KR101748934B1 - 하전 입자 빔 묘화 장치, 정보 처리 장치, 패턴 검사 장치 및 하전 입자 빔 묘화 방법 - Google Patents

하전 입자 빔 묘화 장치, 정보 처리 장치, 패턴 검사 장치 및 하전 입자 빔 묘화 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101748934B1
KR101748934B1 KR1020150039945A KR20150039945A KR101748934B1 KR 101748934 B1 KR101748934 B1 KR 101748934B1 KR 1020150039945 A KR1020150039945 A KR 1020150039945A KR 20150039945 A KR20150039945 A KR 20150039945A KR 101748934 B1 KR101748934 B1 KR 101748934B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
information
attribute information
information file
file
data
Prior art date
Application number
KR1020150039945A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150111859A (ko
Inventor
겐이치 야스이
Original Assignee
가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 filed Critical 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
Publication of KR20150111859A publication Critical patent/KR20150111859A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101748934B1 publication Critical patent/KR101748934B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/3002—Details
    • H01J37/3005—Observing the objects or the point of impact on the object
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84—Inspecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
    • H01J37/3023—Programme control
    • H01J37/3026—Patterning strategy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/22—Treatment of data
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31761—Patterning strategy
    • H01J2237/31762—Computer and memory organisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31761—Patterning strategy
    • H01J2237/31764—Dividing into sub-patterns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31776—Shaped beam
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31793—Problems associated with lithography
    • H01J2237/31798—Problems associated with lithography detecting pattern defects

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

실시 형태에 관한 하전 입자 빔 묘화 장치는, 계층마다 요소를 갖는 계층 구조의 묘화 데이터에 있어서의 특정 계층 요소(예를 들어, 셀)에 대응하는 하계층 요소(예를 들어, 패턴)마다의 도형 정보를 저장하는 도형 정보 파일과, 하계층 요소마다 부여하는 속성 정보를 특정 계층 요소에 관한 정보(예를 들어, 인덱스 번호)에 관련지어 저장하는 속성 정보 파일을 구비한다.

Description

하전 입자 빔 묘화 장치, 정보 처리 장치, 패턴 검사 장치 및 하전 입자 빔 묘화 방법{CHARGED PARTICLE BEAM WRITING APPARATUS, INFORMATION PROCESSING APPARATUS, PATTERN INSPECTION APPARATUS AND CHARGED PARTICLE BEAM WRITING METHOD}
본 발명의 실시 형태는, 하전 입자 빔 묘화 장치, 정보 처리 장치, 패턴 검사 장치 및 하전 입자 빔 묘화 방법에 관한 것이다.
최근의 대규모 집적 회로(LSI)의 고집적화 및 대용량화에 수반하여, 반도체 디바이스에 요구되는 회로선 폭은 점점 미소해지고 있다. 반도체 디바이스에 원하는 회로 패턴을 형성하기 위해서는, 리소그래피 기술이 사용되고 있고, 이 리소그래피 기술에서는, 마스크(레티클)라고 칭해지는 원화 패턴을 사용한 패턴 전사가 행해지고 있다. 이 패턴 전사에 사용하는 고정밀도의 마스크를 제조하기 위해서는, 우수한 해상도를 갖는 하전 입자 빔 묘화 장치가 사용되고 있다.
이 하전 입자 빔 묘화 장치에 있어서, 묘화 데이터는, 칩 계층, 프레임 계층, 블록 계층, 셀 계층 및 도형 계층이라고 하는 바와 같이 계층화되어 있다. 이 계층 구조의 묘화 데이터에서는, 특정한 도형에 관한 묘화 조건(예를 들어, 조사량)을 조정하는 경우에는, 특정한 도형의 도형 정보 외에 속성 정보(예를 들어, 조사량을 정의하는 속성 정보)를 부여하고 있다. 지금까지 다수의 도형 중 일부의 도형에 속성 정보를 부여하고 있었지만, 최근의 고해상도화의 요구에 수반하여 모든 도형에 속성 정보를 부여하는 것이 증가하고 있다.
그러나, 전술한 바와 같은 속성 정보의 부여 방법에서는, 속성 정보는 도형 정보와 함께 도형 정보 파일에 포함되게 되므로, 예를 들어 특정한 도형에 대한 속성 정보를 변경하고자 하는 경우에는, 도형 정보 및 속성 정보의 양쪽을 포함하는 도형 정보 파일 전체를 재작성해야만 해, 처리 효율이 저하되어 버린다. 또한, 도형 정보는 동일해도 속성 정보가 상이한 칩을 마스크 상에 배치하고자 하는 경우에는, 도형 정보를 중복해서 작성하는 것이기 때문에, 데이터량이 커짐과 함께, 처리 효율도 저하되어 버린다. 이와 같은 점에서, 처리 효율의 향상이 요구되고 있다.
본 발명의 실시 형태는, 처리 효율의 향상이 가능한 하전 입자 빔 묘화 장치, 정보 처리 장치, 패턴 검사 장치 및 하전 입자 빔 묘화 방법을 제공하는 것이다.
하나의 실시 형태에 따르면, 하전 입자 빔 묘화 장치는, 계층마다 요소를 갖는 계층 구조의 묘화 데이터에 있어서의 특정 계층 요소에 대응하는 하계층 요소마다의 도형 정보를 저장하는 도형 정보 파일과, 하계층 요소마다 부여하는 속성 정보를 특정 계층 요소에 관한 정보에 관련지어 저장하는 속성 정보 파일을 구비한다.
또한, 다른 하나의 실시 형태에 따르면, 정보 처리 장치는, 계층마다 요소를 갖는 계층 구조의 묘화 데이터에 있어서의 특정 계층 요소에 대응하는 하계층 요소마다의 도형 정보를 저장하는 도형 정보 파일과, 하계층 요소마다 부여하는 속성 정보를 특정 계층 요소에 관한 정보에 관련지어 저장하는 속성 정보 파일을 구비한다.
또한, 다른 하나의 실시 형태에 따르면, 패턴 검사 장치는, 계층마다 요소를 갖는 계층 구조의 묘화 데이터에 있어서의 특정 계층 요소에 대응하는 하계층 요소마다의 도형 정보를 저장하는 도형 정보 파일과, 하계층 요소마다 부여하는 속성 정보를 특정 계층 요소에 관한 정보에 관련지어 저장하는 속성 정보 파일을 구비한다.
