JP2023116861A - ウエーハの加工方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ウエーハの分割予定ラインに対応した内部に改質層を形成した場合であっても、分割予定ラインが蛇行したり、ウエーハに反りが生じたり、デバイスが保護シートから剥離したり、個々のデバイスに分割する際にデバイスの一部に欠け（チッピング）が生じたりするという問題が生じないウエーハの加工方法を提供する。【解決手段】複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されて表面に形成されたウエーハを個々のデバイスチップに分割するウエーハの加工方法であって、ウエーハの表面に保護シートを配設する保護シート配設工程と、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を分割予定ラインに対応する内部に位置付けて照射して分割の起点となる改質層を分割予定ラインに沿って内部に形成する改質層形成工程と、を少なくとも備え、該改質層形成工程において、ウエーハの表面に配設された保護シートを加熱し柔軟性を持たせ、改質層の形成によって生じる膨張を許容する。【選択図】図３

Description

本発明は、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されて表面に形成されたウエーハを個々のデバイスチップに分割するウエーハの加工方法に関する。

ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが、分割予定ラインによって区画されて表面に形成されたウエーハは、ダイシング装置、レーザー加工装置によって個々のデバイスチップに分割され、携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。

レーザー加工装置は、ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハの分割予定ラインにレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、から概ね構成されていて、ウエーハに形成された分割予定ラインに沿ってレーザー加工を施すことができる。

レーザー加工装置を使用して個々のデバイスチップに分割する場合、例えば、ウエーハの表面に保護シートを配設し、該保護シート側をチャックテーブルに保持してウエーハの裏面側からウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を分割予定ラインに対応する内部に位置付けて照射して、分割予定ラインに沿った内部に改質層を形成する（例えば特許文献１を参照）。

特開２００４－１７９３０２号公報

上記した特許文献１に記載のレーザー加工装置によって、ウエーハの分割予定ラインに対応した内部に沿って改質層を形成すると、該改質層が膨張し、該膨張に伴いウエーハには、微小な変形が生じる。しかし、保護シートに貼着され保持されたウエーハは、該保護シートの作用によって位置の変化が規制され、該改質層の膨張に伴うウエーハの変化に追従できず、分割予定ラインが蛇行したり、ウエーハに反りが生じたりし、さらには、デバイスが保護シートから剥離したり、デバイスの一部に欠け（チッピング）が生じたりするという問題がある。

ウエーハの表面に貼着される保護シートは、粘着層が全面に存在するタイプの保護シート、外周に粘着層がありデバイスの領域に粘着層が存在しないタイプの保護シート、粘着層を備えず熱圧着によりウエーハの表面に貼着されるタイプの保護シート等が存在するが、いずれのタイプにおいても、多かれ少なかれ上記した問題は生じ得る。特に、デバイスの電極にバンプ（電極突起）が配設されたウエーハにおいては、該バンプが、保護シートの貼着面に食い込むことで、改質層の膨張に伴うウエーハの変化に追従できず、上記の問題が生じやすい。

本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、レーザー光線を照射することにより、ウエーハの分割予定ラインに対応した内部に改質層を形成した場合であっても、分割予定ラインが蛇行したり、ウエーハに反りが生じたり、デバイスが保護シートから剥離したり、個々のデバイスに分割する際にデバイスの一部に欠け（チッピング）が生じたりするという問題が生じないウエーハの加工方法を提供することにある。

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されて表面に形成されたウエーハを個々のデバイスチップに分割するウエーハの加工方法であって、ウエーハの表面に保護シートを配設する保護シート配設工程と、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を分割予定ラインに対応する内部に位置付けて照射して分割の起点となる改質層を分割予定ラインに沿って内部に形成する改質層形成工程と、を少なくとも備え、該改質層形成工程において、ウエーハの表面に配設された保護シートを加熱し柔軟性を持たせ、改質層の形成によって生じる膨張を許容するウエーハの加工方法が提供される。

該保護シート配設工程の後、該改質層形成工程の前にウエーハの裏面を研削して所望の厚みに仕上げる研削工程を備え、該研削工程において、ウエーハの表面に配設された保護シートを該加熱時よりも低い温度状態として硬化させ、該改質層形成工程のときと比べウエーハの保持力を強化することができる。また、該改質層形成工程の後、ウエーハの裏面を研削して所望の厚みに仕上げると共に、個々のデバイスチップに分割する分割工程を備え、該分割工程において、ウエーハの表面に配設された保護シートを該加熱時よりも低い温度状態として硬化させ、該改質層形成工程のときと比べウエーハの保持力を強化することができる。さらに、該保護シート配設工程において、該保護シートは、熱圧着シートであることが好ましい。

本発明のウエーハの加工方法は、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されて表面に形成されたウエーハを個々のデバイスチップに分割するウエーハの加工方法であって、ウエーハの表面に保護シートを配設する保護シート配設工程と、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を分割予定ラインに対応する内部に位置付けて照射して分割の起点となる改質層を分割予定ラインに沿って内部に形成する改質層形成工程と、を少なくとも備え、該改質層形成工程において、ウエーハの表面に配設された保護シートを加熱し柔軟性を持たせ、改質層の形成によって生じる膨張を許容するものであることから、レーザー光線を照射することにより、ウエーハの分割予定ラインに対応した内部に改質層を形成した場合であっても、分割予定ラインが蛇行したり、ウエーハに反りが生じたり、デバイスの剥離、チッピング等が発生したりすることが防止される。

本実施形態で加工されるウエーハの斜視図である。 ウエーハの表面に保護シートを熱圧着する態様を示す斜視図である。 （ａ）レーザー加工装置の保持手段にウエーハを保持する態様を示す斜視図、（ｂ）ウエーハに改質層形成工程を施す態様を示す斜視図である。 （ａ）研削装置の保持手段にウエーハを保持する態様を示す斜視図、（ｂ）ウエーハに研削工程を施す態様を示す斜視図である。 （ａ）ウエーハに分割工程を施す態様を示す斜視図、（ｂ）分割工程により分割されたウエーハを示す斜視図である。

以下、本発明に基づいて構成されるウエーハの加工方法に係る実施形態について、添付図面を参照しながら、詳細に説明する。

図１には、本実施形態のウエーハの加工方法によって加工されるウエーハ１０と、ウエーハ１０の表面１０ａに貼着される保護シートＴが示されている。ウエーハ１０は、例えば、シリコン（Ｓｉ）のウエーハであり、複数のデバイス１２が分割予定ライン１４によって区画され表面１０ａに形成されている。また、右方側にウエーハ１０の一部を拡大して示すように、ウエーハ１０のデバイス１２に配設される複数の電極には、突起形状をなす複数のバンプ１６が形成されている。

本実施形態のウエーハの加工方法を実施するに際しては、図１に示すように、ウエーハ１０の表面１０ａに保護シートＴを配設し、ウエーハ１０と保護シートＴとを一体とする（保護シート配設工程）。保護シート配設工程によって配設される保護シートＴの種類、及びウエーハ１０に保護シートＴを配設する方法は特に限定されず、例えば、粘着層が全面に存在するタイプの保護シート、外周に粘着層がありデバイスの領域に粘着層が存在しないタイプの保護シート、粘着層を備えず熱圧着によりウエーハの表面に貼着されるタイプの保護シートのいずれかから選択することができる。

図１に加え、図２も参照しながら、該保護シート配設工程においてウエーハ１０に配設される保護シートＴが、熱圧着シートである場合について説明する。該熱圧着シートは、例えば、ポリオレフィン系シート、又はポリエステル系シートであり、ポリオレフィン系シートである場合は、ポリエチレンシート、ポリプロピレンシート、ポリスチレンシートのいずれかから選択されることが好ましい。また、該熱圧着シートが、ポリエステル系シートである場合は、ポリエチレンテレフタレートシート、ポリエチレンナフタレートシートから選択されることが好ましい。上記の各熱圧着シートは、加熱することで軟化すると共に粘着力を発揮するシートである。本実施形態では、保護シートＴが、ポリエチレンシートである場合について説明する。

図１に示すように、ウエーハ１０の表面１０ａにポリエチレンシートからなる保護シートＴを合わせ、図２に示す熱圧着装置２０に搬送する。本実施形態の熱圧着装置２０は、上面が平坦なテーブル２２と、加熱ローラ２４とを備えている。加熱ローラ２４は、内部に図示を省略する加熱ヒータ及び温度センサを備えており、加熱ローラ２４の表面を所望の温度に制御することができる。熱圧着ローラ２４は、図示を省略する支持手段によって支持され、保護シートＴが粘着力を発揮しても保護シートＴが加熱ローラ２４を巻き込まないように、表面にフッ素樹脂がコーティングされている。

ウエーハ１０を上記の熱圧着装置２０に搬送したならば、保護シートＴが貼着された側を上方に、裏面１０ｂ側を下方に向けて、テーブル２２の上面に載置する。次いで、加熱ローラ２４の上記した加熱ヒータを作動し、加熱ローラ２４の表面を、保護シートＴを構成するポリエチレンシートの溶融温度（１２０℃～１４０℃）近傍まで加熱し、ウエーハ１０上の保護シートＴの手前側端部に位置付けて上方から押圧する。次いで、加熱ローラ２４を矢印Ｒ１で示す方向に回転させると共に、矢印Ｒ２で示す方向に移動させて、ウエーハ１０の表面１０ａに保護シートＴを熱圧着して一体とする。該保護シート配設工程が完了した後は、該加熱ヒータの作動は停止され、保護シートＴの温度は、熱圧着装置２０が配設された室温（例えば２３℃）まで低下する。なお、保護シートＴとして、粘着層が全面に存在するタイプの保護シート、外周に粘着層がありデバイスの領域に粘着層が存在しないタイプの保護シートが選択された場合は、加熱する必要がないことから、ウエーハ１０の表面１０ａに載置した後に、上方から押圧するのみで、保護シート配設工程が完了する。

上記したように保護シート配設工程を実施しウエーハ１０と保護シートＴとを一体としたならば、図３に示すレーザー加工装置３０（一部のみを示している）に搬送する。レーザー加工装置３０は、図３（ａ）に示す保持手段３２と、保持手段３２に保持されるウエーハ１０にレーザー光線ＬＢを照射するレーザー光線照射手段３４（図３（ｂ）を参照）とを備えている。保持手段３２は、通気性を有するポーラス材からなる吸着チャック３２ａと、該吸着チャック３２ａを囲繞して支持する枠体３２ｂとを備えている。レーザー光線照射手段３４は、ウエーハ１０に対して透過性を有する波長のレーザー光線ＬＢを照射する手段であり、集光器３４ａによってレーザー光線ＬＢを集光し、保持手段３２に保持されるウエーハ１０に照射する。該枠体３２ｂには、図示を省略する吸引源が接続され、吸着チャック３２ａの上面に負圧を生成する。また、本実施形態の保持手段３２には、加熱手段３６が配設されている。該加熱手段３６は、吸着チャック３２ａの内部、又は吸着チャック３２ａと枠体３２ｂとの間に内蔵される加熱ヒータであり、図示を省略する電力供給源に接続されて、吸着チャック３２ａの上面を所望の温度（例えば３５～５０℃）に加熱することができる。レーザー加工装置３０は、保持手段３２とレーザー光線照射手段３４とを相対的にＸ軸方向に加工送りするＸ軸送り手段と、保持手段３２とレーザー光線照射手段３４とを相対的にＸ軸方向と直交するＹ軸方向に加工送りするＹ軸送り手段と、該保持手段を回転させる回転駆動手段とを備えている（いずれも図示は省略する）。

レーザー加工装置３０に搬送されたウエーハ１０は、保護シートＴが熱圧着された表面１０ａ側が下方に向けられ、保持手段３２に載置されて、吸引保持される。次いで、保持手段３２に配設された加熱手段３６を作動して、ウエーハ１０の表面１０ａに配設された保護シートＴを加熱する。この保護シートＴを加熱する際の温度は、保護シートＴが十分な柔軟性を発揮する温度であり、例えばＴ＝５０℃とする。次いで、保持手段３２に保持されたウエーハ１０について、レーザー加工装置３０に配設されたアライメント手段（図示は省略する）を用いてアライメントが実施され、表面１０ａに形成された分割予定ライン１４の位置を検出する。尚、該アライメント手段は、赤外線を照射してウエーハ１０の裏面１０ｂ側から表面１０ａに形成された分割予定ライン１４を検出する手段であり、検出された分割予定ライン１４の位置の情報は、図示しない制御手段に記憶される。

次いで、制御手段に記憶された分割予定ライン１４の位置情報に基づき、上記の回転駆動手段によって保持手段３２を回転して所定方向の分割予定ライン１４をレーザー加工装置３０のＸ軸方向に整合させる。所定方向の分割予定ライン１４の加工開始位置の直上にレーザー光線照射手段３４の集光器３４ａを位置付け、ウエーハ１０の分割予定ライン１４に対応する内部にレーザー光線ＬＢの集光点を位置付けて照射し、図３（ｂ）に示すように、保護シートＴに対して熱エネルギーＱを与えて加熱しながら、保持手段３２と共にウエーハ１０をＸ軸方向に加工送りしてウエーハ１０の分割予定ライン１４に沿って分割の起点となる改質層１００を形成する。尚、上記した実施形態では、アライメントを、保持手段３２を加熱した後に実施するように説明したが、保持手段３２を加熱する前に実施してもよい。

該所定の分割予定ライン１４に沿って改質層１００を形成したならば、ウエーハ１０をＹ軸方向に分割予定ライン１４の間隔だけ割り出し送りして、Ｙ軸方向で隣接する未加工の分割予定ライン１４を集光器３４ａの直下に位置付ける。そして、上記したのと同様にしてレーザー光線ＬＢの集光点をウエーハ１０の分割予定ライン１４に対応する内部に位置付けて照射し、ウエーハ１０をＸ軸方向に加工送りして改質層１００を形成する。同様にして、ウエーハ１０をＸ軸方向、及びＹ軸方向に加工送りして、Ｘ軸方向に沿うすべての分割予定ライン１４に沿って改質層１００を形成する。次いで、ウエーハ１０を９０度回転させて、既に改質層１００を形成した分割予定ライン１４に直交する方向の未加工の分割予定ライン１４をＸ軸方向に整合させる。そして、残りの各分割予定ライン１４に対応する内部に、上記したのと同様にしてレーザー光線ＬＢの集光点を位置付けて照射して、ウエーハ１０の表面１０ａに形成された全ての分割予定ライン１４に沿って改質層１００を形成する（改質層形成工程）。なお、上記の実施形態では、ウエーハ１０に配設された保護シートＴを加熱し柔軟性を持たせる手段として、保持手段３２に配設した加熱手段３６を使用する例を示したが、保護シートＴを加熱して柔軟性を持たせる手段はこれに限定されない。例えば、レーザー加工装置３０において保持手段３が配設される領域は、通常、密閉された空間に形成されるものであることから、ウエーハ１０を保持する保持手段３が配設される空間を加熱することで、該保護シートＴを加熱するようにしてもよい。

上記した改質層形成工程によって複数の改質層１００が形成されることにより、改質層１００が形成された分割予定ライン１４が膨張し、ウエーハ１０の形態が変化する。本実施形態では、上記したように、改質層形成工程を実施する際に、保護シートＴが温められて柔軟性を有する状態とされている。これにより、改質層１００の膨張に起因するウエーハ１０の形態の変化が許容されて、分割予定ライン１４が蛇行したり、ウエーハに反りが生じたり、デバイスの剥離、チッピング等が発生したりすることが防止される。

本発明は、上記した改質層形成工程を実施する前に、ウエーハ１０の裏面１０ｂを研削して所望の厚みに仕上げる研削工程を備えることを含み、上記した改質層形成工程を実施した後に、ウエーハ１０の裏面１０ｂを研削して所望の厚みに仕上げると共に、個々のデバイスチップに分割する分割工程を備えることを含む。以下に、該研削工程、及び該分割工程について説明する。

上記した保護シート配設工程の後であって、改質層形成工程を実施する前に、ウエーハ１０の裏面１０ｂを研削して所望の厚みに仕上げる研削工程を実施する。より具体的には、保護シート配設工程が施され、保護シートＴと一体にされたウエーハ１０を、図４に示す研削装置４０（一部のみを示している）に搬送する。図４（ａ）、（ｂ）に示すように、研削装置４０は、チャックテーブル４２と、チャックテーブル４２に吸引保持されたウエーハ１０の裏面１０ｂを研削するための研削手段４４と、を備えている。チャックテーブル４２は、通気性を有するポーラス材で形成された吸着チャック４２ａと、該吸着チャック４２ａを囲繞して保持する枠体４２ｂとを備えている。該枠体４２ｂには、図示を省略する吸引源が接続され、該吸引源を作動することで、吸着チャック４２ａの上面に負圧を生成する。研削手段４４は、図示しない回転駆動機構により回転させられる回転スピンドル４４ａと、回転スピンドル４４ａの下端に装着されたホイールマウント４４ｂと、ホイールマウント４４ｂの下面に取り付けられる研削ホイール４４ｃと、研削ホイールの下面に環状に配設された複数の研削砥石４４ｄと、を備えている。

研削装置４０にウエーハ１０を搬送したならば、図４（ａ）に示すように、ウエーハ１０の裏面１０ｂ側を上方に、保護シートＴ側を下方に向けてチャックテーブル４２上に載置して、吸引保持する。次いで、図４（ｂ）に示すように、研削手段４４の回転スピンドル４４ａを矢印Ｒ３で示す方向に、例えば３０００ｒｐｍで回転させつつ、チャックテーブル４２を矢印Ｒ４で示す方向に、例えば３００ｒｐｍで回転させる。そして、図示しない研削水供給手段により、研削水をウエーハ１０の裏面１０ｂ上に供給しつつ、研削砥石４４ｄをウエーハ１０の裏面１０ｂに当接し、研削ホイール４４ｃを、例えば０．１μｍ／秒の研削送り速度で、矢印Ｒ５で示す方向に下降させて研削送りする。この際、図示しない測定ゲージによりウエーハ１０の厚みを測定しながら研削を進めることができ、ウエーハ１０の裏面１０ｂを所定量研削してウエーハ１０を所定の厚さとする。ウエーハ１０が所定の厚さになったならば、研削手段４０を停止し、洗浄、乾燥処理等を経て、ウエーハ１０の裏面１０ｂを研削する研削工程が完了する。

ここで、上記の研削工程を実施する際には、ウエーハ１０の表面１０ａに配設された保護シートＴを、上記した改質層形成工程を実施する際に実施される加熱時よりも低い温度状態として硬化させ、改質層形成工程のときに比してウエーハの保持力が強化された状態とする。上記した加熱時よりも低い温度状態とは、例えば、保護シートＴの温度が２０～２５℃となる状態である。ウエーハ１０を、改質層形成工程を実施する際に実施される加熱時よりも低い温度状態として保護シートＴを硬化させて、ウエーハ１０を保持する保持力を強化した状態とする手段は特に限定されない。該手段としては、例えば、チャックテーブル４２内に２０℃程度に冷却された冷却水を循環させる循環路を形成して、吸着チャック４２ａの上面が常に２０℃になるように維持し、保護シートＴ＝２０℃とする手段を採用することができる。また、他の手段としては、研削装置４０のチャックテーブル４２が配設される空間の温度が２０℃になるように調整して、ウエーハ１０の表面１０ａに貼着された保護シートＴが２０℃で維持されるように冷却するものであってもよい。

上記した実施形態によれば、改質層形成工程を実施する際にウエーハ１０の表面１０ａに配設された保護シートＴを加熱し柔軟性を持たせ、改質層１００の形成によって生じる膨張を許容する状態としつつ、その前に実施される研削工程においては、保護シートＴを、改質層形成工程を実施する際の加熱時よりも低い温度状態として硬化させ、該改質層形成工程のときに比してウエーハ１０の保持力を強化している。これにより、研削工程において、ウエーハ１０が保護シートＴ上で動いたり、保護シートＴから剥がれたりすることが防止されると共に、改質層形成工程を実施する際には、改質層１００の膨張に起因するウエーハ１０の形態の変化が許容されて、分割予定ライン１４が蛇行したり、ウエーハに反りが生じたり、デバイスの剥離、チッピング等が発生したりすることが防止される。

上記した改質層形成工程を実施した後、ウエーハ１０の裏面１０ｂを研削して所望の厚みに仕上げると共に、該改質層１００を起点として、個々のデバイスチップに分割する分割工程を実施する。該分割工程について、図５を参照しながら説明する。

改質層形成工程を実施した後に実施される分割工程は、上記した研削工程において使用された研削装置４０を使用することができる。上記した改質層形成工程が実施され、分割の起点となる改質層１００を分割予定ライン１４に沿って内部に形成されたウエーハ１０は、図５に示す研削装置４０（図４に示した研削装置４０と同一であり、一部のみを示し、詳細についての説明は省略する）に搬送され、保護シートＴ側を下方に向けて、チャックテーブル４２に載置されて吸引保持される。

次いで、図５（ａ）に示すように、研削手段４４の回転スピンドル４４ａを矢印Ｒ３で示す方向に、例えば３０００ｒｐｍで回転させつつ、チャックテーブル４２を矢印Ｒ４で示す方向に、例えば３００ｒｐｍで回転させる。そして、図示しない研削水供給手段により、研削水をウエーハ１０の裏面１０ｂ上に供給しつつ、研削砥石４４ｄをウエーハ１０の裏面１０ｂに当接し、研削ホイール４４ｃを、例えば０．１μｍ／秒の研削送り速度で、矢印Ｒ５で示す方向に下降させて研削送りする。この際、図示しない測定ゲージによりウエーハ１０の厚みを測定しながら研削を進めることができ、ウエーハ１０の裏面１０ｂを所定量研削して、ウエーハ１０を所定の仕上がり厚みとする。このような研削を実施することにより、ウエーハ１０には外力が付与されて、図５（ｂ）に示すように、前記の改質層１００を起点としてウエーハ１０が個々のデバイスチップ１２’に分割される（分割工程）。そして、研削手段４０を停止し、洗浄、乾燥処理等を経て、適宜の次工程を実施する装置、例えば、ピックアップ工程を実施するピックアップ装置に搬送される。

ここで、上記の分割工程を実施する際には、ウエーハ１０の表面１０ａに配設された保護シートＴを、上記した改質層形成工程を実施する際に実施される加熱時よりも低い温度状態として硬化させ、改質層形成工程のときに比してウエーハの保持力が強化された状態とする。上記した加熱時よりも低い温度状態とは、上記した研削工程時と同様に、例えば、保護シートＴの温度が２０～２５℃となる状態である。ウエーハ１０を、改質層形成工程を実施する際に実施される加熱時よりも低い温度状態として保護シートＴを硬化させて、ウエーハ１０を保持する保持力を強化した状態とする手段としては、例えば、チャックテーブル４２内に２０℃程度に冷却された冷却水を循環させる循環路を形成して、吸着チャック４２ａの上面が常に２０℃になるように維持し、保護シートＴ＝２０℃とする手段を採用することができる。また、他の手段としては、研削装置４０のチャックテーブル４２が配設される空間の温度が２０℃になるように調整して、ウエーハ１０の表面１０ａに貼着された保護シートＴが２０℃で維持されるように冷却するものであってもよい。

上記した実施形態によれば、改質層形成工程を実施する際に、改質層１００の膨張に起因するウエーハ１０の形態の変化が許容されて、分割予定ライン１４が蛇行したり、ウエーハに反りが生じたり、デバイスの剥離、チッピング等が発生したりすることが防止されると共に、改質層形成工程を実施した後に実施される分割工程においては、保護シートＴを、改質層形成工程を実施する際の加熱時よりも低い温度状態として硬化させ、該改質層形成工程のときに比してウエーハ１０の保持力を強化している。これにより、上記の分割工程において、ウエーハ１０が保護シートＴ上で動いたり、保護シートＴから剥がれたりすることが防止される。

１０：ウエーハ
１０ａ：表面
１０ｂ：裏面
１２：デバイス
１２’：デバイスチップ
１４：分割予定ライン
２０：熱圧着装置
２２：テーブル
２４：加熱ローラ
３０：レーザー加工装置
３２：保持手段
３２ａ：吸着チャック
３２ｂ：枠体
３４：レーザー光線照射手段
３４ａ：集光器
３６：加熱手段
４０：研削装置
４２：チャックテーブル
４２ａ：吸着チャック
４２ｂ：枠体
４４：研削手段
４４ａ：回転スピンドル
４４ｂ：ホイールマウント
４４ｃ：研削ホイール
４４ｄ：研削砥石
１００：改質層
Ｔ：保護シート

Claims (4)

1. 複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されて表面に形成されたウエーハを個々のデバイスチップに分割するウエーハの加工方法であって、
   ウエーハの表面に保護シートを配設する保護シート配設工程と、
   ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を分割予定ラインに対応する内部に位置付けて照射して分割の起点となる改質層を分割予定ラインに沿って内部に形成する改質層形成工程と、
   を少なくとも備え、
   該改質層形成工程において、ウエーハの表面に配設された保護シートを加熱し柔軟性を持たせ、改質層の形成によって生じる膨張を許容するウエーハの加工方法。
2. 該保護シート配設工程の後、該改質層形成工程の前にウエーハの裏面を研削して所望の厚みに仕上げる研削工程を備え、
   該研削工程において、ウエーハの表面に配設された保護シートを該加熱時よりも低い温度状態として硬化させ、該改質層形成工程のときと比べウエーハの保持力を強化する請求項１に記載のウエーハの加工方法。
3. 該改質層形成工程の後、ウエーハの裏面を研削して所望の厚みに仕上げると共に、個々のデバイスチップに分割する分割工程を備え、
   該分割工程において、ウエーハの表面に配設された保護シートを該加熱時よりも低い温度状態として硬化させ、該改質層形成工程のときと比べウエーハの保持力を強化する請求項１に記載のウエーハの加工方法。
4. 該保護シート配設工程において、該保護シートは、熱圧着シートである請求項１から３のいずれかに記載のウエーハの加工方法。

Images