JP3014291B2 - 液晶表示パネル、液晶表示装置及び液晶表示パネルの製造方法 - Google Patents

液晶表示パネル、液晶表示装置及び液晶表示パネルの製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、アクティブマトリクス
方式の液晶表示装置に関するものである。さらに詳しく
述べると、アレイ基板上に蓄積容量線を有する薄膜トラ
ンジスタ型液晶表示装置(TFT−LCD=Thin
Film Transistor Liquid Cr
ystal Display)に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の表示装置であるCRT(Cath
ode Ray Tube)に代わるものとして、近
年、液晶表示装置(LCD)が注目されている。なぜな
らば、まず、LCDは平板型の表示装置なのでCRTに
比べて占有面積が小さいという特徴を持つ。このため、
オフィス・スペースを削減できるし、携帯用および家庭
用ディスプレイが普及するにつれて、ますます需要が高
まっている。
【0003】さらに、CRTと比較して、LCDは消費
電力が少なくて済むという利点があるので、小さなバッ
テリを装着した小型で軽量な携帯型ディスプレイを実現
できる。特に、液晶パネルの各画素ごとにアクティブ素
子を装着したアクティブマトリクス方式の液晶表示装置
は、CRTに匹敵する表示品質を提供できるため注目さ
れている。
【0004】図1及び図2は、従来のTFT−LCDの
構造を表す模式図と断面図である。まず図1にしたがっ
て従来のTFT−LCDの構造について説明する。この
TFT−LCDは、マトリクス状に表示画素電極10が
形成されたアレイ基板12と、アレイ基板面に所定の間
隔で対向して配置された対向基板14とを有している。
TFT−LCDのアレイ基板12上の表示画素電極10
近傍にはスイッチング素子としてのTFT16がそれぞ
れ形成されており、これらのTFTのソース電極18は
表示画素電極10に接続されている。また、TFTのゲ
ート電極20及びドレイン電極22は、マトリクスの行
及び列を構成するゲート線24及びデータ線26にそれ
ぞれ接続されている。ゲート線24、データ線26、は
それぞれ所定の間隔で形成され、全てが互いに直交して
いる。また、表示画素電極10は、蓄積容量線28との
間に必要な容量を持っている。この容量が蓄積容量29
である。
【0005】また図2に示すように、従来のTFT−L
CDは、アレイ基板12の上面にはアンダーコート層4
2、ゲート電極20(ゲート線24)、表示画素電極1
0、ゲート絶縁膜44、半導体層(チャネル形成層)4
6、チャネル保護膜48、オーミックコンタクト層5
0、保護膜52、配向膜54、が積層されている。これ
らの内、アンダーコート層42、チャネル保護膜48、
保護膜52、配向膜54、は積層されない場合もある。
TFT−LCDの対向基板14側には、アレイ基板12
上の表示画素電極10がマトリクス状に配置された領域
に対応して共通電極30が形成されている。なお、入力
信号はアレイ基板12上の表示画素電極10の設けられ
る表示画素領域からその外周部まで引き出されたOLB
(OuterLead Bonding)電極60に与
えられ、これらの入力信号のうち対向基板上の共通電極
30の電位は、表示画素領域の外側において、アレイ基
板上の電極から導電性ペーストを用いたトランスファ6
2を介して複数箇所より与えられる。この共通電極30
には光を透過する必要から、ITO(IndiumTi
n Oxide)等の透明材料が用いられているが、電
気抵抗が高いため、表示装置の大型化に伴って、電位供
給端から表示画面中央部までの電気抵抗が高くなってし
まう。また、カラー表示のTFT−LCDにおいては、
対向基板14と共通電極30との間に、赤(R)、緑
(G)、青(B)の三原色からなるカラーフィルタ32
が、アレイ基板12の表示画素電極10に対応してマト
リクス状に形成されている。また、ブラックマトリック
ス66が格子状に形成されている。従来の液晶表示装置
では、アレイ基板12と対向基板14とを所定の間隔に
保つために、それらの二基板12,14に挟持された液
