KR20070011803A - 전자 방출 소자 및 이를 구비한 평판 디스플레이 장치 - Google Patents

전자 방출 소자 및 이를 구비한 평판 디스플레이 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20070011803A
KR20070011803A KR1020050066379A KR20050066379A KR20070011803A KR 20070011803 A KR20070011803 A KR 20070011803A KR 1020050066379 A KR1020050066379 A KR 1020050066379A KR 20050066379 A KR20050066379 A KR 20050066379A KR 20070011803 A KR20070011803 A KR 20070011803A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
cathode electrode
electron emission
substrate
gate electrode
Prior art date
Application number
KR1020050066379A
Other languages
English (en)
Inventor
조영석
배재우
임익철
최용수
도의송
강동현
주규남
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020050066379A priority Critical patent/KR20070011803A/ko
Priority to US11/478,211 priority patent/US20070018553A1/en
Priority to DE602006010144T priority patent/DE602006010144D1/de
Priority to EP06117615A priority patent/EP1746634B1/en
Priority to CNA2006101257812A priority patent/CN1913091A/zh
Publication of KR20070011803A publication Critical patent/KR20070011803A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J63/00—Cathode-ray or electron-stream lamps
    • H01J63/06—Lamps with luminescent screen excited by the ray or stream
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
    • H01J1/304—Field-emissive cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
    • H01J29/48—Electron guns
    • H01J29/481—Electron guns using field-emission, photo-emission, or secondary-emission electron source
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J3/00—Details of electron-optical or ion-optical arrangements or of ion traps common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J3/02—Electron guns
    • H01J3/021—Electron guns using a field emission, photo emission, or secondary emission electron source
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J3/00—Details of electron-optical or ion-optical arrangements or of ion traps common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J3/08—Arrangements for controlling intensity of ray or beam
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
    • H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
    • H01J31/10—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
    • H01J31/12—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
    • H01J31/123—Flat display tubes
    • H01J31/125—Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection
    • H01J31/127—Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection using large area or array sources, i.e. essentially a source for each pixel group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J63/00—Cathode-ray or electron-stream lamps
    • H01J63/02—Details, e.g. electrode, gas filling, shape of vessel

Abstract

본 발명의 목적은 효과적으로 애노드 전극과 캐소오드 전극 사이에 형성되는 전계를 차단하고, 낮은 게이트 전압에 의해 전자를 지속적이고 안정적으로 방출할 수 있으며, 발광 균일성과 발광 효율을 향상시킬 수 있는 새로운 구조의 전자 방출 소자를 제공하는 것이다. 또한, 이러한 전자 방출 소자를 백라이트 유닛으로 채용한 평판 디스플레이 장치를 제공하는 것이다. 이를 위하여 본 발명에서는, 애노드 전극 및 형광체층 구비하는 제1 기판; 상기 제1 기판과 소정의 거리에 배치된 제2 기판; 상기 제2 기판 상에 형성되고, 폭보다 높이가 더 큰 단면 형상을 가지는 복수 개의 캐소오드 전극; 상기 제2 기판 상에서 상기 캐소오드 전극과 이격되어 교대로 형성되고, 폭보다 높이가 더 큰 단면 형상을 가지는 복수 개의 게이트 전극; 상기 캐소오드 전극의 측면에 상기 게이트 전극을 향하여 배치된 전자 방출층; 및 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이의 간격을 유지하는 스페이서를 포함하는 전자 방출 소자를 제공한다. 또한, 이러한 전자 방출 소자를 백라이트 유닛으로 채용한 평판 디스플레이 장치를 제공한다.

Description

전자 방출 소자 및 이를 구비한 평판 디스플레이 장치{Electron Emission Device, and flat display apparatus having the same}
도 1은 종래 전자 방출 소자의 구성을 개략적으로 보여주는 단면도.
도 2는 본 발명에 따른 전자 방출 소자의 구성을 개략적으로 보여주는 사시면도.
도 3은 도 2의 III-III 선을 따라 취한 단면도.
도 4 내지 도 8은 도 3에 도시된 전자 방출 소자의 변형예들의 구성을 개략적으로 보여주는 도면.
도 9는 도 3의 IX-IX 선을 따라 취한 단면도.
도 10 내지 도 13은 도 9에 도시된 전자 방출 소자의 변형예들의 구성을 개략적으로 보여주는 도면.
도 14는 본 발명에 따른 평판 디스플레이 장치의 개략적인 구성을 보여주는 사시도.
도 15는 도 14의 XV-XV 선을 따라 취한 부분 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1, 101: 제1 패널 2, 102: 제2 패널
10, 110: 제 2 기판 20, 120: 캐소오드 전극
30, 140: 게이트 전극 40, 50, 150: 전자 방출층
60: 스페이서 70: 형광체층
80: 애노드 전극 90: 제1 기판
100: 전자 방출 소자 103: 발광 공간
120a, 120b, 140a, 140b: 곡면 120c, 140d: 오목부
120d, 140c: 돌출부 130: 절연체층
700: 액정 디스플레이 패널
본 발명은 전자 방출 소자(Electron Emission Device), 전자 방출형 백라이트 유닛 및 이를 구비한 평판 디스플레이 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전자의 방출 효율이 향상되고, 발광 균일성이 향상된 전자 방출 소자와, 이를 이용한 전자 방출형 백라이트 유닛과, 이러한 백라이트 유닛을 구비한 평판 디스플레이 장치에 관한 것이다.
일반적으로 전자 방출 소자에는 전자 방출원으로 열음극을 이용하는 방식과 냉음극을 이용하는 방식이 있다. 냉음극을 이용하는 방식의 전자 방출 소자로는, FEA(Field Emitter Array)형, SCE(Surface Conduction Emitter)형, MIM(Metal Insulator Metal)형 및 MIS (Metal Insulator Semiconductor)형, BSE(Ballistic electron Surface Emitting)형 등이 알려져 있다. 본 발명은 이중 FEA형의 전자 방출 소자와 관련된다.
FEA형 전자 방출 소자는 일함수(Work Function)가 낮거나 베타 함수(β Function)가 높은 물질을 전자 방출원으로 사용할 경우 진공 중에서 전계 차이에 의하여 쉽게 전자가 방출되는 원리를 이용한 것으로 몰리브덴(Mo), 실리콘(Si) 등을 주된 재질로 하는 선단이 뾰족한 팁(tip)구조물이나 그래파이트(graphite), DLC(Diamond Like Carbon) 등의 탄소계 물질 그리고 최근 나노 튜브(Nano Tube)나 나노와이어(Nano Wire)등의 나노 물질을 전자 방출원으로 적용한 소자가 개발되고 있다.
FEA형 전자 방출 소자는 캐소드 전극과 게이트 전극의 배치 형태에 따라 크게 탑 게이트형(top gate type)과 언더 게이트형(under gate type)형으로 나눌 수 있으며, 사용되는 전극의 개수에 따라 2극관, 3극관 또는 4극관 등으로 나눌 수 있다.
도 1에는 종래의 전자 방출 소자의 일례의 구성을 개략적으로 보여주는 도면이 도시되어 있다.
도 1에 도시된 것과 같이, 종래의 전자 방출 소자(3)는 제1 패널(1)과 제2 패널(2)을 구비하며, 상기 제1 패널(1)은 제1 기판(90), 상기 제1 기판(90)의 하면에 형성된 애노드 전극(80), 상기 애노드 전극(80)상에 도포된 형광체층(70)을 구비한다.
상기 제2 패널(2)은 상기 제1 기판(90)과 대향하여 평행하게 배치된 제2 기판(10), 상기 제2 기판(10)상에 스트라이프 형태로 형성된 캐소드 전극(20), 상기 캐소오드 전극(20)과 평행하게 스트라이프 형태로 형성된 게이트 전극(30), 상기 캐소오드 전극(20)과 게이트 전극(30)의 주위에 배치된 전자 방출층(40, 50)을 구비한다. 상기 캐소오드 전극(20)과 상기 게이트 전극(30)을 둘러싸는 전자 방출층(40, 50)들의 사이에는 전자 방출 갭(G)이 형성되어 있다.
상기 제1 패널(1)과 제2 패널(2)사이에는 대기압보다 낮은 진공상태가 유지되며, 상기 제1 패널(1)과 제2 패널(2)사이의 진공상태에 의해 발생되는 압력을 지지하고, 발광공간(103)을 확보하기 위해 상기 제1 패널(1)과 상기 제2 패널(2) 사이에는 스페이서(60)가 배치된다.
이러한 구성을 가지는 종래의 전자 방출 소자에서, 게이트 전극(30)과 캐소오드 전극(20) 사이에 형성되는 전계에 의해 상기 전자 방출층(40, 50) 중 캐소오드 전극측에 배치된 전자 방출층(40)에서 전자가 방출되고, 방출된 전자는 초기에 게이트 전극(30)을 향해 진행하다가 애노드 전극(80)의 강한 전계에 이끌려 애노드 전극(80)을 향하여 움직이게 된다.
그런데, 애노드 전극(80)과 캐소오드 전극(20) 사이에 형성되는 전계가 게이트 전극(30)과 캐소오드 전극(20)간에 형성되는 전계에까지 침범하여 애노드 전계에 의해 전자 방출 및 전자 가속이 동시에 이루어지는 다이오드(diode) 발광 현상이 발생한다.
한편, 형광체의 발광 특성상 형광체에 입사된 하나의 전자에 의해 발광이 이루어지는 소정 간격의 시간 동안에는 다른 전자가 입사하여도 발광에 기여하지 못한다. 따라서, 무조건 많은 전자가 지속적으로 형광체층에 입사하는 것만이 발광 효율에 기여하는 것은 아니며, 높은 애노드 전압에 의해 전자 방출이 이루어지는 것은 오히려 에너지 효율 면에서 바람직하지 못하다. 즉, 낮은 게이트 전압에 의한 안정적이고 효율적인 전자 방출과 동시에 방출된 전자에 의한 균일한 가속이 이루어져야 하는데, 강한 애노드 전압에 의해 전자의 방출이 이루어지면 이러한 효율적인 전자 방출 및 발광이 불가능하게 되는 문제점을 가지게 된다.
이에, 효과적으로 애노드 전극(80)과 캐소오드 전극(20) 사이에 형성되는 전계를 차단할 수 있는 새로운 구조의 전자 방출 소자를 개발할 필요성이 대두되고 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 효과적으로 애노드 전극과 캐소오드 전극 사이에 형성되는 전계를 차단하고, 낮은 게이트 전압에 의해 전자를 지속적이고 안정적으로 방출할 수 있으며, 발광 균일성과 발광 효율을 향상시킬 수 있는 새로운 구조의 전자 방출 소자를 제공하는 것이다. 또한, 이러한 전자 방출 소자를 백라이트 유닛으로 채용한 평판 디스플레이 장치를 제공하는 것이다.
상기와 같은 본 발명의 목적은, 애노드 전극 및 형광체층 구비하는 제1 기판; 상기 제1 기판과 소정의 거리에 배치된 제2 기판; 상기 제2 기판 상에 형성되고, 폭보다 높이가 더 큰 단면 형상을 가지는 복수 개의 캐소오드 전극; 상기 제2 기판 상에서 상기 캐소오드 전극과 이격되어 교대로 형성되고, 폭보다 높이가 더 큰 단면 형상을 가지는 복수 개의 게이트 전극; 상기 캐소오드 전극의 측면에 상기 게이트 전극을 향하여 배치된 전자 방출층; 및 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이의 간격을 유지하는 스페이서를 포함하는 전자 방출 소자를 제공함으로써 달성된다.
여기서, 상기 전자 방출층은 상기 캐소오드 전극의 양측에 배치된 것이 바람직하다.
여기서, 상기 캐소오드 전극 및 상기 게이트 전극의 사이에는 소정 높이의 절연체층이 더 배치된 것이 바람직하다.
여기서, 상기 캐소오드 전극 및 상기 게이트 전극의 높이는 실질적으로 동일하고, 상기 절연체층의 높이와 상기 전자 방출층의 높이의 합은 상기 캐소오드 전극 및 상기 게이트 전극의 높이와 실질적으로 동일할 수 있고, 또는 여기서 상기 캐소오드 전극 및 상기 게이트 전극의 높이는 실질적으로 동일하고, 상기 캐소오드 전극 및 상기 게이트 전극의 높이는 상기 절연체층의 높이와 상기 전자 방출층의 높이의 합보다 더 커서 상기 캐소오드 전극의 상단부에는 전자 방출층이 형성되지 않는 부분이 소정의 높이로 형성될 수도 있다.
여기서, 상기 캐소오드 전극 및 상기 게이트 전극은 스트라이프 형태로 형성되거나, 전체적으로 스트라이프 형태로 형성되면서 상기 캐소오드 전극에는 소정 길이와 폭을 가지는 돌출부가 형성되고, 상기 게이트 전극에는 상기 캐소오드 전극에 형성된 돌출부의 형상에 대응하는 오목부가 형성될 수도 있다.
또는 여기서, 상기 캐소오드 전극에는 소정 길이와 폭을 가지는 오목부가 형 성되어 있고, 상기 게이트 전극에는 상기 캐소오드 전극에 형성된 오목부의 형상에 대응하는 돌출부가 형성되어 있을 수 있다.
또는 여기서, 상기 캐소오드 전극은 소정의 곡률을 가지는 곡면을 구비하고, 상기 곡면은 상기 게이트 전극 방향으로 볼록하게 형성된 곡면이거나 상기 게이트 전극 방향으로 오목하게 형성된 곡면일 수 있으며, 상기 게이트 전극에는 상기 캐소오드 전극에 형성된 곡면에 대응하는 곡면이 형성되어 있을 수 있다.
여기서, 상기 전자 방출층은 침상의 전자 방출원인 것이 더욱 바람직하다.
또한, 상기와 같은 본 발명의 목적은, 애노드 전극 및 형광체층 구비하는 제1 기판; 상기 제1 기판과 소정의 거리에 배치된 제2 기판; 상기 제2 기판 상에 형성되고, 폭보다 높이가 더 높은 단면 형상을 가지는 복수 개의 캐소오드 전극; 상기 제2 기판 상에서 상기 캐소오드 전극과 이격되어 교대로 형성되고, 폭보다 높이가 더 높은 단면 형상을 가지는 복수 개의 게이트 전극; 상기 캐소오드 전극의 측면에 상기 게이트 전극을 향하여 배치된 전자 방출층; 및 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이의 간격을 유지하는 스페이서를 포함하는 전자 방출 소자와, 상기 전자 방출 소자의 전방에 설치되어, 상기 전자 방출 소자로부터 공급되는 광을 제어하여 화상을 구현하는 수발광 소자를 포함하는 디스플레이 패널을 구비하는 평판 디스플레이 장치를 제공함으로써 달성된다.
여기서, 상기 수발광 소자는 액정일 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 전자 방출 소자의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 이하에서 언급되는 부재 중 종래기술에서 언급한 부재와 동일한 부재에 대해서는 동일한 부재번호를 사용한다.
도 2에는 본 발명에 따른 전자 방출 소자의 개략적인 구성을 보여주는 도면이 도시되어 있고, 도 3에는 도 2의 III-III 선을 따라 취한 단면도가 도시되어 있다.
도 2 및 도 3에 도시된 것과 같이, 본 발명에 따른 전자 방출 소자(100)는 나란하게 배치되어 진공인 발광 공간(103)을 형성하는 제1 패널(101) 및 제2 패널(102)과, 상기 제1 패널(101) 및 제2 패널(102) 사이의 간격을 유지하여 주는 스페이서(60)를 구비한다.
상기 제1 패널(101)은 제1 기판(90), 상기 제1 기판(90)의 저면에 배치된 애노드 전극(80), 상기 애노드 전극(80)의 저면에 배치된 형광체층(70)(도 3)을 구비한다.
상기 애노드 전극(80)은 상기 전자 방출층(250)에서 방출된 전자의 가속에 필요한 고전압을 인가하여, 전자가 상기 형광체층(70)에 고속으로 충돌할 수 있도록 한다. 상기 형광체층(70)은 전자에 의해 여기되어 고에너지 레벨에서 저에너지 레벨로 떨어지면서 가시광을 방출한다.
상기 제2 패널(102)은, 내부의 발광 공간(103)을 갖도록 소정의 간격을 두고 상기 제1 기판(90)과 대향하여 평행하게 배치되는 제2 기판(110), 상기 제2 기판(110)의 일면에 형성된 캐소오드 전극(120), 상기 캐소오드 전극(120)과 소정의 간격을 두고 이격되어 나란하게 배치된 게이트 전극(140) 및 상기 캐소오드 전 극의 측면에 상기 게이트 전극과 마주하도록 배치된 전자 방출층(150)을 포함한다.
상기 캐소오드 전극 및 상기 게이트 전극은 서로 크기가 동일하게 형성될 수 있고, 그 높이(H1)가 폭(W)에 비해 더 큰 단면 형상을 가진다. 상기 캐소오드 전극(120)과 상기 게이트 전극(140)은 상기 제2 기판 상에서 서로 교대로 배치된다. 상기 캐소오드 전극(120)과 상기 게이트 전극(140)은 전계를 형성하여 상기 전자 방출층(150)에서 전자가 용이하게 방출될 수 있게 한다.
상기 캐소오드 전극 및 상기 게이트 전극은 상기 애노드 전극(80) 측으로 길게 형성되어 있어, 애노드 전극(80)과 캐소오드 전극(120) 사이에 형성되는 전계가 전자 방출층(150) 주위로 침범하는 것을 방지한다. 그럼으로써, 전자의 방출이 게이트 전극(140)에 인가되는 전압에 의해 제어되고, 애노드 전극(80)에 의해 형성되는 전계에 의해서는 방출된 전자의 가속만이 이루어질 수 있게 한다. 이에 따라, 전자의 방출 효율 및 형광체층의 발광 효율이 향상되고, 전자 방출의 균일성과 발광 균일성이 향상된다.
한편, 상기 캐소오드 전극(120)과 상기 게이트 전극(140) 사이에는 소정 두께의 절연체층이 더 배치될 수 있다. 상기 절연체층(130)은 상기 전자 방출층(150)과 상기 게이트 전극(140)을 절연하는 기능을 담당하고, 상기 게이트 전극(140)과 상기 캐소오드 전극(120)과의 쇼트(short)를 방지할 수 있다. 상기 절연체층은 상기 캐소오드 전극 및 상기 게이트 전극의 높이의 절반 가량의 높이를 가지도록 배치된다. 상기 전자 방출층은 상기 캐소오드 전극의 일측에서 상기 게이트 전극을 향하여 배치되고, 상기 절연체층의 높이와 상기 전자 방출층의 높이의 합은 실질적으로 상기 캐소오드 전극의 높이와 동일하다.
상기 제1 패널(101)과 제2 패널(102) 사이의 발광 공간(103)은 대기압보다 낮은 압력의 진공으로 유지되며, 진공에 의해 발생하는 상기 제1 패널(101)과 제2 패널(102) 간의 압력을 지지하고 발광 공간(103)을 구획하도록 스페이서(60)가 상기 제1 패널(101)과 제2 패널(102) 사이에 배치된다. 상기 스페이서(60)는 통상 전기전도성이 없는 세라믹이나 유리등의 절연성 소재로 만들어진다. 상기 스페이서(60)에는 전자 방출 소자의 작동 중에 전자가 축적되는 현상이 발생할 수 있는데, 이렇게 축적된 전자를 배출해 주기 위해 도전성 물질을 코팅하여 사용하기도 한다.
이하에서는 이상의 구조를 가지는 전자 방출 소자를 구성하는 각 구성요소들의 재료에 대해 설명한다.
상기 제1 기판(90) 및 제2 기판(110)은 소정의 두께를 가지는 판상의 부재로, 석영 유리, 소량의 Na과 같은 불순물을 함유한 유리, 판유리, SiO2가 코팅된 유리 기판, 산화 알루미늄 또는 세라믹 기판이 사용될 수 있다.
상기 캐소오드 전극(120) 및 상기 게이트 전극(140)은 통상의 전기 도전 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, Al, Ti, Cr, Ni, Au, Ag, Mo, W, Pt, Cu, Pd 등의 금속 또는 그 합금, 유리 및 Pd, Ag, RuO2, Pd-Ag 등의 금속 또는 금속 산화물로 구성된 인쇄된 도전체, In2O3 또는 SnO2 등의 투명 도전체, 또는 다결정실리콘(polysilicon) 등의 반도체 물질로 만들어 질 수 있다.
전계 형성에 의해 전자를 방출하는 상기 전자 방출층(150)의 소재와 관련하여서는 침상 구조를 가지는 전자 방출원이면 어떤 것이라도 전자 방출층으로 사용될 수 있다. 특히, 일함수가 작고, 베타 함수가 큰 카본 나노 튜브(Carbon Nano Tube: CNT), 그래파이트, 다이아몬드 및 다이아몬드상 카본 등의 탄소계 물질로 만들어지는 것이 바람직하다. 특히, 카본 나노 튜브는 전자 방출 특성이 우수하여 저전압 구동이 용이하므로, 이를 전자 방출층으로 사용하는 장치의 대면적화에 유리하다.
이러한 구성을 가지는 전자 방출 소자는 다음과 같이 동작한다.
전자 방출을 위해 캐소오드 전극(120)에 (-) 전압을 인가하고, 게이트 전극(140)에는 (+) 전압을 인가하여 캐소오드 전극(120)에 설치된 전자 방출층(150)으로부터 전자가 방출될 수 있게 한다. 또한, 애노드 전극(80)에 강한 (+)전압을 인가하여 애노드 전극(80) 방향으로 방출된 전자를 가속시킨다. 이와 같이 전압이 인가되면, 전자 방출층(150)을 구성하는 침상의 물질들로부터 전자가 방출되어 게이트 전극(140)을 향해 진행하다가 애노드 전극(80)을 향해 가속된다. 애노드 전극(80)을 향하여 가속된 전자는 애노드 전극(80)측에 위치하는 형광체층(70)에 부딪히면서 가시광선을 발생시키게 된다.
이때, 상기 캐소오드 전극(120) 및 상기 게이트 전극(140)이 애노드 전극 방향으로 높게 형성됨으로써, 애노드 전극(80)에 의해 형성되는 전계가 캐소오드 전 극(120)과 게이트 전극(140) 사이의 전계로 침범하는 것을 막을 수 있다. 그리하여, 애노드 전극(80)에 의해서는 전자의 가속만이 이루어지고, 게이트 전극(140)에 의해서 전자 방출이 이루어지도록 제어하기에 용이하게 되며, 이에 따라 발광 균일성(uniformity)과 형광체의 발광 효율 극대화가 가능하고 다이오드 발광을 방지할 수 있다.
이하에서는 도 2 및 도 3에 도시된 본 발명에 따른 전자 방출 소자의 변형예들에 대해 설명한다.
도 4 내지 도 8에는 도 3에 도시된 전자 방출 소자의 다른 변형예들을 보여주는 도면이 도시되어 있다.
도 4에 도시된 것과 같이, 도 3에 도시된 본 발명의 전자 방출 소자에서 캐소오드 전극(120) 및 게이트 전극(140)의 높이가 애노드 전극(80) 방향으로 소정 높이(H2)만큼 더 높게 형성될 수 있다. 또는 전자 방출층(150)이 상기 캐소오드 전극(120) 및 게이트 전극(140)의 단부보다 낮은 위치까지만 형성되어 상기 캐소오드 전극(120)의 단부에는 전자 방출층(150)이 형성되지 않을 수 있다. 이렇게 구성됨으로써, 애노드 전계에 의해 캐소오드 전극과 애노드 전극(80) 사이에서 다이오드 발광이 일어나는 것을 더욱 확실히 차단해줄 수 있다.
다른 변형예로서 도 5를 참조한다. 도 5에 도시된 것과 같이, 절연체층(130)이 각각의 캐소오드 전극(120) 및 게이트 전극(140)의 양측에 모두 배치되도록 할 수 있다. 이와 같이 절연체층(130)을 배치함으로써 각 전극 사이의 절연을 보다 확실하게 하여 전극 사이에 쇼트가 발생하는 것을 보다 효과적으로 차단할 수 있다.
또 다른 변형예로서 도 6을 참조한다. 도 6에 도시된 것과 같이, 절연체층(130)이 각각의 캐소오드 전극(120) 및 게이트 전극(140)들의 사이에 모두 배치된 상태에서 각각의 캐소오드 전극(120) 및 게이트 전극(140)들의 높이가 소정 높이(H2)만큼 더 높게 형성되어 그 단부에 전자 방출층(150)이 배치되지 않는 부분이 존재하도록 구성할 수 있다. 또는, 절연체층(130)이 각각의 캐소오드 전극(120) 및 게이트 전극(140)의 양측에 모두 배치된 상태에서 전자 방출층(150)이 배치된 높이가 캐소오드 전극(120)의 단부로부터 소정 높이만큼 낮게 배치될 수 있다.
이 경우에는 앞서 도 4 및 도 5를 참조하여 설명한 변형예들에서 얻을 수 있었던 애노드 전계 차폐 효과의 증대 및 전극간 쇼트 방지 효과의 증대의 장점을 모두 얻을 수 있다.
또 다른 변형예로서 도 7을 참조한다. 도 7에 도시된 것과 같이, 전자 방출층(150)과 절연체층(130)이 캐소오드 전극(120)의 양측에 배치될 수 있다. 전자 방출층(150)이 양측에 배치되는 경우에는 전자 방출량을 증대시킬 수 있어 더 적은 소비전력으로도 요구되는 양의 가시광선을 발생시킬 수 있고, 그럼으로써 발광효율을 높일 수 있다. 또한, 이 경우에는 절연체층(130)이 각각의 전극 사이에 모두 배치되는 것이 각각의 전극들 사이의 쇼트를 방지할 수 있어 바람직하다.
또 다른 변형예로서 도 8을 참조한다. 도 8에 도시된 것과 같이, 절연체층(130)과 전자 방출층(150)이 캐소오드 전극(120)의 양측에 배치된 상태로 상기 캐소오드 전극(120)의 상단부에는 전자 방출층(150)이 배치되지 않는 부분이 존재하도록 구성될 수 있다. 즉, 상기 캐소오드 전극(120)의 단부가 더 길게 형성되거나, 상기 전자 방출층(150)이 더 낮게 형성될 수 있다. 이와 같이 구성됨으로써, 전자 방출 면적을 증가시키면서 애노드 전계 차폐에 의한 다이오드 발광 방지 효과를 모두 얻을 수 있고, 각 전극 사이의 쇼트 방지 효과를 얻을 수 있다.
이하에서는 도 3 내지 도 8에 도시된 본 발명에 따른 전자 방출 소자들 모두에 적용될 수 있는 다른 변형예들에 대해 설명한다.
도 9에는 도 3의 IX-IX 선을 따라 취한 단면도가 도시되어 있고, 도 10 내지 도 13에는 도 9에 도시된 전극들의 형상과 전자 방출층(150)의 형상을 변형한 변형예들의 도면이 도시되어 있다.
도 9에 도시된 것과 같이, 캐소오드 전극(120) 및 게이트 전극(140)은 스트라이프 형태로 서로 평행하게 배치될 수 있다. 또한, 전자 방출층(150)이 배치되는 면적이 증가하도록 도 10 내지 도 13에 도시된 것과 같이 캐소오드 전극(120) 및 게이트 전극(140)에 돌출부, 오목부 또는 곡면이 형성될 수 있다.
즉, 도 10 및 도 11에 도시된 것과 같이, 상기 캐소오드 전극(120)은 상기 게이트 전극(140)측에 소정의 곡률을 가지는 곡면(120a, 120b)을 구비하고, 상기 곡면(120a, 120b)에는 전자 방출층(150)이 배치될 수 있다. 상기 곡면(120a, 120b)은 상기 게이트 전극(140) 방향으로 오목하게 형성된 곡면(120a)(도 10)일 수 도 있고, 상기 게이트 전극(140) 방향으로 볼록하게 형성된 곡면(120b)(도 11)일 수도 있다. 이 경우, 상기 게이트 전극(140)에는 상기 캐소오드 전극(120)에 형성된 곡면(120a, 120b)에 대응하는 곡면(140a, 140b)이 형성된다.
또는 도 12에 도시된 것과 같이, 캐소오드 전극(120)은 게이트 전극(140)측에 소정 길이와 폭을 가지는 오목부(120c)를 구비하고, 상기 오목부(120c)에는 전자 방출층(150)이 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 게이트 전극(140)에는 상기 캐소오드 전극(120)에 형성된 오목부(120c)의 형상에 대응하는 돌출부(140c)가 형성된다.
또는 도 13에 도시된 것과 같이, 캐소오드 전극(120)은 게이트 전극(140)측에 소정 길이와 폭을 가지는 돌출부(120d)를 구비하고, 상기 돌출부(120d)에는 전자 방출층(150)이 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 게이트 전극(140)에는 상기 캐소오드 전극(120)에 형성된 돌출부(120d)의 형상에 대응하는 오목부(140d)가 형성된다.
상기 캐소오드 전극(120) 및 상기 게이트 전극(140)에 형성된 오목부 및 돌출부들의 형상은 도 12 및 도 13에 예시된 직사각형 형상에 한정되지 않고 사다리꼴, 기타 다각형 등으로 다양하게 변화될 수 있다.
한편, 지금까지 설명한 것과 같은 구성을 가지는 전자 방출 소자(100)는 소정의 면적을 가지는 면광원으로 사용될 수도 있다. 특히, 본 발명에 따른 전자 방출 소자는 면광원으로 사용되어 액정 디스플레이 장치(Liquid Crystal Display: LCD)의 백라이트 유닛(Back Light Unit: BLU)으로 사용될 수 있는데, 이 경우 상기 캐소오드 전극(120) 및 상기 게이트 전극(140)이 서로 평행하게 배치된다. 또한, 형광체층은 필요로 하는 색상의 가시광선을 방출하는 형광체가 사용되거나, 또는 백색광선을 얻기 위해 빛의 삼원색인 적색 발광, 녹색 발광, 청색 발광의 형광체가 적절한 비율로 배치될 수 있다.
도 14에는 본 발명에 따른 전자 방출 소자가 백라이트 유닛으로 기능하는 평판 디스플레이 장치의 구성을 보여주는 사시도가 도시되어 있고, 도 15에는 도 14의 XV-XV 선을 따라 취한 부분 단면도가 도시되어 있다. 한편, 도 14 및 도 15를 참조하는 아래의 설명에서, 앞서 언급한 전자 방출 소자에 사용된 게이트 전극 및 스페이서 등과 동일한 명칭이 중복적으로 사용되지만 전자 방출 소자에 사용되는 용어인지 액정 디스플레이 패널에 사용되는 용어인지는 그 부재번호에 의해 구별될 수 있다.
도 14에 도시된 것과 같이, 본 발명에 따른 평판 디스플레이 장치는 수발광형의 디스플레이 패널로서 액정 디스플레이 패널(700)과 상기 액정 디스플레이 패널(700)에 광을 공급하는 백라이트 유닛을 포함한다. 상기 액정 디스플레이 패널(700)에는 화상신호를 전달하는 연성인쇄회로기판(720)이 부착되어 있고, 상기 액정 디스플레이 패널(700)의 후방에 배치되는 백라이트 유닛과의 사이의 간격을 유지하기 위한 스페이서(730)가 배치된다.
상기 백라이트 유닛은 앞서 설명한 본 발명에 따른 전자 방출 소자(100)로서, 연결케이블(104)을 통해 전원을 공급받고, 상기 전자 방출 소자 전면의 제1 패널(90)을 통하여 가시광선(V)을 방출시켜, 방출된 가시광선(V)이 상기 액정 디스플레이 패널(700)에 공급되도록 한다.
도 15를 참조하여, 액정 디스플레이 장치의 구성과 작동 원리에 대해 설명한다.
도 15에 도시된 전자 방출 소자(100)는 상술한 본 발명 따른 전자 방출 소자 중의 어느 하나일 수 있다. 도 10에 도시된 것과 같이, 상기 전자 방출 소자(100)는 제1 패널(101)과 제2 패널(102)이 소정의 간격을 이루면서 결합되어 이루어진다. 상기 제1 패널(101) 및 제2 패널(102)의 구성은 앞서 본 발명에 따른 전자 방출 소자의 구성을 설명하면서 언급한 내용과 동일하므로 여기서는 설명을 생략한다. 그리고, 상기 제2 패널(102)에 설치된 캐소오드 전극(120)과 게이트 전극(140)에 형성된 전계에 의해 전자가 방출되고, 상기 제1 패널(101)에 설치된 애노드 전극(80)에 의해 형성되는 전계에 의해 전자가 가속되어 형광체층(70)에 부딪히면서 가시광선(V)이 발생된다. 발생된 가시광선(V)은 전면의 액정 디스플레이 패널(700)을 향해 진행한다.
한편, 상기 액정 디스플레이 패널(700)은 제1 기판(505)을 구비하고, 상기 제1 기판(505) 상에는 버퍼층(510)이 형성되고, 상기 버퍼층(510) 상에는 반도체층(580)이 소정의 패턴으로 형성된다. 상기 반도체층(580) 상에는 제1 절연층(520)이 형성되며, 상기 제1 절연층(520)상에는 게이트 전극(590)이 소정의 패턴으로 형성되고, 상기 게이트 전극(590) 상에는 제2 절연층(530)이 형성된다. 상기 제2 절연층(530)이 형성된 후에는, 드라이 에칭 등의 공정에 의해 상기 제1 절연층(520)과 제2 절연층(530)이 식각되어 상기 반도체층(580)의 일부가 노출되고, 상기 노출된 부분을 포함하는 소정의 영역에 소스 전극(570)과 드레인 전극(610)이 형성된다. 상기 소스 전극(570) 및 드레인 전극(610)이 형성된 후 제3 절연층(540)이 형성되며, 상기 제3 절연층(540) 상에 평탄화층(550)이 형성된다. 상기 평탄화층(550)상에는 소정의 패턴으로 제1 전극(620)이 형성되고, 상기 제3 절연층(540)과 상기 평탄화층(550) 일부가 식각되어 상기 드레인 전극(610)과 상기 제1 전극(620)의 도전통로가 형성된다. 투명한 제2 기판(680)은 상기 제1 기판(505)과 별도로 제조되고, 상기 제2 기판의 하면(680a)에는 칼라 필터층(670)이 형성된다. 상기 칼라 필터층(670)의 하면(670a)에는 제2 전극(660)이 형성되고, 상기 제1 전극(620)과 제2 전극(660)의 서로 대향하는 면들에는 액정층(640)을 배향하는 제1 배향층(630)과 제2 배향층(650)이 형성된다. 상기 제1 기판(505)의 하면(505a)에는 제1 편광층(500)이, 상기 제2 기판의 상면(680b)에는 제2 편광층(690)이 형성되고, 상기 제2 편광층의 상면(690a)에는 보호필름(695)이 형성된다. 상기 칼라 필터층(670)과 상기 평탄화층(550) 사이에는 상기 액정층(640)을 구획하는 스페이서(560)가 형성된다.
상기 액정 디스플레이 패널(700)의 작동원리에 관해 간단히 설명하면, 상기 게이트 전극(590), 소스 전극(570), 드레인 전극(610)에 의해 제어된 외부신호에 의해 상기 제1 전극(620)과 제2 전극(660) 사이에 전위차가 형성되고, 상기 전위차에 의해 상기 액정층(640)의 배열이 결정되며, 상기 액정층(640)의 배열에 따라서 상기 백라이트 유닛(100)에서 공급되는 가시광선(V)이 차폐 또는 통과된다. 상기 통과된 광이 칼라 필터층(670)을 통과하면서 색을 띠게 되어 화상을 구현한다.
도 15에는 액정 디스플레이 패널(특히, TFT-LCD)을 예시하였으나, 본 발명의 평판 디스플레이 장치를 구성하는 디스플레이 패널이 이에 한정되는 것은 아니며, 또한 상기 수발광 소자로는 상기와 같은 액정 디스플레이 패널 외에도 다양한 수발광형 디스플레이 패널이 적용될 수 있다.
상기와 같은 전자 방출 소자를 백라이트 유닛으로 구비한 평판 디스플레이 장치는 그 백라이트 유닛의 휘도와 수명이 향상됨에 따라 상기 디스플레이 장치의 화상의 휘도 향상은 물론 수명 증대의 효과를 가져올 수 있게 된다.
또한, 앞서 설명한 것과 같은 구성을 가지는 본 발명에 따른 전자 방출 소자는 화상을 구현하는 디스플레이 장치에도 사용될 수 있다. 이 경우에는 상기 게이트 전극(140)과 상기 캐소오드 전극(120)이 서로 교차되는 방향으로 연장된 스트라이프 형상으로 형성되는 것이 신호를 인가하여 화상을 구현하도록 제어하는데 유리하다. 예를 들어, 상기 캐소오드 전극(120)이 일방향으로 연장된 스트라이프 형태로 형성될 때, 상기 게이트 전극(140)은 상기 캐소오드 전극(120)과 교차되는 방향으로 연장된 주전극부와, 상기 주전극부에서 연장되어 상기 캐소오드 전극(120)과 마주하는 위치에 설치된 가지전극부를 구비하도록 형성될 수 있다. 물론, 여기서 캐소오드 전극(120)과 게이트 전극(140)의 배치가 서로 바뀌는 것도 가능하다. 또한, 칼라 디스플레이 장치를 구현하는 경우, 단위화소를 이루는 복수의 발광 공간(103) 각각에 대해 적색 발광, 녹색 발광, 청색 발광의 형광체가 상기 애노드 전극(80)의 저면에 배치된다.
이상에서 설명한 것과 같이, 본 발명에 따르면 캐소오드 전극 및 게이트 전극이 애노드 전극에 가깝도록 길게 형성되어 배치됨으로써 애노드 전계가 캐소오드 전극과 게이트 전극 사이의 전계로 침범하는 것을 막을 수 있다. 그리하여, 애노드 전극에 의해서는 전자의 가속만이 이루어지고, 게이트 전극에 의해서 전자 방출이 이루어지도록 제어하기에 용이하게 되며, 이에 따라 발광 균일성(uniformity)과 형광체의 발광 효율 극대화가 가능하다.
또한, 스트라이프 형태로 형성된 캐소오드 전극 및 게이트 전극에 곡면, 돌출부 또는 오목부를 형성함으로써 전자 방출층이 배치되는 폭을 증가시킬 수 있어 전자의 방출 효율을 증가시킬 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 전자 방출 소자를 사용하여 백라이트 유닛을 구성하는 경우에는 이 백라이트 유닛을 채용한 디스플레이 장치의 휘도 및 발광 효율이 증대되는 효과를 얻을 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.

Claims (17)

  1. 애노드 전극 및 형광체층 구비하는 제1 기판;
    상기 제1 기판과 소정의 거리에 배치된 제2 기판;
    상기 제2 기판 상에 형성되고, 폭보다 높이가 더 큰 단면 형상을 가지는 복수 개의 캐소오드 전극;
    상기 제2 기판 상에서 상기 캐소오드 전극과 이격되어 교대로 형성되고, 폭보다 높이가 더 큰 단면 형상을 가지는 복수 개의 게이트 전극;
    상기 캐소오드 전극의 측면에 상기 게이트 전극을 향하여 배치된 전자 방출층; 및
    상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이의 간격을 유지하는 스페이서를 포함하는 전자 방출 소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 전자 방출층은 상기 캐소오드 전극의 양측에 배치된 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 캐소오드 전극 및 상기 게이트 전극의 사이에는 소정 높이의 절연체층이 더 배치된 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 캐소오드 전극 및 상기 게이트 전극의 높이는 실질적으로 동일하고,
    상기 절연체층의 높이와 상기 전자 방출층의 높이의 합은 상기 캐소오드 전극 및 상기 게이트 전극의 높이와 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 캐소오드 전극 및 상기 게이트 전극의 높이는 실질적으로 동일하고,
    상기 캐소오드 전극 및 상기 게이트 전극의 높이는 상기 절연체층의 높이와 상기 전자 방출층의 높이의 합보다 더 커서 상기 캐소오드 전극의 상단부에는 전자 방출층이 형성되지 않는 부분이 소정의 높이로 형성된 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 캐소오드 전극 및 상기 게이트 전극은 스트라이프 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 캐소오드 전극에는 소정 길이와 폭을 가지는 돌출부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 게이트 전극에는 상기 캐소오드 전극에 형성된 돌출부의 형상에 대응하는 오목부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 캐소오드 전극에는 소정 길이와 폭을 가지는 오목부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 게이트 전극에는 상기 캐소오드 전극에 형성된 오목부의 형상에 대응하는 돌출부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 캐소오드 전극에는 소정의 곡률을 가지는 곡면이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 곡면은 상기 게이트 전극 방향으로 볼록하게 형성된 곡면인 것을 특징 으로 하는 전자 방출 소자.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 곡면은 상기 게이트 전극 방향으로 오목하게 형성된 곡면인 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 게이트 전극에는 상기 캐소오드 전극에 형성된 곡면에 대응하는 곡면이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 전자 방출층은 침상의 전자 방출원인 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자.
  16. 애노드 전극 및 형광체층 구비하는 제1 기판;
    상기 제1 기판과 소정의 거리에 배치된 제2 기판;
    상기 제2 기판 상에 형성되고, 폭보다 높이가 더 높은 단면 형상을 가지는 복수 개의 캐소오드 전극;
    상기 제2 기판 상에서 상기 캐소오드 전극과 이격되어 교대로 형성되고, 폭보다 높이가 더 높은 단면 형상을 가지는 복수 개의 게이트 전극;
    상기 캐소오드 전극의 측면에 상기 게이트 전극을 향하여 배치된 전자 방출층; 및
    상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이의 간격을 유지하는 스페이서를 포함하는 전자 방출 소자와,
    상기 전자 방출 소자의 전방에 설치되어, 상기 전자 방출 소자로부터 공급되는 광을 제어하여 화상을 구현하는 수발광 소자를 포함하는 디스플레이 패널을 구비하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 수발광 소자는 액정인 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
KR1020050066379A 2005-07-21 2005-07-21 전자 방출 소자 및 이를 구비한 평판 디스플레이 장치 KR20070011803A (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050066379A KR20070011803A (ko) 2005-07-21 2005-07-21 전자 방출 소자 및 이를 구비한 평판 디스플레이 장치
US11/478,211 US20070018553A1 (en) 2005-07-21 2006-06-30 Electron emission device, electron emission type backlight unit and flat display apparatus having the same
DE602006010144T DE602006010144D1 (de) 2005-07-21 2006-07-21 Elektronenemissionsvorrichtung, Elektronenemissionsrückbeleuchtungseinheit und Flachbildschirmgerät mit derselben
EP06117615A EP1746634B1 (en) 2005-07-21 2006-07-21 Electron emission device, electron emission type backlight unit and flat display apparatus having the same
CNA2006101257812A CN1913091A (zh) 2005-07-21 2006-07-21 电子发射器件、电子发射型背光单元和平板显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050066379A KR20070011803A (ko) 2005-07-21 2005-07-21 전자 방출 소자 및 이를 구비한 평판 디스플레이 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20070011803A true KR20070011803A (ko) 2007-01-25

Family

ID=37076189

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050066379A KR20070011803A (ko) 2005-07-21 2005-07-21 전자 방출 소자 및 이를 구비한 평판 디스플레이 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20070018553A1 (ko)
EP (1) EP1746634B1 (ko)
KR (1) KR20070011803A (ko)
CN (1) CN1913091A (ko)
DE (1) DE602006010144D1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7764011B2 (en) 2005-10-17 2010-07-27 Samsung Sdi Co., Ltd. Electron emission display device
KR20180087928A (ko) * 2017-01-25 2018-08-03 한국전자통신연구원 전자 방출원 및 그 제조 방법

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8444562B2 (en) 2004-10-06 2013-05-21 Guided Therapy Systems, Llc System and method for treating muscle, tendon, ligament and cartilage tissue
US10864385B2 (en) 2004-09-24 2020-12-15 Guided Therapy Systems, Llc Rejuvenating skin by heating tissue for cosmetic treatment of the face and body
US8535228B2 (en) 2004-10-06 2013-09-17 Guided Therapy Systems, Llc Method and system for noninvasive face lifts and deep tissue tightening
US8690779B2 (en) 2004-10-06 2014-04-08 Guided Therapy Systems, Llc Noninvasive aesthetic treatment for tightening tissue
US11883688B2 (en) 2004-10-06 2024-01-30 Guided Therapy Systems, Llc Energy based fat reduction
US11235179B2 (en) 2004-10-06 2022-02-01 Guided Therapy Systems, Llc Energy based skin gland treatment
US11724133B2 (en) 2004-10-07 2023-08-15 Guided Therapy Systems, Llc Ultrasound probe for treatment of skin
US20080111463A1 (en) * 2006-11-14 2008-05-15 Chih-Che Kuo Backlight Source Structure Of Field Emission Type LCD
CN101192490B (zh) * 2006-11-24 2010-09-29 清华大学 表面传导电子发射元件以及应用表面传导电子发射元件的电子源
KR100869804B1 (ko) * 2007-07-03 2008-11-21 삼성에스디아이 주식회사 발광 장치 및 표시 장치
KR100869108B1 (ko) * 2007-07-19 2008-11-17 삼성에스디아이 주식회사 전자 방출 소자 및 이를 구비한 전자 방출형 백라이트 유닛
US10537304B2 (en) 2008-06-06 2020-01-21 Ulthera, Inc. Hand wand for ultrasonic cosmetic treatment and imaging
ITTO20120993A1 (it) * 2011-11-25 2013-05-26 Selex Sistemi Integrati Spa Dispositivo a catodo freddo emettitore di elettroni
TWI437602B (zh) * 2011-12-23 2014-05-11 Au Optronics Corp 場發射元件與場發射顯示裝置
CN204017181U (zh) 2013-03-08 2014-12-17 奥赛拉公司 美学成像与处理***、多焦点处理***和执行美容过程的***
CA3177417A1 (en) 2014-04-18 2015-10-22 Ulthera, Inc. Band transducer ultrasound therapy
BR112018072101B1 (pt) 2016-08-16 2024-01-02 Ulthera, Inc Sistemas e métodos para tratamento cosmético da pele com ultrassom
US11944849B2 (en) 2018-02-20 2024-04-02 Ulthera, Inc. Systems and methods for combined cosmetic treatment of cellulite with ultrasound

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3873867A (en) * 1974-01-25 1975-03-25 Rca Corp Support and focus structure for photomultiplier
US5742117A (en) * 1992-04-10 1998-04-21 Candescent Technologies Corporation Metallized high voltage spacers
EP0716438A1 (en) * 1994-12-06 1996-06-12 International Business Machines Corporation Field emission device and method for fabricating it
JP3014291B2 (ja) * 1995-03-10 2000-02-28 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 液晶表示パネル、液晶表示装置及び液晶表示パネルの製造方法
JPH09306337A (ja) * 1996-05-16 1997-11-28 Sharp Corp 電界放出型電子源素子及びその製造方法
AU3735697A (en) * 1996-06-25 1998-10-22 Vanderbilt University Microtip vacuum field emitter structures, arrays, and devices, and methods of fabrication
KR100365444B1 (ko) * 1996-09-18 2004-01-24 가부시끼가이샤 도시바 진공마이크로장치와이를이용한화상표시장치
JP2956612B2 (ja) * 1996-09-25 1999-10-04 日本電気株式会社 フィールドエミッタアレイとその製造方法およびその駆動方法
JP2000021287A (ja) * 1998-06-30 2000-01-21 Sharp Corp 電界放出型電子源及びその製造方法
TW535025B (en) * 1998-12-03 2003-06-01 Hitachi Ltd Liquid crystal display device
KR100621534B1 (ko) * 1999-08-02 2006-09-12 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시장치
CN1229837C (zh) * 2000-07-19 2005-11-30 松下电器产业株式会社 电子发射元件及采用其的图象显示装置
US6922218B2 (en) * 2001-07-13 2005-07-26 Hannstar Display Corporation Method for fabricating liquid crystal display monitor with esthetic back
US6639632B2 (en) * 2001-07-25 2003-10-28 Huang-Chung Cheng Backlight module of liquid crystal display
KR100908712B1 (ko) * 2003-01-14 2009-07-22 삼성에스디아이 주식회사 전자 방출 특성을 향상시킬 수 있는 에미터 배열 구조를갖는 전계 방출 표시 장치
JP2004228084A (ja) * 2003-01-21 2004-08-12 Samsung Sdi Co Ltd 電界放出素子
US7157848B2 (en) * 2003-06-06 2007-01-02 Electrovac Fabrikation Elektrotechnischer Spezialartikel Gmbh Field emission backlight for liquid crystal television
JP2005056604A (ja) * 2003-08-06 2005-03-03 Hitachi Displays Ltd 自発光型平面表示装置
KR101018344B1 (ko) * 2004-01-08 2011-03-04 삼성에스디아이 주식회사 전계방출형 백라이트 유니트 및 그 구동 방법과 하부패널의 제조 방법
KR100968339B1 (ko) * 2004-06-30 2010-07-08 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7764011B2 (en) 2005-10-17 2010-07-27 Samsung Sdi Co., Ltd. Electron emission display device
KR20180087928A (ko) * 2017-01-25 2018-08-03 한국전자통신연구원 전자 방출원 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN1913091A (zh) 2007-02-14
DE602006010144D1 (de) 2009-12-17
EP1746634B1 (en) 2009-11-04
EP1746634A3 (en) 2007-02-14
EP1746634A2 (en) 2007-01-24
US20070018553A1 (en) 2007-01-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20070011803A (ko) 전자 방출 소자 및 이를 구비한 평판 디스플레이 장치
KR20070011804A (ko) 전자 방출 소자 및 이를 구비한 평판 디스플레이 장치
EP1814141B1 (en) Electron emission device, backlight unit (BLU) including the electron emission device, flat display apparatus including the BLU, and method of driving the electron emission device
JP2007511881A (ja) 電界放出素子及びこれを用いた電界放出表示装置
KR20070010660A (ko) 전자 방출 소자 및 이를 구비한 평판 디스플레이 장치
JP2007005276A (ja) 電界放出陰極装置及び電界放出表示装置
KR100911011B1 (ko) 전자 방출 소자 및 이를 구비한 발광 장치
KR100363219B1 (ko) 전계방출 표시장치
US20090134766A1 (en) Electron emission source, electron emission device, electron emission type backlight unit and electron emission display device
US7994696B2 (en) Electron emission device, electron emission type backlight unit including the electron emission device, and method of manufacturing the electron emission device
KR20070024955A (ko) 전자 방출 소자 및 이를 구비한 평판 디스플레이 장치
KR20070041983A (ko) 전자 방출 표시 디바이스
KR20070010806A (ko) 전자 방출 소자, 이를 구비한 평판 디스플레이 장치 및 그제조 방법
KR100532999B1 (ko) 전계 차폐판을 구비한 탄소 나노튜브 전계방출소자
KR100548256B1 (ko) 탄소 나노튜브 전계방출소자 및 구동 방법
KR20070013878A (ko) 전자 방출 소자 및 이를 구비한 평판 디스플레이 장치
KR101072998B1 (ko) 전자 방출 표시 디바이스
KR20100010291A (ko) 전자 방출 소자 및 이를 구비한 발광 장치
KR20030083791A (ko) 전계 방출 표시소자
JP2004227822A (ja) 画像表示装置
KR20060095717A (ko) 전자방출소자
KR20090083074A (ko) 백라이트 유닛
KR20060104700A (ko) 전자 방출 소자
KR20070046626A (ko) 전자 방출 소자 및 이를 채용한 전자 방출 디스플레이 장치
KR20070024133A (ko) 전자 방출 소자

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid