JP2021180283A - 載置台アセンブリ、基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】エッジリングの消耗による影響を低減させる技術を提供する。【解決手段】基板を載置する載置台アセンブリであって、前記基板を載置する基板載置部と、前記基板の周囲に配置されるエッジリングと、前記エッジリングを載置するエッジリング載置部と、前記エッジリングの下方に配置される誘電率が温度依存性である誘電体と、前記誘電体の温度を調節する温度調節部と、を備える。前記誘電体及び前記温度調節部は、前記エッジリングから離間して設けられる。【選択図】図２

Description

本開示は、載置台アセンブリ、基板処理装置および基板処理方法に関する。
フォーカスリング（エッジリング）が消耗すると、エッジング形状などの基板処理に影響があることが知られている（特許文献１、特許文献２、特許文献３等）。
特開２００７−２５８４１７号公報 特開２００８−２４４２７４号公報 米国特許出願公開第２０１８／３６６３０４号明細書
本開示は、エッジリングの消耗による影響を低減させる技術を提供する。
本開示の一の態様によれば、基板を載置する載置台アセンブリであって、前記基板を載置する基板載置部と、前記基板の周囲に配置されるエッジリングと、前記エッジリングを載置するエッジリング載置部と、前記エッジリングの下方に配置され、誘電率が温度依存性である誘電体と、前記誘電体の温度を調節する温度調節部と、を備え、前記誘電体及び前記温度調節部は、前記エッジリングから離間して配置される載置台アセンブリが提供される。
本開示は、エッジリングの消耗による影響を低減させる技術を提供する。
図１は、第１実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す断面図である。 図２は、第１実施形態に係る基板処理装置のエッジリング周辺の拡大断面図である。 図３は、第１実施形態に係る基板処理装置の誘電体の温度特性を説明する図である。 図４は、第１実施形態に係る基板処理装置のエッジリング周辺の電界分布を示す図である。 図５は、第１実施形態に係る基板処理装置のエッジリング周辺の電界分布を示す図である。 図６は、第１実施形態に係る基板処理装置のエッジリング周辺の電界分布を示す図である。 図７は、第１実施形態に係る基板処理装置の誘電率調整処理のフローチャートである。 図８は、第２実施形態に係る基板処理装置のエッジリング周辺の拡大断面図である。 図９は、第３実施形態に係る基板処理装置のエッジリング周辺の拡大断面図である。
以下、本開示を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号または対応する符号を付することにより重複した説明を省く。なお、理解の容易のため、図面における各部の縮尺は、実際とは異なる場合がある。平行、直角、直交、水平、垂直、上下、左右などの方向には、実施形態の効果を損なわない程度のずれが許容される。角部の形状は、直角に限られず、弓状に丸みを帯びてもよい。平行、直角、直交、水平、垂直には、略平行、略直角、略直交、略水平、略垂直が含まれてもよい。
≪第１実施形態≫
＜基板処理装置１の全体構成＞
まず、図１を参照しながら基板処理装置１の全体構成の一例について説明する。図１は、第１実施形態に係る基板処理装置１の概略構成を示す断面図である。なお、第１実施形態では、基板処理装置１がＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）型の基板処理装置である例について説明する。ただし、基板処理装置１は、プラズマエッチング装置やプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置等であってもよい。
図１において、基板処理装置１は、金属製、例えば、アルミニウム製またはステンレス鋼製の接地された円筒型の処理容器２を有する。該処理容器２内に、基板Ｗを載置する円板状の載置台１０が配設されている。載置台１０は、基台１００と、静電チャック２００と、を備える。基台１００は、下部電極として機能する。基台１００は、例えばアルミニウムからなる。基台１００は、絶縁性の筒状保持部材１２を介して処理容器２の底から垂直上方に延びる筒状支持部１３に支持されている。なお、例えば、載置台１０に対して基板Ｗの方向を上、基板Ｗに対して載置台１０の方向を下、という場合がある。
処理容器２の側壁と筒状支持部１３の間には排気路１４が形成され、排気路１４の入口または途中に環状のバッフル板１５が配設されると共に、底部に排気口１６が設けられ、該排気口１６に排気管１７を介して排気装置１８が接続されている。ここで、排気装置１８は、ドライポンプおよび真空ポンプを有し、処理容器２内の処理空間を所定の真空度まで減圧する。また、排気管１７は可変式バタフライバルブである自動圧力制御弁（ａｕｔｏｍａｔｉｃ ｐｒｅｓｓｕｒｅ ｃｏｎｔｒｏｌ ｖａｌｖｅ）（以下、「ＡＰＣ」という。）を有し、該ＡＰＣは自動的に処理容器２内の圧力制御を行う。さらに、処理容器２の側壁には、基板Ｗの搬入出口１９を開閉するゲートバルブ２０が取り付けられている。なお、排気口１６は、ガス排出口の一例である。
基台１００には、整合部を介して高周波（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ：ＲＦ）電源が接続される。図１の例では、基台１００には、整合部２２ａを介して第１高周波電源２１ａが接続されている。また、基台１００には、整合部２２ｂを介して第２高周波電源２１ｂが接続されている。第１高周波電源２１ａは、所定周波数（例えば４０ＭＨｚ）のプラズマ発生用の高周波電力を基台１００に供給する。第２高周波電源２１ｂは、第１高周波電源２１ａよりも低い所定周波数（例えば、４００ｋＨｚ）のイオン引き込み用の高周波電力を基台１００に供給する。
処理容器２の天井部には、上部電極としても機能するシャワーヘッド２４が配設されている。これにより、基台１００とシャワーヘッド２４の間に、第１高周波電源２１ａおよび第２高周波電源２１ｂからの２つの周波数の高周波電力が供給される。
基台１００は、円板状の中心部１００ａと、中心部１００ａを囲むように形成された環状の外周部１００ｂとを有する。中心部１００ａは、外周部１００ｂに対して図中上方に突出している。基台１００の中心部１００ａの上面には静電吸着力により基板Ｗを吸着する静電チャック２００が設けられている。基台１００と静電チャック２００とは、接着層６０１（図２参照）を介して接着固定される。静電チャック２００の上面は、基板Ｗを載置する基板載置面２００ｓ１である。なお、静電チャック２００は、基板載置部の一例である。
基台１００の外周部１００ｂの上面はエッジリング３００を載置するエッジリング載置面１００ｂ１である。エッジリング載置面１００ｂ１は、基板載置面２００ｓ１の周囲にてエッジリング３００を載置するようになっている。すなわち、エッジリング３００は、基板Ｗの周囲に配置される。基台１００とエッジリング３００は、接着層６００（図２参照）を介して固定される。エッジリング３００は、フォーカスリングともいう。なお、外周部１００ｂは、エッジリング載置部の一例である。
また、静電チャック２００は、導電膜からなる基板吸着用電極板２１０を一対の誘電膜の間に挟み込むことによって構成される。基板吸着用電極板２１０には、直流電源２７が電気的に接続されている。
基台１００とエッジリング３００との間に、いいかえるとエッジリング３００の下方に、誘電率調整部５００を備える。誘電率調整部５００の詳細は、後述する。
なお、載置台１０と、エッジリング３００と、誘電率調整部５００との組み合わせを、載置台アセンブリ５という場合がある。
直流電源２７は、供給する直流電圧のレベルおよび極性の変更が可能とされている。直流電源２７は、後述する制御部４００からの制御により、基板吸着用電極板２１０に直流電圧を印加する。静電チャック２００は、直流電源２７から基板吸着用電極板２１０に印加された電圧によりクーロン力等の静電気力を発生させ、静電気力により静電チャック２００に基板Ｗを吸着保持する。
