JP2560909B2 - 樹脂封止型半導体装置およびリードフレーム - Google Patents
樹脂封止型半導体装置およびリードフレームInfo
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- resin
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、例えばテレビ受像機の高圧整流回路に使用
するダイオードなどを対象とした、パッケージがシング
ル・エンド・タイプである樹脂封止型の二端子半導体装
置、およびそのリードフレームに関する。
するダイオードなどを対象とした、パッケージがシング
ル・エンド・タイプである樹脂封止型の二端子半導体装
置、およびそのリードフレームに関する。
まず、頭記ダイオードの半導体装置を対象に、従来よ
り採用されているリードフレームの構造，および樹脂封
止型半導体装置の製品外観図を第４図，第５図に示す。
り採用されているリードフレームの構造，および樹脂封
止型半導体装置の製品外観図を第４図，第５図に示す。
第４図において、１はダイパッド、2,3は外部リー
ド、4,5はダイパッドの支持片であり、これらを単位と
するパターンがリードフレームの両サイドに並ぶ第1,第
２の連結条帯6,7の間に連ねて連続的に形成されてい
る。なお、８はダイパッド１に穿孔したねじ止め穴、９
は連結条帯6,7の位置決め穴である。ここで、ダイパッ
ド１は両端が支持片4,5を介して第1,第２の連結条帯6,7
に連結されている。また、外部リード2,3は一端を第２
の連結条帯７に連結し、かつ前記支持片５の両側に並べ
てダイパッド１の近傍位置まで引出すように形成されて
いる。
ド、4,5はダイパッドの支持片であり、これらを単位と
するパターンがリードフレームの両サイドに並ぶ第1,第
２の連結条帯6,7の間に連ねて連続的に形成されてい
る。なお、８はダイパッド１に穿孔したねじ止め穴、９
は連結条帯6,7の位置決め穴である。ここで、ダイパッ
ド１は両端が支持片4,5を介して第1,第２の連結条帯6,7
に連結されている。また、外部リード2,3は一端を第２
の連結条帯７に連結し、かつ前記支持片５の両側に並べ
てダイパッド１の近傍位置まで引出すように形成されて
いる。
かかる構造のリードフレームを用いて半導体装置を組
立てるには、まずダイパッド１に半導体チップ10（ダイ
オードチップ）をマウントし、さらに半導体チップ10の
上部電極と外部リード２との間，およびダイパッド１と
外部リード３との間にそれぞれワイヤ11,12をボンディ
ングした後に、図示の点線で表した領域をトランスファ
成形法などにより樹脂13で封止する。次に樹脂封止済み
のリードフレームに対し、不要部分をリードカット処理
して第５図に示した樹脂封止型半導体装置を得る。
立てるには、まずダイパッド１に半導体チップ10（ダイ
オードチップ）をマウントし、さらに半導体チップ10の
上部電極と外部リード２との間，およびダイパッド１と
外部リード３との間にそれぞれワイヤ11,12をボンディ
ングした後に、図示の点線で表した領域をトランスファ
成形法などにより樹脂13で封止する。次に樹脂封止済み
のリードフレームに対し、不要部分をリードカット処理
して第５図に示した樹脂封止型半導体装置を得る。
前記のように第４図のリードフレームを用いて組立て
構成された樹脂封止型半導体装置は、第５図の外観図か
ら判るようにリードカット後の状態では、外部リード２
と３との間に並んで支持片５（第４図参照）のカット残
り部5aが外装樹脂13の表面に露呈するようになる。な
お、この支持片のカット残り部5aはダイパッドと電気的
に連なっている。
構成された樹脂封止型半導体装置は、第５図の外観図か
ら判るようにリードカット後の状態では、外部リード２
と３との間に並んで支持片５（第４図参照）のカット残
り部5aが外装樹脂13の表面に露呈するようになる。な
お、この支持片のカット残り部5aはダイパッドと電気的
に連なっている。
このために、当該半導体装置を高圧回路に適用して外
部リード２と３の間に電圧を印加した状態では、特に半
導体チップ10の上部電極に接続した外部リード２とこれ