또한, 다른 하나의 실시 형태에 따르면, 하전 입자 빔 묘화 방법은, 계층마다 요소를 갖는 계층 구조의 묘화 데이터에 있어서의 특정 계층 요소에 대응하는 하계층 요소마다의 도형 정보를 저장하는 도형 정보 파일을 생성하는 공정과, 하계층 요소마다 부여하는 속성 정보를 특정 계층 요소에 관한 정보에 관련지어 저장하는 속성 정보 파일을 생성하는 공정을 갖는다.
도 1은 제1 실시 형태에 관한 하전 입자 빔 묘화 장치의 개략 구성을 도시하는 도면.
도 2는 제1 실시 형태에 관한 묘화 데이터를 설명하기 위한 설명도.
도 3은 제1 실시 형태에 관한 도형 정보 파일 및 속성 정보 파일을 설명하기 위한 설명도.
도 4는 제1 실시 형태에 관한 속성 정보값 및 조사량의 관계를 나타내는 그래프.
도 5는 제2 실시 형태에 관한 도형 정보 파일 및 속성 정보 파일을 설명하기 위한 설명도.
도 6은 제3 실시 형태에 관한 도형 정보 파일 및 속성 정보 파일을 설명하기 위한 설명도.
도 7은 제4 실시 형태에 관한 도형 정보 파일 및 속성 정보 파일을 설명하기 위한 설명도.
도 8은 제5 실시 형태에 관한 패턴 검사 장치의 개략 구성을 도시하는 도면.
(제1 실시 형태)
제1 실시 형태에 대해 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명한다.
도 1에 도시한 바와 같이, 제1 실시 형태에 관한 하전 입자 빔 묘화 장치(1)는 하전 입자 빔에 의한 묘화를 행하는 묘화부(2)와, 그 묘화부(2)를 제어하는 제어부(3)를 구비하고 있다. 이 하전 입자 빔 묘화 장치(1)는 하전 입자 빔으로서, 예를 들어 전자빔을 사용한 가변 성형형의 묘화 장치의 일례이다. 또한, 하전 입자 빔은 전자빔으로 한정되는 것은 아니고, 이온빔 등의 다른 하전 입자 빔이어도 된다.
묘화부(2)는 묘화 대상으로 되는 시료(W)를 수용하는 묘화 챔버(묘화실)(2a)와, 그 묘화 챔버(2a)에 연결되는 광학 경통(2b)을 갖고 있다. 묘화 챔버(2a)는 기밀성을 갖는 진공 챔버로서 기능한다. 또한, 광학 경통(2b)은 묘화 챔버(2a)의 상면에 설치되어 있고, 광학계에 의해 전자빔을 성형 및 편향하고, 묘화 챔버(2a) 내의 시료(W)에 대해 조사한다. 이때, 묘화 챔버(2a) 및 광학 경통(2b)의 양쪽의 내부는 감압되어 진공 상태로 되어 있다.
묘화 챔버(2a) 내에는, 마스크나 블랭크 등의 시료(W)를 지지하는 스테이지(11)가 설치되어 있다. 이 스테이지(11)는 수평면 내에서 서로 직교하는 X축 방향과 Y축 방향(이하, 간단히 X 방향 및 Y 방향이라 함)으로 이동 가능하게 형성되어 있다. 또한, 광학 경통(2b) 내에는, 전자빔(B)을 출사하는 전자총 등의 출사부(21)와, 그 전자빔(B)을 집광하는 조명 렌즈(22)와, 빔 성형용의 제1 성형 애퍼쳐(23)와, 투영용의 투영 렌즈(24)와, 빔 성형용의 성형 편향기(25)와, 빔 성형용의 제2 성형 애퍼쳐(26)와, 시료(W) 상에 빔 초점을 연결하는 대물 렌즈(27)와, 시료(W)에 대한 빔 쇼트 위치를 제어하기 위한 부편향기(28) 및 주편향기(29)가 배치되어 있다.
이 묘화부(2)에서는, 전자빔(B)이 출사부(21)로부터 출사되고, 조명 렌즈(22)에 의해 제1 성형 애퍼쳐(23)에 조사된다. 이 제1 성형 애퍼쳐(23)는, 예를 들어 직사각 형상의 개구를 갖고 있다. 이에 의해, 전자빔(B)이 제1 성형 애퍼쳐(23)를 통과하면, 그 전자빔의 단면 형상은 직사각 형상으로 성형되고, 투영 렌즈(24)에 의해 제2 성형 애퍼쳐(26)에 투영된다. 또한, 이 투영 위치는 성형 편향기(25)에 의해 변경 가능하고, 투영 위치의 변경에 의해 전자빔(B)의 형상과 치수를 제어할 수 있다. 그 후, 제2 성형 애퍼쳐(26)를 통과한 전자빔(B)은, 그 초점이 대물 렌즈(27)에 의해 스테이지(11) 상의 시료(W)에 맞춰져 조사된다. 이때, 스테이지(11) 상의 시료(W)에 대한 전자빔(B)의 쇼트 위치는 부편향기(28) 및 주편향기(29)에 의해 변경 가능하다.
제어부(3)는 레이아웃 데이터나 칩 데이터(설계 데이터나 CAD 데이터 등) 등의 정보를 처리하여 묘화 데이터를 생성하는 정보 처리부(3a)와, 묘화 데이터를 기억하는 묘화 데이터 기억부(3b)와, 그 묘화 데이터를 처리하여 쇼트 데이터를 생성하는 쇼트 데이터 생성부(3c)와, 묘화부(2)를 제어하는 묘화 제어부(3d)를 구비하고 있다. 또한, 정보 처리부(3a), 쇼트 데이터 생성부(3c)나 묘화 제어부(3d)는 전기 회로 등의 하드웨어에 의해 구성되어도 되고, 또한 각 기능을 실행하는 프로그램 등의 소프트웨어에 의해 구성되어도 되고, 또는, 그들 양쪽의 조합에 의해 구성되어도 된다.
정보 처리부(3a)는, 예를 들어 레이아웃 데이터나 칩 데이터(설계 데이터나 CAD 데이터 등) 등의 데이터를 변환하여 묘화 장치용 포맷에 기초하는 묘화 데이터를 생성한다. 또한, 레이아웃 데이터나 칩 데이터는, 반도체 집적 회로의 설계자 등에 의해 작성된 데이터이며, 그 레이아웃 데이터를 보관하는 데이터 베이스 등의 기억 장치(도시하지 않음)로부터, 예를 들어 유선 또는 무선의 네트워크를 통해 정보 처리부(3a)에 입력된다.
