TW202004875A - 基板處理系統、基板處理方法、程式及電腦記錄媒體 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題為將藉由黏接構件接合而成之重合基板適當地剝離成被處理基板與支撐基板。 本發明提供一種基板處理系統，其處理之對象為重合基板T，該重合基板T係藉由遇到熱則黏接性會降低之黏接構件B將被處理基板W與支撐基板S兩者接合而成的。該基板處理系統包含：加熱部110，在將該被處理基板W與該支撐基板S剝離開來之際，對該支撐基板S側進行加熱；及冷卻部100，在藉由該加熱部110對該支撐基板S側進行加熱之際，將該被處理基板W側進行冷卻。

Description

基板處理系統、基板處理方法、程式及電腦記錄媒體
本發明有關一種基板處理系統、基板處理方法、程式及電腦記錄媒體。
近年來，在半導體裝置的製程中，對於在表面形成有複數之電子電路等元件的半導體晶圓(以下稱晶圓)，將該晶圓之背面進行研磨等以使晶圓薄化。為了抑制在該研磨處理之際產生晶圓裂痕等，有人將例如晶圓補強用的支撐基板接合到晶圓之表面。對於研磨處理後之晶圓，為了抑制其遭受損壞等，在晶圓之背面貼附切割膠帶，並藉由該切割膠帶加以固定於環狀之切割框。貼附有切割膠帶之晶圓再藉由該切割膠帶的擴張(延伸)，而分割成個別之晶片(參照專利文獻1)。
又，晶圓補強用的支撐基板有必要在延伸處理之前從晶圓剝離。在專利文獻2所揭示的支撐基板(載置帶)之剝離方法中，支撐基板與晶圓之接合使用了形成有粘著力會因為遇熱而降低之粘著劑層的載置帶。於該剝離方法中，對於利用載置帶接合到支撐基板且利用切割膠帶固定於切割框之狀態下的晶圓，藉由將熱賦予至粘著劑層，以使得載置帶之黏接力降低而將該載置帶(支撐基板)從晶圓剝離。 [先前技術文獻]
[專利文獻1]日本特開2007-67278號公報 [專利文獻2]日本特開2003-173989號公報
[發明欲解決之課題]
然而，專利文獻2揭示之剝離方法，在將載置帶(支撐基板)從晶圓剝離之際將熱賦予至粘著劑層，有晶圓表面之元件因為該熱而遭受損壞之虞。又，專利文獻1對此沒有任何揭示或暗示。因此，習知的支撐基板之剝離方法有改善的空間。
本發明係有鑑於上述情況所完成者，其目的為：將藉由黏接構件接合而成之重合基板適當地剝離成被處理基板與支撐基板。 [解決課題之手段]
解決上述課題的本發明之一態樣為一種基板處理系統，其處理之對象為：藉由會因為遇熱而黏接性降低之黏接構件將被處理基板與支撐基板兩者接合而成的重合基板。該基板處理系統包含：加熱部，在將該被處理基板與該支撐基板剝離開來之際，對該支撐基板側進行加熱；及冷卻部，在藉由該加熱部對該支撐基板側進行加熱之際，將該被處理基板側進行冷卻。
依另一觀點的本發明之一態樣為一種基板處理方法，其處理之對象為：藉由會因為遇熱而黏接性降低之黏接構件將被處理基板與支撐基板兩者接合而成的重合基板。該基板處理方法包含：熱處理步驟，藉由加熱部對該支撐基板側進行加熱，並且藉由冷卻部將該被處理基板側進行冷卻；及剝離步驟，在該熱處理步驟之後，將該被處理基板與該支撐基板剝離開來。
依又另一觀點的本發明之一態樣為一種程式，在用來控制一基板處理系統的控制部之電腦上操作，俾藉由該基板處理系統執行前述基板處理方法。
依再另一觀點的本發明之一態樣為一種可讀取之電腦記錄媒體，儲存有前述程式。 [發明之效果]
依本發明，可將藉由黏接構件接合而成的重合基板適當地剝離成被處理基板與支撐基板。
以下，一面參照圖式，一面針對本發明之實施態樣進行說明。在本說明書及圖式中，對於具有實質上同一功能構成之要素標註同一符號，藉以省略重複之說明。
首先，就本發明之第一實施態樣進行說明。圖1係示意地顯示依第一實施態樣的基板處理系統1之概略構成的俯視圖。在以下之說明中，為了使位置關係明確，界定出互相垂直的X軸方向、Y軸方向及Z軸方向，並且以Z軸正方向為鉛直向上方向。
本實施態樣之基板處理系統1，對於如圖2所示般地藉由作為黏接構件之黏接膠帶B將作為被處理基板之被處理晶圓W、與作為支撐基板之支撐晶圓S兩者接合而成的重合晶圓T進行處理。以下，在被處理晶圓W當中，將藉由黏接膠帶B與支撐晶圓S接合之面稱為「接合面Wj」，將和該接合面Wj相反之側的面稱為「非接合面Wn。同樣地，在支撐晶圓S當中，將藉由黏接膠帶B與被處理晶圓W接合之面稱為「接合面Sj」，將和接合面Sj相反之側的面稱為「非接合面Sn」。在以下之說明中，有時將從重合晶圓T卸除支撐晶圓S後之狀態者亦稱為重合晶圓T。
又，本實施態樣之基板處理系統1如後述般進行安裝處理，亦即在重合晶圓T貼附晶片貼覆膜D(DAF：Die Attach Film)與切割膠帶P，並且固定於切割框F。具體而言，係在重合晶圓T之被處理晶圓W貼附晶片貼覆膜D，進一步在晶片貼覆膜D貼附切割膠帶P。在以下之說明中，有時將固定於切割框F之狀態者亦稱為重合晶圓T。
黏接膠帶B如圖3所示般具有例如三層構造，亦即在基材膠帶Bp之兩面貼附有黏接層Bw、Bs。黏接層Bw黏接於被處理晶圓W，黏接層Bs黏接於支撐晶圓S。黏接層Bw、Bs當中，被處理晶圓W側之黏接層Bw具有會因為遇熱而起泡以致黏接性(黏接力)降低的性質。另一方面，支撐晶圓S側之黏接層Bs則不會因為遇熱而起泡，可維持其黏接性。
被處理晶圓W例如為矽晶圓或化合物半導體晶圓等之半導體晶圓。被處理晶圓W在其接合面Wj形成有複數之電子電路(元件)。
支撐晶圓S具有和被處理晶圓W之直徑大致相同的直徑，係支撐該被處理晶圓W者。又，支撐晶圓S採用例如矽晶圓。
晶片貼覆膜D在其兩面皆具有黏接性，係在堆疊複數片被處理晶圓W之際將該被處理晶圓W彼此接合者。亦即，晶片貼覆膜D將一被處理晶圓W當中如後述般受到研磨之非接合面Wn、與堆疊到該一被處理晶圓W的被處理晶圓W之接合面Wj兩者加以接合。
切割膠帶P僅在其單面具有黏接性，且在該單面貼附有晶片貼覆膜D。又，切割膠帶P具有相較於黏接膠帶B為高之延伸性。切割框F係將藉由晶片貼覆膜D被貼附在被處理晶圓W之切割膠帶P加以固定者，由例如金屬製成。
如圖1所示，基板處理系統1具有連接設置下述構件而得之構成：搬入站2，將處理前之重合晶圓T收納到晶圓匣盒C內，並以晶圓匣盒為單位將複數之重合晶圓T從外部搬入至基板處理系統1；搬出站3，將處理後之重合晶圓T收納到晶圓匣盒C內，並以晶圓匣盒為單位將複數之重合晶圓T從基板處理系統1搬出至外部；加工裝置4，對於被處理晶圓W之非接合面Wn進行研磨加工；處理裝置5，進行上述安裝處理或將支撐晶圓S剝離之處理等；及搬運站6，在搬入站2、加工裝置4與處理裝置5之間搬運重合晶圓T。搬入站2、搬運站6及加工裝置4在X軸負方向側沿著Y軸方向依此順序並排而配置。搬出站3與處理裝置5在X軸正方向側沿著Y軸方向依此順序並排而配置。
