JP2000022119A - 固体撮像デバイス及びその製造方法 - Google Patents
固体撮像デバイス及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2000022119A JP2000022119A JP10320440A JP32044098A JP2000022119A JP 2000022119 A JP2000022119 A JP 2000022119A JP 10320440 A JP10320440 A JP 10320440A JP 32044098 A JP32044098 A JP 32044098A JP 2000022119 A JP2000022119 A JP 2000022119A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- region
- shielding layer
- gate
- imaging device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 239000007787 solid Substances 0.000 title 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 31
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 27
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 10
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
- H01L27/14843—Interline transfer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14623—Optical shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14687—Wafer level processing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14692—Thin film technologies, e.g. amorphous, poly, micro- or nanocrystalline silicon
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 スミア現象の発生とノイズ電荷のフォトダイ
オードへの流れ込みとを防止して素子の特性を向上させ
る。 【解決手段】 マトリックス状に配列されたフォトダイ
オードの表面にゲート絶縁膜を形成させす、かつ、トラ
ンスファーゲートを覆う遮光層をフォトダイオードと接
触させるようにしたことを特徴とする。
オードへの流れ込みとを防止して素子の特性を向上させ
る。 【解決手段】 マトリックス状に配列されたフォトダイ
オードの表面にゲート絶縁膜を形成させす、かつ、トラ
ンスファーゲートを覆う遮光層をフォトダイオードと接
触させるようにしたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は固体撮像デバイス及
びその製造方法に関し、特にスミア現象の発生とノイズ
電荷のフォトダイオードへの流れ込みとを防止してデバ
イスの特性を向上させた固体撮像デバイス及びその製造
方法に関する。
びその製造方法に関し、特にスミア現象の発生とノイズ
電荷のフォトダイオードへの流れ込みとを防止してデバ
イスの特性を向上させた固体撮像デバイス及びその製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１は一般的な固体撮像デバイスのレイ
アウト図であり、図２は従来の固体撮像デバイスを示す
構造断面図であり、図３〜図４は従来の固体撮像デバイ
スの製造方法を示す工程断面図である。一般に、固体撮
像デバイスは、図１に示すように、光信号を電気的な映
像電荷信号に変換する複数のフォトダイオード領域３０
０と、フォトダイオード３００により形成される映像電
荷を垂直方向に伝送する垂直電荷伝送領域４００と、垂
直電荷伝送領域４００により垂直方向に伝送された映像
電荷を水平方向に伝送する水平電荷伝送領域５００と、
水平電荷伝送領域５００により水平方向に伝送された映
像信号電荷をセンシングするセンスアンプ６００とから
構成される。
アウト図であり、図２は従来の固体撮像デバイスを示す
構造断面図であり、図３〜図４は従来の固体撮像デバイ
スの製造方法を示す工程断面図である。一般に、固体撮
像デバイスは、図１に示すように、光信号を電気的な映
像電荷信号に変換する複数のフォトダイオード領域３０
０と、フォトダイオード３００により形成される映像電
荷を垂直方向に伝送する垂直電荷伝送領域４００と、垂
直電荷伝送領域４００により垂直方向に伝送された映像
電荷を水平方向に伝送する水平電荷伝送領域５００と、
水平電荷伝送領域５００により水平方向に伝送された映
像信号電荷をセンシングするセンスアンプ６００とから
構成される。
【０００３】従来の固体撮像デバイスは、図２に示すよ
うに、ｎ型半導体基板１１の表面部分にｐ型ウェル１２
が形成され、デバイスの光信号を電気的な信号に変え
る、ＰＤ−Ｎ領域１３とＰＤ−Ｐ領域１９とから形成さ
れたフォトダイオードがｐ型ウェル１２の表面部分に形
成されている。フォトダイオードの両側にフォトダイオ
ードから離して垂直電荷伝送領域１４が形成され、フォ
トダイオードの周囲にはチャネルストップ層１５が形成
されている。ただし、このチャネルストップ層１５はフ
ォトダイオードとそれに隣接する垂直電荷伝送領域１４
の一方との間には形成させない。フォトダイオード、垂
直電荷伝送領域１４、チャネルストップ層１５を形成さ
せた基板１１の上にゲート絶縁膜１６が一様な厚さに形
成されている。このゲート絶縁膜１６の上のフォトダイ
オードを形成させた箇所以外、具体的には垂直電荷伝送
領域１４の上にトランスファゲート１７が形成され、そ