묘화 데이터 기억부(3b)는 정보 처리부(3a)에 의해 생성된 묘화 장치용 포맷의 묘화 데이터를 기억하는 기억부이다. 이 묘화 데이터 기억부(3b)로서는, 예를 들어 자기 디스크 장치나 반도체 디스크 장치(플래시 메모리) 등을 사용하는 것이 가능하다.
쇼트 데이터 생성부(3c)는 묘화 데이터에 의해 규정되는 묘화 패턴을 스트라이프 형상(스트립 형상)의 복수의 스트라이프 영역(길이 방향이 X 방향이며, 짧은 방향이 Y 방향임)으로 분할하고, 또한 각 스트라이프 영역을 행렬 형상의 다수의 서브 영역으로 분할한다. 또한, 쇼트 데이터 생성부(3c)는 각 서브 영역 내의 도형의 형상이나 크기, 위치 등을 결정하고, 또한 도형을 1회의 쇼트로 묘화 불가능한 경우에는, 묘화 가능한 복수의 부분 영역으로 분할하고, 쇼트 데이터를 생성한다. 또한, 스트라이프 영역의 짧은 방향(Y 방향)의 길이는 전자빔(B)을 주편향에 의해 편향 가능한 길이로 설정되어 있다.
묘화 제어부(3d)는 전술한 묘화 패턴을 묘화할 때, 스테이지(11)를 스트라이프 영역의 길이 방향(X 방향)으로 이동시키면서, 전자빔(B)을 주편향기(29)에 의해 각 서브 영역에 위치 결정하고, 부편향기(28)에 의해 서브 영역의 소정 위치에 쇼트하여 도형을 묘화한다. 그 후, 하나의 스트라이프 영역의 묘화가 완료되면, 스테이지(11)를 Y 방향으로 스텝 이동시키고 나서 다음의 스트라이프 영역의 묘화를 행하고, 이것을 반복해서 시료(W)의 묘화 영역의 전체에 전자빔(B)에 의한 묘화를 행한다(묘화 동작의 일례). 또한, 묘화 중에는, 스테이지(11)가 일방향으로 연속적으로 이동하고 있기 때문에, 묘화 원점이 스테이지(11)의 이동에 추종하도록, 주편향기(29)에 의해 서브 영역의 묘화 원점을 트래킹시키고 있다.
이와 같이 전자빔(B)은, 부편향기(28)와 주편향기(29)에 의해 편향되고, 연속적으로 이동하는 스테이지(11)에 추종하면서, 그 조사 위치가 결정된다. 스테이지(11)의 X 방향의 이동을 연속적으로 행함과 함께, 그 스테이지(11)의 이동에 전자빔(B)의 쇼트 위치를 추종시킴으로써, 묘화 시간을 단축시킬 수 있다. 단, 제1 실시 형태에서는, 스테이지(11)의 X 방향의 이동을 연속해서 행하고 있지만, 이것으로 한정되는 것은 아니고, 예를 들어 스테이지(11)를 정지시킨 상태에서 하나의 서브 영역의 묘화를 행하고, 다음의 서브 영역으로 이동할 때는 묘화를 행하지 않는 스텝 앤드 리피트 방식의 묘화 방법을 사용해도 된다.
여기서, 묘화 데이터는, 통상 다수의 미소한 패턴(도형 등)을 포함하고 있고, 그 데이터량은 상당한 대용량으로 된다. 이로 인해, 묘화 데이터에서는, 데이터를 계층화함으로써 데이터량의 압축화가 도모되어 있고, 하전 입자 빔 묘화 장치(1)에서는, 계층 구조의 묘화 데이터가 사용되게 된다.
예를 들어, 도 2에 도시한 바와 같이, 묘화 데이터는, 칩 계층(CP), 그 칩 계층(CP)보다도 하위의 프레임 계층(FR), 그 프레임 계층(FR)보다도 하위의 블록 계층(BL), 그 블록 계층(BL)보다도 하위의 셀 계층(CL), 그 셀 계층(CL)보다도 하위의 도형 계층(FG)으로 계층화되어 있다(계층 구조). 또한, 묘화 데이터는 기본적으로 포맷 변환 전후에 관계없이 계층화되어 있다. 이와 같은 묘화 데이터에 있어서, 어떤 계층이 제1 계층인 것으로 하면, 그 제1 계층의 하계층이 제2 계층으로 되고, 그 제2 계층의 하계층이 제3 계층으로 된다.
도 2의 예에서는, 칩 계층(CP)의 요소군(칩군)의 일부인 칩(CP1)이, 프레임 계층(FR)의 요소군(프레임군)의 일부인 3개의 프레임(FR1∼FR3)에 대응하고 있다. 또한, 프레임 계층(FR)의 요소군의 일부인 프레임(FR2)이, 블록 계층(BL)의 요소군(블록군)의 일부인 18개의 블록(BL1∼BL18)에 대응하고 있다. 블록 계층(BL)의 요소군의 일부인 블록(BL9)이, 셀 계층(CL)의 요소군(셀군)의 일부인 4개의 셀(CL1∼CL4)에 대응하고 있다. 셀 계층(CL)의 요소군의 일부인 CL1이 도형 계층(FG)의 요소군(도형군)의 일부인 복수의 도형(FG1, FG2)에 대응하고 있다.
이어서, 상술한 정보 처리부(3a)에 대해 상세하게 설명한다.
정보 처리부(3a)는 도 3에 도시한 바와 같이, 도형 정보 파일(F1)과, 그 도형 정보 파일(F1)과는 별도로 속성 정보 파일(F2)을 생성한다. 도형 정보 파일(F1)은, 예를 들어 프레임 정보 파일이며, 셀 배치 정보 파일(F1a), 관련 기록 파일(F1b) 및 셀 패턴 정보 파일(셀 도형 정보 파일)(F1c)에 의해 구성되어 있다.
셀 배치 정보 파일(F1a)은, 헤더(Header)와, 셀 배치 정보(Cell location) 및 인덱스 번호(Index1, Index2, Index3, Index4, …)를 저장하는 파일이다. 인덱스 번호(종 데이터 번호)는 셀 배치 정보마다 설정되어 있고, 셀 배치 정보의 인덱스 정보(식별 정보)로서 기능한다.
