JP2020202382A - インダクタブリッジおよび電子機器 - Google Patents
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Abstract
Description
図1(A)は第1の実施形態に係るインダクタブリッジの外観斜視図、図1(B)はその分解斜視図である。このインダクタブリッジ101Aは第1回路と第2回路との間をブリッジ接続するための素子である。図1(A)に表れているように、このインダクタブリッジ101Aは、可撓性を有する平板状の素体10、第1コネクタ51および第2コネクタ52を備えている。素体10の内部には、後に述べるインダクタ部が構成されている。第1コネクタ51は、素体10の第1端部に設けられ、第1回路に機械的接触により接続される。第2コネクタ52は、素体10の第2端部に設けられ、第2回路に機械的接触により接続される。第1コネクタ51は本発明に係る「第1接続部」に相当し、第2コネクタ52は本発明に係る「第2接続部」に相当する。
図10(A)は第2の実施形態に係るインダクタブリッジの外観斜視図、図10(B)はその分解斜視図である。このインダクタブリッジ103は、可撓性を有する平板状の素体10、第1コネクタ51および第2コネクタ52を備えている。図10(B)に表れているように、上記素体10は樹脂基材11,12,13,14が積層されることで構成される。樹脂基材12,13にはスパイラル状の導体パターン31,32によるインダクタ部が構成されている。スパイラル状の導体パターン31,32は、樹脂基材12,13の面に垂直方向(素体10の主面に垂直方向)にコイル軸が向くスパイラル状の導体パターンである。
図11(A)は第3の実施形態に係るインダクタブリッジの外観斜視図、図11(B)はその分解斜視図である。このインダクタブリッジ104は、可撓性を有する平板状の素体10、第1コネクタ51および第2コネクタ52を備えている。図11(B)に表れているように、上記素体10は樹脂基材11,12,13,14が積層されることで構成される。樹脂基材12,13にはスパイラル状の導体パターン31,32によるインダクタ部が構成されている。スパイラル状の導体パターン31,32は、樹脂基材12,13の面に垂直方向(素体10の主面に垂直方向)にコイル軸が向くスパイラル状の導体パターンである。
図12(A)は第4の実施形態に係るインダクタブリッジの外観斜視図、図12(B)はその分解斜視図である。このインダクタブリッジ105は、可撓性を有する平板状の素体10、第1コネクタ51および第2コネクタ52を備えている。図12(B)に表れているように、上記素体10は樹脂基材11,12が積層されることで構成される。樹脂基材12には素体の短手方向に延びるミアンダライン状の導体パターン31によるインダクタ部が構成されている。
図13(A)は第5の実施形態に係るインダクタブリッジの外観斜視図、図13(B)はその分解斜視図である。このインダクタブリッジ106は、可撓性を有する平板状の素体10、第1コネクタ51および第2コネクタ52を備えている。図13(B)に表れているように、上記素体10は樹脂基材11,12が積層されることで構成される。樹脂基材11,12には、主面に平行方向にコイル軸が向くヘリカル状の導体パターン31が形成されている。
図14(A)は第6の実施形態に係るインダクタブリッジの外観斜視図、図14(B)はその分解斜視図である。このインダクタブリッジ107は、可撓性を有する平板状の素体10、第1コネクタ51および第2コネクタ52を備えている。図14(B)に表れているように、上記素体10は樹脂基材11,12,13,14が積層されることで構成される。樹脂基材12,13には、主面に垂直方向にコイル軸が向くヘリカル状の導体パターン31,32が形成されている。樹脂基材12には開口APが形成されていて、この開口AP内にフェライト板による磁性体コア70が収納する。すなわち素体10内に磁性体コア70が埋設される。その他は図1(B)や図10(B)に示したものと同じである。
図15(A)は第7の実施形態に係るインダクタブリッジの外観斜視図、図15(B)はその分解斜視図である。このインダクタブリッジ108Aは、可撓性を有する平板状の素体10、第1コネクタ51および第2コネクタ52を備えている。樹脂基材12にはスパイラル状の導体パターン31によるインダクタ部が構成されている。樹脂基材12には配線パターン21が形成されていて、樹脂基材13には配線パターン22が形成されている。配線パターン21の第1端はインダクタ部の導体パターン31の外周端につながり、導体パターン31の内周端はビア導体を介して配線パターン22の第1端につながっている。樹脂基材11にはコネクタ51,52を実装するためのコネクタ実装電極41,42が形成されている。これらコネクタ実装電極41,42はビア導体を介して配線パターン21,22の第2端にそれぞれ接続されている。