れを囲むように第一絶縁膜１８が形成されている。これ
らが形成された基板の表面に第２絶縁膜２０が形成さ
れ、その上にトランスファゲート１７を囲むように金属
遮光層２１が形成され、その上に全体を覆うように第３
絶縁膜２２が形成されている。いうまでもなく、金属遮
光層２１はフォトダイオードの箇所、すなわち光電変換
領域を覆うことはない。
うに、ｎ型半導体基板１１の表面部分にｐ型ウェル１２
が形成され、デバイスの光信号を電気的な信号に変え
る、ＰＤ−Ｎ領域１３とＰＤ−Ｐ領域１９とから形成さ
れたフォトダイオードがｐ型ウェル１２の表面部分に形
成されている。フォトダイオードの両側にフォトダイオ
ードから離して垂直電荷伝送領域１４が形成され、フォ
トダイオードの周囲にはチャネルストップ層１５が形成
されている。ただし、このチャネルストップ層１５はフ
ォトダイオードとそれに隣接する垂直電荷伝送領域１４
の一方との間には形成させない。フォトダイオード、垂
直電荷伝送領域１４、チャネルストップ層１５を形成さ
せた基板１１の上にゲート絶縁膜１６が一様な厚さに形
成されている。このゲート絶縁膜１６の上のフォトダイ
オードを形成させた箇所以外、具体的には垂直電荷伝送
領域１４の上にトランスファゲート１７が形成され、そ
れを囲むように第一絶縁膜１８が形成されている。これ
らが形成された基板の表面に第２絶縁膜２０が形成さ
れ、その上にトランスファゲート１７を囲むように金属
遮光層２１が形成され、その上に全体を覆うように第３
絶縁膜２２が形成されている。いうまでもなく、金属遮
光層２１はフォトダイオードの箇所、すなわち光電変換
領域を覆うことはない。
【０００４】次ぎに、この従来の固体撮像デバイスの製
造方法を図３、４に基づいて説明する。図３ａに示すよ
うに、ｎ型半導体基板１１の表面内の所定領域に選択的
にｐ型不純物イオンを注入しドライブイン拡散を行うこ
とにより、ｐ型ウェル１２を形成する。図３ｂに示すよ
うに、ｐ型ウェル１２の表面内の光電変換領域にｎ型不
純物イオンを注入し、ドライブイン拡散を行うことによ
りＰＤ−Ｎ領域１３を形成する。そして、ＰＤ−Ｎ領域
１３の両側にＰＤ−Ｎ領域１３から離した位置に高濃度
のｎ型不純物イオンを注入し、ドライブイン拡散を行う
ことにより、垂直電荷伝送領域１４を形成する。
造方法を図３、４に基づいて説明する。図３ａに示すよ
うに、ｎ型半導体基板１１の表面内の所定領域に選択的
にｐ型不純物イオンを注入しドライブイン拡散を行うこ
とにより、ｐ型ウェル１２を形成する。図３ｂに示すよ
うに、ｐ型ウェル１２の表面内の光電変換領域にｎ型不
純物イオンを注入し、ドライブイン拡散を行うことによ
りＰＤ−Ｎ領域１３を形成する。そして、ＰＤ−Ｎ領域
１３の両側にＰＤ−Ｎ領域１３から離した位置に高濃度
のｎ型不純物イオンを注入し、ドライブイン拡散を行う
ことにより、垂直電荷伝送領域１４を形成する。
【０００５】図３ｃに示すように、ＰＤ−Ｎ領域１３と
一方の側の垂直電荷伝送領域１４との間を除いた、ＰＤ
−Ｎ領域１３のまわりに、ＰＤ−Ｎ領域１３よりも低い
エネルギーで高濃度のｐ型不純物イオンを注入しドライ
ブイン拡散することによりチャネルストップ層１５を形
成する。そして、ＰＤ−Ｎ領域１３、垂直電荷伝送領域
１４及びチャネルストップ層１５が形成された半導体基
板１１の全面にゲート絶縁膜１６を形成する。図４ｄに
示すように、ゲート絶縁膜１６上に多結晶シリコン、第
１感光膜を順次に形成し、垂直電荷伝送領域１４の上側
のみに第１感光膜が残るように選択的に露光及び現像す
る。次いで、選択的に露光及び現像された第１感光膜を
マスクにして多結晶シリコンを選択的にエッチングして
トランスファゲート１７を形成した後、第１感光膜を除
去する。そして、全面の熱酸化工程によりトランスファ
ゲート１７の表面上に第２絶縁膜１８を成長させる。
一方の側の垂直電荷伝送領域１４との間を除いた、ＰＤ
−Ｎ領域１３のまわりに、ＰＤ−Ｎ領域１３よりも低い
エネルギーで高濃度のｐ型不純物イオンを注入しドライ
ブイン拡散することによりチャネルストップ層１５を形
成する。そして、ＰＤ−Ｎ領域１３、垂直電荷伝送領域
１４及びチャネルストップ層１５が形成された半導体基
板１１の全面にゲート絶縁膜１６を形成する。図４ｄに
示すように、ゲート絶縁膜１６上に多結晶シリコン、第
１感光膜を順次に形成し、垂直電荷伝送領域１４の上側
のみに第１感光膜が残るように選択的に露光及び現像す
る。次いで、選択的に露光及び現像された第１感光膜を
マスクにして多結晶シリコンを選択的にエッチングして
トランスファゲート１７を形成した後、第１感光膜を除
去する。そして、全面の熱酸化工程によりトランスファ
ゲート１７の表面上に第２絶縁膜１８を成長させる。
【０００６】図４ｅに示すように、光電変換領域のｐ型
ウェル１２の表面内に、チャネルストップ層１５よりも
低いエネルギーで高濃度のｐ型不純物イオンを注入しド
ライブイン拡散を行うことにより、薄いＰＤ−Ｐ領域１
９を形成する。これにより、ＰＤ−Ｎ領域１３とＰＤ−
Ｐ領域１９とからなるフォトダイオードが形成される。
そして、第２絶縁膜１８を含む全面に順次に第３絶縁膜
２０、金属遮光層２１を形成する。図４ｆに示すよう
に、金属遮光層２１上に第２感光膜を塗布し、フォトダ
イオードの上側の第２感光膜が除去されるよう選択的に
露光及び現像する。次いで、選択的に露光及び現像され
た第２感光膜をマスクにして金属遮光層２１をエッチン
グした後、第２感光膜を除去する。そして、選択的にエ
ッチングされた金属遮光層２１を含む全面に第３絶縁膜
２２を形成する。
ウェル１２の表面内に、チャネルストップ層１５よりも
低いエネルギーで高濃度のｐ型不純物イオンを注入しド
ライブイン拡散を行うことにより、薄いＰＤ−Ｐ領域１
９を形成する。これにより、ＰＤ−Ｎ領域１３とＰＤ−
Ｐ領域１９とからなるフォトダイオードが形成される。
そして、第２絶縁膜１８を含む全面に順次に第３絶縁膜
２０、金属遮光層２１を形成する。図４ｆに示すよう
に、金属遮光層２１上に第２感光膜を塗布し、フォトダ
イオードの上側の第２感光膜が除去されるよう選択的に
露光及び現像する。次いで、選択的に露光及び現像され
た第２感光膜をマスクにして金属遮光層２１をエッチン
グした後、第２感光膜を除去する。そして、選択的にエ
ッチングされた金属遮光層２１を含む全面に第３絶縁膜
２２を形成する。
【０００７】かかる従来の固体撮像デバイスの動作につ
いて説明する。従来の固体撮像デバイスは、フォトダイ
オードで蓄積された信号電荷が、トランスファゲート１
７に印加されるクロック信号に基づいて垂直電荷伝送領
域１４へ転送されて垂直方向に移動する。そして、正孔
はＰＤ−Ｐ領域１９で消滅される。ＰＤ−Ｎ領域１３は
本来フローティングされている。しかしながら、トラン
スファゲート１７にハイクロック信号が印加されると、
ＰＤ−Ｎ領域１３の信号電荷が垂直電荷伝送領域１４へ
転送されて電子を全て失うため、ＰＤ−Ｎ領域１３はピ
ンチオフ状態とされる。このピンチオフ状態で再び信号
電荷が発生するとＰＤ−Ｎ領域１３の電位が上がるが、
ｐ型ウェル１２のサドルポテンシャル(saddle potentia
l)Ｖｓｄｌ以上には上がれない。そして、垂直電荷伝送
領域１４は、ＰＤ−Ｎ領域１３のピンチオフ電位にトラ
ンスファゲート１７の電圧が加えられることでかなり高
い電位となる。その際、トランスファゲート１７には高
い電圧が印加されるが、これは、デバイスが深いディプ
リーションモードで動作するからである。
いて説明する。従来の固体撮像デバイスは、フォトダイ
オードで蓄積された信号電荷が、トランスファゲート１
７に印加されるクロック信号に基づいて垂直電荷伝送領
域１４へ転送されて垂直方向に移動する。そして、正孔
はＰＤ−Ｐ領域１９で消滅される。ＰＤ−Ｎ領域１３は
本来フローティングされている。しかしながら、トラン
スファゲート１７にハイクロック信号が印加されると、
ＰＤ−Ｎ領域１３の信号電荷が垂直電荷伝送領域１４へ
転送されて電子を全て失うため、ＰＤ−Ｎ領域１３はピ
ンチオフ状態とされる。このピンチオフ状態で再び信号
電荷が発生するとＰＤ−Ｎ領域１３の電位が上がるが、
ｐ型ウェル１２のサドルポテンシャル(saddle potentia
l)Ｖｓｄｌ以上には上がれない。そして、垂直電荷伝送
領域１４は、ＰＤ−Ｎ領域１３のピンチオフ電位にトラ
ンスファゲート１７の電圧が加えられることでかなり高
い電位となる。その際、トランスファゲート１７には高
い電圧が印加されるが、これは、デバイスが深いディプ
リーションモードで動作するからである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の固体撮
像デバイス及びその製造方法には次のような問題点があ
った。フォトダイオードの表面が工程中で損傷又は重金
属汚染されると、ノイズ電荷が発生してフォトダイオー
ドへ流入される。フォトダイオードを含む半導体基板上
にゲート絶縁膜を形成するため、入射光がゲート絶縁膜
を介して垂直電荷伝送領域に直接に流れ込んでスミア現
象が生じる。本発明は上記の問題点を解決するためにな
されたものであり、その目的とするところは、スミア現
象の発生とノイズ電荷のフォトダイオードへの流れ込み
とを防止してデバイスの特性を向上させた固体撮像デバ
イス及びその製造方法を提供することにある。
像デバイス及びその製造方法には次のような問題点があ
った。フォトダイオードの表面が工程中で損傷又は重金
属汚染されると、ノイズ電荷が発生してフォトダイオー
ドへ流入される。フォトダイオードを含む半導体基板上
にゲート絶縁膜を形成するため、入射光がゲート絶縁膜
を介して垂直電荷伝送領域に直接に流れ込んでスミア現
象が生じる。本発明は上記の問題点を解決するためにな
されたものであり、その目的とするところは、スミア現
象の発生とノイズ電荷のフォトダイオードへの流れ込み
とを防止してデバイスの特性を向上させた固体撮像デバ
イス及びその製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、トランスファ
ゲートを覆う遮光層をフォトダイオードと接触させノイ
ズ電荷をその遮光層を介して消滅させるようにするとと
もに、フォトダイオード上のゲート絶縁膜を除去するよ
うにしたことを特徴とするものである。遮光層は金属膜
で形成させることが望ましい。さらに具体的には、半導
体基板と、半導体基板にマトリックス状に配列される多
数の光電変換素子と、光電変換素子の列の間に一方向に
形成される多数の電荷伝送領域と、各光電変換素子の表
面を除いた半導体基板上に形成されるゲート絶縁膜と、
ゲート絶縁膜上に形成されるトランスファゲートと、各
トランスファゲートの表面上に形成される第１絶縁膜
と、第１絶縁膜の両側に形成される第２絶縁膜と、第
１、第２絶縁膜上に形成され、各光電変換素子の端部と
連結される遮光層と、各光電変換素子を含む遮光層上に
形成される第３絶縁膜とを備えることを特徴とする。
ゲートを覆う遮光層をフォトダイオードと接触させノイ
ズ電荷をその遮光層を介して消滅させるようにするとと
もに、フォトダイオード上のゲート絶縁膜を除去するよ
うにしたことを特徴とするものである。遮光層は金属膜
で形成させることが望ましい。さらに具体的には、半導
体基板と、半導体基板にマトリックス状に配列される多
数の光電変換素子と、光電変換素子の列の間に一方向に
形成される多数の電荷伝送領域と、各光電変換素子の表
面を除いた半導体基板上に形成されるゲート絶縁膜と、
ゲート絶縁膜上に形成されるトランスファゲートと、各
トランスファゲートの表面上に形成される第１絶縁膜
と、第１絶縁膜の両側に形成される第２絶縁膜と、第
１、第２絶縁膜上に形成され、各光電変換素子の端部と
連結される遮光層と、各光電変換素子を含む遮光層上に
形成される第３絶縁膜とを備えることを特徴とする。
【００１０】本発明の固体撮像デバイスの製造方法は、
第１導電型の半導体基板の表面部に第２導電型ウェルを
形成し、ウェルのマトリックス状に配置された光電変換
領域に第１導電型第１不純物領域を形成し、光電変換領
域の列の間に一方向に垂直電荷伝送領域を形成し、基板
上にゲート絶縁膜を形成し、垂直電荷伝送領域の上側の
ゲート絶縁膜上にトランスファゲートを形成し、トラン
スファゲートの表面にそれを覆うように第１絶縁膜を形
成し、第１不純物領域の表面部に第２導電型第２不純物
領域を形成し、基板表面に第２絶縁膜を形成し、トラン
スファーゲートの側面に第２絶縁膜を残し、かつトラン
スファーゲートの下側と第２絶縁膜の下側にゲート絶縁
膜を残して他の第２絶縁膜とゲート絶縁膜を除去し、ト
ランスファゲートを覆っている第１、第２絶縁膜上に光
電変換素子と連結させて遮光層を形成し、光電変換素子
を含む遮光層上に第３絶縁膜を形成することを特徴とす
る。
第１導電型の半導体基板の表面部に第２導電型ウェルを
形成し、ウェルのマトリックス状に配置された光電変換
領域に第１導電型第１不純物領域を形成し、光電変換領
域の列の間に一方向に垂直電荷伝送領域を形成し、基板
上にゲート絶縁膜を形成し、垂直電荷伝送領域の上側の
ゲート絶縁膜上にトランスファゲートを形成し、トラン
スファゲートの表面にそれを覆うように第１絶縁膜を形
成し、第１不純物領域の表面部に第２導電型第２不純物
領域を形成し、基板表面に第２絶縁膜を形成し、トラン
スファーゲートの側面に第２絶縁膜を残し、かつトラン
スファーゲートの下側と第２絶縁膜の下側にゲート絶縁
膜を残して他の第２絶縁膜とゲート絶縁膜を除去し、ト
ランスファゲートを覆っている第１、第２絶縁膜上に光
電変換素子と連結させて遮光層を形成し、光電変換素子
を含む遮光層上に第３絶縁膜を形成することを特徴とす
る。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の固体撮像デバイス
及びその製造方法を好ましい実施形態に基づいて説明す
る。図５は本発明の実施形態による固体撮像デバイスの
構造断面図であり、図６〜図７は本発明の実施形態によ
る固体撮像デバイスの製造方法を示す工程断面図であ
る。本発明の実施形態による固体撮像デバイスは、従来
同様に第１導電型（ｎ型）半導体基板３１の表面部にｐ
型の第２導電型ウェル３２が形成されている。そのウェ
ル３２の所定の箇所、すなわち光電変換領域にＰＤ−Ｎ
領域とＰＤ−Ｐ領域３９とから形成されて光信号を電気
的な信号に変換する、つまり光電変換素子５０であるフ
ォトダイオードが形成されている。このフォトダイオー
ドは基板表面部に縦横にマトリクス状に配列されている
のは従来と特に変わらない。同様にフォトダイオードの
列の間に垂直電荷伝送領域３４が形成され、ウェル内に
フォトダイオードの側面を囲むようにチャネルストップ
層３５が形成されている。ただし、いうまでもなく、隣
接した一方の垂直電荷伝送領域３４との間にはチャネル
ストップ層３５を形成させない。上記した構造に形成さ
れた基板の上にゲート絶縁膜３６が形成されているが、
本実施形態はフォトダイオードの上側とその両側のトラ
ンスファーゲートとの間には形成されていない。このゲ
ート絶縁膜３６は、トランスファーゲート３７と、それ
を囲むように形成された第１絶縁膜３８と、トランスフ
ァーゲート３７の側面に側壁状に形成された第２絶縁膜
４０の下側にだけ形成されている。トランスファーゲー
ト、第１、第２絶縁膜３８、４０を囲み、さらに基板表
面のフォトトランジスタの箇所までの部分を覆うように
遮光層４１が形成されている。この遮光層４１は導電性
の材料である金属膜で形成させ、その端部をフォトダイ
オードのＰＤ−Ｐ領域３９と接触させる。それらが形成
された基板全面を第３絶縁膜４２で覆っている。特に図
示しないが、本実施形態は、遮光層４１を接地端子（図
示せず）に連結又は出力ゲート（図示せず）に連結す
る。或いは、０〜正の電圧が遮光層４１に印加されるよ
うに、遮光層４０を接地端子に連結し、遮光層４１と接
地端子との間にインバータ（図示せず）を構成する。
及びその製造方法を好ましい実施形態に基づいて説明す
る。図５は本発明の実施形態による固体撮像デバイスの
構造断面図であり、図６〜図７は本発明の実施形態によ
る固体撮像デバイスの製造方法を示す工程断面図であ
る。本発明の実施形態による固体撮像デバイスは、従来
同様に第１導電型（ｎ型）半導体基板３１の表面部にｐ
型の第２導電型ウェル３２が形成されている。そのウェ
ル３２の所定の箇所、すなわち光電変換領域にＰＤ−Ｎ
領域とＰＤ−Ｐ領域３９とから形成されて光信号を電気
的な信号に変換する、つまり光電変換素子５０であるフ
ォトダイオードが形成されている。このフォトダイオー
ドは基板表面部に縦横にマトリクス状に配列されている
のは従来と特に変わらない。同様にフォトダイオードの
列の間に垂直電荷伝送領域３４が形成され、ウェル内に
フォトダイオードの側面を囲むようにチャネルストップ
層３５が形成されている。ただし、いうまでもなく、隣
接した一方の垂直電荷伝送領域３４との間にはチャネル
ストップ層３５を形成させない。上記した構造に形成さ
れた基板の上にゲート絶縁膜３６が形成されているが、
本実施形態はフォトダイオードの上側とその両側のトラ
ンスファーゲートとの間には形成されていない。このゲ
ート絶縁膜３６は、トランスファーゲート３７と、それ
を囲むように形成された第１絶縁膜３８と、トランスフ
ァーゲート３７の側面に側壁状に形成された第２絶縁膜
４０の下側にだけ形成されている。トランスファーゲー
ト、第１、第２絶縁膜３８、４０を囲み、さらに基板表
面のフォトトランジスタの箇所までの部分を覆うように
遮光層４１が形成されている。この遮光層４１は導電性
の材料である金属膜で形成させ、その端部をフォトダイ
オードのＰＤ−Ｐ領域３９と接触させる。それらが形成
された基板全面を第３絶縁膜４２で覆っている。特に図
示しないが、本実施形態は、遮光層４１を接地端子（図
示せず）に連結又は出力ゲート（図示せず）に連結す
る。或いは、０〜正の電圧が遮光層４１に印加されるよ
うに、遮光層４０を接地端子に連結し、遮光層４１と接
地端子との間にインバータ（図示せず）を構成する。
【００１２】上記構造の本発明の実施形態による固体撮
像デバイスの製造方法を以下に説明する。図６ａに示す
ように、第１導電型（ｎ型）半導体基板３１の所定領域
の表面部に選択的にｐ型不純物イオンを注入し、ドライ
ブイン拡散を行うことによりｐ型の第２導電型ウェル３
２を形成する。図６ｂに示すように、第２導電型ウェル
３２の光電変換領域にｎ型不純物イオンを注入しドライ
ブイン拡散を行って第１導電型の第１不純物領域３３、
