３７】記録層４ 記録層の組成は特に限定されないが、本発明は、以下に
説明するＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系組成やＩｎ−Ａｇ−Ｔｅ−
Ｓｂ系組成、特にＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系組成の記録層を有
する相変化型光記録媒体に対し、特に有効である。
説明するＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系組成やＩｎ−Ａｇ−Ｔｅ−
Ｓｂ系組成、特にＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系組成の記録層を有
する相変化型光記録媒体に対し、特に有効である。
【００３８】Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系組成の記録層では、構
成元素の原子比を 式Ｉ Ｇｅa Ｓｂb Ｔｅ1-a-b で表わしたとき、好ましくは ０．０８≦ａ≦０．２５、 ０．２０≦ｂ≦０．４０ である。
成元素の原子比を 式Ｉ Ｇｅa Ｓｂb Ｔｅ1-a-b で表わしたとき、好ましくは ０．０８≦ａ≦０．２５、 ０．２０≦ｂ≦０．４０ である。
【００３９】式Ｉにおいてａが小さすぎると、記録マー
クが結晶化しにくくなり、消去率が低くなってしまう。
ａが大きすぎると、多量のＴｅがＧｅと結合することに
なり、その結果、Ｓｂが析出して記録マークが形成しに
くくなる。
クが結晶化しにくくなり、消去率が低くなってしまう。
ａが大きすぎると、多量のＴｅがＧｅと結合することに
なり、その結果、Ｓｂが析出して記録マークが形成しに
くくなる。
【００４０】式Ｉにおいてｂが小さすぎると、Ｔｅが多
くなりすぎるために高温での保存時に記録マークが結晶
化しやすくなって、信頼性が低くなってしまう。ｂが大
きすぎると、Ｓｂが析出して記録マークが形成しにくく
なる。
くなりすぎるために高温での保存時に記録マークが結晶
化しやすくなって、信頼性が低くなってしまう。ｂが大
きすぎると、Ｓｂが析出して記録マークが形成しにくく
なる。
【００４１】この組成系における記録層の厚さは、好ま
しくは１０〜５０nmである。記録層が薄すぎると結晶相
の成長が困難となり、相変化に伴なう反射率変化が不十
分となる。一方、記録層が厚すぎると、反射率および変
調度が低くなってしまう。
しくは１０〜５０nmである。記録層が薄すぎると結晶相
の成長が困難となり、相変化に伴なう反射率変化が不十
分となる。一方、記録層が厚すぎると、反射率および変
調度が低くなってしまう。
【００４２】Ｉｎ−Ａｇ−Ｔｅ−Ｓｂ系組成の記録層で
は、構成元素の原子比を 式II ［（ＩｎaＡｇbＴｅ1-a-b）1-cＳｂc］1-dＭd で表したとき、好ましくは ａ＝０．１〜０．３、 ｂ＝０．１〜０．３、 ｃ＝０．５〜０．８、 ｄ＝０〜０．１０ であり、より好ましくは ａ＝０．１１〜０．２８、 ｂ＝０．１５〜０．２８、 ｃ＝０．５５〜０．７８、 ｄ＝０．００５〜０．０５ である。
は、構成元素の原子比を 式II ［（ＩｎaＡｇbＴｅ1-a-b）1-cＳｂc］1-dＭd で表したとき、好ましくは ａ＝０．１〜０．３、 ｂ＝０．１〜０．３、 ｃ＝０．５〜０．８、 ｄ＝０〜０．１０ であり、より好ましくは ａ＝０．１１〜０．２８、 ｂ＝０．１５〜０．２８、 ｃ＝０．５５〜０．７８、 ｄ＝０．００５〜０．０５ である。
【００４３】式IIにおいてａが小さすぎると、記録層中
のＩｎ含有率が相対的に低くなりすぎる。このため、記
録マークの非晶質化が不十分となって変調度が低下し、
また、信頼性も低くなってしまう。一方、ａが大きすぎ
ると、記録層中のＩｎ含有率が相対的に高くなりすぎ
る。このため、記録マーク以外の反射率が低くなって変
調度が低下してしまう。
のＩｎ含有率が相対的に低くなりすぎる。このため、記
録マークの非晶質化が不十分となって変調度が低下し、
また、信頼性も低くなってしまう。一方、ａが大きすぎ
ると、記録層中のＩｎ含有率が相対的に高くなりすぎ
る。このため、記録マーク以外の反射率が低くなって変
調度が低下してしまう。
【００４４】式IIにおいてｂが小さすぎると、記録層中
のＡｇ含有率が相対的に低くなりすぎる。このため、記
録マークの再結晶化が困難となって、繰り返しオーバー
ライトが困難となる。一方、ｂが大きすぎると、記録層
中のＡｇ含有率が相対的に高くなり、過剰なＡｇが記録
および消去の際に単独でＳｂ相中に拡散することにな
る。このため、書き換え耐久性が低下すると共に、記録
マークの安定性および結晶質部の安定性がいずれも低く
なってしまい、信頼性が低下する。すなわち、高温で保
存したときに記録マークの結晶化が進んで、Ｃ／Ｎや変
調度が劣化しやすくなる。また、繰り返して記録を行な
ったときのＣ／Ｎおよび変調度の劣化も進みやすくな
る。
のＡｇ含有率が相対的に低くなりすぎる。このため、記
録マークの再結晶化が困難となって、繰り返しオーバー
ライトが困難となる。一方、ｂが大きすぎると、記録層
中のＡｇ含有率が相対的に高くなり、過剰なＡｇが記録
および消去の際に単独でＳｂ相中に拡散することにな
る。このため、書き換え耐久性が低下すると共に、記録
マークの安定性および結晶質部の安定性がいずれも低く
なってしまい、信頼性が低下する。すなわち、高温で保
存したときに記録マークの結晶化が進んで、Ｃ／Ｎや変
調度が劣化しやすくなる。また、繰り返して記録を行な
ったときのＣ／Ｎおよび変調度の劣化も進みやすくな
る。
【００４５】また、ａ＋ｂが小さすぎるとＴｅが過剰と
なってＴｅ相が形成される。Ｔｅ相は結晶転移速度を低
下させるため、消去が困難となる。一方、ａ＋ｂが大き
すぎると、記録層の非晶質化が困難となり、信号が記録
できなくなる可能性が生じる。
なってＴｅ相が形成される。Ｔｅ相は結晶転移速度を低
下させるため、消去が困難となる。一方、ａ＋ｂが大き
すぎると、記録層の非晶質化が困難となり、信号が記録
できなくなる可能性が生じる。
【００４６】式IIにおいてｃが小さすぎると、相変化に
伴なう反射率差は大きくなるが結晶転移速度が急激に遅
くなって消去が困難となる。一方、ｃが大きすぎると、
相変化に伴なう反射率差が小さくなって変調度が小さく
なる。
伴なう反射率差は大きくなるが結晶転移速度が急激に遅
くなって消去が困難となる。一方、ｃが大きすぎると、
相変化に伴なう反射率差が小さくなって変調度が小さく
なる。
【００４７】式IIにおける元素Ｍは、Ｈ、Ｓｉ、Ｃ、
Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｃｅ、Ｔｂ、Ｇｅ、Ｓｎ、
ＰｂおよびＹから選択される少なくとも１種の元素であ
る。元素Ｍは、書き換え耐久性を向上させる効果、具体
的には、書き換えの繰り返しによる消去率の低下を抑え
る効果を示す。また、高温・高湿などの悪条件下での信
頼性を向上させる。このような効果が強力であることか
ら、元素ＭのうちＶ、Ｔａ、Ｃｅ、ＧｅおよびＹの少な
くとも１種が好ましく、ＶおよびＴａの少なくとも１種
がより好ましく、Ｖが特に好ましい。
Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｃｅ、Ｔｂ、Ｇｅ、Ｓｎ、
ＰｂおよびＹから選択される少なくとも１種の元素であ
る。元素Ｍは、書き換え耐久性を向上させる効果、具体
的には、書き換えの繰り返しによる消去率の低下を抑え
る効果を示す。また、高温・高湿などの悪条件下での信
頼性を向上させる。このような効果が強力であることか
ら、元素ＭのうちＶ、Ｔａ、Ｃｅ、ＧｅおよびＹの少な
くとも１種が好ましく、ＶおよびＴａの少なくとも１種
がより好ましく、Ｖが特に好ましい。
【００４８】元素Ｍの含有率を表すｄが大きすぎると、
相変化に伴なう反射率変化が小さくなって十分な変調度
が得られなくなる。ｄが小さすぎると、元素Ｍ添加によ
る効果が不十分となる。
相変化に伴なう反射率変化が小さくなって十分な変調度
が得られなくなる。ｄが小さすぎると、元素Ｍ添加によ
る効果が不十分となる。
【００４９】この組成系では、記録層にはＡｇ、Ｓｂ、
Ｔｅ、Ｉｎおよび必要に応じて添加されるＭだけを用い
ることが好ましいが、Ａｇの一部をＡｕで置換してもよ
く、Ｓｂの一部をＢｉで置換してもよく、Ｔｅの一部を
Ｓｅで置換してもよく、Ｉｎの一部をＡｌおよび／また
はＰで置換してもよい。
Ｔｅ、Ｉｎおよび必要に応じて添加されるＭだけを用い
ることが好ましいが、Ａｇの一部をＡｕで置換してもよ
く、Ｓｂの一部をＢｉで置換してもよく、Ｔｅの一部を
Ｓｅで置換してもよく、Ｉｎの一部をＡｌおよび／また
はＰで置換してもよい。
【００５０】ＡｕによるＡｇの置換率は、好ましくは５
０原子％以下、より好ましくは２０原子％以下である。
置換率が高すぎると、記録マークが結晶化しやすくなっ
て高温下での信頼性が悪化する。
０原子％以下、より好ましくは２０原子％以下である。
置換率が高すぎると、記録マークが結晶化しやすくなっ
て高温下での信頼性が悪化する。
【００５１】ＢｉによるＳｂの置換率は、好ましくは５
０原子％以下、より好ましくは２０原子％以下である。
置換率が高すぎると記録層の吸収係数が増加して光の干
渉効果が減少し、このため結晶−非晶質間の反射率差が
小さくなって変調度が低下し、高Ｃ／Ｎが得られなくな
る。
０原子％以下、より好ましくは２０原子％以下である。
置換率が高すぎると記録層の吸収係数が増加して光の干
渉効果が減少し、このため結晶−非晶質間の反射率差が
小さくなって変調度が低下し、高Ｃ／Ｎが得られなくな
る。
【００５２】ＳｅによるＴｅの置換率は、好ましくは５
０原子％以下、より好ましくは２０原子％以下である。
置換率が高すぎると結晶転移速度が遅くなりすぎ、十分
な消去率が得られなくなる。
０原子％以下、より好ましくは２０原子％以下である。
置換率が高すぎると結晶転移速度が遅くなりすぎ、十分
な消去率が得られなくなる。
【００５３】Ａｌおよび／またはＰによるＩｎの置換率
は、好ましくは４０原子％以下、より好ましくは２０原
子％以下である。置換率が高すぎると、記録マークの安
定性が低くなって信頼性が低くなる。なお、ＡｌとＰと
の比率は任意である。
は、好ましくは４０原子％以下、より好ましくは２０原
子％以下である。置換率が高すぎると、記録マークの安
定性が低くなって信頼性が低くなる。なお、ＡｌとＰと
の比率は任意である。
【００５４】この組成系の記録層の厚さは、好ましくは
９．５〜５０nm、より好ましくは１０〜３０nmである。
記録層が薄すぎると結晶相の成長が困難となり、相変化
に伴なう反射率変化が不十分となる。一方、記録層が厚
すぎると、記録マーク形成時に記録層の厚さ方向へＡｇ
が多量に拡散し、記録層面内方向へ拡散するＡｇの比率
が小さくなってしまうため、記録層の信頼性が低くなっ
てしまう。また、記録層が厚すぎると、反射率および変
調度が低くなってしまう。
９．５〜５０nm、より好ましくは１０〜３０nmである。
