JPH05144991A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH05144991A JPH05144991A JP30872191A JP30872191A JPH05144991A JP H05144991 A JPH05144991 A JP H05144991A JP 30872191 A JP30872191 A JP 30872191A JP 30872191 A JP30872191 A JP 30872191A JP H05144991 A JPH05144991 A JP H05144991A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- lead
- die pad
- heat dissipation
- resin package
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】簡易な構造でありながらＩＣチップで発生した
熱をパッケージ外へ効率よく放熱できるようにする。 【構成】ダイパッド２上にＩＣチップ６を接合載置し、
このＩＣチップ６を金属細線１０を介してインナーリー
ド８の一端側に接続し、これらの周囲を樹脂パッケージ
１２で封止し、ダイパッド２またはＩＣチップ６に放熱
用リード１６の一端側を接続する。
熱をパッケージ外へ効率よく放熱できるようにする。 【構成】ダイパッド２上にＩＣチップ６を接合載置し、
このＩＣチップ６を金属細線１０を介してインナーリー
ド８の一端側に接続し、これらの周囲を樹脂パッケージ
１２で封止し、ダイパッド２またはＩＣチップ６に放熱
用リード１６の一端側を接続する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ダイパッド上にＩＣチ
ップを搭載しこれらの周囲を樹脂パッケージで封止した
樹脂封止型半導体装置に関する。
ップを搭載しこれらの周囲を樹脂パッケージで封止した
樹脂封止型半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の半導体装置として図５に
示すようにダイパッド２上に接合材４でＩＣチップ６を
接合載置し、ＩＣチップ６とリード端子の一端側をイン
ナーリード８として、ＩＣチップ６を該インナーリード
８一端側に金属細線１０で接続してのち、それらの周囲
を樹脂パッケージ１２で封止するとともに、リード端子
の他端側をアウターリード１４として樹脂パッケージ１
２外へ延ばしたものがある。
示すようにダイパッド２上に接合材４でＩＣチップ６を
接合載置し、ＩＣチップ６とリード端子の一端側をイン
ナーリード８として、ＩＣチップ６を該インナーリード
８一端側に金属細線１０で接続してのち、それらの周囲
を樹脂パッケージ１２で封止するとともに、リード端子
の他端側をアウターリード１４として樹脂パッケージ１
２外へ延ばしたものがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記構造の半導体装置
では周囲を厚い樹脂パッケージ１２で封止した構造であ
るから、ＩＣチップ６の動作に伴う発熱を外部に効率よ
く放熱することができない。このような低い放熱効率で
は、ＩＣチップ６の長期動作でパッケージ１２内部に該
熱がこもって高温化してくる結果、該ＩＣチップ６の特
性が劣化してきたり、最悪にはその焼損を引き起こして
しまうおそれがある。一方、放熱効率を高めるためには
ＩＣチップ６内での回路設計に大幅な制約を来すなどの
不都合がある。
では周囲を厚い樹脂パッケージ１２で封止した構造であ
るから、ＩＣチップ６の動作に伴う発熱を外部に効率よ
く放熱することができない。このような低い放熱効率で
は、ＩＣチップ６の長期動作でパッケージ１２内部に該
熱がこもって高温化してくる結果、該ＩＣチップ６の特
性が劣化してきたり、最悪にはその焼損を引き起こして
しまうおそれがある。一方、放熱効率を高めるためには
ＩＣチップ６内での回路設計に大幅な制約を来すなどの
不都合がある。
【０００４】したがって、本発明においては、簡易な構
造でありながら樹脂パッケージ内の熱を効率よく外部に
放熱できるようにすることを目的としている。
造でありながら樹脂パッケージ内の熱を効率よく外部に
放熱できるようにすることを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明の請求項１においては、ダイパッド上
にＩＣチップを接合載置し、このＩＣチップを金属細線
を介してインナーリードの一端側に接続し、これらの周
囲を樹脂パッケージで封止したものにおいて、放熱用リ
ードの一端側を、ダイパッドまたはＩＣチップに接続さ
せている。なお、請求項２ではこの放熱用リードの他端
側を、樹脂パッケージ外に延ばしている。
るために、本発明の請求項１においては、ダイパッド上
にＩＣチップを接合載置し、このＩＣチップを金属細線
を介してインナーリードの一端側に接続し、これらの周
囲を樹脂パッケージで封止したものにおいて、放熱用リ
ードの一端側を、ダイパッドまたはＩＣチップに接続さ
せている。なお、請求項２ではこの放熱用リードの他端
