JP2007210865A - シリコン単結晶引上装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】磁場印加手段51は引上げ方向Zに対して中心Oの磁場強度Byを最も高くし、この中心Oから上下方向にそれぞれ磁場強度Byが漸減するように磁界を発生させる。そして、この磁場強度Byの最も高い中心Oに合わせてルツボ13のシリコン融液12の融液面12aが位置するように設定する。
【選択図】図4
Description
前記磁場印加手段は、前記チャンバの外周面に沿うように形成され、前記ルツボの中心から略同心円状の等磁場線を形成可能とされてなることにより上記課題を解決した。
本発明のシリコン単結晶引上装置は、シリコン融液を貯溜するルツボと、前記ルツボを加熱するヒータと、前記ルツボを回転及び/又は昇降させるルツボ駆動手段と、前記ルツボおよびヒータを収容するチャンバと、前記チャンバの外側に設けられて該チャンバに磁場を印加する磁場印加手段とを有する単結晶引上装置であって、
前記磁場印加手段は、前記チャンバの外周面に沿うように形成され、前記ルツボに貯留されたシリコン融液の融液面から前記ルツボの底部に向けて磁場強度が一方的に増加するか、あるいは磁場強度が一方的に減少するように磁場を印加可能とされてなることにより上記課題を解決した。
本発明は、また、前記ルツボに貯留されたシリコン融液の融液面から前記ルツボの底部に向けて一方的に磁場強度が増加または減少する際の磁場強度の変動範囲は、前記磁場印加手段によって前記チャンバ内に印加される磁場の最強強度の0.6倍〜0.9倍の範囲に設定されることが好ましい。
本発明において、前記磁場印加手段は、前記チャンバを取り巻くように略リング状に形成されていることができる。
ここで、略同心円状の等磁場線を形成する範囲は、図3に示すように、少なくともルツボ内のシリコン融液の存在する範囲を含むものであればよく、それ以外のチャンバ内の領域は、図4のように、等磁場曲線が同心円状とならずに、磁場印加手段の省スペース化を履かすことが可能なようになっていてもよい。また、等磁場曲線が同心円状となる範囲は、シリコン融液が存在する高さ位置を少なくとも含むものであればよい。
また、図3に示すように、磁場方向も同様に、ルツボ内のシリコン融液の存在する範囲のみで略直線となっていればよく、それ以外の部分では、多少直線からずれていても構わない。
図示しないが、ヘッド22にはヘッド22を回転させる第2回転用モータと、ワイヤケーブル23を巻取り又は繰出す引上げ用モータが内蔵される。ワイヤケーブル23の下端にはシリコン融液12に浸してシリコン単結晶インゴット25を引上げるための種結晶24がホルダ23aを介して取付けられる。
12 シリコン融液
12a 融液面
13 石英ルツボ
19 側面ヒータ
51 磁場印加手段
Claims (4)
- シリコン融液を貯溜するルツボと、前記ルツボを加熱するヒータと、前記ルツボを回転及び/又は昇降させるルツボ駆動手段と、前記ルツボおよびヒータを収容するチャンバと、前記チャンバの外側に設けられて該チャンバに磁場を印加する磁場印加手段とを有する単結晶引上装置であって、
前記磁場印加手段は、前記チャンバの外周面に沿うように形成され、前記ルツボの中心から略同心円状の等磁場線を形成可能とされてなることを特徴とするシリコン単結晶引上装置。 - シリコン融液を貯溜するルツボと、前記ルツボを加熱するヒータと、前記ルツボを回転及び/又は昇降させるルツボ駆動手段と、前記ルツボおよびヒータを収容するチャンバと、前記チャンバの外側に設けられて該チャンバに磁場を印加する磁場印加手段とを有する単結晶引上装置であって、
前記磁場印加手段は、前記チャンバの外周面に沿うように形成され、前記ルツボに貯留されたシリコン融液の融液面から前記ルツボの底部に向けて磁場強度が一方的に増加するか、あるいは磁場強度が一方的に減少するように磁場を印加可能とされてなることを特徴とするシリコン単結晶引上装置。 - 前記ルツボに貯留されたシリコン融液の融液面から前記ルツボの底部に向けて一方的に磁場強度が増加または減少する際の磁場強度の変動範囲は、前記磁場印加手段によって前記チャンバ内に印加される磁場の最強強度の0.6倍〜0.9倍の範囲に設定されることを特徴とする請求項1または2に記載のシリコン単結晶引上装置。
- 前記磁場印加手段は、前記チャンバを取り巻くように略リング状に形成されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載のシリコン単結晶引上装置。
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2006
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