晶層34中に透明球状体のスペーサ36が散布されてい
る。なお、液晶は、シール剤64によって二基板間に閉
じ込められている。この他、アレイ基板12及び対向基
板14の外側面には偏光板38がある場合が多い。ま
た、直視透過型のTFT−LCDにおいては、バックラ
イト68があり、ここから発せられた入射光69の透過
率を制御することで出画している。
【0006】図3及び図4は、従来のTFT−LCDの
等価回路である。図3及び図4にしたがって従来のTF
T−LCDに与えられる入力信号について説明する。コ
ントローラ31は、画像データをドライバーICのX−
ドライバ33およびY−ドライバ35へ供給できる形に
変換する。また、アナログ回路37は、各入力信号の電
圧を作る。TFT−LCDに与えられるべき入力信号
は、Y−ドライバ35より供給されるゲート線24の走
査信号(Vg)、およびX−ドライバ33より供給され
るデータ線26の表示信号(Vsig)、および共通電極
30の共通電極電位(Vcom)、蓄積容量線28の蓄積
容量線電位(Vcs)である。これらの入力信号の電位
は、いずれも図2に示したように、アレイ基板12上の
表示画素電極10の設けられる表示画素領域からその外
周部まで引き出されたOLB電極60に与えられる。そ
して、これらの入力信号のうちトランスファ62を介し
て、共通電極30に与えられる電位がVcomである。
【0007】一般に、液晶表示装置は、液晶材料および
配向膜材料の劣化防止のために交流で反転駆動させなけ
ればならない。TFT−LCDの場合はその極性反転駆
動方式について次のように分類される。まず、アレイ基
板側のVsigの極性反転周期の違いから、フレーム反転
(F反転)、行反転(H反転)の2種類の方式に分類さ
れ、それらのうち隣接するVsigの極性が逆になってい
る駆動方式については、それぞれ、列反転(V反転)、
ドット反転(H/V反転)と呼ばれる。F反転及びV反
転の場合、Vsigの極性反転周期は表示画素電極電位の
極性反転周期と同じであるのに対して、H反転及びH/
V反転ではVsigの極性反転周期が、表示画素電極電位
の極性反転周期の「1/(ゲート線本数)」以下となって
しまう。
【0008】また、対向基板側の共通電極電位がVsig
に同期して極性反転がなされる駆動方式は、コモン電圧
交流反転駆動(Vcom反転)と呼ばれ、コモン電圧一定
のものと区別される。このVcom反転駆動の利点は、Vs
igの電圧振幅に共通電極の電圧振幅がバイアスされたも
のが液晶層に印加されるので、Vsigの最大電圧振幅を
小さくすることができる点にある。ところで、TFT−
LCDに対する市場の要求からは、低価格化、多階調化
が必要とされている。低価格化には、製造工程における
歩留まり、スループットの向上以外には、TFT−LC
Dを駆動する駆動回路部品の中でも使用個数が多い表示
信号ドライバICの低価格化が有効である。そのために
は、表示信号ドライバICを汎用ICで用いられている
電源電圧5V以下の低耐圧プロセスで形成することがで
きるVcom反転駆動方式が有効である。このVcom反転駆
動は多階調化も容易であるので、TFT−LCDに対す
る市場の要求を満足するための有効な手段といえる。
【0009】Vcom反転駆動時には、同時に表示画素電
極に書き込まれる全てのVsigの極性を同じにする必要
があるので、隣接するVsigの極性の異なるV反転やH
/V反転はできない。したがって、Vsigに関しては、
F反転もしくはH反転とする必要があるが、F反転駆動
時にはクロストーク等の表示ムラや画面ちらつきが多く
見られ、実用的なのはH反転との組み合わせになる。実
際、H反転とVcom反転との組み合わせ(H/com反転)
による駆動方式を採ったTFT−LCDは、広く市場に
提供されるようになった。
【0010】近年、情報の多量化に伴い、液晶表示装置
の大型化・高精細化の要求が高まっているが、H/com
反転駆動方式には、TFT−LCDの大型化・高精細化
に際しての設計上の制約がある。TFT−LCDの共通
電極30(図2)には、その透明性の必要のためにIT
O等の電気抵抗の高い材料を使わざるを得ない。その結
果、表示画面の大型化に伴って、電位供給端から表示画
面中央部までの電気抵抗が高くなってしまう。また、T
