JP2960283B2 - 樹脂封止型半導体装置の製造方法と、この製造方法に用いられる複数の半導体素子を載置するためのリードフレームと、この製造方法によって製造される樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置の製造方法と、この製造方法に用いられる複数の半導体素子を載置するためのリードフレームと、この製造方法によって製造される樹脂封止型半導体装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子及びリ―ドフ
レ―ム同志の位置合せが簡単で且つ正確に行なえる樹脂
封止型半導体装置の製造方法と、この製造方法にに用い
られるリードフレームと、この製造方法によって製造さ
れる樹脂封止型半導体装置に関する.
【0002】
【従来の技術】従来、少なくとも1個の半導体チップを
マウントして、ボンディングしたリ―ドフレ―ムを複数
枚,前記半導体チップをマウントした側の面を互いに対
向するように重ねて、前記リ―ドフレ―ムのリ―ドを圧
着し、樹脂封止する構造とすることにより、高密度実装
を実現する半導体集積回路装置は、例えば実開平2−5
4248,特開平2−105450、又は特開平1−2
57361が知られている。
【0003】しかしながら、上記先行文献は、重ね合わ
される一対のリ―ドフレームは、一個の半導体チップ毎
に、その都度、位置合わせを行っているため、製造工程
が繁雑になると共に、正確な位置合わせが各製品ごと均
一に行われるとは限らず難点とされていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、上述の事
情に鑑み、個々の半導体チップ毎のみならず複数の半導
体チップを一度に重ね合わせたときにおいても、より正
確な位置合わせを各製品ごとに均一に行わせることので
きる樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供することを
目的とする。
【0005】又、この発明は、上記樹脂封止型半導体装
置の製造方法に用いられるリードフレームを提供するこ
とを目的とする。更に、この発明は、上記樹脂封止型半
導体装置の製造方法によって製造される樹脂封止型半導
体装置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記課題を
解決するために、リードフレーム部材の長手方向に沿っ
て配置され、半導体素子を載置すべき第一のベット部
と、前記ベット部を中心にして少なくとも一方向に延
び、略等間隔に並設される複数のインナーリード及びこ
れらインナーリードの夫々に接続される複数のアウター
リードとより成る第一のリード群とを有する第一のリー
ドフレーム部と、半導体素子を載置すべき第二のベッド
部と、前記第二のベッド部を前記第一のリードフレーム
部の第一のベット部に対向して重ねたときに、前記第一
のリード群の同一方向に延びる前記複数のインナーリー
ド及び前記複数のアウターリード間に交互に配列される
複数のインナーリード及びこれらインナーリードの夫々
に接続される複数のアウターリードとより成る第二のリ
ード群とを有し、前記リードフレーム部材の連結部を介
して前記第一のリードフレーム部と連結される第二のリ
ードフレーム部とを準備する工程と;前記第一及び第二
のベッド部に夫々前記第一及び第二の半導体素子を載置
し、これら半導体素子の夫々の電極を、対応する前記複
数のインナーリードに電気的に接続する工程と;前記第
一及び第二のリードフレーム部を連結部で折り曲げ、前
記第一及び第二の半導体素子を対向させ、前記第一及び
第二のリード群の夫々のインナーリ−ドとアウターリー
ドとが交互に配列されるよう前記第一及び第二のリード
フレーム部を重ねる工程と;前記第一及び第二のリード
フレーム部の夫々のアウターリードの各端部を残し、前
記第一及び第二の半導体素子を対応して含む前記第一及
び第二のリードフレーム部をモールド樹脂で封止する工
程と;で構成される。又、この発明の樹脂封止型半導体
装置の製造方法に用いられるリードフレームはリードフ
レーム部材の長手方向に沿って配置され、半導体素子を
載置すべき第一のベット部と、前記ベット部を中心にし
て少なくとも一方向に延び、略等間隔に並設される複数
のインナーリード及びこれらインナーリードの夫々に接
続される複数のアウターリードとより成る第一リード群
とを有する第一リードフレーム部と;半導体素子を載置
すべき第二ベッド部と、前記第二ベッド部を前記第一リ
ードフレーム部の第一ベット部に対向して重ねたとき
に、前記第一リード群の同一方向に延びる前記複数のイ
ンナーリード及び前記複数のアウターリード間に交互に
配列される複数のインナーリード及びこれらインナーリ
ードの夫々に接続される複数のアウターリードとより成
る第二のリード群とを有し、前記リードフレーム部材の
連結部を介して前記第一リードフレーム部と連結される
第二リードフレーム部とより構成される。
【0007】更に、この発明の上記製造方法によって製
造される樹脂封止型半導体装置は第一の半導体素子と、
前記第一の半導体素子を載置する第一のベッド部と、前
記第一の半導体素子の電極と電気的に接続され、前記第
1の半導体素子を中心にして少なくとも一方向に延び、
夫々が略等間隔に並列される複数のインナ―リ―ド及び
これら複数のインナ―リ―ドに接続される複数のアウタ
―リ―ドとを有する第1のリ―ド群と、より成る第1の
リ―ドフレ―ム部と;前記第1の半導体素子と対向する
位置に配置される第2の半導体素子と,前記第2の半導
体素子を載置するベッド部、前記第2の半導体素子の電
極と電気的に接続され、前記第2の半導体素子を中心に
して第1のリ―ド群と同一方向に延び,前記第1のリ―
ド群の各インナ―リ―ド及びこれらインナ―リ―ドに夫
々接続される複数のアウタ―リ―ドを有する第2のリ―
ド群とより成る第2のリ―ドフレ―ムと;前記第1のリ
―ド群の各アウタ―リ―ドと前記第2のリ―ド群の各ア
ウタ―リ―ドとの各端部が互いに千鳥状に導出するよう
前記第1の半導体素子と前記第2の半導体素子を封止す
るモ―ルド樹脂とより構成される。
【0008】
【作用】この発明は、夫々のベット部に半導体素子が載
置された連続した第1及び第2のリ―ドフレ―ムを連結
部で折り曲げ重ね合わせ、両半導体素子が対向する位置
に配せられるとき、これら両半導体素子及び夫々対応す
るインナーリード及びアウターリードの位置合わせが簡
単で且つ正確に行うことができる。
【0009】特に前記第1及び第2のリ―ドフレ―ムの
夫々の長手方向に複数の半導体素子を配列し、両リード
フレームの中心の連結部で折り曲げることにより、この
連結部を中心にして前記第1及び第2のリ―ドフレ―ム
の夫々に対称位置にあった複数の半導体同志は一度に正
確に位置決めされて対向して配置される。
【0010】
【実施例】以下図面を参照して、この発明の一実施例に
ついて説明する。図1に示すように、1個の半導体素子
を載置するベッド部となる部分1及びこの部分1と四方
に放射状に接続されているインナ―リ―ド2及びアウタ
―リ―ド3とでなるリードフレ―ム部4を単位リ―ドフ
レ―ムとし、これら単位リ―ドフレ―ムを互いに外枠5
で連結しながら、略等間隔に配列したリードフレーム6
を形成する。
【0011】図2は、図1に示すリードフレーム6から
2つの半導体素子分のフレ―ムを抽出して拡大して示す
図であり、各フレ―ム部4は外枠5で連結されている。
図3は、図2のリ―ドフレ―ム6を側面から視た図であ
って、ベッド部となる部分を中心にして押し下げ加工を
施し、フレ―ム部4上に半導体素子が載置される部分に
凹部7を形成している。
【0012】次に、図4に示すように、ベッド抜き加工
を施し、複数のインナ―リ―ド2の夫々の一方の端部を
切り離し、ベッド部8を形成する。ベッド部8には、後
述する半導体素子9(図12)がマウントされた後ボン
ディングされる。
【0013】続いて、図5に示すように、両単位リード
フレ―ム部4を連結する外枠5部分を残して一方の単位
リードフレ―ム部4の、外枠との接続部を切り離す。次
いで、夫々半導体素子9をマウントした状態の、両単位
フレ―ムを連結する外枠部分5を折り曲げて重ねる。
【0014】図6は、両単位リードフレ―ム部4、4を
重ねたときのインナ―リ―ド2とアウタ―リ―ド3と
が、交互に配列される状態を示し、一方の単位リードフ
レーム部4のアウタ―リ―ド3と他方の単位リードフレ