記録層が薄すぎると結晶相の成長が困難となり、相変化
に伴なう反射率変化が不十分となる。一方、記録層が厚
すぎると、記録マーク形成時に記録層の厚さ方向へＡｇ
が多量に拡散し、記録層面内方向へ拡散するＡｇの比率
が小さくなってしまうため、記録層の信頼性が低くなっ
てしまう。また、記録層が厚すぎると、反射率および変
調度が低くなってしまう。
【００５５】記録層の組成は、ＥＰＭＡやＸ線マイクロ
アナリシス、ＩＣＰなどにより測定することができる。
アナリシス、ＩＣＰなどにより測定することができる。
【００５６】記録層の形成は、スパッタ法により行うこ
とが好ましい。スパッタ条件は特に限定されず、例え
ば、複数の元素を含む材料をスパッタする際には、合金
ターゲットを用いてもよく、ターゲットを複数個用いる
多元スパッタ法を用いてもよい。
とが好ましい。スパッタ条件は特に限定されず、例え
ば、複数の元素を含む材料をスパッタする際には、合金
ターゲットを用いてもよく、ターゲットを複数個用いる
多元スパッタ法を用いてもよい。
【００５７】反射層５ 反射層の材質は特に限定されないが、通常、Ａｌ、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ等の単体ある
いはこれらの１種以上を含む合金などの高反射率金属か
ら構成すればよい。反射層の厚さは、３０〜３００nmと
することが好ましい。厚さが前記範囲未満であると十分
な反射率が得にくくなる。また、前記範囲を超えても反
射率の向上は小さく、コスト的に不利になる。反射層
は、スパッタ法や蒸着法等の気相成長法により形成する
ことが好ましい。
ｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ等の単体ある
いはこれらの１種以上を含む合金などの高反射率金属か
ら構成すればよい。反射層の厚さは、３０〜３００nmと
することが好ましい。厚さが前記範囲未満であると十分
な反射率が得にくくなる。また、前記範囲を超えても反
射率の向上は小さく、コスト的に不利になる。反射層
は、スパッタ法や蒸着法等の気相成長法により形成する
ことが好ましい。
【００５８】保護層６ 保護層は、耐擦傷性や耐食性の向上のために設けられ
る。この保護層は種々の有機系の物質から構成されるこ
とが好ましいが、特に、放射線硬化型化合物やその組成
物を、電子線、紫外線等の放射線により硬化させた物質
から構成されることが好ましい。保護層の厚さは、通
常、０．１〜１００μm程度であり、スピンコート、グ
ラビア塗布、スプレーコート、ディッピング等、通常の
方法により形成すればよい。
る。この保護層は種々の有機系の物質から構成されるこ
とが好ましいが、特に、放射線硬化型化合物やその組成
物を、電子線、紫外線等の放射線により硬化させた物質
から構成されることが好ましい。保護層の厚さは、通
常、０．１〜１００μm程度であり、スピンコート、グ
ラビア塗布、スプレーコート、ディッピング等、通常の
方法により形成すればよい。
【００５９】接着層 接着層を構成する接着剤は特に限定されず、例えば、ホ
ットメルト型接着剤、紫外線硬化型接着剤、常温硬化型
接着剤等のいずれであってもよく、粘着剤であってもよ
い。
ットメルト型接着剤、紫外線硬化型接着剤、常温硬化型
接着剤等のいずれであってもよく、粘着剤であってもよ
い。
【００６０】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明
をさらに詳細に説明する。
をさらに詳細に説明する。
【００６１】実施例１ 射出成形によりグルーブ（幅０．７４μm、深さ６５n
m、ピッチ１．４８μm）を同時形成した直径１２０mm、
厚さ０．６mmのディスク状ポリカーボネート基体２の表
面に、第１誘電体層３１、記録層４、第２誘電体層３
２、反射層５および保護層６を以下に示す手順で形成
し、図３の構成を有する光記録ディスクサンプルとし
た。
m、ピッチ１．４８μm）を同時形成した直径１２０mm、
厚さ０．６mmのディスク状ポリカーボネート基体２の表
面に、第１誘電体層３１、記録層４、第２誘電体層３
２、反射層５および保護層６を以下に示す手順で形成
し、図３の構成を有する光記録ディスクサンプルとし
た。
【００６２】第１誘電体層３１は、基体２に接する誘電
体層１ａと記録層４に接する誘電体層１ｂとからなる２
層構造とした。誘電体層１ａは、ターゲットにＺｎＳ
（８５mol%）−ＳｉＯ2（１５mol%）を用いてＡｒ雰囲
気中でスパッタ法により形成した。誘電体層１ｂは、タ
ーゲットにＳｉを用いてＡｒ＋Ｎ2雰囲気中で反応性ス
パッタ法により形成した。誘電体層１ａの厚さは６５n
m、誘電体層１ｂの厚さは２０nmとした。
体層１ａと記録層４に接する誘電体層１ｂとからなる２
層構造とした。誘電体層１ａは、ターゲットにＺｎＳ
（８５mol%）−ＳｉＯ2（１５mol%）を用いてＡｒ雰囲
気中でスパッタ法により形成した。誘電体層１ｂは、タ
ーゲットにＳｉを用いてＡｒ＋Ｎ2雰囲気中で反応性ス
パッタ法により形成した。誘電体層１ａの厚さは６５n
m、誘電体層１ｂの厚さは２０nmとした。
【００６３】記録層４は、厚さを２３nmとし、Ａｒ雰囲
気中においてスパッタ法により形成した。記録層の組成
はＧｅＳｂ2Ｔｅ4とした。
気中においてスパッタ法により形成した。記録層の組成
はＧｅＳｂ2Ｔｅ4とした。
【００６４】第２誘電体層３２は、厚さを３０nmとし、
ターゲットにＺｎＳ（５０mol%）−ＳｉＯ2（５０mol