관련 기록 파일(F1b)은, 헤더(Header)와, 관련 기록 정보(Index1→Pointer, Index2→Pointer, …)를 저장하는 파일이다. 포인터(Pointer)는 정보의 저장 위치를 나타내는 저장 위치 정보로서 기능한다.
셀 패턴 정보 파일(F1c)은, 헤더(Header)와, 복수의 셀 패턴 정보(Cell Pattern Data1, Cell Pattern Data2, …)를 저장하는 파일이다. 각 셀 패턴 정보는, 각각 복수의 패턴 정보(Pattern1, Pattern2, …)를 갖고 있다.
이와 같은 도형 정보 파일(F1)은, 전술한 바와 같이 계층마다 요소를 갖는 계층 구조의 묘화 데이터에 있어서 특정 계층 요소에 대응하는 하계층 요소마다 도형 정보, 즉 도 3에서는, 셀 계층의 셀에 대응하는 도형 계층의 패턴(도형)마다 패턴 정보(도형 정보)를 저장하는 파일이다.
속성 정보 파일(F2)은, 헤더(Header)와, 관련 테이블(Relation Table)(T1)과, 속성 정보 그룹 테이블(AI group1, AI group2…)(T2)을 저장하는 파일이다.
관련 테이블(T1)은, 속성 정보 그룹 포인터(Pointer to AI group1, Pointer to AI group2, …)를 정의하는 테이블이다. 이 관련 테이블(T1)은, 인덱스 번호에 대응하는 속성 정보 그룹 포인터를 특정한 순서로 저장하는 테이블이다. 속성 정보 그룹 포인터는, 셀 패턴 정보 내의 각 패턴에 부여하는 속성 정보의 그룹(속성 정보 그룹)의 선두 어드레스를 저장하고 있다.
속성 정보 그룹 테이블(T2)은, 속성 정보 그룹의 헤더(Header of AI group)와, 속성 정보값(AI) 및 속성 정보의 반복 횟수(Rep)를 정의하는 테이블이다. 이 속성 정보 그룹 테이블(T2)은, 그룹 번호에 대응하는 속성 정보 및 그 속성 정보의 반복 횟수 정보를 저장하는 속성 정보 테이블로서 기능한다.
속성 정보 그룹의 헤더는, 속성 정보 그룹의 사이즈(Length of the AI group), 속성 정보 필드의 길이(Byte info), 압축의 필요 여부의 플래그(Comp Info), 속성 정보의 수(Number of AIs)를 정의하는 헤더이다. 또한, 압축 필요 여부의 플래그가 세트되어 있는 경우에는, 정보 처리부(3a)는 압축을 행한다고 판단하고, 속성 정보 그룹 테이블(T2)의 속성 정보를 소정 형식으로 소정의 사이즈로 압축한다.
이와 같은 속성 정보 파일(F2)은, 특정 계층 요소에 대응하는 하계층 요소마다 특정 계층 요소에 관한 정보에 관련짓고, 즉 도 3에서는, 셀 계층의 셀에 대응하는 도형 계층의 패턴마다 부여하는 속성 정보(묘화 조건에 관한 속성 정보)를 셀 계층의 셀에 관한 정보인 셀 배치 정보의 인덱스 번호에 관련지어 저장하는 파일이다.
또한, 묘화 조건에 관한 속성 정보로서는, 예를 들어 조사량을 들 수 있다. 또한, 이 조사량 이외의 속성 정보로서는, 예를 들어 세틀링 시간의 유무나 패스 속성(1패스째에 묘화하고, 2패스째에 묘화하지 않는 등, 또는, 1패스째와 2패스째를 겹쳐 묘화하는 등의 패스마다의 묘화 설정) 등의 각종 속성 정보를 들 수 있다.
여기서, 예를 들어 도 4에 나타내는 바와 같이, 속성 정보값(AI값)과 조사량(dose)의 관계가 결정되어 있다. 속성 정보값이 0인 경우에 조사량은 dO으로 되고, 속성 정보값이 1인 경우에 조사량은 d1로 되고, 속성 정보값이 2인 경우에 조사량은 d2로 되고, 속성 정보값이 3인 경우에 조사량은 d3으로 되고, 속성 정보값이 4인 경우에 조사량은 d4로 된다. 이 속성 정보값(AI값)이 묘화 대상의 패턴(도형)의 속성 정보로서 속성 정보 파일(F2)로부터 결정되고, 그 속성 정보에 기초하여 묘화 대상의 도형의 묘화가 실행된다.
도 3에 도시하는 도형 정보 파일(F1)에 있어서는, 셀 배치 정보 파일(F1a)의 가장 위의 셀 배치 정보의 「Cell location」이 읽어들여지면, 그 셀 배치 정보의 인덱스 번호의 「Index1」이 사용되고, 그 「Index1」에 대응하는 「Pointer」가 관련 기록 파일(F1b)로부터 결정되고, 그 「Pointer」에 대응하는 셀 패턴 정보의 「Cell Pattern Data1」이 셀 패턴 정보 파일(F1c)로부터 읽어들여지게 된다.
이때, 전술한 「Index1」이 사용되고, 그 「Index1」에 대응하는 속성 정보 그룹 포인터의 「Pointer to AI group1」이 관련 테이블(T1)로부터 결정된다. 이 「Pointer to AI group1」은 속성 정보 그룹의 「AI group1」을 가리키고 있고, 그 「AI group1」에 대응하는 속성 정보 그룹 테이블(T2)이 읽어들여진다. 이 속성 정보 그룹 테이블(T2)에 기초하여, 전술한 셀 패턴 정보 파일(F1c)의 「Cell Pattern Data1」의 각 패턴에 대해 속성 정보가 부여되게 된다.
예를 들어, 도 3에 도시하는 속성 정보 그룹 테이블(T2)에서는, AI＝1, Rep＝2이기 때문에, AI값이 1이며, 그 AI값의 반복 횟수(반복 사용 횟수)가 2회로 된다. 마찬가지로, AI＝2, Rep＝1이기 때문에, AI값이 2이며, 그 AI값의 반복 횟수가 1회로 된다. 또한, AI＝3, Rep＝1이기 때문에, AI값이 3이며, 그 AI값의 반복 횟수가 1회로 된다.
이 속성 정보 그룹 테이블(T2)에 기초하여, 셀 패턴 정보 파일(F1c)의 「Cell Pattern Data1」에 있어서, 먼저, 「Pattern1」 및 「Pattern2」에 대해 1의 AI값이 부여된다(AI＝1, Rep＝2). 계속해서, 「Pattern3」에 대해 2의 AI값이 부여되고(AI＝2, Rep＝1), 「Pattern4」에 대해 3의 AI값이 부여된다(AI＝3, Rep＝1). 이와 같이 패턴마다 AI값이 순차 부여되어 간다.
이와 같은 속성 정보 파일(F2)은, 정보 처리부(3a)에 의해 도형 정보 파일(F1)과 별도로 생성되어 있고, 그 도형 정보 파일(F1)과 함께 묘화 데이터로서 묘화 데이터 기억부(3b)에 보존되어 있다. 이로 인해, 예를 들어 특정한 도형(패턴)에 대한 속성 정보를 변경하고자 하는 경우에는, 속성 정보 파일(F2)만을 변경 또는 재작성하면 되게 된다. 이에 의해, 도형 정보 및 속성 정보를 포함하는 도형 정보 파일 전체를 재작성하는 경우에 비해, 처리 효율을 향상시키는 것이 가능하게 된다. 또한, 도형 정보는 동일해도 속성 정보가 상이한 칩을 마스크 상에 배치하고자 하는 경우에는, 도형 정보 파일(F1)을 동일하게 하고, 속성 정보가 상이한 속성 정보 파일(F2)을 작성하면 되게 된다. 이로 인해, 도형 정보 및 속성 정보를 포함하는 도형 정보 파일을 2개 작성하는 경우(도형 정보를 중복하여 작성하는 경우)에 비해, 데이터량을 억제하는 것이 가능하게 되고, 또한 처리 효율을 향상시키는 것이 가능하게 된다.
특히, 동일한 도형 정보가 중복되어 생성되지 않기 때문에, 레이아웃 데이터량을 대폭으로 삭감할 수 있다. 이에 의해, 묘화 데이터 변환 시간이나 데이터 전송 시간, 데이터 처리 시간의 단축이 가능하게 되기 때문에, 결과적으로, 마스크 묘화 시간(주로 데이터 준비 시간)을 단축할 수 있다. 또한, 본 데이터를 구 데이터(속성 정보를 갖지 않는 데이터 또는 속성 정보를 갖는 데이터)와 용이하게 조합하는 것이 가능하게 되기 때문에, 데이터 호환성을 향상시킬 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 제1 실시 형태에 의하면, 계층마다 요소를 갖는 계층 구조의 묘화 데이터에 있어서의 특정 계층 요소(예를 들어, 셀)에 대응하는 하계층 요소(예를 들어, 패턴)마다의 도형 정보를 저장하는 도형 정보 파일(F1)과, 하계층 요소마다 부여하는 속성 정보를 특정 계층 요소에 관한 정보(예를 들어, 인덱스 번호)에 관련지어 저장하는 속성 정보 파일(F2)이 생성된다. 이에 의해, 도형 정보 파일(F1)에 기초하여 도형(패턴)을 묘화하는 경우에는, 특정 계층 요소에 관한 정보를 사용하여 속성 정보 파일(F2)로부터 속성 정보를 선택하여 도형에 부여하고, 그 속성 정보 및 도형 정보에 기초하는 도형을 묘화하는 것이 가능하게 된다.
따라서, 예를 들어 특정한 도형에 대한 속성 정보를 변경하고자 하는 경우에는, 속성 정보 파일(F2)만을 변경 또는 재작성하면 되고, 도형 정보 및 속성 정보를 포함하는 도형 정보 파일 전체를 재작성하는 경우에 비해, 처리 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 도형 정보는 동일해도 속성 정보가 상이한 칩을 마스크 상에 배치하고자 하는 경우에는, 도형 정보 파일(F1)을 동일하게 하고, 속성 정보가 상이한 속성 정보 파일(F2)을 작성하면 되고, 도형 정보 및 속성 정보를 포함하는 도형 정보 파일을 2개 작성하는 경우에 비해, 데이터량을 삭감하는 것에 더하여, 처리 효율을 향상시킬 수 있다.
(제2 실시 형태)
제2 실시 형태에 대해 도 5를 참조하여 설명한다.
제2 실시 형태는 기본적으로 제1 실시 형태와 마찬가지이다. 제2 실시 형태에서는, 제1 실시 형태와의 상위점(도형 정보 파일)에 대해 설명하고, 그 외의 설명은 생략한다.
도 5에 도시한 바와 같이, 제2 실시 형태에 관한 도형 정보 파일(F1)은, 오픈 스탠다드 포맷[예를 들어, SEMI(반도체 제조 기기의 업계 단체)에 의해 표준화된 오아시스 형식의 포맷]의 파일이다. 이 도형 정보 파일(F1)은, 계층 구조를 갖는 묘화 데이터의 도형 정보를 저장하는 파일이며, 셀명(CELL NAME1, CELL NAME2, CELL NAME3, …)이나 셀 정보(CELL1, CELL2, CELL3, …) 등을 저장한다. 또한, 관련 테이블(T1)은, 셀명에 대응하는 속성 정보 그룹 포인터를 특정한 순서로 저장하는 테이블이며, 그 외는 제1 실시 형태와 마찬가지이다.
도 5에 도시하는 도형 정보 파일(F1)에 있어서는, 셀명의 「CELL NAME1」이 읽어들여지면, 그 「CELL NAME1」에 대응하는 속성 정보 그룹 포인터의 「Pointer to AI group1」이 관련 테이블(T1)로부터 결정된다. 이 「Pointer to AI group1」은 속성 정보 그룹의 「AI group1」을 가리키고 있다. 그 후의 처리는 제1 실시 형태와 마찬가지이다.
이와 같이, 오픈 스탠다드 포맷 등의 각종 포맷 형식의 도형 정보 파일(F1)에 맞춰 속성 정보 파일(F2)을 형성하는 것이 가능하고, 각종 포맷 형식의 도형 정보 파일(F1)에 대해 속성 정보 파일(F2)을 별개로 설치하는 것이 가능하게 된다. 이에 의해, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 처리 효율을 향상시킬 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 제2 실시 형태에 의하면, 전술한 제1 실시 형태와 동일한 효과를 얻는 것이 가능하고, 처리 효율을 향상시킬 수 있다.
(제3 실시 형태)
제3 실시 형태에 대해 도 6을 참조하여 설명한다.
제3 실시 형태는 기본적으로 제1 실시 형태와 마찬가지이다. 제3 실시 형태에서는, 제1 실시 형태와의 상위점(속성 정보 파일)에 대해 설명하고, 그 외의 설명은 생략한다.
도 6에 도시한 바와 같이, 제3 실시 형태에 관한 속성 정보 파일(F2)은, 제1 실시 형태에 관한 관련 테이블(T1)을 갖고 있지 않고, 인덱스 번호(종 데이터 번호)에 대응하는 속성 정보를 셀 패턴 정보마다 저장하는 속성 정보 테이블(T3)을 갖고 있다.
도 6에 도시하는 속성 정보 테이블(T3)에서는, 인덱스 번호에 순차 대응시켜, AI＝1, AI＝2, AI＝3…이라고 하는 바와 같이 AI값이 저장되어 있다. 즉, 인덱스 번호의 「Index1」에 대응하는 AI값이 1이며, 「lndex2」에 대응하는 AI값이 2이며, 「Index3」에 대응하는 AI값이 3이라고 하는 바와 같이 저장되어 있다.
이 속성 정보 테이블(T3)에 기초하여, 셀 패턴 정보 파일(F1c)에 있어서, 「Cell Pattern Data1」의 전체 패턴(1군)에 대해 1의 AI값이 부여된다. 또한, 다른 「Cell Pattern Data2」의 전체 패턴에 대해 2의 AI값이 부여되고, 「Cell Pattern Data3」의 전체 패턴에 대해 3의 AI값이 부여된다. 이와 같이 셀 패턴 정보마다 정보 내의 전체 패턴의 AI값이 동일한 값으로 되도록 부여되어 간다.
이와 같이, 셀 패턴 정보 내의 전체 패턴의 AI값을 동일하게 하는 경우 등, 필요에 따라 관련 테이블(T1)을 불필요로 하는 것이 가능하게 되고, 속성 정보 파일(F2)의 데이터량을 삭감할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 제3 실시 형태에 의하면, 전술한 제1 실시 형태와 동일한 효과를 얻는 것이 가능하여, 처리 효율을 향상시킬 수 있고, 또한 속성 정보 파일(F2)의 데이터량을 삭감할 수도 있다.
(제4 실시 형태)
제4 실시 형태에 대해 도 7을 참조하여 설명한다.
제4 실시 형태는 기본적으로 제1 실시 형태와 마찬가지이다. 제4 실시 형태에서는, 제1 실시 형태와의 상위점(도형 정보 파일 및 속성 정보 파일)에 대해 설명하고, 그 외의 설명은 생략한다.
도 7에 도시한 바와 같이, 제4 실시 형태에 관한 도형 정보 파일(F1)은, 제1 실시 형태의 구성 외에, 셀 패턴 정보의 패턴(도형)마다 속성 정보를 정의하는 파일이며, 도형 정보 및 속성 정보를 포함하는 도형 정보 파일로 된다.
도 7에 도시하는 도형 정보 파일(F1)의 셀 패턴 정보 파일(F1c)에서는, 셀 패턴 정보의 「Cell Pattern Data1」 내의 「Pattern1」 및 「Pattern2」의 각 AI값이 1이다. 이어서, 「Pattern3」의 AI값이 2이며, 「Pattern4」 내지 「Pattern7」의 각 AI값이 3이며, 「Pattern8」의 AI값이 4이다. 이와 같이 패턴마다 AI값이 순차 부여되어 있다.
속성 정보 그룹 테이블(T2)은, 제1 실시 형태와 동일한 속성 정보 그룹의 헤더(Header of AI group)와, 속성 정보값(AI)과, 속성 정보의 덮어쓰기 개시 도형 번호(Start Number) 및 종료 도형 번호(End Number)를 정의하는 테이블이다. 이들 덮어쓰기 개시 도형 번호 및 종료 도형 번호는 덮어쓰기 정보로서 기능한다. 이로 인해, 속성 정보 그룹 테이블(T2) 내의 AI값 쪽이 셀 패턴 정보 파일(F1c) 내의 AI값보다도 우선도가 높아진다.
도 7에 도시하는 속성 정보 그룹 테이블(T2)에서는, 인덱스 번호의 「Index1」에 대응하는 「AI group1」의 AI값이 4이며, 속성 정보의 덮어쓰기 개시 도형 번호의 「Start Number」가 3이며, 덮어쓰기 종료 도형 번호의 「End Number」가 5이다.
전술한 셀 패턴 정보 파일(F1c)의 「Cell Pattern Data1」에 있어서, 먼저, 「Pattern1」 및 「Pattern2」에 대해 1의 AI값이 부여된다. 이어서, 「Pattern3」에 대해 2의 AI값이 부여되지만, 속성 정보 그룹 테이블(T2)의 「Start Number」가 3이기 때문에, 그 속성 정보 그룹 테이블(T2) 내의 4의 AI값이 전술한 2의 AI값에 덮어써져 부여되게 된다(2→4). 계속해서, 마찬가지로, 「Pattern4」 및 「Pattern5」에 대해 4의 AI값이 덮어써져 부여된다(3→4). 그 후, 「Pattern6」 및 「Pattern7」에 대해 3의 AI값이 덮어쓰기 없이 부여되고, 마지막으로, 「Pattern8」에 대해 4의 AI값이 부여된다.
이와 같이 패턴마다 AI값이 순차 부여되어 가지만, 이때, 셀 패턴 정보 내의 원하는 패턴의 AI값이 강제적으로 덮어써지게 된다. 이로 인해, 도형 정보 및 속성 정보를 포함하는 도형 정보 파일(F1)을 직접 처리하지 않고, 속성 정보 파일(F2)만을 변경 또는 재작성하면 되게 된다. 따라서, 도형 정보 및 속성 정보를 포함하는 바와 같은 도형 정보 파일 전체를 처리하는 경우에 비해, 처리 효율을 향상시키는 것이 가능하게 된다.
이상 설명한 바와 같이, 제4 실시 형태에 의하면, 전술한 제1 실시 형태와 동일한 효과를 얻는 것이 가능하여, 처리 효율을 향상시킬 수 있다.
(제5 실시 형태)
제5 실시 형태에 대해 도 8을 참조하여 설명한다. 제5 실시 형태에서는, 제1 실시 형태와의 상위점(패턴 검사 장치)에 대해 설명하고, 그 외의 설명은 생략한다.
도 8에 도시한 바와 같이, 제5 실시 형태에 관한 패턴 검사 장치(51)는 제1 내지 제4 중 어느 하나의 실시 형태에 관한 정보 처리부(3a)와, 패턴을 검사하는 검사부(52)를 구비하고 있다. 이 검사부(52)에는, 전술한 정보 처리부(3a)에 의해 생성된 묘화 데이터의 제1 데이터가 입력된다. 또한, 검사부(52)에는, 제1 실시 형태에 관한 하전 입자 빔 묘화 장치(1)에 의해 시료(W) 상에 실제로 묘화된 패턴에 기초하여 작성된 묘화 데이터의 제2 데이터가 입력된다.
제1 데이터는, 그 데이터를 보관하는 데이터 베이스 등의 기억 장치(도시하지 않음)로부터 유선 또는 무선의 네트워크를 통해 정보 처리부(3a)에 입력되고, 계속해서, 그 정보 처리부(3a)에 의한 처리 후에 검사부(52)에 입력된다. 또한, 제2 데이터는, 그 데이터를 보관하는 데이터 베이스 등의 기억 장치(도시하지 않음)로부터 유선 또는 무선의 네트워크를 통하여 검사부(52)에 입력된다. 이들 데이터는 제1 실시 형태에 관한 묘화 데이터와 마찬가지로, 예를 들어 칩 계층(CP), 프레임 계층(FR), 블록 계층(BL), 셀 계층(CL) 및 도형 계층(FG)에 의해 계층화되어 있다(도 2 참조).
검사부(52)는 입력된 각 데이터에 기초하여, 예를 들어 제1 실시 형태에 관한 하전 입자 빔 묘화 장치(1)에 의해 시료(W) 상에 실제로 묘화된 패턴 등을 검사한다. 이 검사에서는, 예를 들어 실제로 묘화된 패턴과 묘화 데이터를 비교하는 검사가 행해진다. 또한, 검사에는, 묘화 조건 등의 각종 정보가 필요해진다.
이상 설명한 바와 같이, 제5 실시 형태에 의하면, 전술한 제1 내지 제4 중 어느 하나의 실시 형태와 동일한 효과를 얻는 것이 가능하고, 처리 효율을 향상시킬 수 있다.
(다른 실시 형태)
전술한 제1 내지 제5 실시 형태에 있어서는, 정보 처리부(3a)를 하전 입자 빔 묘화 장치(1) 또는 패턴 검사 장치(51)에 적용하여 설명을 행하고 있지만, 이것으로 한정되는 것은 아니고, 예를 들어 정보 처리부(3a)를 정보 처리 장치(일례로서, 컴퓨터 단말기)에 적용하도록 해도 된다.
본 발명의 몇 가지의 실시 형태를 설명하였지만, 이들 실시 형태는, 예로서 제시한 것이며, 발명의 범위를 한정하는 것은 의도하고 있지 않다. 이들 신규의 실시 형태는, 그 외의 다양한 형태로 실시되는 것이 가능하고, 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서, 다양한 생략, 치환, 변경을 행할 수 있다. 이들 실시 형태나 그 변형은, 발명의 범위나 요지에 포함됨과 함께, 특허청구범위에 기재된 발명과 그 균등한 범위에 포함된다.

Claims (5)

  1. 계층마다 요소를 갖는 계층 구조의 묘화 데이터에 있어서의 특정 계층 요소에 대응하는 하계층 요소마다의 도형 정보를 저장하는 도형 정보 파일과,
    상기 하계층 요소마다 부여하는 속성 정보를 상기 특정 계층 요소에 관한 인덱스 정보 또는 명칭 정보에 관련지어 상기 도형 정보 파일과 별도로 저장하는 속성 정보 파일을 구비하고,
    상기 속성 정보 파일은 상기 도형 정보 파일과 독립적으로 갱신될 수 있는 것을 특징으로 하는, 하전 입자 빔 묘화 장치.
  2. 계층마다 요소를 갖는 계층 구조의 묘화 데이터에 있어서의 특정 계층 요소에 대응하는 하계층 요소마다의 도형 정보와 상기 하계층 요소마다 부여하는 속성 정보를 함께 저장하는 도형 정보 파일과,
    상기 도형 정보 파일에 저장된 상기 속성 정보에 자신의 속성 정보를 덮어쓰기 위한 덮어쓰기 정보를, 상기 특정 계층 요소에 관한 인덱스 정보 또는 명칭 정보에 관련지어 상기 도형 정보 파일과 별도로 저장하는 속성 정보 파일을 구비하고,
    상기 속성 정보 파일은 상기 도형 정보 파일과 독립적으로 갱신될 수 있는 것을 특징으로 하는, 하전 입자 빔 묘화 장치.
  3. 계층마다 요소를 갖는 계층 구조의 묘화 데이터에 있어서의 특정 계층 요소에 대응하는 하계층 요소마다의 도형 정보를 저장하는 도형 정보 파일과,
    상기 하계층 요소마다 부여하는 속성 정보를 상기 특정 계층 요소에 관한 인덱스 정보 또는 명칭 정보에 관련지어 상기 도형 정보 파일과 별도로 저장하는 속성 정보 파일을 구비하고,
    상기 속성 정보 파일은 상기 도형 정보 파일과 독립적으로 갱신될 수 있는 것을 특징으로 하는, 정보 처리 장치.
  4. 계층마다 요소를 갖는 계층 구조의 묘화 데이터에 있어서의 특정 계층 요소에 대응하는 하계층 요소마다의 도형 정보를 저장하는 도형 정보 파일과,
    상기 하계층 요소마다 부여하는 속성 정보를 상기 특정 계층 요소에 관한 인덱스 정보 또는 명칭 정보에 관련지어 상기 도형 정보 파일과 별도로 저장하는 속성 정보 파일을 구비하고,
    상기 속성 정보 파일은 상기 도형 정보 파일과 독립적으로 갱신될 수 있는 것을 특징으로 하는, 패턴 검사 장치.
  5. 계층마다 요소를 갖는 계층 구조의 묘화 데이터에 있어서의 특정 계층 요소에 대응하는 하계층 요소마다의 도형 정보를 저장하는 도형 정보 파일을 생성하는 공정과,
    상기 하계층 요소마다 부여하는 속성 정보를 상기 특정 계층 요소에 관한 인덱스 정보 또는 명칭 정보에 관련지어 상기 도형 정보 파일과 별도로 저장하는 속성 정보 파일을 생성하는 공정을 갖고,
    상기 속성 정보 파일은 상기 도형 정보 파일과 독립적으로 갱신될 수 있는 것을 특징으로 하는, 하전 입자 빔 묘화 방법.
KR1020150039945A 2014-03-26 2015-03-23 하전 입자 빔 묘화 장치, 정보 처리 장치, 패턴 검사 장치 및 하전 입자 빔 묘화 방법 KR101748934B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2014-063639 2014-03-26
JP2014063639A JP2015185800A (ja) 2014-03-26 2014-03-26 荷電粒子ビーム描画装置、情報処理装置、パターン検査装置及び荷電粒子ビーム描画方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150111859A KR20150111859A (ko) 2015-10-06
KR101748934B1 true KR101748934B1 (ko) 2017-06-19

Family

ID=54191373

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150039945A KR101748934B1 (ko) 2014-03-26 2015-03-23 하전 입자 빔 묘화 장치, 정보 처리 장치, 패턴 검사 장치 및 하전 입자 빔 묘화 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9659745B2 (ko)
JP (1) JP2015185800A (ko)
KR (1) KR101748934B1 (ko)
TW (1) TWI585807B (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111208713B (zh) * 2020-03-17 2022-08-16 合肥芯碁微电子装备股份有限公司 处理曝光图形数据的方法、曝光控制单元和直写式曝光机

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090187878A1 (en) * 2008-01-18 2009-07-23 Kozo Ogino Data generation method for semiconductor device, and electron beam exposure system

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB8301096D0 (en) * 1983-01-15 1983-02-16 Cambridge Instr Ltd Electron scanning microscopes
JP2538899B2 (ja) * 1987-01-29 1996-10-02 株式会社東芝 荷電ビ−ム描画方法及び描画装置
CA2138363C (en) * 1993-12-22 1999-06-22 Yasuyuki Todokoro Electron beam generating apparatus, image display apparatus, and method of driving the apparatuses
JP3545190B2 (ja) * 1997-01-20 2004-07-21 富士通株式会社 Ｃａｄシステムおよび記録媒体
JP3455048B2 (ja) * 1997-01-28 2003-10-06 株式会社東芝 パターン形成方法
US6035113A (en) * 1998-01-05 2000-03-07 International Business Machines Corporation Electron beam proximity correction method for hierarchical design data
JP2002033263A (ja) * 2000-07-13 2002-01-31 Hitachi Ltd 電子ビーム描画方法、フォトマスク製作方法および電子ビーム描画装置
JP2002184680A (ja) * 2000-12-19 2002-06-28 Sony Corp 図形データ変換方法
JP4989158B2 (ja) * 2005-09-07 2012-08-01 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子線描画データの作成方法及び荷電粒子線描画データの変換方法
JP5063035B2 (ja) * 2006-05-30 2012-10-31 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置
JP5068515B2 (ja) * 2006-11-22 2012-11-07 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画データの作成方法、描画データの変換方法及び荷電粒子線描画方法
JP4828460B2 (ja) * 2007-03-28 2011-11-30 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画データ作成方法及び描画データファイルを格納した記憶媒体
JP5033018B2 (ja) * 2008-02-27 2012-09-26 株式会社ニューフレアテクノロジー 重なり図形の検査装置、荷電粒子ビーム描画装置及び重なり図形の検査方法
US8266571B2 (en) * 2008-06-10 2012-09-11 Oasis Tooling, Inc. Methods and devices for independent evaluation of cell integrity, changes and origin in chip design for production workflow
JP5525798B2 (ja) * 2009-11-20 2014-06-18 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置およびその帯電効果補正方法
JP5662756B2 (ja) * 2010-10-08 2015-02-04 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP5809419B2 (ja) * 2011-02-18 2015-11-10 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
US8893059B2 (en) * 2012-02-06 2014-11-18 Kla-Tencor Corporation Pattern data system for high-performance maskless electron beam lithography
TWI489222B (zh) * 2012-02-16 2015-06-21 Nuflare Technology Inc Electron beam rendering device and electron beam rendering method
JP5985852B2 (ja) * 2012-03-27 2016-09-06 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP5956217B2 (ja) * 2012-03-29 2016-07-27 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置、検査装置、及び描画データの検査方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090187878A1 (en) * 2008-01-18 2009-07-23 Kozo Ogino Data generation method for semiconductor device, and electron beam exposure system

Also Published As

Publication number Publication date
TWI585807B (zh) 2017-06-01
US9659745B2 (en) 2017-05-23
US20150279617A1 (en) 2015-10-01
TW201543525A (zh) 2015-11-16
JP2015185800A (ja) 2015-10-22
KR20150111859A (ko) 2015-10-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7592611B2 (en) Creation method and conversion method of charged particle beam writing data, and writing method of charged particle beam
KR101065509B1 (ko) 묘화 장치 및 묘화 데이터의 변환 방법
JP2009054944A (ja) 描画データの作成方法及び荷電粒子ビーム描画装置
JP5498106B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置
TW201643930A (zh) 帶電粒子束描繪裝置及描繪資料作成方法
JP5498105B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置
US9006691B2 (en) Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method using a generated frame that surrounds a first data processing block
KR101748934B1 (ko) 하전 입자 빔 묘화 장치, 정보 처리 장치, 패턴 검사 장치 및 하전 입자 빔 묘화 방법
KR20130111418A (ko) 하전 입자빔 묘화 장치 및 묘화 데이터의 검사 방법
JP5620725B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
US10096452B2 (en) Data processing method, charged particle beam writing method, and charged particle beam writing apparatus
JP5586343B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
KR102082631B1 (ko) 데이터 처리 방법, 하전 입자빔 묘화 장치 및 하전 입자빔 묘화 시스템
JP2014157952A (ja) 荷電粒子ビーム描画装置、及びバッファメモリのデータ格納方法
JP2008085248A (ja) 荷電粒子ビーム描画データの作成方法及び荷電粒子ビーム描画データの変換方法
KR101598164B1 (ko) 하전 입자빔 묘화 장치, 포맷 검사 장치 및 포맷 검사 방법
JP2013207254A (ja) 荷電粒子ビーム描画装置、検査装置、及び描画データの検査方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant