JP2016225376A - プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】真空容器内部の処理室内に配置された試料台面に載置された処理対象のウエハを当該処理室内に形成されたプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置または処理方法であって、前記処理中に、前記試料台の内部に配置された第1の電極に供給される第1の高周波電力と前記試料台の前記ウエハが載置される面の外周側に配置された誘電体製のリング状部材の内側に配置された第2の電極に共振回路を介して供給される第2の高周波電力とを調節して前記ウエハを処理する。
【選択図】図1
Description
なお、図1の例では、高周波電源127と導体リング132との間の給電用の経路は、高周波電源124と誘電体膜内の導電体膜111との間の給電用の経路とは別の箇所に配置されている。このような構成に換えて、図2に示すように、整合器129を介して導電体膜111と高周波電源124との間を電気的に接続する給電用の経路上で整合器129と導電体膜111との間で分岐しして負荷インピーダンス可変ボックス130を介して導体リング131との間を電気的に接続する給電用の経路を配置して、導体リング132に高周波電力130を導入する構成を備えても良い。
ΔER=K×(V3×ΔV1)×Ks+B (1)
102…シャワープレート
103…誘電体窓
104…処理室
105…導波管
106…電界発生用電源
107…磁場発生コイル
108…試料台
109…ウエハ
110…真空排気口
111…導電体膜
112…接地
113…サセプタ
116…プラズマ
124…高周波電源
125…高周波フィルター
126…直流電源
127…高周波電源
128…整合器
129…整合器
130…負荷インピーダンス可変ボックス
131…基材
132…導体リング
133…可変コイル
134…可変コンデンサ
135…可変抵抗
136…電圧モニタ
137…電圧モニタ
150…絶縁体
151…上部サセプタ
152…ウエハ
153…絶縁体リング
155…シースアクセス空間
160…イオンシース
161…軌道
170…静電容量
200…可変コイル
210…隙間
220…クロックジェネレータ
331…第2のプラズマ
332…整合器
333…高周波電源。
Claims (10)
- 真空容器内部の処理室内に配置された試料台面に載置された処理対象のウエハを当該処理室内に形成されたプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置であって、
前記試料台の内部に配置され前記処理中に第1の高周波電力が供給される第1の電極と、前記試料台の前記ウエハが載置される面の外周側に配置された誘電体製のリング状部材の内側に配置され前記処理中に共振回路を介して第2の高周波電力が供給される第2の電極と、前記第1及び第2の高周波電力の供給を調節する制御部とを備えたプラズマ処理装置。 - 請求項1に記載のプラズマ処理装置であって、
コイル及びコンデンサが直列に配置された前記共振回路を介して前記第2の高周波電力が供給される前記第2の電極とを備えたプラズマ処理装置。 - 請求項2に記載のプラズマ処理装置であって、
前記コイルのインダクタンスを調節して前記第2の高周波電力の供給を調節する前記制御部とを備えたプラズマ処理装置。 - 請求項2に記載のプラズマ処理装置であって、
前記第2の電極に前記第2の高周波電力を供給する給電経路上において前記コイルと前記第2の電極との間の箇所での電圧を検出した結果を用いて前記コイルのインダクタンスを調節して前記第2の高周波電力の供給を調節する前記制御部とを備えたプラズマ処理装置。 - 請求項2に記載のプラズマ処理装置であって、
前記第2の電極に前記第2の高周波電力を供給する給電経路上において前記コイルと前記第2の電極との間の箇所及の電圧び前記コイルと当該給電経路上に配置された整合器との間の箇所の電圧を検出してこれらの比を所定の許容範囲内の値にするように前記前記コイルのインダクタンスを調節して前記第2の高周波電力の供給を調節する前記制御部とを備えたプラズマ処理装置。 - 真空容器内部の処理室内に配置された試料台面に載置された処理対象のウエハを当該処理室内に形成されたプラズマを用いて処理するプラズマ処理方法であって、
前記処理中に、前記試料台の内部に配置された第1の電極に供給される第1の高周波電力と前記試料台の前記ウエハが載置される面の外周側に配置された誘電体製のリング状部材の内側に配置された第2の電極に共振回路を介して供給される第2の高周波電力とを調節して前記ウエハを処理する工程を備えたプラズマ処理方法。 - 請求項6に記載のプラズマ処理方法であって、
前記工程において、コイル及びコンデンサが直列に配置された前記共振回路を介して前記第2の電極に供給される前記第2の高周波電力が調節されるプラズマ処理方法。 - 請求項7に記載のプラズマ処理方法であって、
前記工程において、前記コイルのインダクタンスが調節されて前記第2の電極へ供給される前記第2の高周波電力が調節されるプラズマ処理方法。 - 請求項7に記載のプラズマ処理装置であって、
前記工程において、前記第2の電極に前記第2の高周波電力を供給する給電経路上の前記コイルと前記第2の電極との間の箇所での電圧を検出した結果を用いて前記コイルのインダクタンスが調節されて前記第2の電極へ供給される前記第2の高周波電力が調節されるプラズマ処理方法。 - 請求項7に記載のプラズマ処理装置であって、
前記工程において、前記第2の電極に前記第2の高周波電力を供給する給電経路上の前記コイルと前記第2の電極との間の箇所及の電圧び前記コイルと当該給電経路上に配置された整合器との間の箇所の電圧を検出してこれらの比を所定の許容範囲内の値にするように前記前記コイルのインダクタンスが調節されて前記第2の電極へ供給される前記第2の高周波電力が調節されるプラズマ処理方法。
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