JP6956788B2 - 基板処理方法及び基板処理システム - Google Patents
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Description
本開示は、基板処理方法及び基板処理システムに関する。
近年、半導体装置の小型化や軽量化の要求に応えるため、半導体ウェハなどの基板の第１主表面に素子、回路、端子などを形成した後、基板の第１主表面とは反対側の第２主表面を研削して、基板を薄板化することが行われている。基板の薄板化の際に、基板の第１主表面は、保護テープで保護される。一般に、基板を薄板化した後に、基板のダイシングを行って基板が複数の半導体装置に分割される（例えば特許文献１参照）。
ところで、基板のダイシング手法として、レーザ光を用いて基板内部のみにレーザ加工を行うステルスダイシング（ＳＴＥＡＬＴＨ ＤＩＣＩＮＧ：ＳＤ）が知られている。半導体装置の製造過程において、基板のステルスダイシングを行った後に薄板化を行う場合、従来のように第１主表面に保護テープを貼付した状態で第２主表面を研削すると、各チップを保持する保護テープの剛性が低いため、各チップの相対位置が変動して加工安定性に欠ける虞がある。
本開示は、半導体装置の加工安定性を向上できる基板処理方法及び基板処理システムを提供することを目的とする。
本発明の実施形態の一観点に係る基板処理方法は、基板のデバイス層が形成される側の第１主表面に支持基板を接着する支持基板接着工程と、前記支持基板接着工程にて前記支持基板を接着された前記第１主表面とは反対側の第２主表面から前記基板の内部に破断の起点となる改質層を形成するダイシング工程と、前記ダイシング工程が行われた前記基板の前記第２主表面を研削して前記基板を薄板化する薄板化工程と、前記薄板化工程にて薄板化され前記支持基板に接着されている前記基板の前記第２主表面にＤＡＦ（Ｄｉｅ Ａｔｔａｃｈ Ｆｉｌｍ）を付着するＤＡＦ付着工程と、前記ＤＡＦ付着工程の後に、前記基板を構成する複数のチップ同士の境界に沿って前記支持基板に接着されている前記基板に付着された前記ＤＡＦを分割加工するＤＡＦ分割加工工程と、前記支持基板に接着されている前記基板に付着された前記ＤＡＦに、粘着テープを付着するテープ付着工程と、前記テープ付着工程の後、前記基板から前記支持基板を剥離する支持基板剥離工程と、を有する。
同様に、本発明の実施形態の一観点に係る基板処理システムは、デバイス層が形成される側の第１主表面に支持基板が接着され、前記第１主表面とは反対側の第２主表面から内部に破断の起点となる改質層を形成することが行われた後に前記第２主表面を研削して薄板化された基板について、前記支持基板を保持し、前記支持基板に接着されている前記基板の前記第２主表面にＤＡＦ（Ｄｉｅ Ａｔｔａｃｈ Ｆｉｌｍ）を付着するＤＡＦ付着部と、前記ＤＡＦ付着部にて前記ＤＡＦが付着された前記基板を構成する複数のチップ同士の境界に沿って、前記支持基板に接着されている前記基板に付着された前記ＤＡＦを分割加工するＤＡＦ分割加工部と、前記支持基板に接着されている前記基板の前記第２主表面に付着された前記ＤＡＦに、粘着テープを付着する粘着テープ付着部と、前記ＤＡＦ付着部と、前記ＤＡＦ分割加工部と、前記粘着テープ付着部との間で、前記支持基板に接着されている前記基板を搬送する搬送装置と、前記粘着テープ付着部にて前記粘着テープが付着された前記基板から前記支持基板を剥離する支持基板剥離部と、を備える。
本開示によれば、半導体装置の加工安定性を向上できる基板処理方法及び基板処理システムを提供することができる。
以下、添付図面を参照しながら実施形態について説明する。説明の理解を容易にするため、各図面において同一の構成要素に対しては可能な限り同一の符号を付して、重複する説明は省略する。
［実施形態］
図１〜図１３を参照して実施形態を説明する。なお、以下の説明において、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向は互いに垂直な方向であり、Ｘ方向およびＹ方向は水平方向、Ｚ方向は鉛直方向である。鉛直軸を回転中心とする回転方向をθ方向とも呼ぶ。
図１〜図１３を参照して実施形態を説明する。なお、以下の説明において、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向は互いに垂直な方向であり、Ｘ方向およびＹ方向は水平方向、Ｚ方向は鉛直方向である。鉛直軸を回転中心とする回転方向をθ方向とも呼ぶ。
＜基板処理システム＞
図１は、実施形態に係る基板処理システム１を示す平面図である。基板処理システム１は、基板１０のダイシング、基板１０の薄板化、基板１０へのＤＡＦの付着、チップ同士の間隔の拡大、基板１０のマウントなどを行う。基板処理システム１は、搬入出ステーション２０と、処理ステーション３０と、制御装置９０とを備える。
図１は、実施形態に係る基板処理システム１を示す平面図である。基板処理システム１は、基板１０のダイシング、基板１０の薄板化、基板１０へのＤＡＦの付着、チップ同士の間隔の拡大、基板１０のマウントなどを行う。基板処理システム１は、搬入出ステーション２０と、処理ステーション３０と、制御装置９０とを備える。
搬入出ステーション２０には、外部からカセットＣが搬入出される。カセットＣは、複数枚の基板１０をＺ方向に間隔をおいて収容する。搬入出ステーション２０は、載置台２１と、搬送領域２５とを備える。
載置台２１は、複数の載置板２２を備える。複数の載置板２２はＹ方向に一列に配列される。各載置板２２にはカセットＣが載置される。一の載置板２２上のカセットＣは処理前の基板１０を収容し、他の一の載置板２２上のカセットＣは処理後の基板１０を収容してよい。
搬送領域２５は、載置台２１とＸ方向に隣接して配置される。搬送領域２５には、Ｙ方向に延在する搬送路２６と、搬送路２６に沿って移動可能な搬送装置２７とが設けられる。搬送装置２７は、Ｙ方向だけではなく、Ｘ方向、Ｚ方向およびθ方向に移動可能とされてよい。搬送装置２７は、載置板２２に載置されたカセットＣと、処理ステーション３０のトランジション部３５との間で、基板１０の搬送を行う。
処理ステーション３０は、搬送領域３１と、トランジション部３５と、後述の各種の処理部とを備える。尚、処理部の配置や個数は、図１に示す配置や個数に限定されず、任意に選択可能である。また、複数の処理部は、任意の単位で、分散または統合して配置してもよい。
搬送領域３１は、トランジション部３５を基準として、搬送領域２５とはＸ方向反対側に設けられる。トランジション部３５や各種の処理部は、搬送領域３１に離接して設けられ、搬送領域３１を囲むように設けられる。
搬送領域３１には、Ｘ方向に延在する搬送路３２と、搬送路３２に沿って移動可能な搬送装置３３とが設けられる。搬送装置３３は、Ｘ方向だけではなく、Ｙ方向、Ｚ方向およびθ方向に移動可能とされてよい。搬送装置３３は、搬送領域３１に隣接する処理部同士の間で基板１０を搬送する。
制御装置９０は、例えばコンピュータで構成され、図１に示すようにＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）９１と、メモリなどの記憶媒体９２と、入力インターフェース９３と、出力インターフェース９４とを有する。制御装置９０は、記憶媒体９２に記憶されたプログラムをＣＰＵ９１に実行させることにより、各種の制御を行う。また、制御装置９０は、入力インターフェース９３で外部からの信号を受信し、出力インターフェース９４で外部に信号を送信する。
制御装置９０のプログラムは、情報記憶媒体に記憶され、情報記憶媒体からインストールされる。情報記憶媒体としては、例えば、ハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどが挙げられる。尚、プログラムは、インターネットを介してサーバからダウンロードされ、インストールされてもよい。
＜基板処理システムによる処理後の基板＞
図２は、基板処理システム１による処理後の基板１０を示す斜視図である。基板１０は、ダイシング、薄板化、ＤＡＦ１５の付着、チップ１３の間隔の拡大などの処理を施されたうえで、粘着テープ５１を介してフレーム５９に装着される。
図２は、基板処理システム１による処理後の基板１０を示す斜視図である。基板１０は、ダイシング、薄板化、ＤＡＦ１５の付着、チップ１３の間隔の拡大などの処理を施されたうえで、粘着テープ５１を介してフレーム５９に装着される。
粘着テープ５１は、シート基材と、シート基材の表面に塗布された粘着剤とで構成される。粘着テープ５１は、リング状のフレーム５９の開口部を覆うようにフレーム５９に装着され、フレーム５９の開口部において基板１０と貼合される。これにより、フレーム５９を保持して基板１０を搬送でき、基板１０のハンドリング性を向上できる。
粘着テープ５１と基板１０との間には、図２に示すようにＤＡＦ（Ｄｉｅ Ａｔｔａｃｈ Ｆｉｌｍ）１５が設けられてもよい。ＤＡＦ１５は、ダイボンディング用の接着シートである。ＤＡＦ１５は、積層されるチップ同士の接着、チップと基材との接着などに用いられる。ＤＡＦ１５は、導電性、絶縁性のいずれでもよい。
ＤＡＦ１５は、フレーム５９の開口部よりも小さく形成され、フレーム５９の内側に設けられる。ＤＡＦは、基板１０の第２主表面１２の全体を覆う。尚、チップ１３の積層が行われない場合、ＤＡＦ１５は不要であるので、基板１０は粘着テープ５１のみを介してフレーム５９に装着されてよい。
以下、処理ステーション３０に配設される、支持基板接着部４０、ダイシング部１００、薄板化部２００、ＤＡＦ付着部３００、ＤＡＦ分割加工部４００、粘着テープ付着部５１０、支持基板剥離部５２０、エキスパンド部５３０、マウント部５４０、及び洗浄部６００についてこの順で説明する。
＜支持基板接着部＞
図３は、支持基板接着部４０において基板１０に支持基板４１が装着された状態を示す図である。支持基板接着部４０は、基板処理システム１による処理前の基板１０に支持基板４１を接着する。基板１０は、例えばシリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体基板や、サファイア基板などである。処理前の基板１０の第１主表面１１は、格子状に形成された複数のストリートで区画され、区画される領域には予め素子、回路、端子などを含むデバイス層１４が形成されている。
図３は、支持基板接着部４０において基板１０に支持基板４１が装着された状態を示す図である。支持基板接着部４０は、基板処理システム１による処理前の基板１０に支持基板４１を接着する。基板１０は、例えばシリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体基板や、サファイア基板などである。処理前の基板１０の第１主表面１１は、格子状に形成された複数のストリートで区画され、区画される領域には予め素子、回路、端子などを含むデバイス層１４が形成されている。
支持基板４１は、ダイシングや薄板化などの加工が行われる間、基板１０の第１主表面１１を保護して、第１主表面１１に予め形成されたデバイス層１４を保護する。支持基板４１は、基板１０と略同径の平板状の基板であり、基板１０を支持する。支持基板４１は、本実施形態では透過性を有するガラス基板である。なお、支持基板４１は、従来の保護テープなどと比較して相対的に剛性の高いものであればよく、例えばシリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体基板や、サファイア基板などガラス製以外の基板も適用できる。また、支持基板４１は、基板１０を支持する機能を有すると共に、基板処理システム１の各部間で基板１０を搬送するキャリアとしても機能するものである。
支持基板接着部４０は、基板１０のデバイス層１４が形成される側の第１主表面１１に、接着剤を塗布して接着層４２を形成し、接着層４２により支持基板４１を基板１０に接着する。本実施形態では、支持基板接着部４０は、透過性を有する支持基板４１を介して紫外線を接着層４２に照射することによって、接着層４２を硬化させて接着層４２の粘着力を高め、支持基板４１を基板１０に接着する。なお、接着層４２の硬化手法としては紫外線照射以外にも熱やレーザを用いた手法を適用してもよい。また、第１主表面１１に接着剤を塗布するかわりに、支持基板４１側に接着剤を塗布して接着してもよい。
接着層４２の材料としては、紫外線、レーザなどの照射や加熱によって硬化されて粘着力を高めることができ、かつ、硬化した状態で紫外線、レーザなどの照射や加熱によって、さらなる硬化、軟化や改質などを生じて粘着力が弱まり剥離しやすくできる材料を用いることができる。このような材料としては、例えば、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂、熱可塑性樹脂などが挙げられる。接着層４２は、複数の層で構成されてもよい。この場合、一部の層のみを劣化させて剥離しやすくしてもよい。
