JPH04158562A - 半導体装置、それに用いるリードフレーム、半導体装置の製造方法および半導体装置の検査方法 - Google Patents

半導体装置、それに用いるリードフレーム、半導体装置の製造方法および半導体装置の検査方法

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JPH04158562A
JPH04158562A JP28507390A JP28507390A JPH04158562A JP H04158562 A JPH04158562 A JP H04158562A JP 28507390 A JP28507390 A JP 28507390A JP 28507390 A JP28507390 A JP 28507390A JP H04158562 A JPH04158562 A JP H04158562A
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JP
Japan
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lead
die pad
frame
semiconductor device
external
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JP28507390A
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English (en)
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Tadashi Kubota
正 窪田
Toshio Kawasaki
川崎 敏夫
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]

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  • Wire Bonding (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は比較的大型の樹脂成形部を備えた半導体装置、
特に大電力用半導体装置、それに用いるリードフレーム
、半導体装置の製造方法および半導体装置の検査方法に
関する。
従来の技術 通常、1連のリードフレームに複数個の半導体装置を形
成し、リードフレームの切断により個々の半導体装置を
製造する。
第5図は従来の半導体装置、それに用いるリードフレー
ム、半導体装置の製造方法および半導体装置の検査方法
を示すものである。第5図において、lは半導体素子、
2はダイパッド、3は外部導出リード、4はボンディン
グワイヤ、5は接着剤、6はタイバー、7は枠、8はモ
ールド樹脂、9はリード線半田である。
まず、リードフレームの構成を第5図(a)を用いて説
明する。
リードフレームは半導体素子1を載置するダイパッド2
と、一端がワイヤボンディングされる外部導出リード3
と、ダイパッド2と外部導出り一ド3を中間で支えるタ
イバー6と、タイツ(・ソド2と外部導出リード3の他
端を支える枠7とから構成される。
次に、半導体装置の製造方法を第5図を用いて説明する
ダイパッド2に半導体素子1を接着剤5で接着し、半導
体素子lの外部接続端子と外部導出り−ド3の一端とを
ボンディングワイヤ4で結線する(第5図(a))。次
に、タイツく−6と枠7の部分を残し、他の部分をモー
ルド樹脂8で封止する(第5図(b))。最後に、タイ
バー6および枠7を切断し、個々の半導体装置に分断し
、リード線半田9を付ける(第5図(C))。
半導体装置の検査方法は、個々に分断された半導体装置
をマガジンまたはパレットに再配列し、1個または数個
の半導体装置を検査設備へ投入して、検査する(第5図
(C))。
第6図に半導体装置の製造、検査工程のライン構成を示
す。
ダイスボンド工程11、ワイヤボンド工程12、樹脂封
止工程13、リードカット工程14が第1のラインとな
り、マガジン詰め工程15と半田付けまたはメツキ工程
16が第2のラインとなり、再度マガジン詰め工程17
と検査・マーキング工程が第3のラインとなる。
発明が解決しようとする課題 従来の大電力用半導体素子が代表する比較的大型の半導
体装置は、外部導出リード3をタイバー6と枠7で連結
することによって、10〜20個の半導体装置を連とな
し、ダイスボンド、ワイヤーボンドあるいは封止成形工
程のインライン化を実現してきた しかしながら従来の構成では、各々の半導体装置が短絡
したままのため、半導体装置の電気的特性を検査するこ
とができず、検査の工程前でタイバー6および枠7を切
断し、半導体装置をマガジンまたはパレットに再配列し
て、1個または数個の半導体装置を検査設備へ投入し、
検査しなければならない。
この方法では、いったんラインを切ってマガジンまたは
パレットに配列するか、もしくは、ロボットまたはパー
ツフィーダーを導入し配列するかであるが、動作が複雑
で全体の工数が増えたり、高額な投資が必要になる。そ
のため全ラインをインライン化する上で問題である。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、全ライン
をインライン化できる半導体装置、それに用いるリード
フレーム、半導体装置の製造方法および半導体装置の検
査方法を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段 この目的を達成するために本発明の半導体装置は、ダイ
パッドと、このダイパッド上の半導体素子と、この半導
体素子の外部接続端子とボンディングワイヤで接続され
た外部導出リードと、ダイパッドおよび外部導出リード
と絶縁され、かつ隣合う樹脂成形体間を連結して支える
連結細条の一端を含み封止した樹脂からなり、タイバー
および枠の切断後も各半導体装置の封止樹脂間を接続し
、半導体素子と絶縁された連結細条を僅えたリードフレ
ームを用い、タイバーおよび枠の切断時に連結細条は切
断しないで複数個連結された状態で検査する方法をとり
、検査後封止樹脂の外側の連結細条を切断する工程を備
えた方法で製造される。
作用 この構成によって、タイバーおよび枠の切断後も連結細
条で複数個の半導体装置が連結され、かつ外部導出リー
ドが分離しているため、個々の半導体装置の検査が可能
である。
実施例 以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。
第1図は本発明の第1の実施例における半導体装置、そ
れに用いるリードフレーム、半導体装置の製造方法およ
び半導体装置の検査方法を示すものである。
第1図において、1は半導体素子、2はダイパッド、3
は外部導出リード、4はボンディングワイヤ、5は接着
剤、6はタイバー、7は枠、8はモールド樹脂、9はリ
ード線半田、21は連結細条で、ダイパッド2とは絶縁
され、かつ、隣合う半導体装置の、モールド樹脂8から
なる成形体間を連結して支えている。
まず、リードフレームの構成について、第1図(a)を
用いて説明する。
リードフレームは半導体素子1を載置するダイパッド2
と、一端がワイヤボンディングされる外部導出リード3
と、ダイパッド2と外部導出り−ド3を中間で支えるタ
イバー6と、ダイパッド2と外部導出リード3の他端を
支える枠7と、タイバー6と枠7とで支えられ、かつ隣
合う半導体装置のモールド樹脂8成形体間を連結して支
え、かつダイパッド2とは絶縁された連結細条21から
構成される。
次に、半導体装置の製造方法について、第1図を用いて
説明する。
ダイパッド2に半導体素子1を接着剤5で接着し、半導
体素子1の外部接続端子と外部導出り−ド3の一端とを
ボンディングワイヤ4で結線する(第1図(a))。次
に、タイバー6および枠7部分を残しモールド樹脂8で
封止する(第1図(b)〉。
次に、タイバー6および枠7を切断し、外部導出リード
3を電気的に分離し、連結細条21でモールド樹脂8間
を連結した状態にし、その後、外部導出リード3にリー
ド線半田9あるいはメツキを付ける(第1図(C))。
最後に、連結細条21のモールド樹脂8の外側部分を切
断し、個々の半導体装置に分断する(第1図ω))。
半導体装置の検査方法は、連結細条21でモールド樹脂
8間を連結した状態のままに個々の半導体装置の電気的
特性を検査するものである(第1図(C))。
さらに詳細に説明すると、タイバー6および枠7を切断
した状態で、かつ複数の半導体装置がダイパッド2と外
部導出リード3と絶縁された連結細条21でモールド樹
脂8間を連結した状態で、これら半導体装置の電気的特
性を独立して検査することができる。つまり、連結細条
21は複数個の半導体装置がばらばらにならないように
連結する役割をし、それにより複数個の半導体装置を連
結した状態で検査することができる。
第2図は本発明の第2の実施例を示すリードフレームで
、第2図(a)はその平面図、第2図(b)はその側面
図である。その構成は連結細条21をダイパッド2と平
面的に重なる位置に配置するものである(第2図(a)
)。連結細条21とダイパッド2が重ならないように途
中で折り曲げて、連結細条21とダイパッド2を絶縁す
るものである(第2図(b))。
第3図は本発明の第3の実施例を示すリードフレームの
平面図で、第1図および第2図に示す連結細条21を両
方備えた構成のものである。
第4図に半導体装置の製造、検査工程のライン構成を示
す。
ダイスボンド工程11、ワイヤボンド工程12、樹脂封
圧工程13、リードカット工程14、半田付けまたはメ
ツキ工程16、検査・マーキング工程18がすべて1ラ
インとなる。これにより、インライン状態のまま製造、
検査が可能となる。
発明の効果 以上のように本発明は隣合う樹脂成形体間を連結して支
え、かつ前記ダイパッドとは絶縁された連結細条を設け
ることにより、タイバーおよび枠の切断後も複数の半導
体装置が連結細条で連結されており、半導体装置の製造
・検査工程もインラインによって処理でき、複雑な設備
・工程が不要となり、リードタイムの短縮にも大きな効
果をもたらす。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例における半導体装置の製
造方法およびそれに用いるリードフレームを示す平面図
、第2図は本発明の第2の実施例におけるリードフレー
ムを示す構成図、第3図は本発明の第3の実施例におけ
るリードフレームを示す平面図、第4図は本発明の一実
施例における半導体装置の製造、検査工程のライン構成
図、第5図は従来の半導体装置の製造方法およびそれに
用いるリードフレームを示す平面図、第6図は従来の半
導体装置の製造、検査工程のライン構成図である。 1・・・・・・半導体素子、2・・・・・・ダイパッド
、3・・・・・・外部導出リード、4・・・・・・ボン
ディングワイヤ、5・・・・・・接着剤、6・・・・・
・タイバー、7・・・・・・枠、8・・・・・・モール
ド樹脂、9・・・・・・リード線半田、11・・・・・
・ダイスボンド工程、12・・・・・・ワイヤボンド工
程、13・・・・・・樹脂封止工程、14・・・・・・
リードカット工程、16・・・・・・半田付けまたはメ
ツキ工程、18・・・・・・検査・マーキング工程、2
1・・・・・・連結細条。 代理人の氏名 弁理士小蝦治明 ほか2名第2図

