JPH05144991A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH05144991A JPH05144991A JP30872191A JP30872191A JPH05144991A JP H05144991 A JPH05144991 A JP H05144991A JP 30872191 A JP30872191 A JP 30872191A JP 30872191 A JP30872191 A JP 30872191A JP H05144991 A JPH05144991 A JP H05144991A
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- JP
- Japan
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- chip
- lead
- die pad
- heat dissipation
- resin package
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】簡易な構造でありながらICチップで発生した
熱をパッケージ外へ効率よく放熱できるようにする。 【構成】ダイパッド2上にICチップ6を接合載置し、
このICチップ6を金属細線10を介してインナーリー
ド8の一端側に接続し、これらの周囲を樹脂パッケージ
12で封止し、ダイパッド2またはICチップ6に放熱
用リード16の一端側を接続する。
熱をパッケージ外へ効率よく放熱できるようにする。 【構成】ダイパッド2上にICチップ6を接合載置し、
このICチップ6を金属細線10を介してインナーリー
ド8の一端側に接続し、これらの周囲を樹脂パッケージ
12で封止し、ダイパッド2またはICチップ6に放熱
用リード16の一端側を接続する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ダイパッド上にICチ
ップを搭載しこれらの周囲を樹脂パッケージで封止した
樹脂封止型半導体装置に関する。
ップを搭載しこれらの周囲を樹脂パッケージで封止した
樹脂封止型半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のこの種の半導体装置として図5に
示すようにダイパッド2上に接合材4でICチップ6を
接合載置し、ICチップ6とリード端子の一端側をイン
ナーリード8として、ICチップ6を該インナーリード
8一端側に金属細線10で接続してのち、それらの周囲
を樹脂パッケージ12で封止するとともに、リード端子
の他端側をアウターリード14として樹脂パッケージ1
2外へ延ばしたものがある。
示すようにダイパッド2上に接合材4でICチップ6を
接合載置し、ICチップ6とリード端子の一端側をイン
ナーリード8として、ICチップ6を該インナーリード
8一端側に金属細線10で接続してのち、それらの周囲
を樹脂パッケージ12で封止するとともに、リード端子
の他端側をアウターリード14として樹脂パッケージ1
2外へ延ばしたものがある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記構造の半導体装置
では周囲を厚い樹脂パッケージ12で封止した構造であ
るから、ICチップ6の動作に伴う発熱を外部に効率よ
く放熱することができない。このような低い放熱効率で
は、ICチップ6の長期動作でパッケージ12内部に該
熱がこもって高温化してくる結果、該ICチップ6の特
性が劣化してきたり、最悪にはその焼損を引き起こして
しまうおそれがある。一方、放熱効率を高めるためには
ICチップ6内での回路設計に大幅な制約を来すなどの
不都合がある。
では周囲を厚い樹脂パッケージ12で封止した構造であ
るから、ICチップ6の動作に伴う発熱を外部に効率よ
く放熱することができない。このような低い放熱効率で
は、ICチップ6の長期動作でパッケージ12内部に該
熱がこもって高温化してくる結果、該ICチップ6の特
性が劣化してきたり、最悪にはその焼損を引き起こして
しまうおそれがある。一方、放熱効率を高めるためには
ICチップ6内での回路設計に大幅な制約を来すなどの
不都合がある。
【0004】したがって、本発明においては、簡易な構
造でありながら樹脂パッケージ内の熱を効率よく外部に
放熱できるようにすることを目的としている。
造でありながら樹脂パッケージ内の熱を効率よく外部に
放熱できるようにすることを目的としている。
【0005】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明の請求項1においては、ダイパッド上
にICチップを接合載置し、このICチップを金属細線
を介してインナーリードの一端側に接続し、これらの周
囲を樹脂パッケージで封止したものにおいて、放熱用リ
ードの一端側を、ダイパッドまたはICチップに接続さ
せている。なお、請求項2ではこの放熱用リードの他端
側を、樹脂パッケージ外に延ばしている。
るために、本発明の請求項1においては、ダイパッド上
にICチップを接合載置し、このICチップを金属細線
を介してインナーリードの一端側に接続し、これらの周
囲を樹脂パッケージで封止したものにおいて、放熱用リ
ードの一端側を、ダイパッドまたはICチップに接続さ
せている。なお、請求項2ではこの放熱用リードの他端
側を、樹脂パッケージ外に延ばしている。
【0006】なお、前掲の特許請求の範囲における接続
は、金属的な接合とか単なる接触によるものも含む広い
概念のものに解釈されるべきである。
は、金属的な接合とか単なる接触によるものも含む広い
概念のものに解釈されるべきである。
【0007】
【作用】放熱用リード一端側を、ダイパッドまたはIC
チップに接続させてあるから、ICチップの動作に伴う
発生熱は、ダイパッドまたはICチップから放熱用リー
ドに伝導されることになる。この構造では、放熱用リー
ドの他端側をインナーリード側に近付けることができる
から、該発生熱をインナーリードを介して容易に樹脂パ
ッケージ外へ放熱させことができる。なお、請求項2の
ように、放熱用リードの他端側を、樹脂パッケージ外に
延ばした場合では、該熱を、一層容易に外部に放熱でき
る。
チップに接続させてあるから、ICチップの動作に伴う
発生熱は、ダイパッドまたはICチップから放熱用リー
ドに伝導されることになる。この構造では、放熱用リー
ドの他端側をインナーリード側に近付けることができる
から、該発生熱をインナーリードを介して容易に樹脂パ
ッケージ外へ放熱させことができる。なお、請求項2の
ように、放熱用リードの他端側を、樹脂パッケージ外に
延ばした場合では、該熱を、一層容易に外部に放熱でき
る。
【0008】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳
細に説明する。
細に説明する。
【0009】図1は、本発明の実施例に係る半導体装置
の断面図である。図において、本実施例装置は、基本的
には従来と同様にダイパッド2上に接合材4を介してI
Cチップ6が接合載置されているとともに、ICチップ
6とインナーリード8一端側とが金属細線10で接続さ
れ、それらの全体が樹脂パッケージ12で封止され、ア
ウターリード14が樹脂パッケージ12外に延びた構造
を有している。
の断面図である。図において、本実施例装置は、基本的
には従来と同様にダイパッド2上に接合材4を介してI
Cチップ6が接合載置されているとともに、ICチップ
6とインナーリード8一端側とが金属細線10で接続さ
れ、それらの全体が樹脂パッケージ12で封止され、ア
ウターリード14が樹脂パッケージ12外に延びた構造
を有している。
【0010】そして、本実施例装置は、放熱用リード1
6を有し、該放熱用リード16の一端側はダイパッド2
の一面上に金属接合で接続されており、その他端側がポ
リイミドなどの絶縁性を有した接着テープ18を介して
インナーリード8の一端側に接着された構造を有してい
ることに特徴がある。
6を有し、該放熱用リード16の一端側はダイパッド2
の一面上に金属接合で接続されており、その他端側がポ
リイミドなどの絶縁性を有した接着テープ18を介して
インナーリード8の一端側に接着された構造を有してい
ることに特徴がある。
【0011】該構造を有することによって、ICチップ
6の動作に伴う発生熱は、ダイパッド2に伝導されると
ともに、該ダイパッド2を介して放熱用リード16に伝
導される。そして、放熱用リード16に伝導されて発生
熱は、さらに、接着テープ18、インナーリード8、お
よびアウターリード14を介してそれぞれ伝導され、結
果、該発生熱は樹脂パッケージ12外へ効率的に放熱さ
れる。
6の動作に伴う発生熱は、ダイパッド2に伝導されると
ともに、該ダイパッド2を介して放熱用リード16に伝
導される。そして、放熱用リード16に伝導されて発生
熱は、さらに、接着テープ18、インナーリード8、お
よびアウターリード14を介してそれぞれ伝導され、結
果、該発生熱は樹脂パッケージ12外へ効率的に放熱さ
れる。
【0012】なお、上記実施例では、放熱用リード16
を複数設け、各放熱用リード16のそれぞれの他端側を
接着テープ18を介して対応するインナーリード8のす
べてに接着させる必要はなく、放熱用リード16の1つ
を少なくとも1つのインナーリード8に接着させるだけ
でも十分な放熱効果が得られる。
を複数設け、各放熱用リード16のそれぞれの他端側を
接着テープ18を介して対応するインナーリード8のす
べてに接着させる必要はなく、放熱用リード16の1つ
を少なくとも1つのインナーリード8に接着させるだけ
でも十分な放熱効果が得られる。
【0013】なお、上記実施例では、放熱用リード16
の一端側を、ダイパッド2に接触させていたが、図2に
示すように、該一端側をICチップ6の回路非形成面側
に接続させてもよく、このような接続の場合では、IC
チップ6からの発生熱は直接放熱用リード16に伝導さ
れるから、一層効率的な放熱が可能となる。
の一端側を、ダイパッド2に接触させていたが、図2に
示すように、該一端側をICチップ6の回路非形成面側
に接続させてもよく、このような接続の場合では、IC
チップ6からの発生熱は直接放熱用リード16に伝導さ
れるから、一層効率的な放熱が可能となる。
【0014】また、上記実施例では、放熱用リード16
の他端側が樹脂パッケージ12内にあったが、図3に示
すように樹脂パッケージ12外へ延ばしてもよい。この
図3では放熱用リード16の一端側が図1と同様にダイ
パッド2に接続されているが、樹脂パッケージ12外で
はアウターリード14と共に、当該半導体装置実装用回
路基板20の電極21上に半田22で半田付けされてい
る。この半田付けにおいては、放熱用リード16の他端
側を図3のようには延ばさず、図4のようにアウターリ
ード14の途中まで延ばすようにし、回路基板20の電
極21上への半田22による半田付けはアウターリード
14のみで行うようにしてもよい。
の他端側が樹脂パッケージ12内にあったが、図3に示
すように樹脂パッケージ12外へ延ばしてもよい。この
図3では放熱用リード16の一端側が図1と同様にダイ
パッド2に接続されているが、樹脂パッケージ12外で
はアウターリード14と共に、当該半導体装置実装用回
路基板20の電極21上に半田22で半田付けされてい
る。この半田付けにおいては、放熱用リード16の他端
側を図3のようには延ばさず、図4のようにアウターリ
ード14の途中まで延ばすようにし、回路基板20の電
極21上への半田22による半田付けはアウターリード
14のみで行うようにしてもよい。
【0015】なお、上記実施例では放熱用リード16は
その一端側をダイパッド2、あるいはICチップ6に金
属的に接合させて接続していたが、放熱用リード16の
一端側にバネ性をもたし、このバネ性でもって該一端側
をダイパッド2、ICチップ6に接触させるようにして
も同様の放熱効果が得られる。
その一端側をダイパッド2、あるいはICチップ6に金
属的に接合させて接続していたが、放熱用リード16の
一端側にバネ性をもたし、このバネ性でもって該一端側
をダイパッド2、ICチップ6に接触させるようにして
も同様の放熱効果が得られる。
【0016】なお、上記実施例ではインナーリード8と
かアウターリード14用のリード端子の材質は、例えば
鉄を基とする合金で構成し、放熱用リード16を銅を基
として構成すれば、一層放熱効果が促進される。
かアウターリード14用のリード端子の材質は、例えば
鉄を基とする合金で構成し、放熱用リード16を銅を基
として構成すれば、一層放熱効果が促進される。
【0017】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、放熱用リ
ードの一端側をダイパッドまたはICチップにそれぞれ
接続させてあるから、ICチップの動作に伴う発生熱
は、ダイパッドを介して、または、直接、ICチップか
ら放熱用リードに伝導されることになる。したがって、
該熱は、放熱用リードの他端側からインナーリードを介
して容易に樹脂パッケージ外へ放熱できる結果、簡易な
構造でありながら樹脂パッケージ内の熱を効率よく外部
に放熱できる。
ードの一端側をダイパッドまたはICチップにそれぞれ
接続させてあるから、ICチップの動作に伴う発生熱
は、ダイパッドを介して、または、直接、ICチップか
ら放熱用リードに伝導されることになる。したがって、
該熱は、放熱用リードの他端側からインナーリードを介
して容易に樹脂パッケージ外へ放熱できる結果、簡易な
構造でありながら樹脂パッケージ内の熱を効率よく外部
に放熱できる。
【図1】本発明の実施例に係る半導体装置の断面図であ
る。
る。
【図2】本発明の他の実施例に係る半導体装置の断面図
である。
である。
【図3】本発明のさらに他の実施例に係る半導体装置の
断面図である。
断面図である。
【図4】本発明のさらにまた他の実施例に係る半導体装
置の断面図である。
置の断面図である。
【図5】従来例に係る半導体装置の断面図である。
2 ダイパッド 4 接合材 6 ICチップ 8 インナーリード 10 金属細線 12 樹脂パッケージ 16 放熱用リード
Claims (2)
- 【請求項1】 ダイパッド上にICチップを接合載置
し、このICチップを金属細線を介してインナーリード
の一端側に接続し、これらの周囲を樹脂パッケージで封
止したものであって、該ダイパッドまたはICチップに
放熱用リードの一端側を接続させたことを特徴とする半
導体装置。 - 【請求項2】 前記放熱用リードの他端側が、樹脂パッ
ケージ外に延びていることを特徴とする請求項1に記載
の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30872191A JPH05144991A (ja) | 1991-11-25 | 1991-11-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30872191A JPH05144991A (ja) | 1991-11-25 | 1991-11-25 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05144991A true JPH05144991A (ja) | 1993-06-11 |
Family
ID=17984487
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30872191A Pending JPH05144991A (ja) | 1991-11-25 | 1991-11-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05144991A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5543658A (en) * | 1993-06-14 | 1996-08-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing resin-sealed semiconductor device, lead frame used in this method for mounting plurality of semiconductor elements, and resin-sealed semiconductor device |
-
1991
- 1991-11-25 JP JP30872191A patent/JPH05144991A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5543658A (en) * | 1993-06-14 | 1996-08-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing resin-sealed semiconductor device, lead frame used in this method for mounting plurality of semiconductor elements, and resin-sealed semiconductor device |
US5614441A (en) * | 1993-06-14 | 1997-03-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Process of folding a strip leadframe to superpose two leadframes in a plural semiconductor die encapsulated package |
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