JPH0613528A - 電子部品のパッケージ構造及びその製造方法 - Google Patents
電子部品のパッケージ構造及びその製造方法Info
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- JPH0613528A JPH0613528A JP16618692A JP16618692A JPH0613528A JP H0613528 A JPH0613528 A JP H0613528A JP 16618692 A JP16618692 A JP 16618692A JP 16618692 A JP16618692 A JP 16618692A JP H0613528 A JPH0613528 A JP H0613528A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】リ−ド部の位置精度を向上させて高密度実装に
応じられるQFP構造の電子部品のパッケージ構造及び
その製造方法を得る。 【構成】樹脂モールド4されたパッケージから外部に出
た接続リード部1aの根元に、リング状の絶縁体タイバ
ー2を配設し、その外周部のリード端に絶縁体中間枠5
を配設すると共に、タイバー2と中間枠5との間のリー
ドを屈曲成形してQFP構造のパッケージを得る。四方
のリードの屈曲成形を容易とし、接続部のリードの位置
を同一平面上に揃えるために、絶縁体中間枠5の四角を
欠落させておくか、もしくはこの部分をリードの外枠の
一部で補填する。 【効果】リ−ド間の位置精度バラツキをほぼゼロとする
ことができるため、配線基板への接続不良を大幅に低減
できる。
応じられるQFP構造の電子部品のパッケージ構造及び
その製造方法を得る。 【構成】樹脂モールド4されたパッケージから外部に出
た接続リード部1aの根元に、リング状の絶縁体タイバ
ー2を配設し、その外周部のリード端に絶縁体中間枠5
を配設すると共に、タイバー2と中間枠5との間のリー
ドを屈曲成形してQFP構造のパッケージを得る。四方
のリードの屈曲成形を容易とし、接続部のリードの位置
を同一平面上に揃えるために、絶縁体中間枠5の四角を
欠落させておくか、もしくはこの部分をリードの外枠の
一部で補填する。 【効果】リ−ド間の位置精度バラツキをほぼゼロとする
ことができるため、配線基板への接続不良を大幅に低減
できる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、リ−ドフレ−ムに半導
体素子を搭載接続し、それを樹脂もしくはセラミックス
で封止した電子部品のパッケージ構造及びその製造方法
に関する。
体素子を搭載接続し、それを樹脂もしくはセラミックス
で封止した電子部品のパッケージ構造及びその製造方法
に関する。
【0002】
【従来の技術】リ−ドフレ−ムを有する電子部品の製造
方法は、タイバ−によって隣接するリ−ド間が接続され
たリ−ドフレ−ムで半導体素子を接続し、樹脂でモ−ル
ド後、タイバ−を切断して、各リ−ドを切離した後にリ
−ド成形を行なうのが一般的である。
方法は、タイバ−によって隣接するリ−ド間が接続され
たリ−ドフレ−ムで半導体素子を接続し、樹脂でモ−ル
ド後、タイバ−を切断して、各リ−ドを切離した後にリ
−ド成形を行なうのが一般的である。
【0003】以下、図15により、(a)〜(d)の工
程にしたがい代表的な従来技術による半導体パッケージ
の製造方法の一例を説明する。 (a)工程の平面図に示すようにリ−ドフレ−ム10
は、通常、鉄−ニッケル合金、または銅合金に所定のレ
ジストパターンを被着させ、これをマスクとしてエッチ
ング加工を行なって形成される。この時、各リ−ド間を
切離してしまうと強度の低下により、リ−ド部1の位置
精度が悪くなるため、金属タイバ−8及びリ−ドフレ−
ム外周枠6と呼ばれる隣接するリ−ド間の連続部分を残
しておく。
程にしたがい代表的な従来技術による半導体パッケージ
の製造方法の一例を説明する。 (a)工程の平面図に示すようにリ−ドフレ−ム10
は、通常、鉄−ニッケル合金、または銅合金に所定のレ
ジストパターンを被着させ、これをマスクとしてエッチ
ング加工を行なって形成される。この時、各リ−ド間を
切離してしまうと強度の低下により、リ−ド部1の位置
精度が悪くなるため、金属タイバ−8及びリ−ドフレ−
ム外周枠6と呼ばれる隣接するリ−ド間の連続部分を残
しておく。
【0004】(b)工程で半導体素子9を接続した後、
(c)工程の平面図及び断面図に示すように樹脂モ−ル
ド4を行ない、次いで、(d)工程に示すように金属タ
イバ−8及びリ−ドフレ−ム外周枠6を機械的に切断
し、配線基板上に実装し易い形状に、リ−ド部1を成形
して完成となる。
(c)工程の平面図及び断面図に示すように樹脂モ−ル
ド4を行ない、次いで、(d)工程に示すように金属タ
イバ−8及びリ−ドフレ−ム外周枠6を機械的に切断
し、配線基板上に実装し易い形状に、リ−ド部1を成形
して完成となる。
【0005】以上に述べた従来技術の製造方法でも、リ
−ド間のピッチが0.5mm程度までは困難なく製造で
きた。しかし、高密度実装となり、リ−ド間のピッチが
0.3mm以下となるとタイバ−切断用の切断型の寸法
が小さくなり、切断部分が破損し易いため、タイバ−の
機械的な切断は極めて困難となる。この問題を解決する
手段として、タイバ−をレ−ザ−光により溶断する方法
も検討されているが、溶断に要する時間が長く、実用に
は不向きである。なお、リ−ドフレ−ムのリ−ド部の位
置精度向上に関するものとして、例えば特開平3−23
2264号公報、特開平3−236271号公報が挙げ
られるが、これらは、いずれもタイバ−部の構造そのも
のを変更するものではない。
−ド間のピッチが0.5mm程度までは困難なく製造で
きた。しかし、高密度実装となり、リ−ド間のピッチが
0.3mm以下となるとタイバ−切断用の切断型の寸法
が小さくなり、切断部分が破損し易いため、タイバ−の
機械的な切断は極めて困難となる。この問題を解決する