FT−LCDの表示画面の高精細化のためには、表示可
能行数を増やす必要がある。しかし、H/com反転駆動
においては、Vcomの極性反転周期が走査信号の選択時
間に同期しているため、走査線数(=ゲート線数)すな
わち表示画面の表示可能行数に反比例してVcomの電位
変動周期が短くなってしまう。
【0011】これらのことから、TFT−LCDの大型
化・高精細化に伴い、共通電極の電気抵抗の増加と、V
comの電位変動周期の短縮が生じ、その結果、表示画面
の中央部付近で、Vcomの信号遅延、すなわちVcomが共
通電極への入力信号に追従できなくなってしまうという
問題が起こる。このVcomの信号遅延の様子を図5に示
す。ここで、H/com反転時のVcomの極性反転周期を1
Hとする。Vcomの信号遅延の問題は、例えば、対角5
0cm で1000行表示程度の大型・高精細TFT−
LCDにおいて、その表示画面のムラや表示コントラス
ト比の低下等の画質上の問題として見えてしまう。この
Vcomの信号遅延の問題は、通常サイズのTFT−LC
Dにおいても発生している。
【0012】また、図2に示したように、従来は、液晶
表示装置を構成するアレイ基板12と対向基板14とを
所定の間隔に保つために、それらの二基板に挟持された
液晶層34中に透明球状体のスペーサ36(プラスチッ
ク及びガラス繊維など)が散布されている。しかし、ス
ペーサを散布したままの状態では、パネルに外力が加わ
ると液晶がパネルの内部で流動し、それに伴いスペーサ
がセル面内を移動し、移動する際に薄い配向膜54の表
面を傷つけてしまう場合がある。また、スペーサが凝集
し、セルギャップ(二基板の電極間の間隔)が一定に保
てない場合がある。セルギャップを一定に保てないと、
液晶層の光路長差(液晶層の複屈折率とセルギャップの
積)が変化してしまうので、表示画面のコントラスト比
及び色度が変化してしまい、画面の均一性が保てず、表
示品質が低下してしまうという問題が生じる。さらに、
スペーサ自体が光って見えてしまったり、または、スペ
ーサが凝集してしまい、凝集したスペーサによりバック
ライト68の光が遮断されて、その部分だけ画面が黒く
なってしまう場合もある。これらの問題を解決する手段
として、透明球状体のスペーサを削除し、代わりに、ア
レイ基板12上もしくは対向基板14上あるいはその両
方に形成された柱をもってセルギャップを規定する構造
が、すでに各種提案されている(特開昭60−1647
23、昭61−105583、昭64−24230、昭
61−134733、平4−163428、昭62−2
50416、平5−196946号公報)。しかしなが
ら、当該開示ではいずれも、H/com反転駆動方式を採
るTFT−LCDにおける信号遅延に対する解決手段を
提示してはいない。
【0013】さらに、図2に示したように、従来のTF
T−LCDは、対向基板14上の共通電極30の電位を
アレイ基板12側の表示画素領域の外周部において複数
箇所から供給し、導電性ペーストを用いたトランスファ
62を介して、対向基板14上の共通電極30に供給す
るという構造にも問題がある。この構造は、トランスフ
ァ62の位置合わせを高精度に行なう必要があるので、
トランスファを2個以上設けることによりトランスファ
のずれによる不良を防止しているが、トランスファを打
点する工程で発生する不良による製造歩留まりの低下が
生じる。さらに、トランスファを打点する領域を表示画
素領域の外周部に設けなければならないという設計上の
制約がある。つまりこれは、表示に無関係な領域をアレ
イ基板12および対向基板14上に専用に設けなければ
ならないので、基板サイズに対する有効表示領域を減ら
すことになっている。しかしながら、この構造は、従来
の液晶表示装置においては設計的に必須の構造であった
のでやむを得なかった。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、共通
電極の中央部付近でも信号遅延が生じず、表示画面のム
ラや表示コントラスト比の低下を起こさないTFT−L
CDを提供することである。
【0015】本発明の他の目的は、スペーサを用いるこ
となく、セルギャップを一定に保てるTFT−LCDを
提供することである。
