JPH05206434A - 固体撮像装置及びその製造方法 - Google Patents
固体撮像装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH05206434A JPH05206434A JP3338658A JP33865891A JPH05206434A JP H05206434 A JPH05206434 A JP H05206434A JP 3338658 A JP3338658 A JP 3338658A JP 33865891 A JP33865891 A JP 33865891A JP H05206434 A JPH05206434 A JP H05206434A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type semiconductor
- conductivity type
- region
- photoelectric conversion
- solid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 title abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 30
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 44
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 39
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 16
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 15
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 abstract description 12
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 abstract description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 abstract 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008065 Si-SiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006405 Si—SiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
誤差や加工時の電極寸法誤差によって電極下に生じるポ
テンシャル井戸やポテンシャル障壁を防止し、光電変換
部から電荷転送部への信号電荷の読み出しを効率良く行
う。 【構成】P型ウエル層2の表面領域内に形成された浅い
P+ 領域7,13がN型領域8に対して、同一のマスク
材に対してイオン注入の入射角を制御することにより所
望の距離(好ましくは約0.15μm)をおいて自己整
合的に形成されている光電変換部と、光電変換部におい
て発生した信号電荷の転送をつかさどる電荷転送部と、
光電変換部から信号電荷を電荷転送部へ読み出すための
信号電荷読みだし部を有する。
Description
ゆる埋め込み型フォトダイオードを有する固体撮像装置
及びその製造方法に関する。
換部にはN- P接合型フォトダイオードが用いられてい
た。このN- P接合型フォトダイオードではN- 領域の
表面が完全に空乏化することによりSi−SiO2 界面
準位からの発生電流のため、暗電流と呼ばれる光電変換
によらないノイズ成分が多くなり低照度時のS/N比が
劣化するという欠点があった。
ードのN型領域の表面に濃度の高いP+ 型領域を形成
し、基準電位に固定することにより、前記N型領域が完
全に空乏化した場合においても表面のP+ 型領域を非空
乏化領域に閉じ込め、発生のセンターを阻止する埋め込
み型フォトダイオードが新たに提案され(寺西他:特開
昭57−62557号公報を参照)、固体撮像装置の光
電変換部に用いていた。
トダイオードを光電変換部に用いた固体撮像装置の製造
工程を示すセル部の断面図である。
2を形成する(図12)。
3,シリコン窒化膜4を順に成長させ、その上にフォト
レジスト5aを塗布しこれに露光・現像処理を施した
後、プラズマエッチング法を用いて光電変換部となる部
分のシリコン窒化膜4を除去する(図13)。
膜4とをマスクとしてイオン注入を行い光電変換部のN
型領域6を形成する(図14)。
膜4をウエットエッチング法により除去した後、フォト
リソグラフィー技術を用いて電荷転送部以外をフォトレ
ジスト5bで被覆し、これをマスクにイオン注入を行い
電荷転送部のN型領域8を形成する(図15)。
電荷読み出し部、光電変換部及び電荷転送部をフォトレ
ジスト5cで被覆し、これをマスクにイオン注入を行い
素子分離部となるP+ 型領域9を形成する(図16)。
コン酸化膜3をエッチング除去した後、熱酸化により第
1のゲート絶縁膜(図示せず)を形成し、減圧CVD法
により多結晶シリコン膜を堆積し、これにフォトリソグ
ラフィー技術及びドライエッチング法を適用して、電荷
転送を行うための第1の多結晶シリコン電極(図示せ
ず)を形成する。第1の多結晶シリコン電極をマスクと
して第1のゲート絶縁膜をエッチング除去し、新たに熱
酸化を行って第2のゲート絶縁膜10を形成した後、第
1の多結晶シリコン電極を形成したのと同様の手法を用
いて、光電変換部から電荷転送部への信号電荷の読み出
し及び電荷転送を行う第2の多結晶シリコン電極11を
形成する(図17)。
0をエッチング除去し、更に熱酸化を行いシリコン酸化
膜12を形成してから多結晶シリコン電極11をマスク
としてイオン注入を行い、光電変換部の表面に浅いP+
型領域13を形成する(図18)。
及び第2の多結晶シリコン電極上にコンタクトホール
(図示せず)を開口し、遮光膜15と配線膜(図示せ
ず)を兼ねる金属膜をフォトリソグラフィー技術及びド
ライエッチング法を適用して形成することにより、従来
の埋め込みフォトダイオードを光電変換部として有する
固体撮像装置が得られる(図19)。
み型フォトダイオードを光電変換部とする固体撮像装置
では、光電変換部のN型領域と、表面層のP+ 型領域を
それぞれ別の工程によって形成しているので、フォトリ
ソグラフィー工程の位置合わせ誤差及び囲う寸法のばら
つきにより、光電変換部のN型領域と多結晶シリコン電
極との重なり寸法を一定範囲内に抑えることは困難であ
るという欠点があった。
重なり部分Xが大きいときには、図21(b)のAに示
すように、多結晶シリコン電極11下に深いポテンシャ
ル井戸が形成され、また、逆に図20(a)に示すよう
に、この重なり部分Xが小さいときには、図20(b)
のBに示すように、多結晶シリコン電極11下にポテン
シャル障壁が形成されており、いずれの場合においても
光電変換部から電荷転送部へのスムーズな電荷の転送が
阻害されるという欠点があった。
電型半導体層の表面領域内に形成された表面に第1導電
型半導体薄領域と第2導電型半導体領域を有する光電変
換部と、前記第1導電型半導体層の表面領域内に形成さ
れた、前記光電変換部において発生した信号電荷の転送
をつかさどる電荷転送部と、前記第1導電型半導体層の
表面領域内に設けられた前記光電変換部から信号電荷を
前記電荷転送部へ読み出すための信号電荷読み出し部と
が設けられた固体撮像装置において、前記第1導電型半
導体薄領域が第2導電型半導体領域に対して、同一のマ
スク材に対してイオン注入の入射角を制御することによ
り所望の距離(好ましくは約0.15μm)をおいて自
己整合的に形成されている光電変換部を有する固体撮像
装置を得る。
る埋め込み型フォトダイオードを光電変換部に用いた固
体撮像装置の製造工程を示すセル部の断面図である。
2を形成する(図1)。
3を約60nm、シリコン窒化膜4を約120nm順に
成長させ、その上にフォトレジスト5aを塗布しこれに
露光・現像処理を施した後、プラズマエッチング法を用
いて光電変換部となる部分のシリコン窒化膜4を除去す
る(図2)。
ト5aとシリコン酸化膜4とをマスクとしてイオン注入
(例えば4.00×1012cm-2のリン)を行い光電変
換部のN型領域6を形成する(図3)。
チング法により除去した後、約40°の角度でイオン注
入(例えば1.00×1013cm-2のボロン)を行い光
電変換部の表面に浅い第1のP+ 型領域7を形成する
(図4)。
ング法により除去した後、フォトリソグラフィー技術を
用いて電荷転送部以外をフォトレジスト5bで被覆し、
これをマスクにイオン注入を行い電荷転送部のN型領域
8を形成する(図5)。
電荷読み出し部、光電変換部を及び電荷転送部フォトレ
ジスト5cで被覆し、これをマスクにイオン注入を行い
素子分離部となるP+ 型領域9を形成する(図6)。
コン酸化膜3をエッチング除去した後、熱酸化により第
1のゲート絶縁膜(図示せず)を形成し、減圧CVD法
により多結晶シリコン膜を堆積し、これにフォトリソグ
ラフィー技術及びドライエッチング法を適用して、電荷
転送を行うための第1の多結晶シリコン電極(図示せ
ず)を形成する。第1の多結晶シリコン電極をマスクと
して第1のゲート絶縁膜をエッチング除去し、新たに熱
酸化を行って第2のゲート絶縁膜10を形成した後、第
1の多結晶シリコン電極を形成したのと同様の手法を用
いて、光電変換部から電荷転送部への信号電荷の読みだ
し及び電荷転送を行う第2の多結晶シリコン電極11を
形成する(図7)。
0をエッチング除去し、更に熱酸化を行いシリコン酸化
膜12を形成してから多結晶シリコン電極11をマスク
としてイオン注入を行い、光電変換部の表面に浅い第2
のP+ 型領域13を形成する(図8)。
及び第2の多結晶シリコン電極上にコンタクトホール
(図示せず)を開口し、遮光膜15と配線膜(図示ぜ
ず)を兼ねる金属膜をフォトリソグラフィー技術及びド
ライエッチング法を適用して形成することにより、本発
明の第1の実施例の埋め込みフォトダイオード光電変換
部として有する固体撮像装置が得られる(図9)。
換部の浅い第2のP+ 型領域13は第1のP+ 型領域7
の濃度補償用であり、特に必要でない場合は削除可能で
ある。次に、図10(a)〜(c)を参照して本発明の
第2の実施例について説明する。
先の実施例と同様の工程を経る。図3の工程が終了した
状態を図10(a)に示す。
1.00×1013cm-2のボロン)を行い光電変換部の
表面に浅い第1のP+ 型領域7を形成する(図10
(b))。次に、フォトレジスト5a及びシリコン窒化
膜4をウエットエッチング法により除去した後、フォト
リソグラフィー技術を用いて電荷転送部以外をフォトレ
ジスト5bで被覆し、これをマスクにイオン注入を行い
電荷転送部のN型領域8を形成する(図3)。
実施例と同様にして経ることにより、本発明の第2の実
施例の埋め込みフォトダイオードを光電変換部として有
する固体撮像装置が得られる。
装置は、第1導電型半導体層の表面領域内に形成された
表面に第1導電型半導体薄領域と第2導電型半導体領域
を有する光電変換部と、前記第1導電型半導体層の表面
領域内に形成された、前記光電変換部において発生した
信号電荷の転送をつかさどる電荷転送部と、前記第1導
電型半導体層の表面領域内に設けられた前記光電変換部
から信号電荷を前記電荷転送部へ読み出すための信号電
荷読みだし部とが設けられ、前記第1導電型半導体薄領
域が第2導電型半導体領域に対して、同一のマスク材に
対してイオン注入の入射角を制御することにより所望の
距離(好ましくは約0.15μm)をおいて自己整合的
に形成されている光電変換部を有しているので、本発明
によれば、光電変換部を構成する第2導電型半導体領域
及び前記第2導電型半導体領域の表面を覆う第1導電型
半導体薄領域の位置関係を正確に設定することができる
ため、光電変換部から信号電荷を前記電荷転送部へ読み
出すための信号電荷読みだし部の電極と光電変換部を構
成する第2導電型半導体領域との重なり寸法を正確に設
定することができる。
合に問題となったフォトリソグラフィー工程における位
置合わせ誤差や加工時の電極寸法誤差によって前記電極
下に生じるポテンシャル井戸やポテンシャル障壁を防止
することができ、光電変換部からの信号電荷の読み出し
を効率良く行うことができる、つまり読みだし電圧を安
定化できるため、図10に示すように設計上のマージン
を十分に確保することができるという効果を有する。
を工程順に示す断面図。
部を工程順に示す断面図。
工程順に示す断面図。
ンシャル分布図。
ンシャル分布図。
Claims (5)
- 【請求項1】 第1導電型半導体層の表面領域内に形成
された表面に第1導電型半導体薄領域と第2導電型半導
体領域を有する光電変換部と、前記第1導電型半導体層
の表面領域内に形成された、前記光電変換部において発
生した信号電荷の転送をつかさどる電荷転送部と、前記
第1導電型半導体層の表面領域内に設けられた前記光電
変換部から信号電荷を前記電荷転送部へ読み出すための
信号電荷読みだし部とを備えた固体撮像装置において、
前記光電変換部の第1導電型半導体薄領域が第2導電型
半導体領域に対して、自己整合的に形成されていること
を特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項2】 前記第1導電型半導体層が反対導電型半
導体基板上に形成されていることを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載の固体撮像装置。 - 【請求項3】 第1導電型半導体層上にリソグラフィー
技術を用いて光電変換部となる第2導電型半導体領域を
イオン注入にて形成し、続いて、同一のマスク材に対し
て第1導電型半導体薄領域をイオン注入の入射角を制御
することにより、第2導電型半導体領域に対して所望の
距離(好ましくは約0.15μm程度)を於いて自己整
合的に形成する工程を具備する固体撮像装置の製造方
法。 - 【請求項4】 イオン注入のマスク材がフォトレジス
ト,シリコン酸化膜,シリコン窒化膜、もしくはその組
合せにて形成されていることを特徴とする特許請求の範
囲第3項記載の固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項5】 前記第1導電型半導体層が反対導電型半
導体基板上に形成されることを特徴とする特許請求の範
囲第3項又は第4項記載の固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3338658A JP2970158B2 (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | 固体撮像装置の製造方法 |
KR1019920024555A KR0133950B1 (ko) | 1991-12-20 | 1992-12-17 | 고체 영상 감지기 장치 및 그 제조방법 |
US08/137,219 US5567632A (en) | 1991-12-20 | 1993-10-18 | Method for fabricating solid state image sensor device having buried type photodiode |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3338658A JP2970158B2 (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05206434A true JPH05206434A (ja) | 1993-08-13 |
JP2970158B2 JP2970158B2 (ja) | 1999-11-02 |
Family
ID=18320248
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3338658A Expired - Fee Related JP2970158B2 (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5567632A (ja) |
JP (1) | JP2970158B2 (ja) |
KR (1) | KR0133950B1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100261158B1 (ko) * | 1997-06-17 | 2000-07-01 | 김영환 | 고체촬상소자 |
JP2010021253A (ja) * | 2008-07-09 | 2010-01-28 | Renesas Technology Corp | 固体撮像素子の製造方法 |
JP2014053646A (ja) * | 1997-11-14 | 2014-03-20 | Intellectual Ventures Second Llc | 半導体イメージ・センサ |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2878137B2 (ja) * | 1994-06-29 | 1999-04-05 | シャープ株式会社 | 増幅型光電変換素子、それを用いた増幅型固体撮像装置、及び増幅型光電変換素子の製造方法 |
KR0148734B1 (ko) * | 1995-06-22 | 1998-08-01 | 문정환 | 시시디 촬상소자 제조방법 |
KR0172837B1 (ko) * | 1995-08-11 | 1999-02-01 | 문정환 | 고체촬상 소자의 구조 |
US6306676B1 (en) * | 1996-04-04 | 2001-10-23 | Eastman Kodak Company | Method of making self-aligned, high-enegry implanted photodiode for solid-state image sensors |
IT1289524B1 (it) | 1996-12-24 | 1998-10-15 | Sgs Thomson Microelectronics | Cella di memoria per dispositivi di tipo eeprom e relativo processo di fabbricazione |
IT1289525B1 (it) | 1996-12-24 | 1998-10-15 | Sgs Thomson Microelectronics | Cella di memoria per dispositivi di tipo eeprom e relativo processo di fabbricazione |
JPH11126893A (ja) * | 1997-10-23 | 1999-05-11 | Nikon Corp | 固体撮像素子とその製造方法 |
KR100278285B1 (ko) * | 1998-02-28 | 2001-01-15 | 김영환 | 씨모스 이미지센서 및 그 제조방법 |
JPH11274454A (ja) * | 1998-03-19 | 1999-10-08 | Canon Inc | 固体撮像装置及びその形成方法 |
US6346722B1 (en) * | 1998-06-26 | 2002-02-12 | Nec Corporation | Solid state imaging device and method for manufacturing the same |
US6331873B1 (en) | 1998-12-03 | 2001-12-18 | Massachusetts Institute Of Technology | High-precision blooming control structure formation for an image sensor |
US6388243B1 (en) * | 1999-03-01 | 2002-05-14 | Photobit Corporation | Active pixel sensor with fully-depleted buried photoreceptor |
JP2001308304A (ja) * | 2000-04-19 | 2001-11-02 | Sony Corp | 固体撮像素子の製造方法 |
KR100446319B1 (ko) * | 2002-01-10 | 2004-09-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이미지센서 및 그 제조 방법 |
US9281197B2 (en) | 2008-10-16 | 2016-03-08 | Sumco Corporation | Epitaxial substrate for solid-state imaging device with gettering sink, semiconductor device, back illuminated solid-state imaging device and manufacturing method thereof |
JP2010098105A (ja) * | 2008-10-16 | 2010-04-30 | Sumco Corp | 固体撮像素子用エピタキシャル基板の製造方法、固体撮像素子用エピタキシャル基板 |
JP2010287610A (ja) * | 2009-06-09 | 2010-12-24 | Panasonic Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
US9685479B2 (en) * | 2015-03-31 | 2017-06-20 | Semiconductor Components Industries, Llc | Method of forming a shallow pinned photodiode |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03108762A (ja) * | 1989-09-22 | 1991-05-08 | Nec Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IE39611B1 (en) * | 1973-08-14 | 1978-11-22 | Siemens Ag | Improvements in or relating to two-phase charge coupled devices |
US4484210A (en) * | 1980-09-05 | 1984-11-20 | Nippon Electric Co., Ltd. | Solid-state imaging device having a reduced image lag |
JPS6239055A (ja) * | 1985-08-13 | 1987-02-20 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子 |
JPS62155559A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-10 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
US4805026A (en) * | 1986-02-18 | 1989-02-14 | Nec Corporation | Method for driving a CCD area image sensor in a non-interlace scanning and a structure of the CCD area image sensor for driving in the same method |
US4984047A (en) * | 1988-03-21 | 1991-01-08 | Eastman Kodak Company | Solid-state image sensor |
EP0360595A3 (en) * | 1988-09-22 | 1990-05-09 | Matsushita Electronics Corporation | Solid state image sensor |
JPH0766961B2 (ja) * | 1988-10-07 | 1995-07-19 | 三菱電機株式会社 | 固体撮像素子 |
JPH02253658A (ja) * | 1989-03-27 | 1990-10-12 | Sharp Corp | 固体撮像素子 |
JP2575907B2 (ja) * | 1989-12-28 | 1997-01-29 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置とその製造方法 |
US5196719A (en) * | 1990-05-14 | 1993-03-23 | Nec Corporation | Solid-state image pick-up device having electric field for accelerating electric charges from photoelectric converting region to shift register |
US5070380A (en) * | 1990-08-13 | 1991-12-03 | Eastman Kodak Company | Transfer gate for photodiode to CCD image sensor |