すなわちＰＤ−Ｎ領域を形成する。そして、ＰＤ−Ｎ領
域３３の両側にそれから離して高濃度のｎ型不純物イオ
ンを注入し、ドライブイン拡散することにより、垂直電
荷伝送領域３４を形成する。垂直電荷伝送領域３４をＰ
Ｄ−Ｎ領域の両側に形成させると表現したが、ＰＤ−Ｎ
領域の間に垂直電荷伝送領域３４を形成させると表現し
ても同じである。すなわち、従来同様縦横にマトリック
ス状に配列されたＰＤ−Ｎ領域の列の間に垂直電荷伝送
領域３４を形成させる。
像デバイスの製造方法を以下に説明する。図６ａに示す
ように、第１導電型（ｎ型）半導体基板３１の所定領域
の表面部に選択的にｐ型不純物イオンを注入し、ドライ
ブイン拡散を行うことによりｐ型の第２導電型ウェル３
２を形成する。図６ｂに示すように、第２導電型ウェル
３２の光電変換領域にｎ型不純物イオンを注入しドライ
ブイン拡散を行って第１導電型の第１不純物領域３３、
すなわちＰＤ−Ｎ領域を形成する。そして、ＰＤ−Ｎ領
域３３の両側にそれから離して高濃度のｎ型不純物イオ
ンを注入し、ドライブイン拡散することにより、垂直電
荷伝送領域３４を形成する。垂直電荷伝送領域３４をＰ
Ｄ−Ｎ領域の両側に形成させると表現したが、ＰＤ−Ｎ
領域の間に垂直電荷伝送領域３４を形成させると表現し
ても同じである。すなわち、従来同様縦横にマトリック
ス状に配列されたＰＤ−Ｎ領域の列の間に垂直電荷伝送
領域３４を形成させる。
【００１３】図６ｃに示すように、ＰＤ−Ｎ領域とその
一方側の垂直電荷伝送領域３４との間を除いた、ＰＤ−
Ｎ領域の周囲に、ＰＤ−Ｎ領域よりも低いエネルギーで
高濃度のｐ型不純物イオンを注入し、ドライブイン拡散
を行うことによりチャネルストップ層３５を形成する。
そして、垂直電荷伝送領域３４及びチャネルストップ層
３５が形成された半導体基板３１の全面にゲート絶縁膜
３６を形成する。図６ｄに示すように、ゲート絶縁膜３
６上に多結晶シリコン、第１感光膜を順次に形成し、垂
直電荷伝送領域３４上側のみ第１感光膜が残るように第
１感光膜を選択的に露光及び現像する。次いで、選択的
に露光及び現像された第１感光膜をマスクにして多結晶
シリコンを選択的にエッチングしてトランスファゲート
３７を形成して第１感光膜を除去する。そして、トラン
スファゲート３７を含む全面の熱酸化工程によりトラン
スファゲート３７の表面上に第２絶縁膜３８を成長させ
る。
一方側の垂直電荷伝送領域３４との間を除いた、ＰＤ−
Ｎ領域の周囲に、ＰＤ−Ｎ領域よりも低いエネルギーで
高濃度のｐ型不純物イオンを注入し、ドライブイン拡散
を行うことによりチャネルストップ層３５を形成する。
そして、垂直電荷伝送領域３４及びチャネルストップ層
３５が形成された半導体基板３１の全面にゲート絶縁膜
３６を形成する。図６ｄに示すように、ゲート絶縁膜３
６上に多結晶シリコン、第１感光膜を順次に形成し、垂
直電荷伝送領域３４上側のみ第１感光膜が残るように第
１感光膜を選択的に露光及び現像する。次いで、選択的
に露光及び現像された第１感光膜をマスクにして多結晶
シリコンを選択的にエッチングしてトランスファゲート
３７を形成して第１感光膜を除去する。そして、トラン
スファゲート３７を含む全面の熱酸化工程によりトラン
スファゲート３７の表面上に第２絶縁膜３８を成長させ
る。
【００１４】図７ｅに示すように、第２導電型ウェル３
２の光電変換領域に、チャネルストップ層３５よりも低
いエネルギーで高濃度のｐ型不純物イオンを注入しドラ
イブイン拡散することにより、薄いＰＤ−Ｐ領域３９を
形成する。これにより、ＰＤ−Ｎ領域とＰＤ−Ｐ領域３
９とからなるフォトダイオードが形成される。そして、
第２絶縁膜３８を含むゲート絶縁膜３６上に第２絶縁膜
４０を形成する。図７ｆに示すように、第２絶縁膜４
０、ゲート絶縁膜３６を順次エッチバックしてフォトダ
イオードの上側にある第２絶縁膜４０とゲート絶縁膜３
６を除去する。それにともなってトランスファーゲート
３７の両側に第２絶縁膜４０が側壁として残る。このフ
ォトダイオード上側の第２絶縁膜４０及びゲート絶縁膜
３６を除去する方法としては、エッチバックだけでな
く、第２絶縁膜４０上に感光膜を塗布し、その感光膜を
選択的に露光及び現像し、その露光及び現像された感光
膜をマスクにして第２絶縁膜４０とゲート絶縁膜３６を
エッチングして除去する方法を使用しても良い。
２の光電変換領域に、チャネルストップ層３５よりも低
いエネルギーで高濃度のｐ型不純物イオンを注入しドラ
イブイン拡散することにより、薄いＰＤ−Ｐ領域３９を
形成する。これにより、ＰＤ−Ｎ領域とＰＤ−Ｐ領域３
９とからなるフォトダイオードが形成される。そして、
第２絶縁膜３８を含むゲート絶縁膜３６上に第２絶縁膜
４０を形成する。図７ｆに示すように、第２絶縁膜４
０、ゲート絶縁膜３６を順次エッチバックしてフォトダ
イオードの上側にある第２絶縁膜４０とゲート絶縁膜３
６を除去する。それにともなってトランスファーゲート
３７の両側に第２絶縁膜４０が側壁として残る。このフ
ォトダイオード上側の第２絶縁膜４０及びゲート絶縁膜
３６を除去する方法としては、エッチバックだけでな
く、第２絶縁膜４０上に感光膜を塗布し、その感光膜を
選択的に露光及び現像し、その露光及び現像された感光
膜をマスクにして第２絶縁膜４０とゲート絶縁膜３６を
エッチングして除去する方法を使用しても良い。
【００１５】図７ｇに示すように、第２絶縁膜４０を含
む全面に順次に遮光層４１と第２感光膜を形成し、第２
感光膜を、フォトダイオードの上側のみが除去されるよ
うに選択的に露光及び現像する。その際、フォトダイオ
ードの両側とトランスファーゲートとの間にも第２感光
膜を残す。次いで、選択的に露光及び現像された第２感
光膜をマスクにして遮光層４１をエッチングし、第２感
光膜を除去する。遮光層４１は前記したようにその端部
がＰＤ−Ｐ領域３９の両端部に接触するようにする。そ
して、選択的にエッチングされた遮光層４１を含む全面
に第３絶縁膜４２を形成する。上記したように、遮光層
４１を接地端子（図示せず）に連結又は出力ゲート（図
示せず）に連結する。或いは、０〜正の電圧が遮光層４
１に印加されるように、遮光層４０を接地端子に連結