【0016】本発明のさらに他の目的は、トランスファ
を打点することなく、対向基板上の共通電極に電位を供
給するTFT−LCDを提供することである。
【0017】
【課題を解決するための手段】図8に示すとおり、本発
明は、二基板間のセルギャップを一定に保つために、ス
ペーサではなく、カラーフィルタ32の柱78を形成す
る。そして、カラーフィルタ32の柱78を覆う共通電
極30と、蓄積容量線28とを電気的に接続する個所を
表示画素領域のいたるところに設け、蓄積容量線28か
ら共通電極30の電位を供給することにより、共通電極
30の信号遅延をなくす。
【0018】本発明によれば、対向基板上の共通電極3
0には、表示画素領域内のいたるところに設けられた接
続点から蓄積容量線28の電位が与えられる。もとも
と、共通電極電位(Vcom)は蓄積容量線電位(Vcs)
と同一にすることが多く、駆動回路までさかのぼると同
一供給源である場合も多いので、VcomとしてVcsを与
えても問題ない。また、蓄積容量線を形成する材料には
必ずしも透明性が要求されないので、配線材料として電
気抵抗の低い金属を用いるのが一般的である。したがっ
て、本構造を採ることにより共通電極の中央部付近にも
信号遅延の生じていないVcom電位が供給され、H/com
反転駆動時にも、これまで課題とされていたVcomの信
号遅延に起因する、表示装置の大型化・高精細化に伴っ
た表示特性上の問題を生じなくすることができる。な
お、本構造は、大型あるいは高精細以外のTFT−LC
Dに適用してもよいし、H/com反転駆動時以外にも適
用できる。
【0019】この効果は、接続できる全ての箇所で蓄積
容量線と共通電極とを電気的につなぐ必要はなく、数百
万箇所内外の接続可能点のうち、数十カ所程度で接続さ
れていれば良いので、本構造を採ることによって、共通
電極に供給すべき電位の未供給による不良は生じない。
また同時に、表示画素領域の外周部に設けられていたト
ランスファや、セルギャップを規定する球状スペーサを
なくすことができ、生産性の向上、設計上の制約の削
減、表示品質の向上がはかれる。トランスファについて
は、従来、表示に無関係な領域をアレイ基板および対向
基板上に専用に設けなければならないことで、基板サイ
ズに対する有効表示領域を減らすことになっていたもの
をなくせることで、同一表示画素領域における液晶表示
装置の全体の大きさを小さくすることができる。
【0020】しかしながら、これらのトランスファ、球
状スペーサを従来通り設けても構わない。さらに、本構
造は、従来不良となっていた蓄積容量線の断線時にも、
これに共通電極より電位供給できることから良品にする
ことができるという設計にもなっている。なお、本構造
を採ることにより消費電力が増加することはない。ま
た、対向基板に設けられた柱の高さが5μm程度以内で
あれば、その柱を設けることによりその影となる部分が
ラビング処理されずに配向不良を発生して不良品になる
ことはない。
【0021】対向基板上のカラーフィルタの柱は、カラ
ーフィルタ用マスクパターンの変更のみで、工程が増え
ることはない、また、カラーフィルタの赤、緑、青、の
三色、あるいはそのうちのいずれか二色を積層すること
で柱を形成することができる。なお、カラーフィルタの
積層部について積層する色の順番に決まりはない。ま
た、対向基板上の柱の合わせられる位置のアレイ基板上
に、複数の導電性材料を含む積層構造を設け、蓄積容量
線に電気的に接続された導電性材料層を介して対向基板
上の共通電極に接続すれば、アレイ基板上の積層構造の
高さと対向基板上の柱の高さとの和をもってセルギャッ
プを規定していることより、セルギャップの微調整をす
ることができる。
【0022】さらに、現在市場に提供されている多くの
液晶表示装置に使われている、配向膜をラビングするこ
とで液晶を配向させる構造も採れる。なお、配向膜は、
蓄積容量線材料、共通電極材料、のいずれよりも柔らか
いので、両者を接触させたときに配向膜は取れて、両者
を電気的に接続することができる。
【0023】
【実施例】本発明の実施例1乃至3に係る液晶表示パネ
ル70を図6乃至図11にしたがって説明する。本実施
例の液晶表示パネル70は、アクティブマトリックス駆
動方式の液晶表示装置である。
