JP6838328B2 - インダクタおよびインダクタの製造方法 - Google Patents
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Description
(1−1.インダクタの構成)
図1(A)にインダクタ100の断面図、および図1(B)にインダクタ100の断面図を示す。図1(A)に示すように、インダクタ100は、基板110と、磁性体120と、配線130と、を備える。基板110は、第1面(上面)、および第1面(上面)に対向する第2面(下面)を有し、貫通孔(後述する貫通孔115、貫通孔117)を有する。磁性体120は、貫通孔115に設けられる。配線130は、貫通孔117に設けられる。
次に、図1に示したインダクタ100の製造方法を図6乃至図8を用いて説明する。
(2−1.インダクタの構成)
次に、構造の異なるインダクタについて説明する。なお、第1実施形態において示した構造、材料、および方法については、その説明を援用する。
次に、インダクタ1100の製造方法を図10乃至図12に示す。
図14に示すインダクタ2100においては、絶縁層2140および絶縁層2150上に設けられた配線2160および配線2170が蛇状の形状を有している。なお、配線2160および配線2170の少なくとも一方が、蛇状の形状を有してもよいし、渦巻き状の形状を有してもよい。
本実施形態では、第1実施形態、第2実施形態で説明したインダクタを含んだ半導体装置について説明する。
本実施形態では、第3実施形態において説明した半導体装置500を電気機器に適用した例について説明する。
なお、本開示の一実施形態では、貫通孔115に磁性体120、貫通孔117に配線130が設けられる例を述べたが、図20に示すように、貫通孔115および貫通孔117は、必ずしも貫通しない孔でもよい。
Claims (22)
- 第1面、および前記第1面に対向する第2面を有し、第1貫通孔および第2貫通孔を有する基板と、
前記基板の第1貫通孔に設けられた磁性体と、
前記基板の第2貫通孔に設けられ、前記磁性体の周りに渦巻き状に配置される配線と、を備え、
前記磁性体は、中心部に空芯を有する、
インダクタ。 - 前記基板は、石英ガラス基板、ソーダガラス基板、ホウ珪酸ガラス基板、無アルカリガラス基板、サファイア基板のいずれかである、
請求項1に記載のインダクタ。 - 前記磁性体は、複数の磁性体を備える、
請求項1または2に記載のインダクタ。 - 前記磁性体は、直方体、または円柱のうちいずれかを一以上有する、
請求項1乃至3のいずれか一項に記載のインダクタ。 - 前記配線は、第1配線および第2配線を有し、前記第1配線と前記第2配線とは、離間して設けられる、
請求項1乃至4のいずれか一つに記載のインダクタ。 - 前記配線の幅は、10μm以上100μm未満である、
請求項1乃至5のいずれか一つに記載のインダクタ。 - 第1面、および前記第1面に対向する第2面を有し、第1貫通孔、および前記第1貫通孔の両側に配置された第2貫通孔を有する基板と、
前記基板の前記第1貫通孔に設けられた磁性体と、
前記基板の前記第2貫通孔に設けられた第1配線と、
前記基板の前記第1面および前記磁性体上の第1絶縁層と、
前記第1配線および前記第1絶縁層上の第2配線と、
前記基板の前記第2面および前記磁性体上の第2絶縁層と、
前記第1配線および前記第2絶縁層上の第3配線と、を備え、
前記第1配線は、前記第2配線および前記第3配線と接続され、
前記磁性体は、前記第1配線、前記第2配線、および前記第3配線により囲まれ、
前記磁性体は、一以上の前記第1貫通孔に設けられ、
前記磁性体は、前記基板の前記第1面と前記第1絶縁層との間に設けられた第2磁性体、および前記基板の前記第2面と前記第2絶縁層との間に設けられた第3磁性体と接続される
インダクタ。 - 前記基板は、石英ガラス基板、ソーダガラス基板、ホウ珪酸ガラス基板、無アルカリガラス基板、サファイア基板のいずれかである、
請求項7に記載のインダクタ。 - 前記第2配線は、一定の間隔を有して並列に配置され、
前記第3配線は、前記第2配線に対してある角度を有して並列に配置され、
前記第1配線と、前記第2配線と、前記第3配線とが、らせん形状を構成する、
請求項7または8に記載のインダクタ。 - 前記第1配線および前記第2配線の少なくとも一方は、蛇状の形状を有する、
請求項7または8に記載のインダクタ。 - 前記第1配線および前記第2配線の少なくとも一方は、渦巻き状の形状を有する、
請求項7または8に記載のインダクタ。 - 前記第1配線および前記第2配線の少なくとも一方は、
複数の導電層により構成され、前記複数の導電層は、蛇状の形状を有する、
請求項7または8に記載のインダクタ。 - 前記第1配線および前記第2配線の少なくとも一方は、
複数の導電層により構成され、らせん形状を有する、
請求項7または8に記載のインダクタ。 - 前記第1配線の線幅は、10μm以上100μm未満であり、
前記第2配線および前記第3配線の線幅は、5μm以上100μm未満である、
請求項7乃至13のいずれか一つに記載のインダクタ。 - 第1面、および前記第1面に対向する第2面を有する基板に、第1貫通孔を形成し、
前記基板の前記第1貫通孔の周りに、渦巻き状の第2貫通孔を形成し、
前記基板の前記第1面および第2面上に、前記第2貫通孔を塞ぐように、レジストを形成し、
前記第1貫通孔に中心部に空芯を有するように磁性体を形成し、
前記レジストを除去し、
前記第2貫通孔に第1配線を形成することを含み、
前記磁性体は、中心部に空芯を有する、
インダクタの製造方法。 - 前記磁性体を形成することは、複数の磁性体を形成することを含む、
請求項15に記載のインダクタの製造方法。 - 第1面、および前記第1面に対向する第2面を有する基板に、第1貫通孔を形成し、
前記基板の前記第1貫通孔の両側に第2貫通孔を形成し、
前記基板の前記第1面および前記第2面に、前記第2貫通孔を塞ぐように、レジストを形成し、
前記第1貫通孔に磁性体を形成し、
前記レジストを除去し、
前記第2貫通孔に第1配線を形成し、
前記基板の前記第1面、前記磁性体、および前記第1配線上に第1絶縁層を形成し、
前記基板の前記第2面、前記磁性体、および前記第1配線上に第2絶縁層を形成し、
前記第1絶縁層に前記第1配線と重畳するように第1開孔部を形成し、
前記第2絶縁層に前記第1配線と重畳するように第2開孔部を形成し、
前記第1配線と接続するように前記第1開孔部および前記第1絶縁層上に第2配線を形成し、
前記第1配線と接続するように前記第2開孔部および前記第2絶縁層上に第3配線を形成することを含み、
前記第1絶縁層を形成する前に、前記基板の前記第1面上に第2磁性体を形成し、
前記第2絶縁層を形成する前に、前記基板の前記第2面上に第3磁性体を形成し、
前記磁性体と、前記第2磁性体と、前記第3磁性体とを接続する、
インダクタの製造方法。 - 前記基板は、石英ガラス基板、ソーダガラス基板、ホウ珪酸ガラス基板、無アルカリガラス基板、サファイア基板のいずれかである、
請求項15乃至17のいずれか一つに記載のインダクタの製造方法。 - 前記第1貫通孔の孔径は、
10μm以上100μm未満である、
請求項15乃至18のいずれか一つに記載のインダクタの製造方法。 - 前記磁性体は、塗布法により形成される、
請求項15乃至19のいずれか一つに記載のインダクタの製造方法。 - 前記第1配線は、銅を含む、
請求項15乃至20のいずれか一つに記載のインダクタの製造方法。 - 前記第1配線は、めっき法により形成される、
請求項15乃至21のいずれか一つに記載のインダクタの製造方法。
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