し、遮光層４１と接地端子との間にインバータ（図示せ
ず）を構成する。
む全面に順次に遮光層４１と第２感光膜を形成し、第２
感光膜を、フォトダイオードの上側のみが除去されるよ
うに選択的に露光及び現像する。その際、フォトダイオ
ードの両側とトランスファーゲートとの間にも第２感光
膜を残す。次いで、選択的に露光及び現像された第２感
光膜をマスクにして遮光層４１をエッチングし、第２感
光膜を除去する。遮光層４１は前記したようにその端部
がＰＤ−Ｐ領域３９の両端部に接触するようにする。そ
して、選択的にエッチングされた遮光層４１を含む全面
に第３絶縁膜４２を形成する。上記したように、遮光層
４１を接地端子（図示せず）に連結又は出力ゲート（図
示せず）に連結する。或いは、０〜正の電圧が遮光層４
１に印加されるように、遮光層４０を接地端子に連結
し、遮光層４１と接地端子との間にインバータ（図示せ
ず）を構成する。
【００１６】以下、上記本実施形態デバイスの動作につ
いて説明する。フォトダイオードで蓄積された信号電荷
が、トランスファゲート３７に印加されるクロック信号
に基づいて垂直電荷伝送領域３４へ転送されて垂直方向
に移動する。そして、正孔やフォトダイオードの表面に
発生するノイズ電荷は、接地端子又は出力ゲートに連結
されるか、或いは０〜正の電圧が印加され、ＰＤ−Ｐ領
域３９と連結される遮光層４１で消滅される。フォトダ
イオード上のゲート絶縁膜３６が除去されたので、入射
光がゲート絶縁膜３６を介して垂直電荷伝送領域３４へ
直接に流入されることがない。ＰＤ−Ｎ領域は本来フロ
ーティングされている。しかしながら、トランスファゲ
ート３７にハイクロック信号が印加されると、ＰＤ−Ｎ
領域の信号電荷が垂直電荷伝送領域３４へ転送されて電
子を全て失うため、ＰＤ−Ｎ領域はピンチオフ状態とさ
れる。このピンチオフ状態で再び信号電荷が発生すると
ＰＤ−Ｎ領域の電位が上がるが、第２導電型ウェル３２
のＶｓｄｌ以上には上がれない。そして、垂直電荷伝送
領域３４は、ＰＤ−Ｎ領域のピンチオフ電位にトランス
ファゲート３７の電圧が加えられるため、かなり高い電
位となる。その際、トランスファゲート３７には高い電
圧が印加されるが、これは、素子が深いディプリーショ
ンモードで動作するからである。
いて説明する。フォトダイオードで蓄積された信号電荷
が、トランスファゲート３７に印加されるクロック信号
に基づいて垂直電荷伝送領域３４へ転送されて垂直方向
に移動する。そして、正孔やフォトダイオードの表面に
発生するノイズ電荷は、接地端子又は出力ゲートに連結
されるか、或いは０〜正の電圧が印加され、ＰＤ−Ｐ領
域３９と連結される遮光層４１で消滅される。フォトダ
イオード上のゲート絶縁膜３６が除去されたので、入射
光がゲート絶縁膜３６を介して垂直電荷伝送領域３４へ
直接に流入されることがない。ＰＤ−Ｎ領域は本来フロ
ーティングされている。しかしながら、トランスファゲ
ート３７にハイクロック信号が印加されると、ＰＤ−Ｎ
領域の信号電荷が垂直電荷伝送領域３４へ転送されて電
子を全て失うため、ＰＤ−Ｎ領域はピンチオフ状態とさ
れる。このピンチオフ状態で再び信号電荷が発生すると
ＰＤ−Ｎ領域の電位が上がるが、第２導電型ウェル３２
のＶｓｄｌ以上には上がれない。そして、垂直電荷伝送
領域３４は、ＰＤ−Ｎ領域のピンチオフ電位にトランス
ファゲート３７の電圧が加えられるため、かなり高い電
位となる。その際、トランスファゲート３７には高い電
圧が印加されるが、これは、素子が深いディプリーショ
ンモードで動作するからである。
【００１７】
【発明の効果】請求項１の本発明デバイス並びに請求項
５の製造方法によって得たデバイスは、光電変換素子と
電気的に連結されるように遮光層が形成されているの
で、光電変換素子の表面が工程中に損傷又は重金属汚染
されてノイズが発生してもその遮光層で消滅させられ
る。したがって、ノイズ電荷が前記光電変化素子へ流入
されない。しかも、光電変換素子の表面部にはゲート絶
縁膜が形成されていないので、入射光が電荷伝送領域へ
直接に流入されることがなく、スミア現象の発生を防止
することができる。従って、本発明はデバイスの特性を
向上させることができる。請求項２、３、４の発明並び
に請求項６、７、８の方法によって得たデバイスによれ
ば、遮光層が接地端子又は出力ゲートに連結されるか、
或いは前記遮光層に０〜正の電圧が印加されるため、光
電変換素子の表面が工程中に損傷又は重金属汚染されて
発生するノイズ電荷を遮光層で消滅させることができ
る。
５の製造方法によって得たデバイスは、光電変換素子と
電気的に連結されるように遮光層が形成されているの
で、光電変換素子の表面が工程中に損傷又は重金属汚染
されてノイズが発生してもその遮光層で消滅させられ
る。したがって、ノイズ電荷が前記光電変化素子へ流入
されない。しかも、光電変換素子の表面部にはゲート絶
縁膜が形成されていないので、入射光が電荷伝送領域へ
直接に流入されることがなく、スミア現象の発生を防止
することができる。従って、本発明はデバイスの特性を
向上させることができる。請求項２、３、４の発明並び
に請求項６、７、８の方法によって得たデバイスによれ
ば、遮光層が接地端子又は出力ゲートに連結されるか、
或いは前記遮光層に０〜正の電圧が印加されるため、光
電変換素子の表面が工程中に損傷又は重金属汚染されて
発生するノイズ電荷を遮光層で消滅させることができ
る。
【図１】 一般的な固体撮像デバイスを示すレイアウト
図。
図。
【図２】 従来の固体撮像デバイスを示す構造断面図。
【図３】 従来の固体撮像デバイスの製造方法を示す工
程断面図。
程断面図。
【図４】 従来の固体撮像デバイスの製造方法を示す工
程断面図。
程断面図。
【図５】 本発明の実施形態による固体撮像デバイスを
示す構造断面図。
示す構造断面図。
【図６】 本発明の実施形態による固体撮像デバイスの
製造方法を示す工程断面図。
製造方法を示す工程断面図。
【図７】 本発明の実施形態による固体撮像デバイスの
製造方法を示す工程断面図。
製造方法を示す工程断面図。
３１ 半導体基板 ３２ 第２導電型ウェル ３３ ＰＤ−Ｎ領域 ３４ 垂直電荷伝送領域 ３５ チャネルストップ層 ３６ ゲート絶縁膜 ３７ トランスファゲート ３８ 第１絶縁膜 ３９ ＰＤ−Ｐ領域 ４０ 第２絶縁膜 ４１ 遮光層 ４２ 第３絶縁膜 ５０ 光電変換素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4M118 AA05 AB01 CA04 FA06 FA26 GB07 GB11 GB15 5C024 AA01 CA04 CA31 GA01 GA26 GA47
Claims (8)
- 【請求項１】 半導体基板と、 半導体基板にマトリックス状に配列される光電変換素子
と、 光電変換素子の列の間に一方向に形成される電荷伝送領
域と、 半導体基板の光電変換素子の部分以外の箇所に形成され
るゲート絶縁膜と、 ゲート絶縁膜上に形成されるトランスファゲートと、 トランスファゲートの表面を覆って形成される第１絶縁
膜と、 トランスファーゲートの側面に第１絶縁膜の上に形成さ
れる第２絶縁膜と、 第１、第２絶縁膜上にトランスファーゲートを覆うよう
に形成され、光電変換素子の端部と連結される導電性の
材料からなる遮光層と、 光電変換素子および遮光層上に形成される第３絶縁膜
と、を備えることを特徴とする固体撮像デバイス。 - 【請求項２】 遮光層が接地端子に連結されることを特
徴とする請求項１記載の固体撮像デバイス。 - 【請求項３】 遮光層が出力ゲートに連結されることを
特徴とする請求項１記載の固体撮像デバイス。 - 【請求項４】 遮光層に０〜正の電圧が印加されること
を特徴とする請求項１記載の固体撮像デバイス。 - 【請求項５】 第１導電型の半導体基板の表面部に第２
導電型ウェルを形成する段階と、 ウェルのマトリックス状に配置された光電変換領域に第
１導電型第１不純物領域を形成する段階と、 光電変換領域の列の間に一方向に垂直電荷伝送領域を形
成する段階と、 基板上にゲート絶縁膜を形成する段階と、 垂直電荷伝送領域の上側のゲート絶縁膜上にトランスフ
ァゲートを形成する段階と、 トランスファゲートの表面にそれを覆うように第１絶縁
膜を形成する段階と、 第１不純物領域の表面部に第２導電型第２不純物領域を
形成する段階と、 基板表面に第２絶縁膜を形成する段階と、 トランスファーゲートの側面に第２絶縁膜を残し、かつ
トランスファーゲートの下側と第２絶縁膜の下側にゲー
ト絶縁膜を残して他の第２絶縁膜とゲート絶縁膜を除去
する段階と、 トランスファゲートを覆っている第１、第２絶縁膜上に
光電変換素子と連結させて遮光層を形成する段階と、 光電変換素子を含む遮光層上に第３絶縁膜を形成する段
階と、を備えることを特徴とする固体撮像デバイスの製
造方法。 - 【請求項６】 遮光層を接地端子に連結することを特徴
とする請求項５記載の固体撮像デバイスの製造方法。 - 【請求項７】 遮光層を出力ゲートに連結することを特
徴とする請求項５記載の固体撮像デバイスの製造方法。 - 【請求項８】 遮光層に０〜正の電圧を印加させること
を特徴とする請求項５記載の固体撮像デバイスの製造方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019980001223A KR100263474B1 (ko) | 1998-01-16 | 1998-01-16 | 고체 촬상 소자 및 그의 제조 방법 |
| KR1223/1998 | 1998-01-16 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000022119A true JP2000022119A (ja) | 2000-01-21 |
Family
ID=19531649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10320440A Pending JP2000022119A (ja) | 1998-01-16 | 1998-11-11 | 固体撮像デバイス及びその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6147373A (ja) |
| JP (1) | JP2000022119A (ja) |
| KR (1) | KR100263474B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011222572A (ja) * | 2010-04-02 | 2011-11-04 | Sharp Corp | 固体撮像素子およびその製造方法、電子情報機器 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW381345B (en) * | 1998-06-15 | 2000-02-01 | United Microelectronics Corp | CMOS semiconductor sensor structure and the manufacturing method thereof |
| US6812539B1 (en) * | 2003-04-10 | 2004-11-02 | Micron Technology, Inc. | Imager light shield |
| JP2005044491A (ja) * | 2003-07-10 | 2005-02-17 | Ricoh Co Ltd | 光記録媒体およびその製造方法 |
| KR100538150B1 (ko) * | 2003-12-31 | 2005-12-21 | 동부아남반도체 주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| US7075129B2 (en) * | 2004-01-09 | 2006-07-11 | Eastman Kodak Company | Image sensor with reduced p-well conductivity |
| JP4916101B2 (ja) * | 2004-09-01 | 2012-04-11 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、固体撮像装置及び固体撮像システム |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57190471A (en) * | 1981-05-19 | 1982-11-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | Two-dimensional solid state image pickup device |
| JPH0228372A (ja) * | 1988-04-20 | 1990-01-30 | Konica Corp | イメージセンサ |
| JP3142327B2 (ja) * | 1991-02-05 | 2001-03-07 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| JP2701726B2 (ja) * | 1993-12-28 | 1998-01-21 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置 |
| US5736756A (en) * | 1994-09-29 | 1998-04-07 | Sony Corporation | Solid-state image sensing device with lght shielding film |
-
1998
- 1998-01-16 KR KR1019980001223A patent/KR100263474B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-11-11 JP JP10320440A patent/JP2000022119A/ja active Pending
- 1998-12-17 US US09/213,413 patent/US6147373A/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-08-11 US US09/637,786 patent/US6338978B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011222572A (ja) * | 2010-04-02 | 2011-11-04 | Sharp Corp | 固体撮像素子およびその製造方法、電子情報機器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6338978B1 (en) | 2002-01-15 |
| KR100263474B1 (ko) | 2000-08-01 |
| US6147373A (en) | 2000-11-14 |
| KR19990065779A (ko) | 1999-08-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100436067B1 (ko) | 이미지센서 및 그 제조 방법 | |
| JP4284062B2 (ja) | イメージセンサ及びその製造方法 | |
| JPH1070263A (ja) | 固体撮像素子 | |
| KR100778856B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 | |
| JP2848268B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| JP2006191100A (ja) | Ｃｍｏｓイメージセンサー及びその製造方法 | |
| JP2797984B2 (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
| JP2007110133A (ja) | Ｃｍｏｓイメージセンサ及びその製造方法 | |
| KR100761824B1 (ko) | 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
| JP2013042178A (ja) | イメージセンサ及びその製造方法 | |
| JPH11274461A (ja) | 固体撮像装置とその製造方法 | |
| JP2000022119A (ja) | 固体撮像デバイス及びその製造方法 | |
| JP3695748B2 (ja) | 固体撮像装置並びにその製造方法および駆動方法 | |
| JP4247235B2 (ja) | 固体撮像装置およびその駆動方法 | |
| KR100748318B1 (ko) | 이미지센서 및 그 제조 방법 | |
| KR100853793B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| JPH08255888A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| KR100690984B1 (ko) | 이미지 센서 제조 방법 | |
| JPH0438872A (ja) | 固体撮像素子 | |
| KR100674917B1 (ko) | Ｃｍｏｓ 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
| JP4247205B2 (ja) | 固体撮像装置の駆動方法 | |
| KR100748317B1 (ko) | 이미지센서의 제조 방법 | |
| JP4008113B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| KR100263479B1 (ko) | 고체 촬상 소자의 제조 방법 | |
| JPH05183184A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041129 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041207 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050510 |