基台１００の内部には、例えば、円周方向に延在する流路１１０が設けられている。流路１１０には、チラーユニット３２から配管３３、３４を介して所定温度の冷媒、例えば、冷却水が循環供給され、当該冷媒の温度によって静電チャック２００上の基板Ｗの処理温度やエッジリング３００の温度を制御する。なお、冷媒は、流路１１０に循環供給される温度調整用の媒体（温調媒体）の一例である。温調媒体は、基台１００および基板Ｗを冷却するだけでなく、加熱する場合もあり得る。
また、静電チャック２００には、ガス供給ライン３６を介して伝熱ガス供給部３５が接続されている。伝熱ガス供給部３５は、ガス供給ライン３６を用いて、静電チャック２００の基板載置面２００ｓ１と基板Ｗとで挟まれる空間に伝熱ガスを供給する。伝熱ガスとしては、熱伝導性を有するガス、例えば、Ｈｅガス等が好適に用いられる。伝熱ガスを静電チャック２００と基板Ｗとの間供給することにより、プラズマから基板Ｗに入熱した熱を効率よく基台１００に伝熱することができる。
天井部のシャワーヘッド２４は、多数のガス通気孔３７ａを有する下面の電極板３７と、該電極板３７を着脱可能に支持する電極支持体３８とを有する。電極支持体３８の内部にはバッファ室３９が設けられ、バッファ室３９と連通するガス導入口３８ａには、ガス供給配管４１を介して処理ガス供給部４０が接続されている。なお、ガス導入口３８ａは、ガス供給口の一例である。
基板処理装置１の各構成要素は、制御部４００に接続されている。例えば、排気装置１８、第１高周波電源２１ａ、第２高周波電源２１ｂ、整合部２２ａ、整合部２２ｂ、直流電源２７、チラーユニット３２、誘電率調整部５００（温度調節部５２０、図２参照）、伝熱ガス供給部３５および処理ガス供給部４０は、制御部４００に接続されている。制御部４００は、基板処理装置１の各構成要素を制御する。
制御部４００は、図示しない中央処理装置（ＣＰＵ）およびメモリなどの記憶装置を備え、記憶装置に記憶されたプログラムおよび処理レシピを読み出して実行することで、基板処理装置１において所望の処理を実行する。
基板処理装置１では、まずゲートバルブ２０を開状態にして加工対象の基板Ｗを処理容器２内に搬入し、静電チャック２００の上に載置する。そして、基板処理装置１では、処理ガス供給部４０より処理ガス（例えば、Ｃ４Ｆ８ガス、Ｏ２ガスおよびＡｒガスから成る混合ガス）を所定の流量および流量比で処理容器２内に導入し、排気装置１８等により処理容器２内の圧力を所定値にする。
さらに、基板処理装置１では、第１高周波電源２１ａおよび第２高周波電源２１ｂからそれぞれ周波数の異なる高周波電力を基台１００に供給する。また、基板処理装置１では、直流電源２７より直流電圧を静電チャック２００の基板吸着用電極板２１０に印加して、基板Ｗを静電チャック２００に吸着する。シャワーヘッド２４より吐出された処理ガスはプラズマ化され、プラズマ中のラジカルやイオンによって基板Ｗにエッチング処理が施される。
＜誘電率調整部５００＞
次に、誘電率調整部５００について説明する。図２は、第１実施形態に係る基板処理装置１のエッジリング３００周辺の拡大断面図である。
エッジリング３００は、プラズマに露出される上面３００ｓ１と、上面３００ｓ１の反対側の面であるエッジリング載置面１００ｂ１に載置される下面３００ｓ２と、を有する。エッジリング３００は、接着層６００を介してエッジリング載置面１００ｂ１に固定される。エッジリング３００は、下面３００ｓ２に、誘電率調整部５００を収納する凹部３００ａを有する。凹部３００ａは、エッジリング３００を下方から見て円環状に設けられる。凹部３００ａは、上面３００ｓ１側に天井面３００ａ１、基板Ｗ側に側面３００ａ２、基板Ｗと反対側に側面３００ａ３を有する。凹部３００ａは第１凹部の一例である。
誘電率調整部５００は、誘電体５１０と、温度調節部５２０と、を備える。誘電体５１０は、温度調節部５２０の上面に配置される。誘電体５１０と温度調節部５２０は、上方から見て円環状に設けられる。なお、エッジリング３００と誘電率調整部５００とは、取り外し可能に設けられている。
誘電体５１０は、誘電率が温度依存性を有する。誘電体５１０は、例えば、ポリアミドおよびポリアセタールのいずれか一方または両方の組み合わせである。誘電体５１０の誘電率の温度特性について説明する。図３は、第１実施形態に係る基板処理装置１の誘電体５１０の比誘電率の温度特性を説明する図である。図３の横軸は温度、縦軸は比誘電率である。図３は、誘電体５１０としてポリアミドを用いた場合について示している。例えば、誘電体５１０の温度が高くなると、誘電体５１０の比誘電率は大きくなる。したがって、誘電体５１０の温度を制御すると、誘電体５１０の比誘電率、すなわち、誘電率、を制御することができる。
温度調節部５２０は、誘電体５１０の温度を調節する。温度調節部５２０は、例えば、電熱ヒータである。温度調節部５２０の材質は、例えば、セラミックやアルミニウムである。温度調節部５２０が誘電体５１０の温度を調節することにより、誘電体５１０の誘電率を制御することができる。
誘電率調整部５００（誘電体５１０及び温度調節部５２０）は、エッジリング３００と接触しないように、エッジリング３００から離間して配置される。このような構成によれば、処理空間が所定の真空度まで減圧された場合に、誘電率調整部５００とエッジリング３００との間の空間も同様に減圧され、誘電率調整部５００は真空断熱されることとなる。このため、誘電率調整部５００からの伝熱によってエッジリング３００の表面温度が変動し、処理条件に影響が及ぶことを抑制できる。また、プラズマからの入熱により、エッジリング３００を介して誘電体５１０が加熱され、誘電率が変動することを抑制できる。
＜誘電率調整部５００により電界分布の調整＞
次に、誘電率調整部５００を動作させたときの、電界分布の変化をシミュレーションで求めた結果を図４から図６に示す。図４から図６は、第１実施形態に係る基板処理装置１のエッジリング３００周辺の電界分布を示す図である。図４から図６では、電界分布を等電位線により示す。
最初に、エッジリング３００が未使用の状態（消耗していない状態）の場合について説明する。図４は、未使用の状態のエッジリング３００について誘電体５１０の温度を２０℃に設定し、このときの誘電体５１０の比誘電率を４としてシミュレーションを行った場合の結果である。矢印Ｄ１は、基板Ｗの端部側におけるイオンの入射方向を示している。未使用の状態のエッジリング３００において、基板Ｗに垂直に入射するように最適化されている。このため、基板Ｗの中心側と端部側のいずれにおいても、エッチングの形状は垂直となり、品質にばらつきは発生しない。
次に、エッジリング３００が基板処理により消耗した状態の場合について説明する。図５は、エッジリング３００を繰り返し使用して消耗した状態のエッジリング３００について誘電体５１０の温度を２０℃に設定し、このときの誘電体５１０の比誘電率を４としてシミュレーションを行った場合の結果である。なお、消耗した状態のエッジリング３００をエッジリング３０１として、以下説明する。
図５の点線で示した未使用の状態から、エッジリング３００が消耗することにより、エッジリング３０１は、未使用のエッジリング３００と比較して薄くなる。このため、エッジリング３０１の上面３０１ｓ１が、未使用のエッジリング３００の上面３００ｓ１に対して、基台１００側になり、エッジリング３０１の上方の領域Ａの電界分布が基台１００側にシフトする。電界分布が基台１００側にシフトすることにより、基板Ｗの端部側において、矢印Ｄ２に示すように、イオンの入射方向が基板Ｗの内側に傾く。
矢印Ｄ２のように、イオンの入射方向が基板Ｗに対して垂直の方向から内側に傾くと、イオンの入射方向に合わせて、エッチングされる方向も基板Ｗに対して垂直の方向から内側に傾く。したがって、基板Ｗの中心側ではエッチングの形状が垂直のままであるにも関わらず、端部側ではエッチングの形状が内側に傾くこととなる。よって、基板Ｗの中心側と端部側でエッチングの形状が異なり、品質にばらつきが発生する。
そこで、第１実施形態の載置台アセンブリ５において、誘電率調整部５００を用いて、電界分布を調整した結果について説明する。図６は、消耗した状態のエッジリング３０１について誘電体５１０の温度を８０℃に設定し、このときの誘電体５１０の比誘電率を８としてシミュレーションを行った場合の結果である。誘電体５１０の誘電率が高くなることにより、エッジリング３０１の上方の領域Ｂの電界分布が基台１００と反対側にシフトする。電界分布が基台１００と反対側にシフトすることにより、基板Ｗの端部側において、矢印Ｄ３に示すように、イオンの入射角が基板Ｗに対して垂直になる。したがって、基板Ｗの端部側においても、基板Ｗに対して垂直にエッチングされる。よって、基板Ｗの端部側でエッチングの形状の変化を抑制して、基板Ｗの中心側と端部側における品質のばらつきを抑えることができる。
＜誘電率調整部５００の制御＞
次に、基板処理装置１を用いた基板処理方法における制御部４００による誘電率調整部５００の制御方法について説明する。図７は、第１実施形態に係る基板処理装置１の誘電率調整処理のフローチャートである。誘電率調整処理は、任意のタイミングで行うことができる。例えば、所定枚数または所定ロット数の基板Ｗを処理した後、次の基板Ｗの処理を開始するまでの間に行うことができる。また、メンテナンス等の後、基板処理を再開する際に行うこともできる。
（ステップＳ１０）
基板処理装置１の制御部４００は、誘電率調整処理を開始すると、エッジリング３００の消耗度を推定する。エッジリング３００の消耗度を推定する際には、例えば、光学的手法にエッジリング３００の寸法の変化を測定して、制御部４００は寸法の変化からエッジリング３００の消耗度を推定してもよい。また、制御部４００は、エッジリング３００を用いて基板処理を行った処理時間を積算した積算時間、特に、高周波電力を供給した時間を積算した積算時間により、エッジリング３００の消耗度を推定してもよい。さらに、制御部４００は、エッジリング３００を用いて基板処理を行った基板枚数又はロット数により、エッジリング３００の消耗度を推定してもよい。
（ステップＳ２０）
次に、制御部４００は、ステップＳ１０で推定したエッジリング３００の消耗度に基づいて、誘電率調整部５００に設定する誘電率を決定する。例えば、制御部４００は、記憶装置等に保存されたエッジリング３００の消耗度と当該消耗度の場合に最適な誘電率との相関情報を用いて、誘電率調整部５００に設定する誘電率を定める。なお、当該エッジリングの消耗度と当該消耗度の場合に最適な誘電率との相関情報は、試験等を行い定めてもよい。
（ステップＳ３０）
次に、制御部４００は、ステップＳ２０で決定した誘電率に基づいて、誘電率調整部５００の誘電率を制御する。具体的には、制御部４００は、誘電体５１０の誘電率が決定した誘電率になるように、温度調節部５２０を制御する。例えば、制御部４００は、記憶装置等に保存された誘電体５１０の温度と誘電率との相関情報（例えば、図３）を用いて、温度調節部５２０に設定する温度を定める。そして、制御部４００は、当該設定する温度になるように温度調節部５２０を制御する。
なお、ステップＳ２０及びステップＳ３０が、エッジリングの消耗度に応じて温度調節部の温度を調整する工程の一例である。
以上制御方法を用いて基板処理を行うことにより、第１実施形態に係る基板処理装置１において、エッジリング３００の消耗による影響を抑制することができる。
＜作用・効果＞
第１実施形態の載置台アセンブリ５によれば、エッジリング３００の消耗による影響を低減できる。第１実施形態の載置台アセンブリ５は、誘電率調整部５００を備え、誘電体５１０の誘電率を調整することにより、基板Ｗの端部におけるイオンの入射角度を調整することができる。イオンの入射角度を調整することにより、エッジリング３００の消耗による影響を低減できる。さらに、エッジリング３００と誘電率調整部５００が離間して設けられることにより、エッジリング３００と誘電率調整部５００との間での伝熱を抑えて、基板処理への影響を抑えることができる。
また、エッジリング３００の消耗の影響を低減することにより、エッジリング３００を長い期間利用できる。したがって、エッジリング３００の交換周期を長くできる。エッジリングの交換には、時間と手間がかかることから、エッジリング３００の交換周期を長くすることにより、基板処理装置の稼働時間を長くすることができる。また、基板処理装置全体の保守にかかるコストを低減することができる。
≪第２実施形態≫
次に、第２実施形態の基板処理装置について説明する。第２実施形態の基板処理装置は、第１実施形態の基板処理装置１に対して、誘電率調整部５００の取り付けられる位置が異なる。
図８は、第２実施形態に係る基板処理装置のエッジリング３００Ａ周辺の拡大断面図である。第２実施形態に係る基板処理装置は、基台１００Ａのエッジリング載置面１００Ａｂ１に、誘電率調整部５００を収納する凹部１００Ａａを有する。凹部１００Ａａは第２凹部の一例である。
エッジリング３００Ａは、プラズマに露出される上面３００Ａｓ１と、上面３００Ａｓ１の反対側の面であるエッジリング載置面１００Ａｂ１に載置される下面３００ｓ２と、を有する。エッジリング３００は、接着層６００を介してエッジリング載置面１００Ａｂ１に固定される。
凹部１００Ａａは、上方から見て円環状に設けられる。凹部１００Ａａは、エッジリング３００Ａの下面３００Ａｓ２と反対側に底面１００Ａａ１、基板側に側面１００Ａａ２、基板Ｗと反対側に側面１００Ａａ３を有する。
誘電率調整部５００は、エッジリング３００Ａと接触しないように、凹部１００Ａａ内にエッジリング３００Ａと離間して設けられる。誘電率調整部５００は、上方から見て円環状に設けられる。
第２実施形態の基板処理装置は、基板処理への影響を抑えながら、エッジリング３００の消耗による影響を低減できる。さらに、凹部３００ａを有しない従来のエッジリング３００Ａを用いて、エッジリング３００Ａの消耗による影響を低減できる。
なお、第２実施形態の基台１００Ａに載置するエッジリングとして、凹部３００ａを備えるエッジリング３００を用いてもよい。その場合には、凹部３００ａの深さは、適宜変更してもよい。
≪第３実施形態≫
次に、第３実施形態の基板処理装置について説明する。第３実施形態の基板処理装置は、第３実施形態の基板処理装置１に対して、流路１１２Ｂを備える点が異なる。
図９は、第３実施形態に係る基板処理装置のエッジリング３００周辺の拡大断面図である。図９では、他の実施形態と同様に、エッジリング３００は、接着層６００を介してエッジリング載置面１００Ｂｂ１に固定されているが、接着層６００に変えて、伝熱シートを介してエッジリング載置面１００Ｂｂ１に固定されてもよい。第３実施形態に係る基板処理装置は、基台１００Ｂの内部に流路１１２Ｂを備える。流路１１２Ｂは、温度を調節された冷媒を流す流路である。流路１１２Ｂは、エッジリング載置面１００Ｂｂ１のエッジリング３００が載置されている部分の下方に設けられる。流路１１２Ｂを備えることにより、エッジリング３００の温度をより所望の温度に安定させることができる。
第３実施形態の基板処理装置は、基板処理への影響を抑えながら、エッジリング３００の消耗による影響を低減できる。さらに、エッジリング３００の温度をより安定させることができる。エッジリング３００の温度を安定させることにより、基板処理の特性をより安定させることができる。なお、流路１１２Ｂは、温調媒体流路の一例である。
≪変形例≫
今回開示された各実施形態に係る基板処理装置は、すべての点において例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲およびその主旨を逸脱することなく、様々な形態で変形および改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で他の構成も取り得ることができ、また、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
本実施形態の誘電率調整部５００は、エッジリングと離間して設けられるが、誘電率調整部とエッジリングとの間に、断熱部材を備えてもよい。
本実施形態の温度調節部５２０は、電熱ヒータを用いたが、温度調節部は、電熱ヒータに限らない。例えば、赤外線ヒータを用いてよいし、伝熱媒体を用いて温度を調節してもよい。
本実施形態の凹部３００ａ、凹部１００Ａａ、誘電率調整部５００は、円環状に設けたが、例えば、間隔を開けて複数設けてもよい。
本実施形態のエッジリングは、接着層６００又は伝熱シートを介して基台１００に固定されているが、エッジリングを載置する際に、静電チャックを用いてもよい。エッジリング用の静電チャックとしては、基板Ｗ用の静電チャックと一体でもよいし別体でもよい。また、エッジリング用の静電チャックの電極は、単極の電極でもよいし、双極の電極でもよい。なお、双極の場合、プラズマが生成されていないときでも、エッジリングを吸着することができる。さらに、エッジリングを静電チャックで吸着する際には、伝熱ガスをエッジリングと静電チャックとの間に供給してもよい。
本開示の基板処理装置は、Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ（ＣＣＰ）、Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ（ＩＣＰ）、マイクロ波によるプラズマ生成する装置、例えば、Ｒａｄｉａｌ Ｌｉｎｅ Ｓｌｏｔ Ａｎｔｅｎｎａ（ＲＬＳＡ）により生成されたプラズマ、Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ Ｐｌａｓｍａ（ＥＣＲ）、そしてＨｅｌｉｃｏｎ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ（ＨＷＰ）などのどのタイプでも適用可能である。
１ 基板処理装置
５ 載置台アセンブリ
１０ 載置台
１００ 基台
３００ エッジリング
５００ 誘電率調整部
５１０ 誘電体
５２０ 温度調節部
Ｗ 基板

Claims (8)

  1. 基板を載置する載置台アセンブリであって、
    前記基板を載置する基板載置部と、
    前記基板の周囲に配置されるエッジリングと、
    前記エッジリングを載置するエッジリング載置部と、
    前記エッジリングの下方に配置され、誘電率が温度依存性である誘電体と、
    前記誘電体の温度を調節する温度調節部と、
    を備え、
    前記誘電体及び前記温度調節部は、前記エッジリングから離間して配置される、
    載置台アセンブリ。
  2. 前記誘電体は、前記温度調節部の上面に配置される、
    請求項１に記載の載置台アセンブリ。
  3. 前記エッジリングは、下面に前記誘電体と前記温度調節部を収納するための第１凹部を有する、
    請求項１または請求項２に記載の載置台アセンブリ。
  4. 前記エッジリング載置部は、前記誘電体と前記温度調節部を収納する第２凹部を有する、
    請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の載置台アセンブリ。
  5. 前記エッジリング載置部は、前記エッジリングを載置する載置面の下方に、前記エッジリングの温度を調整する温調媒体流路を有する、
    請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の載置台アセンブリ。
  6. 前記誘電体は、ポリアミドおよび／またはポリアセタールである、
    請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の載置台アセンブリ。
  7. ガス供給口およびガス排出口を有する処理容器と、
    前記処理容器内に配置される請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の載置台アセンブリと、
    プラズマを生成するための高周波電源と、
    制御部と、
    を備える、基板処理装置。
  8. 請求項７に記載の基板処理装置を用いた基板処理方法であって、
    前記基板を処理する工程と、
    前記エッジリングの消耗度に応じて、前記温度調節部により前記誘電体の温度を調整する工程と、
    を含む、基板処理方法。
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