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ダイパッドと、前記ダイパッド上の半導体素子と
    、前記半導体素子の外部接続端子とボンディングワイヤ
    で接続された外部導出リードと、前記ダイパッドおよび
    前記外部導出リードと絶縁された連結細条と、前記ダイ
    パッド、前記半導体素子、前記外部導出リードの一端お
    よび前記連結細条の一端を封止した樹脂からなる半導体
    装置。
  2. (2)ダイパッドと、外部導出リードと、隣合う樹脂成
    形領域間を連結して支え、かつ前記ダイパッドとは絶縁
    された連結細条と、前記ダイパッドと前記外部導出リー
    ドと前記連結細条とを中間および端でそれぞれ支えるタ
    イバーと枠とが複数連なってなるリードフレーム。
  3. (3)ダイパッドと、外部導出リードと、前記ダイパッ
    ドとは絶縁された、隣合う樹脂成形体間を連結するため
    の連結細条と、前記ダイパッドと前記外部導出リードと
    前記連結細条とを中間および端でそれぞれ支えるタイバ
    ーと枠とからなるリードフレームの前記ダイパッド上に
    半導体素子を接着する工程と、前記半導体素子の外部接
    続端子と前記外部導出リードをボンディングワイヤで結
    線する工程と、前記連結細条の一端を含み、前記ダイパ
    ッド、前記半導体素子、および前記外部導出リードの一
    端を樹脂封止する工程と、前記タイバーおよび前記枠を
    切断する工程と、封止樹脂の外側にある前記連結細条を
    切断する工程とを備えた半導体装置の製造方法。
  4. (4)ダイパッドと、外部リードと、前記外部リードを
    支えるタイバーと、隣合う複数の半導体素子の樹脂成形
    体間を連結して支え、かつ前記ダイパッドと前記外部導
    出リードとは絶縁された連結細条とを枠で繋いだリード
    フレームを備えた半導体装置の前記タイバーおよび前記
    枠を切断し、前記隣合う樹脂成形体間が前記連結細条で
    連結された状態で前記複数の半導体素子の電気的特性を
    検査する半導体装置の検査方法。
JP28507390A 1990-10-22 1990-10-22 半導体装置、それに用いるリードフレーム、半導体装置の製造方法および半導体装置の検査方法 Pending JPH04158562A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006253719A (ja) * 2002-02-01 2006-09-21 Sharp Corp 半導体レーザ装置の製造方法

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