ーム部4のアウタ―リ―ド3が、千鳥状に配列されるこ
とになる。
【0015】図7は、半導体素子9をベッド部に載置し
たリードフレ―ム部4,4が、重ね合された時の状態を
示す側面図である。重ねたリードフレ―ム部4,4はア
ウタ―リ―ド3を残して、図8で示されるように樹脂1
0でモ―ルドされる。
【0016】次に、図9に示すようにタイバ―カットを
行い、更に、図10,図11に示すように、連結部カッ
ト,足曲げ,アウタ―リ―ド部の先端カット,最後に吊
りピンカットを行い、2つの半導体素子を一組とする樹
脂封止形の半導体装置を完成する。
【0017】図11に示す側面図を拡大して図12に示
す。上述したように、リードフレーム部4,4を折り曲
げ、夫々のベッド部8,8に載置された半導体素子9,
9は、対向して位置し、半導体素子9,9における電極
11は夫々ボンディングワイヤ12を介して夫々インナ
―リ―ド2,2に接続される。尚、ボンディングワイヤ
12の限らず電気的に接続される手段であれば良い。
【0018】インナ―リ―ド2に接続され、モ―ルド樹
脂10から導出されるアウタ―リ―ド3は、図13に示
されるように、千鳥状に配列される。しかも、図10で
示すようにアウタ―リ―ド3の先端カットによって、リ
―ド端部は直線状に並列される。
【0019】尚、図2乃至図13は説明の便宜上、一対
の単位リードフレーム部4、4を重ね合わせた例につい
て説明したが、図14に示すように複数の単位リードフ
レーム部4を互いに連結部で連結しながら共通の外枠で
保持し、一連のリードフレーム6と、中心で折り曲げる
ことにより複数対の単位リードフレーム部4、4を一度
に重ね合わせることができる。
【0020】この場合、フレーム部材の長手方向に沿っ
て第一及び第二の単位リードフレーム部4A、4Bが交
互に隣接して配列されたリードフレーム6を中心で折り
重ねたとき、中心より一方向に交互に配列されいる、第
一及び第二の単位リードフレーム部4A…4B,4Aに
対し、中心より他方向に交互に隣接して配列されている
第二及び第一の単位リードフレーム部4B,4A…4B
が夫々対向して配置される。
【0021】その結果、夫々対向するリードフレーム部
同志において、リードフレーム部4Aの配列された複数
のインナーリード及びアウターリード間に交互に第二の
リードフレーム部4Bの複数のインナーリード及びアウ
ターリードが配列されることになる。
【0022】図15は第一及び第二のリードフレーム部
4A、4Bを夫々2個ずつを単位としてリードフレーム
6の長手方向に沿って単位ごとに、交互に配列した実施
例であり、リードフレーム6の中心で折り重ねたとき、
中心より一方向に交互に配列されている2個ずつを単位
とする第一及び第二のリードフレーム部4A、4Bに対
し、中心より他方向に交互に配列されている2個ずつを
単位とする第二及び第一のリードフレーム部4B、4A
が順次対向して重ね合わされる。
【0023】尚、リードフレーム部4A、4Bは2個に
限らず、2個以上の複数個を単位としてもよい。図16
は、リードフレーム6の中心より一方向に少なくとも2
個以上の第一のリードフレーム部4A、4A…4Aが連
結部で連結されて隣接して配置され、前記中心より他方
向には少なくとも2個以上の第二のリードフレーム部4
B、4B…4Bが前記第一のリードフレーム部4Aと対
称となる位置に夫々配置される実施例である。
【0024】この実施例においても、リードフレーム6
の中心で折り重ねたとき複数の第一のリードフレーム部
4Aと対称となる位置にある複数の第二のリードフレー
ム部4Bが夫々重ね合わされることとなる。
【0025】上述した図14乃至図16に示す実施例に
おける各リードフレーム部のベット部に半導体素子を載
置し、中心Cで折り曲げることにより対向した一対の前
記半導体素子を有する半導体チップが、連続して複数
個、正確に位置決めされて得ることができる。
【0026】重ねられた半導体素子を載置したリードフ
レーム部4A,4Bは、図8で説明したと同様に、アウ
ターリードを残して樹脂でモールドされ、樹脂封止形の
半導体装置を得ることができる。
【0027】
【発明の効果】この発明の樹脂封止型半導体装置の製造
方法によれば、夫々のベット部に半導体素子が載置され
た連続した第1及び第2のリ―ドフレ―ム部を連結部で
折り曲げ重ね合わせ、両半導体素子が対向する位置に配
せられるとき、これら両半導体素子及び夫々対応するイ
ンナーリード及びアウターリードの位置合わせが簡単で
且つ正確に行うことができる。
【0028】特に、前記第1及び第2のリ―ドフレ―ム
の夫々の長手方向に複数の半導体素子を配列した場合
には、両リードフレームの連結部で折り曲げることによ
り、この連結部を中心にして前記第1及び第2のリ―ド
フレ―ムの夫々に対称位置にあった複数の半導体素子同
志及び互いに配列されるインナーリード及びアウターリ
ードは一度に、正確に位置決めされて対向して配置され
る。
【0029】従って、この製造方法によって得られた樹
脂封止型半導体装置は、単一の半導体チップを含む一個
の樹脂封止型半導体装置のみならず、複数の樹脂封止型
半導体装置を一度に製造した場合にも、夫々の半導体素
子同志及び互いに配列されるインナーリード及びアウタ
ーリードの位置は正確に決められる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の、複数の半導体素子を載置するための
リードフレームを示す平面図。
【図2】図1に示すリ―ドフレ―ムのうち隣接する2つ
のリ―ドフレ―ム部を1組とするリ―ドフレ―ムの拡大
平面図。
【図3】図2に示すリ―ドフレ―ムの側面図。
【図4】図2に示すリ―ドフレ―ムにベッド抜き加工を
施した平面図。
【図5】図4に示すベッド抜き加工後のリ―ドフレ―ム
に対し一方のリ―ドフレ―ムを外枠から切り離し、図示
矢印方向に折り曲げることを説明する図。
【図6】隣接するリ―ドフレ―ムを重ねたときのインナ
―リ―ドとアウタ―リ―ドの配列状態を示す平面図。
【図7】半導体素子が載置された互いに隣接するリ―ド
フレ―ムを重ねたときの状態を示す側面図。
【図8】図7で示すリ―ドフレ―ムに対し樹脂でモ―ル
ドした状態を示す平面図。
【図9】図8で示す樹脂でモ―ルドされたリ―ドフレ―
ムに対し、タイバ―カット処理を行ったことを示す平面
図。
【図10】図9で示すリ―ドフレ―ムに対し、カット処
理及び足曲げ処理を行って完成した半導体装置の平面
図。
【図11】図10で示す半導体装置の側断面図。
【図12】本発明の半導体装置の内部構成の概略を示す
図。
【図13】本発明の半導体装置のアウタ―リ―ドの導出
部を拡大して示す斜視図。
【図14】本発明のリードフレームの他の実施例を示す
平面図。
【図15】本発明のリードフレームの更に他の実施例を
示す平面図。
【図16】本発明のリードフレームの更に他の実施例を
示す平面図。
【符号の説明】
2…インナ―リ―ド、 3…アウタ―リ―ド、4
…リ―ドフレ―ム部、 6…リ―ドフレ―ム、8…
ベッド部、 9…半導体素子、10…モ―
ルド樹脂。

Claims (9)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】リードフレーム部材の長手方向に沿って配
    置され、半導体素子を載置すべき第一のベット部と、前
    記ベット部を中心にして少なくとも一方向に延び、略等
    間隔に並設される複数のインナーリード及びこれらイン
    ナーリードの夫々に接続される複数のアウターリードと
    より成る第一のリード群とを有する第一のリードフレー
    ム部と、半導体素子を載置すべき第二のベッド部と、前
    記第二のベッド部を前記第一のリードフレーム部の第一
    のベット部に対向して重ねたときに、前記第一のリード
    群の同一方向に延びる前記複数のインナーリード及び前
    記複数のアウターリード間に交互に配列される複数のイ
    ンナーリード及びこれらインナーリードの夫々に接続さ
    れる複数のアウターリードとより成る第二のリード群と
    を有し、前記リードフレーム部材の連結部を介して前記
    第一のリードフレーム部と連結される第二のリードフレ
    ーム部とを準備する工程と;前記第一及び第二のベッド
    部に夫々前記第一及び第二の半導体素子を載置し、これ
    ら半導体素子の夫々の電極を、対応する前記複数のイン
    ナーリードに電気的に接続する工程と;前記第一及び第