手段として、タイバ−をレ−ザ−光により溶断する方法
も検討されているが、溶断に要する時間が長く、実用に
は不向きである。なお、リ−ドフレ−ムのリ−ド部の位
置精度向上に関するものとして、例えば特開平3−23
2264号公報、特開平3−236271号公報が挙げ
られるが、これらは、いずれもタイバ−部の構造そのも
のを変更するものではない。
【0006】また、図16の平面図に示したように、金
属タイバ−8を設けない構成のリードフレームも提案さ
れている。この従来例は、リードフレームのエッチング
によるパターン化工程の途中でガラス等の固定材料23
で隣接するリード31間をリング状に固定し(32はそ
の周線)、さらにエッチングを続行して内部リード31
iと外部リード31oからなるリードにパターン化して
からその外周に絶縁物からなる第1及び第2リードサポ
ート33、34を設けるものである。最外周にはリード
の外端を一時的に保持する周辺バンド36を残している
が、これらリードサポートを形成した後は周辺バンド3
6は切断される。この段階でリードフレームにLSI等
の半導体チップが搭載され、ボンディングされてから樹
脂モールドされる。33はパッケージの外部境界を示し
ている。37は検査リードであり、所定の検査が終了し
た後は、これらは第1リードサポート34の外側のリー
ド間隔の揃った38のところで切断されると共に、リー
ド端は第1リードサポート34の外側で必要とする形状
に折り曲げられ、半導体パッケージが完成する。
属タイバ−8を設けない構成のリードフレームも提案さ
れている。この従来例は、リードフレームのエッチング
によるパターン化工程の途中でガラス等の固定材料23
で隣接するリード31間をリング状に固定し(32はそ
の周線)、さらにエッチングを続行して内部リード31
iと外部リード31oからなるリードにパターン化して
からその外周に絶縁物からなる第1及び第2リードサポ
ート33、34を設けるものである。最外周にはリード
の外端を一時的に保持する周辺バンド36を残している
が、これらリードサポートを形成した後は周辺バンド3
6は切断される。この段階でリードフレームにLSI等
の半導体チップが搭載され、ボンディングされてから樹
脂モールドされる。33はパッケージの外部境界を示し
ている。37は検査リードであり、所定の検査が終了し
た後は、これらは第1リードサポート34の外側のリー
ド間隔の揃った38のところで切断されると共に、リー
ド端は第1リードサポート34の外側で必要とする形状
に折り曲げられ、半導体パッケージが完成する。
【0007】しかし、このパッケージ構造において外部
リード31oが第1リードサポート34に固定されてい
るとしても依然として自由端を有していることから、リ
ードの変形は避けられず、特に高密度実装に対応したも
のではリード間隔が極めて狭くなることから僅かの位置
変形が配線基板上への接続の信頼性に大きく影響する。
リード接続はほとんどの場合、自動化された実装装置で
行なわれるため、搭載する電子部品としてはリード変形
のないものが要求される。なお、この種の技術に関連す
るものとして特開昭62−90955号公報が挙げられ
る。
リード31oが第1リードサポート34に固定されてい
るとしても依然として自由端を有していることから、リ
ードの変形は避けられず、特に高密度実装に対応したも
のではリード間隔が極めて狭くなることから僅かの位置
変形が配線基板上への接続の信頼性に大きく影響する。
リード接続はほとんどの場合、自動化された実装装置で
行なわれるため、搭載する電子部品としてはリード変形
のないものが要求される。なお、この種の技術に関連す
るものとして特開昭62−90955号公報が挙げられ
る。
【0008】さらにまた、特開昭3−196555号公
報にみられるように、パッケージの周りに突き出て配設
されている外部リードを絶縁性材料からなるフレーム枠
に接続させ互いに連結した半導体パッケージが提案され
ている。この種のQFP(Quad Flat Package)構造
のパッケージにおいては、四辺の外部リード群を同一平
面上に屈曲させることから、フレーム枠は外部リードを
屈曲させた後に絶縁性樹脂等で成形するか、もしくはリ
ードを屈曲させる前にリング状に成形するかの何れか方
法をとるが、前者の場合には屈曲させる際にリード端が
自由端であることから位置変形が避けられず、後者の場
合には成形したフレーム枠を固定した状態でリードを屈
曲することになるため四辺のリード群を同一平面上に位
置させることが難しく実用的でない。すなわち、リード
接続部の平坦性が充分でないことからこの種のQFP構
造のパッケージを配線基板に実装する場合には、信頼性
の高い接続を実現することは困難である。
報にみられるように、パッケージの周りに突き出て配設
されている外部リードを絶縁性材料からなるフレーム枠
に接続させ互いに連結した半導体パッケージが提案され
ている。この種のQFP(Quad Flat Package)構造
のパッケージにおいては、四辺の外部リード群を同一平
面上に屈曲させることから、フレーム枠は外部リードを
屈曲させた後に絶縁性樹脂等で成形するか、もしくはリ
ードを屈曲させる前にリング状に成形するかの何れか方
法をとるが、前者の場合には屈曲させる際にリード端が
自由端であることから位置変形が避けられず、後者の場
合には成形したフレーム枠を固定した状態でリードを屈
曲することになるため四辺のリード群を同一平面上に位
置させることが難しく実用的でない。すなわち、リード
接続部の平坦性が充分でないことからこの種のQFP構
造のパッケージを配線基板に実装する場合には、信頼性
の高い接続を実現することは困難である。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、上記従来の問題点を解消することにあり、リ−
ド部の位置精度を向上させて高密度実装に応じられ、タ
イバ−の切断が不要なリ−ドフレ−ムを有するQFP構
