JP2021108306A - 基板処理システム、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】接着部材を介して接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に適切に剥離する。【解決手段】熱により接着性が低下する接着部材Ｂを介して被処理基板Ｗと支持基板Ｓとが接合された重合基板Ｔを処理する基板処理システムは、前記被処理基板Ｗと前記支持基板Ｓを剥離する際に、前記支持基板Ｓ側を加熱する加熱部１１０と、前記加熱部１１０によって前記支持基板Ｓ側を加熱する際に、前記被処理基板Ｗ側を冷却する冷却部１００と、を有する。【選択図】図４

Description

本発明は、基板処理システム、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。

近年、半導体デバイスの製造工程においては、表面に複数の電子回路等のデバイスが形成された半導体ウェハ（以下、ウェハという）に対し、当該ウェハの裏面を研削などして、ウェハを薄化することが行われている。この研削処理の際のウェハ割れを抑制すること等を目的として、例えばウェハ補強用の支持基板をウェハの表面に接合することが行われている。また、研削処理後のウェハは、当該ウェハの損傷を抑制すること等を目的として、ダイシングテープがウェハの裏面に貼り付けられ、当該ダイシングテープを介して、環状のダイシングフレームに固定される。また、ダイシングテープが貼り付けられたウェハは、当該ダイシングテープが拡張（エキスパンド）されることで、個々のチップに分割される（特許文献１参照）。

ところで、ウェハ補強用の支持基板はエキスパンド処理の前にウェハから剥離する必要がある。特許文献２に開示の支持基板（支持テープ）の剥離方法では、支持基板とウェハの接合に、熱により粘着力が低下する粘着剤層が形成された支持テープを用いている。そして、当該剥離方法では、支持テープを介して支持基板に接合され、かつダイシングテープを介してダイシングフレームに固定された状態のウェハに対して、熱を粘着剤層に付与することで、支持テープの接着力を低下させ、当該支持テープ（支持基板）をウェハから剥離している。

特開２００７−６７２７８号公報 特開２００３−１７３９８９号公報

しかしながら、特許文献２に開示の剥離方法では、ウェハから支持テープ（支持基板）を剥離する際、熱を粘着剤層に付与するが、その熱によりウェハ表面のデバイスが損傷を被るおそれがある。また特許文献１は、この点に関し、何らの開示も示唆もしていない。したがって、従来の支持基板の剥離方法には改善の余地がある。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、接着部材を介して接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に適切に剥離することを目的とする。

上記課題を解決する本発明の一態様は、熱により接着性が低下する接着部材を介して被処理基板と支持基板とが接合された重合基板を処理する基板処理システムであって、前記被処理基板と前記支持基板を剥離する際に、前記支持基板側を加熱する加熱部と、前記加熱部によって前記支持基板側を加熱する際に、前記被処理基板側を冷却する冷却部と、を有する。

別な観点による本発明の一態様は、熱により接着性が低下する接着部材を介して被処理基板と支持基板とが接合された重合基板を処理する基板処理方法であって、加熱部によって前記支持基板側を加熱すると共に、冷却部によって前記被処理基板側を冷却する熱処理工程と、その後、前記被処理基板と前記支持基板を剥離する剥離工程と、を有する。

また別な観点による本発明の一態様によれば、前記基板処理方法を基板処理システムによって実行させるように当該基板処理システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。

さらに別な観点による本発明の一態様によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。

本発明によれば、接着部材を介して接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に適切に剥離することができる。

第１の実施形態にかかる基板処理システムの構成の概略を模式的に示す平面図である。 重合ウェハの構成の概略を示す側面図である。 接着テープの構成の概略を示す側面図である。 熱処理ユニットの構成の概略を示す側面図である。 第１の実施形態におけるウェハ処理の主な工程時の重合ウェハの様子を示す図である。 第２の実施形態にかかる基板処理システムの構成の概略を模式的に示す平面図である。 第２の実施形態におけるウェハ処理の主な工程時の重合ウェハの様子を示す図である。 他の実施形態にかかる熱処理ユニットの構成の概略を示す側面図である。 他の実施形態にかかる熱処理ユニットの構成の概略を示す側面図である。 他の実施形態にかかる熱処理ユニットの構成の概略を示す側面図である。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

先ず、本発明の第１の実施形態について説明する。図１は、第１の実施形態にかかる基板処理システム１の構成の概略を模式的に示す平面図である。なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。

本実施形態の基板処理システム１では、図２に示すように接着部材としての接着テープＢを介して、被処理基板としての被処理ウェハＷと支持基板としての支持ウェハＳとが接合された重合ウェハＴを処理する。以下、被処理ウェハＷにおいて、接着テープＢを介して支持ウェハＳと接合された面を「接合面Ｗｊ」といい、当該接合面Ｗｊと反対側の面を「非接合面Ｗｎ」という。同様に、支持ウェハＳにおいて、接着テープＢを介して被処理ウェハＷと接合された面を「接合面Ｓｊ」といい、接合面Ｓｊと反対側の面を「非接合面Ｓｎ」という。なお、以下の説明では、重合ウェハＴから支持ウェハＳが取り外された状態のものも重合ウェハＴという場合がある。

また、本実施形態の基板処理システム１では、後述するように、重合ウェハＴにダイアタッチフィルムＤ（ＤＡＦ：Ｄｉｅ Ａｔｔａｃｈ Ｆｉｌｍ）とダイシングテープＰを貼り付け、ダイシングフレームＦに固定するマウント処理が行われる。具体的には、重合ウェハＴの被処理ウェハＷにダイアタッチフィルムＤが貼り付けられ、さらにダイアタッチフィルムＤにダイシングテープＰが貼り付けられる。以下の説明では、ダイシングフレームＦに固定された状態のものも重合ウェハＴという場合がある。

接着テープＢは、図３に示すように例えば３層構造を有し、すなわち基材テープＢｐの両面に接着層Ｂｗ、Ｂｓが貼り付けられている。接着層Ｂｗは被処理ウェハＷに接着し、接着層Ｂｓは支持ウェハＳに接着する。接着層Ｂｗ、Ｂｓのうち、被処理ウェハＷ側の接着層Ｂｗは熱により発泡し、接着性（接着力）が低下する性質を有する。一方、支持ウェハＳ側の接着層Ｂｓは熱により発泡せず、接着性が維持される。

被処理ウェハＷは、例えばシリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体ウェハである。被処理ウェハＷは、接合面Ｗｊに複数の電子回路（デバイス）が形成されている。

支持ウェハＳは、被処理ウェハＷの径と略同じ径を有し、当該被処理ウェハＷを支持するものである。支持ウェハＳとしては、例えばシリコンウェハが用いられる。

ダイアタッチフィルムＤは、両面に接着性を有し、被処理ウェハＷを複数積層する際の、当該被処理ウェハＷ同士を接合するものである。すなわち、ダイアタッチフィルムＤは、一の被処理ウェハＷのうち、後述するように研削された非接合面Ｗｎと、当該一の被処理ウェハＷに積層される被処理ウェハＷの接合面Ｗｊとを接合する。

ダイシングテープＰは、片面のみに接着性を有し、当該片面にダイアタッチフィルムＤが貼り付けられている。また、ダイシングテープＰは、接着テープＢより高いエキスパンド性を有する。ダイシングフレームＦは、ダイアタッチフィルムＤを介して被処理ウェハＷに貼り付けられたダイシングテープＰを固定するものであり、例えば金属製である。

図１に示すように基板処理システム１は、処理前の重合ウェハＴをカセットＣ内に収納し、複数の重合ウェハＴをカセット単位で外部から基板処理システム１に搬入する搬入ステーション２と、処理後の重合ウェハＴをカセットＣ内に収納し、複数の重合ウェハＴをカセット単位で基板処理システム１から外部に搬出する搬出ステーション３と、被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎを研削して加工する加工装置４と、上述のマウント処理や支持ウェハＳを剥離する処理等を行う処理装置５と、搬入ステーション２、加工装置４、及び処理装置５の間で重合ウェハＴを搬送する搬送ステーション６と、を接続した構成を有している。搬入ステーション２、搬送ステーション６、及び加工装置４は、Ｘ軸負方向側においてＹ軸方向にこの順で並べて配置されている。搬出ステーション３と処理装置５は、Ｘ軸正方向側においてＹ軸方向にこの順で並べて配置されている。

搬入ステーション２には、カセット載置台１０が設けられている。図示の例では、カセット載置台１０には、複数、例えば２つのカセットＣをＸ軸方向に一列に載置自在になっている。

搬出ステーション３も、搬入ステーション２と同様の構成を有している。すなわち、搬出ステーション３にはカセット載置台２０が設けられ、カセット載置台２０には、例えば２つのカセットＣをＸ軸方向に一列に載置自在になっている。

加工装置４は、例えば被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎを研削する研削部としての研削ユニット、被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎや支持ウェハＳの非接合面Ｓｎを洗浄する洗浄ユニットなどを備え、非接合面Ｗｎを研削して加工する。なお、加工装置４の構成は任意であり、研削ユニットや洗浄ユニットにはそれぞれ公知の装置が用いられる。

処理装置５は、固定部としての固定ユニット３０と、熱処理ユニット３１と、剥離部としての剥離ユニット３２とが同一の装置内に設けられたものである。固定ユニット３０では、重合ウェハＴにダイシングテープＰを貼り付け、当該重合ウェハＴをダイシングフレームＦに固定するマウント処理が行われる。熱処理ユニット３１では、剥離ユニット３２における剥離処理の前処理としての熱処理が行われる。剥離ユニット３２では、重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する剥離処理が行われる。そして、処理装置５は、各種処理が行われた重合ウェハＴを搬出ステーション３のカセットＣに搬送する。なお、固定ユニット３０と剥離ユニット３２にはそれぞれ、公知の装置が用いられる。また、熱処理ユニット３１の構成は後述する。

搬送ステーション６には、ウェハ搬送領域４０が設けられている。ウェハ搬送領域４０には、Ｘ軸方向に延伸する搬送路４１上を移動自在なウェハ搬送装置４２が設けられている。ウェハ搬送装置４２は、重合ウェハＴを保持して搬送する、例えば２本の搬送アーム４３、４３を有している。各搬送アーム４３は、水平方向、鉛直方向、水平軸回り及び鉛直軸周りに移動自在に構成されている。なお、搬送アーム４３の構成は本実施形態に限定されず、任意の構成を取り得る。

以上の基板処理システム１には、制御装置５０が設けられている。制御装置５０は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、基板処理システム１における重合ウェハＴの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、基板処理システム１における後述のウェハ処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御装置５０にインストールされたものであってもよい。

次に、上述した処理装置５の熱処理ユニット３１の構成について説明する。図４に示すように熱処理ユニット３１は、冷却部１００と加熱部１１０を有している。

冷却部１００は、ダイシングフレームＦに固定された重合ウェハＴを載置する。具体的に冷却部１００は、ダイシングテープＰに当接し、すなわち支持ウェハＳが上側を向いた状態で重合ウェハＴを載置する。また、冷却部１００には冷却機構１２０が設けられ、当該冷却機構１２０によって被処理ウェハＷ側を所定の温度に冷却する。冷却機構１２０は、例えば冷却部１００の内部を冷却水が循環する冷却管１２１と、冷却管１２１に冷却水を循環させる冷却水循環装置１２２とを有している。なお、冷却機構１２０の構成はこれに限定されるものではない。

加熱部１１０は、冷却部１００に載置された重合ウェハＴの上方において、当該重合ウェハＴに対向して設けられている。加熱部１１０には、赤外線を照射する赤外線ヒータが用いられる。

かかる構成の熱処理ユニット３１では、加熱部１１０から重合ウェハＴに向けて赤外線Ｒを照射する。加熱部１１０から照射された赤外線Ｒは、支持ウェハＳを透過し、接着テープＢに到達し吸収される。すなわち、赤外線Ｒは、被処理ウェハＷまで到達することはない。そして接着テープＢは、この赤外線Ｒによって所定の温度、例えば１００℃〜１３０℃に加熱される。そうすると、熱によって接着層Ｂｗが発泡し、被処理ウェハＷに対する接着層Ｂｗの接着性が低下する。一方、接着層Ｂｓは熱により発泡せず、支持ウェハＳに対する接着層Ｂｓの接着性は低下しない。このため、後述するように重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する際、接着性が低下した接着層Ｂｗと被処理ウェハＷが適切に剥離される。

また、赤外線Ｒを照射すると同時に、冷却部１００で被処理ウェハＷ、ダイアタッチフィルムＤ、及びダイシングテープＰを所定の温度、例えば４０℃に冷却する。そうすると、被処理ウェハＷのデバイス、ダイアタッチフィルムＤ、及びダイシングテープＰのそれぞれが、損傷を被るのを抑制することができる。

次に、以上のように構成された基板処理システム１を用いて行われるウェハ処理について説明する。

先ず、基板処理システム１の外部の接合装置（図示せず）において、図５（ａ）に示すように接着テープＢを介して、被処理ウェハＷと支持ウェハＳが接合される（ステップＡ１）。その後、基板処理システム１の外部のダイシング装置（図示せず）において、図５（ｂ）に示すように重合ウェハＴの被処理ウェハＷに対して、レーザを用いたダイシング処理が行われる（ステップＡ２）。

その後、複数の重合ウェハＴを収納したカセットＣが、基板処理システム１に搬入され、搬入ステーション２のカセット載置台１０に載置される。

次に、ウェハ搬送装置４２によりカセットＣ内の重合ウェハＴが取り出され、加工装置４に搬送される。加工装置４では、図５（ｃ）に示すように被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎが上側を向いた状態で、当該非接合面Ｗｎが研削され加工される（ステップＡ３）。

次に、重合ウェハＴはウェハ搬送装置４２により処理装置５に搬送される。処理装置５では、先ず固定ユニット３０においてマウント処理が行われる。図５（ｄ）に示すように被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎが上側を向いた状態で、当該非接合面ＷｎにダイシングテープＰが貼り付けられ、該ダイシングテープＰを介してダイシングフレームＦに固定される（ステップＡ４）。

次に、重合ウェハＴは、処理装置５内の搬送装置（図示せず）により熱処理ユニット３１に搬送される。この際、重合ウェハＴは、熱処理時に支持ウェハＳの非接合面Ｓｎが上側を向くようにするため、熱処理前に反転機構（図示せず）により反転される。

熱処理ユニット３１では、図４及び図５（ｅ）に示すように重合ウェハＴが冷却部１００に載置される。続いて、加熱部１１０から重合ウェハＴに向けて赤外線Ｒを照射すると共に、冷却部１００により被処理ウェハＷ、ダイアタッチフィルムＤ、及びダイシングテープＰを冷却する（ステップＡ５）。

ステップＡ５において接着テープＢは、赤外線Ｒによって所定の温度、例えば１００℃〜１３０℃に加熱される。そうすると、接着層Ｂｗが発泡し、被処理ウェハＷに対する接着層Ｂｗの接着性が低下する。一方、接着層Ｂｓは熱により発泡せず、支持ウェハＳに対する接着層Ｂｓの接着性は低下しない。なお、接着層Ｂｗからの気泡は、基材テープＢｐによって遮られ、接着層Ｂｓに侵入することはない。

また、この接着テープＢの加熱時、被処理ウェハＷ、ダイアタッチフィルムＤ、及びダイシングテープＰはそれぞれ、冷却部１００によって所定の温度、例えば４０℃に冷却され、損傷を被るのが抑制される。

次に、重合ウェハＴは、処理装置５内の搬送装置（図示せず）により剥離ユニット３２に搬送される。剥離ユニット３２では、図５（ｆ）に示すように支持ウェハＳの非接合面Ｓｎが上側を向いた状態で、当該支持ウェハＳが剥離される（ステップＡ６）。この際、ステップＡ５の熱処理により、接着テープＢの接着層Ｂｓは接着性を維持しているが、接着層Ｂｗは発泡して接着性が低下している。このため、接着層Ｂｗと被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎを境界に、被処理ウェハＷから、接着テープＢが貼り付けられた支持ウェハＳが適切に剥離される。

その後、すべての処理が施された重合ウェハＴ、すなわちダイシングフレームＦに固定された被処理ウェハＷは、搬出ステーション３のカセット載置台２０のカセットＣに搬送される。そして、カセットＣは基板処理システム１から搬出される。

その後、基板処理システム１の内部又は外部の除去装置（図示せず）において、被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎに残存する接着テープＢが除去される。なお、上述したようにステップＡ６では剥離ユニット３２において、接着層Ｂｗは発泡し、被処理ウェハＷから、接着テープＢが貼り付けられた支持ウェハＳが剥離される。このため、被処理ウェハＷに接着テープＢが残存してない場合には、この除去処理は省略される。

次に、基板処理システム１の外部のエキスバンド装置（図示せず）において、図５（ｇ）に示すように被処理ウェハＷに対してエキスパンド処理が行われ、ダイシングテープＰが拡張されることにより、個々のチップに分割される（ステップＡ７）。こうして、本実施形態の一連のウェハ処理が終了する。

本実施形態によれば、ステップＡ５において加熱部１１０から赤外線Ｒを照射することで接着テープＢを所定の温度に加熱し、接着層Ｂｗを発泡させて接着性を低下させる。そうすると、ステップＡ６において被処理ウェハＷと支持ウェハＳを適切に剥離させることができる。

しかも、ステップＡ５において赤外線Ｒを用いているので、支持ウェハＳがシリコンウェハであっても、当該赤外線Ｒを透過させることができ、接着テープＢを適切に加熱することができる。そしてこのように支持ウェハＳにシリコンウェハを用いることで、ステップＡ１において被処理ウェハＷと支持ウェハＳを接合した際の、重合ウェハＴの厚みの面内均一性を向上させることができる。さらに、加熱部１１０に赤外線ヒータを用い、支持ウェハＳにシリコンウェハを用いることで、それぞれのコストを抑えることができ、製造コストを低廉化することもできる。

また、ステップＡ５では加熱部１１０によって接着テープＢを加熱すると同時に、冷却部１００によって被処理ウェハＷ、ダイアタッチフィルムＤ、及びダイシングテープＰを冷却するので、当該被処理ウェハＷのデバイス、ダイアタッチフィルムＤ、及びダイシングテープＰがそれぞれ、損傷を被るのを抑制することができる。

次に、本発明の第２の実施形態にかかる基板処理システムについて説明する。図６は、第２の実施形態にかかる基板処理システム２００の構成の概略を模式的に示す平面図である。

基板処理システム２００は、第１の実施形態の基板処理システム１の構成において、ダイシング部としてのダイシング装置２１０をさらに有している。ダイシング装置２１０は、例えばウェハ搬送領域４０のＸ軸負方向側に配置される。ダイシング装置２１０では、重合ウェハＴの被処理ウェハＷに対して、レーザを用いたダイシング処理が行われる。

基板処理システム２００を用いた場合、第１の実施形態において図５に示した手順でウェハ処理を行うことができる。この際、第１の実施形態において基板処理システム１の外部で行っていたステップＡ２のダイシング処理を、基板処理システム２００の内部のダイシング装置２１０で行うことができる。

また、基板処理システム２００を用いた場合、図７に示した手順でウェハ処理を行うことも可能となる。図７に示すウェハ処理では、第１の実施形態において図５に示したステップＡ２（ダイシング処理）とステップＡ３（研削加工処理）の順序を逆にしている。すなわち、図７（ｂ）に示すように加工装置４において被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎを研削して加工した後（ステップＢ２）、図７（ｃ）に示すようにダイシング装置２１０において被処理ウェハＷにダイシング処理を行う（ステップＢ３）。なお、本第２の実施形態におけるその他のステップＡ１、Ａ４〜Ａ７はそれぞれ、第１の実施形態におけるステップＡ１、Ａ４〜Ａ７と同様である。

本実施形態であっても、第１の実施形態と同様の効果を享受することができる。しかも、本実施形態の基板処理システム２００は、ダイシング処理と研削加工処理のいずれが先であっても、対応することができる。

次に、第１の実施形態と第２の実施形態の変形例について説明する。具体的には、熱処理ユニット３１の構成の変形例について説明する。

図８に示すように熱処理ユニット３１は、遮蔽部としての遮蔽板３００を有していてもよい。遮蔽板３００は、平面視において重合ウェハＴを覆うように環状に設けられている。また、遮蔽板３００の高さ位置は特に限定されないが、例えば支持ウェハＳより僅かに上方に配置されている。このように遮蔽板３００は、加熱部１１０とダイシングテープＰの露出面Ｐａ（ダイアタッチフィルムＤとダイシングフレームＦとの間で露出した面）との間に設けられている。遮蔽板３００は、例えば金属板を用いて赤外線Ｒを反射させてもよいし、あるいは赤外線Ｒを吸収してもよい。かかる場合、加熱部１１０からの赤外線Ｒが遮蔽板３００に遮蔽されて、ダイシングテープＰの露出面Ｐａに照射されることがない。このため、当該露出面Ｐａが損傷を被るのを抑制することができる。また、ダイアタッチフィルムＤも重合ウェハＴより大きい径を有し、露出面Ｄａがあるが、当該露出面Ｄａが損傷を被るのも抑制することができる。

また、図９に示すように熱処理ユニット３１は、遮蔽部としてのシェード３１０を有していてもよい。シェード３１０は、加熱部１１０から下方に延伸した円筒形状に設けられる。シェード３１０は、例えば金属板を用いて赤外線Ｒを反射させてもよいし、あるいは赤外線Ｒを吸収してもよい。かかる場合、加熱部１１０からの赤外線Ｒはシェード３１０で遮蔽されて、平面視において重合ウェハＴの外方に拡散することがない。このため、加熱部１１０からの赤外線Ｒが、ダイシングテープＰの露出面ＰａとダイアタッチフィルムＤの露出面Ｄａとに照射されることがなく、当該露出面Ｐａ、Ｄａが損傷を被るのを抑制することができる。

また、図１０に示すように熱処理ユニット３１は、冷却部１００を回転させる回転機構３２０を有していてもよい。かかる場合、ステップＡ５において、回転機構３２０により冷却部１００（重合ウェハＴ）を回転させながら、加熱部１１０から接着テープＢに赤外線Ｒを照射する。そうすると、接着テープＢの面内均一に赤外線Ｒを照射することができ、接着層Ｂｗを均一に加熱してむらなく発泡させることができる。なお、本例の冷却部１００には、冷却機構１２０に代えて、冷却機構１３０が設けられている。冷却機構１３０は、例えば冷却部１００の内部で冷却水を流通させる冷却管１３１と、冷却管１３１に冷却水を供給する冷却水供給装置１３２とを有している。なお、冷却管１３１を流通した冷却水は、外部に排出される。

さらに、熱処理ユニット３１において加熱部１１０は赤外線Ｒにより接着テープＢを加熱したが、加熱方法はこれに限定されない。例えば熱板（図示せず）を支持ウェハＳの非接合面Ｗｎに当接させて、接着テープＢを加熱してもよい。

以上の実施形態では、接着テープＢにおいて、被処理ウェハＷ側の接着層Ｂｗが熱により発泡したが、支持ウェハＳ側の接着層Ｂｓが熱により発泡してもよい。かかる場合、ステップＡ６において被処理ウェハＷから支持ウェハＳを剥離する際、被処理ウェハＷの接合面Ｗｊに接着テープＢが残存する。このため、基板処理システム１、２００の内部又は外部の除去装置において、非接合面Ｗｎから接着テープＢを除去する必要がある。

また、接着テープＢにおいて接着層Ｂｗは熱によって発泡したが、接着層Ｂｗが熱によって接着性が低下すれば発泡に限定されない。例えば接着層Ｂｗは熱により軟化して、接着性が低下するようにしてもよい。

また、接着テープＢは、基材テープＢｐと接着層Ｂｗ、Ｂｓの３層構造を有していたが、これに限定されない。例えば接着テープＢは、基材テープＢｐを省略し、接着層Ｂｗ、Ｂｓの２層構造を有していてもよい。

以上の実施形態では、支持基板として、シリコンウェハである支持ウェハＳを用いたが、ガラス基板を用いてもよい。支持基板としてガラス基板を用いても、赤外線Ｒを透過させることができ、接着テープＢを加熱することができる。

以上の実施形態では、重合ウェハＴにはダイアタッチフィルムＤが貼り付けられていたが、製品に要求される仕様によってはダイアタッチフィルムＤは省略される。かかる場合であっても、熱処理ユニット３１では、被処理ウェハＷのデバイスとダイシングテープＰを保護するため、冷却部１００により被処理ウェハＷとダイシングテープＰを所定の温度に冷却する。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到しうることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

１ 基板処理システム
２ 搬入ステーション
３ 搬出ステーション
４ 加工装置
５ 処理装置
６ 搬送ステーション
３０ 固定ユニット
３１ 熱処理ユニット
３２ 剥離ユニット
４２ ウェハ搬送装置
５０ 制御装置
１００ 冷却部
１１０ 加熱部
１２０、１３０ 冷却機構
２００ 基板処理システム
２１０ ダイシング装置
３００ 遮蔽板
３１０ シェード
３２０ 回転機構
Ｂ 接着テープ
Ｂｐ 基材テープ
Ｂｓ、Ｂｗ 接着層
Ｄ ダイアタッチフィルム
Ｆ ダイシングフレーム
Ｐ ダイシングテープ
Ｓ 支持ウェハ
Ｔ 重合ウェハ
Ｗ 被処理ウェハ

Claims (18)

1. 熱により接着性が低下する接着部材を介して被処理基板と支持基板とが接合された重合基板を処理する基板処理システムであって、
   前記被処理基板と前記支持基板を剥離する際に、前記支持基板側を加熱する加熱部と、
   前記加熱部によって前記支持基板側を加熱する際に、前記被処理基板側を冷却する冷却部と、を有する、基板処理システム。
2. 前記被処理基板の前記接着部材と反対側の非接合面には、ダイシングテープが貼り付けられ、
   前記冷却部は前記ダイシングテープ側を冷却する、請求項１に記載の基板処理システム。
3. 前記加熱部は、赤外線を用いて前記支持基板側を加熱する、請求項１又は２に記載の基板処理システム。
4. 前記被処理基板の前記接着部材と反対側の非接合面に貼り付けられたダイシングテープの露出面と、前記加熱部との間に設けられ、前記赤外線を遮蔽する遮蔽部を有する、請求項３に記載の基板処理システム。
5. 前記加熱部は、前記重合基板に対向して配置され、
   前記遮蔽部は、平面視において前記重合基板を囲うように環状に設けられている、請求項４に記載の基板処理システム。
6. 前記加熱部は、前記重合基板に対向して配置され、
   前記遮蔽部は、前記加熱部からの赤外線が平面視において前記重合基板の外方に拡散しないように設けられている、請求項４に記載の基板処理システム。
7. 前記加熱部による前記支持基板側の加熱と、前記冷却部による前記被処理基板側の冷却とを行う際、前記重合基板を回転させる回転機構を有する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理システム。
8. 前記被処理基板の前記接着部材と反対側の非接合面を研削する研削部と、
   前記研削部で研削された前記非接合面にダイシングテープを貼り付ける固定部と、
   前記加熱部による前記支持基板側の加熱と、前記冷却部による前記被処理基板側の冷却とが行われた前記重合基板を、前記被処理基板と前記支持基板に剥離する剥離部と、を有する、請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板処理システム。
9. 前記被処理基板をダイシングするダイシング部を有する、請求項８に記載の基板処理システム。
10. 熱により接着性が低下する接着部材を介して被処理基板と支持基板とが接合された重合基板を処理する基板処理方法であって、
    加熱部によって前記支持基板側を加熱すると共に、冷却部によって前記被処理基板側を冷却する熱処理工程と、
    その後、前記被処理基板と前記支持基板を剥離する剥離工程と、を有する、基板処理方法。
11. 前記被処理基板の前記接着部材と反対側の非接合面には、ダイシングテープが貼り付けられ、
    前記熱処理工程において、前記冷却部は前記ダイシングテープ側を冷却する、請求項１０に記載の基板処理方法。
12. 前記熱処理工程において、前記加熱部は、赤外線を用いて前記支持基板側を加熱する、請求項１０又は１１に記載の基板処理方法。
13. 前記熱処理工程において、前記被処理基板の前記接着部材と反対側の非接合面に貼り付けられたダイシングテープの露出面と、前記加熱部との間で、前記赤外線を遮蔽する、請求項１２に記載の基板処理方法。
14. 前記熱処理工程において、前記重合基板を回転させながら、前記加熱部によって前記支持基板側を加熱すると共に、前記冷却部によって前記被処理基板側を冷却する、請求項１０〜１３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
15. 前記被処理基板の前記接着部材と反対側の非接合面を研削する研削工程と、
    その後、前記研削工程で研削された前記非接合面にダイシングテープを貼り付ける固定工程と、を有し、
    前記固定工程の後、前記熱処理工程と前記剥離工程が順次行われる、請求項１０〜１４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
16. 前記研削工程の前、又は前記研削工程の後であって前記固定工程の間に、前記被処理基板をダイシングするダイシング工程を有する、請求項１５に記載の基板処理方法。
17. 請求項１０〜１６のいずれか一項に記載の基板処理方法を基板処理システムによって実行させるように、当該基板処理システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
18. 請求項１７に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。

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