KR20000003177A - 박막 트랜지스터 액정표시소자 - Google Patents

박막 트랜지스터 액정표시소자 Download PDF

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Abstract

본 발명은 액정표시소자의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 하나의 픽셀에 두 개의 박막 트랜지스터를 배치시킨 박막 트랜지스터 액정표시소자에 관한 것이다. 본 발명의 박막 트랜지스터 액정표시소자는, 등간격으로 배열되는 게이트 라인들; 상기 게이트 라인들 사이에 상기 게이트 라인과 평행하게 소정 간격 이격되어 배치되는 보조용량 전극 라인들; 상기 게이트 라인 및 데이터 라인과 수직·교차되게 등간격으로 배열되는 데이터 라인들; 상기 한 쌍의 게이트 라인들과 한 쌍의 데이터 라인들에 의해 한정된 단위 픽셀내에 배치되는 화소전극; 및 상기 게이트 라인과 데이터 라인의 교차부에 인접된 부분에 배치되어 상기 화소전극을 동작시키는 박막 트랜지스터를 포함하는 박막 트랜지스터 액정표시소자에 있어서, 상기 박막 트랜지스터는 하나의 단위 픽셀에 두 개가 배치되며, 상기 두 개의 박막 트랜지스터들은 상기 화소전극을 동시에 동작시키는 것을 특징으로 한다.

Description

박막 트랜지스터 액정표시소자
본 발명은 액정표시소자의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 하나의 화소에 두 개의 박막 트랜지스터를 배치시킨 박막 트랜지스터 액정표시소자에 관한 것이다.
일반적으로, 액정표시소자(Liquid Crystal Display : 이하, LCD)는 텔레비젼 및 그래픽 디스플레이 등의 표시장치에 이용된다.
특히, 각 화소마다 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor : 이하, TFT)와 같은 스위칭 소자가 구비되는 액티브 매트릭스형 LCD는 고속 응답 특성을 갖으며, 아울러, 높은 화소수에 적합하기 때문에 CRT(Cathode Ray Tube)에 필적할만한 표시 화면의 고화질화 및 대형화, 컬러화 등을 실현하는데 크게 기여하고 있다.
도 1은 종래 TFT LCD를 개략적으로 도시한 평면도이다. 도시된 바와 같이, 유리기판(1) 상에 게이트 라인(2) 및 보조용량 전극 라인(4)이 평행하게 소정 간격 이격되어 번갈아 배열되어 있고, 상기 게이트 라인(2) 및 보조용량 전극 라인(4)과 수직·교차되게 데이터 라인(6)이 배치되어 있다.
그리고, 게이트 라인(2)과 데이터 라인(6)의 교차부에 인접된 부분에는 스위칭 소자인 TFT(10)가 배치되어 있다. 여기서, TFT(10)는 게이트 라인(2)의 일부분인 게이트 전극과, 상기 게이트 전극을 덮는 게이트 절연막(도시안됨)과, 상기 게이트 절연막 상에 패턴의 형태로 형성되는 반도체층(8), 및 상기 반도체층(8)의 일측 및 타측 상부와 소정 부분 오버랩되게 배치된 소오스 및 드레인 전극(9a, 9b)으로 이루어진다.
또한, 한 쌍의 게이트 라인들(2)과 한 쌍의 데이터 라인들(6)에 의해 한정된 단위 픽셀(Sub Pixel)에는 ITO로된 화소전극(12)이 배치되어 있으며, 이 화소 전극(12)은 드레인 전극(9b)과 콘택되어 있다.
그러나, 상기와 같은 종래의 TFT LCD는 하나의 픽셀에 하나의 TFT가 구비되기 때문에 게이트 라인과 데이터 라인간의 쇼트, 또는, 데이터 라인의 단선으로 인하여 TFT에 결함이 발생될 경우에는 픽셀의 구동이 이루어지지 못하는 문제점이 있었다.
또한, 결함이 발생된 TFT를 리페어하기 위해서는 TFT LCD의 제조 공정이 완료된 후에 실시해야하기 때문에 제조 비용 및 시간이 증가되는 것에 기인하여 생산성이 저하되는 문제점이 있었다.
따라서, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 본 발명은, 하나의 화소에 두 개의 TFT를 배치시킴으로써, 결함 발생으로 인한 생산성의 저하를 방지할 수 있는 TFT LCD를 제공하는데, 그 목적이 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 박막 트랜지스터 액정표시소자를 개략적으로 도시한 평면도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 액정표시소자를 설명하기 위한 평면도.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)
20 : 하부기판 22 : 게이트 라인
24 : 보조용량 전극 라인 26 : 데이터 라인
28 : 화소전극 30A,30B : 반도체층
32A,32B : 소오스 전극 34A,34B : 드레인 전극
40A,40B : 박막 트랜지스터
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 등간격으로 배열되는 게이트 라인들; 상기 게이트 라인들 사이에 상기 게이트 라인과 평행하게 소정 간격 이격되어 배치되는 보조용량 전극 라인들; 상기 게이트 라인 및 데이터 라인과 수직·교차되게 등간격으로 배열되는 데이터 라인들; 상기 한 쌍의 게이트 라인들과 한 쌍의 데이터 라인들에 의해 한정된 단위 픽셀내에 배치되는 화소전극; 및 상기 게이트 라인과 데이터 라인의 교차부에 인접된 부분에 배치되어 상기 화소전극을 동작시키는 TFT를 포함하는 TFT LCD에 있어서, 상기 TFT는 하나의 단위 픽셀에 두 개가 배치되며, 상기 두 개의 TFT들은 상기 화소전극을 동시에 동작시키는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 하나의 화소에 두 개의 TFT를 배치시킴으로써, 어느 하나의 TFT에서 결함이 발생되더라도 다른 하나의 TFT를 이용하여 픽셀을 구동시킬 수 있으며, 이에 따라, TFT LCD의 생산성을 향상시킬 수 있다.
이하, 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하도록 한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 TFT LCD를 설명하기 위한 평면도이다. 도시된 바와 같이, 유리기판(20) 상에 게이트 라인들(22)과 보조용량 전극 라인(24)이 배치되며, 상기 게이트 라인들(22) 및 보조용량 전극 라인(24)에 수직·교차되게 데이터 라인들(26)이 배열된다.
그리고, 한 쌍의 게이트 라인들(22)과 한 쌍의 데이터 라인들(26)에 의해 한정되는 단위 픽셀내에는 화소전극(28)이 배치된다.
또한, 게이트 라인(22) 상에는 화소전극(28)을 동작시키기 위한 TFT(40A, 40B)가 배치되며, 이때, 상기 TFT(40A, 40B)는 하나의 픽셀에 두 개가 배치된다.
따라서, 게이트 라인(22) 상에는 패턴의 형태로 두 개의 반도체층들(30A, 30B)이 형성되며, 상기 반도체층들 상에는 그들 각각의 일측 및 타측 상부와 소정 부분 오버랩되게 소오스 전극들(32A, 32B)과 드레인 전극들(34A, 34B)이 배치된다. 이때, 소오스 전극들(32A, 32B)은 데이트 라인(26)으로부터 연장·배치된 형태로 형성되며, 드레인 전극들(34A, 34B)은 독립된 패턴의 형태로 화소전극(28)과 콘택되게 배치된다.
한편, 도시되지는 않았지만, 게이트 라인(22)과 데이터 라인(26) 사이에는 그들간을 전기적으로 절연시키기 위하여 게이트 절연막이 도포되며, 상기 반도체층들(30A, 30B)은 게이트 라인(22) 상에 도포된 게이트 절연막 상에 형성된다.
상기와 같은 구조를 갖는 TFT LCD에서는 두 개의 TFT들이 화소전극을 동시에 동작시키기 때문에 어느 하나의 TFT에서 결함이 발생되더라도 다른 하나의 TFT로도 화소전극을 동작시킬 수 있기 때문에 리페어 공정을 실시할 필요가 없고, 또한, 두 개의 TFT 모두에 결함이 발생된 경우에는 두 개중 어느 하나의 TFT만을 리페어하면 되기 때문에 경제성면에서 잇점이 있다.
한편, 하나의 픽셀에 두 개의 TFT를 배치시킬 경우에는 개구율이 저하되는 문제점이 발생되지만, 이는 TFT의 사이즈를 감소시킴으로써 해결할 수 있고, 아울러, 모듈 공정에서 사용되는 백라이트의 효율을 조정하면 개구율의 저하를 방지할 수 있게 된다.
이상에서와 같이, 본 발명은 하나의 픽셀에 두 개의 TFT를 배치시키기 때문에 어느 하나의 TFT에서 결함이 발생되더라도 나머지 TFT로 이를 보상할 수 있으며, 이에 따라, TFT LCD의 신뢰성 및 생산성을 향상시킬 수 있다.
또한, 하나의 TFT에 결함이 발생된 경우에는 리페어 공정을 수행할 필요가 없기 때문에 TFT LCD의 제조 시간 및 비용을 절감시킬 수 있다.
한편, 여기에서는 본 발명의 특정 실시예에 대하여 설명하고 도시하였지만, 당업자에 의하여 이에 대한 수정과 변형을 할 수 있다. 따라서, 이하, 특허청구의 범위는 본 발명의 진정한 사상과 범위에 속하는 한 모든 수정과 변형을 포함하는 것으로 이해할 수 있다.