%）を用いてＡｒ雰囲気中でスパッタ法により形成し
た。
ターゲットにＺｎＳ（５０mol%）−ＳｉＯ2（５０mol
%）を用いてＡｒ雰囲気中でスパッタ法により形成し
た。
【００６５】反射層５は、Ａｒ雰囲気中においてスパッ
タ法により形成した。ターゲットにはＡｌ−１．７原子
％Ｃｒを用いた。反射層の厚さは１５０nmとした。
タ法により形成した。ターゲットにはＡｌ−１．７原子
％Ｃｒを用いた。反射層の厚さは１５０nmとした。
【００６６】保護層６は、紫外線硬化型樹脂をスピンコ
ート法により塗布後、紫外線照射により硬化して形成し
た。硬化後の保護層厚さは５μm であった。
ート法により塗布後、紫外線照射により硬化して形成し
た。硬化後の保護層厚さは５μm であった。
【００６７】このようにして作製したサンプルをバルク
イレーザーにより初期化した後、光記録媒体評価装置
（波長６３８nm、開口率ＮＡ＝０．６）に載せ、以下の
記録パルスパターンをもつ８−１６変調信号（最小反転
間隔３Ｔ、最大反転間隔１４Ｔ）を用いて特性評価を行
った。
イレーザーにより初期化した後、光記録媒体評価装置
（波長６３８nm、開口率ＮＡ＝０．６）に載せ、以下の
記録パルスパターンをもつ８−１６変調信号（最小反転
間隔３Ｔ、最大反転間隔１４Ｔ）を用いて特性評価を行
った。
【００６８】記録パルス パルスパターン：図１、図２に例示されるパターン、 記録パワー（ピークパワー）：１１．０mW、 消去パワー（バイアスパワー１）：５．０mW、 ボトムパワー（バイアスパワー２）：０．５mW
【００６９】上記条件でジッターが最小となる線速度
（ｖOP）を求めたところ、７m/sであった。
（ｖOP）を求めたところ、７m/sであった。
【００７０】このサンプルに対し、１４Ｔ信号に３Ｔ信
号を重ね書きするオーバーライトを行った。オーバーラ
イト時の線速度ｖOWは、６m/sとした。この線速度で
は、３Ｔ信号は４．８８MHz、１４Ｔ信号は１．０３MHz
に相当する。このときの１４Ｔ信号の消去率は、３０dB
であった。
号を重ね書きするオーバーライトを行った。オーバーラ
イト時の線速度ｖOWは、６m/sとした。この線速度で
は、３Ｔ信号は４．８８MHz、１４Ｔ信号は１．０３MHz
に相当する。このときの１４Ｔ信号の消去率は、３０dB
であった。
【００７１】次に、８０℃、８０％ＲＨの環境下で１０
０時間保存した後、上記条件で最適線速度を求めたとこ
ろ、６m/sであった。そして、保存前に記録した１４Ｔ
信号の消去率を、保存前と同様にｖOW＝６m/sの条件で
求めると、２９dBであった。このときのｖOW／ｖOPは
０．８６である。
０時間保存した後、上記条件で最適線速度を求めたとこ
ろ、６m/sであった。そして、保存前に記録した１４Ｔ
信号の消去率を、保存前と同様にｖOW＝６m/sの条件で
求めると、２９dBであった。このときのｖOW／ｖOPは
０．８６である。
【００７２】比較例１ ｖOW＝７m/s、すなわちｖOW／ｖOP＝１としたほかは実
施例１と同様にして保存後の消去率を測定したところ、
１８dBであった。なお、この比較例では、保存前の記録
の際の線速度も７m/sとした。
施例１と同様にして保存後の消去率を測定したところ、
１８dBであった。なお、この比較例では、保存前の記録
の際の線速度も７m/sとした。
【００７３】実施例２ 第２誘電体層３２の形成の際にターゲットとしてＳｉＯ
2を用いたほかは実施例１と同様にして、光記録ディス
クサンプルを作製した。
2を用いたほかは実施例１と同様にして、光記録ディス
クサンプルを作製した。
【００７４】このサンプルについて、実施例１と同条件
でｖOPを求めたところ、８m/sであった。ｖOW＝６m/s、
すなわちｖOW／ｖOP＝０．７５とし、消去率を求めたと
ころ、２９dBであった。
でｖOPを求めたところ、８m/sであった。ｖOW＝６m/s、
すなわちｖOW／ｖOP＝０．７５とし、消去率を求めたと
ころ、２９dBであった。
【００７５】次いで、８０℃、８０％ＲＨの環境下で１
００時間保存した後、上記条件で最適線速度を求めたと
ころ、６m/sであった。そして、保存前に記録した１４
Ｔ信号の消去率を、保存前と同様にｖOW＝６m/sの条件
で求めると、２８dBであった。
００時間保存した後、上記条件で最適線速度を求めたと
ころ、６m/sであった。そして、保存前に記録した１４
Ｔ信号の消去率を、保存前と同様にｖOW＝６m/sの条件
で求めると、２８dBであった。
【００７６】比較例２ ｖOW＝８m/s、すなわちｖOW／ｖOP＝１としたほかは実
施例２と同様にして保存後の消去率を測定したところ、
１７dBであった。なお、この比較例では、保存前の記録
の際の線速度も８m/sとした。
施例２と同様にして保存後の消去率を測定したところ、
１７dBであった。なお、この比較例では、保存前の記録
の際の線速度も８m/sとした。
【００７７】実施例３ 第２誘電体層３２を２層構造としたほかは実施例１と同
様にして、光記録ディスクサンプルを作製した。第２誘
電体層３２は、記録層４に接する誘電体層２ａと、反射
層５に接する誘電体層２ｂとから構成した。誘電体層２
ａは、厚さを５nmとしたほかは実施例１の誘電体層１ａ
と同様にして形成した。誘電体層２ｂは、厚さを２５nm
としたほかは実施例１の誘電体層１ｂと同様にして形成
した。
様にして、光記録ディスクサンプルを作製した。第２誘
電体層３２は、記録層４に接する誘電体層２ａと、反射
層５に接する誘電体層２ｂとから構成した。誘電体層２
ａは、厚さを５nmとしたほかは実施例１の誘電体層１ａ
と同様にして形成した。誘電体層２ｂは、厚さを２５nm
としたほかは実施例１の誘電体層１ｂと同様にして形成
した。
【００７８】このサンプルについて、実施例１と同条件
でｖOPを求めたところ、６．５m/sであった。ｖOW＝６m
/s、すなわちｖOW／ｖOP＝０．９２とし、消去率を求め
たところ、３０dBであった。
でｖOPを求めたところ、６．５m/sであった。ｖOW＝６m
/s、すなわちｖOW／ｖOP＝０．９２とし、消去率を求め
たところ、３０dBであった。
【００７９】次いで、８０℃、８０％ＲＨの環境下で１
００時間保存した後、上記条件で最適線速度を求めたと
ころ、６m/sであった。そして、保存前に記録した１４
Ｔ信号の消去率を、保存前と同様にｖOW＝６m/sの条件
で求めると、２９dBであった。
００時間保存した後、上記条件で最適線速度を求めたと
ころ、６m/sであった。そして、保存前に記録した１４
Ｔ信号の消去率を、保存前と同様にｖOW＝６m/sの条件
で求めると、２９dBであった。
【００８０】比較例３ ｖOW＝６．５m/s、すなわちｖOW／ｖOP＝１としたほか
は実施例３と同様にして保存後の消去率を測定したとこ
ろ、１８dBであった。なお、この比較例では、保存前の
記録の際の線速度も６．５m/sとした。
は実施例３と同様にして保存後の消去率を測定したとこ
ろ、１８dBであった。なお、この比較例では、保存前の
記録の際の線速度も６．５m/sとした。
【００８１】実施例４ 射出成形によりグルーブ（幅０．５９５μm、深さ７０n
m、ピッチ１．１９μm）を同時形成した直径１２０mm、
厚さ０．６mmのディスク状ポリカーボネート基体２の表
面に、第１誘電体層３１、記録層４、第２誘電体層３
２、反射層５および保護層６を以下に示す手順で形成
し、図３の構成を有する光記録ディスクサンプルとし
た。
m、ピッチ１．１９μm）を同時形成した直径１２０mm、
厚さ０．６mmのディスク状ポリカーボネート基体２の表
面に、第１誘電体層３１、記録層４、第２誘電体層３
２、反射層５および保護層６を以下に示す手順で形成
し、図３の構成を有する光記録ディスクサンプルとし
た。
【００８２】第１誘電体層３１は、基体２に接する誘電
体層１ａと記録層４に接する誘電体層１ｂとからなる２
層構造とした。誘電体層１ａは、ターゲットにＺｎＳ
（８０mol%）−ＳｉＯ2（２０mol%）を用いてＡｒ雰囲
気中でスパッタ法により形成した。誘電体層１ｂは、タ
ーゲットにＧｅを用いてＡｒ＋Ｎ2雰囲気中で反応性ス
パッタ法により形成した。誘電体層１ａの厚さは１６０
nm、誘電体層１ｂの厚さは２０nmとした。
体層１ａと記録層４に接する誘電体層１ｂとからなる２
層構造とした。誘電体層１ａは、ターゲットにＺｎＳ
（８０mol%）−ＳｉＯ2（２０mol%）を用いてＡｒ雰囲
気中でスパッタ法により形成した。誘電体層１ｂは、タ
ーゲットにＧｅを用いてＡｒ＋Ｎ2雰囲気中で反応性ス
パッタ法により形成した。誘電体層１ａの厚さは１６０
nm、誘電体層１ｂの厚さは２０nmとした。
【００８３】記録層４は、厚さを１６nmとし、Ａｒ雰囲
気中においてスパッタ法により形成した。記録層の組成
はＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5とした。
気中においてスパッタ法により形成した。記録層の組成
はＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5とした。
【００８４】第２誘電体層３２は、厚さを２８nmとし、
ターゲットにＺｎＳ（８０mol%）−ＳｉＯ2（２０mol
%）を用いてＡｒ＋Ｎ2雰囲気中でスパッタ法により形成
した。
ターゲットにＺｎＳ（８０mol%）−ＳｉＯ2（２０mol
%）を用いてＡｒ＋Ｎ2雰囲気中でスパッタ法により形成
した。
【００８５】反射層５は、Ａｒ雰囲気中においてスパッ
タ法により形成した。ターゲットにはＡｌ−１．７原子
％Ｃｒを用いた。反射層の厚さは２００nmとした。
タ法により形成した。ターゲットにはＡｌ−１．７原子
％Ｃｒを用いた。反射層の厚さは２００nmとした。
【００８６】保護層６は、紫外線硬化型樹脂をスピンコ
ート法により塗布後、紫外線照射により硬化して形成し
た。硬化後の保護層厚さは５μm であった。
ート法により塗布後、紫外線照射により硬化して形成し
た。硬化後の保護層厚さは５μm であった。
【００８７】このようにして作製したサンプルをバルク
イレーザーにより初期化した後、光記録媒体評価装置
（波長６３４nm、開口率ＮＡ＝０．６）に載せ、以下の
記録パルスパターンをもつ８−１６変調信号（最小反転
間隔３Ｔ、最大反転間隔１４Ｔ）を用いて特性評価を行
った。
イレーザーにより初期化した後、光記録媒体評価装置
（波長６３４nm、開口率ＮＡ＝０．６）に載せ、以下の
記録パルスパターンをもつ８−１６変調信号（最小反転
間隔３Ｔ、最大反転間隔１４Ｔ）を用いて特性評価を行
った。
【００８８】記録パルス パルスパターン：図４、図５に例示されるパターン、 記録パワー（ピークパワー）：９．０mW、 消去パワー（バイアスパワー１）：４．０mW
【００８９】上記条件でジッターが最小となる線速度
（ｖOP）を求めたところ、９m/sであった。
（ｖOP）を求めたところ、９m/sであった。
【００９０】このサンプルに対し、１４Ｔ信号に３Ｔ信
号を重ね書きするオーバーライトを行った。オーバーラ
イト時の線速度ｖOWは、８．２m/sとした。このときの
１４Ｔ信号の消去率は、２９dBであった。
号を重ね書きするオーバーライトを行った。オーバーラ
イト時の線速度ｖOWは、８．２m/sとした。このときの
１４Ｔ信号の消去率は、２９dBであった。
【００９１】次に、８０℃、８０％ＲＨの環境下で１０
０時間保存した後、上記条件で最適線速度を求めたとこ
ろ、８m/sであった。そして、保存前に記録した１４Ｔ
信号の消去率を、保存前と同様にｖOW＝８．２m/sの条
件で求めると、２６dBであった。このときのｖOW／ｖOP
は０．９１である。
０時間保存した後、上記条件で最適線速度を求めたとこ
ろ、８m/sであった。そして、保存前に記録した１４Ｔ
信号の消去率を、保存前と同様にｖOW＝８．２m/sの条
件で求めると、２６dBであった。このときのｖOW／ｖOP
は０．９１である。
【００９２】比較例４ ｖOW＝９m/s、すなわちｖOW／ｖOP＝１としたほかは実
施例４と同様にして保存後の消去率を測定したところ、
２２dBであった。なお、この比較例では、保存前の記録
の際の線速度も９m/sとした。
施例４と同様にして保存後の消去率を測定したところ、
２２dBであった。なお、この比較例では、保存前の記録
の際の線速度も９m/sとした。
【００９３】実施例５ 第１誘電体層３１、第２誘電体層３２および反射層５の
構成を以下に示すものとしたほかは実施例４と同様にし
て、光記録ディスクサンプルを作製した。第１誘電体層
３１は、組成をＺｎＳ（８０mol%）−ＳｉＯ2（２０mol
%）とし、厚さを１３０nmとした。第２誘電体層３２
は、記録層４に接する誘電体層２ａと反射層５に接する
誘電体層２ｂとからなる２層構造とした。誘電体層２ａ
は、ターゲットにＳｉを用いてＡｒ＋Ｎ2雰囲気中で反
応性スパッタ法により形成した。誘電体層２ｂは、ター
ゲットにＺｎＳ（８０mol%）−ＳｉＯ2（２０mol%）を
用いてＡｒ雰囲気中でスパッタ法により形成した。誘電
体層２ａの厚さは２５nm、誘電体層２ｂの厚さは１５nm
とした。反射層５は厚さを１００nmとした。
構成を以下に示すものとしたほかは実施例４と同様にし
て、光記録ディスクサンプルを作製した。第１誘電体層
３１は、組成をＺｎＳ（８０mol%）−ＳｉＯ2（２０mol
%）とし、厚さを１３０nmとした。第２誘電体層３２
は、記録層４に接する誘電体層２ａと反射層５に接する
誘電体層２ｂとからなる２層構造とした。誘電体層２ａ
は、ターゲットにＳｉを用いてＡｒ＋Ｎ2雰囲気中で反
応性スパッタ法により形成した。誘電体層２ｂは、ター
ゲットにＺｎＳ（８０mol%）−ＳｉＯ2（２０mol%）を
用いてＡｒ雰囲気中でスパッタ法により形成した。誘電
体層２ａの厚さは２５nm、誘電体層２ｂの厚さは１５nm
とした。反射層５は厚さを１００nmとした。
【００９４】このサンプルについて、記録パワー（ピー
クパワー）を１１．０mW、消去パワー（バイアスパワー
１）を５．０mWとしたほかは実施例４と同条件でｖOPを
求めたところ、１０m/sであった。ｖOW＝８．２m/s、す
なわちｖOW／ｖOP＝０．８２とし、消去率を求めたとこ
ろ、３０dBであった。
クパワー）を１１．０mW、消去パワー（バイアスパワー
１）を５．０mWとしたほかは実施例４と同条件でｖOPを
求めたところ、１０m/sであった。ｖOW＝８．２m/s、す
なわちｖOW／ｖOP＝０．８２とし、消去率を求めたとこ
ろ、３０dBであった。
【００９５】次いで、８０℃、８０％ＲＨの環境下で１
００時間保存した後、上記条件で最適線速度を求めたと
ころ、８m/sであった。そして、保存前に記録した１４
Ｔ信号の消去率を、保存前と同様にｖOW＝８．２m/sの
条件で求めると、２７dBであった。
００時間保存した後、上記条件で最適線速度を求めたと
ころ、８m/sであった。そして、保存前に記録した１４
Ｔ信号の消去率を、保存前と同様にｖOW＝８．２m/sの
条件で求めると、２７dBであった。
【００９６】比較例５ ｖOW＝１０m/s、すなわちｖOW／ｖOP＝１としたほかは
実施例５と同様にして保存後の消去率を測定したとこ
ろ、２０dBであった。なお、この比較例では、保存前の
記録の際の線速度も１０m/sとした。
実施例５と同様にして保存後の消去率を測定したとこ
ろ、２０dBであった。なお、この比較例では、保存前の
記録の際の線速度も１０m/sとした。
【００９７】実施例６ 第１誘電体層３１、第２誘電体層３２および反射層５の
構成を以下に示すものとしたほかは実施例５と同様にし
て、光記録ディスクサンプルを作製した。第１誘電体層
３１は、基体２に接する誘電体層１ａと記録層４に接す
る誘電体層１ｂとからなる２層構造とした。誘電体層１
ａは、ターゲットにＺｎＳ（８０mol%）−ＳｉＯ2（２
０mol%）を用いてＡｒ雰囲気中でスパッタ法により形成
した。誘電体層１ｂは、ターゲットにＳｉを用いてＡｒ
＋Ｎ2雰囲気中で反応性スパッタ法により形成した。誘
電体層１ａの厚さは１７０nm、誘電体層１ｂの厚さは２
nmとした。第２誘電体層３２では、誘電体層２ａの厚さ
を１０nm、誘電体層２ｂの厚さを１５nmとした。反射層
５は厚さを２００nmとした。
構成を以下に示すものとしたほかは実施例５と同様にし
て、光記録ディスクサンプルを作製した。第１誘電体層
３１は、基体２に接する誘電体層１ａと記録層４に接す
る誘電体層１ｂとからなる２層構造とした。誘電体層１
ａは、ターゲットにＺｎＳ（８０mol%）−ＳｉＯ2（２
０mol%）を用いてＡｒ雰囲気中でスパッタ法により形成
した。誘電体層１ｂは、ターゲットにＳｉを用いてＡｒ
＋Ｎ2雰囲気中で反応性スパッタ法により形成した。誘
電体層１ａの厚さは１７０nm、誘電体層１ｂの厚さは２
nmとした。第２誘電体層３２では、誘電体層２ａの厚さ
を１０nm、誘電体層２ｂの厚さを１５nmとした。反射層
５は厚さを２００nmとした。
【００９８】このサンプルについて、消去パワー（バイ
アスパワー１）を４．５mWとしたほかは実施例５と同条
件でｖOPを求めたところ、１１m/sであった。ｖOW＝
８．２m/s、すなわちｖOW／ｖOP＝０．７５とし、消去
率を求めたところ、３１dBであった。
アスパワー１）を４．５mWとしたほかは実施例５と同条
件でｖOPを求めたところ、１１m/sであった。ｖOW＝
８．２m/s、すなわちｖOW／ｖOP＝０．７５とし、消去
率を求めたところ、３１dBであった。
【００９９】次いで、８０℃、８０％ＲＨの環境下で１
００時間保存した後、上記条件で最適線速度を求めたと
ころ、８m/sであった。そして、保存前に記録した１４
Ｔ信号の消去率を、保存前と同様にｖOW＝８．２m/sの
条件で求めると、２７dBであった。
００時間保存した後、上記条件で最適線速度を求めたと
ころ、８m/sであった。そして、保存前に記録した１４
Ｔ信号の消去率を、保存前と同様にｖOW＝８．２m/sの
条件で求めると、２７dBであった。
【０１００】比較例６ ｖOW＝１１m/s、すなわちｖOW／ｖOP＝１としたほかは
実施例５と同様にして保存後の消去率を測定したとこ
ろ、１９dBであった。なお、この比較例では、保存前の
記録の際の線速度も１１m/sとした。
実施例５と同様にして保存後の消去率を測定したとこ
ろ、１９dBであった。なお、この比較例では、保存前の
記録の際の線速度も１１m/sとした。
【０１０１】以上の実施例および比較例から、本発明の
効果が明らかである。すなわち、ｖOW＝ｖOPとした場合
には、高温保存後の初回の書き込みの際に消去率が不十
分となるが、ｖOWをｖOPより遅くすることによって、高
温保存による消去率低下を防ぐことができる。
効果が明らかである。すなわち、ｖOW＝ｖOPとした場合
には、高温保存後の初回の書き込みの際に消去率が不十
分となるが、ｖOWをｖOPより遅くすることによって、高
温保存による消去率低下を防ぐことができる。
【図１】本発明の光記録媒体のオーバーライトに使用さ
れるレーザービームの変調パターンを示すグラフであ
る。
れるレーザービームの変調パターンを示すグラフであ
る。
【図２】本発明の光記録媒体のオーバーライトに使用さ
れるレーザービームの変調パターンを示すグラフであ
る。
れるレーザービームの変調パターンを示すグラフであ
る。
【図３】本発明の光記録媒体の構成例を示す部分断面図
である。
である。
【図４】本発明の光記録媒体のオーバーライトに使用さ
れるレーザービームの変調パターンを示すグラフであ
る。
れるレーザービームの変調パターンを示すグラフであ
る。
【図５】本発明の光記録媒体のオーバーライトに使用さ
れるレーザービームの変調パターンを示すグラフであ
る。
れるレーザービームの変調パターンを示すグラフであ
る。
２ 基体 ３１ 第１誘電体層 ３２ 第２誘電体層 ４ 記録層 ５ 反射層 ６ 保護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 菊川 隆 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内
Claims (9)
- 【請求項１】 基体上に相変化型の記録層を有する光記
録媒体であって、記録層に記録マークを形成し、この光
記録媒体が使用される最高温度下または保管される最高
温度下において少なくとも１００時間保存した後、前記
記録マークの上からオーバーライトを行ったときに、前
記記録マークの消去率が２６dB以上である光記録媒体。 - 【請求項２】 前記最高温度が６０〜８０℃である請求
項１の光記録媒体。 - 【請求項３】 最適線速度をｖOPとしたとき、 ｖOW／ｖOP＜１ となる線速度ｖOWでオーバーライトが行われる請求項１
または２の光記録媒体。 - 【請求項４】０．５≦ｖOW／ｖOP≦０．９５ である請求項３の光記録媒体。
- 【請求項５】 記録層がＧｅ、ＳｂおよびＴｅを主成分
とする請求項１〜４のいずれかの光記録媒体。 - 【請求項６】 基体上に相変化型の記録層を有する光記
録媒体にオーバーライトを行う方法であって、 最適線速度をｖOPとし、オーバーライト時の線速度をｖ
OWとしたとき、 ｖOW／ｖOP＜１ である光記録媒体の記録方法。 - 【請求項７】０．５≦ｖOW／ｖOP≦０．９５ である請求項６の光記録媒体の記録方法。
- 【請求項８】 前記光記録媒体において、記録層がＧ
ｅ、ＳｂおよびＴｅを主成分とするものである請求項６
または７の光記録媒体の記録方法。 - 【請求項９】 請求項６〜８のいずれかの方法により記
録を行う光記録媒体の記録装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10247812A JPH11167722A (ja) | 1997-10-01 | 1998-08-18 | 光記録媒体、その記録方法およびその記録装置 |
