JPS6344750A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法およびこれに用いるリ−ドフレ−ム - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法およびこれに用いるリ−ドフレ−ムInfo
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- JPS6344750A JPS6344750A JP18926386A JP18926386A JPS6344750A JP S6344750 A JPS6344750 A JP S6344750A JP 18926386 A JP18926386 A JP 18926386A JP 18926386 A JP18926386 A JP 18926386A JP S6344750 A JPS6344750 A JP S6344750A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 10
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- 238000003466 welding Methods 0.000 abstract description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、樹脂封止型半導体装置の製造方法およびこれ
に用いるリードフレームに関し、より詳細には、熱放散
性を向上させることができる樹脂封止型半導体装置の製
造方法と、これに用いるリードフレームに関する。
に用いるリードフレームに関し、より詳細には、熱放散
性を向上させることができる樹脂封止型半導体装置の製
造方法と、これに用いるリードフレームに関する。
（従来の技術およびその問題点）
従来の樹脂封止型半導体装置はリードフレームのステー
ジ部に半導体装ノブを固定し、この半導体チップとリー
ドフレームの内部リード部とをワイヤボンディングし、
しかるのちに半導体チップを樹脂封止することにより’
ＡＭされる。これらの工程のうち、半導体チップをリー
ドフレームのステージ部にたとえば金−シリコン共晶合
金により固定する工程では、商品（約４００°Ｃ）で加
熱する必要があるため、リードフレームの各部に、たと
えば、熱によって特にステージ部に近接し、かつ幅狭な
内部リード部が歪んだり、リードフレーム表面に施され
ているめっきが劣化したりする等の悪形響がある。した
がって、実際の工程では、上記の加熱処理の’５Ｓ ’
Ｗを出来るだけ小さくすることが求められる。
ジ部に半導体装ノブを固定し、この半導体チップとリー
ドフレームの内部リード部とをワイヤボンディングし、
しかるのちに半導体チップを樹脂封止することにより’
ＡＭされる。これらの工程のうち、半導体チップをリー
ドフレームのステージ部にたとえば金−シリコン共晶合
金により固定する工程では、商品（約４００°Ｃ）で加
熱する必要があるため、リードフレームの各部に、たと
えば、熱によって特にステージ部に近接し、かつ幅狭な
内部リード部が歪んだり、リードフレーム表面に施され
ているめっきが劣化したりする等の悪形響がある。した
がって、実際の工程では、上記の加熱処理の’５Ｓ ’
Ｗを出来るだけ小さくすることが求められる。
本発明は、上記問題点に這みてなされたものであり、そ
の目的とするところは、半導体チップをリードフレーム
のステージ部に固定する工程における加熱処理の影響を
リードフレームのリード部に及ぼすことなく製造するこ
とができる田脂封止型半導体装置の製造方法と、この製
造方法で用いられ、かつ半導体チップの放熱性に優れる
リードフレームを提供するにある。
の目的とするところは、半導体チップをリードフレーム
のステージ部に固定する工程における加熱処理の影響を
リードフレームのリード部に及ぼすことなく製造するこ
とができる田脂封止型半導体装置の製造方法と、この製
造方法で用いられ、かつ半導体チップの放熱性に優れる
リードフレームを提供するにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、上記問題点を解消するため次の構成を備える
。
。
すなわち、半導体チップを搭載すべきステージ部と、該
ステージ部をレールに連結するステージサポートパーと
を有する第１のリードフレームと、所要のリード部を有
し、前記第１のリードフレームが重ね合わされた際その
ステージ部に搭載される半導体チップに対応する部位が
空隙に形成された第２のリードフレームとを用窓し、前
記第１のリードフレームのステージ部に半導体チップを
固定し、該半導体チップが固定された第１のリードフレ
ームと前記第２のリードフレームとを、前記空隙部位に
前記半導体チップが位Ｗするように一体に重ね合わせ、
前記半導体チップと前記第２のリードフレームのリード
部とを電気的に接続し、次いで前記半導体チップおよび
前記ステージ部、リード部等の心要部を樹脂封止するこ
とを特徴とする。
ステージ部をレールに連結するステージサポートパーと
を有する第１のリードフレームと、所要のリード部を有
し、前記第１のリードフレームが重ね合わされた際その
ステージ部に搭載される半導体チップに対応する部位が
空隙に形成された第２のリードフレームとを用窓し、前
記第１のリードフレームのステージ部に半導体チップを
固定し、該半導体チップが固定された第１のリードフレ
ームと前記第２のリードフレームとを、前記空隙部位に
前記半導体チップが位Ｗするように一体に重ね合わせ、
前記半導体チップと前記第２のリードフレームのリード
部とを電気的に接続し、次いで前記半導体チップおよび
前記ステージ部、リード部等の心要部を樹脂封止するこ
とを特徴とする。
（実施例）
以下・本発明の好適な実施例を添付図面に基づいて詳細
に説明する。
に説明する。
第１図（ａ）、（１））は、本発明に係る樹脂封止型半
導体装置を製造する際に使用されるリードフレームを示
す平面図である。
導体装置を製造する際に使用されるリードフレームを示
す平面図である。
第１図（ａ）において、１０は半導体チップを搭載する
第１のリードフレームを示す。１２はステージ部で、こ
のステージ部１２上に半導体チップがたとえば金−シリ
コン共晶合金によって固定される。そして、前記ステー
ジ部１２はその周縁部から放射状にヒートスプレ・ノダ
ー１４．１４・・・を延出して成る。これらヒートスプ
レッダ−１４は、半導体チップが発熱した際の熱を効率
良く放散させるためのものである。ステージ部１２はヒ
ートスプレッダ−１４から延設されるステージサポート
パー１６．１６により、リードフレームの枠部であるレ
ール１日、１８に連結されている。なお、ステージサポ
ートパー１６は、ステージ部１２から延設するようにし
てもよい。
第１のリードフレームを示す。１２はステージ部で、こ
のステージ部１２上に半導体チップがたとえば金−シリ
コン共晶合金によって固定される。そして、前記ステー
ジ部１２はその周縁部から放射状にヒートスプレ・ノダ
ー１４．１４・・・を延出して成る。これらヒートスプ
レッダ−１４は、半導体チップが発熱した際の熱を効率
良く放散させるためのものである。ステージ部１２はヒ
ートスプレッダ−１４から延設されるステージサポート
パー１６．１６により、リードフレームの枠部であるレ
ール１日、１８に連結されている。なお、ステージサポ
ートパー１６は、ステージ部１２から延設するようにし
てもよい。
第１図（ｂ）は、必要なリード部を有する第２のリード
フレーム２０を示す。この第２のリードフレーム２０は
内部リード２２、外部リード２４および外部リード２４
が接続するタイバー２５とレール２６、さらにダムバー
２７から成る。前記内部リード２２に囲まれる従来のス
テージ部位は空隙になっている。
フレーム２０を示す。この第２のリードフレーム２０は
内部リード２２、外部リード２４および外部リード２４
が接続するタイバー２５とレール２６、さらにダムバー
２７から成る。前記内部リード２２に囲まれる従来のス
テージ部位は空隙になっている。
本発明に係るリードフレームは、上述したように、半導
体チップを固定するステージ部１２を有する第１のリー
ドフレーム１０と、必要なリード部を有する第２のリー
ドフレーム２０の２つのリードフレームから構成される
点に特徴がある。これらのリードフレームを使用して、
樹脂封止型半導体装置を製造するには以下のようにする
。
体チップを固定するステージ部１２を有する第１のリー
ドフレーム１０と、必要なリード部を有する第２のリー
ドフレーム２０の２つのリードフレームから構成される
点に特徴がある。これらのリードフレームを使用して、
樹脂封止型半導体装置を製造するには以下のようにする
。
すなわち、まず、第１のリードフレーム１０上のステー
ジ部１２上に、搭載すべき半導体チップを金−シリコン
共晶合金等によって固定する。
ジ部１２上に、搭載すべき半導体チップを金−シリコン
共晶合金等によって固定する。
次に・前記第１のリードフレーム１０のステージ部１２
に搭載された半導体チップと第２のリードフレーム２０
の内部リード２２とをワイヤボンディングするために、
第１のリードフレーム１゜と第２のリードフレーム２ｏ
とを重ね合わせ、カシメあるいはスポット溶接で一体に
組み立てる。
に搭載された半導体チップと第２のリードフレーム２０
の内部リード２２とをワイヤボンディングするために、
第１のリードフレーム１゜と第２のリードフレーム２ｏ
とを重ね合わせ、カシメあるいはスポット溶接で一体に
組み立てる。
このとき、第１のリードフレーム１ｏのステージ部１２
は第２のリードフレーム２ｏの内部リード２２と電気的
に絶縁される。そのために、内部リード２２とステージ
部１２との間へ絶縁テープを介在させるか、あるいはス
テージサポートパー１６の中途に段差部を設けて、ステ
ージ部１２を内部リード２２より一段下げて内部リード
２２との間に一定の空隙を作るようにする。
は第２のリードフレーム２ｏの内部リード２２と電気的
に絶縁される。そのために、内部リード２２とステージ
部１２との間へ絶縁テープを介在させるか、あるいはス
テージサポートパー１６の中途に段差部を設けて、ステ
ージ部１２を内部リード２２より一段下げて内部リード
２２との間に一定の空隙を作るようにする。
次に、前記内部リード２２と半導体チップ２８とをワイ
ヤボンディングしく第２図）、半導体チップ２８を樹脂
封止すればよい。
ヤボンディングしく第２図）、半導体チップ２８を樹脂
封止すればよい。
樹脂後は、従来同様にリードフレームの不要部を除去す
る。
る。
第２図は、上記の方法で製造された半導体装置の断面図
を示す。前記ステージ部１２は内部リード２２、外部リ
ード２４の下側に位置し、半導体チップ２８と内部リー
ド２２がワイー１−３０によって接続され、ステージ部
１２、半導体チップ２８、ワイヤ３０、内部リード２２
が樹脂３２によって封止されている。
を示す。前記ステージ部１２は内部リード２２、外部リ
ード２４の下側に位置し、半導体チップ２８と内部リー
ド２２がワイー１−３０によって接続され、ステージ部
１２、半導体チップ２８、ワイヤ３０、内部リード２２
が樹脂３２によって封止されている。
上述した第１のリードフレーム１ｏのステージ部１２の
形状は特に限定されるものではなく、第２のリードフレ
ーム２０のステージ部に対応する空隙にくらべてステー
ジ部１２を充分大きくすることができ、また、ステージ
部１２がら延出して形成するヒートスプレッダ−１４の
形状も熱放散性を配慮した各種の形状が選択できる。
形状は特に限定されるものではなく、第２のリードフレ
ーム２０のステージ部に対応する空隙にくらべてステー
ジ部１２を充分大きくすることができ、また、ステージ
部１２がら延出して形成するヒートスプレッダ−１４の
形状も熱放散性を配慮した各種の形状が選択できる。
（発明の効果）
本発明に係るＳｉ造方法によれば、上述したように、半
導体装ノブを搭載するための第１のリードフレームと、
所要のリード部を有する第２のリードフレームとを別体
に形成し、半導体チップをリードフレームのステージ部
に固定する工程と、ワイヤボンディングおよび樹脂封止
の工程とを別にすることができることにより、以下の顕
著な効果を奏する。
導体装ノブを搭載するための第１のリードフレームと、
所要のリード部を有する第２のリードフレームとを別体
に形成し、半導体チップをリードフレームのステージ部
に固定する工程と、ワイヤボンディングおよび樹脂封止
の工程とを別にすることができることにより、以下の顕
著な効果を奏する。
すなわち、内部リード、外部リードを有する第２のリー
ドフレームは、半導体チ・ノブをステージ部に固定する
際の特に高温にさらされる工程に関与しないので、この
工程における熱の影響ζこ関してはまったく配慮する必
要がない・その結果・内部リード、外部リードは、ワイ
ヤボンディング・樹脂封止およびはんだ付は処理のみを
考慮して・これらの加工工程に適する材質や表面処理を
選ぶことができる。特に、外部リードが高温処理を受け
ないので、従来のように外部リード表面が劣化すること
がなく、より信頼性の高いはんだ付けが可能である。ま
た、内部リード先端表面も劣化しないため、ワイヤボン
ディングの信頼性を高めることができる。さらに内部リ
ード、外部リードがＴ：Ｊ温にさらされて歪むことがな
いので、リードパターンが変形することを防止すること
ができる。
ドフレームは、半導体チ・ノブをステージ部に固定する
際の特に高温にさらされる工程に関与しないので、この
工程における熱の影響ζこ関してはまったく配慮する必
要がない・その結果・内部リード、外部リードは、ワイ
ヤボンディング・樹脂封止およびはんだ付は処理のみを
考慮して・これらの加工工程に適する材質や表面処理を
選ぶことができる。特に、外部リードが高温処理を受け
ないので、従来のように外部リード表面が劣化すること
がなく、より信頼性の高いはんだ付けが可能である。ま
た、内部リード先端表面も劣化しないため、ワイヤボン
ディングの信頼性を高めることができる。さらに内部リ
ード、外部リードがＴ：Ｊ温にさらされて歪むことがな
いので、リードパターンが変形することを防止すること
ができる。
また、高温の影響を受ける第１のリードフレームは、高
温に通ずる材質や表面処理を選択して使用することがで
きる。
温に通ずる材質や表面処理を選択して使用することがで
きる。
また、本発明に係るリードフレームによれば、上述した
ように、第１のリードフレームを、ステージ部からヒー
トスプレッダ−を延出する構成とし、第１のリードフレ
ームと第２のリードフレームを別体にしたので、従来の
リードフレームにくらべ充分大きなステージ部を構成す
ることが可能であり、ヒートスプレッダ−の形状等も自
由に選択できる。その結果、半導体チップから発生する
熱をより効率的に放散し得るという署〃Ｊを奏する。
ように、第１のリードフレームを、ステージ部からヒー
トスプレッダ−を延出する構成とし、第１のリードフレ
ームと第２のリードフレームを別体にしたので、従来の
リードフレームにくらべ充分大きなステージ部を構成す
ることが可能であり、ヒートスプレッダ−の形状等も自
由に選択できる。その結果、半導体チップから発生する
熱をより効率的に放散し得るという署〃Ｊを奏する。
以上本発明につき好適な実施例を挙げて種々説明したが
、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発明
の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得るのは
もちろんのことである。
、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発明
の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得るのは
もちろんのことである。
第１図（ａ）、（、ｂ）は本発明に係るリードフレーム
の平面図、第２図は樹脂封止後の半導体装置を示す断面
図である。 １０・・・第１のリードフレーム、 １２・・・ステージ部、 １４・・・ヒートスプレッダ
ー、 １６・・・ステージサポートバー、１８・・・レ
ール、 ２０・・・第２のリードフレーム、 ２２・
・・内部リード、 ２４・・・外部リード、 ２５・
・・タイバー・ ２６・・・レール、 ２７・・・ダム
バー、 ２８・・・半導体チップ、 ３０・・・ワイヤ
、 ３２・・・樹脂。 特許出廓人 新光電気工業株式会社 代表者光延丈喜夫
の平面図、第２図は樹脂封止後の半導体装置を示す断面
図である。 １０・・・第１のリードフレーム、 １２・・・ステージ部、 １４・・・ヒートスプレッダ
ー、 １６・・・ステージサポートバー、１８・・・レ
ール、 ２０・・・第２のリードフレーム、 ２２・
・・内部リード、 ２４・・・外部リード、 ２５・
・・タイバー・ ２６・・・レール、 ２７・・・ダム
バー、 ２８・・・半導体チップ、 ３０・・・ワイヤ
、 ３２・・・樹脂。 特許出廓人 新光電気工業株式会社 代表者光延丈喜夫
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体チップを搭載すべきステージ部と、該ステー
ジ部をレールに連結するステージサポートバーとを有す
る第１のリードフレームと、所要のリード部を有し、前
記第１のリードフレームが重ね合わされた際そのステー
ジ部に搭載される半導体チップに対応する部位が空隙に
形成された第２のリードフレームとを用意し、前記第１
のリードフレームのステージ部に半導体チップを固定し
、該半導体チップが固定された第１のリードフレームと
前記第２のリードフレームとを、前記空隙部位に前記半
導体チップが位置するように一体に重ね合わせ、前記半
導体チップと前記第２のリードフレームのリード部とを
電気的に接続し、次いで前記半導体チップおよび前記ス
テージ部、リード部等の心要部を樹脂封止することを特
徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。 ２、半導体チップを搭載すべきステージ部と、前記ステ
ージ部をレールに連結するステージサポートバーとを有
する第１のリードフレームと、所要のリード部を有し、
前記第１のリードフレームが重ね合わされた際そのステ
ージ部に搭載される半導体チップに対応する部位が空隙
に形成された第２のリードフレームとから構成されるこ
とを特徴とするリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18926386A JPS6344750A (ja) | 1986-08-12 | 1986-08-12 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法およびこれに用いるリ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18926386A JPS6344750A (ja) | 1986-08-12 | 1986-08-12 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法およびこれに用いるリ−ドフレ−ム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6344750A true JPS6344750A (ja) | 1988-02-25 |
Family
ID=16238379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18926386A Pending JPS6344750A (ja) | 1986-08-12 | 1986-08-12 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法およびこれに用いるリ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6344750A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5198883A (en) * | 1988-08-06 | 1993-03-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having an improved lead arrangement and method for manufacturing the same |
| US5543658A (en) * | 1993-06-14 | 1996-08-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing resin-sealed semiconductor device, lead frame used in this method for mounting plurality of semiconductor elements, and resin-sealed semiconductor device |
| US5683944A (en) * | 1995-09-01 | 1997-11-04 | Motorola, Inc. | Method of fabricating a thermally enhanced lead frame |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5966157A (ja) * | 1982-10-08 | 1984-04-14 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JPS59207646A (ja) * | 1983-05-11 | 1984-11-24 | Toshiba Corp | 半導体装置およびリ−ドフレ−ム |
| JPS60149154A (ja) * | 1984-01-17 | 1985-08-06 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-08-12 JP JP18926386A patent/JPS6344750A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5966157A (ja) * | 1982-10-08 | 1984-04-14 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JPS59207646A (ja) * | 1983-05-11 | 1984-11-24 | Toshiba Corp | 半導体装置およびリ−ドフレ−ム |
| JPS60149154A (ja) * | 1984-01-17 | 1985-08-06 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5198883A (en) * | 1988-08-06 | 1993-03-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having an improved lead arrangement and method for manufacturing the same |
| US5543658A (en) * | 1993-06-14 | 1996-08-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing resin-sealed semiconductor device, lead frame used in this method for mounting plurality of semiconductor elements, and resin-sealed semiconductor device |
| US5614441A (en) * | 1993-06-14 | 1997-03-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Process of folding a strip leadframe to superpose two leadframes in a plural semiconductor die encapsulated package |
| US5683944A (en) * | 1995-09-01 | 1997-11-04 | Motorola, Inc. | Method of fabricating a thermally enhanced lead frame |
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