Claims (1)

  1. 등간격으로 배열되는 게이트 라인들; 상기 게이트 라인들 사이에 상기 게이트 라인과 평행하게 소정 간격 이격되어 배치되는 보조용량 전극 라인들; 상기 게이트 라인 및 데이터 라인과 수직·교차되게 등간격으로 배열되는 데이터 라인들; 상기 한 쌍의 게이트 라인들과 한 쌍의 데이터 라인들에 의해 한정된 단위 픽셀내에 배치되는 화소전극; 및 상기 게이트 라인과 데이터 라인의 교차부에 인접된 부분에 배치되어 상기 화소전극을 동작시키는 박막 트랜지스터를 포함하는 박막 트랜지스터 액정표시소자에 있어서,
    상기 박막 트랜지스터는 하나의 단위 픽셀에 두 개가 배치되며, 상기 두 개의 박막 트랜지스터들은 상기 화소전극을 동시에 동작시키는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 액정표시소자.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100719916B1 (ko) * 2000-06-28 2007-05-18 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 라인 오픈 및 층간 쇼트 리페어용 수단이 구비된 박막트랜지스터 액정표시장치
KR101119215B1 (ko) * 2009-02-27 2012-03-20 베이징 비오이 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 박막트랜지스터-액정표시장치 어레이 기판 및 그 제조 방법
KR20160148733A (ko) * 2015-06-16 2016-12-27 현대자동차주식회사 고압주조용 인써트 파이프

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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