    二のリードフレーム部を連結部で折り曲げ、前記第一及
    び第二の半導体素子を対向させ、前記第一及び第二のリ
    ード群の夫々のインナーリ−ドとアウターリードとが交
    互に配列されるよう前記第一及び第二のリードフレーム
    部を重ねる工程と;前記第一及び第二のリードフレーム
    部の夫々のアウターリードの各端部を残し、前記第一及
    び第二の半導体素子を対応して含む前記第一及び第二の
    リードフレーム部をモールド樹脂で封止する工程と;よ
    り成ることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方
  2. 【請求項2】前記第一及び第二のリードフレーム部は、
    前記リードフレーム部材の長手方向に沿って交互に、複
    数個の夫々が前記連結部で連結され隣接して配置されて
    いることを特徴とする請求項1に記載の脂封止型半導体
    装置の製造方法.
  3. 【請求項3】前記第一及び第二のリードフレーム部は、
    夫々が2以上の同一数を単位として、前記リードフレー
    ム部材の長手方向に沿って交互に、夫々が前記連結部で
    連結され隣接して配置されていることを特徴とする請求
    項1に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法.
  4. 【請求項4】前記第一のリードフレーム部は、前記リー
    ドフレーム部材の長手方向の中心より一方向に、少なく
    とも2以上が、夫々が前記連結部で連結され互いに隣接
    して配置され、前記第二のリードフレーム部は、前記中
    心より他方向に、少なくとも2以上が前記第一のリード
    フレーム部と夫々が対称位置に、夫々が前記連結部で連
    結され隣接して配置されていることを特徴とする請求項
    1に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法.
  5. 【請求項5】リードフレーム部材の長手方向に沿って配
    置され、半導体素子を載置すべき第一ベット部と、前記
    ベット部を中心にして少なくとも一方向に延び、略等間
    隔に並設される複数のインナーリード及びこれらインナ
    ーリードの夫々に接続される複数のアウターリードとよ
    り成る第一リード群とを有する第一リードフレーム部
    と;半導体素子を載置すべき第二ベッド部と、前記第二
    ベッド部を前記第一リードフレーム部の第一ベット部に
    対向して重ねたときに、前記第一リード群の同一方向に
    延びる前記複数のインナーリード及び前記複数のアウタ
    ーリード間に交互に配列される複数のインナーリード及
    びこれらインナーリードの夫々に接続される複数のアウ
    ターリードとより成る第二のリード群とを有し、前記リ
    ードフレーム部材の連結部を介して前記第一リードフレ
    ーム部と連結される第二リードフレーム部とより成るこ
    とを特徴とするリードフレーム.
  6. 【請求項6】前記第一及び第二のリードフレーム部は、
    前記リードフレーム部材の長手方向に沿って交互に、夫
    々が前記連結部で連結され隣接して配置されていること
    を特徴とする請求項5に記載のリードフレーム.
  7. 【請求項7】前記第一及び第二のリードフレーム部は、
    夫々が2以上の同一数を単位として、前記リードフレー
    ム部材の長手方向に沿って交互に、夫々が前記連結部で
    連結され隣接して配置されていることを特徴とする請求
    項5に記載のリードフレーム.
  8. 【請求項8】前記第一のリードフレーム部は、前記リー
    ドフレーム部材の長手方向の中心より一方向に、少なく
    とも2以上が、夫々前記連結部で連結され互いに隣接し
    て配置され、前記第二のリードフレーム部は前記中心よ
    り他方向に、少なくとも2以上が前記第一のリードフレ
    ーム部と夫々が対称位置に、夫々が前記連結部で連結さ
    れ隣接して配置されていることを特徴とする請求項5に
    記載のリードフレーム.
  9. 【請求項9】第一の半導体素子と、前記第一の半導体素
    子を載置する第一のベッド部と、前記第一の半導体素子
    の電極と電気的に接続され、前記第1の半導体素子を中
    心にして少なくとも一方向に延び、夫々が略等間隔に並
    列される複数のインナ―リ―ド及びこれら複数のインナ
    ―リ―ドに接続される複数のアウタ―リ―ドとを有する
    第1のリ―ド群と、より成る第1のリ―ドフレ―ム部
    と;前記第1の半導体素子と対向する位置に配置される
    第2の半導体素子と,前記第2の半導体素子を載置する
    ベッド部、前記第2の半導体素子の電極と電気的に接続
    され、前記第2の半導体素子を中心にして第1のリ―ド
    群と同一方向に延び,前記第1のリ―ド群の各インナ―
    リ―ド及びこれらインナ―リ―ドに夫々接続される複数
    のアウタ―リ―ドを有する第2のリ―ド群とより成る第
    2のリ―ドフレ―ムと;前記第1のリ―ド群の各アウタ
    ―リ―ドと前記第2のリ―ド群の各アウタ―リ―ドとの
    各端部が互いに千鳥状に導出するよう前記第1の半導体
    素子と前記第2の半導体素子を封止するモ―ルド樹脂と
    より成る樹脂封止型半導体装置.
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US08/213,586 US5543658A (en) 1993-06-14 1994-03-16 Method of manufacturing resin-sealed semiconductor device, lead frame used in this method for mounting plurality of semiconductor elements, and resin-sealed semiconductor device
EP94104192A EP0630047B1 (en) 1993-06-14 1994-03-17 Method of manufacturing resin-sealed semiconductor device, lead frame used in this method for mounting plurality of semiconductor elements, and resin-sealed semiconductor device
DE69414641T DE69414641T2 (de) 1993-06-14 1994-03-17 Verfahren zur Herstellung einer harzversiegelten Halbleitervorrichtung, bei diesem Verfahren verwendeter Leiterrahmen zur Montage vieler Halbleiterelemente und harzversiegelte Halbleitervorrichtung
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US08/434,995 US5614441A (en) 1993-06-14 1995-05-04 Process of folding a strip leadframe to superpose two leadframes in a plural semiconductor die encapsulated package

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Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3364044B2 (ja) * 1995-02-07 2003-01-08 三菱電機株式会社 半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法
FR2732509B1 (fr) * 1995-03-31 1997-06-13 Sgs Thomson Microelectronics Boitier de montage d'une puce de circuit integre
KR100186309B1 (ko) * 1996-05-17 1999-03-20 문정환 적층형 버텀 리드 패키지
JP3870301B2 (ja) * 1996-06-11 2007-01-17 ヤマハ株式会社 半導体装置の組立法、半導体装置及び半導体装置の連続組立システム
US5923959A (en) * 1997-07-23 1999-07-13 Micron Technology, Inc. Ball grid array (BGA) encapsulation mold
US6472252B2 (en) * 1997-07-23 2002-10-29 Micron Technology, Inc. Methods for ball grid array (BGA) encapsulation mold
JP3937265B2 (ja) 1997-09-29 2007-06-27 エルピーダメモリ株式会社 半導体装置
US6117382A (en) 1998-02-05 2000-09-12 Micron Technology, Inc. Method for encasing array packages
JP3862410B2 (ja) * 1998-05-12 2006-12-27 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法及びその構造
US6329705B1 (en) 1998-05-20 2001-12-11 Micron Technology, Inc. Leadframes including offsets extending from a major plane thereof, packaged semiconductor devices including same, and method of designing and fabricating such leadframes
SG75958A1 (en) * 1998-06-01 2000-10-24 Hitachi Ulsi Sys Co Ltd Semiconductor device and a method of producing semiconductor device
US6122822A (en) * 1998-06-23 2000-09-26 Vanguard International Semiconductor Corporation Method for balancing mold flow in encapsulating devices
MY133357A (en) * 1999-06-30 2007-11-30 Hitachi Ltd A semiconductor device and a method of manufacturing the same
US6303981B1 (en) * 1999-09-01 2001-10-16 Micron Technology, Inc. Semiconductor package having stacked dice and leadframes and method of fabrication
CN1449583A (zh) * 2000-07-25 2003-10-15 Ssi株式会社 塑料封装基底、气腔型封装及其制造方法
US20030107120A1 (en) * 2001-12-11 2003-06-12 International Rectifier Corporation Intelligent motor drive module with injection molded package
US20040042183A1 (en) * 2002-09-04 2004-03-04 Alcaria Vicente D. Flex circuit package
US7388294B2 (en) * 2003-01-27 2008-06-17 Micron Technology, Inc. Semiconductor components having stacked dice
US6841883B1 (en) * 2003-03-31 2005-01-11 Micron Technology, Inc. Multi-dice chip scale semiconductor components and wafer level methods of fabrication
US6929485B1 (en) * 2004-03-16 2005-08-16 Agilent Technologies, Inc. Lead frame with interdigitated pins
US20070029648A1 (en) * 2005-08-02 2007-02-08 Texas Instruments Incorporated Enhanced multi-die package
JP4860442B2 (ja) * 2006-11-20 2012-01-25 ローム株式会社 半導体装置
US7642638B2 (en) * 2006-12-22 2010-01-05 United Test And Assembly Center Ltd. Inverted lead frame in substrate
JP4554644B2 (ja) * 2007-06-25 2010-09-29 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
CN101359602B (zh) * 2007-08-03 2010-06-09 台湾半导体股份有限公司 单片折叠式表面粘着半导体组件组装方法
US9147649B2 (en) * 2008-01-24 2015-09-29 Infineon Technologies Ag Multi-chip module
US8198710B2 (en) * 2008-02-05 2012-06-12 Fairchild Semiconductor Corporation Folded leadframe multiple die package
US8172360B2 (en) * 2008-02-27 2012-05-08 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Printhead servicing system and method
JP5566181B2 (ja) * 2010-05-14 2014-08-06 三菱電機株式会社 パワー半導体モジュールとその製造方法
KR101151561B1 (ko) * 2010-06-17 2012-05-30 유춘환 반도체 장치용 리드 프레임의 접합방법
CN103187317B (zh) * 2011-12-31 2015-08-05 百容电子股份有限公司 半导体元件的组装方法
JP6661565B2 (ja) 2017-03-21 2020-03-11 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
EP4135028A1 (en) * 2021-08-12 2023-02-15 Murata Manufacturing Co., Ltd. Electronic component with moulded package

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4496965A (en) * 1981-05-18 1985-01-29 Texas Instruments Incorporated Stacked interdigitated lead frame assembly
US4446375A (en) * 1981-10-14 1984-05-01 General Electric Company Optocoupler having folded lead frame construction
US5049527A (en) * 1985-06-25 1991-09-17 Hewlett-Packard Company Optical isolator
US4633582A (en) * 1985-08-14 1987-01-06 General Instrument Corporation Method for assembling an optoisolator and leadframe therefor
JPS6344750A (ja) * 1986-08-12 1988-02-25 Shinko Electric Ind Co Ltd 樹脂封止型半導体装置の製造方法およびこれに用いるリ−ドフレ−ム
JPH01257361A (ja) * 1988-04-07 1989-10-13 Nec Corp 樹脂封止型半導体装置
JPH0778596B2 (ja) * 1988-08-19 1995-08-23 富士写真フイルム株式会社 ハロゲン化銀写真乳剤の製造方法
JPH02105450A (ja) * 1988-10-13 1990-04-18 Nec Corp 半導体装置
JPH02184054A (ja) * 1989-01-11 1990-07-18 Toshiba Corp ハイブリッド型樹脂封止半導体装置
JPH0793400B2 (ja) * 1990-03-06 1995-10-09 株式会社東芝 半導体装置
US5147815A (en) * 1990-05-14 1992-09-15 Motorola, Inc. Method for fabricating a multichip semiconductor device having two interdigitated leadframes
JP2917575B2 (ja) * 1991-05-23 1999-07-12 株式会社日立製作所 樹脂封止型半導体装置
JPH05144991A (ja) * 1991-11-25 1993-06-11 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置

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