JP2021108306A - Substrate processing system, substrate processing method, program, and computer storage medium - Google Patents

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Abstract

To appropriately peel a polymerization substrate jointed via an adhesive member into a processed substrate and a support substrate.SOLUTION: A substrate processing system that processes a polymerization substrate T obtained by jointing a processed substrate W and a support substrate S via an adhesive member B of which an adhesive property is deteriorated by heating, includes: a heating part 110 that heats a side of the support substrate S when peeling the processed substrate W and the support substrate S; and a cooling part 100 that cools a side of the processed substrate W when heating the side of the support substrate S with the heating part 110.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本発明は、基板処理システム、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。 The present invention relates to a substrate processing system, a substrate processing method, a program and a computer storage medium.

近年、半導体デバイスの製造工程においては、表面に複数の電子回路等のデバイスが形成された半導体ウェハ（以下、ウェハという）に対し、当該ウェハの裏面を研削などして、ウェハを薄化することが行われている。この研削処理の際のウェハ割れを抑制すること等を目的として、例えばウェハ補強用の支持基板をウェハの表面に接合することが行われている。また、研削処理後のウェハは、当該ウェハの損傷を抑制すること等を目的として、ダイシングテープがウェハの裏面に貼り付けられ、当該ダイシングテープを介して、環状のダイシングフレームに固定される。また、ダイシングテープが貼り付けられたウェハは、当該ダイシングテープが拡張（エキスパンド）されることで、個々のチップに分割される（特許文献１参照）。 In recent years, in a semiconductor device manufacturing process, a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) in which devices such as a plurality of electronic circuits are formed on the surface thereof is thinned by grinding the back surface of the wafer. Is being done. For the purpose of suppressing wafer cracking during this grinding process, for example, a support substrate for reinforcing the wafer is bonded to the surface of the wafer. Further, on the wafer after the grinding process, a dicing tape is attached to the back surface of the wafer for the purpose of suppressing damage to the wafer, and the wafer is fixed to the annular dicing frame via the dicing tape. Further, the wafer to which the dicing tape is attached is divided into individual chips by expanding the dicing tape (see Patent Document 1).

ところで、ウェハ補強用の支持基板はエキスパンド処理の前にウェハから剥離する必要がある。特許文献２に開示の支持基板（支持テープ）の剥離方法では、支持基板とウェハの接合に、熱により粘着力が低下する粘着剤層が形成された支持テープを用いている。そして、当該剥離方法では、支持テープを介して支持基板に接合され、かつダイシングテープを介してダイシングフレームに固定された状態のウェハに対して、熱を粘着剤層に付与することで、支持テープの接着力を低下させ、当該支持テープ（支持基板）をウェハから剥離している。 By the way, the support substrate for reinforcing the wafer needs to be peeled off from the wafer before the expanding process. In the method for peeling the support substrate (support tape) disclosed in Patent Document 2, a support tape having an adhesive layer whose adhesive strength is reduced by heat is used for joining the support substrate and the wafer. Then, in the peeling method, heat is applied to the pressure-sensitive adhesive layer to the wafer in a state of being bonded to the support substrate via the support tape and fixed to the dicing frame via the dicing tape, thereby applying the support tape. The supporting tape (supporting substrate) is peeled off from the wafer by reducing the adhesive strength of the wafer.

特開２００７−６７２７８号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2007-67278 特開２００３−１７３９８９号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2003-173989

しかしながら、特許文献２に開示の剥離方法では、ウェハから支持テープ（支持基板）を剥離する際、熱を粘着剤層に付与するが、その熱によりウェハ表面のデバイスが損傷を被るおそれがある。また特許文献１は、この点に関し、何らの開示も示唆もしていない。したがって、従来の支持基板の剥離方法には改善の余地がある。 However, in the peeling method disclosed in Patent Document 2, when the support tape (support substrate) is peeled from the wafer, heat is applied to the pressure-sensitive adhesive layer, but the heat may damage the device on the wafer surface. Further, Patent Document 1 makes no disclosure or suggestion in this regard. Therefore, there is room for improvement in the conventional method of peeling the support substrate.

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、接着部材を介して接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に適切に剥離することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to appropriately peel off a polymerized substrate bonded via an adhesive member from a substrate to be processed and a supporting substrate.

上記課題を解決する本発明の一態様は、熱により接着性が低下する接着部材を介して被処理基板と支持基板とが接合された重合基板を処理する基板処理システムであって、前記被処理基板と前記支持基板を剥離する際に、前記支持基板側を加熱する加熱部と、前記加熱部によって前記支持基板側を加熱する際に、前記被処理基板側を冷却する冷却部と、を有する。 One aspect of the present invention that solves the above problems is a substrate processing system that processes a polymerized substrate in which a substrate to be processed and a supporting substrate are bonded via an adhesive member whose adhesiveness is lowered by heat, and is the substrate processing system to be treated. It has a heating unit that heats the support substrate side when the substrate and the support substrate are peeled off, and a cooling unit that cools the support substrate side when the support substrate side is heated by the heating unit. ..

別な観点による本発明の一態様は、熱により接着性が低下する接着部材を介して被処理基板と支持基板とが接合された重合基板を処理する基板処理方法であって、加熱部によって前記支持基板側を加熱すると共に、冷却部によって前記被処理基板側を冷却する熱処理工程と、その後、前記被処理基板と前記支持基板を剥離する剥離工程と、を有する。 One aspect of the present invention from another viewpoint is a substrate processing method for processing a polymerized substrate in which a substrate to be processed and a supporting substrate are bonded via an adhesive member whose adhesiveness is lowered by heat, and is described by a heating unit. It has a heat treatment step of heating the support substrate side and cooling the substrate side to be processed by a cooling unit, and then a peeling step of peeling the substrate to be processed and the support substrate.

また別な観点による本発明の一態様によれば、前記基板処理方法を基板処理システムによって実行させるように当該基板処理システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。 According to another aspect of the present invention from another viewpoint, a program that operates on the computer of the control unit that controls the substrate processing system so that the substrate processing method is executed by the substrate processing system is provided.

さらに別な観点による本発明の一態様によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。 According to one aspect of the invention from yet another aspect, a readable computer storage medium containing the program is provided.

本発明によれば、接着部材を介して接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に適切に剥離することができる。 According to the present invention, the polymerized substrate bonded via the adhesive member can be appropriately peeled off from the substrate to be processed and the supporting substrate.

第１の実施形態にかかる基板処理システムの構成の概略を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows the outline of the structure of the substrate processing system which concerns on 1st Embodiment schematically. 重合ウェハの構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of the structure of a polymerization wafer. 接着テープの構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of the structure of the adhesive tape. 熱処理ユニットの構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of the structure of the heat treatment unit. 第１の実施形態におけるウェハ処理の主な工程時の重合ウェハの様子を示す図である。It is a figure which shows the state of the polymerized wafer at the time of the main process of the wafer processing in 1st Embodiment. 第２の実施形態にかかる基板処理システムの構成の概略を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows the outline of the structure of the substrate processing system which concerns on 2nd Embodiment schematically. 第２の実施形態におけるウェハ処理の主な工程時の重合ウェハの様子を示す図である。It is a figure which shows the state of the polymerized wafer at the time of the main process of the wafer processing in 2nd Embodiment. 他の実施形態にかかる熱処理ユニットの構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of the structure of the heat treatment unit which concerns on another embodiment. 他の実施形態にかかる熱処理ユニットの構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of the structure of the heat treatment unit which concerns on another embodiment. 他の実施形態にかかる熱処理ユニットの構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of the structure of the heat treatment unit which concerns on another embodiment.

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the present specification and the drawings, elements having substantially the same functional configuration are designated by the same reference numerals, so that duplicate description will be omitted.

先ず、本発明の第１の実施形態について説明する。図１は、第１の実施形態にかかる基板処理システム１の構成の概略を模式的に示す平面図である。なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。 First, the first embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 is a plan view schematically showing an outline of the configuration of the substrate processing system 1 according to the first embodiment. In the following, in order to clarify the positional relationship, the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction that are orthogonal to each other are defined, and the Z-axis positive direction is defined as the vertically upward direction.

本実施形態の基板処理システム１では、図２に示すように接着部材としての接着テープＢを介して、被処理基板としての被処理ウェハＷと支持基板としての支持ウェハＳとが接合された重合ウェハＴを処理する。以下、被処理ウェハＷにおいて、接着テープＢを介して支持ウェハＳと接合された面を「接合面Ｗｊ」といい、当該接合面Ｗｊと反対側の面を「非接合面Ｗｎ」という。同様に、支持ウェハＳにおいて、接着テープＢを介して被処理ウェハＷと接合された面を「接合面Ｓｊ」といい、接合面Ｓｊと反対側の面を「非接合面Ｓｎ」という。なお、以下の説明では、重合ウェハＴから支持ウェハＳが取り外された状態のものも重合ウェハＴという場合がある。 In the substrate processing system 1 of the present embodiment, as shown in FIG. 2, polymerization in which a wafer W to be processed as a substrate to be processed and a support wafer S as a support substrate are bonded via an adhesive tape B as an adhesive member. The wafer T is processed. Hereinafter, in the wafer W to be processed, the surface bonded to the support wafer S via the adhesive tape B is referred to as "bonding surface Wj", and the surface opposite to the bonding surface Wj is referred to as "non-bonding surface Wn". Similarly, in the support wafer S, the surface bonded to the wafer W to be processed via the adhesive tape B is referred to as "bonded surface Sj", and the surface opposite to the bonded surface Sj is referred to as "non-bonded surface Sn". In the following description, the wafer in which the support wafer S is removed from the polymerization wafer T may also be referred to as the polymerization wafer T.

また、本実施形態の基板処理システム１では、後述するように、重合ウェハＴにダイアタッチフィルムＤ（ＤＡＦ：Ｄｉｅ Ａｔｔａｃｈ Ｆｉｌｍ）とダイシングテープＰを貼り付け、ダイシングフレームＦに固定するマウント処理が行われる。具体的には、重合ウェハＴの被処理ウェハＷにダイアタッチフィルムＤが貼り付けられ、さらにダイアタッチフィルムＤにダイシングテープＰが貼り付けられる。以下の説明では、ダイシングフレームＦに固定された状態のものも重合ウェハＴという場合がある。 Further, in the substrate processing system 1 of the present embodiment, as will be described later, a mounting process is performed in which the die attach film D (DAF: Die Attach Film) and the dicing tape P are attached to the polymerization wafer T and fixed to the dicing frame F. It is said. Specifically, the die attach film D is attached to the wafer W to be processed of the polymerization wafer T, and the dicing tape P is further attached to the die attach film D. In the following description, the wafer fixed to the dicing frame F may also be referred to as a polymerized wafer T.

接着テープＢは、図３に示すように例えば３層構造を有し、すなわち基材テープＢｐの両面に接着層Ｂｗ、Ｂｓが貼り付けられている。接着層Ｂｗは被処理ウェハＷに接着し、接着層Ｂｓは支持ウェハＳに接着する。接着層Ｂｗ、Ｂｓのうち、被処理ウェハＷ側の接着層Ｂｗは熱により発泡し、接着性（接着力）が低下する性質を有する。一方、支持ウェハＳ側の接着層Ｂｓは熱により発泡せず、接着性が維持される。 As shown in FIG. 3, the adhesive tape B has, for example, a three-layer structure, that is, the adhesive layers Bw and Bs are attached to both sides of the base material tape Bp. The adhesive layer Bw adheres to the wafer W to be processed, and the adhesive layer Bs adheres to the support wafer S. Of the adhesive layers Bw and Bs, the adhesive layer Bw on the wafer W side to be processed has the property of foaming due to heat and reducing the adhesiveness (adhesive force). On the other hand, the adhesive layer Bs on the support wafer S side does not foam due to heat, and the adhesiveness is maintained.

被処理ウェハＷは、例えばシリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体ウェハである。被処理ウェハＷは、接合面Ｗｊに複数の電子回路（デバイス）が形成されている。 The wafer W to be processed is a semiconductor wafer such as a silicon wafer or a compound semiconductor wafer. A plurality of electronic circuits (devices) are formed on the bonding surface Wj of the wafer W to be processed.

支持ウェハＳは、被処理ウェハＷの径と略同じ径を有し、当該被処理ウェハＷを支持するものである。支持ウェハＳとしては、例えばシリコンウェハが用いられる。 The support wafer S has a diameter substantially the same as the diameter of the wafer W to be processed, and supports the wafer W to be processed. As the support wafer S, for example, a silicon wafer is used.

ダイアタッチフィルムＤは、両面に接着性を有し、被処理ウェハＷを複数積層する際の、当該被処理ウェハＷ同士を接合するものである。すなわち、ダイアタッチフィルムＤは、一の被処理ウェハＷのうち、後述するように研削された非接合面Ｗｎと、当該一の被処理ウェハＷに積層される被処理ウェハＷの接合面Ｗｊとを接合する。 The die attach film D has adhesiveness on both sides, and joins the wafers W to be processed when a plurality of wafers W to be processed are laminated. That is, the die attach film D includes a non-bonded surface Wn ground as described later in one wafer W to be processed and a bonding surface Wj of the wafer W to be processed laminated on the one wafer W to be processed. To join.

ダイシングテープＰは、片面のみに接着性を有し、当該片面にダイアタッチフィルムＤが貼り付けられている。また、ダイシングテープＰは、接着テープＢより高いエキスパンド性を有する。ダイシングフレームＦは、ダイアタッチフィルムＤを介して被処理ウェハＷに貼り付けられたダイシングテープＰを固定するものであり、例えば金属製である。 The dicing tape P has adhesiveness on only one side, and the die attach film D is attached to the one side. Further, the dicing tape P has a higher expandability than the adhesive tape B. The dicing frame F fixes the dicing tape P attached to the wafer W to be processed via the die attach film D, and is made of metal, for example.

図１に示すように基板処理システム１は、処理前の重合ウェハＴをカセットＣ内に収納し、複数の重合ウェハＴをカセット単位で外部から基板処理システム１に搬入する搬入ステーション２と、処理後の重合ウェハＴをカセットＣ内に収納し、複数の重合ウェハＴをカセット単位で基板処理システム１から外部に搬出する搬出ステーション３と、被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎを研削して加工する加工装置４と、上述のマウント処理や支持ウェハＳを剥離する処理等を行う処理装置５と、搬入ステーション２、加工装置４、及び処理装置５の間で重合ウェハＴを搬送する搬送ステーション６と、を接続した構成を有している。搬入ステーション２、搬送ステーション６、及び加工装置４は、Ｘ軸負方向側においてＹ軸方向にこの順で並べて配置されている。搬出ステーション３と処理装置５は、Ｘ軸正方向側においてＹ軸方向にこの順で並べて配置されている。 As shown in FIG. 1, the substrate processing system 1 has a carry-in station 2 that stores the unprocessed polymerized wafer T in the cassette C and carries a plurality of the polymerized wafers T into the substrate processing system 1 from the outside in cassette units, and processing. The unbonded surface Wn of the wafer W to be processed is processed by the unloading station 3 in which the later polymerized wafer T is stored in the cassette C and the plurality of polymerized wafers T are carried out from the substrate processing system 1 in cassette units. Processing device 4 to perform It has a configuration in which and is connected. The carry-in station 2, the transfer station 6, and the processing device 4 are arranged side by side in this order in the Y-axis direction on the negative side of the X-axis. The unloading station 3 and the processing device 5 are arranged side by side in this order in the Y-axis direction on the X-axis positive direction side.

搬入ステーション２には、カセット載置台１０が設けられている。図示の例では、カセット載置台１０には、複数、例えば２つのカセットＣをＸ軸方向に一列に載置自在になっている。 The carry-in station 2 is provided with a cassette mounting stand 10. In the illustrated example, a plurality of cassettes C, for example, two cassettes C can be freely mounted in a row in the X-axis direction on the cassette mounting table 10.

搬出ステーション３も、搬入ステーション２と同様の構成を有している。すなわち、搬出ステーション３にはカセット載置台２０が設けられ、カセット載置台２０には、例えば２つのカセットＣをＸ軸方向に一列に載置自在になっている。 The carry-out station 3 also has the same configuration as the carry-in station 2. That is, the carry-out station 3 is provided with a cassette mounting table 20, and for example, two cassettes C can be freely placed in a row on the cassette mounting table 20 in the X-axis direction.

加工装置４は、例えば被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎを研削する研削部としての研削ユニット、被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎや支持ウェハＳの非接合面Ｓｎを洗浄する洗浄ユニットなどを備え、非接合面Ｗｎを研削して加工する。なお、加工装置４の構成は任意であり、研削ユニットや洗浄ユニットにはそれぞれ公知の装置が用いられる。 The processing apparatus 4 includes, for example, a grinding unit as a grinding unit for grinding the non-bonded surface Wn of the wafer W to be processed, a cleaning unit for cleaning the non-bonded surface Wn of the wafer W to be processed, the non-bonded surface Sn of the support wafer S, and the like. The non-joint surface Wn is ground and processed. The configuration of the processing device 4 is arbitrary, and known devices are used for the grinding unit and the cleaning unit.

処理装置５は、固定部としての固定ユニット３０と、熱処理ユニット３１と、剥離部としての剥離ユニット３２とが同一の装置内に設けられたものである。固定ユニット３０では、重合ウェハＴにダイシングテープＰを貼り付け、当該重合ウェハＴをダイシングフレームＦに固定するマウント処理が行われる。熱処理ユニット３１では、剥離ユニット３２における剥離処理の前処理としての熱処理が行われる。剥離ユニット３２では、重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する剥離処理が行われる。そして、処理装置５は、各種処理が行われた重合ウェハＴを搬出ステーション３のカセットＣに搬送する。なお、固定ユニット３０と剥離ユニット３２にはそれぞれ、公知の装置が用いられる。また、熱処理ユニット３１の構成は後述する。 In the processing device 5, the fixing unit 30 as the fixing portion, the heat treatment unit 31, and the peeling unit 32 as the peeling portion are provided in the same device. In the fixing unit 30, a dicing tape P is attached to the polymerization wafer T, and a mounting process is performed to fix the polymerization wafer T to the dicing frame F. In the heat treatment unit 31, heat treatment is performed as a pretreatment for the peeling treatment in the peeling unit 32. In the peeling unit 32, a peeling process is performed in which the polymerized wafer T is peeled into the wafer W to be processed and the support wafer S. Then, the processing apparatus 5 conveys the polymerized wafer T subjected to various processing to the cassette C of the unloading station 3. A known device is used for the fixing unit 30 and the peeling unit 32, respectively. The configuration of the heat treatment unit 31 will be described later.

搬送ステーション６には、ウェハ搬送領域４０が設けられている。ウェハ搬送領域４０には、Ｘ軸方向に延伸する搬送路４１上を移動自在なウェハ搬送装置４２が設けられている。ウェハ搬送装置４２は、重合ウェハＴを保持して搬送する、例えば２本の搬送アーム４３、４３を有している。各搬送アーム４３は、水平方向、鉛直方向、水平軸回り及び鉛直軸周りに移動自在に構成されている。なお、搬送アーム４３の構成は本実施形態に限定されず、任意の構成を取り得る。 The transfer station 6 is provided with a wafer transfer area 40. The wafer transfer region 40 is provided with a wafer transfer device 42 that is movable on a transfer path 41 extending in the X-axis direction. The wafer transfer device 42 has, for example, two transfer arms 43, 43 that hold and transfer the polymerized wafer T. Each transport arm 43 is configured to be movable in the horizontal direction, the vertical direction, around the horizontal axis, and around the vertical axis. The configuration of the transport arm 43 is not limited to this embodiment, and any configuration can be adopted.

以上の基板処理システム１には、制御装置５０が設けられている。制御装置５０は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、基板処理システム１における重合ウェハＴの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、基板処理システム１における後述のウェハ処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御装置５０にインストールされたものであってもよい。 The substrate processing system 1 described above is provided with a control device 50. The control device 50 is, for example, a computer and has a program storage unit (not shown). The program storage unit stores a program that controls the processing of the polymerized wafer T in the substrate processing system 1. Further, the program storage unit also stores a program for controlling the operation of the drive system of the above-mentioned various processing devices and transfer devices to realize the wafer processing described later in the substrate processing system 1. The program is recorded on a computer-readable storage medium H such as a computer-readable hard disk (HD), flexible disk (FD), compact disk (CD), magnet optical desk (MO), or memory card. It may have been installed in the control device 50 from the storage medium H.

次に、上述した処理装置５の熱処理ユニット３１の構成について説明する。図４に示すように熱処理ユニット３１は、冷却部１００と加熱部１１０を有している。 Next, the configuration of the heat treatment unit 31 of the processing apparatus 5 described above will be described. As shown in FIG. 4, the heat treatment unit 31 has a cooling unit 100 and a heating unit 110.

冷却部１００は、ダイシングフレームＦに固定された重合ウェハＴを載置する。具体的に冷却部１００は、ダイシングテープＰに当接し、すなわち支持ウェハＳが上側を向いた状態で重合ウェハＴを載置する。また、冷却部１００には冷却機構１２０が設けられ、当該冷却機構１２０によって被処理ウェハＷ側を所定の温度に冷却する。冷却機構１２０は、例えば冷却部１００の内部を冷却水が循環する冷却管１２１と、冷却管１２１に冷却水を循環させる冷却水循環装置１２２とを有している。なお、冷却機構１２０の構成はこれに限定されるものではない。 The cooling unit 100 places the polymerization wafer T fixed to the dicing frame F. Specifically, the cooling unit 100 places the polymerization wafer T in contact with the dicing tape P, that is, with the support wafer S facing upward. Further, the cooling unit 100 is provided with a cooling mechanism 120, and the cooling mechanism 120 cools the wafer W side to be processed to a predetermined temperature. The cooling mechanism 120 includes, for example, a cooling pipe 121 in which cooling water circulates inside the cooling unit 100, and a cooling water circulation device 122 in which the cooling water circulates in the cooling pipe 121. The configuration of the cooling mechanism 120 is not limited to this.

加熱部１１０は、冷却部１００に載置された重合ウェハＴの上方において、当該重合ウェハＴに対向して設けられている。加熱部１１０には、赤外線を照射する赤外線ヒータが用いられる。 The heating unit 110 is provided above the polymerization wafer T placed on the cooling unit 100 and facing the polymerization wafer T. An infrared heater that irradiates infrared rays is used for the heating unit 110.

かかる構成の熱処理ユニット３１では、加熱部１１０から重合ウェハＴに向けて赤外線Ｒを照射する。加熱部１１０から照射された赤外線Ｒは、支持ウェハＳを透過し、接着テープＢに到達し吸収される。すなわち、赤外線Ｒは、被処理ウェハＷまで到達することはない。そして接着テープＢは、この赤外線Ｒによって所定の温度、例えば１００℃〜１３０℃に加熱される。そうすると、熱によって接着層Ｂｗが発泡し、被処理ウェハＷに対する接着層Ｂｗの接着性が低下する。一方、接着層Ｂｓは熱により発泡せず、支持ウェハＳに対する接着層Ｂｓの接着性は低下しない。このため、後述するように重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する際、接着性が低下した接着層Ｂｗと被処理ウェハＷが適切に剥離される。 In the heat treatment unit 31 having such a configuration, infrared rays R are irradiated from the heating unit 110 toward the polymerization wafer T. The infrared rays R emitted from the heating unit 110 pass through the support wafer S, reach the adhesive tape B, and are absorbed. That is, the infrared ray R does not reach the wafer W to be processed. Then, the adhesive tape B is heated to a predetermined temperature, for example, 100 ° C. to 130 ° C. by the infrared ray R. Then, the adhesive layer Bw is foamed by heat, and the adhesiveness of the adhesive layer Bw to the wafer W to be processed is lowered. On the other hand, the adhesive layer Bs does not foam due to heat, and the adhesiveness of the adhesive layer Bs to the support wafer S does not decrease. Therefore, when the polymerized wafer T is peeled off from the wafer W to be processed and the support wafer S as described later, the adhesive layer Bw having reduced adhesiveness and the wafer W to be treated are appropriately peeled off.

また、赤外線Ｒを照射すると同時に、冷却部１００で被処理ウェハＷ、ダイアタッチフィルムＤ、及びダイシングテープＰを所定の温度、例えば４０℃に冷却する。そうすると、被処理ウェハＷのデバイス、ダイアタッチフィルムＤ、及びダイシングテープＰのそれぞれが、損傷を被るのを抑制することができる。 Further, at the same time as irradiating the infrared ray R, the cooling unit 100 cools the wafer W to be processed, the die attach film D, and the dicing tape P to a predetermined temperature, for example, 40 ° C. Then, it is possible to prevent each of the device of the wafer W to be processed, the die attach film D, and the dicing tape P from being damaged.

次に、以上のように構成された基板処理システム１を用いて行われるウェハ処理について説明する。 Next, the wafer processing performed by using the substrate processing system 1 configured as described above will be described.

先ず、基板処理システム１の外部の接合装置（図示せず）において、図５（ａ）に示すように接着テープＢを介して、被処理ウェハＷと支持ウェハＳが接合される（ステップＡ１）。その後、基板処理システム１の外部のダイシング装置（図示せず）において、図５（ｂ）に示すように重合ウェハＴの被処理ウェハＷに対して、レーザを用いたダイシング処理が行われる（ステップＡ２）。 First, in an external bonding device (not shown) of the substrate processing system 1, the wafer W to be processed and the support wafer S are bonded via the adhesive tape B as shown in FIG. 5A (step A1). .. After that, in an external dicing apparatus (not shown) of the substrate processing system 1, a dicing process using a laser is performed on the wafer W to be processed of the polymerization wafer T as shown in FIG. 5 (b) (step). A2).

その後、複数の重合ウェハＴを収納したカセットＣが、基板処理システム１に搬入され、搬入ステーション２のカセット載置台１０に載置される。 After that, the cassette C containing the plurality of polymerized wafers T is carried into the substrate processing system 1 and placed on the cassette mounting table 10 of the carrying-in station 2.

次に、ウェハ搬送装置４２によりカセットＣ内の重合ウェハＴが取り出され、加工装置４に搬送される。加工装置４では、図５（ｃ）に示すように被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎが上側を向いた状態で、当該非接合面Ｗｎが研削され加工される（ステップＡ３）。 Next, the polymerized wafer T in the cassette C is taken out by the wafer transfer device 42 and transferred to the processing device 4. In the processing apparatus 4, the non-bonded surface Wn of the wafer to be processed W is ground and processed (step A3) with the non-bonded surface Wn of the wafer W to be processed facing upward as shown in FIG. 5 (c).

次に、重合ウェハＴはウェハ搬送装置４２により処理装置５に搬送される。処理装置５では、先ず固定ユニット３０においてマウント処理が行われる。図５（ｄ）に示すように被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎが上側を向いた状態で、当該非接合面ＷｎにダイシングテープＰが貼り付けられ、該ダイシングテープＰを介してダイシングフレームＦに固定される（ステップＡ４）。 Next, the polymerized wafer T is transferred to the processing device 5 by the wafer transfer device 42. In the processing device 5, the fixing process is first performed in the fixing unit 30. As shown in FIG. 5D, the dicing tape P is attached to the non-bonded surface Wn in a state where the non-bonded surface Wn of the wafer W to be processed faces upward, and the dicing frame F is attached via the dicing tape P. It is fixed to (step A4).

次に、重合ウェハＴは、処理装置５内の搬送装置（図示せず）により熱処理ユニット３１に搬送される。この際、重合ウェハＴは、熱処理時に支持ウェハＳの非接合面Ｓｎが上側を向くようにするため、熱処理前に反転機構（図示せず）により反転される。 Next, the polymerized wafer T is transferred to the heat treatment unit 31 by a transfer device (not shown) in the processing device 5. At this time, the polymerized wafer T is inverted by an inversion mechanism (not shown) before the heat treatment so that the non-bonded surface Sn of the support wafer S faces upward during the heat treatment.

熱処理ユニット３１では、図４及び図５（ｅ）に示すように重合ウェハＴが冷却部１００に載置される。続いて、加熱部１１０から重合ウェハＴに向けて赤外線Ｒを照射すると共に、冷却部１００により被処理ウェハＷ、ダイアタッチフィルムＤ、及びダイシングテープＰを冷却する（ステップＡ５）。 In the heat treatment unit 31, the polymerized wafer T is placed on the cooling unit 100 as shown in FIGS. 4 and 5 (e). Subsequently, infrared rays R are irradiated from the heating unit 110 toward the polymerized wafer T, and the wafer W to be processed, the die attach film D, and the dicing tape P are cooled by the cooling unit 100 (step A5).

ステップＡ５において接着テープＢは、赤外線Ｒによって所定の温度、例えば１００℃〜１３０℃に加熱される。そうすると、接着層Ｂｗが発泡し、被処理ウェハＷに対する接着層Ｂｗの接着性が低下する。一方、接着層Ｂｓは熱により発泡せず、支持ウェハＳに対する接着層Ｂｓの接着性は低下しない。なお、接着層Ｂｗからの気泡は、基材テープＢｐによって遮られ、接着層Ｂｓに侵入することはない。 In step A5, the adhesive tape B is heated to a predetermined temperature, for example, 100 ° C. to 130 ° C. by infrared rays R. Then, the adhesive layer Bw foams, and the adhesiveness of the adhesive layer Bw to the wafer W to be processed is lowered. On the other hand, the adhesive layer Bs does not foam due to heat, and the adhesiveness of the adhesive layer Bs to the support wafer S does not decrease. The bubbles from the adhesive layer Bw are blocked by the base material tape Bp and do not invade the adhesive layer Bs.

また、この接着テープＢの加熱時、被処理ウェハＷ、ダイアタッチフィルムＤ、及びダイシングテープＰはそれぞれ、冷却部１００によって所定の温度、例えば４０℃に冷却され、損傷を被るのが抑制される。 Further, when the adhesive tape B is heated, the wafer W to be processed, the die attach film D, and the dicing tape P are each cooled to a predetermined temperature, for example, 40 ° C. by the cooling unit 100, and damage is suppressed. ..

次に、重合ウェハＴは、処理装置５内の搬送装置（図示せず）により剥離ユニット３２に搬送される。剥離ユニット３２では、図５（ｆ）に示すように支持ウェハＳの非接合面Ｓｎが上側を向いた状態で、当該支持ウェハＳが剥離される（ステップＡ６）。この際、ステップＡ５の熱処理により、接着テープＢの接着層Ｂｓは接着性を維持しているが、接着層Ｂｗは発泡して接着性が低下している。このため、接着層Ｂｗと被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎを境界に、被処理ウェハＷから、接着テープＢが貼り付けられた支持ウェハＳが適切に剥離される。 Next, the polymerized wafer T is conveyed to the peeling unit 32 by a transfer device (not shown) in the processing device 5. In the peeling unit 32, the support wafer S is peeled off with the non-bonded surface Sn of the support wafer S facing upward as shown in FIG. 5 (f) (step A6). At this time, by the heat treatment in step A5, the adhesive layer Bs of the adhesive tape B maintains the adhesiveness, but the adhesive layer Bw foams and the adhesiveness is lowered. Therefore, the support wafer S to which the adhesive tape B is attached is appropriately peeled from the wafer W to be processed with the non-bonded surface Wn of the adhesive layer Bw and the wafer W to be processed as a boundary.

その後、すべての処理が施された重合ウェハＴ、すなわちダイシングフレームＦに固定された被処理ウェハＷは、搬出ステーション３のカセット載置台２０のカセットＣに搬送される。そして、カセットＣは基板処理システム１から搬出される。 After that, the polymerized wafer T to which all the treatments have been applied, that is, the wafer W to be processed fixed to the dicing frame F, is conveyed to the cassette C of the cassette mounting table 20 of the unloading station 3. Then, the cassette C is carried out from the substrate processing system 1.

その後、基板処理システム１の内部又は外部の除去装置（図示せず）において、被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎに残存する接着テープＢが除去される。なお、上述したようにステップＡ６では剥離ユニット３２において、接着層Ｂｗは発泡し、被処理ウェハＷから、接着テープＢが貼り付けられた支持ウェハＳが剥離される。このため、被処理ウェハＷに接着テープＢが残存してない場合には、この除去処理は省略される。 After that, the adhesive tape B remaining on the non-bonded surface Wn of the wafer W to be processed is removed by an internal or external removing device (not shown) of the substrate processing system 1. As described above, in step A6, the adhesive layer Bw is foamed in the peeling unit 32, and the support wafer S to which the adhesive tape B is attached is peeled from the wafer W to be processed. Therefore, if the adhesive tape B does not remain on the wafer W to be processed, this removal process is omitted.

次に、基板処理システム１の外部のエキスバンド装置（図示せず）において、図５（ｇ）に示すように被処理ウェハＷに対してエキスパンド処理が行われ、ダイシングテープＰが拡張されることにより、個々のチップに分割される（ステップＡ７）。こうして、本実施形態の一連のウェハ処理が終了する。 Next, in an external expanding device (not shown) of the substrate processing system 1, the wafer W to be processed is expanded as shown in FIG. 5 (g), and the dicing tape P is expanded. Is divided into individual chips (step A7). In this way, a series of wafer processing of the present embodiment is completed.

本実施形態によれば、ステップＡ５において加熱部１１０から赤外線Ｒを照射することで接着テープＢを所定の温度に加熱し、接着層Ｂｗを発泡させて接着性を低下させる。そうすると、ステップＡ６において被処理ウェハＷと支持ウェハＳを適切に剥離させることができる。 According to the present embodiment, the adhesive tape B is heated to a predetermined temperature by irradiating the heating unit 110 with infrared rays R in step A5, and the adhesive layer Bw is foamed to reduce the adhesiveness. Then, in step A6, the wafer W to be processed and the support wafer S can be appropriately peeled off.

しかも、ステップＡ５において赤外線Ｒを用いているので、支持ウェハＳがシリコンウェハであっても、当該赤外線Ｒを透過させることができ、接着テープＢを適切に加熱することができる。そしてこのように支持ウェハＳにシリコンウェハを用いることで、ステップＡ１において被処理ウェハＷと支持ウェハＳを接合した際の、重合ウェハＴの厚みの面内均一性を向上させることができる。さらに、加熱部１１０に赤外線ヒータを用い、支持ウェハＳにシリコンウェハを用いることで、それぞれのコストを抑えることができ、製造コストを低廉化することもできる。 Moreover, since the infrared ray R is used in step A5, even if the support wafer S is a silicon wafer, the infrared ray R can be transmitted and the adhesive tape B can be appropriately heated. By using the silicon wafer as the support wafer S in this way, it is possible to improve the in-plane uniformity of the thickness of the polymerized wafer T when the wafer W to be processed and the support wafer S are joined in step A1. Further, by using an infrared heater for the heating unit 110 and a silicon wafer for the support wafer S, the costs of each can be suppressed and the manufacturing cost can be reduced.

また、ステップＡ５では加熱部１１０によって接着テープＢを加熱すると同時に、冷却部１００によって被処理ウェハＷ、ダイアタッチフィルムＤ、及びダイシングテープＰを冷却するので、当該被処理ウェハＷのデバイス、ダイアタッチフィルムＤ、及びダイシングテープＰがそれぞれ、損傷を被るのを抑制することができる。 Further, in step A5, the adhesive tape B is heated by the heating unit 110, and at the same time, the wafer W to be processed, the die attach film D, and the dicing tape P are cooled by the cooling unit 100. It is possible to prevent the film D and the dicing tape P from being damaged, respectively.

次に、本発明の第２の実施形態にかかる基板処理システムについて説明する。図６は、第２の実施形態にかかる基板処理システム２００の構成の概略を模式的に示す平面図である。 Next, the substrate processing system according to the second embodiment of the present invention will be described. FIG. 6 is a plan view schematically showing an outline of the configuration of the substrate processing system 200 according to the second embodiment.

基板処理システム２００は、第１の実施形態の基板処理システム１の構成において、ダイシング部としてのダイシング装置２１０をさらに有している。ダイシング装置２１０は、例えばウェハ搬送領域４０のＸ軸負方向側に配置される。ダイシング装置２１０では、重合ウェハＴの被処理ウェハＷに対して、レーザを用いたダイシング処理が行われる。 The substrate processing system 200 further includes a dicing device 210 as a dicing unit in the configuration of the substrate processing system 1 of the first embodiment. The dicing device 210 is arranged, for example, on the negative direction side of the X-axis of the wafer transfer region 40. In the dicing apparatus 210, a dicing process using a laser is performed on the wafer W to be processed of the polymerization wafer T.

基板処理システム２００を用いた場合、第１の実施形態において図５に示した手順でウェハ処理を行うことができる。この際、第１の実施形態において基板処理システム１の外部で行っていたステップＡ２のダイシング処理を、基板処理システム２００の内部のダイシング装置２１０で行うことができる。 When the substrate processing system 200 is used, the wafer processing can be performed by the procedure shown in FIG. 5 in the first embodiment. At this time, the dicing process of step A2, which was performed outside the substrate processing system 1 in the first embodiment, can be performed by the dicing device 210 inside the substrate processing system 200.

また、基板処理システム２００を用いた場合、図７に示した手順でウェハ処理を行うことも可能となる。図７に示すウェハ処理では、第１の実施形態において図５に示したステップＡ２（ダイシング処理）とステップＡ３（研削加工処理）の順序を逆にしている。すなわち、図７（ｂ）に示すように加工装置４において被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎを研削して加工した後（ステップＢ２）、図７（ｃ）に示すようにダイシング装置２１０において被処理ウェハＷにダイシング処理を行う（ステップＢ３）。なお、本第２の実施形態におけるその他のステップＡ１、Ａ４〜Ａ７はそれぞれ、第１の実施形態におけるステップＡ１、Ａ４〜Ａ７と同様である。 Further, when the substrate processing system 200 is used, it is possible to perform wafer processing by the procedure shown in FIG. 7. In the wafer processing shown in FIG. 7, the order of step A2 (dicing process) and step A3 (grinding process) shown in FIG. 5 is reversed in the first embodiment. That is, after grinding and processing the non-bonded surface Wn of the wafer W to be processed in the processing apparatus 4 as shown in FIG. 7 (b) (step B2), the dicing apparatus 210 is subjected to processing as shown in FIG. 7 (c). A dicing process is performed on the processed wafer W (step B3). The other steps A1 and A4 to A7 in the second embodiment are the same as the steps A1 and A4 to A7 in the first embodiment, respectively.

本実施形態であっても、第１の実施形態と同様の効果を享受することができる。しかも、本実施形態の基板処理システム２００は、ダイシング処理と研削加工処理のいずれが先であっても、対応することができる。 Even in this embodiment, the same effects as those in the first embodiment can be enjoyed. Moreover, the substrate processing system 200 of the present embodiment can handle either the dicing process or the grinding process first.

次に、第１の実施形態と第２の実施形態の変形例について説明する。具体的には、熱処理ユニット３１の構成の変形例について説明する。 Next, a modification of the first embodiment and the second embodiment will be described. Specifically, a modified example of the configuration of the heat treatment unit 31 will be described.

図８に示すように熱処理ユニット３１は、遮蔽部としての遮蔽板３００を有していてもよい。遮蔽板３００は、平面視において重合ウェハＴを覆うように環状に設けられている。また、遮蔽板３００の高さ位置は特に限定されないが、例えば支持ウェハＳより僅かに上方に配置されている。このように遮蔽板３００は、加熱部１１０とダイシングテープＰの露出面Ｐａ（ダイアタッチフィルムＤとダイシングフレームＦとの間で露出した面）との間に設けられている。遮蔽板３００は、例えば金属板を用いて赤外線Ｒを反射させてもよいし、あるいは赤外線Ｒを吸収してもよい。かかる場合、加熱部１１０からの赤外線Ｒが遮蔽板３００に遮蔽されて、ダイシングテープＰの露出面Ｐａに照射されることがない。このため、当該露出面Ｐａが損傷を被るのを抑制することができる。また、ダイアタッチフィルムＤも重合ウェハＴより大きい径を有し、露出面Ｄａがあるが、当該露出面Ｄａが損傷を被るのも抑制することができる。 As shown in FIG. 8, the heat treatment unit 31 may have a shielding plate 300 as a shielding portion. The shielding plate 300 is provided in an annular shape so as to cover the polymerized wafer T in a plan view. The height position of the shielding plate 300 is not particularly limited, but is arranged slightly above the support wafer S, for example. As described above, the shielding plate 300 is provided between the heating portion 110 and the exposed surface Pa (the surface exposed between the diacic film D and the dicing frame F) of the dicing tape P. The shielding plate 300 may reflect the infrared ray R by using, for example, a metal plate, or may absorb the infrared ray R. In such a case, the infrared rays R from the heating unit 110 are shielded by the shielding plate 300, and the exposed surface Pa of the dicing tape P is not irradiated. Therefore, it is possible to prevent the exposed surface Pa from being damaged. Further, the die attach film D also has a diameter larger than that of the polymerized wafer T and has an exposed surface Da, but it is possible to prevent the exposed surface Da from being damaged.

また、図９に示すように熱処理ユニット３１は、遮蔽部としてのシェード３１０を有していてもよい。シェード３１０は、加熱部１１０から下方に延伸した円筒形状に設けられる。シェード３１０は、例えば金属板を用いて赤外線Ｒを反射させてもよいし、あるいは赤外線Ｒを吸収してもよい。かかる場合、加熱部１１０からの赤外線Ｒはシェード３１０で遮蔽されて、平面視において重合ウェハＴの外方に拡散することがない。このため、加熱部１１０からの赤外線Ｒが、ダイシングテープＰの露出面ＰａとダイアタッチフィルムＤの露出面Ｄａとに照射されることがなく、当該露出面Ｐａ、Ｄａが損傷を被るのを抑制することができる。 Further, as shown in FIG. 9, the heat treatment unit 31 may have a shade 310 as a shielding portion. The shade 310 is provided in a cylindrical shape extending downward from the heating portion 110. The shade 310 may reflect the infrared ray R by using, for example, a metal plate, or may absorb the infrared ray R. In such a case, the infrared rays R from the heating unit 110 are shielded by the shade 310 and do not diffuse to the outside of the polymerized wafer T in a plan view. Therefore, the infrared rays R from the heating unit 110 are not irradiated to the exposed surface Pa of the dicing tape P and the exposed surface Da of the die attach film D, and the exposed surfaces Pa and Da are prevented from being damaged. can do.

また、図１０に示すように熱処理ユニット３１は、冷却部１００を回転させる回転機構３２０を有していてもよい。かかる場合、ステップＡ５において、回転機構３２０により冷却部１００（重合ウェハＴ）を回転させながら、加熱部１１０から接着テープＢに赤外線Ｒを照射する。そうすると、接着テープＢの面内均一に赤外線Ｒを照射することができ、接着層Ｂｗを均一に加熱してむらなく発泡させることができる。なお、本例の冷却部１００には、冷却機構１２０に代えて、冷却機構１３０が設けられている。冷却機構１３０は、例えば冷却部１００の内部で冷却水を流通させる冷却管１３１と、冷却管１３１に冷却水を供給する冷却水供給装置１３２とを有している。なお、冷却管１３１を流通した冷却水は、外部に排出される。 Further, as shown in FIG. 10, the heat treatment unit 31 may have a rotation mechanism 320 for rotating the cooling unit 100. In such a case, in step A5, the heating unit 110 irradiates the adhesive tape B with infrared rays R while rotating the cooling unit 100 (polymerized wafer T) by the rotation mechanism 320. Then, the infrared rays R can be uniformly irradiated in the plane of the adhesive tape B, and the adhesive layer Bw can be uniformly heated and foamed evenly. The cooling unit 100 of this example is provided with a cooling mechanism 130 instead of the cooling mechanism 120. The cooling mechanism 130 includes, for example, a cooling pipe 131 for circulating cooling water inside the cooling unit 100, and a cooling water supply device 132 for supplying the cooling water to the cooling pipe 131. The cooling water flowing through the cooling pipe 131 is discharged to the outside.

さらに、熱処理ユニット３１において加熱部１１０は赤外線Ｒにより接着テープＢを加熱したが、加熱方法はこれに限定されない。例えば熱板（図示せず）を支持ウェハＳの非接合面Ｗｎに当接させて、接着テープＢを加熱してもよい。 Further, in the heat treatment unit 31, the heating unit 110 heats the adhesive tape B with infrared rays R, but the heating method is not limited to this. For example, the adhesive tape B may be heated by bringing a hot plate (not shown) into contact with the non-bonding surface Wn of the support wafer S.

以上の実施形態では、接着テープＢにおいて、被処理ウェハＷ側の接着層Ｂｗが熱により発泡したが、支持ウェハＳ側の接着層Ｂｓが熱により発泡してもよい。かかる場合、ステップＡ６において被処理ウェハＷから支持ウェハＳを剥離する際、被処理ウェハＷの接合面Ｗｊに接着テープＢが残存する。このため、基板処理システム１、２００の内部又は外部の除去装置において、非接合面Ｗｎから接着テープＢを除去する必要がある。 In the above embodiment, in the adhesive tape B, the adhesive layer Bw on the wafer W side to be processed is foamed by heat, but the adhesive layer Bs on the support wafer S side may be foamed by heat. In such a case, when the support wafer S is peeled from the wafer W to be processed in step A6, the adhesive tape B remains on the bonding surface Wj of the wafer W to be processed. Therefore, it is necessary to remove the adhesive tape B from the non-bonded surface Wn in the internal or external removing device of the substrate processing systems 1 and 200.

また、接着テープＢにおいて接着層Ｂｗは熱によって発泡したが、接着層Ｂｗが熱によって接着性が低下すれば発泡に限定されない。例えば接着層Ｂｗは熱により軟化して、接着性が低下するようにしてもよい。 Further, in the adhesive tape B, the adhesive layer Bw is foamed by heat, but the adhesive layer Bw is not limited to foaming as long as the adhesiveness is lowered by heat. For example, the adhesive layer Bw may be softened by heat to reduce the adhesiveness.

また、接着テープＢは、基材テープＢｐと接着層Ｂｗ、Ｂｓの３層構造を有していたが、これに限定されない。例えば接着テープＢは、基材テープＢｐを省略し、接着層Ｂｗ、Ｂｓの２層構造を有していてもよい。 Further, the adhesive tape B has a three-layer structure of a base material tape Bp, an adhesive layer Bw, and Bs, but is not limited thereto. For example, the adhesive tape B may omit the base material tape Bp and have a two-layer structure of adhesive layers Bw and Bs.

以上の実施形態では、支持基板として、シリコンウェハである支持ウェハＳを用いたが、ガラス基板を用いてもよい。支持基板としてガラス基板を用いても、赤外線Ｒを透過させることができ、接着テープＢを加熱することができる。 In the above embodiments, the support wafer S, which is a silicon wafer, is used as the support substrate, but a glass substrate may also be used. Even if a glass substrate is used as the support substrate, infrared rays R can be transmitted and the adhesive tape B can be heated.

以上の実施形態では、重合ウェハＴにはダイアタッチフィルムＤが貼り付けられていたが、製品に要求される仕様によってはダイアタッチフィルムＤは省略される。かかる場合であっても、熱処理ユニット３１では、被処理ウェハＷのデバイスとダイシングテープＰを保護するため、冷却部１００により被処理ウェハＷとダイシングテープＰを所定の温度に冷却する。 In the above embodiment, the die attach film D is attached to the polymerized wafer T, but the die attach film D is omitted depending on the specifications required for the product. Even in such a case, in the heat treatment unit 31, the cooling unit 100 cools the wafer W to be processed and the dicing tape P to a predetermined temperature in order to protect the device of the wafer W to be processed and the dicing tape P.

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到しうることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。 Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to such examples. It is clear that a person skilled in the art can come up with various modifications or modifications within the scope of the technical idea described in the claims, and of course, the technical scope of the present invention also includes them. It is understood that it belongs to.

１ 基板処理システム
２ 搬入ステーション
３ 搬出ステーション
４ 加工装置
５ 処理装置
６ 搬送ステーション
３０ 固定ユニット
３１ 熱処理ユニット
３２ 剥離ユニット
４２ ウェハ搬送装置
５０ 制御装置
１００ 冷却部
１１０ 加熱部
１２０、１３０ 冷却機構
２００ 基板処理システム
２１０ ダイシング装置
３００ 遮蔽板
３１０ シェード
３２０ 回転機構
Ｂ 接着テープ
Ｂｐ 基材テープ
Ｂｓ、Ｂｗ 接着層
Ｄ ダイアタッチフィルム
Ｆ ダイシングフレーム
Ｐ ダイシングテープ
Ｓ 支持ウェハ
Ｔ 重合ウェハ
Ｗ 被処理ウェハ 1 Substrate processing system 2 Carry-in station 3 Carry-out station 4 Processing equipment 5 Processing equipment 6 Conveyance station 30 Fixed unit 31 Heat treatment unit 32 Peeling unit 42 Wafer transfer equipment 50 Control device 100 Cooling unit 110 Heating unit 120, 130 Cooling mechanism 200 Substrate processing system 210 Dicing device 300 Shielding plate 310 Shade 320 Rotation mechanism B Adhesive tape Bp Base material tape Bs, Bw Adhesive layer D Dicing film F Dicing frame P Dicing tape S Support wafer T Polymerized wafer W Processed wafer

Claims (18)

熱により接着性が低下する接着部材を介して被処理基板と支持基板とが接合された重合基板を処理する基板処理システムであって、
前記被処理基板と前記支持基板を剥離する際に、前記支持基板側を加熱する加熱部と、
前記加熱部によって前記支持基板側を加熱する際に、前記被処理基板側を冷却する冷却部と、を有する、基板処理システム。 A substrate processing system that processes a polymerized substrate in which a substrate to be processed and a supporting substrate are bonded via an adhesive member whose adhesiveness is reduced by heat.
A heating unit that heats the support substrate side when the substrate to be processed and the support substrate are peeled off.
A substrate processing system including a cooling unit that cools the substrate side to be processed when the support substrate side is heated by the heating unit. 前記被処理基板の前記接着部材と反対側の非接合面には、ダイシングテープが貼り付けられ、
前記冷却部は前記ダイシングテープ側を冷却する、請求項１に記載の基板処理システム。 A dicing tape is attached to the non-bonded surface of the substrate to be processed on the opposite side to the adhesive member.
The substrate processing system according to claim 1, wherein the cooling unit cools the dicing tape side. 前記加熱部は、赤外線を用いて前記支持基板側を加熱する、請求項１又は２に記載の基板処理システム。 The substrate processing system according to claim 1 or 2, wherein the heating unit heats the support substrate side using infrared rays. 前記被処理基板の前記接着部材と反対側の非接合面に貼り付けられたダイシングテープの露出面と、前記加熱部との間に設けられ、前記赤外線を遮蔽する遮蔽部を有する、請求項３に記載の基板処理システム。 3. The third aspect of the present invention, which has a shielding portion provided between the exposed surface of the dicing tape attached to the non-bonded surface opposite to the adhesive member of the substrate to be processed and the heating portion and shields the infrared rays. The substrate processing system described in. 前記加熱部は、前記重合基板に対向して配置され、
前記遮蔽部は、平面視において前記重合基板を囲うように環状に設けられている、請求項４に記載の基板処理システム。 The heating unit is arranged so as to face the polymerization substrate.
The substrate processing system according to claim 4, wherein the shielding portion is provided in an annular shape so as to surround the polymerized substrate in a plan view. 前記加熱部は、前記重合基板に対向して配置され、
前記遮蔽部は、前記加熱部からの赤外線が平面視において前記重合基板の外方に拡散しないように設けられている、請求項４に記載の基板処理システム。 The heating unit is arranged so as to face the polymerization substrate.
The substrate processing system according to claim 4, wherein the shielding portion is provided so that infrared rays from the heating portion do not diffuse to the outside of the polymerized substrate in a plan view. 前記加熱部による前記支持基板側の加熱と、前記冷却部による前記被処理基板側の冷却とを行う際、前記重合基板を回転させる回転機構を有する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理システム。 The invention according to any one of claims 1 to 6, further comprising a rotation mechanism for rotating the polymerized substrate when the heating unit heats the support substrate side and the cooling unit cools the substrate to be processed. The substrate processing system described. 前記被処理基板の前記接着部材と反対側の非接合面を研削する研削部と、
前記研削部で研削された前記非接合面にダイシングテープを貼り付ける固定部と、
前記加熱部による前記支持基板側の加熱と、前記冷却部による前記被処理基板側の冷却とが行われた前記重合基板を、前記被処理基板と前記支持基板に剥離する剥離部と、を有する、請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板処理システム。 A grinding part that grinds the non-bonded surface of the substrate to be processed opposite to the adhesive member, and
A fixing portion for attaching the dicing tape to the non-joining surface ground by the grinding portion, and a fixing portion.
It has a peeling portion for peeling the polymerized substrate, which has been heated by the heating portion on the support substrate side and cooled by the cooling portion on the surface to be processed, into the substrate to be processed and the support substrate. , The substrate processing system according to any one of claims 1 to 7. 前記被処理基板をダイシングするダイシング部を有する、請求項８に記載の基板処理システム。 The substrate processing system according to claim 8, further comprising a dicing unit for dicing the substrate to be processed. 熱により接着性が低下する接着部材を介して被処理基板と支持基板とが接合された重合基板を処理する基板処理方法であって、
加熱部によって前記支持基板側を加熱すると共に、冷却部によって前記被処理基板側を冷却する熱処理工程と、
その後、前記被処理基板と前記支持基板を剥離する剥離工程と、を有する、基板処理方法。 This is a substrate processing method for processing a polymerized substrate in which a substrate to be processed and a supporting substrate are bonded via an adhesive member whose adhesiveness is reduced by heat.
A heat treatment step in which the support substrate side is heated by the heating portion and the substrate side to be processed is cooled by the cooling portion.
A substrate processing method comprising a peeling step of peeling the substrate to be processed and the support substrate. 前記被処理基板の前記接着部材と反対側の非接合面には、ダイシングテープが貼り付けられ、
前記熱処理工程において、前記冷却部は前記ダイシングテープ側を冷却する、請求項１０に記載の基板処理方法。 A dicing tape is attached to the non-bonded surface of the substrate to be processed on the opposite side to the adhesive member.
The substrate processing method according to claim 10, wherein in the heat treatment step, the cooling unit cools the dicing tape side. 前記熱処理工程において、前記加熱部は、赤外線を用いて前記支持基板側を加熱する、請求項１０又は１１に記載の基板処理方法。 The substrate processing method according to claim 10 or 11, wherein in the heat treatment step, the heating portion heats the support substrate side using infrared rays. 前記熱処理工程において、前記被処理基板の前記接着部材と反対側の非接合面に貼り付けられたダイシングテープの露出面と、前記加熱部との間で、前記赤外線を遮蔽する、請求項１２に記載の基板処理方法。 The 12th aspect of the heat treatment step, wherein the infrared rays are shielded between the exposed surface of the dicing tape attached to the non-bonded surface of the substrate to be treated opposite to the adhesive member and the heating portion. The substrate processing method described. 前記熱処理工程において、前記重合基板を回転させながら、前記加熱部によって前記支持基板側を加熱すると共に、前記冷却部によって前記被処理基板側を冷却する、請求項１０〜１３のいずれか一項に記載の基板処理方法。 The method according to any one of claims 10 to 13, wherein in the heat treatment step, the support substrate side is heated by the heating unit and the substrate side to be processed is cooled by the cooling unit while rotating the polymerization substrate. The substrate processing method described. 前記被処理基板の前記接着部材と反対側の非接合面を研削する研削工程と、
その後、前記研削工程で研削された前記非接合面にダイシングテープを貼り付ける固定工程と、を有し、
前記固定工程の後、前記熱処理工程と前記剥離工程が順次行われる、請求項１０〜１４のいずれか一項に記載の基板処理方法。 A grinding process for grinding a non-bonded surface of the substrate to be processed opposite to the adhesive member, and
After that, it has a fixing step of attaching a dicing tape to the non-bonded surface ground in the grinding step.
The substrate processing method according to any one of claims 10 to 14, wherein the heat treatment step and the peeling step are sequentially performed after the fixing step. 前記研削工程の前、又は前記研削工程の後であって前記固定工程の間に、前記被処理基板をダイシングするダイシング工程を有する、請求項１５に記載の基板処理方法。 The substrate processing method according to claim 15, further comprising a dicing step of dicing the substrate to be processed before the grinding step or after the grinding step and during the fixing step. 請求項１０〜１６のいずれか一項に記載の基板処理方法を基板処理システムによって実行させるように、当該基板処理システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。 A program that operates on a computer of a control unit that controls the substrate processing system so that the substrate processing method according to any one of claims 10 to 16 is executed by the substrate processing system. 請求項１７に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。 A readable computer storage medium containing the program according to claim 17.
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