造の電子部品のパッケージ構造及びその製造方法を提供
することにある。
目的は、上記従来の問題点を解消することにあり、リ−
ド部の位置精度を向上させて高密度実装に応じられ、タ
イバ−の切断が不要なリ−ドフレ−ムを有するQFP構
造の電子部品のパッケージ構造及びその製造方法を提供
することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記本発明の目的は、半
導体素子をリ−ドフレ−ムに接続し、樹脂でモ−ルドし
てなるQFPパッケージ構造において、前記リ−ドフレ
−ムの外部リ−ドの根元部にリング状の絶縁体タイバー
を配設すると共に、そのリード端に四角を欠落したリン
グ状の絶縁体枠を接続し、前記絶縁体タイバーと四角を
欠落したリング状の絶縁体枠との間のリードを屈曲成形
してリード接続部を同一平面上に揃えて構成して成る電
子部品のパッケージ構造により、達成される。
導体素子をリ−ドフレ−ムに接続し、樹脂でモ−ルドし
てなるQFPパッケージ構造において、前記リ−ドフレ
−ムの外部リ−ドの根元部にリング状の絶縁体タイバー
を配設すると共に、そのリード端に四角を欠落したリン
グ状の絶縁体枠を接続し、前記絶縁体タイバーと四角を
欠落したリング状の絶縁体枠との間のリードを屈曲成形
してリード接続部を同一平面上に揃えて構成して成る電
子部品のパッケージ構造により、達成される。
【0011】また、上記四角を欠落したリング状の絶縁
体枠の欠落部を、例えばリ−ドフレ−ムを構成する金属
片で接続し、前記リング状の絶縁体枠を絶縁体と金属か
らなる枠体で構成してもよい。
体枠の欠落部を、例えばリ−ドフレ−ムを構成する金属
片で接続し、前記リング状の絶縁体枠を絶縁体と金属か
らなる枠体で構成してもよい。
【0012】また、上記リ−ド部に形成した絶縁体タイ
バー及びリング状の絶縁体枠は、半導体素子をモ−ルド
する時に使用する樹脂と同一材料で形成することができ
る。
バー及びリング状の絶縁体枠は、半導体素子をモ−ルド
する時に使用する樹脂と同一材料で形成することができ
る。
【0013】また、上記絶縁体タイバーの外周に配設さ
れた絶縁体枠は、配線基板に接続されるリ−ド接続面側
には設けずにそれとは反対側のリード端表面にのみ形成
しても良いし、両面に設けてもよい。ただし、両面に形
成した場合にはリードの接続部が、絶縁体タイバーと絶
縁体枠との間にくるように屈曲成形すれば良い。
れた絶縁体枠は、配線基板に接続されるリ−ド接続面側
には設けずにそれとは反対側のリード端表面にのみ形成
しても良いし、両面に設けてもよい。ただし、両面に形
成した場合にはリードの接続部が、絶縁体タイバーと絶
縁体枠との間にくるように屈曲成形すれば良い。
【0014】上記本発明の目的は、半導体素子が接続さ
れる内部リードと少なくとも配線基板に接続される外部
リードとを有して成るリードフレームにおいて、前記外
部リード上の内側にリング状の絶縁体タイバーを、その
外側に四角を欠落したリング状の絶縁体中間枠をそれぞ
れ配設し、さらにその外側の放射状に拡張されたリード
端にリング状の絶縁体外周枠を配設して三重枠とすると
共に、前記絶縁体タイバーと絶縁体中間枠との間のリー
ドを接続リード部とし、絶縁体中間枠と絶縁体外周枠と
の間のリードを検査用リード部として成り、前記検査用
リード部は検査、試験後リードフレームから切断され、
前記接続リード部は樹脂モールド後に所定の配線基板に
搭載される形状に屈曲成形されて成るリード補強構造を
有するQFPパッケージ用リードフレームによっても達
成される。
れる内部リードと少なくとも配線基板に接続される外部
リードとを有して成るリードフレームにおいて、前記外
部リード上の内側にリング状の絶縁体タイバーを、その
外側に四角を欠落したリング状の絶縁体中間枠をそれぞ
れ配設し、さらにその外側の放射状に拡張されたリード
端にリング状の絶縁体外周枠を配設して三重枠とすると
共に、前記絶縁体タイバーと絶縁体中間枠との間のリー
ドを接続リード部とし、絶縁体中間枠と絶縁体外周枠と
の間のリードを検査用リード部として成り、前記検査用
リード部は検査、試験後リードフレームから切断され、
前記接続リード部は樹脂モールド後に所定の配線基板に
搭載される形状に屈曲成形されて成るリード補強構造を
有するQFPパッケージ用リードフレームによっても達
成される。
【0015】また、上記本発明の目的は、外周枠を有
する金属タイバー付きのリードフレームを形成する工程
と、外部リード上の内側にリング状の絶縁体タイバー
と、その外側に四角を欠落したリング状の絶縁体中間枠
を形成する工程と、選択エッチングにより、前記金属
タイバーと外周枠とを除去する工程と、内部リードに
半導体素子を接続し、樹脂モールドする工程と、前記
外部リードを配線基板の接続部に対応させて屈曲成形す
る工程とを有して成る電子部品のパッケージ構造の製造
方法によっても達成される。
する金属タイバー付きのリードフレームを形成する工程
と、外部リード上の内側にリング状の絶縁体タイバー
と、その外側に四角を欠落したリング状の絶縁体中間枠
を形成する工程と、選択エッチングにより、前記金属
タイバーと外周枠とを除去する工程と、内部リードに
半導体素子を接続し、樹脂モールドする工程と、前記
外部リードを配線基板の接続部に対応させて屈曲成形す
る工程とを有して成る電子部品のパッケージ構造の製造
方法によっても達成される。
【0016】上記の四角を欠落したリング状の絶縁体
中間枠を形成する工程においては、中間枠の主枠をリー
ド上に配設すると共に、その端部を外周枠上に延在せし
め、上記の選択エッチングにより、上記金属タイバー
と外周枠とを除去する工程においては、前記中間枠の端
部によって挾まれた四角の外周枠部分を除き前記金属タ
イバーと外周枠とを除去する工程とすることもできる。
中間枠を形成する工程においては、中間枠の主枠をリー
ド上に配設すると共に、その端部を外周枠上に延在せし
め、上記の選択エッチングにより、上記金属タイバー
と外周枠とを除去する工程においては、前記中間枠の端