-
1991
- 1991-12-20 JP JP3338658A patent/JP2970158B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-12-17 KR KR1019920024555A patent/KR0133950B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1993
- 1993-10-18 US US08/137,219 patent/US5567632A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03108762A (ja) * | 1989-09-22 | 1991-05-08 | Nec Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100261158B1 (ko) * | 1997-06-17 | 2000-07-01 | 김영환 | 고체촬상소자 |
JP2014053646A (ja) * | 1997-11-14 | 2014-03-20 | Intellectual Ventures Second Llc | 半導体イメージ・センサ |
JP2010021253A (ja) * | 2008-07-09 | 2010-01-28 | Renesas Technology Corp | 固体撮像素子の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR930015029A (ko) | 1993-07-23 |
KR0133950B1 (ko) | 1998-04-20 |
JP2970158B2 (ja) | 1999-11-02 |
US5567632A (en) | 1996-10-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH05206434A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
US5880495A (en) | Active pixel with a pinned photodiode | |
TWI416714B (zh) | 具摻雜隔離結構側壁的畫素感應器 | |
US7459360B2 (en) | Method of forming pixel sensor cell having reduced pinning layer barrier potential | |
JP2848268B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
JP2008510316A (ja) | アレイトランジスタ用のエピタキシャルsicおよび/または炭化チャンネルを有する低暗電流の画像センサ | |
JPS5846670A (ja) | 埋込みチヤンネル型電荷結合装置の製造法 | |
KR100218849B1 (ko) | 고체촬상소자의제조방법 | |
JP2970307B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
US20070069259A1 (en) | CMOS image sensor and method of manufacturing the same | |
JPH08255888A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
JPH0468795B2 (ja) | ||
JP3061822B2 (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
JP2959504B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
JP2940034B2 (ja) | 電荷転送装置およびその製造方法 | |
JPH02304974A (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
JP2526512B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
JPH02105460A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
KR0140634B1 (ko) | 고체촬상소자의 제조방법 | |
JPH06326183A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2697554B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
JP2002190587A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
EP1026748B1 (en) | Method of manufacturing an active pixel pinned photodiode | |
JP3052293B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
JPH04257265A (ja) | 固体撮像素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990223 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990727 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070827 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080827 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080827 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090827 Year of fee payment: 10 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |