JP2013207254A - 荷電粒子ビーム描画装置、検査装置、及び描画データの検査方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の一態様の描画装置100は、試料の描画領域がメッシュ状に分割されたメッシュ領域毎に、照射される荷電粒子ビームの電荷量が定義された、外部より入力された電荷量マップを記憶する記憶部142と、メッシュ領域毎に、電荷量マップに定義された電荷量が閾値以下かどうかを検査する電荷量検査部60と、電荷量マップと組みになる描画データに基づいて、荷電粒子ビームを用いて、試料にパターンを描画する描画部150と、を備える。
【選択図】図1
Description
可変成形型電子線(EB:Electron beam)描画装置は、以下のように動作する。第1のアパーチャ410には、電子線330を成形するための矩形の開口411が形成されている。また、第2のアパーチャ420には、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口421が形成されている。荷電粒子ソース430から照射され、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330は、偏向器により偏向され、第2のアパーチャ420の可変成形開口421の一部を通過して、所定の一方向(例えば、X方向とする)に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340に照射される。すなわち、第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過できる矩形形状が、X方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340の描画領域に描画される。第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式(VSB方式)という。
試料の描画領域がメッシュ状に分割されたメッシュ領域毎に、照射される荷電粒子ビームの電荷量が定義された、外部より入力された電荷量マップを記憶する記憶部と、
メッシュ領域毎に、電荷量マップに定義された電荷量が閾値以下かどうかを検査する電荷量検査部と、
電荷量マップと組みになる描画データに基づいて、荷電粒子ビームを用いて、試料にパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。
プロセス情報と装置仕様情報との少なくとも一方を入力し、かかる一方を用いて相関データを参照して、閾値を検索する検索部と、
をさらに備えると好適である。
試料の描画領域がメッシュ状に分割されたメッシュ領域毎に、照射される荷電粒子ビームの電荷量が定義された、外部より入力された電荷量マップを記憶する記憶部と、
メッシュ領域毎に、電荷量マップに定義された電荷量が閾値以下かどうかを検査する電荷量検査部と、
を備えたことを特徴とする。
複数の図形パターンが定義されたレイアウトデータを描画装置へ入力するための描画データへとデータ変換する工程と、
データ変換する工程と並列に、試料の描画領域がメッシュ状に分割されたメッシュ領域毎に、照射される荷電粒子ビームの電荷量が定義された電荷量マップを作成する工程と、
メッシュ領域毎に、電荷量マップに定義された電荷量が閾値以下かどうかを検査する工程と、
を備えたことを特徴とする。
図1は、実施の形態1における描画システムの構成を示す概念図である。図1において、描画システムは、描画装置100、及び描画データ変換装置500を有している。その他、図示しないパラメータ情報作成ツール等を有してもよい。
(1) D0(i,j)=Dbase・(0.5+η)/(0.5+Mtot(i,j)・η)
(2) D’0(i,j)=Dbase・(0.5+η)/(0.5+M’(i,j)・η)
実施の形態1では、描画装置100内で、電荷量と最大ドーズ量との検査を行ったが、これに限るものではない。実施の形態2では、検査処理を実施する機能部分をオフラインに配置し、描画装置100とは別な検査装置として構成する場合について説明する。
実施の形態1,2では、変調ドーズ率を用いて、照射量を補正したが、これに限るものではない。実施の形態3では、各図形パターンを照射する際のドーズ量そのものを予め設定する場合について説明する。
実施の形態3では、描画装置100内で、電荷量と最大ドーズ量との検査を行ったが、これに限るものではない。実施の形態4では、検査処理を実施する機能部分をオフラインに配置し、描画装置100とは別な検査装置として構成する場合について説明する。
51,312 メモリ
51 ドーズ変調率設定部
52 データ変換部
53 ドーズ量演算部
54 変調ドーズ表作成部
56 電荷量マップ作成部
58 最大ドーズ量演算部
60 電荷量検査部
61,63 検索部
62 ドーズ量検査部
64 ショットデータ生成部
65 照会部
66 描画制御部
67 照合部
68 照射量演算部
69 補正部
100 描画装置
101,340 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
112 ショットデータ生成部
113 照射量演算部
114 描画制御部
115 補正部
120 制御回路
140,142,144,146,148,149 記憶装置
150 描画部
160 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203,410 第1のアパーチャ
204 投影レンズ
205 偏向器
206,420 第2のアパーチャ
207 対物レンズ
208 主偏向器
209 副偏向器
300 検査装置
330 電子線
411 開口
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース
500 描画データ変換装置
Claims (5)
- 試料の描画領域がメッシュ状に分割されたメッシュ領域毎に、照射される荷電粒子ビームの電荷量が定義された、外部より入力された電荷量マップを記憶する記憶部と、
メッシュ領域毎に、前記電荷量マップに定義された電荷量が閾値以下かどうかを検査する電荷量検査部と、
前記電荷量マップと組みになる描画データに基づいて、荷電粒子ビームを用いて、前記試料にパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - プロセス情報と装置仕様情報との少なくとも一方と閾値との相関データを記憶する記憶部と、
プロセス情報と装置仕様情報との少なくとも一方を入力し、前記一方を用いて前記相関データを参照して、前記閾値を検索する検索部と、
をさらに備えたことを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置。 - 最大ドーズ量を入力し、最大ドーズ量が閾値以下かどうかを検査する最大ドーズ量検査部をさらに備えたことを特徴とする請求項1又は2記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 試料の描画領域がメッシュ状に分割されたメッシュ領域毎に、照射される荷電粒子ビームの電荷量が定義された、外部より入力された電荷量マップを記憶する記憶部と、
メッシュ領域毎に、前記電荷量マップに定義された電荷量が閾値以下かどうかを検査する電荷量検査部と、
を備えたことを特徴とする検査装置。 - 複数の図形パターンが定義されたレイアウトデータを描画装置へ入力するための描画データへとデータ変換する工程と、
前記データ変換する工程と並列に、試料の描画領域がメッシュ状に分割されたメッシュ領域毎に、照射される荷電粒子ビームの電荷量が定義された電荷量マップを作成する工程と、
メッシュ領域毎に、前記電荷量マップに定義された電荷量が閾値以下かどうかを検査する工程と、
を備えたことを特徴とする描画データの検査方法。
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