JP2970158B2 - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置の製造方法Info
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
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- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光電変換部としていわ
ゆる埋め込み型フォトダイオードを有する固体撮像装置
及びその製造方法に関する。
ゆる埋め込み型フォトダイオードを有する固体撮像装置
及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような固体撮像装置の光電変
換部にはＮ- Ｐ接合型フォトダイオードが用いられてい
た。このＮ- Ｐ接合型フォトダイオードではＮ- 領域の
表面が完全に空乏化することによりＳｉ−ＳｉＯ2 界面
準位からの発生電流のため、暗電流と呼ばれる光電変換
によらないノイズ成分が多くなり低照度時のＳ／Ｎ比が
劣化するという欠点があった。
換部にはＮ- Ｐ接合型フォトダイオードが用いられてい
た。このＮ- Ｐ接合型フォトダイオードではＮ- 領域の
表面が完全に空乏化することによりＳｉ−ＳｉＯ2 界面
準位からの発生電流のため、暗電流と呼ばれる光電変換
によらないノイズ成分が多くなり低照度時のＳ／Ｎ比が
劣化するという欠点があった。
【０００３】この暗電流の低減方法としてフォトダイオ
ードのＮ型領域の表面に濃度の高いＰ+ 型領域を形成
し、基準電位に固定することにより、前記Ｎ型領域が完
全に空乏化した場合においても表面のＰ+ 型領域を非空
乏化領域に閉じ込め、発生のセンターを阻止する埋め込
み型フォトダイオードが新たに提案され（寺西他：特開
昭５７−６２５５７号公報を参照）、固体撮像装置の光
電変換部に用いていた。
ードのＮ型領域の表面に濃度の高いＰ+ 型領域を形成
し、基準電位に固定することにより、前記Ｎ型領域が完
全に空乏化した場合においても表面のＰ+ 型領域を非空
乏化領域に閉じ込め、発生のセンターを阻止する埋め込
み型フォトダイオードが新たに提案され（寺西他：特開
昭５７−６２５５７号公報を参照）、固体撮像装置の光
電変換部に用いていた。
【０００４】図１２〜図１９は、従来の埋め込み型フォ
トダイオードを光電変換部に用いた固体撮像装置の製造
工程を示すセル部の断面図である。
トダイオードを光電変換部に用いた固体撮像装置の製造
工程を示すセル部の断面図である。
【０００５】まず、Ｎ型半導体基板１上にＰ型ウエル層
２を形成する（図１２）。
２を形成する（図１２）。
【０００６】続いて、半導体基板上にシリコン酸化膜
３，シリコン窒化膜４を順に成長させ、その上にフォト
レジスト５ａを塗布しこれに露光・現像処理を施した
後、プラズマエッチング法を用いて光電変換部となる部
分のシリコン窒化膜４を除去する（図１３）。
３，シリコン窒化膜４を順に成長させ、その上にフォト
レジスト５ａを塗布しこれに露光・現像処理を施した
後、プラズマエッチング法を用いて光電変換部となる部
分のシリコン窒化膜４を除去する（図１３）。
【０００７】次に、フォトレジスト５ａとシリコン窒化
膜４とをマスクとしてイオン注入を行い光電変換部のＮ
型領域６を形成する（図１４）。
膜４とをマスクとしてイオン注入を行い光電変換部のＮ
型領域６を形成する（図１４）。
【０００８】次に、フォトレジスト５ａとシリコン窒化
膜４をウエットエッチング法により除去した後、フォト
リソグラフィー技術を用いて電荷転送部以外をフォトレ
ジスト５ｂで被覆し、これをマスクにイオン注入を行い
電荷転送部のＮ型領域８を形成する（図１５）。
膜４をウエットエッチング法により除去した後、フォト
リソグラフィー技術を用いて電荷転送部以外をフォトレ
ジスト５ｂで被覆し、これをマスクにイオン注入を行い
電荷転送部のＮ型領域８を形成する（図１５）。
【０００９】次に、フォトリソグラフィー技術を用いて
電荷読み出し部、光電変換部及び電荷転送部をフォトレ
ジスト５ｃで被覆し、これをマスクにイオン注入を行い
素子分離部となるＰ+ 型領域９を形成する（図１６）。
電荷読み出し部、光電変換部及び電荷転送部をフォトレ
ジスト５ｃで被覆し、これをマスクにイオン注入を行い
素子分離部となるＰ+ 型領域９を形成する（図１６）。
【００１０】次に、フォトレジスト５ｃを除去し、シリ
コン酸化膜３をエッチング除去した後、熱酸化により第
１のゲート絶縁膜（図示せず）を形成し、減圧ＣＶＤ法
により多結晶シリコン膜を堆積し、これにフォトリソグ
ラフィー技術及びドライエッチング法を適用して、電荷
転送を行うための第１の多結晶シリコン電極（図示せ
ず）を形成する。第１の多結晶シリコン電極をマスクと
して第１のゲート絶縁膜をエッチング除去し、新たに熱
酸化を行って第２のゲート絶縁膜１０を形成した後、第
１の多結晶シリコン電極を形成したのと同様の手法を用
いて、光電変換部から電荷転送部への信号電荷の読み出
し及び電荷転送を行う第２の多結晶シリコン電極１１を
形成する（図１７）。
コン酸化膜３をエッチング除去した後、熱酸化により第
１のゲート絶縁膜（図示せず）を形成し、減圧ＣＶＤ法
により多結晶シリコン膜を堆積し、これにフォトリソグ
ラフィー技術及びドライエッチング法を適用して、電荷
転送を行うための第１の多結晶シリコン電極（図示せ
ず）を形成する。第１の多結晶シリコン電極をマスクと
して第１のゲート絶縁膜をエッチング除去し、新たに熱
酸化を行って第２のゲート絶縁膜１０を形成した後、第
１の多結晶シリコン電極を形成したのと同様の手法を用
いて、光電変換部から電荷転送部への信号電荷の読み出
し及び電荷転送を行う第２の多結晶シリコン電極１１を
形成する（図１７）。
【００１１】更に、露出している第２のゲート絶縁膜１
０をエッチング除去し、更に熱酸化を行いシリコン酸化
膜１２を形成してから多結晶シリコン電極１１をマスク
としてイオン注入を行い、光電変換部の表面に浅いＰ+
型領域１３を形成する（図１８）。
０をエッチング除去し、更に熱酸化を行いシリコン酸化
膜１２を形成してから多結晶シリコン電極１１をマスク
としてイオン注入を行い、光電変換部の表面に浅いＰ+
型領域１３を形成する（図１８）。
【００１２】最後に、層間絶縁膜１４形成した後、第１
及び第２の多結晶シリコン電極上にコンタクトホール
（図示せず）を開口し、遮光膜１５と配線膜（図示せ
ず）を兼ねる金属膜をフォトリソグラフィー技術及びド
ライエッチング法を適用して形成することにより、従来
の埋め込みフォトダイオードを光電変換部として有する
固体撮像装置が得られる（図１９）。
及び第２の多結晶シリコン電極上にコンタクトホール
（図示せず）を開口し、遮光膜１５と配線膜（図示せ
ず）を兼ねる金属膜をフォトリソグラフィー技術及びド
ライエッチング法を適用して形成することにより、従来
の埋め込みフォトダイオードを光電変換部として有する
固体撮像装置が得られる（図１９）。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の埋め込
み型フォトダイオードを光電変換部とする固体撮像装置
では、光電変換部のＮ型領域と、表面層のＰ+ 型領域を
それぞれ別の工程によって形成しているので、フォトリ
ソグラフィー工程の位置合わせ誤差及び囲う寸法のばら
つきにより、光電変換部のＮ型領域と多結晶シリコン電
極との重なり寸法を一定範囲内に抑えることは困難であ
るという欠点があった。
み型フォトダイオードを光電変換部とする固体撮像装置
では、光電変換部のＮ型領域と、表面層のＰ+ 型領域を
それぞれ別の工程によって形成しているので、フォトリ
ソグラフィー工程の位置合わせ誤差及び囲う寸法のばら
つきにより、光電変換部のＮ型領域と多結晶シリコン電
極との重なり寸法を一定範囲内に抑えることは困難であ
るという欠点があった。
【００１４】例えば、図２１（ａ）に示すように、この
重なり部分Ｘが大きいときには、図２１（ｂ）のＡに示
すように、多結晶シリコン電極１１下に深いポテンシャ
ル井戸が形成され、また、逆に図２０（ａ）に示すよう
に、この重なり部分Ｘが小さいときには、図２０（ｂ）
のＢに示すように、多結晶シリコン電極１１下にポテン
シャル障壁が形成されており、いずれの場合においても
光電変換部から電荷転送部へのスムーズな電荷の転送が
阻害されるという欠点があった。
重なり部分Ｘが大きいときには、図２１（ｂ）のＡに示
すように、多結晶シリコン電極１１下に深いポテンシャ
ル井戸が形成され、また、逆に図２０（ａ）に示すよう
に、この重なり部分Ｘが小さいときには、図２０（ｂ）
のＢに示すように、多結晶シリコン電極１１下にポテン
シャル障壁が形成されており、いずれの場合においても
光電変換部から電荷転送部へのスムーズな電荷の転送が
阻害されるという欠点があった。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、第１導
電型半導体層上にリソグラフィー技術を用いてマスク材
を形成する工程と、前記マスク材をマスクに光電変換部
となる第２導電型半導体領域を第１の入射角で第１のイ
オン注入にて形成する工程と、前記第２導電型半導体領
域の表面に前記第２導電型半導体領域に対して所望の距
離シフトさせた第１導電型半導体薄領域を前記マスク材
をマスクにして前記第１の入射角とは異なる第２の入射
角で第２のイオン注入を行うことによって自己整合的に
形成する工程とを具備する固体撮像装置の製造方法を得
る。
電型半導体層上にリソグラフィー技術を用いてマスク材
を形成する工程と、前記マスク材をマスクに光電変換部
となる第２導電型半導体領域を第１の入射角で第１のイ
オン注入にて形成する工程と、前記第２導電型半導体領
域の表面に前記第２導電型半導体領域に対して所望の距
離シフトさせた第１導電型半導体薄領域を前記マスク材
をマスクにして前記第１の入射角とは異なる第２の入射
角で第２のイオン注入を行うことによって自己整合的に
形成する工程とを具備する固体撮像装置の製造方法を得
る。
【００１６】
【実施例】次に、本発明を図面を参照して説明する。
【００１７】図１〜図９は、本発明の第１の実施例であ
る埋め込み型フォトダイオードを光電変換部に用いた固
体撮像装置の製造工程を示すセル部の断面図である。
る埋め込み型フォトダイオードを光電変換部に用いた固
体撮像装置の製造工程を示すセル部の断面図である。
【００１８】まず、Ｎ型半導体基板１上にＰ型ウエル層
２を形成する（図１）。
２を形成する（図１）。
【００１９】続いて、半導体基板１上にシリコン酸化膜
３を約６０ｎｍ、シリコン窒化膜４を約１２０ｎｍ順に
成長させ、その上にフォトレジスト５ａを塗布しこれに
露光・現像処理を施した後、プラズマエッチング法を用
いて光電変換部となる部分のシリコン窒化膜４を除去す
る（図２）。
３を約６０ｎｍ、シリコン窒化膜４を約１２０ｎｍ順に
成長させ、その上にフォトレジスト５ａを塗布しこれに
露光・現像処理を施した後、プラズマエッチング法を用
いて光電変換部となる部分のシリコン窒化膜４を除去す
る（図２）。
【００２０】次に、約１．１μｍの厚さのフォトレジス
ト５ａとシリコン酸化膜４とをマスクとしてイオン注入
（例えば４．００×１０12ｃｍ-2のリン）を行い光電変
換部のＮ型領域６を形成する（図３）。
ト５ａとシリコン酸化膜４とをマスクとしてイオン注入
（例えば４．００×１０12ｃｍ-2のリン）を行い光電変
換部のＮ型領域６を形成する（図３）。
【００２１】次に、フォトレジスト５ａをウエットエッ
チング法により除去した後、約４０°の角度でイオン注
入（例えば１．００×１０13ｃｍ-2のボロン）を行い光
電変換部の表面に浅い第１のＰ+ 型領域７を形成する
（図４）。
チング法により除去した後、約４０°の角度でイオン注
入（例えば１．００×１０13ｃｍ-2のボロン）を行い光
電変換部の表面に浅い第１のＰ+ 型領域７を形成する
（図４）。
【００２２】次に、シリコン窒化膜４をウエットエッチ
ング法により除去した後、フォトリソグラフィー技術を
用いて電荷転送部以外をフォトレジスト５ｂで被覆し、
これをマスクにイオン注入を行い電荷転送部のＮ型領域
８を形成する（図５）。
ング法により除去した後、フォトリソグラフィー技術を
用いて電荷転送部以外をフォトレジスト５ｂで被覆し、
これをマスクにイオン注入を行い電荷転送部のＮ型領域
８を形成する（図５）。
【００２３】次に、フォトリソグラフィー技術を用いて
電荷読み出し部、光電変換部を及び電荷転送部フォトレ
ジスト５ｃで被覆し、これをマスクにイオン注入を行い
素子分離部となるＰ+ 型領域９を形成する（図６）。
電荷読み出し部、光電変換部を及び電荷転送部フォトレ
ジスト５ｃで被覆し、これをマスクにイオン注入を行い
素子分離部となるＰ+ 型領域９を形成する（図６）。
【００２４】次に、フォトレジスト５ｃを除去し、シリ
コン酸化膜３をエッチング除去した後、熱酸化により第
１のゲート絶縁膜（図示せず）を形成し、減圧ＣＶＤ法
により多結晶シリコン膜を堆積し、これにフォトリソグ
ラフィー技術及びドライエッチング法を適用して、電荷
転送を行うための第１の多結晶シリコン電極（図示せ
ず）を形成する。第１の多結晶シリコン電極をマスクと
して第１のゲート絶縁膜をエッチング除去し、新たに熱
酸化を行って第２のゲート絶縁膜１０を形成した後、第
１の多結晶シリコン電極を形成したのと同様の手法を用
いて、光電変換部から電荷転送部への信号電荷の読みだ
し及び電荷転送を行う第２の多結晶シリコン電極１１を
形成する（図７）。
コン酸化膜３をエッチング除去した後、熱酸化により第
１のゲート絶縁膜（図示せず）を形成し、減圧ＣＶＤ法
により多結晶シリコン膜を堆積し、これにフォトリソグ
ラフィー技術及びドライエッチング法を適用して、電荷
転送を行うための第１の多結晶シリコン電極（図示せ
ず）を形成する。第１の多結晶シリコン電極をマスクと
して第１のゲート絶縁膜をエッチング除去し、新たに熱
酸化を行って第２のゲート絶縁膜１０を形成した後、第
１の多結晶シリコン電極を形成したのと同様の手法を用
いて、光電変換部から電荷転送部への信号電荷の読みだ
し及び電荷転送を行う第２の多結晶シリコン電極１１を
形成する（図７）。
【００２５】更に、露出している第２のゲート絶縁膜１
０をエッチング除去し、更に熱酸化を行いシリコン酸化
膜１２を形成してから多結晶シリコン電極１１をマスク
としてイオン注入を行い、光電変換部の表面に浅い第２
のＰ+ 型領域１３を形成する（図８）。
０をエッチング除去し、更に熱酸化を行いシリコン酸化
膜１２を形成してから多結晶シリコン電極１１をマスク
としてイオン注入を行い、光電変換部の表面に浅い第２
のＰ+ 型領域１３を形成する（図８）。
【００２６】最後に、層間絶縁膜１４形成した後、第１
及び第２の多結晶シリコン電極上にコンタクトホール
（図示せず）を開口し、遮光膜１５と配線膜（図示ぜ
ず）を兼ねる金属膜をフォトリソグラフィー技術及びド
ライエッチング法を適用して形成することにより、本発
明の第１の実施例の埋め込みフォトダイオード光電変換
部として有する固体撮像装置が得られる（図９）。
及び第２の多結晶シリコン電極上にコンタクトホール
（図示せず）を開口し、遮光膜１５と配線膜（図示ぜ
ず）を兼ねる金属膜をフォトリソグラフィー技術及びド
ライエッチング法を適用して形成することにより、本発
明の第１の実施例の埋め込みフォトダイオード光電変換
部として有する固体撮像装置が得られる（図９）。
【００２７】尚、本実施例においては、上述した光電変
換部の浅い第２のＰ+ 型領域１３は第１のＰ+ 型領域７
の濃度補償用であり、特に必要でない場合は削除可能で
ある。次に、図１０（ａ）〜（ｃ）を参照して本発明の
第２の実施例について説明する。
換部の浅い第２のＰ+ 型領域１３は第１のＰ+ 型領域７
の濃度補償用であり、特に必要でない場合は削除可能で
ある。次に、図１０（ａ）〜（ｃ）を参照して本発明の
第２の実施例について説明する。
【００２８】この実施例では、図３に示した工程までは
先の実施例と同様の工程を経る。図３の工程が終了した
状態を図１０（ａ）に示す。
先の実施例と同様の工程を経る。図３の工程が終了した
状態を図１０（ａ）に示す。
【００２９】次に、約７°の角度でイオン注入（例えば
１．００×１０13ｃｍ-2のボロン）を行い光電変換部の
表面に浅い第１のＰ+ 型領域７を形成する（図１０
（ｂ））。次に、フォトレジスト５ａ及びシリコン窒化
膜４をウエットエッチング法により除去した後、フォト
リソグラフィー技術を用いて電荷転送部以外をフォトレ
ジスト５ｂで被覆し、これをマスクにイオン注入を行い
電荷転送部のＮ型領域８を形成する（図３）。
１．００×１０13ｃｍ-2のボロン）を行い光電変換部の
表面に浅い第１のＰ+ 型領域７を形成する（図１０
（ｂ））。次に、フォトレジスト５ａ及びシリコン窒化
膜４をウエットエッチング法により除去した後、フォト
リソグラフィー技術を用いて電荷転送部以外をフォトレ
ジスト５ｂで被覆し、これをマスクにイオン注入を行い
電荷転送部のＮ型領域８を形成する（図３）。
【００３０】この後、図６〜図８に示した工程を、先の
実施例と同様にして経ることにより、本発明の第２の実
施例の埋め込みフォトダイオードを光電変換部として有
する固体撮像装置が得られる。
実施例と同様にして経ることにより、本発明の第２の実
施例の埋め込みフォトダイオードを光電変換部として有
する固体撮像装置が得られる。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の固体撮像
装置は、第１導電型半導体層の表面領域内に形成された
表面に第１導電型半導体薄領域と第２導電型半導体領域
を有する光電変換部と、前記第１導電型半導体層の表面
領域内に形成された、前記光電変換部において発生した
信号電荷の転送をつかさどる電荷転送部と、前記第１導
電型半導体層の表面領域内に設けられた前記光電変換部
から信号電荷を前記電荷転送部へ読み出すための信号電
荷読みだし部とが設けられ、前記第１導電型半導体薄領
域が第２導電型半導体領域に対して、同一のマスク材に
対してイオン注入の入射角を制御することにより所望の
距離（好ましくは約０．１５μｍ）をおいて自己整合的
に形成されている光電変換部を有しているので、本発明
によれば、光電変換部を構成する第２導電型半導体領域
及び前記第２導電型半導体領域の表面を覆う第１導電型
半導体薄領域の位置関係を正確に設定することができる
ため、光電変換部から信号電荷を前記電荷転送部へ読み
出すための信号電荷読みだし部の電極と光電変換部を構
成する第２導電型半導体領域との重なり寸法を正確に設
定することができる。
装置は、第１導電型半導体層の表面領域内に形成された
表面に第１導電型半導体薄領域と第２導電型半導体領域
を有する光電変換部と、前記第１導電型半導体層の表面
領域内に形成された、前記光電変換部において発生した
信号電荷の転送をつかさどる電荷転送部と、前記第１導
電型半導体層の表面領域内に設けられた前記光電変換部
から信号電荷を前記電荷転送部へ読み出すための信号電
荷読みだし部とが設けられ、前記第１導電型半導体薄領
域が第２導電型半導体領域に対して、同一のマスク材に
対してイオン注入の入射角を制御することにより所望の
距離（好ましくは約０．１５μｍ）をおいて自己整合的
に形成されている光電変換部を有しているので、本発明
によれば、光電変換部を構成する第２導電型半導体領域
及び前記第２導電型半導体領域の表面を覆う第１導電型
半導体薄領域の位置関係を正確に設定することができる
ため、光電変換部から信号電荷を前記電荷転送部へ読み
出すための信号電荷読みだし部の電極と光電変換部を構
成する第２導電型半導体領域との重なり寸法を正確に設
定することができる。
【００３２】したがって、本発明によれば、従来例の場
合に問題となったフォトリソグラフィー工程における位
置合わせ誤差や加工時の電極寸法誤差によって前記電極
下に生じるポテンシャル井戸やポテンシャル障壁を防止
することができ、光電変換部からの信号電荷の読み出し
を効率良く行うことができる、つまり読みだし電圧を安
定化できるため、図１０に示すように設計上のマージン
を十分に確保することができるという効果を有する。
合に問題となったフォトリソグラフィー工程における位
置合わせ誤差や加工時の電極寸法誤差によって前記電極
下に生じるポテンシャル井戸やポテンシャル障壁を防止
することができ、光電変換部からの信号電荷の読み出し
を効率良く行うことができる、つまり読みだし電圧を安
定化できるため、図１０に示すように設計上のマージン
を十分に確保することができるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１〜図９】（ａ）〜（ｈ）は本発明の第１の実施例
を工程順に示す断面図。
を工程順に示す断面図。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２の実施例の一
部を工程順に示す断面図。
部を工程順に示す断面図。
【図１１】本発明の効果を示す図。
【図１２〜図１９】（ａ）〜（ｈ）は従来技術の一例を
工程順に示す断面図。
工程順に示す断面図。
【図２０】（ａ）は従来例の断面図と（ｂ）はそのポテ
ンシャル分布図。
ンシャル分布図。
【図２１】（ａ）は従来例の断面図と（ｂ）はそのポテ
ンシャル分布図。
ンシャル分布図。
１ Ｎ型半導体基板 ２ Ｐ型ウエル層 ３ シリコン酸化膜 ４ シリコン窒化膜 ５ フォトレジスト ６ 光電変換部のＮ型領域 ７ 浅い第１のＰ+ 型領域 ８ 電荷転送部のＮ型領域 ９ 素子分離部となるＰ+ 型領域 １０ 第２のゲート絶縁膜 １１ 第２の多結晶シリコン電極 １２ シリコン酸化膜 １３ 浅い第２のＰ+ 型領域 １４ 層間絶縁膜 １５ 遮光膜
Claims (4)
- 【請求項１】 第１導電型半導体層上にリソグラフィー
技術を用いてマスク材を形成する工程と、前記マスク材
をマスクに光電変換部となる第２導電型半導体領域を第
１の入射角で第１のイオン注入にて形成する工程と、前
記第２導電型半導体領域の表面に前記第２導電型半導体
領域に対して所望の距離シフトさせた第１導電型半導体
薄領域を前記マスク材をマスクにして前記第１の入射角
とは異なる第２の入射角で第２のイオン注入を行うこと
によって自己整合的に形成する工程とを具備する固体撮
像装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記固体撮像装置は、さらに、前記光電
変換部において発生した信号電荷の転送をつかさどる電
荷転送部と、前記光電変換部から信号電荷を前記電荷転
送部へ読み出すための信号電荷読みだし部とを前記第１
導電型半導体層内に形成した固体撮像装置であって、 前記第２の入射角を前記第１の入射角より前記信号電荷
読みだし部側に傾いた入射角としたことを特徴とする請
求項１記載の固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記マスク材がフォトレジスト，シリコ
ン酸化膜，シリコン窒化膜、もしくはその組合せにて形
成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の固
体撮像装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記第１導電型半導体層が第２導電型半
導体基板上に形成されることを特徴とする請求項１乃至
３いずれか１項記載の固体撮像装置の製造方法。
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| JP3338658A JP2970158B2 (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | 固体撮像装置の製造方法 |
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| JP3338658A JP2970158B2 (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | 固体撮像装置の製造方法 |
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| IT1289524B1 (it) | 1996-12-24 | 1998-10-15 | Sgs Thomson Microelectronics | Cella di memoria per dispositivi di tipo eeprom e relativo processo di fabbricazione |
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| NL1011381C2 (nl) | 1998-02-28 | 2000-02-15 | Hyundai Electronics Ind | Fotodiode voor een CMOS beeldsensor en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. |
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| KR100446319B1 (ko) * | 2002-01-10 | 2004-09-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이미지센서 및 그 제조 방법 |
| JP2010021253A (ja) * | 2008-07-09 | 2010-01-28 | Renesas Technology Corp | 固体撮像素子の製造方法 |
| TWI419203B (zh) | 2008-10-16 | 2013-12-11 | Sumco Corp | 具吸附槽之固態攝影元件用磊晶基板、半導體裝置、背照式固態攝影元件及其製造方法 |
| JP2010098105A (ja) * | 2008-10-16 | 2010-04-30 | Sumco Corp | 固体撮像素子用エピタキシャル基板の製造方法、固体撮像素子用エピタキシャル基板 |
| JP2010287610A (ja) * | 2009-06-09 | 2010-12-24 | Panasonic Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
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| JPS6239055A (ja) * | 1985-08-13 | 1987-02-20 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子 |
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- 1991-12-20 JP JP3338658A patent/JP2970158B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-12-17 KR KR1019920024555A patent/KR0133950B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1993
- 1993-10-18 US US08/137,219 patent/US5567632A/en not_active Expired - Lifetime
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|---|---|
| KR0133950B1 (ko) | 1998-04-20 |
| US5567632A (en) | 1996-10-22 |
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