【0024】実施例1では、図6及び図8に示すよう
に、液晶表示パネル70は、アレイ基板12と、対向基
板としてカラーフィルタ32を形成したカラーフィルタ
基板72とを有している。また、図8に示すように、ア
レイ基板12の上面にはアンダーコート層42、ゲート
電極20(ゲート線24)、表示画素電極10、ゲート
絶縁膜44、半導体層(チャネル形成層)46、チャネ
ル保護膜48、オーミックコンタクト層50、保護膜5
2、配向膜54、が積層されている。これらの内、アン
ダーコート層42、チャネル保護膜48、保護膜52、
配向膜54、は積層されない場合もある。そして、図9
に示したように、ゲート線24、データ線26、の交差
部近傍にはTFT16が配置されていて、TFTのゲー
ト電極20は、ゲート線24の一部が延長されたもので
あり、また、TFTのドレイン電極22は、データ線2
6の一部が延長されたものである。TFTのソース電極
18は、表示画素電極10に電気的に接続されている。
【0025】さらに、実施例1は、図8に示すとおり、
アレイ基板12上の表示画素領域内で、蓄積容量線28
上にゲート絶縁膜44が被覆しているような層構造をと
っている場合である。すなわち、蓄積容量線28上のゲ
ート絶縁膜44に一部分の穴76を開けておき、その穴
76の位置に、カラーフィルタ基板72上に形成された
カラーフィルタの柱78を被覆している部分の共通電極
30が重なり、共通電極30と蓄積容量線28とが接触
して電気的に接続されるように配置される構造をとる。
蓄積容量線28とカラーフィルタ基板72上の共通電極
30とは、ゲート絶縁膜の穴76を通して接触している
が、その接触面には、アレイ基板12およびカラーフィ
ルタ基板72のそれぞれの表示画素領域の全面に配向膜
54が付いていることがある。しかし、その場合も、ア
レイ基板12とカラーフィルター基板72を重ね合わせ
るときに、カラーフィルタ基板72上の柱78を被覆す
る共通電極30で、アレイ基板12上の穴76を通して
見える蓄積容量線28を覆う配向膜54を擦れば、配向
膜54の一部は削り取られ、蓄積容量線28と共通電極
30との電気的接続が達成される。これは、表示画面内
の数百万箇所の接続可能点のうち、数十箇所程度で接続
されれば本発明の目的は達成されるので、仮に接続状態
が不十分な箇所が存在しても差し支えない。
【0026】また本発明によれば、図8に示すとおり、
セルギャップを規定するための球状スペーサや、共通電
極30に電位供給するためのトランスファも必要なくな
るが、これらを設けても差し支えない。なお、本発明に
よるTFT−LCDの等価回路を図4と比較する形で図
7に提示する。図7に見られるように、本発明の適用に
よりVcomが画面内のいたるところでVcsと一致するこ
とにより、Vcomの信号遅延の問題がなくなるととも
に、Vcomを独立して外部から供給する必要もなくなる
という利点がある。
【0027】共通電極と蓄積容量線との接続方法として
は他に、実施例2として図10に示すように、アレイ基
板12上に形成された表示画素電極10の上に、絶縁膜
74を挟んで蓄積容量線28が形成されている場合があ
る。この場合、蓄積容量線28とカラーフィルタの柱7
8を被覆する共通電極30との接続部80が、各画素に
設けられる蓄積容量領域82と立体的に重ねられる。
【0028】また、実施例3は、図11に示すように、
実施例1あるいは実施例2の派生で、蓄積容量線28に
共通電極30を直接に接続するのではなく、まず、蓄積
容量線28上にデータ線26と同時に形成される金属等
の導電性材料による層84を積層し、その上で共通電極
30と接続し、接続部80を構成する。よって、この導
電性材料の積層により、光学的に最適化されたセルギャ
ップを実現するための微調整を行なうことができる。
【0029】次に、本実施例の液晶表示パネル70の製
造工程を説明する。まず最初にアレイ基板12の製造工
程を説明する。
【0030】第1工程において、アレイ基板12の上に
アンダーコート層42を形成する。第2工程において、
アンダーコート層42の上にゲート電極20、ゲート線
24および蓄積容量線28を形成する。第3工程におい
て、ゲート絶縁膜44を形成する。第4工程において、
TFT16の半導体層46を形成する。第5工程におい
て、表示画素電極10を形成する。第6工程において、
蓄積容量線28上のゲート絶縁膜44の一部に穴76を
あける。第7工程において、TFT16のソース電極1
8及びドレイン電極22並びにデータ線26を形成す
る。第8工程において、TFT16を覆う保護膜52を
形成する。第9工程において、配向膜54を形成し、配
向膜54のラビング処理を行う。
【0031】次に、カラーフィルタ基板72の製造方法
を説明する。第1工程において、対向基板14にカラー
フィルタ32と、アレイ基板12上の穴76に対応する
位置にカラーフィルタの柱78を形成する。第2工程に
おいて、カラーフィルタ32上に共通電極30を形成す
る。第3工程において、配向膜54を形成し、配向膜5
4のラビング処理を行う。
【0032】上記の工程を経て完成したアレイ基板12
とカラーフィルタ基板72とを向かい合わせ、アレイ基
板12上の穴76を通して見える蓄積容量線28と、対
向基板14上のカラーフィルタの柱78を覆う部分の共
通電極30とを重ね合せ、電気的に接続させる。そし
て、周囲をシール剤64で封着して注入孔(図示せず)
から内部に液晶を注入し、注入孔を封止することによっ
て液晶表示パネル70が完成する。
【0033】
【発明の効果】本発明により、共通電極の中央部付近に
おいても信号遅延の生じない、高画質の大型・高精細な
液晶表示装置を提供することができる。また、スペーサ
散布及びトランスファ打点の工程をなくすことができる
ので、歩留りが向上し、コストダウンすることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来のTFT−LCDの構造(模式図)
【図2】従来のTFT−LCDの構造(図1のA−A線
に従う断面図)
【図3】従来のTFT−LCDの等価回路
【図4】従来のTFT−LCDの等価回路(拡大図)
【図5】Vcom の信号遅延の例
【図6】本発明のTFT−LCDの構造(模式図)
【図7】本発明のTFT−LCDの等価回路
【図8】本発明の実施例1で述べるTFT−LCDの構
造(図6のB−B線に従う断面図)
【図9】本発明の実施例1で述べるTFT−LCDの画
素部拡大図
【図10】本発明の実施例2で述べるTFT−LCDの
画素部拡大図
【図11】本発明の実施例3で述べるTFTーLCDの
画素部拡大図
【符号の説明】
10 表示画素電極 12 アレイ基板 14 対向基板 16 TFT 18 ソース電極 20 ゲート電極 22 ドレイン電極 24 ゲート線 26 データ線 28 蓄積容量線 29 蓄積容量 30 共通電極 31 コントローラ 32 カラーフィルタ 33 X−ドライバ 34 液晶層 35 Y−ドライバ 36 スペーサ 37 アナログ回路 38 偏光板 42 アンダーコート層 44 ゲート絶縁膜 46 半導体層(チャネル形成層) 48 チャネル保護膜 50 オーミックコンタクト層 52 保護膜 54 配向膜 60 OLB電極 62 トランスファ 64 シール剤 66 ブラックマトリックス 68 バックライト 69 入射光 70 液晶表示パネル 72 カラーフィルタ基板 74 絶縁膜 76 穴 78 カラーフィルタの柱 80 接続部 82 蓄積容量領域 84 導電性材料の層
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平5−196946(JP,A) 特開 平5−281574(JP,A) 特開 平4−81814(JP,A) 実開 平3−24634(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02F 1/1335 G02F 1/1339 G02F 1/1343 G02F 1/1345 G02F 1/136 G09F 9/30

Claims (9)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】マトリクス状に配置された表示画素電極
    と、前記表示画素電極ごとに設けられたアクティブ素子
    と、前記表示画素電極の一部に設けられた蓄積容量と、
    前記蓄積容量の基準電位を与える蓄積容量線とを有する
    アレイ基板と、 前記アレイ基板に対向して配置され、前記アレイ基板上
    の形成物と共にセルギャップを規定する他の部分よりも
    高く表示画素領域内に形成された複数の柱と、前記複数
    の柱の少なくとも一部の柱を被覆し前記柱の被覆箇所で
    前記蓄積容量線に電気的に接続される全表示画素に作用
    する共通電極とを有する対向基板と、 前記アレイ基板と前記対向基板とに挟持された液晶層と
    を有することを特徴とする液晶表示パネル。
  2. 【請求項2】前記柱の高さが5μm以内であることを特
    徴とする、請求項1に記載の液晶表示パネル。
  3. 【請求項3】前記蓄積容量線と前記共通電極との接続点
    において、前記蓄積容量線が互いに電気的に接続された
    複数の導電性材料を含む積層構造を有することを特徴と
    する請求項1に記載の液晶表示パネル。
  4. 【請求項4】前記蓄積容量線の上にはゲート絶縁膜非形
    成領域を有するゲート絶縁膜が形成されており、前記蓄
    積容量線と前記柱の被覆箇所が、前記ゲート絶縁膜非形
    成領域を通して電気的に接続されていることを特徴とす
    る、請求項1に記載の液晶表示パネル。
  5. 【請求項5】前記対向基板は、前記表示画素電極に対応
    して形成された、赤、緑、青の三色のカラーフィルタを
    有し、前記柱は、カラーフィルタ形成材料で形成されて
    いることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示パネ
    ル。
  6. 【請求項6】前記柱は、赤、緑、青の三色のカラーフィ
    ルタ形成材料の少なくともいずれか二色の積層構造であ
    ることを特徴とする請求項5に記載の液晶表示パネル。
  7. 【請求項7】マトリクス状に配置された表示画素電極
    と、前記表示画素電極ごとに設けられたアクティブ素子
    と、前記表示画素電極の一部に設けられた蓄積容量と、
    前記蓄積容量の基準電位を与える蓄積容量線とを有する
    アレイ基板と、 前記アレイ基板に対向して配置され、前記アレイ基板上
    の形成物と共にセルギャップを規定する他の部分よりも
    高く表示画素領域内に形成された複数の柱と、前記複数
    の柱の少なくとも一部の柱を被覆し前記柱の被覆箇所で
    前記蓄積容量線に電気的に接続される全表示画素に作用
    する共通電極とを有する対向基板と、 前記アレイ基板と前記対向基板とに挟持された液晶層
    と、 前記対向基板の上面または前記アレイ基板の下面の少な
    くともいずれか一方に偏光板を有することを特徴とする
    液晶表示装置。
  8. 【請求項8】アレイ基板上に形成される蓄積容量線およ
    び該蓄積容量線と互いに電気的に接続された複数の導電
    性材料を含む積層構造の高さと、カラーフィルタ基板に
    形成されるカラーフィルタの柱の高さの和が、アレイ基
    板および対向基板間の距離を規定するように各々の高さ
    を決定するステップと、 マトリクス状に配置された表示画素電極および該表示画
    素電極近傍に配置されたアクティブ素子を有する前記ア
    レイ基板に、決定された高さとなるように前記蓄積容量
    線および前記積層構造を形成するステップと、 前記カラーフィルタ基板に前記表示画素電極に対応した
    位置にカラーフィルタを形成すると共に、表示画素領域
    内に決定された高さとなるように複数の前記カラーフィ
    ルタの柱を形成するステップと、 前記積層構造と前記カラーフィルタの柱とが突き合わさ
    れるように前記アレイ基板と前記カラーフィルタ基板と
    を重ね合せて周囲を封着するステップと、 周囲を封着した後の前記アレイ基板と前記カラーフィル
    タ基板との間に液晶を注入するステップとを含むことを
    特徴とする液晶表示パネルの製造方法。
  9. 【請求項9】前記複数の柱をカラーフィルタ形成材料で
    前記カラーフィルタと同時に形成することを特徴とする
    請求項8に記載の液晶表示パネルの製造方法。
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