に近接して樹脂外装の表面に露呈するカット残り部5aと
の間に全電圧が掛かる。このために外部リード２とカッ
ト残り部5aとの間の絶縁耐力が不足して沿面放電が生
じ、半導体チップ10を破壊させるおそれがある。
部リード２と３の間に電圧を印加した状態では、特に半
導体チップ10の上部電極に接続した外部リード２とこれ
に近接して樹脂外装の表面に露呈するカット残り部5aと
の間に全電圧が掛かる。このために外部リード２とカッ
ト残り部5aとの間の絶縁耐力が不足して沿面放電が生
じ、半導体チップ10を破壊させるおそれがある。
このために、従来では樹脂外装面に露呈しているカッ
ト残り部5aをリードカット後に別な工程で樹脂封止する
か、あるいは樹脂外装の形状に工夫を凝らして外部リー
ドとの間の沿面距離を増加させるような対策を講じて対
処しているが、これらの方法は製造工程を増したり，ト
ランスファ成形金型が複雑化するなどの問題が残る。
ト残り部5aをリードカット後に別な工程で樹脂封止する
か、あるいは樹脂外装の形状に工夫を凝らして外部リー
ドとの間の沿面距離を増加させるような対策を講じて対
処しているが、これらの方法は製造工程を増したり，ト
ランスファ成形金型が複雑化するなどの問題が残る。
本発明は上記の点にかんがみなされたものであり、パ
ッケージがシングル・エンド・タイプであるダイオード
などの二端子半導体装置を対象に、外部リードとの間で
放電を誘発するようなカット残り部が樹脂外装の表面に
露呈することのないリードフレーム、および該リードフ
レームを用いて組立構成した樹脂封止型半導体装置を提
供することを目的とする。
ッケージがシングル・エンド・タイプであるダイオード
などの二端子半導体装置を対象に、外部リードとの間で
放電を誘発するようなカット残り部が樹脂外装の表面に
露呈することのないリードフレーム、および該リードフ
レームを用いて組立構成した樹脂封止型半導体装置を提
供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明はリードフレーム
を次記のように構成するものとする。
を次記のように構成するものとする。
（１）リードフレームの両サイドに並ぶ第1,第２の連結
条帯の間に、第１の連結条帯に支持片を介して片持式に
連結したダイパッドと、第２の連結条帯に一端を連結し
てダイパッドの近傍位置まで平行に引出した２条の外部
リードと、および第1,第２の連結条帯の相互間を直接連
結したタイバーをパターン形成する。
条帯の間に、第１の連結条帯に支持片を介して片持式に
連結したダイパッドと、第２の連結条帯に一端を連結し
てダイパッドの近傍位置まで平行に引出した２条の外部
リードと、および第1,第２の連結条帯の相互間を直接連
結したタイバーをパターン形成する。
（２）リードフレームの両サイドに並ぶ第1,第２の連結
条帯の間に、第１の連結条帯に支持片を介して連結した
ダイパッドと、ダイパッドの支持片を兼ねて第２の連結
条帯とダイパッドとの間を連結した第１の外部リード
と、第１の外部リードと平行に第２の連結条帯に一端を
連結してダイパッドの近傍位置まで引出した第２の外部
リードをパターン形成する。
条帯の間に、第１の連結条帯に支持片を介して連結した
ダイパッドと、ダイパッドの支持片を兼ねて第２の連結
条帯とダイパッドとの間を連結した第１の外部リード
と、第１の外部リードと平行に第２の連結条帯に一端を
連結してダイパッドの近傍位置まで引出した第２の外部
リードをパターン形成する。
そして、前記（１）または（２）に記した構成のリー
ドフレームを用いて半導体チップを組立て、かつその周
囲を樹脂封止した上で、リードフレームをリードカット
処理して樹脂封止型半導体装置を構成するものとする。
ドフレームを用いて半導体チップを組立て、かつその周
囲を樹脂封止した上で、リードフレームをリードカット
処理して樹脂封止型半導体装置を構成するものとする。
上記構成のリードフレームでは、ダイパッドと第２の
連結条帯との間には外部リードの他に余分な支持片など
が存在せず、半導体チップを組立てて樹脂封止を施した
後にリードカット処理した状態でも、外部リードとの間
で沿面放電を誘発するおそれのある不要な金属カット残
り部が樹脂外装の表面に露呈することがない。これによ
り、樹脂外装から同じ方向に引出した外部リードの相互
間に十分な絶縁耐力が確保される。
連結条帯との間には外部リードの他に余分な支持片など
が存在せず、半導体チップを組立てて樹脂封止を施した
後にリードカット処理した状態でも、外部リードとの間
で沿面放電を誘発するおそれのある不要な金属カット残
り部が樹脂外装の表面に露呈することがない。これによ
り、樹脂外装から同じ方向に引出した外部リードの相互
間に十分な絶縁耐力が確保される。
以下本発明の実施例を図面に基づいて説明する。な
お、各実施例において、第４図，第５図に対応する同一
部材には同じ符号が付してある。
お、各実施例において、第４図，第５図に対応する同一
部材には同じ符号が付してある。
まず、第１図の実施例においえは、リードフレームの
両サイドに並ぶ第1,第２の連結条帯6,7の間に、第１の
連結条帯６に支持片４を介して片持式に連結したダイパ
ッド１と、第２の連結条帯７に一端を連結してダイパッ
ド１の近傍位置まで平行に引出した２条の外部リード2,
3と、およびダイパッド１の側方位置で第1,第２の連結
条帯６と７の相互間を直接連結したタイバー14とがパタ
ーン形成されている。なお、タイバー14は図示例のよう
に複数パターンおきに形成するか、あるいは各パターン
ごとに形成してもよい。
両サイドに並ぶ第1,第２の連結条帯6,7の間に、第１の
連結条帯６に支持片４を介して片持式に連結したダイパ
ッド１と、第２の連結条帯７に一端を連結してダイパッ
ド１の近傍位置まで平行に引出した２条の外部リード2,
3と、およびダイパッド１の側方位置で第1,第２の連結
条帯６と７の相互間を直接連結したタイバー14とがパタ
ーン形成されている。なお、タイバー14は図示例のよう
に複数パターンおきに形成するか、あるいは各パターン
ごとに形成してもよい。
かかる構成のリードフレームを用いて半導体チップ10
を組立てるには、まず、半導体チップ10をダイパッド１
にマウントし、次にチップ10の上部電極と外部リード２
との間，およびダイパッド１と外部リード３との間にそ
れぞれワイヤ11,12をボンディングし、さらに点線領域
を樹脂13で封止した上で、リードフレームをリードカッ
ト処理する。
を組立てるには、まず、半導体チップ10をダイパッド１
にマウントし、次にチップ10の上部電極と外部リード２
との間，およびダイパッド１と外部リード３との間にそ
れぞれワイヤ11,12をボンディングし、さらに点線領域
を樹脂13で封止した上で、リードフレームをリードカッ
ト処理する。
第２図は第１図と異なる実施例のリードフレームを示
すものであり、両サイドに並ぶ第1,第２の連結条帯6,7
の間に、第１の連結条帯６に支持片４を介して連結した
ダイパッド１と、ダイパッドの支持片を兼ねて第２の連
結条帯７とダイパッド１との間を連結した第１の外部リ
ード15と、第１の外部リード15と平行に第２の連結条帯
７に一端を連結してダイパッド１の近傍位置まで引出し
た第２の外部リード16とがパターン形成されている。す
なわち、この実施例では第１図の構造と異なり、第1,第
２の連結条帯６と７の間が支持片4,ダイパッド1,第１の
外部リード15を介して連結されているので、第１図にお
けるタイバー14は必要ない。
すものであり、両サイドに並ぶ第1,第２の連結条帯6,7
の間に、第１の連結条帯６に支持片４を介して連結した
ダイパッド１と、ダイパッドの支持片を兼ねて第２の連
結条帯７とダイパッド１との間を連結した第１の外部リ
ード15と、第１の外部リード15と平行に第２の連結条帯
７に一端を連結してダイパッド１の近傍位置まで引出し
た第２の外部リード16とがパターン形成されている。す
なわち、この実施例では第１図の構造と異なり、第1,第
２の連結条帯６と７の間が支持片4,ダイパッド1,第１の
外部リード15を介して連結されているので、第１図にお
けるタイバー14は必要ない。
そして、このリードフレームを用いて半導体チップ10
を組立てるには、まず、半導体チップ10をダイパッド１
にマウントし、次にチップ10の上部電極と外部リード16
との間にワイヤ11をボンディングし、さらに点線領域を
樹脂13で封止した上で、リードフレームをリードカット
処理する。
を組立てるには、まず、半導体チップ10をダイパッド１
にマウントし、次にチップ10の上部電極と外部リード16
との間にワイヤ11をボンディングし、さらに点線領域を
樹脂13で封止した上で、リードフレームをリードカット
処理する。
次に、前記した第１図，第２図のリードフレームを用
いて組立構成された樹脂封止型半導体装置の外観を第３
図に示す。第３図から明らかなように、樹脂外装から同
じ方向に引出した外部リード２と3,あるいはと15と16の
間には、外部リード以外に第５図で示したような沿面放
電を誘発する不要な金属のカット残り部5aが存在せず、
これにより外部リード２と3,15と16との間で十分な絶縁
耐力が確保される。
いて組立構成された樹脂封止型半導体装置の外観を第３
図に示す。第３図から明らかなように、樹脂外装から同
じ方向に引出した外部リード２と3,あるいはと15と16の
間には、外部リード以外に第５図で示したような沿面放
電を誘発する不要な金属のカット残り部5aが存在せず、
これにより外部リード２と3,15と16との間で十分な絶縁
耐力が確保される。
本発明のリードフレーム，および当該リードフレーム
を用いて組立構成した樹脂封止型半導体装置は、以上説
明したように構成されているので、次記の効果を奏す
る。
を用いて組立構成した樹脂封止型半導体装置は、以上説
明したように構成されているので、次記の効果を奏す
る。
（１）請求項1,2のリードフレームでは、ダイパッドと
第２の連結条帯との間には外部リードの他に余分な支持
片などが存在せず、半導体チップを組立てて樹脂封止を
施した後にリードカット処理した状態でも、外部リード
との間で沿面放電を誘発するおそれのある不要な金属カ
ット残り部が樹脂外装の表面に露呈することがない。こ
れにより、樹脂外装から同じ方向に引出した外部リード
の相互間に十分な絶縁耐力が確保され、特に高電圧仕様
のものとして信頼性の高い半導体装置が得られる。
第２の連結条帯との間には外部リードの他に余分な支持
片などが存在せず、半導体チップを組立てて樹脂封止を
施した後にリードカット処理した状態でも、外部リード
との間で沿面放電を誘発するおそれのある不要な金属カ
ット残り部が樹脂外装の表面に露呈することがない。こ
れにより、樹脂外装から同じ方向に引出した外部リード
の相互間に十分な絶縁耐力が確保され、特に高電圧仕様
のものとして信頼性の高い半導体装置が得られる。
（２）また、従来採用されているリードフレームと比べ
てリードカットする箇所が少なく、作業効率が向上す
る。
てリードカットする箇所が少なく、作業効率が向上す
る。
（３）さらに、請求項２のリードフレームでは、ワイヤ
ボンディング箇所が１箇所のみで済むので、工数の削
減，作業能率の向上化が図れる。
ボンディング箇所が１箇所のみで済むので、工数の削
減，作業能率の向上化が図れる。
第１図，第２図はそれぞれ異なる本発明実施例のリード
フレームのパターン図、第３図は第１図，第２図のリー
ドフレームを用いて組立構成した樹脂封止型半導体装置
の外観図、第４図は従来におけるリードフレームのパタ
ーン図、第５図は第４図のリードフレームを用いて組立
構成した樹脂封止型半導体装置の外観図である。 1:ダイパッド、2,3:外部リード、4:支持片、6:第１の連
結条帯、7:第２の連結条帯、10:半導体チップ、11,12:
ワイヤ、13:外装樹脂、14:タイバー、15:第１の外部リ
ード、16:第２の外部リード。
フレームのパターン図、第３図は第１図，第２図のリー
ドフレームを用いて組立構成した樹脂封止型半導体装置
の外観図、第４図は従来におけるリードフレームのパタ
ーン図、第５図は第４図のリードフレームを用いて組立
構成した樹脂封止型半導体装置の外観図である。 1:ダイパッド、2,3:外部リード、4:支持片、6:第１の連
結条帯、7:第２の連結条帯、10:半導体チップ、11,12:
ワイヤ、13:外装樹脂、14:タイバー、15:第１の外部リ
ード、16:第２の外部リード。
Claims (3)
- 【請求項１】ダイオードなどを対象とする二端子半導体
装置用のリードフレームであって、両サイドに並ぶ第1,
第２の連結条帯の間に、第１の連結条帯に支持片を介し
て片持式に連結したダイパッドと、第２の連結条帯に一
端を連結してダイパッドの近傍位置まで平行に引出した
２条の外部リードと、および第1,第２の連結条帯の相互
間を直接連結したタイバーをパターン形成したことを特
徴とするリードフレーム。 - 【請求項２】ダイオードなどを対象とする二端子半導体
装置用のリードフレームであって、両サイドに並ぶ第1,
第２の連結条帯の間に、第１の連結条帯に支持片を介し
て連結したダイパッドと、ダイパッドの支持片を兼ねて
第２の連結条帯とダイパッドとの間を連結した第１の外
部リードと、第１の外部リードと平行に第２の連結条帯
に一端を連結してダイパッドの近傍位置まで引出した第
２の外部リードをパターン形成したことを特徴とするリ
ードフレーム。 - 【請求項３】請求項１または２に記載のリードフレーム
を用いて半導体チップを組立て、かつその周囲を樹脂封
止した上で、リードフレームをリードカット処理して構
成したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2296593A JP2560909B2 (ja) | 1990-11-01 | 1990-11-01 | 樹脂封止型半導体装置およびリードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2296593A JP2560909B2 (ja) | 1990-11-01 | 1990-11-01 | 樹脂封止型半導体装置およびリードフレーム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04170054A JPH04170054A (ja) | 1992-06-17 |
| JP2560909B2 true JP2560909B2 (ja) | 1996-12-04 |
Family
ID=17835555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2296593A Expired - Lifetime JP2560909B2 (ja) | 1990-11-01 | 1990-11-01 | 樹脂封止型半導体装置およびリードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2560909B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9786583B2 (en) * | 2015-06-29 | 2017-10-10 | Alpha And Omega Semiconductor Incorporated | Power semiconductor package device having locking mechanism, and preparation method thereof |
-
1990
- 1990-11-01 JP JP2296593A patent/JP2560909B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9786583B2 (en) * | 2015-06-29 | 2017-10-10 | Alpha And Omega Semiconductor Incorporated | Power semiconductor package device having locking mechanism, and preparation method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04170054A (ja) | 1992-06-17 |
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Legal Events
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