＜ダイシング部＞
図４は、ダイシング部１００を示す図である。ダイシング部１００は、基板１０のダイシングを行う。ここで、基板１０のダイシングとは、基板１０を複数のチップ１３に分割するための加工を意味し、特に本実施形態では、図４に示すようにレーザ光を用いて基板１０の内部に破断の起点となる改質層１６を形成するステルスダイシング（ＳＤ）を行う。ダイシング部１００は、例えば、基板保持部１１０と、基板加工部１２０と、移動機構部１３０とを有する。
図４は、ダイシング部１００を示す図である。ダイシング部１００は、基板１０のダイシングを行う。ここで、基板１０のダイシングとは、基板１０を複数のチップ１３に分割するための加工を意味し、特に本実施形態では、図４に示すようにレーザ光を用いて基板１０の内部に破断の起点となる改質層１６を形成するステルスダイシング（ＳＤ）を行う。ダイシング部１００は、例えば、基板保持部１１０と、基板加工部１２０と、移動機構部１３０とを有する。
基板保持部１１０は、支持基板４１を介して基板１０を保持する。基板１０は水平に保持されてよい。例えば、基板１０の支持基板４１で保護されている第１主表面１１が下面とされ、基板１０の第２主表面１２が上面とされる。基板保持部１１０は、例えば真空チャックである。
基板加工部１２０は、例えば基板保持部１１０で保持されている基板１０のダイシングを行う。基板加工部１２０は、例えばレーザ発振器１２１と、レーザ発振器１２１からのレーザ光線を基板１０に照射する光学系１２２とを有する。光学系１２２は、レーザ発振器１２１からのレーザ光線を基板１０に向けて集光する集光レンズなどで構成される。
移動機構部１３０は、基板保持部１１０と基板加工部１２０とを相対的に移動させる。移動機構部１３０は、例えば基板保持部１１０をＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向およびθ方向に移動させるＸＹＺθステージ等で構成される。
制御装置９０は、基板加工部１２０および移動機構部１３０を制御して、基板１０を複数のチップ１３に区画するストリートに沿って基板１０のダイシングを行う。本実施形態では、基板１０に対し透過性を有するレーザ光線が用いられる。
尚、支持基板接着部４０およびダイシング部１００は、本実施形態では基板処理システム１の処理ステーション３０に配設されるが、基板処理システム１の外部に設けられてもよい。この場合、基板１０は、ダイシングされたうえで、外部から搬入出ステーション２０に搬入される。
＜薄板化部＞
薄板化部２００（図１参照）は、ダイシングされた基板１０の支持基板４１で保護されている第１主表面１１とは反対側の第２主表面１２を加工することにより、基板１０を薄板化する。ダイシング部１００で分割の起点（改質層１６）を形成する場合、薄板化の過程で基板１０に加工応力が作用することにより、分割の起点から板厚方向にクラックが進展し、基板１０が複数のチップ１３に分割される。薄板化部２００は、例えば図１に示すように、回転テーブル２０１と、基板吸着部としてのチャックテーブル２０２と、粗研削部２１０と、仕上げ研削部２２０と、ダメージ層除去部２３０とを有する。
薄板化部２００（図１参照）は、ダイシングされた基板１０の支持基板４１で保護されている第１主表面１１とは反対側の第２主表面１２を加工することにより、基板１０を薄板化する。ダイシング部１００で分割の起点（改質層１６）を形成する場合、薄板化の過程で基板１０に加工応力が作用することにより、分割の起点から板厚方向にクラックが進展し、基板１０が複数のチップ１３に分割される。薄板化部２００は、例えば図１に示すように、回転テーブル２０１と、基板吸着部としてのチャックテーブル２０２と、粗研削部２１０と、仕上げ研削部２２０と、ダメージ層除去部２３０とを有する。
回転テーブル２０１は、回転テーブル２０１の中心線を中心に回転させられる。回転テーブル２０１の回転中心線の周りには、複数（例えば図１では４つ）のチャックテーブル２０２が等間隔で配設される。
複数のチャックテーブル２０２は、回転テーブル２０１と共に、回転テーブル２０１の中心線を中心に回転する。回転テーブル２０１の中心線は、鉛直とされる。回転テーブル２０１が回転する度に、粗研削部２１０、仕上げ研削部２２０およびダメージ層除去部２３０と向かい合うチャックテーブル２０２が変更される。
チャックテーブル２０２は、支持基板４１を介して基板１０を吸着する。チャックテーブル２０２は、例えば真空チャックである。基板１０は水平に保持されてよい。例えば、基板１０の支持基板４１で保護されている第１主表面１１が下面とされ、基板１０の第２主表面１２が上面とされる。
図５は、薄板化部２００の粗研削部２１０を示す図である。粗研削部２１０は、基板１０の粗研削を行う。粗研削部２１０は、例えば図５に示すように、回転砥石２１１を有する。回転砥石２１１は、その中心線を中心に回転させられる共に下降され、チャックテーブル２０２で保持されている基板１０の上面（つまり第２主表面１２）を加工する。基板１０の上面には研削液が供給される。
仕上げ研削部２２０は、基板１０の仕上げ研削を行う。仕上げ研削部２２０の構成は、粗研削部２１０の構成とほぼ同様である。但し、仕上げ研削部２２０の回転砥石の砥粒の平均粒径は、粗研削部２１０の回転砥石の砥粒の平均粒径よりも小さい。
ダメージ層除去部２３０は、粗研削や仕上げ研削などの研削によって基板１０の第２主表面１２に形成されたダメージ層を除去する。例えば、ダメージ層除去部２３０は、基板１０に対して処理液を供給してウェットエッチング処理を行い、ダメージ層を除去する。尚、ダメージ層の除去方法は特に限定されない。
尚、薄板化部２００は、基板１０の研磨を行う研磨部を有してもよい。研磨部の構成は、粗研削部２１０の構成とほぼ同様である。基板１０の研磨としては、例えばＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）などが挙げられる。また、薄板化部２００は、不純物を捕獲するゲッタリングサイト（例えば結晶欠陥や歪み）を形成するゲッタリング部を有してもよい。チャックテーブル２０２の数は、図１では４つであるが、加工の種類の数に応じて適宜変更される。また、一の加工部（例えばダメージ層除去部２３０）が、複数種類の加工（例えばダメージ層除去とゲッタリングサイト形成）を行ってもよい。
＜ＤＡＦ付着部＞
図６は、ＤＡＦ付着部３００を示す図である。ＤＡＦ付着部３００は、薄板化された基板１０の第２主表面１２に、ＤＡＦ１５を付着する。例えば、ＤＡＦ付着部３００は、薄板化された基板１０の第２主表面１２に、ＤＡＦ１５の材料を含むＤＡＦ用塗布液を塗布するＤＡＦ塗布部３１０を有する。ＤＡＦ塗布部３１０は、例えばＤＡＦ用塗布液を吐出するノズルなどで構成される。
図６は、ＤＡＦ付着部３００を示す図である。ＤＡＦ付着部３００は、薄板化された基板１０の第２主表面１２に、ＤＡＦ１５を付着する。例えば、ＤＡＦ付着部３００は、薄板化された基板１０の第２主表面１２に、ＤＡＦ１５の材料を含むＤＡＦ用塗布液を塗布するＤＡＦ塗布部３１０を有する。ＤＡＦ塗布部３１０は、例えばＤＡＦ用塗布液を吐出するノズルなどで構成される。
ＤＡＦ付着部３００は、ＤＡＦ塗布部３１０の他に、支持基板４１を介して基板１０を保持する基板保持部３１１を有する。基板１０は水平に保持されてよい。例えば基板１０の支持基板４１で保護されている第１主表面１１が下面とされ、基板１０の第２主表面１２が上面とされる。基板保持部３１１は、例えば真空チャックである。
ＤＡＦ塗布部３１０は、基板保持部３１１に対して相対的に移動させられ、基板保持部３１１で保持されている基板１０の第２主表面１２に、ＤＡＦ用塗布液を塗布する。その塗布方法は、特に限定されないが、例えばスピンコート法、インクジェット法、スクリーン印刷法などが挙げられる。
ＤＡＦ用塗布液は、例えば、アクリルやエポキシなどの樹脂と、樹脂を溶かす溶媒とを含み、ボトルに収容される。そのボトルとＤＡＦ塗布部３１０とを接続する配管の途中には、流量調整弁や流量計などが設けられる。
ＤＡＦ用塗布液は、基板１０の第２主表面１２に塗布され、液膜を形成する。その液膜を乾燥することにより、ＤＡＦ１５が形成される。ＤＡＦ用塗布液を用いる場合、その液膜の膜厚を変更することで、ＤＡＦ１５の膜厚を変更できる。また、ＤＡＦ用塗布液のボトルを交換することで、ＤＡＦ１５の材料を簡単に変更できる。
なお、ＤＡＦ付着部３００は、例えば薄板化された基板１０の第２主表面１２に、予めフィルム状に成形されたＤＡＦ１５を貼合させるなど、図６に示す手法以外の手法を用いて基板１０にＤＡＦ１５を付着する構成でもよい。
＜ＤＡＦ分割加工部＞
図７は、ＤＡＦ分割加工部４００を示す図である。ＤＡＦ分割加工部４００は、チップ１３同士の境界線に沿って、ＤＡＦ１５の分割加工を行う。ここで、ＤＡＦ１５の分割加工とは、ＤＡＦ１５を分割するための加工を意味し、ＤＡＦ１５を分割すること、ＤＡＦ１５に分割の起点を形成することを含む。ＤＡＦ分割加工部４００は、例えば、基板保持部４１０と、ＤＡＦ加工部４２０と、移動機構部４３０とを有する。
図７は、ＤＡＦ分割加工部４００を示す図である。ＤＡＦ分割加工部４００は、チップ１３同士の境界線に沿って、ＤＡＦ１５の分割加工を行う。ここで、ＤＡＦ１５の分割加工とは、ＤＡＦ１５を分割するための加工を意味し、ＤＡＦ１５を分割すること、ＤＡＦ１５に分割の起点を形成することを含む。ＤＡＦ分割加工部４００は、例えば、基板保持部４１０と、ＤＡＦ加工部４２０と、移動機構部４３０とを有する。
基板保持部４１０は、支持基板４１を介して基板１０を保持する。基板１０は水平に保持されてよい。例えば、基板１０の支持基板４１で保護されている第１主表面１１が下面とされ、基板１０のＤＡＦ１５と付着された第２主表面１２が上面とされる。基板保持部４１０は、例えば真空チャックである。
ＤＡＦ加工部４２０は、基板保持部４１０で保持されている基板１０と付着されたＤＡＦ１５の分割加工を行う。ＤＡＦ加工部４２０は、例えばレーザ発振器４２１と、レーザ発振器４２１からのレーザ光線をＤＡＦ１５に照射する光学系４２２とを有する。光学系４２２は、レーザ発振器４２１からのレーザ光線をＤＡＦ１５に向けて集光する集光レンズなどで構成される。
移動機構部４３０は、基板保持部４１０とＤＡＦ加工部４２０とを相対的に移動させる。移動機構部４３０は、例えば基板保持部４１０をＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向およびθ方向に移動させるＸＹＺθステージ等で構成される。
制御装置９０は、ＤＡＦ加工部４２０および移動機構部４３０を制御して、チップ１３同士の境界線に沿ってＤＡＦ１５の分割加工を行う。ＤＡＦ１５の内部に破断の起点となる改質層を形成してもよいし、ＤＡＦ１５のレーザ照射面（例えば図７では上面）にレーザ加工溝を形成してもよい。レーザ加工溝は、ＤＡＦ１５を膜厚方向に貫通してもよいし貫通しなくてもよい。
ＤＡＦ１５の内部に改質層を形成する場合、ＤＡＦ１５に対し透過性を有するレーザ光線が用いられる。一方、ＤＡＦ１５のレーザ照射面にレーザ加工溝を形成する場合、ＤＡＦ１５に対し吸収性を有するレーザ光線が用いられる。
尚、ＤＡＦ加工部４２０は、本実施形態ではＤＡＦ１５にレーザ光線を照射するレーザ発振器を有するが、ＤＡＦ１５を切削する切削ブレードを有してもよいし、ＤＡＦ１５の表面にスクライブ溝を形成するスクラバーを有してもよい。
＜粘着テープ付着部＞
図８は、粘着テープ付着部５１０における基板１０および支持基板４１の状態を示す図である。粘着テープ付着部５１０は、ＤＡＦ１５を付着された基板１０の第２主表面１２に粘着テープ５１を付着する。粘着テープ付着部５１０は、例えば図８に示すように、粘着テープ５１の粘着面を上方に向けて台などに載置して、基板１０の第２主表面１２に付着されたＤＡＦ１５の表面を粘着テープ５１の粘着面と貼りあわせることによって、粘着テープ５１を基板１０の第２主表面１２側に付着させる。この場合、図８に示すように、基板１０の支持基板４１で保護されている第１主表面１１が上面とされ、基板１０のＤＡＦ１５と付着された第２主表面１２が下面とされる。
図８は、粘着テープ付着部５１０における基板１０および支持基板４１の状態を示す図である。粘着テープ付着部５１０は、ＤＡＦ１５を付着された基板１０の第２主表面１２に粘着テープ５１を付着する。粘着テープ付着部５１０は、例えば図８に示すように、粘着テープ５１の粘着面を上方に向けて台などに載置して、基板１０の第２主表面１２に付着されたＤＡＦ１５の表面を粘着テープ５１の粘着面と貼りあわせることによって、粘着テープ５１を基板１０の第２主表面１２側に付着させる。この場合、図８に示すように、基板１０の支持基板４１で保護されている第１主表面１１が上面とされ、基板１０のＤＡＦ１５と付着された第２主表面１２が下面とされる。
＜支持基板剥離部＞
図９は、支持基板剥離部５２０における基板１０および支持基板４１の状態を示す図である。支持基板剥離部５２０は、支持基板４１を基板１０から剥離する。基板１０を構成する複数のチップ１３同士の間隔を広げるときに、支持基板４１が妨げとなることを防止できる。
図９は、支持基板剥離部５２０における基板１０および支持基板４１の状態を示す図である。支持基板剥離部５２０は、支持基板４１を基板１０から剥離する。基板１０を構成する複数のチップ１３同士の間隔を広げるときに、支持基板４１が妨げとなることを防止できる。
支持基板剥離部５２０は、例えば支持基板４１を介して紫外線を接着層４２に照射することによって、支持基板接着部４０によって硬化された接着層４２をさらに硬化させて粘着力を低下させる。接着層４２の粘着力が低下した後に、剥離操作によって支持基板４１を基板１０から容易に剥離できる。なお、紫外線照射のかわりに、加熱またはレーザ照射によって接着層４２の粘着力を低下させてもよい。
＜エキスパンド部＞
図１０は、エキスパンド部５３０を示す図である。エキスパンド部５３０は、ＤＡＦ１５を付着された基板１０を構成する複数のチップ１３同士の間隔を広げる。チップ１３同士の間隔を広げることにより、搬送時やピックアップ時のチッピングを抑制できる。
図１０は、エキスパンド部５３０を示す図である。エキスパンド部５３０は、ＤＡＦ１５を付着された基板１０を構成する複数のチップ１３同士の間隔を広げる。チップ１３同士の間隔を広げることにより、搬送時やピックアップ時のチッピングを抑制できる。
エキスパンド部５３０は、例えば、ＤＡＦ１５を介して基板１０と付着された粘着テープ５１を放射状に延伸することにより、チップ１３同士の間隔を広げる粘着テープ延伸部５３５を有する。粘着テープ延伸部５３５は、例えば、粘着テープ外周保持部５３６と、粘着テープ押圧部５３７と、粘着テープ押圧駆動部５３８とを有する。
粘着テープ外周保持部５３６は、粘着テープ５１の外周部を保持する。粘着テープ外周保持部５３６は、例えばリング状に形成される。粘着テープ外周保持部５３６と、粘着テープ外周保持部５３６の内側に配置された基板１０との間には、リング状の隙間が形成される。
粘着テープ押圧部５３７は、粘着テープ外周保持部５３６の内周と、粘着テープ外周保持部５３６で保持されている粘着テープ５１と付着された基板１０の外周との間において、粘着テープ５１を押圧する。粘着テープ押圧部５３７は、例えば円筒状に形成される。
粘着テープ押圧駆動部５３８は、粘着テープ外周保持部５３６と粘着テープ押圧部５３７とを相対的に移動させる。その移動方向は、基板１０の主表面（例えば第１主表面１１）に対し垂直とされ、例えば鉛直方向とされる。粘着テープ押圧駆動部５３８は、シリンダなどで構成される。
制御装置９０は、粘着テープ押圧駆動部５３８を制御して、粘着テープ５１を押圧して粘着テープ５１を放射状に延伸する。これにより、チップ１３同士の間隔を広げることができ、チップ１３同士の間に隙間を形成することができる。
＜マウント部＞
図１１は、マウント部５４０を示す図である。マウント部５４０は、チップ１３同士の間隔が広げられた基板１０を、ＤＡＦ１５および粘着テープ５１を介してフレーム５９に装着する。
図１１は、マウント部５４０を示す図である。マウント部５４０は、チップ１３同士の間隔が広げられた基板１０を、ＤＡＦ１５および粘着テープ５１を介してフレーム５９に装着する。
例えば、マウント部５４０は、フレーム５９を保持するフレーム保持部５４７と、フレーム保持部５４７で保持されているフレーム５９に対し粘着テープ５１およびＤＡＦ１５を介して基板１０を装着する貼合部５４８とを有する。貼合部５４８は、例えば粘着テープ５１のフレーム５９に装着される装着部分５２を平坦に保持する平坦保持部５４９と、平坦保持部５４９とフレーム保持部５４７とを相対的に移動させる移動機構部５５０とを有する。
粘着テープ５１のフレーム５９に装着される装着部分５２は、平坦保持部５４９によって平坦に保持され、フレーム５９と平行に保持されながらフレーム５９に対し相対的に接近させられ、フレーム５９と貼合される。一方、粘着テープ５１のフレーム５９に装着されない余剰部分５３は、カッターなどで切除されてよい。粘着テープ５１のフレーム５９に装着される装着部分５２は、弛まないので、チップ１３同士の間隔を維持できる。
＜洗浄部＞
図１２は、洗浄部６００における基板１０の状態を示す図である。洗浄部６００は、支持基板４１を剥離された基板１０の第１主表面１１を洗浄する。これにより、第１主表面１１に残存していた接着層４２が除去される。
図１２は、洗浄部６００における基板１０の状態を示す図である。洗浄部６００は、支持基板４１を剥離された基板１０の第１主表面１１を洗浄する。これにより、第１主表面１１に残存していた接着層４２が除去される。
＜基板処理方法＞
次に、上記構成の基板処理システム１を用いた基板処理方法について説明する。図１３は、実施形態に係る基板処理方法のフローチャートである。
次に、上記構成の基板処理システム１を用いた基板処理方法について説明する。図１３は、実施形態に係る基板処理方法のフローチャートである。
図１３に示すように基板処理方法は、搬入工程Ｓ１０１と、支持基板接着工程Ｓ１０２と、ダイシング工程Ｓ１０３と、薄板化工程Ｓ１０４と、ＤＡＦ付着工程Ｓ１０５と、ＤＡＦ分割加工工程Ｓ１０６と、テープ付着工程Ｓ１０７と、支持基板剥離工程Ｓ１０８と、エキスパンド工程Ｓ１０９と、マウント工程Ｓ１１０と、テープ切断工程Ｓ１１１と、洗浄工程Ｓ１１２と、搬出工程Ｓ１１３と、を有する。これらの工程は、制御装置９０による制御下で実施される。尚、これらの工程の順序は、図１３に示す順序には限定されない。
搬入工程Ｓ１０１では、搬送装置２７が載置台２１上のカセットＣから処理ステーション３０のトランジション部３５に基板１０を搬送し、次いで、搬送装置３３がトランジション部３５から支持基板接着部４０に基板１０を搬送する。
支持基板接着工程Ｓ１０２では、図３に示すように、支持基板接着部４０が、基板１０のデバイス層１４が形成される側の第１主表面１１に、接着剤を塗布して接着層４２を形成し、接着層４２により支持基板４１を基板１０に接着する。支持基板接着部４０は、例えば支持基板４１を介して紫外線を接着層４２に照射することによって、接着層４２を硬化させて支持基板４１を基板１０に接着する。なお、第１主表面１１に接着剤を塗布するかわりに、支持基板４１側に接着剤を塗布して接着してもよい。
ダイシング工程Ｓ１０３では、図４に示すように、ダイシング部１００が、基板１０を複数のチップ１３に区画するストリートに沿って、基板１０のダイシングを行う。
薄板化工程Ｓ１０４では、図５に示すように、薄板化部２００が、基板１０の支持基板４１で保護された第１主表面１１とは反対側の第２主表面１２を加工することにより、基板１０を薄板化する。このとき、基板１０の第１主表面１１側は、支持基板４１で保持されている。
ＤＡＦ付着工程Ｓ１０５では、図６に示すように、ＤＡＦ付着部３００が、薄板化された基板１０の第２主表面１２にＤＡＦ１５を付着する。例えば、ＤＡＦ付着工程Ｓ１０５では、薄板化された基板１０の第２主表面１２に、ＤＡＦ１５の材料を含むＤＡＦ用塗布液を塗布する。
ＤＡＦ用塗布液は、基板１０の第２主表面１２に塗布され、液膜を形成する。その液膜を乾燥することにより、ＤＡＦ１５が形成される。ＤＡＦ用塗布液を用いる場合、その液膜の膜厚を変更することで、ＤＡＦ１５の膜厚を変更できる。また、ＤＡＦ用塗布液のボトルを交換することで、ＤＡＦ１５の材料を簡単に変更できる。
尚、ＤＡＦ付着工程Ｓ１０５では、ＤＡＦ付着部３００が、薄板化された基板１０の第２主表面１２に、予めフィルム状に成形されたＤＡＦ１５を貼合させてもよい。ＤＡＦ１５が予めフィルム状に成形されるため、基板１０の周囲にＤＡＦ１５が飛散することを防止できる。
ＤＡＦ分割加工工程Ｓ１０６では、図７に示すように、ＤＡＦ分割加工部４００が、チップ１３同士の境界線に沿ってＤＡＦ１５を分割加工する。
尚、ＤＡＦ分割加工工程Ｓ１０６は行われずに、エキスパンド工程Ｓ１０９が行われてもよい。エキスパンド工程Ｓ１０９においてチップ１３同士の間隔を広げることで、チップ１３同士の境界線に沿ってＤＡＦ１５を引き裂くことができる。
本実施形態では、ＤＡＦ分割加工工程Ｓ１０６が、ＤＡＦ付着工程Ｓ１０５の後、エキスパンド工程Ｓ１０９の前に行われる。そのため、引き裂き性の低いＤＡＦ１５が使用可能となるので、ＤＡＦ１５の樹脂の種類の選択肢が広がる。
テープ付着工程Ｓ１０７では、図８に示すように、粘着テープ付着部５１０が、ＤＡＦ１５を付着された基板１０の第２主表面１２に粘着テープ５１を付着する。
支持基板剥離工程Ｓ１０８では、図９に示すように、支持基板剥離部５２０が、支持基板４１を基板１０から剥離する。支持基板剥離部５２０は、例えば支持基板４１を介して紫外線を接着層４２に照射することによって、支持基板接着工程Ｓ１０２にて硬化された接着層４２をさらに硬化させて粘着力を低下させる。接着層４２の粘着力が低下した後に、剥離操作によって支持基板４１を基板１０から容易に剥離できる。なお、紫外線照射のかわりに、加熱またはレーザ照射によって接着層４２の粘着力を低下させてもよい。
エキスパンド工程Ｓ１０９では、図１０に示すように、エキスパンド部５３０が、ＤＡＦ１５と付着された基板１０を構成する複数のチップ１３同士の間隔を広げる。チップ１３同士の間隔を広げることにより、搬送時やピックアップ時のチッピングを抑制できる。
例えばエキスパンド工程Ｓ１０９では、ＤＡＦ１５を介して基板１０と付着された粘着テープ５１を放射状に延伸することにより、チップ１３同士の間隔を広げる。延伸された粘着テープ５１でチップ１３同士の間隔を広げたまま維持できる。
マウント工程Ｓ１１０では、図１１に示すように、マウント部５４０が、チップ１３同士の間隔が広げられた基板１０を、ＤＡＦ１５および粘着テープ５１を介してフレーム５９に装着する。例えば、マウント工程Ｓ１１０では、粘着テープ５１のフレーム５９に装着される装着部分５２を平坦に保持すると共に、粘着テープ５１とフレーム５９とを貼合させる。粘着テープ５１のフレーム５９に装着される装着部分５２は、弛まないので、チップ１３同士の間隔を維持できる。これにより、基板１０は、図３に示すように、チップ１３同士の間隔を広げた状態で、ＤＡＦ１５および粘着テープ５１を介してフレーム５９に保持される。
テープ切断工程Ｓ１１１では、マウント部５４０が、粘着テープ５１にフレーム５９を貼り合せた後に、粘着テープ５１のフレーム５９に装着されない余剰部分５３を、カッターなどで切断する。
洗浄工程Ｓ１１２では、図１２に示すように、洗浄部６００が、支持基板４１を剥離された基板１０の第１主表面１１を洗浄する。これにより、第１主表面１１に残存していた接着層４２が除去される。
搬出工程Ｓ１１３では、搬送装置３３が洗浄部６００からトランジション部３５に基板１０を搬送し、次いで、搬送装置２７がトランジション部３５から載置台２１上のカセットＣに基板１０を搬送する。搬送装置３３や搬送装置２７は、フレーム５９を保持して基板１０を搬送する。カセットＣは、載置台２１から外部に搬出される。外部に搬出された基板１０は、チップ１３ごとにピックアップされる。このようにして、チップ１３およびＤＡＦ１５を含む半導体装置が製造される。
なお、上記の基板処理方法では、例えばチップ１３の積層が行われない場合などでは、ＤＡＦ１５は不要であるので、ＤＡＦ付着工程Ｓ１０５と、ＤＡＦ分割加工工程Ｓ１０６とを行わなくてもよい。この場合、基板処理システム１による処理後の基板１０（図２参照）では、粘着テープ５１と基板１０（チップ１３）との間にＤＡＦ１５が設けらず、基板１０は粘着テープ５１のみを介してフレーム５９に装着される。
次に本実施形態に係る基板処理方法の効果を説明する。基板処理方法は、基板１０のデバイス層１４が形成される側の第１主表面１１に支持基板４１を接着する支持基板接着工程Ｓ１０２と、支持基板接着工程Ｓ１０２にて支持基板４１を接着された第１主表面１１とは反対側の第２主表面１２から基板１０のステルスダイシングを行うダイシング工程Ｓ１０３と、ダイシング工程Ｓ１０３にてステルスダイシングが行われた基板１０の第２主表面１２を研削して基板１０を薄板化する薄板化工程Ｓ１０４と、を有する。
ここで比較例として、例えば特許文献１に記載されるような従来の基板処理方法を考える。従来の基板処理方法では、基板１０の薄板化の際に、基板の第１主表面１１は保護テープで保護されている。図５に図示した本実施形態の薄板化工程Ｓ１０４と関連付けると、チャックテーブル２０２に保護テープを介して基板１０が載置されて第２主表面１２の研削が行われる。
このように基板１０の第１主表面１１のデバイス層１４を保護テープで保護する構成では、本実施形態のように先にダイシング工程Ｓ１０３にて基板１０のステルスダイシングを行い、その後に薄板化工程Ｓ１０４にて基板１０の薄板化を行う場合、各チップ１３を保護する保護テープの剛性が低いため、各チップ１３の相対位置が変動して加工安定性に欠ける虞がある。例えば、薄板化工程Ｓ１０４では、薄板化の過程で基板１０に加工応力が作用することにより、ダイシング工程Ｓ１０３にてステルスダイシングによって基板１０内部に形成された改質層１６（図４参照）から板厚方向にクラックが進展し、基板１０が複数のチップ１３に分割される。このときに、各チップ１３を下方から保持している保護テープが柔らかいため、各チップ１３の基盤が不安定となり、各チップ１３にコーナークラックが発生しやすい。また、チップ１３のサイズを小型化しようとすると、ダイシング工程Ｓ１０３ではステルスダイシングによる改質層１６の数を増やす必要があるが、個々の改質層１６は基板１０の内部で膨張するので、数を増やし過ぎると改質層１６の膨張の影響で基板１０が湾曲して反ろうとして、剛性の低い保護テープではこの反りを抑えきれない虞がある。
このような問題に対して本実施形態では、従来の保護テープの代わりに支持基板４１を用いて基板１０の第１主表面１１を保護する。支持基板４１は接着材によって基板１０に取り付けられるので、従来の保護テープよりも剛性の高い材料で形成された基板を支持基板４１として適用できる。このため薄板化工程Ｓ１０４では、図５に示すように、従来の保護テープより剛性の高い支持基板４１の上に基板１０が載置された状態で第２主表面１２の研削が行われる。これにより、薄板化の過程で基板１０が複数のチップ１３に分割されても、各チップ１３が硬い支持基板４１の上にあって各チップ１３の基盤が安定するので、各チップ１３にコーナークラックが発生するのを抑制できる。また、ダイシング工程Ｓ１０３においてステルスダイシングによる改質層１６が基板１０の内部で膨張したことによって基板１０が反ろうとしても、従来の保護テープより剛性の高い支持基板４１の上に基板１０が載置された状態でダイシングが行われるので、基板１０の反り発生を良好に抑えることができる。以上より、本実施形態に係る基板処理方法は、半導体装置の加工安定性を向上できる。
また、本実施形態の基板処理方法は、支持基板剥離工程Ｓ１０８にて基板１０から支持基板４１を剥離した後に、エキスパンド工程Ｓ１０９やマウント工程Ｓ１１０を行うので、剛性の高い支持基板４１で基板１０の第１主表面１１を保護してダイシング工程Ｓ１０３や薄板化工程Ｓ１０４を行っても、支持基板４１の剛性の影響を受けることなくエキスパンド工程Ｓ１０９やマウント工程Ｓ１１０を良好に行うことができる。
また、本実施形態の基板処理方法は、ＤＡＦ付着工程Ｓ１０５の後、テープ付着工程Ｓ１０７の前に、チップ１３同士の境界に沿って基板１０に付着されたＤＡＦ１５を分割加工するＤＡＦ分割加工工程Ｓ１０６を行う。事前にＤＡＦ１５を分割しておくことによって、エキスパンド工程Ｓ１０９において複数のチップ１３同士の間隔を広げやすくできる。
また、本実施形態の基板処理方法では、支持基板４１としてガラスで形成されたガラス基板を用いる。ガラス基板は紫外線を透過できるので、接着剤に熱をかけなくても紫外線によって硬化できる。このため、接着層４２の形成や、接着層形成後の粘着力の向上や低下を室温で実施できる。なお、接着剤の硬化を促進するために接着層を加熱してもよい。
［変形例］
図１４を参照して上記実施形態の変形例を説明する。図１４に示すように、基板１０の第１主表面１１に形成されるデバイス層１４に、バンプ１４ａが設けられる場合がある。
図１４を参照して上記実施形態の変形例を説明する。図１４に示すように、基板１０の第１主表面１１に形成されるデバイス層１４に、バンプ１４ａが設けられる場合がある。
特許文献１に記載される従来手法では、バンプ１４ａの上から保護テープが貼付される。この場合、基板１０の第１主表面１１では、バンプ１４ａの有無によって保護テープの表面に凹凸ができる。このため、薄板化工程Ｓ１０４では薄板化された基板１０の第２主表面１２のＴＴＶ（ｔｏｔａｌ ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ ｖａｒｉａｔｉｏｎ）が悪化する。例えば、基板１０のうちバンプ１４ａが有る部分が、バンプ１４ａが無い部分に比べて研削されやすく、研削後の凹凸が大きくなる。また、バンプ１４ａ間に隙間ができるので、研削時にバンプ１４ａ間に研削液が浸入し、研削後の基板１０が汚れる。また、保護テープ表面の平面度が悪いので、薄板化工程Ｓ１０４やダイシング工程Ｓ１０３などにおいて基板１０の吸着不良が生じる虞がある。
このような問題に対して、本実施形態の変形例では、図１３のフローチャートに示した支持基板接着工程Ｓ１０２において、支持基板接着部４０が、図１４に示すように、基板１０の第１主表面１１に接着剤を塗布してバンプ１４ａの隙間を接着剤で埋める。そして、バンプ１４ａの高さより大きく接着層４２を形成して、デバイス層１４の凹凸を埋めて表面を平坦化する。この接着層４２によって支持基板４１を基板１０に接着する。
この構成により、バンプ１４ａ間を接着剤で埋めてデバイス層１４の表面を平坦化できるので、支持基板４１を良好に基板１０の第１主表面１１に隙間なく接着させることができる。これにより、薄板化工程Ｓ１０４では薄板化された基板１０の第２主表面１２のＴＴＶを向上できる。また、薄板化工程Ｓ１０４において基板１０の研削中に研削液がバンプ１４ａ間に浸入することを防止でき、研削後の基板１０が汚れることを防止できる。さらに、従来の保護テープではなく、ガラス基板である支持基板４１がチャックテーブル２０２と当接するので、薄板化工程Ｓ１０４やダイシング工程Ｓ１０３などにおいて基板１０の吸着不良を防止できる。したがって、デバイス層１４の要素の形状や大きさに依存することなく、接着層４２を平坦に形成できるので、支持基板４１を基板１０に確実に接着させることができる。
以上、具体例を参照しつつ本実施形態について説明した。しかし、本開示はこれらの具体例に限定されるものではない。これら具体例に、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本開示の特徴を備えている限り、本開示の範囲に包含される。前述した各具体例が備える各要素およびその配置、条件、形状などは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。前述した各具体例が備える各要素は、技術的な矛盾が生じない限り、適宜組み合わせを変えることができる。
上記実施形態では、基板処理システム１が支持基板接着部４０、ダイシング部１００、薄板化部２００を備える構成を例示したが、支持基板接着部４０、ダイシング部１００、薄板化部２００を基板処理システム１とは別装置にしてもよい。
本国際出願は２０１７年７月６日に出願された日本国特許出願２０１７−１３３０１７号に基づく優先権を主張するものであり、２０１７−１３３０１７号の全内容をここに本国際出願に援用する。
１ 基板処理システム
１０ 基板
１１ 第１主表面
１２ 第２主表面
１３ チップ
１４ デバイス層
１４ａ バンプ
１５ ＤＡＦ（Ｄｉｅ Ａｔｔａｃｈ Ｆｉｌｍ）
４１ 支持基板
４２ 接着層
５１ 粘着テープ
５９ フレーム
Ｓ１０２ 支持基板接着工程
Ｓ１０３ ダイシング工程
Ｓ１０４ 薄板化工程
Ｓ１０５ ＤＡＦ付着工程
Ｓ１０６ ＤＡＦ分割加工工程
Ｓ１０７ テープ付着工程
Ｓ１０８ 支持基板剥離工程
Ｓ１０９ エキスパンド工程
Ｓ１１０ マウント工程
Ｓ１１１ テープ切断工程
Ｓ１１２ 洗浄工程
４０ 支持基板接着部
１００ ダイシング部
２００ 薄板化部
３００ ＤＡＦ付着部
４００ ＤＡＦ分割加工部
５１０ 粘着テープ付着部
５２０ 支持基板剥離部
５３０ エキスパンド部
５４０ マウント部
１０ 基板
１１ 第１主表面
１２ 第２主表面
１３ チップ
１４ デバイス層
１４ａ バンプ
１５ ＤＡＦ（Ｄｉｅ Ａｔｔａｃｈ Ｆｉｌｍ）
４１ 支持基板
４２ 接着層
５１ 粘着テープ
５９ フレーム
Ｓ１０２ 支持基板接着工程
Ｓ１０３ ダイシング工程
Ｓ１０４ 薄板化工程
Ｓ１０５ ＤＡＦ付着工程
Ｓ１０６ ＤＡＦ分割加工工程
Ｓ１０７ テープ付着工程
Ｓ１０８ 支持基板剥離工程
Ｓ１０９ エキスパンド工程
Ｓ１１０ マウント工程
Ｓ１１１ テープ切断工程
Ｓ１１２ 洗浄工程
４０ 支持基板接着部
１００ ダイシング部
２００ 薄板化部
３００ ＤＡＦ付着部
４００ ＤＡＦ分割加工部
５１０ 粘着テープ付着部
５２０ 支持基板剥離部
５３０ エキスパンド部
５４０ マウント部
Claims (10)
- 基板のデバイス層が形成される側の第１主表面に支持基板を接着する支持基板接着工程と、
前記支持基板接着工程にて前記支持基板を接着された前記第１主表面とは反対側の第２主表面から前記基板の内部に破断の起点となる改質層を形成するダイシング工程と、
前記ダイシング工程が行われた前記基板の前記第２主表面を研削して前記基板を薄板化する薄板化工程と、
前記薄板化工程にて薄板化され前記支持基板に接着されている前記基板の前記第２主表面にＤＡＦ（Ｄｉｅ Ａｔｔａｃｈ Ｆｉｌｍ）を付着するＤＡＦ付着工程と、
前記ＤＡＦ付着工程の後に、前記基板を構成する複数のチップ同士の境界に沿って前記支持基板に接着されている前記基板に付着された前記ＤＡＦを分割加工するＤＡＦ分割加工工程と、
前記支持基板に接着されている前記基板に付着された前記ＤＡＦに、粘着テープを付着するテープ付着工程と、
前記テープ付着工程の後、前記基板から前記支持基板を剥離する支持基板剥離工程と、
を有する基板処理方法。 - 前記支持基板剥離工程の後に、前記ＤＡＦが分割された前記基板を構成する複数のチップ同士の間隔を、前記粘着テープを延伸することにより広げるエキスパンド工程と、
前記エキスパンド工程にて前記チップ同士の間隔が広げられた前記基板を、前記粘着テープを介してフレームに装着するマウント工程と、
を有する、請求項１に記載の基板処理方法。 - 前記ＤＡＦ分割加工工程において、前記ＤＡＦにレーザ光線を照射して前記ＤＡＦを分割加工する、
請求項１または２に記載の基板処理方法。 - 前記マウント工程の後に、前記フレームに装着されない前記粘着テープの余剰部分を切断するテープ切断工程を有する、
請求項２に記載の基板処理方法。 - 前記マウント工程の後に、前記支持基板を剥離された前記基板の前記第１主表面を洗浄する洗浄工程を有する、
請求項２に記載の基板処理方法。 - 前記基板の前記第１主表面にバンプが設けられ、
前記支持基板接着工程では、前記基板の前記第１主表面に接着剤を塗布し、前記バンプの高さより大きく接着層を形成し、前記接着層により前記支持基板を前記基板に接着する、
請求項１〜５のいずれか１項に記載の基板処理方法。 - デバイス層が形成される側の第１主表面に支持基板が接着され、前記第１主表面とは反対側の第２主表面から内部に破断の起点となる改質層を形成することが行われた後に前記第２主表面を研削して薄板化された基板について、前記支持基板を保持し、前記支持基板に接着されている前記基板の前記第２主表面にＤＡＦ（Ｄｉｅ Ａｔｔａｃｈ Ｆｉｌｍ）を付着するＤＡＦ付着部と、
前記ＤＡＦ付着部にて前記ＤＡＦが付着された前記基板を構成する複数のチップ同士の境界に沿って、前記支持基板に接着されている前記基板に付着された前記ＤＡＦを分割加工するＤＡＦ分割加工部と、
前記支持基板に接着されている前記基板の前記第２主表面に付着された前記ＤＡＦに、粘着テープを付着する粘着テープ付着部と、
前記ＤＡＦ付着部と、前記ＤＡＦ分割加工部と、前記粘着テープ付着部との間で、前記支持基板に接着されている前記基板を搬送する搬送装置と、
前記粘着テープ付着部にて前記粘着テープが付着された前記基板から前記支持基板を剥離する支持基板剥離部と、
を備える基板処理システム。 - 前記支持基板剥離部にて前記支持基板が剥離された前記基板を構成する複数のチップ同士の間隔を、前記粘着テープを延伸することにより広げるエキスパンド部と、
前記エキスパンド部にて前記チップ同士の間隔が広げられた前記基板を、前記粘着テープを介してフレームに装着するマウント部と、
を備える、請求項７に記載の基板処理システム。 - 前記基板の前記第１主表面に前記支持基板を接着する支持基板接着部と、
前記支持基板接着部にて前記支持基板を接着されている前記基板の前記第２主表面から前記基板の内部に破断の起点となる改質層を形成するダイシング部と、
前記ダイシング部にて前記改質層が形成された前記基板の前記第２主表面を研削して前記基板を薄板化する薄板化部と、
を備える、請求項７または８に記載の基板処理システム。 - 前記ＤＡＦ分割加工部が、前記ＤＡＦにレーザ光線を照射して前記ＤＡＦを分割加工する、
請求項７〜９のいずれか１項に記載の基板処理システム。
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