| US09/163,605 US6111849A (en) | 1997-10-01 | 1998-09-30 | Phase change optical recording medium, method of overwriting same and recording system for the overwriting |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-284445 | 1997-10-01 | ||
| JP28444597 | 1997-10-01 | ||
| JP10247812A JPH11167722A (ja) | 1997-10-01 | 1998-08-18 | 光記録媒体、その記録方法およびその記録装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11167722A true JPH11167722A (ja) | 1999-06-22 |
Family
ID=26538432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10247812A Pending JPH11167722A (ja) | 1997-10-01 | 1998-08-18 | 光記録媒体、その記録方法およびその記録装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6111849A (ja) |
| JP (1) | JPH11167722A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1143427A2 (en) * | 2000-03-30 | 2001-10-10 | TDK Corporation | Optical recording method, optical recording apparatus, and optical recording medium |
| US7680010B2 (en) | 2005-04-27 | 2010-03-16 | Tdk Corporation | Method for recording information on optical recording medium |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001199166A (ja) | 2000-01-18 | 2001-07-24 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
| JP2003162821A (ja) * | 2001-11-27 | 2003-06-06 | Tdk Corp | 光記録媒体および光記録方法 |
| JP2004322468A (ja) * | 2003-04-24 | 2004-11-18 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5063097A (en) * | 1988-12-16 | 1991-11-05 | Toray Industries, Inc. | Optical recording medium |
| JP3089768B2 (ja) * | 1991-12-03 | 2000-09-18 | 東レ株式会社 | 光記録媒体 |
| DE69322365T2 (de) * | 1992-10-21 | 1999-05-12 | Toray Industries | Optisches Aufzeichnungsmedium |
| US5527661A (en) * | 1992-11-25 | 1996-06-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium |
| JP3150267B2 (ja) * | 1995-03-31 | 2001-03-26 | ティーディーケイ株式会社 | 光記録媒体 |
-
1998
- 1998-08-18 JP JP10247812A patent/JPH11167722A/ja active Pending
- 1998-09-30 US US09/163,605 patent/US6111849A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1143427A2 (en) * | 2000-03-30 | 2001-10-10 | TDK Corporation | Optical recording method, optical recording apparatus, and optical recording medium |
| EP1143427A3 (en) * | 2000-03-30 | 2006-04-05 | TDK Corporation | Optical recording method, optical recording apparatus, and optical recording medium |
| US7680010B2 (en) | 2005-04-27 | 2010-03-16 | Tdk Corporation | Method for recording information on optical recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6111849A (en) | 2000-08-29 |
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