在搬入站2設有匣盒載置台10。圖示之例子當中，在匣盒載置台10將複數例如兩個晶圓匣盒C沿著X軸方向任意載置成一列。
搬出站3也具有和搬入站2同樣之構成。亦即，在搬出站3設有匣盒載置台20，並在匣盒載置台20將例如兩個晶圓匣盒C沿著X軸方向任意載置成一列。
加工裝置4具備例如下述單元等：研磨單元，作為研磨部，將被處理晶圓W之非接合面Wn進行研磨；及清洗單元，將被處理晶圓W之非接合面Wn或支撐晶圓S之非接合面Sn加以清洗。加工裝置4對於非接合面Wn進行研磨加工，且其構成可為任意之構成。又，研磨單元或清洗單元分別採用公知的裝置。
處理裝置5係將作為固定部之固定單元30、熱處理單元31、以及作為剝離部之剝離單元32設在同一裝置內而成者。在固定單元30進行安裝處理，亦即在重合晶圓T貼附切割膠帶P，並且將該重合晶圓T固定於切割框F。在熱處理單元31進行熱處理作為在剝離單元32之剝離處理的前處理。在剝離單元32進行剝離處理，亦即將重合晶圓T剝離成被處理晶圓W與支撐晶圓S。然後，處理裝置5將進行各種處理後之重合晶圓T搬運至搬出站3之晶圓匣盒C。又，固定單元30與剝離單元32分別採用公知的裝置。熱處理單元31之構成則如後述。
在搬運站6設有晶圓搬運區域40。在晶圓搬運區域40又設有可在沿著X軸方向延伸之搬運通道41上任意移動的晶圓搬運裝置42。晶圓搬運裝置42將重合晶圓T加以固持而搬運，具有例如兩支搬運臂43、43。各搬運臂43以可在水平方向、鉛直方向上任意移動，並且繞著水平軸及鉛直軸而任意移動之方式構成。又，搬運臂43之構成不限於本實施態樣，可形成任意之構成。
在以上之基板處理系統1設有控制裝置50。控制裝置50例如為電腦，具有程式儲存部(未圖示)。程式儲存部儲存有對於基板處理系統1中之重合晶圓T的處理進行控制之程式。又，程式儲存部亦儲存有另一種程式，用於控制上述各種處理裝置或搬運裝置等之驅動系統的動作，以實現基板處理系統1之後述晶圓處理。另外，該程式為儲存於電腦可讀取之記錄媒體H的程式，該記錄媒體H例如為電腦可讀取之硬式磁碟片(HD)、軟性磁碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。又，該程式為亦可為從該記錄媒體H安裝於控制裝置50的程式。
接著，就上述處理裝置5之熱處理單元31的構成進行說明。如圖4所示，熱處理單元31具有冷卻部100及加熱部110。
冷卻部100將固定於切割框F之重合晶圓T進行載置。具體而言，冷卻部100抵接於切割膠帶P，亦即在支撐晶圓S朝向上側之狀態下將重合晶圓T進行載置。又，在冷卻部100設有冷卻機構120，藉由該冷卻機構120將被處理晶圓W側冷卻至預定之溫度。冷卻機構120包含例如：冷卻管121，使冷卻水於冷卻部100之內部循環；及冷卻水循環裝置122，使得冷卻水循環到冷卻管121。又，冷卻機構120之構成不限定於此。
加熱部110在載置於冷卻部100的重合晶圓T之上方，以和該重合晶圓T對向之方式設置。加熱部110採用照射出紅外線之紅外線加熱器。
在形成此構成之熱處理單元31中，從加熱部110朝向重合晶圓T照射紅外線R。從加熱部110照射出來之紅外線R會透射過支撐晶圓S，並到達至黏接膠帶B而被吸收。亦即，紅外線R不會到達至被處理晶圓W。然後，黏接膠帶B被此紅外線R加熱至預定之溫度，例如100℃～130℃。如此一來，黏接層Bw因為遇熱而起泡，以致黏接層Bw對於被處理晶圓W之黏接性降低。另一方面，黏接層Bs不會因為遇熱而起泡，黏接層Bs對於支撐晶圓S之黏接性不會降低。因此，如後述般，將重合晶圓T剝離成被處理晶圓W與支撐晶圓S之際，黏接性降低後之黏接層Bw、與被處理晶圓W會適當地被剝離開來。
又，在照射紅外線R之同時，以冷卻部100將被處理晶圓W、晶片貼覆膜D及切割膠帶P冷卻至預定之溫度，例如40℃。如此一來，可抑制被處理晶圓W之元件、晶片貼覆膜D及切割膠帶P分別遭受損壞。
接下來，針對使用如上述構成之基板處理系統1進行的晶圓處理進行說明。
首先，在基板處理系統1之外部的接合裝置(未圖示)中，如圖5(a)所示般地藉由黏接膠帶B將被處理晶圓W與支撐晶圓S加以接合(步驟A1)。然後，在基板處理系統1之外部的切割裝置(未圖示)中，如圖5(b)所示般地利用雷射對於重合晶圓T之被處理晶圓W進行切割處理(步驟A2)。
其後，將收納了複數之重合晶圓T的晶圓匣盒C搬入至基板處理系統1，並載置於搬入站2之匣盒載置台10。
接著，藉由晶圓搬運裝置42取出晶圓匣盒C內之重合晶圓T，並搬運至加工裝置4。在加工裝置4中，如圖5(c)所示般地在被處理晶圓W之非接合面Wn朝向上側的狀態下，將該非接合面Wn進行研磨加工(步驟A3)。
接下來，藉由晶圓搬運裝置42將重合晶圓T搬運至處理裝置5。在處理裝置5中，首先在固定單元30進行安裝處理。如圖5(d)所示般地在被處理晶圓W之非接合面Wn朝向上側的狀態下，在該非接合面Wn貼附切割膠帶P，並藉由該切割膠帶P固定於切割框F(步驟A4)。
接下來，藉由處理裝置5內之搬運裝置(未圖示)將重合晶圓T搬運至熱處理單元31。此時，重合晶圓T由於設計成在熱處理時支撐晶圓S之非接合面Sn朝向上側，因此在熱處理之前藉由翻轉機構(未圖示)加以翻轉過來。
在熱處理單元31中，如圖4及圖5(e)所示般地將重合晶圓T載置於冷卻部100。接著，從加熱部110朝向重合晶圓T照射紅外線R，並且藉由冷卻部100對於被處理晶圓W、晶片貼覆膜D及切割膠帶P進行冷卻(步驟A5)。
在步驟A5中，黏接膠帶B被紅外線R加熱至預定之溫度，例如100℃～130℃。如此一來，黏接層Bw起泡，其對於被處理晶圓W之黏接性降低。另一方面，黏接層Bs不會因為遇熱而起泡，其對於支撐晶圓S之黏接性不會降低。又，來自黏接層Bw之起泡成分被基材膠帶Bp遮蔽起來，並不會侵入到黏接層Bs。
又，在此黏接膠帶B被加熱時，被處理晶圓W、晶片貼覆膜D及切割膠帶P分別被冷卻部100冷卻至預定之溫度，例如40℃，藉此抑制遭受損壞。
接著，藉由處理裝置5內之搬運裝置(未圖示)將重合晶圓T搬運至剝離單元32。在剝離單元32中，如圖5(f)所示般地在支撐晶圓S之非接合面Sn朝向上側的狀態下，將該支撐晶圓S加以剝離(步驟A6)。此時，經過步驟A5的熱處理之後，黏接膠帶B之黏接層Bs維持了黏接性，但黏接層Bw起泡而黏接性降低。因此，以被處理晶圓W當中與黏接層Bw之接合面Wj為分界線，而將貼附了黏接膠帶B的支撐晶圓S從被處理晶圓W適當地剝離開來。
其後，將施加了全部處理之後的重合晶圓T，亦即固定於切割框F之被處理晶圓W搬運至搬出站3之匣盒載置台20的晶圓匣盒C，再將晶圓匣盒C從基板處理系統1搬出去。
然後，在基板處理系統1之內部或外部的去除裝置(未圖示)中，將殘留於被處理晶圓W之接合面Wj的黏接膠帶B加以去除。又，如上所述，步驟A6係在剝離單元32中使得黏接層Bw起泡，而將貼附了黏接膠帶B的支撐晶圓S從被處理晶圓W剝離開來。因此，在被處理晶圓W未殘留黏接膠帶B時，則省略此去除處理。
接下來，在基板處理系統1之外部的延伸裝置(未圖示)中，如圖5(g)所示般地對於被處理晶圓W進行延伸處理，藉由使切割膠帶P擴張，以分割成個別之晶片(步驟A7)。以此方式，本實施態樣之一連串的晶圓處理便結束。
依本實施態樣，藉由在步驟A5從加熱部110照射紅外線R，以將黏接膠帶B加熱至預定之溫度，而使黏接層Bw起泡以降低黏接性。如此一來，可在步驟A6將被處理晶圓W與支撐晶圓S適當地剝離開來。
而且，由於在步驟A5使用紅外線R，因此即便支撐晶圓S為矽晶圓，仍可讓該紅外線R透射過去，而將黏接膠帶B適當地加熱。如前述，藉由採用矽晶圓作為支撐晶圓S，可提高在步驟A1中將被處理晶圓W與支撐晶圓S接合之後的重合晶圓T之厚度的面內均一性。進而，藉由採用紅外線加熱器作為加熱部110，並採用矽晶圓作為支撐晶圓S，可抑制各自的成本，亦可使得製造成本低廉化。
又，由於在步驟A5藉由加熱部110對黏接膠帶B加熱之同時，也藉由冷卻部100對於被處理晶圓W、晶片貼覆膜D及切割膠帶P進行冷卻，因此可抑制該被處理晶圓W之元件、晶片貼覆膜D及切割膠帶P分別遭受損壞。
接下來，針對依本發明之第二實施態樣的基板處理系統進行說明。圖6係示意地顯示依第二實施態樣的基板處理系統200之概略構成的俯視圖。
基板處理系統200相對於第一實施態樣的基板處理系統1之構成，更具有作為切割部之切割裝置210。切割裝置210配置於例如晶圓搬運區域40之X軸負方向側。切割裝置210使用雷射對於重合晶圓T之被處理晶圓W進行切割處理。
在使用基板處理系統200時，可採用在第一實施態樣中顯示於圖5之順序進行晶圓處理。此時，可使用基板處理系統200之內部的切割裝置210，進行在第一實施態樣中於基板處理系統1之外部實施的切割處理，亦即步驟A2。
又，在使用基板處理系統200時，以顯示於圖7之順序進行晶圓處理亦可。在圖7所示之晶圓處理中，使得在第一實施態樣中顯示於圖5之步驟A2(切割處理)與步驟A3(研磨加工處理)兩者的順序顛倒。亦即，如圖7(b)所示，在加工裝置4中對於被處理晶圓W之非接合面Wn進行研磨加工之後(步驟B2)，再如圖7(c)所示，在切割裝置210中對於被處理晶圓W進行切割處理(步驟B3)。又，本第二實施態樣中之其他步驟A1、A4～A7分別和第一實施態樣中之步驟A1、A4～A7相同。
本實施態樣仍然可具有和第一實施態樣同樣之效果。而且，本實施態樣之基板處理系統200，不論是切割處理或研磨加工處理先進行，均能因應。
接著，就第一實施態樣與第二實施態樣之變形例進行說明。具體而言，係針對熱處理單元31的構成之變形例進行說明。
如圖8所示，熱處理單元31具有作為遮蔽部之遮蔽板300亦可。遮蔽板300俯視觀之以遮蔽住重合晶圓T的方式設置成環狀。又，遮蔽板300之高度位置並未特別限定，例如配置在相較於支撐晶圓S稍微上方。如前述，遮蔽板300設置在加熱部110、與切割膠帶P的露出面Pa(在晶片貼覆膜D與切割框F兩者之間露出來的面)兩者之間。遮蔽板300可採用例如金屬板而使紅外線R反射，或者吸收紅外線R亦可。此時，來自加熱部110之紅外線R被遮蔽板300遮蔽起來，而不會照射至切割膠帶P之露出面Pa。因此，可抑制該露出面Pa遭受損壞。又，晶片貼覆膜D也具有相較於重合晶圓T為大的直徑而具有露出面Da，此時也可抑制該露出面Da遭受損壞。
又，如圖9所示，熱處理單元31具有作為遮蔽部之遮光體310亦可。遮光體310設置成從加熱部110往下方延伸之圓筒狀。遮光體310可採用例如金屬板而使紅外線R反射，或者吸收紅外線R亦可。此時，來自加熱部110之紅外線R被遮光體310遮蔽起來，而俯視觀之不會往重合晶圓T的外方擴散。因此，來自加熱部110之紅外線R不會照射至切割膠帶P之露出面Pa、與晶片貼覆膜D之露出面Da兩者，可抑制該露出面Pa、Da遭受損壞。
另外，如圖10所示，熱處理單元31具有使冷卻部100旋轉之旋轉機構320亦可。此時，在步驟A5中，藉由旋轉機構320使冷卻部100(重合晶圓T)旋轉，同時從加熱部110對黏接膠帶B照射紅外線R。如此一來，可在黏接膠帶B之面內均一地照射紅外線R，而將黏接層Bw均一地加熱而使其均勻地起泡。又，在本例之冷卻部100設有冷卻機構130以取代冷卻機構120。冷卻機構130包含例如：冷卻管131，使冷卻水於冷卻部100之內部流通；及冷卻水供給裝置132，將冷卻水供給到冷卻管131。又，流通於冷卻管131之冷卻水會排出至外部。
另外，在熱處理單元31中，加熱部110以紅外線R將黏接膠帶B進行加熱，但加熱方法不限定於此。例如，使熱板(未圖示)抵接於支撐晶圓S之非接合面Sn，以將黏接膠帶B進行加熱亦可。
於以上之實施態樣，在黏接膠帶B當中，被處理晶圓W側之黏接層Bw因為遇熱而起泡，但支撐晶圓S側之黏接層Bs因為遇熱而起泡亦可。此時，在步驟A6中將支撐晶圓S從被處理晶圓W剝離開來之際，黏接膠帶B殘留於被處理晶圓W之接合面Wj。因此，有必要在基板處理系統1、200之內部或外部的去除裝置中從接合面Wj去除黏接膠帶B。
又，黏接膠帶B當中之黏接層Bw因為遇熱而起泡，但只要黏接層Bw因為遇熱而黏接性降低即可，並不限於起泡。例如，黏接層Bw設計成因為遇熱而軟化以致黏接性降低亦可。
另外，黏接膠帶B具有基材膠帶Bp與黏接層Bw、Bs共三層之構造，但不限定於此。例如，黏接膠帶B之中省略了基材膠帶Bp，而具有黏接層Bw、Bs共兩層之構造亦可。
於以上之實施態樣中，使用矽晶圓亦即支撐晶圓S作為支撐基板，但使用玻璃基板亦可。即便使用玻璃基板作為支撐基板，仍可讓紅外線R透射過去，而將黏接膠帶B進行加熱。
於以上之實施態樣中，在重合晶圓T貼附有晶片貼覆膜D，但會因為產品需要之規格而省略晶片貼覆膜D。即便是此種情形，在熱處理單元31中，為了保護被處理晶圓W之元件與切割膠帶P，仍藉由冷卻部100將被處理晶圓W與切割膠帶P冷卻至預定之溫度。
以上就本發明之實施態樣進行了說明，但本發明不限定於此等例子。只要是所屬技術領域中具有通常知識者，在申請專利範圍所記載之技術思想的範疇內顯然可思及各種變更例或修正例，此等例子當然視為屬於本發明之技術範圍的技術。
1‧‧‧基板處理系統 2‧‧‧搬入站 3‧‧‧搬出站 4‧‧‧加工裝置 5‧‧‧處理裝置 6‧‧‧搬運站 10、20‧‧‧匣盒載置台 30‧‧‧固定單元 31‧‧‧熱處理單元 32‧‧‧剝離單元 40‧‧‧晶圓搬運區域 41‧‧‧搬運通道 42‧‧‧晶圓搬運裝置 43‧‧‧搬運臂 50‧‧‧控制裝置 100‧‧‧冷卻部 110‧‧‧加熱部 120、130‧‧‧冷卻機構 121、131‧‧‧冷卻管 122‧‧‧冷卻水循環裝置 132‧‧‧冷卻水供給裝置 200‧‧‧基板處理系統 210‧‧‧切割裝置 300‧‧‧遮蔽板 310‧‧‧遮光體 320‧‧‧旋轉機構 A1～A7、B2、B3‧‧‧步驟 B‧‧‧黏接膠帶(黏接構件) Bp‧‧‧基材膠帶 Bs、Bw‧‧‧黏接層 C‧‧‧晶圓匣盒 D‧‧‧晶片貼覆膜 F‧‧‧切割框 P‧‧‧切割膠帶 Pa、Da‧‧‧露出面 R‧‧‧紅外線 S‧‧‧支撐晶圓(支撐基板) Sj‧‧‧接合面 Sn‧‧‧非接合面 T‧‧‧重合晶圓(重合基板) W‧‧‧被處理晶圓(被處理基板) Wj‧‧‧接合面 Wn‧‧‧非接合面 X、Y、Z‧‧‧軸
【圖1】係示意地顯示依第一實施態樣的基板處理系統之概略構成的俯視圖。 【圖2】係顯示重合晶圓之概略構成的側視圖。 【圖3】係顯示黏接膠帶之概略構成的側視圖。 【圖4】係顯示熱處理單元之概略構成的側視圖。 【圖5】(a)～(g)係顯示在第一實施態樣中進行晶圓處理之主要步驟時的重合晶圓之樣子的圖式。 【圖6】係示意地顯示依第二實施態樣的基板處理系統之概略構成的俯視圖。 【圖7】(a)～(g)係顯示在第二實施態樣中進行晶圓處理之主要步驟時的重合晶圓之樣子的圖式。 【圖8】係顯示依另一實施態樣的熱處理單元之概略構成的側視圖。 【圖9】係顯示依另一實施態樣的熱處理單元之概略構成的側視圖。 【圖10】係顯示依另一實施態樣的熱處理單元之概略構成的側視圖。
31‧‧‧熱處理單元
100‧‧‧冷卻部
110‧‧‧加熱部
120‧‧‧冷卻機構
121‧‧‧冷卻管
122‧‧‧冷卻水循環裝置
B‧‧‧黏接構件
D‧‧‧晶片貼覆膜
F‧‧‧切割框
P‧‧‧切割膠帶
R‧‧‧紅外線
S‧‧‧支撐晶圓(支撐基板)
T‧‧‧重合晶圓(重合基板)
W‧‧‧被處理晶圓(被處理基板)
X、Y、Z‧‧‧軸

Claims (18)

  1. 一種基板處理系統，其處理之對象為重合基板，該重合基板係藉由遇到熱則黏接性會降低之黏接構件將被處理基板與支撐基板兩者接合而成的； 該基板處理系統包含： 加熱部，在將該被處理基板與該支撐基板剝離開來之際，對該支撐基板側進行加熱；及 冷卻部，在藉由該加熱部對該支撐基板側進行加熱之際，將該被處理基板側進行冷卻。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中， 在該被處理基板中之和該黏接構件相反之側的非接合面貼附切割膠帶，且該冷卻部將該切割膠帶側進行冷卻。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理系統，其中， 該加熱部使用紅外線對該支撐基板側進行加熱。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板處理系統，更包含： 遮蔽部，設在該被處理基板中之和該黏接構件相反之側的非接合面上所貼附著之切割膠帶的露出面、與該加熱部兩者之間，且將該紅外線遮蔽起來。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板處理系統，其中， 該加熱部係和該重合基板對向而配置，且 該遮蔽部俯視觀之係以包圍該重合基板的方式設置成環狀。
  6. 如申請專利範圍第4項之基板處理系統，其中， 該加熱部係和該重合基板對向而配置，且 該遮蔽部俯視觀之係以來自該加熱部之紅外線不會往該重合基板之外方擴散的方式設置。
  7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之基板處理系統，更包含： 旋轉機構，在藉由該加熱部對該支撐基板側進行加熱，且藉由該冷卻部將該被處理基板側進行冷卻之際，使該重合基板旋轉。
  8. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之基板處理系統，更包含： 研磨部，對該被處理基板中之和該黏接構件相反之側的非接合面進行研磨； 固定部，在以該研磨部研磨過的該非接合面貼附切割膠帶；及 剝離部，將藉由該加熱部對該支撐基板側進行過加熱且藉由該冷卻部將該被處理基板側進行過冷卻的該重合基板，加以剝離成該被處理基板與該支撐基板。
  9. 如申請專利範圍第8項之基板處理系統，更包含： 切割部，將該被處理基板進行切割。
  10. 一種基板處理方法，其處理之對象為重合基板，該重合基板係藉由遇到熱則黏接性會降低之黏接構件將被處理基板與支撐基板兩者接合而成的； 該基板處理方法包含： 熱處理步驟，藉由加熱部對該支撐基板側進行加熱，並且藉由冷卻部將該被處理基板側進行冷卻；及 剝離步驟，在該熱處理步驟之後，將該被處理基板與該支撐基板剝離開來。
  11. 如申請專利範圍第10項之基板處理方法，其中， 在該被處理基板中之和該黏接構件相反之側的非接合面貼附切割膠帶，且 在該熱處理步驟中，該冷卻部將該切割膠帶側進行冷卻。
  12. 如申請專利範圍第10或11項之基板處理方法，其中， 在該熱處理步驟中，該加熱部使用紅外線對該支撐基板側進行加熱。
  13. 如申請專利範圍第12項之基板處理方法，其中， 於該熱處理步驟中，在該被處理基板中之和該黏接構件相反之側的非接合面上所貼附之切割膠帶的露出面、與該加熱部兩者之間，將該紅外線遮蔽起來。
  14. 如申請專利範圍第10至13項中任一項之基板處理方法，其中， 在該熱處理步驟中，一面使該重合基板旋轉，一面藉由該加熱部對該支撐基板側進行加熱，並藉由該冷卻部將該被處理基板側進行冷卻。
  15. 如申請專利範圍第10至14項中任一項之基板處理方法，更包含： 研磨步驟，對該被處理基板中之和該黏接構件相反之側的非接合面進行研磨；及 固定步驟，於該研磨步驟之後，在以該研磨步驟研磨過的該非接合面貼附切割膠帶；且 於該固定步驟之後，依序進行該熱處理步驟與該剝離步驟。
  16. 如申請專利範圍第15項之基板處理方法，更包含： 切割步驟，在該研磨步驟之前、或是在該研磨步驟之後且於該固定步驟之前，切割該被處理基板。
  17. 一種程式，在用來控制一基板處理系統的控制部之電腦上操作，俾藉由該基板處理系統執行申請專利範圍第10至16項中任一項之基板處理方法。
  18. 一種可讀取之電腦記錄媒體，儲存有申請專利範圍第17項之程式。
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