側を、樹脂パッケージ外に延ばしている。
【０００６】なお、前掲の特許請求の範囲における接続
は、金属的な接合とか単なる接触によるものも含む広い
概念のものに解釈されるべきである。
は、金属的な接合とか単なる接触によるものも含む広い
概念のものに解釈されるべきである。
【０００７】
【作用】放熱用リード一端側を、ダイパッドまたはＩＣ
チップに接続させてあるから、ＩＣチップの動作に伴う
発生熱は、ダイパッドまたはＩＣチップから放熱用リー
ドに伝導されることになる。この構造では、放熱用リー
ドの他端側をインナーリード側に近付けることができる
から、該発生熱をインナーリードを介して容易に樹脂パ
ッケージ外へ放熱させことができる。なお、請求項２の
ように、放熱用リードの他端側を、樹脂パッケージ外に
延ばした場合では、該熱を、一層容易に外部に放熱でき
る。
チップに接続させてあるから、ＩＣチップの動作に伴う
発生熱は、ダイパッドまたはＩＣチップから放熱用リー
ドに伝導されることになる。この構造では、放熱用リー
ドの他端側をインナーリード側に近付けることができる
から、該発生熱をインナーリードを介して容易に樹脂パ
ッケージ外へ放熱させことができる。なお、請求項２の
ように、放熱用リードの他端側を、樹脂パッケージ外に
延ばした場合では、該熱を、一層容易に外部に放熱でき
る。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳
細に説明する。
細に説明する。
【０００９】図１は、本発明の実施例に係る半導体装置
の断面図である。図において、本実施例装置は、基本的
には従来と同様にダイパッド２上に接合材４を介してＩ
Ｃチップ６が接合載置されているとともに、ＩＣチップ
６とインナーリード８一端側とが金属細線１０で接続さ
れ、それらの全体が樹脂パッケージ１２で封止され、ア
ウターリード１４が樹脂パッケージ１２外に延びた構造
を有している。
の断面図である。図において、本実施例装置は、基本的
には従来と同様にダイパッド２上に接合材４を介してＩ
Ｃチップ６が接合載置されているとともに、ＩＣチップ
６とインナーリード８一端側とが金属細線１０で接続さ
れ、それらの全体が樹脂パッケージ１２で封止され、ア
ウターリード１４が樹脂パッケージ１２外に延びた構造
を有している。
【００１０】そして、本実施例装置は、放熱用リード１
６を有し、該放熱用リード１６の一端側はダイパッド２
の一面上に金属接合で接続されており、その他端側がポ
リイミドなどの絶縁性を有した接着テープ１８を介して
インナーリード８の一端側に接着された構造を有してい
ることに特徴がある。
６を有し、該放熱用リード１６の一端側はダイパッド２
の一面上に金属接合で接続されており、その他端側がポ
リイミドなどの絶縁性を有した接着テープ１８を介して
インナーリード８の一端側に接着された構造を有してい
ることに特徴がある。
【００１１】該構造を有することによって、ＩＣチップ
６の動作に伴う発生熱は、ダイパッド２に伝導されると
ともに、該ダイパッド２を介して放熱用リード１６に伝
導される。そして、放熱用リード１６に伝導されて発生
熱は、さらに、接着テープ１８、インナーリード８、お
よびアウターリード１４を介してそれぞれ伝導され、結
果、該発生熱は樹脂パッケージ１２外へ効率的に放熱さ
れる。
６の動作に伴う発生熱は、ダイパッド２に伝導されると
ともに、該ダイパッド２を介して放熱用リード１６に伝
導される。そして、放熱用リード１６に伝導されて発生
熱は、さらに、接着テープ１８、インナーリード８、お
よびアウターリード１４を介してそれぞれ伝導され、結
果、該発生熱は樹脂パッケージ１２外へ効率的に放熱さ
れる。
【００１２】なお、上記実施例では、放熱用リード１６
を複数設け、各放熱用リード１６のそれぞれの他端側を
接着テープ１８を介して対応するインナーリード８のす
べてに接着させる必要はなく、放熱用リード１６の１つ
を少なくとも１つのインナーリード８に接着させるだけ
でも十分な放熱効果が得られる。
を複数設け、各放熱用リード１６のそれぞれの他端側を
接着テープ１８を介して対応するインナーリード８のす
べてに接着させる必要はなく、放熱用リード１６の１つ
を少なくとも１つのインナーリード８に接着させるだけ
でも十分な放熱効果が得られる。
【００１３】なお、上記実施例では、放熱用リード１６
の一端側を、ダイパッド２に接触させていたが、図２に
示すように、該一端側をＩＣチップ６の回路非形成面側
に接続させてもよく、このような接続の場合では、ＩＣ
チップ６からの発生熱は直接放熱用リード１６に伝導さ
れるから、一層効率的な放熱が可能となる。
の一端側を、ダイパッド２に接触させていたが、図２に
示すように、該一端側をＩＣチップ６の回路非形成面側
に接続させてもよく、このような接続の場合では、ＩＣ
チップ６からの発生熱は直接放熱用リード１６に伝導さ
れるから、一層効率的な放熱が可能となる。
【００１４】また、上記実施例では、放熱用リード１６
の他端側が樹脂パッケージ１２内にあったが、図３に示
すように樹脂パッケージ１２外へ延ばしてもよい。この
図３では放熱用リード１６の一端側が図１と同様にダイ
パッド２に接続されているが、樹脂パッケージ１２外で
はアウターリード１４と共に、当該半導体装置実装用回
路基板２０の電極２１上に半田２２で半田付けされてい
る。この半田付けにおいては、放熱用リード１６の他端
側を図３のようには延ばさず、図４のようにアウターリ
ード１４の途中まで延ばすようにし、回路基板２０の電
極２１上への半田２２による半田付けはアウターリード
１４のみで行うようにしてもよい。
の他端側が樹脂パッケージ１２内にあったが、図３に示
すように樹脂パッケージ１２外へ延ばしてもよい。この
図３では放熱用リード１６の一端側が図１と同様にダイ
パッド２に接続されているが、樹脂パッケージ１２外で
はアウターリード１４と共に、当該半導体装置実装用回
路基板２０の電極２１上に半田２２で半田付けされてい
る。この半田付けにおいては、放熱用リード１６の他端
側を図３のようには延ばさず、図４のようにアウターリ
ード１４の途中まで延ばすようにし、回路基板２０の電
極２１上への半田２２による半田付けはアウターリード
１４のみで行うようにしてもよい。
【００１５】なお、上記実施例では放熱用リード１６は
その一端側をダイパッド２、あるいはＩＣチップ６に金
属的に接合させて接続していたが、放熱用リード１６の
一端側にバネ性をもたし、このバネ性でもって該一端側
をダイパッド２、ＩＣチップ６に接触させるようにして
も同様の放熱効果が得られる。
その一端側をダイパッド２、あるいはＩＣチップ６に金
属的に接合させて接続していたが、放熱用リード１６の
一端側にバネ性をもたし、このバネ性でもって該一端側
をダイパッド２、ＩＣチップ６に接触させるようにして
も同様の放熱効果が得られる。
【００１６】なお、上記実施例ではインナーリード８と
かアウターリード１４用のリード端子の材質は、例えば
鉄を基とする合金で構成し、放熱用リード１６を銅を基
として構成すれば、一層放熱効果が促進される。
かアウターリード１４用のリード端子の材質は、例えば
鉄を基とする合金で構成し、放熱用リード１６を銅を基
として構成すれば、一層放熱効果が促進される。
【００１７】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、放熱用リ
ードの一端側をダイパッドまたはＩＣチップにそれぞれ
接続させてあるから、ＩＣチップの動作に伴う発生熱
は、ダイパッドを介して、または、直接、ＩＣチップか
ら放熱用リードに伝導されることになる。したがって、
該熱は、放熱用リードの他端側からインナーリードを介
して容易に樹脂パッケージ外へ放熱できる結果、簡易な
構造でありながら樹脂パッケージ内の熱を効率よく外部
に放熱できる。
ードの一端側をダイパッドまたはＩＣチップにそれぞれ
接続させてあるから、ＩＣチップの動作に伴う発生熱
は、ダイパッドを介して、または、直接、ＩＣチップか
ら放熱用リードに伝導されることになる。したがって、
該熱は、放熱用リードの他端側からインナーリードを介
して容易に樹脂パッケージ外へ放熱できる結果、簡易な
構造でありながら樹脂パッケージ内の熱を効率よく外部
に放熱できる。
【図１】本発明の実施例に係る半導体装置の断面図であ
る。
る。
【図２】本発明の他の実施例に係る半導体装置の断面図
である。
である。
【図３】本発明のさらに他の実施例に係る半導体装置の
断面図である。
断面図である。
【図４】本発明のさらにまた他の実施例に係る半導体装
置の断面図である。
置の断面図である。
【図５】従来例に係る半導体装置の断面図である。
２ ダイパッド ４ 接合材 ６ ＩＣチップ ８ インナーリード １０ 金属細線 １２ 樹脂パッケージ １６ 放熱用リード
Claims (2)
- 【請求項１】 ダイパッド上にＩＣチップを接合載置
し、このＩＣチップを金属細線を介してインナーリード
の一端側に接続し、これらの周囲を樹脂パッケージで封
止したものであって、該ダイパッドまたはＩＣチップに
放熱用リードの一端側を接続させたことを特徴とする半
導体装置。 - 【請求項２】 前記放熱用リードの他端側が、樹脂パッ
ケージ外に延びていることを特徴とする請求項１に記載
の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30872191A JPH05144991A (ja) | 1991-11-25 | 1991-11-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30872191A JPH05144991A (ja) | 1991-11-25 | 1991-11-25 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05144991A true JPH05144991A (ja) | 1993-06-11 |
Family
ID=17984487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30872191A Pending JPH05144991A (ja) | 1991-11-25 | 1991-11-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05144991A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5543658A (en) * | 1993-06-14 | 1996-08-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing resin-sealed semiconductor device, lead frame used in this method for mounting plurality of semiconductor elements, and resin-sealed semiconductor device |
-
1991
- 1991-11-25 JP JP30872191A patent/JPH05144991A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5543658A (en) * | 1993-06-14 | 1996-08-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing resin-sealed semiconductor device, lead frame used in this method for mounting plurality of semiconductor elements, and resin-sealed semiconductor device |
| US5614441A (en) * | 1993-06-14 | 1997-03-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Process of folding a strip leadframe to superpose two leadframes in a plural semiconductor die encapsulated package |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5293301A (en) | Semiconductor device and lead frame used therein | |
| JP2881575B2 (ja) | ヒートシンク付着ボールグリッドアレイ半導体パッケージ | |
| US20010045644A1 (en) | Semiconductor package having heat sink at the outer surface | |
| JPH10200012A (ja) | ボールグリッドアレイ半導体のパッケージ及び製造方法 | |
| JPH0548000A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63246851A (ja) | 半導体装置の保持器および集積回路をプラスチック・パッケージの内部に収納する方法 | |
| JPH03174749A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04114455A (ja) | 半導体装置及びその実装構造 | |
| JPH05144991A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2007157801A (ja) | 半導体モジュールとその製造方法 | |
| JPH02280364A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2736161B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH08148647A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0563113A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP3048707B2 (ja) | 混成集積回路 | |
| JPS6220701B2 (ja) | ||
| JP2690248B2 (ja) | 表面実装型半導体装置 | |
| KR100481926B1 (ko) | 일반칩형반도체패키지및플립칩형반도체패키지와그제조방법 | |
| JPH05144985A (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JP3193788B2 (ja) | 電子部品搭載用基板 | |
| JP2746248B2 (ja) | チップキャリア及びチップキャリアの半田付け方法 | |
| JP2815917B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JP2555993B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04364767A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH02164056A (ja) | 半導体装置 |