図17(A)は第8の実施形態に係るインダクタブリッジの外観斜視図、図17(B)はその分解斜視図である。また、図18はインダクタブリッジ109のインダクタ部の断面図である。このインダクタブリッジ109は、可撓性を有する平板状の素体10、第1コネクタ51および第2コネクタ52を備えている。樹脂基材13にはチップインダクタ39によるインダクタ部が構成されている。樹脂基材12にはチップインダクタ39が収納される開口APが形成されている。樹脂基材13の下面にはチップインダクタ39が接続される配線パターン21,22が形成されていて、樹脂基材11の上面にはコネクタ51,52を実装するためのコネクタ実装電極41,42が形成されている。これらコネクタ実装電極41,42はビア導体を介して配線パターン21,22にそれぞれ接続されている。
図19は第9の実施形態に係る電子機器401の筐体内部の構造を示す図であり、上部筐体191と下部筐体192とを分離して内部を露出させた状態での平面図である。この電子機器401は例えば携帯電話端末やタブレットPCであり、図1に示したインダクタブリッジ101Aを備えたものである。
図20は第10の実施形態に係るインダクタブリッジ110の分解斜視図である。このインダクタブリッジ110は、可撓性を有する平板状の素体、第1コネクタ51および第2コネクタ52を備えている。上記素体は樹脂基材11,12,13,14が積層されることで構成される。
図24は第11の実施形態に係るインダクタブリッジ111の分解斜視図である。このインダクタブリッジ111は、可撓性を有する平板状の素体、第1コネクタ51および第2コネクタ52を備えている。上記素体は樹脂基材11,12,13,14が積層されることで構成される。
図26は第12の実施形態に係るインダクタブリッジ112の分解斜視図である。このインダクタブリッジ112は、可撓性を有する平板状の素体、第1コネクタ51および第2コネクタ52を備えている。上記素体は樹脂基材11,12,13,14が積層されることで構成される。
図29(A)、図29(B)は第13の実施形態に係るインダクタブリッジ113の斜視図である。図29(A)は上面を視た斜視図、図29(B)は下面を視た斜視図である。樹脂基材11の上面にスパイラル状の導体パターン31および配線パターン21,22が形成されていて、その下面に配線パターン23が形成されている。配線パターン23の第1端はスパイラル状の導体パターン31の内周端に、第2端は配線パターン22の端部にそれぞれビア導体を介して接続されている。
図30は第14の実施形態に係る、インダクタブリッジおよびアンテナを備えた高周波回路の回路図である。この例ではアンテナANTの給電ラインに設けるインダクタL1としてインダクタブリッジ114を適用している。
図33は第15の実施形態に係る、インダクタブリッジ115およびアンテナ基板301を備えた高周波回路の構造を示す図である。この例ではアンテナの給電ラインにインダクタブリッジ115を適用している。図33において、アンテナ基板301に接続される第1コネクタ51から遠い方の第2コネクタ52につながる導体パターンとアンテナ基板301との間(図中Aで示す領域)は電位差が大きいので、この部分に生じる寄生容量が小さいことが好ましい。
図35は第16の実施形態に係る、インダクタブリッジ116、アンテナ基板301およびマザー基板201を備えた高周波回路の構造を示す図である。この例ではアンテナの給電ラインにインダクタブリッジ116を適用している。図35において、第2コネクタ52は金属パターン83に接続されていて、アンテナ基板301に接続される第1コネクタ51につながる導体パターンとマザー基板201の金属パターン83との間(図中Aで示す領域)は電位差が大きいので、この部分に生じる寄生容量が小さいことが好ましい。
図37は第17の実施形態に係る、インダクタブリッジ117、アンテナ基板301および金属部材84を備えた高周波回路の構造を示す図である。この例ではアンテナの給電ラインにインダクタブリッジ117を適用している。図37において、アンテナ基板301に接続される第1コネクタ51につながる導体パターンと金属部材(例えばバッテリーパックや液晶表示パネルのシールド板等)84との間(図中Aで示す領域)はアンテナ特性に与える影響が大きいので、この部分に生じる寄生容量が小さいことが好ましい。
図39(A)(B)は第18の実施形態に係るインダクタブリッジ118A,118Bの分解斜視図である。樹脂基材11,12にスパイラル状の導体パターン31,32、配線パターン21,22,23が形成されている。
図40は第19の実施形態に係る、インダクタブリッジ119、アンテナ基板301および金属部材84を備えた高周波回路の構造を示す図である。この例ではアンテナの給電ラインにインダクタブリッジ119を適用している。 図41(A)は、図40に示したインダクタブリッジ119の斜視図、図41(B)はインダクタブリッジ119Aの構造および金属部材84との位置関係を示す分解斜視図である。図41(C)はインダクタブリッジ119Bの構造および金属部材84との位置関係を示す分解斜視図である。図41(B)(C)においては、インダクタブリッジの構造が異なるので、異なった符号を119A,119Bをそれぞれ付している。
図42は、第20の実施形態に係るインダクタブリッジ120、アンテナ基板301および金属部材84を備えた高周波回路の構造を示す図である。この例ではアンテナの給電ラインにインダクタブリッジ120を適用している。 図43(A)はインダクタブリッジ120の斜視図、図43(B)はインダクタブリッジ120の構造および金属部材84との位置関係を示す分解斜視図である。樹脂基材11,12,13にスパイラル状の導体パターン31,32、配線パターン21,22およびコネクタ実装電極41,42が形成されている。樹脂基材11,12,13が積層されて素体10が構成される。第1コネクタ51はアンテナ基板301に接続される。
図46は、第21の実施形態に係るインダクタブリッジ121、アンテナ基板301、金属部材84およびマザー基板201を備えた高周波回路の構造を示す図である。図47はインダクタブリッジ121の斜視図である。この例ではアンテナの給電ラインにインダクタブリッジ121を適用している。
図50(A)は第22の実施形態に係るインダクタブリッジ123の斜視図、図50(B)はその分解斜視図である。このインダクタブリッジ123は第1回路と第2回路との間を2端子コネクタでブリッジ接続するための素子である。図50(A)に表れているように、このインダクタブリッジ123は、可撓性を有する平板状の素体10、第1の2端子コネクタ53および第2の2端子コネクタ54を備えている。
図51(A)は第23の実施形態に係るインダクタブリッジ124の斜視図、図51(B)はその分解斜視図である。図51(B)に表れているように、素体10は樹脂基材11,12,13,14が積層されることで構成される。樹脂基材12,13には導体パターン31,32によるインダクタ部が構成されている。樹脂基材12には配線パターン21,22が形成されていて、樹脂基材14には配線パターン23が形成されている。樹脂基材11にはコネクタ実装電極41,42およびグランド電極40が形成されている。グランド電極40には導電性両面テープ43が貼付されている。
図52(A)は第24の実施形態に係るインダクタブリッジ125の外観斜視図である。図52(B)は第24の実施形態に係るインダクタブリッジ125の分解平面図である。インダクタブリッジ125は屈曲線LOF1で山折り、屈曲線LOF2で谷折りされ、例えば図8に示したような形態で使用される。
図55(A)は第25の実施形態に係るインダクタブリッジ126の斜視図、図55(B)はその分解斜視図である。インダクタブリッジ126は素体10内にインダクタが構成されている。素体10の外面にはコネクタ51,52が設けられている。図55(B)に表れているように、上記素体10は樹脂基材11,12,13,14が積層されることで構成される。樹脂基材12,13の下面には導体パターン31,32によるインダクタ部が構成されている。また、樹脂基材12,13には配線パターン21,22が形成されている。樹脂基材11にはコネクタ実装電極42が形成されていて、樹脂基材14にはコネクタ実装電極41が形成されている。
図57(A)は第26の実施形態に係るインダクタブリッジ127の斜視図、図57(B)はその分解斜視図である。インダクタブリッジ127は素体10内にインダクタが構成されている。素体10の外面にはコネクタ51,52が設けられている。図57(B)に表れているように、上記素体10は樹脂基材11,12,13,14が積層されることで構成される。樹脂基材12,13の下面には導体パターン31,32によるインダクタ部が構成されている。また、樹脂基材12,13には配線パターン21,22が形成されている。樹脂基材11にはコネクタ実装電極42が形成されていて、樹脂基材14にはコネクタ実装電極41が形成されている。
AP…開口
H1,H3…孔
L1…インダクタ
V1〜V5…層間接続導体
10…素体
11,12,13,14…樹脂基材
21,22,23…配線パターン
30…インダクタ部
31,32,33,34,35…導体パターン
39…チップインダクタ
40…グランド電極
41,42…コネクタ実装電極
43…導電性両面テープ
51…第1コネクタ
52…第2コネクタ
53,54…2端子コネクタ
61,62…レジスト層
70…磁性体コア
81,82…シールド導体パターン
83…金属パターン
84…金属部材
91…アンテナ素子パターン
101A〜101D…インダクタブリッジ
102〜107…インダクタブリッジ
108A,108B…インダクタブリッジ
109〜127…インダクタブリッジ
160,161…実装部品
171,181…プリント配線板
172…UHF帯アンテナ
176…カメラモジュール
182…UHF帯アンテナ
183…バッテリーパック
184…ケーブル
191…上部筐体
192…下部筐体
201…マザー基板
202…マザー基板
301…アンテナ基板
302…基板
401…電子機器
Claims (20)
- 第1実装回路部材と第2実装回路部材とをブリッジ接続するための素子であるインダクタブリッジであって、
複数の樹脂基材の積層体からなり、可撓性を有する平板状の素体と、
前記第1実装回路部材に接続される第1接続部と、
前記第2実装回路部材に接続される第2接続部と、
前記素体の前記第1接続部と前記第2接続部との間に接続され、前記複数の樹脂基材の積層方向に巻回軸を有する導体パターンからなるインダクタ部と、
前記第1接続部と前記第2接続部との間に設けられ、前記インダクタ部を前記第1接続部および前記第2接続部に接続する配線パターンと、
を備え、
前記インダクタ部は3層以上の層に亘ってスパイラル状に形成された導体パターンを備え、
前記第1接続部および前記第2接続部の少なくとも一方に経路上最も近い前記導体パターンが近接する前記導体パターンと形成する容量が前記第1接続部および前記第2接続部から経路上離れた前記導体パターンが近接する前記導体パターンと形成する容量と比較して小さい、
インダクタブリッジ。 - 前記第1接続部および前記第2接続部の少なくとも一方に経路上最も近い前記導体パターンの線幅は、前記第1接続部および前記第2接続部から経路上離れた前記導体パターンの線幅より細い、
請求項1に記載のインダクタブリッジ。 - 前記第1接続部および前記第2接続部の少なくとも一方に経路上最も近い前記導体パターンとこの導体パターンに近接する前記導体パターンとの間隔は、前記第1接続部および前記第2接続部から経路上離れた前記導体パターンとこの導体パターンに近接する前記導体パターンとの間隔より大きい、
請求項1又は請求項2に記載のインダクタブリッジ。 - 第1実装回路部材と第2実装回路部材とをブリッジ接続するための素子であるインダクタブリッジであって、
複数の樹脂基材の積層体からなり、可撓性を有する平板状の素体と、
前記第1実装回路部材に接続される第1接続部と、
前記第2実装回路部材に接続される第2接続部と、
前記素体の前記第1接続部と前記第2接続部との間に接続され、前記複数の樹脂基材の積層方向に巻回軸を有する導体パターンからなるインダクタ部と、
前記第1接続部と前記第2接続部との間に設けられ、前記インダクタ部を前記第1接続部および前記第2接続部に接続する配線パターンと、
を備え、
前記インダクタ部は3層以上の層に亘ってスパイラル状に形成された導体パターンを備え、
最も表層に近い前記導体パターンが近接する前記導体パターンと形成する容量が、内層に位置する導体パターンが近接する導体パターンと形成する容量と比較して小さい、
インダクタブリッジ。 - 最も表層に近い前記導体パターンの線幅は、内層に位置する前記導体パターンの線幅より細い、
請求項4に記載のインダクタブリッジ。 - 最も表層に近い前記導体パターンとこの導体パターンに近接する前記導体パターンとの間隔は、内層に位置する導体パターンとこの導体パターンに近接する導体パターンとの間隔より大きい、
請求項4又は請求項5に記載のインダクタブリッジ。 - 前記容量と前記インダクタ部とでローパスフィルタが構成されている、
請求項1ないし請求項6のいずれかに記載のインダクタブリッジ。 - 前記インダクタブリッジは、屈曲部を有している、
請求項1ないし請求項7のいずれかに記載のインダクタブリッジ。 - 前記インダクタ部を構成するための導体パターンは、複数の層に亘って形成され、
隣接する層に形成された導体パターンは、平面視で重ならないように配置されている、
請求項1ないし請求項8のいずれかに記載のインダクタブリッジ。 - 前記第1実装回路部材は、アンテナを有し、
前記アンテナは、前記第1接続部が導通するアンテナ素子パターンにより形成される、
請求項1ないし請求項9のいずれかに記載のインダクタブリッジ。 - 複数の回路間をブリッジ接続するための素子であるインダクタブリッジと、第1実装回路部材と、第2実装回路部材とを備え、前記第1実装回路部材と前記第2実装回路部材とが前記インダクタブリッジを介して接続されている電子機器であって、
前記インダクタブリッジは、
複数の樹脂基材の積層体からなり、可撓性を有する平板状の素体と、
前記第1実装回路部材に接続される第1接続部と、
前記第2実装回路部材に接続される第2接続部と、
前記素体の前記第1接続部と前記第2接続部との間に接続され、前記複数の樹脂基材の積層方向に巻回軸を有する導体パターンからなるインダクタ部と、
前記第1接続部と前記第2接続部との間に設けられ、前記インダクタ部を前記第1接続部および前記第2接続部に接続する配線パターンと、
を備え、
前記インダクタ部は3層以上の層に亘ってスパイラル状に形成された導体パターンを備え、
前記第1接続部および前記第2接続部の少なくとも一方に経路上最も近い前記導体パターンが近接する前記導体パターンと形成する容量が前記第1接続部および前記第2接続部から経路上離れた前記導体パターンが近接する前記導体パターンと形成する容量と比較して小さい、
電子機器。 - 前記第1接続部および前記第2接続部の少なくとも一方に経路上最も近い前記導体パターンの線幅は、前記第1接続部および前記第2接続部から経路上離れた前記導体パターンの線幅より細い、
請求項11に記載の電子機器。 - 前記第1接続部および前記第2接続部の少なくとも一方に経路上最も近い前記導体パターンとこの導体パターンに近接する前記導体パターンとの間隔は、前記第1接続部および前記第2接続部から経路上離れた前記導体パターンとこの導体パターンに近接する前記導体パターンとの間隔より大きい、
請求項11又は請求項12に記載の電子機器。 - 複数の回路間をブリッジ接続するための素子であるインダクタブリッジと、第1実装回路部材と、第2実装回路部材とを備え、前記第1実装回路部材と前記第2実装回路部材とが前記インダクタブリッジを介して接続されている電子機器であって、
前記インダクタブリッジは、
複数の樹脂基材の積層体からなり、可撓性を有する平板状の素体と、
前記第1実装回路部材に接続される第1接続部と、
前記第2実装回路部材に接続される第2接続部と、
前記素体の前記第1接続部と前記第2接続部との間に接続され、前記複数の樹脂基材の積層方向に巻回軸を有する導体パターンからなるインダクタ部と、
前記第1接続部と前記第2接続部との間に設けられ、前記インダクタ部を前記第1接続部および前記第2接続部に接続する配線パターンと、
を備え、
前記インダクタ部は3層以上の層に亘ってスパイラル状に形成された導体パターンを備え、
最も表層に近い前記導体パターンが近接する前記導体パターンと形成する容量が、内層に位置する導体パターンが近接する導体パターンと形成する容量と比較して小さい、
電子機器。 - 最も表層に近い前記導体パターンの線幅は、内層に位置する前記導体パターンの線幅より細い、
請求項14に記載の電子機器。 - 最も表層に近い前記導体パターンとこの導体パターンに近接する前記導体パターンとの間隔は、内層に位置する導体パターンとこの導体パターンに近接する導体パターンとの間隔より大きい、
請求項14又は請求項15に記載の電子機器。 - 前記容量と前記インダクタ部とでローパスフィルタが構成されている、
請求項11ないし請求項16のいずれかに記載の電子機器。 - 前記インダクタブリッジは、屈曲部を有している、
請求項11ないし請求項17のいずれかに記載の電子機器。 - 前記インダクタ部を構成するための導体パターンは、複数の層に亘って形成され、
隣接する層に形成された導体パターンは、平面視で重ならないように配置されている、
請求項11ないし請求項18のいずれかに記載の電子機器。 - 前記第1実装回路部材は、アンテナを有し、
前記アンテナは、前記第1接続部が導通するアンテナ素子パターンにより形成される、
請求項11ないし請求項19のいずれかに記載の電子機器。
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