JP2940437B2 - 単結晶の製造方法及び装置 - Google Patents
単結晶の製造方法及び装置Info
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
- C30B15/305—Stirring of the melt
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、単結晶の製造方法およ
び装置に関し、詳しくは、ルツボ内の原料融液に磁場印
加装置により水平磁場を印加しつつ、前記融液から単結
晶を引き上げる水平磁場印加ＣＺ法（horizontal magne
tic field applied CZ法：以下ＨＭＣＺ法とする）、お
よびこの方法の実施に好適な装置に関する。
び装置に関し、詳しくは、ルツボ内の原料融液に磁場印
加装置により水平磁場を印加しつつ、前記融液から単結
晶を引き上げる水平磁場印加ＣＺ法（horizontal magne
tic field applied CZ法：以下ＨＭＣＺ法とする）、お
よびこの方法の実施に好適な装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】前記ＨＭＣＺ法が、通常のＣＺ法（Czoc
hralski 法）に比べて種々の点で優れていることは、よ
く知られている。このＨＭＣＺ法の実施に使用する装置
は、通常のＣＺ法の装置を改良したもので、ルツボ加熱
用のヒータの外側に、超伝導磁石等の電磁石を備えた磁
場印加装置をルツボを挟んで対向配備したものである。
hralski 法）に比べて種々の点で優れていることは、よ
く知られている。このＨＭＣＺ法の実施に使用する装置
は、通常のＣＺ法の装置を改良したもので、ルツボ加熱
用のヒータの外側に、超伝導磁石等の電磁石を備えた磁
場印加装置をルツボを挟んで対向配備したものである。
【０００３】例えば、石英ルツボ内のシリコン融液から
シリコン単結晶を引き上げる場合、ＨＭＣＺ法によれば
融液の熱対流が抑制され、融液表面近傍温度（引上げ単
結晶の固液界面温度）の経時変動が著しく低減されると
ともに、ルツボからのＳｉＯの溶解量が低下する結果、
転位や欠陥の発生が抑制されるうえ均一、かつ低酸素濃
度のシリコン単結晶が容易に得られる利点がある。
シリコン単結晶を引き上げる場合、ＨＭＣＺ法によれば
融液の熱対流が抑制され、融液表面近傍温度（引上げ単
結晶の固液界面温度）の経時変動が著しく低減されると
ともに、ルツボからのＳｉＯの溶解量が低下する結果、
転位や欠陥の発生が抑制されるうえ均一、かつ低酸素濃
度のシリコン単結晶が容易に得られる利点がある。
【０００４】ＨＭＣＺ法による単結晶製造装置の一例
が、米国特許４，５６５，６７１号公報に開示されてい
る。この装置では、超伝導コイルの中心軸を石英ルツボ
内の融液表面と一致させることにより、前記融液表面近
傍の対流を抑制し、かつ該融液表面近傍より下部に熱対
流を形成するようにしている。この装置では、引上げ中
の単結晶と融液との境界層への熱伝達が高められ、ルツ
ボ周囲と前記境界層との温度差を減少させることがで
き、かつ前記融液表面近傍より下方部分で十分に攪拌さ
れた融液が前記境界層に供給されるために、通常のＣＺ
法に用いる装置に比べて均一な特性の単結晶が得られる
のに加えて、熱応力によるルツボのクラックも防止でき
る利点があるとされている。
が、米国特許４，５６５，６７１号公報に開示されてい
る。この装置では、超伝導コイルの中心軸を石英ルツボ
内の融液表面と一致させることにより、前記融液表面近
傍の対流を抑制し、かつ該融液表面近傍より下部に熱対
流を形成するようにしている。この装置では、引上げ中
の単結晶と融液との境界層への熱伝達が高められ、ルツ
ボ周囲と前記境界層との温度差を減少させることがで
き、かつ前記融液表面近傍より下方部分で十分に攪拌さ
れた融液が前記境界層に供給されるために、通常のＣＺ
法に用いる装置に比べて均一な特性の単結晶が得られる
のに加えて、熱応力によるルツボのクラックも防止でき
る利点があるとされている。
【０００５】最近の単結晶の大直径化に伴う単結晶成長
技術上の課題として、単結晶の低酸素濃度化と、結晶の
安定した成長による生産性向上の２点が挙げられる。特
に近年、デバイス工程のクリーン化が進んで、ウエーハ
内部における重金属不純物のゲッタリング効果の必要性
が低下してきたため、酸素濃度がより低い単結晶に対す
る要求が強まってきた。
技術上の課題として、単結晶の低酸素濃度化と、結晶の
安定した成長による生産性向上の２点が挙げられる。特
に近年、デバイス工程のクリーン化が進んで、ウエーハ
内部における重金属不純物のゲッタリング効果の必要性
が低下してきたため、酸素濃度がより低い単結晶に対す
る要求が強まってきた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、単結晶の大
直径化に伴い、使用する石英ルツボの口径が大きくなる
と、ルツボ内融液へのルツボ表面部の溶解量が増大して
融液中の酸素濃度が高まるため、小型のルツボで得られ
た小直径の単結晶に比べて、大直径単結晶では酸素濃度
が高くなる傾向にある。単結晶の大直径化に伴う石英ル
ツボ内面部の、融液への溶解量増大の要因としては、融
液の高重量化によるルツボ回転時の摩擦力の増加、ルツ
ボの大口径化に伴うルツボ加熱量の増大や、融液温度差
の増大による融液対流の増大が挙げられる。従って、大
直径単結晶の酸素濃度を低下させるには、ルツボ内融液
の対流を抑制することが極めて重要である。
直径化に伴い、使用する石英ルツボの口径が大きくなる
と、ルツボ内融液へのルツボ表面部の溶解量が増大して
融液中の酸素濃度が高まるため、小型のルツボで得られ
た小直径の単結晶に比べて、大直径単結晶では酸素濃度
が高くなる傾向にある。単結晶の大直径化に伴う石英ル
ツボ内面部の、融液への溶解量増大の要因としては、融
液の高重量化によるルツボ回転時の摩擦力の増加、ルツ
ボの大口径化に伴うルツボ加熱量の増大や、融液温度差
の増大による融液対流の増大が挙げられる。従って、大
直径単結晶の酸素濃度を低下させるには、ルツボ内融液
の対流を抑制することが極めて重要である。
【０００７】しかしながら、上記公報に開示された単結
晶製造装置では、融液に印加される水平磁場の均一度が
必ずしも満足すべき状態ではなく、従ってルツボ内融液
の対流抑制効果が必ずしも十分ではなく、このため直径
８インチ以上の大直径シリコン単結晶を引き上げた場
合、均一な低酸素濃度で、かつ欠陥の少ない製品を得る
のは難しいという問題があった。さらに、上記公報開示
の装置では ルツボ内融液の表面近傍の対流は抑制され
るものの、表面近傍より下部の熱対流が存在するように
しているため、ルツボ低部での対流は従来と同様に大き
く、よって、石英ルツボの溶解及び浸食が過度に進行し
て、ルツボの寿命が短くなると言う問題があった。
晶製造装置では、融液に印加される水平磁場の均一度が
必ずしも満足すべき状態ではなく、従ってルツボ内融液
の対流抑制効果が必ずしも十分ではなく、このため直径
８インチ以上の大直径シリコン単結晶を引き上げた場
合、均一な低酸素濃度で、かつ欠陥の少ない製品を得る
のは難しいという問題があった。さらに、上記公報開示
の装置では ルツボ内融液の表面近傍の対流は抑制され
るものの、表面近傍より下部の熱対流が存在するように
しているため、ルツボ低部での対流は従来と同様に大き
く、よって、石英ルツボの溶解及び浸食が過度に進行し
て、ルツボの寿命が短くなると言う問題があった。
【０００８】本発明は、上記の点に鑑みなされたもの
で、その目的は、ＨＭＣＺ法による単結晶製造方法およ
び装置を改良することにより、ルツボ内融液の対流抑制
効果を高め、もって均一かつ低酸素濃度で欠陥の少ない
大直径単結晶を安定して製造することにある。さらに、
本発明の他の目的は、ルツボの寿命を延ばし、引上げ単
結晶当たりに要する使用ルツボ個数を減少させ、ルツボ
取替えに要する時間を減少させることにある。
で、その目的は、ＨＭＣＺ法による単結晶製造方法およ
び装置を改良することにより、ルツボ内融液の対流抑制
効果を高め、もって均一かつ低酸素濃度で欠陥の少ない
大直径単結晶を安定して製造することにある。さらに、
本発明の他の目的は、ルツボの寿命を延ばし、引上げ単
結晶当たりに要する使用ルツボ個数を減少させ、ルツボ
取替えに要する時間を減少させることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の単結晶製造方法
は、磁場印加装置の電磁石（例えば、超伝導磁石）を構
成するコイルをルツボを挟んで同軸的に対向配備し、ル
ツボ内の原料融液に水平磁場を印加しつつ前記融液から
単結晶を引き上げるＨＭＣＺ法において、前記電磁石の
コイル中心軸がルツボ内融液における深さ方向の中心部
または、これより下方を通るように、これら電磁石とル
ツボとの上下方向の相対位置を設定することを特徴とす
るものである。
は、磁場印加装置の電磁石（例えば、超伝導磁石）を構
成するコイルをルツボを挟んで同軸的に対向配備し、ル
ツボ内の原料融液に水平磁場を印加しつつ前記融液から
単結晶を引き上げるＨＭＣＺ法において、前記電磁石の
コイル中心軸がルツボ内融液における深さ方向の中心部
または、これより下方を通るように、これら電磁石とル
ツボとの上下方向の相対位置を設定することを特徴とす
るものである。
【００１０】本発明の単結晶製造方法では、前記電磁石
とルツボとの水平方向の間隔を一定に維持しながら単結
晶を引き上げることが好ましい。また、融液深さ方向の
水平磁場強度の変動幅は、融液液面に垂直なあらゆる線
上で、融液深さ方向の水平磁場強度の平均値の１．２〜
０．８倍（より好ましくは、１．１５〜０．８５倍）の
範囲内に制御することが好ましい。
とルツボとの水平方向の間隔を一定に維持しながら単結
晶を引き上げることが好ましい。また、融液深さ方向の
水平磁場強度の変動幅は、融液液面に垂直なあらゆる線
上で、融液深さ方向の水平磁場強度の平均値の１．２〜
０．８倍（より好ましくは、１．１５〜０．８５倍）の
範囲内に制御することが好ましい。
【００１１】本発明の単結晶製造方法は、通常のＣＺ法
によりバッチ式に単結晶を引き上げる場合に限らず、い
わゆるマルチプルＣＺ（ＲＣＣＺ法：Recharge ＣＺ
法）、または連続チャージ引上げ法（ＣＣＣＺ法：Cont
inuous Charging ＣＺ法）より引き上げる場合にも適用
できる。ＲＣＣＺ法は、単結晶の引上げを終了した後の
ルツボ内残留融液を固化させることなく、原料を再充填
して再度引上げを行う操作を繰り返すことにより、同じ
ルツボから複数本の単結晶をバッチ式に引き上げる方法
である。ＣＣＣＺ法は、融液状原料または粒状多結晶原
料を連続的にルツボにチャージすることにより、ルツボ
内の融液量を一定に保ちながら単結晶の引上げを継続す
るものである（志村 史夫：「半導体シリコン結晶工
学」、丸善（株）を参照）。本発明をＲＣＣＺ法で実施
するには、従来のＲＣＣＺ法による引上げ装置に前記水
平磁場印加装置を付設すればよい。本発明をＣＣＣＺ法
で実施するには、従来のＣＣＣＺ法による引上げ装置に
前記水平磁場印加装置を付設すればよい。
によりバッチ式に単結晶を引き上げる場合に限らず、い
わゆるマルチプルＣＺ（ＲＣＣＺ法：Recharge ＣＺ
法）、または連続チャージ引上げ法（ＣＣＣＺ法：Cont
inuous Charging ＣＺ法）より引き上げる場合にも適用
できる。ＲＣＣＺ法は、単結晶の引上げを終了した後の
ルツボ内残留融液を固化させることなく、原料を再充填
して再度引上げを行う操作を繰り返すことにより、同じ
ルツボから複数本の単結晶をバッチ式に引き上げる方法
である。ＣＣＣＺ法は、融液状原料または粒状多結晶原
料を連続的にルツボにチャージすることにより、ルツボ
内の融液量を一定に保ちながら単結晶の引上げを継続す
るものである（志村 史夫：「半導体シリコン結晶工
学」、丸善（株）を参照）。本発明をＲＣＣＺ法で実施
するには、従来のＲＣＣＺ法による引上げ装置に前記水
平磁場印加装置を付設すればよい。本発明をＣＣＣＺ法
で実施するには、従来のＣＣＣＺ法による引上げ装置に
前記水平磁場印加装置を付設すればよい。
【００１２】本発明の単結晶製造方法を通常のＣＺ法ま
たはＲＣＣＺ法に従って実施する場合において、電磁石
のコイル中心軸がルツボ内融液における深さ方向の中心
部を通るように、電磁石とルツボとの上下方向の相対位
置を設定するには、単結晶引上げ開始時に前記コイル中
心軸が前記中心部を通るように電磁石とルツボとの上下
方向の相対位置を設定した後、ルツボを継続して上昇さ
せることにより、単結晶引上げに伴う前記中心部の降下
を相殺すればよい。なお、上記相殺操作では、ルツボを
上昇させるのに代えて、電磁石を継続して降下させても
よい。また、ＣＣＣＺ法では融液液面の高さが一定であ
るため、本発明方法をＣＣＣＺ法に適用する場合には、
上記相殺操作は不要である。
たはＲＣＣＺ法に従って実施する場合において、電磁石
のコイル中心軸がルツボ内融液における深さ方向の中心
部を通るように、電磁石とルツボとの上下方向の相対位
置を設定するには、単結晶引上げ開始時に前記コイル中
心軸が前記中心部を通るように電磁石とルツボとの上下
方向の相対位置を設定した後、ルツボを継続して上昇さ
せることにより、単結晶引上げに伴う前記中心部の降下
を相殺すればよい。なお、上記相殺操作では、ルツボを
上昇させるのに代えて、電磁石を継続して降下させても
よい。また、ＣＣＣＺ法では融液液面の高さが一定であ
るため、本発明方法をＣＣＣＺ法に適用する場合には、
上記相殺操作は不要である。
【００１３】ＨＭＣＺ法においてルツボ内融液の対流を
抑制するには、強度勾配が緩やかで、かつ強度の高い磁
場にルツボ内融液を配置することにより融液全体にでき
るだけ均一、かつ高強度の磁場を印加することが重要で
ある。そのためには、高強度の磁場を発生することが可
能でコイル径Ｒｃ（図１を参照）が大きい電磁石を、ル
ツボからの距離を長くして配置するのが有効である。
抑制するには、強度勾配が緩やかで、かつ強度の高い磁
場にルツボ内融液を配置することにより融液全体にでき
るだけ均一、かつ高強度の磁場を印加することが重要で
ある。そのためには、高強度の磁場を発生することが可
能でコイル径Ｒｃ（図１を参照）が大きい電磁石を、ル
ツボからの距離を長くして配置するのが有効である。
【００１４】本発明の単結晶製造装置は、磁場印加装置
の電磁石（例えば、超伝導磁石）を構成するコイルをル
ツボを挟んで同軸的に対向配備し、ルツボ内の原料融液
に水平磁場を印加しつつ前記融液から単結晶を引き上げ
る水平磁場印加ＣＺ法に用いる単結晶の製造装置におい
て、前記電磁石とルツボとの上下方向の相対位置が微調
整可能な昇降装置を設けたことを特徴とするものであ
る。
の電磁石（例えば、超伝導磁石）を構成するコイルをル
ツボを挟んで同軸的に対向配備し、ルツボ内の原料融液
に水平磁場を印加しつつ前記融液から単結晶を引き上げ
る水平磁場印加ＣＺ法に用いる単結晶の製造装置におい
て、前記電磁石とルツボとの上下方向の相対位置が微調
整可能な昇降装置を設けたことを特徴とするものであ
る。
【００１５】本発明の単結晶製造装置では、前記電磁石
として、高強度磁場の発生が可能であり、かつコイル径
Ｒｃが単結晶引上げ開始時のルツボ内融液深さの３倍以
上のものを設けることが好ましい。また、発生する磁場
の強度分布が同一の電磁石をルツボの中心軸に関して対
称的に、かつルツボからの距離を長くして設けるのが更
に好ましい。
として、高強度磁場の発生が可能であり、かつコイル径
Ｒｃが単結晶引上げ開始時のルツボ内融液深さの３倍以
上のものを設けることが好ましい。また、発生する磁場
の強度分布が同一の電磁石をルツボの中心軸に関して対
称的に、かつルツボからの距離を長くして設けるのが更
に好ましい。
【００１６】
【作用】図１に示す装置を用いた場合の作用を説明す
る。この装置は、一対の同一仕様の超伝導電磁石１２，
１５を、ルツボ２の中心軸ｌに関して対称的に設けると
ともに、これら超伝導電磁石とルツボ２との上下方向の
相対位置を前記昇降装置（図示せず）で制御することに
より単結晶引上げ工程において常に、そのコイル中心軸
Ｃｃがルツボ２内融液における深さ方向の中心部Ｃｍま
たは、これより下方を通るように構成したものである。
すなわち、この装置では単結晶の引上げに際して、前記
コイル中心軸Ｃｃが常に前記中心部Ｃｍまたは、これよ
り下方を通るように制御するほかは、従来のＨＭＣＺ法
と同様の操作を行う。
る。この装置は、一対の同一仕様の超伝導電磁石１２，
１５を、ルツボ２の中心軸ｌに関して対称的に設けると
ともに、これら超伝導電磁石とルツボ２との上下方向の
相対位置を前記昇降装置（図示せず）で制御することに
より単結晶引上げ工程において常に、そのコイル中心軸
Ｃｃがルツボ２内融液における深さ方向の中心部Ｃｍま
たは、これより下方を通るように構成したものである。
すなわち、この装置では単結晶の引上げに際して、前記
コイル中心軸Ｃｃが常に前記中心部Ｃｍまたは、これよ
り下方を通るように制御するほかは、従来のＨＭＣＺ法
と同様の操作を行う。
【００１７】単結晶の引上げ工程においては、超伝導電
磁石１２，１５による磁場の等強度線の分布は図３に示
すとおりになる。ルツボ内の融液４１に印加される磁場
の強度は、着目する融液部分が超伝導電磁石１２，１５
から離れるに従って低下し、例えば曲線ｌａ，ｌｃの磁
場強度は６０００ガウス、曲線ｌｂ，ｌｄの磁場強度は
４０００ガウスとなる。このためルツボ中心軸ｌ近傍
の、ハッチングで示す融液部分４１ａに印加される磁場
の強度は４０００ガウス以下となり、それ以外の融液部
分４１ｂに印加される磁場の強度は、４０００ガウスを
超え約６０００ガウス以下の範囲内となる（厳密には、
ルツボ２内周面の直近部分では６０００ガウスを超え
る。）
磁石１２，１５による磁場の等強度線の分布は図３に示
すとおりになる。ルツボ内の融液４１に印加される磁場
の強度は、着目する融液部分が超伝導電磁石１２，１５
から離れるに従って低下し、例えば曲線ｌａ，ｌｃの磁
場強度は６０００ガウス、曲線ｌｂ，ｌｄの磁場強度は
４０００ガウスとなる。このためルツボ中心軸ｌ近傍
の、ハッチングで示す融液部分４１ａに印加される磁場
の強度は４０００ガウス以下となり、それ以外の融液部
分４１ｂに印加される磁場の強度は、４０００ガウスを
超え約６０００ガウス以下の範囲内となる（厳密には、
ルツボ２内周面の直近部分では６０００ガウスを超え
る。）
【００１８】この場合、超伝導電磁石１２，１５とし
て、高強度の磁場の発生が可能で、コイル径Ｒｃが単結
晶引上げ開始時のルツボ内融液深さの３倍以上であり、
発生する磁場の強度分布が同一のものを、ルツボ中心軸
ｌに関して対称的に、かつルツボ２からの離間距離を長
くして設けた引上げ装置を使用することにより、上記ハ
ッチングで示す融液部分４１ａが全融液量に占める割合
を非常に小さくすることができる。このため、ルツボ内
融液のほぼ全量を強度４０００〜６０００ガウスの範囲
の磁場に置くことが可能となる。したがって、このよう
な装置によれば、ルツボ内融液の有効動粘度係数が増大
するとともに、融液全量の有効動粘度係数がほぼ同一と
なり、ルツボ内融液の対流が有効に抑えられ、単結晶引
上げ工程中の融液温度の変動が抑制される。また、ルツ
ボ底部で尾融液の対流が有効に抑制されるため、融液が
ルツボを溶解・浸食し難くなり、ルツボの寿命が延び
る。
て、高強度の磁場の発生が可能で、コイル径Ｒｃが単結
晶引上げ開始時のルツボ内融液深さの３倍以上であり、
発生する磁場の強度分布が同一のものを、ルツボ中心軸
ｌに関して対称的に、かつルツボ２からの離間距離を長
くして設けた引上げ装置を使用することにより、上記ハ
ッチングで示す融液部分４１ａが全融液量に占める割合
を非常に小さくすることができる。このため、ルツボ内
融液のほぼ全量を強度４０００〜６０００ガウスの範囲
の磁場に置くことが可能となる。したがって、このよう
な装置によれば、ルツボ内融液の有効動粘度係数が増大
するとともに、融液全量の有効動粘度係数がほぼ同一と
なり、ルツボ内融液の対流が有効に抑えられ、単結晶引
上げ工程中の融液温度の変動が抑制される。また、ルツ
ボ底部で尾融液の対流が有効に抑制されるため、融液が
ルツボを溶解・浸食し難くなり、ルツボの寿命が延び
る。
【００１９】前記電磁石とルツボとの水平方向の間隔を
一定に維持することにより、融液に印加される磁場の強
度分布の経時変化をなくすことができるので、ルツボ内
融液の対流の抑制効果が更に高まる。
一定に維持することにより、融液に印加される磁場の強
度分布の経時変化をなくすことができるので、ルツボ内
融液の対流の抑制効果が更に高まる。
【００２０】ルツボ内融液の深さ方向の水平磁場強度の
変動幅を、融液液面に垂直なあらゆる線上で、融液深さ
方向の水平磁場強度の平均値の１．２〜０．８倍（より
好ましくは、１．１５〜０．８５倍）の範囲内に制御す
ることが好ましい理由は以下のとおりである。すなわ
ち、本発明において電磁石として超伝導電磁石を用い、
ルツボ内融液に強度５０００ガウス程度の磁場を印加す
る場合、電力消費効率の大幅な低下や、単結晶製造装置
の大型化を回避するべきことを考慮すると、水平磁場強
度の融液深さ方向の望ましい変動幅は上記範囲となり、
この範囲内であれば、融液の対流抑制効果が最も高まる
からである。
変動幅を、融液液面に垂直なあらゆる線上で、融液深さ
方向の水平磁場強度の平均値の１．２〜０．８倍（より
好ましくは、１．１５〜０．８５倍）の範囲内に制御す
ることが好ましい理由は以下のとおりである。すなわ
ち、本発明において電磁石として超伝導電磁石を用い、
ルツボ内融液に強度５０００ガウス程度の磁場を印加す
る場合、電力消費効率の大幅な低下や、単結晶製造装置
の大型化を回避するべきことを考慮すると、水平磁場強
度の融液深さ方向の望ましい変動幅は上記範囲となり、
この範囲内であれば、融液の対流抑制効果が最も高まる
からである。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。 実施例１ 図１はシリコン単結晶引上げ装置の要部構造を示す概略
縦断面図である。図２は図１の平面断面図である。この
引上げ装置ではステンレス製の円筒状チャンバー１内
に、内周側が石英からなり外周側が黒鉛からなるルツボ
２が、鉛直方向に設けた支持軸３で支持されている。ル
ツボ２の周囲には、炭素材からなる円筒状の加熱ヒータ
４が配備され、この加熱ヒータ４の周囲には同じく炭素
材からなる円筒状の断熱材５が配備されている。加熱ヒ
ータ４および断熱材５は、上下方向および水平方向の位
置が固定されている。支持軸３（従ってルツボ２）は、
図示されない回転駆動装置により回転可能、かつ回転数
の微調整が可能となっている。さらに支持軸３は制御機
構を備えた、図示されないスライド機構（これは前記昇
降装置に相当する）により上下動可能、かつ上下方向の
位置が微調整可能となっている。
する。 実施例１ 図１はシリコン単結晶引上げ装置の要部構造を示す概略
縦断面図である。図２は図１の平面断面図である。この
引上げ装置ではステンレス製の円筒状チャンバー１内
に、内周側が石英からなり外周側が黒鉛からなるルツボ
２が、鉛直方向に設けた支持軸３で支持されている。ル
ツボ２の周囲には、炭素材からなる円筒状の加熱ヒータ
４が配備され、この加熱ヒータ４の周囲には同じく炭素
材からなる円筒状の断熱材５が配備されている。加熱ヒ
ータ４および断熱材５は、上下方向および水平方向の位
置が固定されている。支持軸３（従ってルツボ２）は、
図示されない回転駆動装置により回転可能、かつ回転数
の微調整が可能となっている。さらに支持軸３は制御機
構を備えた、図示されないスライド機構（これは前記昇
降装置に相当する）により上下動可能、かつ上下方向の
位置が微調整可能となっている。
【００２２】チャンバー１の外側には、保冷容器１１お
よび該容器に収納された超伝導磁石１２を備えた磁場印
加装置１３と、保冷容器１１および該容器に収納された
超伝導磁石１５を備えた磁場印加装置１６とが、ルツボ
２の中心軸に関して対称的に設けられている。これら超
伝導電磁石１２，１５は、ルツボ２からの距離および上
下方向の位置が固定されている。超伝導電磁石１２，１
５のコイル径Ｒｃは、シリコン単結晶引上げ開始時のル
ツボ内融液深さの３倍になっている。
よび該容器に収納された超伝導磁石１２を備えた磁場印
加装置１３と、保冷容器１１および該容器に収納された
超伝導磁石１５を備えた磁場印加装置１６とが、ルツボ
２の中心軸に関して対称的に設けられている。これら超
伝導電磁石１２，１５は、ルツボ２からの距離および上
下方向の位置が固定されている。超伝導電磁石１２，１
５のコイル径Ｒｃは、シリコン単結晶引上げ開始時のル
ツボ内融液深さの３倍になっている。
【００２３】チャンバー１の上方には、ステンレス製の
円筒状プルチャンバー２１が、チャンバー２１と同心状
に連結して設けられ、これらチャンバー１とプルチャン
バー２１との接続部には、アイソレーションバルブ２２
が配備されている。プルチャンバー２２は、引き上げら
れたシリコン単結晶を収容し、かつ外部に取り出すため
の空間を形成している。
円筒状プルチャンバー２１が、チャンバー２１と同心状
に連結して設けられ、これらチャンバー１とプルチャン
バー２１との接続部には、アイソレーションバルブ２２
が配備されている。プルチャンバー２２は、引き上げら
れたシリコン単結晶を収容し、かつ外部に取り出すため
の空間を形成している。
【００２４】プルチャンバー２２の上方には、シリコン
単結晶の巻上げ装置（図示せず）が、鉛直軸を中心とし
て回転可能に配備されている。この巻上げ装置からはワ
イヤー２３が吊下され、このワイヤー２３の下端には種
保持治具２４により種結晶２５が取り付けられている。
プルチャンバー２１の上部にはＡｒ等の不活性ガスの供
給口３１が、チャンバー１の底部には不活性ガスの排気
口３２がそれぞれ設けられている。この排気口３２は真
空発生装置（図示せず）に連絡され、チャンバー１およ
びプルチャンバー２１内を所定の真空度に維持できるよ
うになっている。なお、４１はシリコン融液、４２は引
き上げ途中のシリコン単結晶である。
単結晶の巻上げ装置（図示せず）が、鉛直軸を中心とし
て回転可能に配備されている。この巻上げ装置からはワ
イヤー２３が吊下され、このワイヤー２３の下端には種
保持治具２４により種結晶２５が取り付けられている。
プルチャンバー２１の上部にはＡｒ等の不活性ガスの供
給口３１が、チャンバー１の底部には不活性ガスの排気
口３２がそれぞれ設けられている。この排気口３２は真
空発生装置（図示せず）に連絡され、チャンバー１およ
びプルチャンバー２１内を所定の真空度に維持できるよ
うになっている。なお、４１はシリコン融液、４２は引
き上げ途中のシリコン単結晶である。
【００２５】シリコン単結晶の引上げに際しては、該開
始時において超伝導電磁石１２，１５のコイル中心軸Ｃ
ｃがシリコン融液４１における深さ方向の中心部Ｃｍま
たは、これより下方を通るように、これら超伝導電磁石
１２，１５とルツボ２との上下方向の相対位置を前記ス
ライド機構により設定し、これら超伝導電磁石１２，１
５を作動させるとともに、加熱ヒータ４によるルツボ２
側壁の加熱を開始する。次いで、種保持治具２４に取り
付けた種結晶２５を融液４１の表面に浸漬し、Ａｒ等の
不活性ガスを融液４１の表面に供給し、ルツボ２を回転
させるとともに、種結晶２５を回転させつつ引き上げる
ことによりネック、コーン、肩、直胴部の順に成長を行
う。
始時において超伝導電磁石１２，１５のコイル中心軸Ｃ
ｃがシリコン融液４１における深さ方向の中心部Ｃｍま
たは、これより下方を通るように、これら超伝導電磁石
１２，１５とルツボ２との上下方向の相対位置を前記ス
ライド機構により設定し、これら超伝導電磁石１２，１
５を作動させるとともに、加熱ヒータ４によるルツボ２
側壁の加熱を開始する。次いで、種保持治具２４に取り
付けた種結晶２５を融液４１の表面に浸漬し、Ａｒ等の
不活性ガスを融液４１の表面に供給し、ルツボ２を回転
させるとともに、種結晶２５を回転させつつ引き上げる
ことによりネック、コーン、肩、直胴部の順に成長を行
う。
【００２６】シリコン単結晶引上げの進行に伴って融液
４１の深さが減少するため、前記中心部Ｃｍが次第に降
下する。そこで、この実施例では前記スライド機構でル
ツボ２を連続的に上昇させて中心部Ｃｍの降下を相殺す
る。これによって超伝導電磁石１２，１５のコイル中心
軸Ｃｃが常に中心部Ｃｍまたは、これより下方を通るよ
うに制御する。
４１の深さが減少するため、前記中心部Ｃｍが次第に降
下する。そこで、この実施例では前記スライド機構でル
ツボ２を連続的に上昇させて中心部Ｃｍの降下を相殺す
る。これによって超伝導電磁石１２，１５のコイル中心
軸Ｃｃが常に中心部Ｃｍまたは、これより下方を通るよ
うに制御する。
【００２７】〔試験例１〕つぎに、図１の装置を使用し
上記した方法で行った、シリコン単結晶のバッチ式引上
げ試験について説明する。 （１）引上げ装置の仕様： ルツボ２の内径：６００ｍｍ ルツボ２の深さ：４００ｍｍ 加熱ヒータ４の外径：７５０ｍｍ 超伝導電磁石１２，１５のコイル径Ｒｃ：８４０ｍｍ 超伝導電磁石１２，１５のコイル間距離Ｄ：１５００
ｍｍ （２）引上げ条件： 目標とするシリコン単結晶（直胴部）の直径×長さ：
８インチ×１．２ｍ、９インチ×１ｍ ルツボ２の回転数：０．６ｒｐｍ（一定） 種結晶の回転数：１５ｒｐｍ（一定で、回転方向はル
ツボと逆） ルツボ２内融液４１の引上げ開始時の深さ：２６０ｍ
ｍ その他：適量の不活性ガス（Ａｒ）を供給しながら、
チャンバー１内の圧力を３００ｍｂａｒ以下の減圧に保
持
上記した方法で行った、シリコン単結晶のバッチ式引上
げ試験について説明する。 （１）引上げ装置の仕様： ルツボ２の内径：６００ｍｍ ルツボ２の深さ：４００ｍｍ 加熱ヒータ４の外径：７５０ｍｍ 超伝導電磁石１２，１５のコイル径Ｒｃ：８４０ｍｍ 超伝導電磁石１２，１５のコイル間距離Ｄ：１５００
ｍｍ （２）引上げ条件： 目標とするシリコン単結晶（直胴部）の直径×長さ：
８インチ×１．２ｍ、９インチ×１ｍ ルツボ２の回転数：０．６ｒｐｍ（一定） 種結晶の回転数：１５ｒｐｍ（一定で、回転方向はル
ツボと逆） ルツボ２内融液４１の引上げ開始時の深さ：２６０ｍ
ｍ その他：適量の不活性ガス（Ａｒ）を供給しながら、
チャンバー１内の圧力を３００ｍｂａｒ以下の減圧に保
持
【００２８】超伝導電磁石１２，１５による磁場の等強
度線分布は、図３に示すとおりになった。この分布はシ
リコン単結晶引上げの全工程で不変であり、融液部分４
１ａの左右の輪郭線は磁場強度４０００ガウスの等強度
線と一致し、その他の融液部分４１ｂの殆どは、磁場強
度４０００ガウスの等強度線と、磁場強度６０００ガウ
スの等強度線との間に位置していた。この結果、融液部
分４１ａに印加される磁場の強度は４０００ガウス以下
に、融液部分４１ｂに印加される磁場の強度は４０００
ガウスを超え約６０００ガウス以下になり、また、融液
部分４１ａが全融液量に占める割合を非常に小さくする
ことができた。上記引上げ装置・方法により、引上げの
全工程を通して、ハッチングで示す部分の融液量が全融
液量に占める割合を非常に小さくすることができ、ルツ
ボ内融液のほぼ全量を、強度４０００〜６０００ガウス
の範囲の磁場に置くことが可能となった。融液部分４１
ａでは融液部分４１ｂに比し、対流抑制効果が若干劣る
が、その磁場強度の低下はそれ程大きくなく、また、そ
の部分の割合が少ないために融液の対流によるルツボの
劣化を抑制することができる。このことは、ＲＣＣＺ法
やＣＣＣＺ法に本発明を適用すれば長期にわたってルツ
ボを使用できるという利点をもたらす。
度線分布は、図３に示すとおりになった。この分布はシ
リコン単結晶引上げの全工程で不変であり、融液部分４
１ａの左右の輪郭線は磁場強度４０００ガウスの等強度
線と一致し、その他の融液部分４１ｂの殆どは、磁場強
度４０００ガウスの等強度線と、磁場強度６０００ガウ
スの等強度線との間に位置していた。この結果、融液部
分４１ａに印加される磁場の強度は４０００ガウス以下
に、融液部分４１ｂに印加される磁場の強度は４０００
ガウスを超え約６０００ガウス以下になり、また、融液
部分４１ａが全融液量に占める割合を非常に小さくする
ことができた。上記引上げ装置・方法により、引上げの
全工程を通して、ハッチングで示す部分の融液量が全融
液量に占める割合を非常に小さくすることができ、ルツ
ボ内融液のほぼ全量を、強度４０００〜６０００ガウス
の範囲の磁場に置くことが可能となった。融液部分４１
ａでは融液部分４１ｂに比し、対流抑制効果が若干劣る
が、その磁場強度の低下はそれ程大きくなく、また、そ
の部分の割合が少ないために融液の対流によるルツボの
劣化を抑制することができる。このことは、ＲＣＣＺ法
やＣＣＣＺ法に本発明を適用すれば長期にわたってルツ
ボを使用できるという利点をもたらす。
【００２９】試験例１で得られた８インチ、９インチの
シリコン単結晶では、酸素濃度が１０ｐｐｍａ（ＪＥＩ
ＤＡ）程度であり、従来のＨＭＣＺ法に比べて酸素濃度
がきわめて低い大直径シリコン単結晶を得ることができ
た。また、これらのシリコン単結晶では酸素濃度の面内
均一性も高く、単結晶成長軸方向のミクロな均一性も良
好であった。
シリコン単結晶では、酸素濃度が１０ｐｐｍａ（ＪＥＩ
ＤＡ）程度であり、従来のＨＭＣＺ法に比べて酸素濃度
がきわめて低い大直径シリコン単結晶を得ることができ
た。また、これらのシリコン単結晶では酸素濃度の面内
均一性も高く、単結晶成長軸方向のミクロな均一性も良
好であった。
【００３０】〔比較例１〕次に、図１の装置を使用し、
シリコン単結晶引上げの全工程において超伝導電磁石１
２，１５のコイル中心軸Ｃｃをシリコン融液５１の液面
直下、かつ直近に位置させた以外は試験例１と同一に
し、試験例１と同一寸法のシリコン単結晶を引き上げ
た。融液５１に印加された磁場を図４に示す。この図
は、磁場の等強度線分布図の一部を用いて作成したもの
である。この方法では、図４に示すように引上げの全工
程において、ルツボ２の中心軸ｌ近傍のハッチングで示
す融液部分５１ａが全融液量に占める割合は、試験例１
に比べてかなり大きくなった。ただし、この場合も融液
部分５１ａに印加される磁場の強度は４０００ガウス以
下となり、それ以外の融液部分５１ｂに印加される磁場
の強度は、４０００ガウスを超え約６０００ガウス以下
となった。この引上げ装置・方法では、ハッチングで示
す部分の融液量が全融液量に占める割合を小さくするこ
とができないため、試験例１と違って、ルツボ内融液の
ほぼ全量を強度４０００〜６０００ガウスの範囲の磁場
に置くことはできなかった。また、磁場の弱い部分（融
液部分５１ａ）の割合が大きくなり、かつ、磁場の弱い
部分の中心付近の磁場強度は上記実験例の場合に比較し
て小さくなるために、融液の対流による劣化は大きく、
単結晶引上げ量に対する使用ルツボ個数が増大し、ＲＣ
ＣＺ法やＣＣＣＺ法への適用には問題が生じる。
シリコン単結晶引上げの全工程において超伝導電磁石１
２，１５のコイル中心軸Ｃｃをシリコン融液５１の液面
直下、かつ直近に位置させた以外は試験例１と同一に
し、試験例１と同一寸法のシリコン単結晶を引き上げ
た。融液５１に印加された磁場を図４に示す。この図
は、磁場の等強度線分布図の一部を用いて作成したもの
である。この方法では、図４に示すように引上げの全工
程において、ルツボ２の中心軸ｌ近傍のハッチングで示
す融液部分５１ａが全融液量に占める割合は、試験例１
に比べてかなり大きくなった。ただし、この場合も融液
部分５１ａに印加される磁場の強度は４０００ガウス以
下となり、それ以外の融液部分５１ｂに印加される磁場
の強度は、４０００ガウスを超え約６０００ガウス以下
となった。この引上げ装置・方法では、ハッチングで示
す部分の融液量が全融液量に占める割合を小さくするこ
とができないため、試験例１と違って、ルツボ内融液の
ほぼ全量を強度４０００〜６０００ガウスの範囲の磁場
に置くことはできなかった。また、磁場の弱い部分（融
液部分５１ａ）の割合が大きくなり、かつ、磁場の弱い
部分の中心付近の磁場強度は上記実験例の場合に比較し
て小さくなるために、融液の対流による劣化は大きく、
単結晶引上げ量に対する使用ルツボ個数が増大し、ＲＣ
ＣＺ法やＣＣＣＺ法への適用には問題が生じる。
【００３１】比較例１で得られた８インチ、９インチの
シリコン単結晶では、酸素濃度が１３ｐｐｍａ（ＪＥＩ
ＤＡ）程度であり、酸素濃度の面内均一性や、単結晶成
長軸方向のミクロな均一性も劣っていた。
シリコン単結晶では、酸素濃度が１３ｐｐｍａ（ＪＥＩ
ＤＡ）程度であり、酸素濃度の面内均一性や、単結晶成
長軸方向のミクロな均一性も劣っていた。
【００３２】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
単結晶製造方法は、磁場印加装置の電磁石を構成するコ
イルをルツボを挟んで同軸的に対向配備し、ルツボ内の
原料融液に水平磁場を印加しつつ前記融液から単結晶を
引き上げるＨＭＣＺ法において、前記電磁石のコイル中
心軸がルツボ内融液深さの中心部または、これより下方
を通るように、これら電磁石とルツボとの上下方向の相
対位置を設定するものであり、本発明によれば、単結晶
引上げの全工程において、ルツボ内融液のほぼ全体に狭
い強度範囲の磁場を印加することができる。換言すれ
ば、従来のＨＭＣＺ法に比べて、ルツボ内融液に印加す
る磁場の強度分布の均一性を向上させることができる。
この結果、ルツボ内融液の対流抑制効果が著しく高ま
り、酸素濃度が低く均一で、しかも欠陥の少ない大直径
の単結晶を安定して製造することができる。また、ルツ
ボ底部での融液の対流が有効に抑制されるため、融液が
ルツボを浸食し難くなり、ルツボの寿命を延ばすことが
でき、引上げ単結晶量当たりに要するルツボ個数を減少
させることができる。また、本発明の単結晶製造装置
は、磁場印加装置の電磁石を構成するコイルをルツボを
挟んで同軸的に対向配備し、ルツボ内の原料融液に水平
磁場を印加しつつ前記融液から単結晶を引き上げる単結
晶の製造装置において、前記電磁石とルツボとの上下方
向の相対位置が微調整可能な昇降装置を設け、単結晶引
上げ工程の進行に伴うルツボ内融液における深さ方向の
中心部の降下を、前記昇降装置によりルツボを上昇させ
て相殺するようにしたものであり、本発明によれば簡単
な操作で、単結晶引上げ工程中、常に前記電磁石のコイ
ル中心軸が前記融液中心部または、これより下方を通る
ようにすることができる。
単結晶製造方法は、磁場印加装置の電磁石を構成するコ
イルをルツボを挟んで同軸的に対向配備し、ルツボ内の
原料融液に水平磁場を印加しつつ前記融液から単結晶を
引き上げるＨＭＣＺ法において、前記電磁石のコイル中
心軸がルツボ内融液深さの中心部または、これより下方
を通るように、これら電磁石とルツボとの上下方向の相
対位置を設定するものであり、本発明によれば、単結晶
引上げの全工程において、ルツボ内融液のほぼ全体に狭
い強度範囲の磁場を印加することができる。換言すれ
ば、従来のＨＭＣＺ法に比べて、ルツボ内融液に印加す
る磁場の強度分布の均一性を向上させることができる。
この結果、ルツボ内融液の対流抑制効果が著しく高ま
り、酸素濃度が低く均一で、しかも欠陥の少ない大直径
の単結晶を安定して製造することができる。また、ルツ
ボ底部での融液の対流が有効に抑制されるため、融液が
ルツボを浸食し難くなり、ルツボの寿命を延ばすことが
でき、引上げ単結晶量当たりに要するルツボ個数を減少
させることができる。また、本発明の単結晶製造装置
は、磁場印加装置の電磁石を構成するコイルをルツボを
挟んで同軸的に対向配備し、ルツボ内の原料融液に水平
磁場を印加しつつ前記融液から単結晶を引き上げる単結
晶の製造装置において、前記電磁石とルツボとの上下方
向の相対位置が微調整可能な昇降装置を設け、単結晶引
上げ工程の進行に伴うルツボ内融液における深さ方向の
中心部の降下を、前記昇降装置によりルツボを上昇させ
て相殺するようにしたものであり、本発明によれば簡単
な操作で、単結晶引上げ工程中、常に前記電磁石のコイ
ル中心軸が前記融液中心部または、これより下方を通る
ようにすることができる。
【図１】本発明の実施例に係る単結晶製造装置の要部構
造を示す概略縦断面図である。
造を示す概略縦断面図である。
【図２】図１の平面断面図である。
【図３】試験例１における磁場の等強度線分布図であっ
て、図１装置の一部縦断面図で示したものである。
て、図１装置の一部縦断面図で示したものである。
【図４】比較例１において磁場強度が４０００ガウス以
下の融液部分を示す説明図であって、図３に相当するも
のである。
下の融液部分を示す説明図であって、図３に相当するも
のである。
１ チャンバー ２ ルツボ ３ 支持軸 ４ 加熱ヒータ ５ 断熱材 １１ 保冷容器 １２，１５ 超伝導電磁石 １３，１６ 磁場印加装置 ２１ プルチャンバー ２２ アイソレーションバルブ ２３ ワイヤー ２４ 種保持治具 ２５ 種結晶 ３１ 不活性ガスの供給口 ３２ 不活性ガスの排気口 ４１，５１ シリコン融液 ４１ａ，４１ｂ，５１ａ，５１ｂ 融液部分 ４２ シリコン単結晶 Ｃｃ コイル中心軸 Ｃｍ 融液における深さ方向の中心部 Ｄ コイル間距離 ｌ ルツボ中心軸 Ｒｃ コイル径
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平８−231294（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−112489（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−286294（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−22193（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C30B 1/00 - 35/00
Claims (6)
- 【請求項１】 磁場印加装置の電磁石を構成するコイル
をルツボを挟んで同軸的に対向配備し、ルツボ内の原料
融液に水平磁場を印加しつつ前記融液から単結晶を引き
上げる水平磁場印加ＣＺ法において、前記電磁石のコイ
ル中心軸がルツボ内融液における深さ方向の中心部また
は、これより下方を通るように、これら電磁石とルツボ
との上下方向の相対位置を設定することを特徴とする単
結晶の製造方法。 - 【請求項２】 前記電磁石とルツボとの水平方向の間隔
を一定に維持することを特徴とする請求項１に記載の単
結晶の製造方法。 - 【請求項３】 前記ルツボ内融液の深さ方向の水平磁場
強度の変動幅は、融液液面に垂直なあらゆる線上で、融
液深さ方向の水平磁場強度の平均値の１．２〜０．８倍
の範囲内に制御することを特徴とする請求項１または２
に記載の単結晶の製造方法。 - 【請求項４】 磁場印加装置の電磁石を構成するコイル
をルツボを挟んで同軸的に対向配備し、ルツボ内の原料
融液に水平磁場を印加しつつ前記融液から単結晶を引き
上げる水平磁場印加ＣＺ法に用いる単結晶の製造装置に
おいて、前記電磁石とルツボとの上下方向の相対位置が
微調整可能な昇降装置を設けたことを特徴とする単結晶
の製造装置。 - 【請求項５】 前記電磁石のコイル径が、単結晶引上げ
開始時のルツボ内融液深さの３倍以上であることを特徴
とする請求項４に記載の単結晶の製造装置。 - 【請求項６】 前記電磁石として、発生する磁場の強度
分布が同一のものを前記ルツボの中心軸に関して対称的
に設けたことを特徴とする請求項５に記載の単結晶の製
造装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7158454A JP2940437B2 (ja) | 1995-06-01 | 1995-06-01 | 単結晶の製造方法及び装置 |
| US08/655,201 US5792255A (en) | 1995-06-01 | 1996-05-30 | Manufacturing method of single crystal |
| KR1019960019464A KR100239864B1 (ko) | 1995-06-01 | 1996-06-01 | 단결정의 제조방법 및 장치 |
| EP96303988A EP0745706B1 (en) | 1995-06-01 | 1996-06-03 | Manufacturing method of single crystal |
| DE69614609T DE69614609T2 (de) | 1995-06-01 | 1996-06-03 | Verfahren zur Herstellung eines Einkristalles |
| US09/081,665 US5980630A (en) | 1995-06-01 | 1998-05-20 | Manufacturing method of single crystal and apparatus of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7158454A JP2940437B2 (ja) | 1995-06-01 | 1995-06-01 | 単結晶の製造方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08333191A JPH08333191A (ja) | 1996-12-17 |
| JP2940437B2 true JP2940437B2 (ja) | 1999-08-25 |
Family
ID=15672109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7158454A Expired - Lifetime JP2940437B2 (ja) | 1995-06-01 | 1995-06-01 | 単結晶の製造方法及び装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5792255A (ja) |
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