部によって挾まれた四角の外周枠部分を除き前記金属タ
イバーと外周枠とを除去する工程とすることもできる。
【0017】また、上記本発明の目的は、リードフレ
ーム材料の外部リード形成領域上の内側にリング状の絶
縁体タイバーと、その外側に四角を欠落したリング状の
絶縁体中間枠とをそれぞれ形成する工程と、前記リー
ドフレーム材料を選択エッチングすることにより、内部
リードと、それを外部に延在せしめた外部リードとを形
成する工程と、内部リードに半導体素子を接続し、樹
脂モールドする工程と、前記外部リードを配線基板の
接続部に対応させて屈曲成形する工程とを有して成る電
子部品のパッケージ構造の製造方法によっても達成され
る。
ーム材料の外部リード形成領域上の内側にリング状の絶
縁体タイバーと、その外側に四角を欠落したリング状の
絶縁体中間枠とをそれぞれ形成する工程と、前記リー
ドフレーム材料を選択エッチングすることにより、内部
リードと、それを外部に延在せしめた外部リードとを形
成する工程と、内部リードに半導体素子を接続し、樹
脂モールドする工程と、前記外部リードを配線基板の
接続部に対応させて屈曲成形する工程とを有して成る電
子部品のパッケージ構造の製造方法によっても達成され
る。
【0018】上記外部リードを配線基板の接続部に対応
させて屈曲成形する工程においては、接続リ−ドの折り
曲げ位置を、リング状の絶縁体タイバーと絶縁体中間枠
との間とすることができる。
させて屈曲成形する工程においては、接続リ−ドの折り
曲げ位置を、リング状の絶縁体タイバーと絶縁体中間枠
との間とすることができる。
【0019】
【作用】タイバ−を絶縁性の材料で形成すると、リ−ド
間の電気的な絶縁性が確保できるため、タイバ−を切断
しなくても、電子部品としての所定の機能が確保でき、
タイバ−が取付けられたままの状態で、配線基板に実装
することができる。
間の電気的な絶縁性が確保できるため、タイバ−を切断
しなくても、電子部品としての所定の機能が確保でき、
タイバ−が取付けられたままの状態で、配線基板に実装
することができる。
【0020】また、その外周に設けた四角を欠落した絶
縁体中間枠(もしくは絶縁体枠)は、リード端を絶縁体
で連結するため、タイバ−と連繋してリードの位置ずれ
を防止する共にリードの屈曲成形を容易とする。四角が
欠落せずに絶縁体で連結されていると、その弾性により
リードの成形を困難にし、同一平面上にリード接続部を
揃えることが難しい。しかし、リードを構成する金属片
でこれら四角を結合すれば、金属は塑性があるため容易
に成形され、リード接続部を同一平面上に揃えることが
容易となる。
縁体中間枠(もしくは絶縁体枠)は、リード端を絶縁体
で連結するため、タイバ−と連繋してリードの位置ずれ
を防止する共にリードの屈曲成形を容易とする。四角が
欠落せずに絶縁体で連結されていると、その弾性により
リードの成形を困難にし、同一平面上にリード接続部を
揃えることが難しい。しかし、リードを構成する金属片
でこれら四角を結合すれば、金属は塑性があるため容易
に成形され、リード接続部を同一平面上に揃えることが
容易となる。
【0021】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面にしたがって
説明する。
説明する。
【0022】〈実施例1〉図1は、三重の絶縁体による
リ−ド補強構造を示す平面図、図2は図1のA−A´一
部断面正面図、図3は図1の試験用リード部1bを切断
し、四角の接続リード部1aを屈曲させて完成したQF
P構造のパッケージの平面図、図4は図3のA−A´一
部断面正面図である。
リ−ド補強構造を示す平面図、図2は図1のA−A´一
部断面正面図、図3は図1の試験用リード部1bを切断
し、四角の接続リード部1aを屈曲させて完成したQF
P構造のパッケージの平面図、図4は図3のA−A´一
部断面正面図である。
【0023】図1、図2において、リ−ド部1の内周部
にはリング状の絶縁体より成るタイバ−2が、その外周
部には接続リード部1aの外側に同じくリング状ではあ
るが四角を欠落した絶縁体より成る中間枠5が、そして
最外周のリード端部には外周枠3が、それぞれリード1
に密着して取付けられている。タイバ−2及び中間枠5
はそれぞれ絶縁体(樹脂を使用)であるので、リ−ド間
の電気特性に影響を与えないため、電子部品を配線基板
上に取付けた後もこれらをリードから切り離す必要がな
い。ただし、外周枠3は、パッケージの検査(電気特性
試験)が終了した段階で検査用リード部1bが中間枠5
のところから切断除去されるので必然的にリードフレー
ムから除去される。なお、リードフレームはFe−Ni
合金を用い、接続リード部1aのピッチ間隔は高密度対
応の0.3mmであり、タイバ−2の内側の内部リード
には半導体チップが搭載接続され樹脂モ−ルド4されて
いる。タイバ2ー、中間枠5及び外周枠3は、何れも例
えばポリイミド樹脂やエポキシ樹脂の如き絶縁性樹脂で
形成されるが、樹脂を所定の幅に塗布し硬化する。
にはリング状の絶縁体より成るタイバ−2が、その外周
部には接続リード部1aの外側に同じくリング状ではあ
るが四角を欠落した絶縁体より成る中間枠5が、そして
最外周のリード端部には外周枠3が、それぞれリード1
に密着して取付けられている。タイバ−2及び中間枠5
はそれぞれ絶縁体(樹脂を使用)であるので、リ−ド間
の電気特性に影響を与えないため、電子部品を配線基板
上に取付けた後もこれらをリードから切り離す必要がな
い。ただし、外周枠3は、パッケージの検査(電気特性
試験)が終了した段階で検査用リード部1bが中間枠5
のところから切断除去されるので必然的にリードフレー
ムから除去される。なお、リードフレームはFe−Ni
合金を用い、接続リード部1aのピッチ間隔は高密度対
応の0.3mmであり、タイバ−2の内側の内部リード
には半導体チップが搭載接続され樹脂モ−ルド4されて
いる。タイバ2ー、中間枠5及び外周枠3は、何れも例
えばポリイミド樹脂やエポキシ樹脂の如き絶縁性樹脂で
形成されるが、樹脂を所定の幅に塗布し硬化する。
【0024】図3、図4は、検査用リード部1bに試験
電極を接続して電気特性試験を終了した後、検査用リー
ド部1bを中間枠5のところで切断し、さらに四辺の接
続リード部1aをそれぞれタイバ−2の外周部を境界に
して同一平面位置に屈曲させてパッケージを完成させた
状態を示している。この接続リード部1aの屈曲成形に
際しては、接続リード部1aがタイバ−2と中間枠5と
に固定されているためリードの位置ずれは全く生じな
い。しかも中間枠5の四角が欠落していることから、こ
れら中間枠5を支持してリードを屈曲成形することが容
易であり、接続リード部1aの位置を同一平面上に正確
に揃えることができる。なお、中間枠5の四角が欠落せ
ずに連結して成形された場合には、これら四角の樹脂が
リードを屈曲成形する時に、成形を妨げ接続リード部1
aの位置を同一平面上に正確に揃えることが困難とな
る。したがって中間枠5の四角は必ず欠落しておくこと
が必要である。
電極を接続して電気特性試験を終了した後、検査用リー
ド部1bを中間枠5のところで切断し、さらに四辺の接
続リード部1aをそれぞれタイバ−2の外周部を境界に
して同一平面位置に屈曲させてパッケージを完成させた
状態を示している。この接続リード部1aの屈曲成形に
際しては、接続リード部1aがタイバ−2と中間枠5と
に固定されているためリードの位置ずれは全く生じな
い。しかも中間枠5の四角が欠落していることから、こ
れら中間枠5を支持してリードを屈曲成形することが容
易であり、接続リード部1aの位置を同一平面上に正確
に揃えることができる。なお、中間枠5の四角が欠落せ
ずに連結して成形された場合には、これら四角の樹脂が
リードを屈曲成形する時に、成形を妨げ接続リード部1
aの位置を同一平面上に正確に揃えることが困難とな
る。したがって中間枠5の四角は必ず欠落しておくこと
が必要である。
【0025】上記の通り本実施例によれば、樹脂モ−ル
ド4の外部に出ているリ−ド部1は、リ−ドフレ−ムの
製造時から、配線基板上に取付けられるまでタイバ−2
及び中間枠5により(電気特性試験が済むまでは外周枠
3も)結合されているため、リ−ド部の位置精度を保持
することが容易であり、リ−ド部の位置バラツキに起因
する取付け不良を防止できる効果がある。
ド4の外部に出ているリ−ド部1は、リ−ドフレ−ムの
製造時から、配線基板上に取付けられるまでタイバ−2
及び中間枠5により(電気特性試験が済むまでは外周枠
3も)結合されているため、リ−ド部の位置精度を保持
することが容易であり、リ−ド部の位置バラツキに起因
する取付け不良を防止できる効果がある。
【0026】また、電気特性試験が済むまでは外周枠3
もリード端に固定されているため、リ−ド部1のピッチ
が、途中から広がって検査用リード部1bを形成してい
る場合でも、リ−ド部の位置精度を保持できるため、電
気部品の電気特性試験時にリ−ド部に試験電極を接続す
る際に発生しがちな、リ−ド部の位置精度の低下を防止
できる効果もある。
もリード端に固定されているため、リ−ド部1のピッチ
が、途中から広がって検査用リード部1bを形成してい
る場合でも、リ−ド部の位置精度を保持できるため、電
気部品の電気特性試験時にリ−ド部に試験電極を接続す
る際に発生しがちな、リ−ド部の位置精度の低下を防止
できる効果もある。
【0027】また、QFP構造のパッケージでは、配線
基板上に取り付ける関係上、四辺のリ−ド部1の成形を
行なうことが一般的であるが、成形時の応力により、リ
−ド部の位置精度が低下する場合が多いが、図6に示す
ようにタイバ−2と中間枠5の間の接続リ−ド部1aに
おいて、リ−ドの成形を行なうことにより、リ−ド部の
位置精度の低下を防止できる。
基板上に取り付ける関係上、四辺のリ−ド部1の成形を
行なうことが一般的であるが、成形時の応力により、リ
−ド部の位置精度が低下する場合が多いが、図6に示す
ようにタイバ−2と中間枠5の間の接続リ−ド部1aに
おいて、リ−ドの成形を行なうことにより、リ−ド部の
位置精度の低下を防止できる。
【0028】タイバ−2、中間枠及び外周枠3の形成
は、リードフレームをエッチング形成する工程に引き続
いて行ない、半導体チップの樹脂モ−ルド4に先んじて
行なうのが望ましい。その理由は、半導体チップを樹脂
モ−ルド成形する際に、たとえ樹脂が外部に滲み出し
て、外部に出ているリード部1を伝わるとしてもタイバ
−2がダムの役割を果たし、接続リード部1aに流失す
るのを防止して接続リード部1a表面を絶縁物で汚染し
ないで済むからである。
は、リードフレームをエッチング形成する工程に引き続
いて行ない、半導体チップの樹脂モ−ルド4に先んじて
行なうのが望ましい。その理由は、半導体チップを樹脂
モ−ルド成形する際に、たとえ樹脂が外部に滲み出し
て、外部に出ているリード部1を伝わるとしてもタイバ
−2がダムの役割を果たし、接続リード部1aに流失す
るのを防止して接続リード部1a表面を絶縁物で汚染し
ないで済むからである。
【0029】〈実施例2〉図5は、実施例1の図3にお
ける中間枠5の四角の欠落部分を金属6で補填して完全
な枠構造とした平面図、図6は図5のA−A´一部断面
正面図であり、共に検査用リード部1bを切断した後の
状態を示している。図7〜図9は、図5、図6に示す構
造の電子部品の接続リ−ド部1aを屈曲成形した後のQ
FP構造を示す図であり、図7接続リード1aをタイバ
−2の外周部で屈曲成形した平面図、図8は図7のA−
A´一部断面正面図、図9は正面図である。
ける中間枠5の四角の欠落部分を金属6で補填して完全
な枠構造とした平面図、図6は図5のA−A´一部断面
正面図であり、共に検査用リード部1bを切断した後の
状態を示している。図7〜図9は、図5、図6に示す構
造の電子部品の接続リ−ド部1aを屈曲成形した後のQ
FP構造を示す図であり、図7接続リード1aをタイバ
−2の外周部で屈曲成形した平面図、図8は図7のA−
A´一部断面正面図、図9は正面図である。
【0030】本実施例では、中間枠5の四角部分6をリ
−ドフレ−ムと同一の金属材料としているため、接続リ
−ド部1aの屈曲成形時にこの四角も同時に容易に成形
することが可能であり、接続リード部1aの接続位置を
同一平面上に正確に揃えることができる。したがって、
図7、図8に示すように中間枠5とリ−ドフレ−ムの一
部で構成された四角6が一体となり、リ−ド部1の成形
後もリング形状を保つため、リ−ド部1の位置精度の低
下を防止する効果が更に大きくなる。
−ドフレ−ムと同一の金属材料としているため、接続リ
−ド部1aの屈曲成形時にこの四角も同時に容易に成形
することが可能であり、接続リード部1aの接続位置を
同一平面上に正確に揃えることができる。したがって、
図7、図8に示すように中間枠5とリ−ドフレ−ムの一
部で構成された四角6が一体となり、リ−ド部1の成形
後もリング形状を保つため、リ−ド部1の位置精度の低
下を防止する効果が更に大きくなる。
【0031】〈実施例3〉図10は、実施例1、2で説
明した図2、図6と同様に接続リード部1aを屈曲成形
する前の一部断面正面図で、絶縁体からなるタイバ−
2、中間枠5をリード1の上面のみに形成した構造を示
している。
明した図2、図6と同様に接続リード部1aを屈曲成形
する前の一部断面正面図で、絶縁体からなるタイバ−
2、中間枠5をリード1の上面のみに形成した構造を示
している。
【0032】図11は、図10のリード1aを屈曲成形
した後の接続リ−ド部1aを有するパッケージを配線基
板7上に搭載し、絶縁体5の被覆されていないリード下
面を接続部として基板7上にはんだ接続した状態を示し
た一部断面正面図である。この構成によれば、中間枠5
は実施例1、2の場合と異なり、リ−ド部1の下側には
はみ出していないため、図11に示す成形後の場合で
も、中間枠5の反対側のリ−ド部1を配線基板7に接触
して取り付けることができる効果がある。
した後の接続リ−ド部1aを有するパッケージを配線基
板7上に搭載し、絶縁体5の被覆されていないリード下
面を接続部として基板7上にはんだ接続した状態を示し
た一部断面正面図である。この構成によれば、中間枠5
は実施例1、2の場合と異なり、リ−ド部1の下側には
はみ出していないため、図11に示す成形後の場合で
も、中間枠5の反対側のリ−ド部1を配線基板7に接触
して取り付けることができる効果がある。
【0033】〈実施例4〉図12は製造方法の一例を示
した工程図で、この例は実施例1の検査用リード1b及
び外周枠3を省いた構成を示している。まず、(a)工
程に示すように従来技術による金属タイバ−8付のリ−
ドフレ−ムを形成し、次に、(b)工程に示すようにタ
イバ−2および中間枠5となる絶縁体のリングを形成す
る。ただし、中間枠5の四角は欠落させたものとする。
絶縁体2、5の材料は、後の(d)工程で樹脂モ−ルド
4する材料と同一のものを用いることが好ましい。ま
た、絶縁体の形成は、既存のディスペンス工法、印刷工
法等を用い行なうことができる。次に、(c)工程に示
すようにエッチング工法により金属タイバ−8及び金属
外周枠6の除去を行なう。最後に(d)工程に示すよう
に半導体素子9の接続及び樹脂モールド4以降の製造工
程は従来工法で行なうことができる。ただし、外部リー
ドの屈曲成形はタイバ−2と中間枠5とを支持してその
間で行なう。
した工程図で、この例は実施例1の検査用リード1b及
び外周枠3を省いた構成を示している。まず、(a)工
程に示すように従来技術による金属タイバ−8付のリ−
ドフレ−ムを形成し、次に、(b)工程に示すようにタ
イバ−2および中間枠5となる絶縁体のリングを形成す
る。ただし、中間枠5の四角は欠落させたものとする。
絶縁体2、5の材料は、後の(d)工程で樹脂モ−ルド
4する材料と同一のものを用いることが好ましい。ま
た、絶縁体の形成は、既存のディスペンス工法、印刷工
法等を用い行なうことができる。次に、(c)工程に示
すようにエッチング工法により金属タイバ−8及び金属
外周枠6の除去を行なう。最後に(d)工程に示すよう
に半導体素子9の接続及び樹脂モールド4以降の製造工
程は従来工法で行なうことができる。ただし、外部リー
ドの屈曲成形はタイバ−2と中間枠5とを支持してその
間で行なう。
【0034】〈実施例5〉図13は他の製造方法の一例
を示した工程図で、この例も実施例4と同様に検査用リ
ード1b及び外周枠3を省いた構成を示している。すな
わち、実施例4の中間枠5の四角の欠落部分を、リード
フレームの外周枠6の一部分を残して絶縁体5に接続
し、リング状としたものである。
を示した工程図で、この例も実施例4と同様に検査用リ
ード1b及び外周枠3を省いた構成を示している。すな
わち、実施例4の中間枠5の四角の欠落部分を、リード
フレームの外周枠6の一部分を残して絶縁体5に接続
し、リング状としたものである。
【0035】先ず、(a)工程に示すように従来技術に
よる金属タイバ−8付のリ−ドフレ−ムを形成し、次
に、(b)工程に示すようにタイバ−2および中間枠5
となる絶縁体のリングを形成する。ただし、中間枠5の
四角は欠落させたものとする。次に、(c)工程に示す
ようにエッチング工法により、金属タイバ−8及び金属
外周枠6の四角を残しそれ以外の部分をそれぞれ選択的
に除去する。最後に(d)工程に示すように半導体素子
9の接続及び樹脂モールド4以降の製造工程は従来工法
で行なうことができる。ただし、外部リードの屈曲成形
はタイバ−2と中間枠5とを支持してその間で行なう。
よる金属タイバ−8付のリ−ドフレ−ムを形成し、次
に、(b)工程に示すようにタイバ−2および中間枠5
となる絶縁体のリングを形成する。ただし、中間枠5の
四角は欠落させたものとする。次に、(c)工程に示す
ようにエッチング工法により、金属タイバ−8及び金属
外周枠6の四角を残しそれ以外の部分をそれぞれ選択的
に除去する。最後に(d)工程に示すように半導体素子
9の接続及び樹脂モールド4以降の製造工程は従来工法
で行なうことができる。ただし、外部リードの屈曲成形
はタイバ−2と中間枠5とを支持してその間で行なう。
【0036】実施例4の図12の例と較べて、中間枠5
の絶縁体の接着位置が異なるだけであるので、絶縁体5
の四角部分をリ−ドフレ−ム材料と同一の金属材料で形
成することは容易である。
の絶縁体の接着位置が異なるだけであるので、絶縁体5
の四角部分をリ−ドフレ−ム材料と同一の金属材料で形
成することは容易である。
【0037】〈実施例6〉図14は、さらに異なる製造
方法の例を示したもので、リ−ドフレ−ムのパタ−ンの
形成工程よりも前に絶縁体2、5を形成する製造方法で
ある。先ず、(a)工程に示すようにFe−Ni合金等
のリードフレーム材を準備する。次いで(b)工程に示
すように、リ−ドフレ−ム材料に、絶縁体2、5をリン
グ状に接着する。ただし、中間枠5の四角は、欠落して
おく。
方法の例を示したもので、リ−ドフレ−ムのパタ−ンの
形成工程よりも前に絶縁体2、5を形成する製造方法で
ある。先ず、(a)工程に示すようにFe−Ni合金等
のリードフレーム材を準備する。次いで(b)工程に示
すように、リ−ドフレ−ム材料に、絶縁体2、5をリン
グ状に接着する。ただし、中間枠5の四角は、欠落して
おく。
【0038】次に(c)工程に示すように、エッチング
工法により所定のリ−ドフレ−ムのパタ−ンを形成す
る。このとき、既に絶縁体2、5はリ−ドフレ−ム上に
リング状に接着されているため、図12、図13に示し
た金属タイバ−8を形成する必要がない。最後に(d)
工程に示すように半導体素子9の接続及び樹脂モールド
4以降の製造工程は従来工法で行なうことができる。た
だし、外部リードの屈曲成形はタイバ−2と中間枠5と
を支持してその間で行なう。この実施例によれば、金属
タイバ−8の除去のためのエッチング工程を省略できる
ので、工程が簡略できる利点がある。
工法により所定のリ−ドフレ−ムのパタ−ンを形成す
る。このとき、既に絶縁体2、5はリ−ドフレ−ム上に
リング状に接着されているため、図12、図13に示し
た金属タイバ−8を形成する必要がない。最後に(d)
工程に示すように半導体素子9の接続及び樹脂モールド
4以降の製造工程は従来工法で行なうことができる。た
だし、外部リードの屈曲成形はタイバ−2と中間枠5と
を支持してその間で行なう。この実施例によれば、金属
タイバ−8の除去のためのエッチング工程を省略できる
ので、工程が簡略できる利点がある。
【0039】
【発明の効果】以上、詳述したように本発明により所期
の目的を達成することができた。すなわち、簡単な構造
で、リ−ド部を絶縁体で一体化できるので、リ−ド部の
位置精度を向上させて高密度実装に対応できるQFP構
造の電子部品のパッケージ構造及びその製造方法を容易
に実現できるようになった。
の目的を達成することができた。すなわち、簡単な構造
で、リ−ド部を絶縁体で一体化できるので、リ−ド部の
位置精度を向上させて高密度実装に対応できるQFP構
造の電子部品のパッケージ構造及びその製造方法を容易
に実現できるようになった。
【図1】本発明の一実施例となる三重の絶縁体によるリ
−ド補強構造を示す平面図。
−ド補強構造を示す平面図。
【図2】同じくその一部断面正面図。
【図3】同じく検査リード部1bを切断したリ−ド補強
構造を示す平面図。
構造を示す平面図。
【図4】同じく接続リード部1aを屈曲成形した後の一
部断面正面図。
部断面正面図。
【図5】同じく本発明の他の実施例となるリ−ド部屈曲
成形前の形状を示す平面図。
成形前の形状を示す平面図。
【図6】同じくその一部断面正面図。
【図7】同じくリ−ド部屈曲成形後の形状を示す平面
図。
図。
【図8】同じくその一部断面正面図。
【図9】同じくその正面図。
【図10】同じく本発明のさらに異なる他の実施例とな
るリ−ド部屈曲成形前の形状を示す一部断面正面図。
るリ−ド部屈曲成形前の形状を示す一部断面正面図。
【図11】同じくリ−ド部屈曲成形後に配線基板上に実
装した状態を示す一部断面正面図。
装した状態を示す一部断面正面図。
【図12】同じく製造方法の一例を示す工程図。
【図13】同じく他の製造方法の一例を示す工程図。
【図14】同じくさらに異なる製造方法の一例を示す工
程図。
程図。
【図15】従来の製造方法の一例を示す工程図。
【図16】同じく従来のリードフレームの一例を示す平
面図。
面図。
1…リ−ド部、 1a…接続リード部、
1b…検査用リード部、 2…絶縁体タイバ
−、3…外周部、 4…樹脂モ−ル
ド、5…中間枠、 6…リ−ドフレ
−ム外周枠、7…配線基板、 8…金
属タイバ−、9…半導体素子。
1b…検査用リード部、 2…絶縁体タイバ
−、3…外周部、 4…樹脂モ−ル
ド、5…中間枠、 6…リ−ドフレ
−ム外周枠、7…配線基板、 8…金
属タイバ−、9…半導体素子。
Claims (11)
- 【請求項1】半導体素子をリ−ドフレ−ムに接続し、樹
脂でモ−ルドしてなるQFPパッケージ構造において、
前記リ−ドフレ−ムの外部リ−ドの根元部にリング状の
絶縁体タイバーを配設すると共に、そのリード端に四角
を欠落したリング状の絶縁体枠を接続し、前記絶縁体タ
イバーと四角を欠落したリング状の絶縁体枠との間のリ
ードを屈曲成形してリード接続部を同一平面上に揃えて
構成して成る電子部品のパッケージ構造。 - 【請求項2】上記四角を欠落したリング状の絶縁体枠の
欠落部に、金属片を接続し、前記リング状の絶縁体枠を
絶縁体と金属からなる枠体で構成して成る請求項1記載
の電子部品のパッケージ構造。 - 【請求項3】上記金属片を、リ−ドフレ−ムの一部で構
成して成る請求項2記載の電子部品のパッケージ構造。 - 【請求項4】上記リ−ド部に形成した絶縁体タイバー及
びリング状の絶縁体枠を、半導体素子をモ−ルドする樹
脂と同一材料で形成して成る請求項1もしくは2記載の
電子部品のパッケージ構造。 - 【請求項5】上記絶縁体タイバーの外周に配設された絶
縁体枠は、配線基板に接続されるリ−ド接続面とは反対
側のリード端表面に形成されて成る請求項1乃至3何れ
か記載の電子部品のパッケージ構造。 - 【請求項6】半導体素子が接続される内部リードと少な
くとも配線基板に接続される外部リードとを有して成る
リードフレームにおいて、前記外部リード上の内側にリ
ング状の絶縁体タイバーを、その外側に四角を欠落した
リング状の絶縁体中間枠をそれぞれ配設し、さらにその
外側の放射状に拡張されたリード端にリング状の絶縁体
外周枠を配設して三重枠とすると共に、前記絶縁体タイ
バーと絶縁体中間枠との間のリードを接続リード部と
し、絶縁体中間枠と絶縁体外周枠との間のリードを検査
用リード部として成り、前記検査用リード部は検査、試
験後リードフレームから切断され、前記接続リード部は
樹脂モールド後に所定の配線基板に搭載される形状に屈
曲成形されて成るリード補強構造を有するQFPパッケ
ージ用リードフレーム。 - 【請求項7】外周枠を有する金属タイバー付きのリー
ドフレームを形成する工程と、外部リード上の内側に
リング状の絶縁体タイバーと、その外側に四角を欠落し
たリング状の絶縁体中間枠を形成する工程と、選択エ
ッチングにより、前記金属タイバーと外周枠とを除去す
る工程と、内部リードに半導体素子を接続し、樹脂モ
ールドする工程と、前記外部リードを配線基板の接続
部に対応させて屈曲成形する工程とを有して成る電子部
品のパッケージ構造の製造方法。 - 【請求項8】上記の四角を欠落したリング状の絶縁体
中間枠を形成する工程においては、中間枠の主枠をリー
ド上に配設すると共に、その端部を外周枠上に延在せし
め、上記の選択エッチングにより、上記金属タイバー
と外周枠とを除去する工程においては、前記中間枠の端
部によって挾まれた四角の外周枠部分を除き前記金属タ
イバーと外周枠とを除去する工程として成る請求項7記
載の電子部品のパッケージ構造の製造方法。 - 【請求項9】リードフレーム材料の外部リード形成領
域上の内側にリング状の絶縁体タイバーと、その外側に
四角を欠落したリング状の絶縁体中間枠とをそれぞれ形
成する工程と、前記リードフレーム材料を選択エッチ
ングすることにより、内部リードと、それを外部に延在
せしめた外部リードとを形成する工程と、内部リード
に半導体素子を接続し、樹脂モールドする工程と、前
記外部リードを配線基板の接続部に対応させて屈曲成形
する工程とを有して成る電子部品のパッケージ構造の製
造方法。 - 【請求項10】上記外部リードを配線基板の接続部に対
応させて屈曲成形する工程においては、接続リ−ドの折
り曲げ位置をリング状の絶縁体タイバーと絶縁体中間枠
との間として成る請求項7乃至9何れか記載の電子部品
のパッケージ構造の製造方法。 - 【請求項11】上記絶縁体タイバーと、その外側に四角
を欠落したリング状の絶縁体中間枠とをそれぞれ半導体
素子を搭載、接続して樹脂モールドする樹脂と同一材料
で構成して成る請求項7乃至10何れか記載の電子部品
のパッケージ構造の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16618692A JP2912767B2 (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | 電子部品のパッケージ構造及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16618692A JP2912767B2 (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | 電子部品のパッケージ構造及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0613528A true JPH0613528A (ja) | 1994-01-21 |
JP2912767B2 JP2912767B2 (ja) | 1999-06-28 |
Family
ID=15826676
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16618692A Expired - Fee Related JP2912767B2 (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | 電子部品のパッケージ構造及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2912767B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07302874A (ja) * | 1994-03-10 | 1995-11-14 | Nippon Motorola Ltd | 外部リードを固定したリードフレーム及びこれを利用した半導体装置並びにその製造方法 |
KR20010019659A (ko) * | 1999-08-30 | 2001-03-15 | 마이클 디. 오브라이언 | 반도체패키지용 인쇄회로기판 |
-
1992
- 1992-06-24 JP JP16618692A patent/JP2912767B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07302874A (ja) * | 1994-03-10 | 1995-11-14 | Nippon Motorola Ltd | 外部リードを固定したリードフレーム及びこれを利用した半導体装置並びにその製造方法 |
KR20010019659A (ko) * | 1999-08-30 | 2001-03-15 | 마이클 디. 오브라이언 | 반도체패키지용 인쇄회로기판 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2912767B2 (ja) | 1999-06-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |