TWI434328B - 描繪系統及描繪裝置之參數監視方法 - Google Patents
描繪系統及描繪裝置之參數監視方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI434328B TWI434328B TW098108806A TW98108806A TWI434328B TW I434328 B TWI434328 B TW I434328B TW 098108806 A TW098108806 A TW 098108806A TW 98108806 A TW98108806 A TW 98108806A TW I434328 B TWI434328 B TW I434328B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- parameter information
- control units
- circuit group
- host computer
- interface circuit
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
- G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
- H01J37/3023—Programme control
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
本發明係關於一種描繪系統及描繪裝置之參數監視方法,例如係關於一種使用電子束在試樣上描繪圖案之描繪系統及監視在該系統內所設定之參數之方法。
本申請案係基於2008年3月19日於日本所申請之日本專利申請案第2008-071472號主張優先權,其全部內容以引用之方式援用於此。
擔負半導體裝置微細化進展之微影技術,在半導體製程中亦係唯一生成圖案之極重要的製程。近年來,伴隨LSI之高積體化,半導體裝置所要求之電路線寬逐年微細化。為朝此等半導體裝置形成所期望之電路圖案,需要高精度之原畫圖案(亦稱標線片或光罩)。此處,電子線(電子束)描繪技術本質上具有優良之解像性,可用於高精度之原畫圖案之生產。
圖5係用於說明先前之可變成形型電子線描繪裝置之動作之概念圖。
以下,說明可變成形型電子線(EB:Electron beam)描繪裝置之動作。在第1孔徑410形成有用於成形電子線330之矩形、例如長方形之開口411。又,在第2孔徑420形成有可變成形開口421,其係用於將通過第1孔徑410之開口411之電子線330成形為希望之矩形形狀。由荷電粒子源430照射而通過第1孔徑410之開口411之電子線330,藉由偏向器偏向而通過第2孔徑420之可變成形開口421之一部分後,照射至搭載於在特定之一方向(例如,設為X方向)連續移動之載物臺上之試樣340。亦即,將可通過第1孔徑410之開口411與第2孔徑420之可變成形開口421兩者的矩形形狀,描繪於搭載於在X方向連續移動之載物臺上之試樣340的描繪區域。將通過第1孔徑410之開口411與第2孔徑420之可變成形開口421兩者,而做成任意形狀之方式稱為可變成形方式(例如,參照日本特開2007-294562號公報)。
此處,在以電子束描繪裝置為首之描繪裝置中,係以裝置之多樣運用為目的,準備有非常多之裝置運用資訊(參數)。為進行用描繪裝置所生產之製品之品質管理,有必要管理該參數之變更。但,描繪裝置之持有者(管理者)自己管理以各種各樣之形態向裝置展開之參數在技術上亦有其困難。此係因為伴隨描繪裝置之線上化,而成為在遠端之地亦可進行裝置參數之變更,其變更之指令可隨時進行。而且,如以下所述,參數管理亦為困難。
圖6係顯示描繪系統構成之一例的概念圖。
此處,由使用者A、B等之個人電腦(PC)552、554所變更指令之參數,首先在資料庫540等儲存後,經由介面(I/F)電路534、536變更控制描繪部510之各機器522、524之設定。而且,參數被設定之各機器522、524,其通信規格多有不同。因此,係成為由管理用之PC560難以直接向參數被設定之各機器522、524進行存取之構成。先前,裝置管理者為確認參數與參照資料564是否一致,係使用管理用之PC560確認在資料庫540上所儲存之參數。但,即使係在資料庫540等儲存參數,至實際設定於描繪裝置內之各機器522、524為止亦會產生些許時間延遲。其結果有產生資料庫540之內容與在實際之各機器522、524所設定之內容不一致之情形。因此,即使參照資料與資料庫上之參數一致,亦有參照資料564與在各機器522、524所設定之內容成為不一致之情形。如此,即使比較參照資料與資料庫上之參數,若在實際機器之設定不同,則存在進行非預想之描繪之問題。
如上所述,在無法預測在何時由何人進行了設定變更的情形中,進而有資料庫上之內容亦與在實際機器所設定之內容不一致的情形,裝置管理者之參數管理變得非常困難。
如上所述,即使使用管理用之PC確認資料庫上所儲存之參數,亦有資料庫之內容與實際機器所設定之內容產生不一致之情形,存在會進行非預想之描繪之問題。尤其係伴隨圖案之微細化及描繪裝置之複雜化,在管理成為龐大數量之參數上,該問題亦成為非常大的問題。
因此,本發明之目的在於提供一種可管理參數之描繪系統及方法。
本發明之一態樣之描繪系統,其特徵在於具備:通信規格不同之複數之控制單元;描繪部,其係藉由前述複數之控制單元進行控制,利用荷電粒子束在試樣上描繪圖案;記憶部,其係自外部之從屬計算機接收參數資訊而記憶;第1介面電路群,其係使所接收之參數資訊符合通信規格而輸出至前述複數之控制單元中之至少一者;主計算機;及第2介面電路群,其係接收來自前述主計算機之要求,不經由前述記憶部而輸入設定於前述複數之控制單元之各參數資訊,並將所輸入之各參數資訊轉換為前述主計算機使用之通信規格,將轉換後之各參數資訊發送至前述主計算機。
本發明之一態樣之描繪裝置之參數監視方法,其特徵在於:接收用於在控制描繪裝置之通信規格不同之複數之控制單元進行設定之各基準參數資訊;不經由記憶裝置地接收設定於前述複數之控制單元之各設定參數資訊,該各設定參數資訊係經由從外部計算機可進行存取之前述記憶裝置由前述外部計算機所設定者;比較所接收之前述各基準參數資訊與所接收之前述各設定參數資訊中對應之設定參數資訊,輸出其結果。
以下,在實施之形態中作為荷電粒子束之一例,係就使用電子束之構成進行說明。但,荷電粒子束並非限定為電子束,亦可係離子束等使用其他之荷電粒子之束。
圖1係顯示實施形態1之描繪系統構成之概念圖。圖1中,描繪系統100係荷電粒子束描繪系統之一例。描繪系統100具備描繪裝置110、控制部120、控制計算單元130、主計算機160、監視器162、記憶裝置164、及I/F電路群170。在控制部120內配置有通信規格互不相同之複數之控制單元122、124、及126。作為控制單元122,例如可使用數位電路基板等。此外,作為控制單元124,例如可使用程序裝置等。又,作為控制單元126,例如可使用個人電腦(PC)等。在控制計算單元130內,控制計算機132,I/F電路134、136、138、及142,資料庫140,以及磁碟裝置146,係經由匯流排144相互連接配置。此處,係藉由複數之I/F電路134、136、及138構成I/F電路群139。在資料庫140,儲存有設定於複數之控制單元122、124、126之參數。又,藉由I/F電路172、174、及176構成I/F電路群170。而且,在主計算機160連接有監視器162與記憶裝置164。在記憶裝置164儲存有成為設定於複數之控制單元122、124、及126之參數之基準的參照資料。圖1中省略了在說明本實施形態1上所需要之構成部分以外之記載。對描繪系統100而言,不消說通常亦包含必要之其他構成。
圖2係顯示實施形態1之描繪裝置之構成之概念圖。圖2中之描繪裝置110係荷電粒子束描繪裝置之一例。描繪裝置110具備描繪室103,及配置於描繪室103上部之電子鏡筒102。藉由描繪室103與電子鏡筒102構成描繪部。在電子鏡筒102內具有電子槍201、照明透鏡202、第1孔徑203、投影透鏡204、偏向器205、第2孔徑206、物鏡207、及偏向器208。而且,在描繪室103內配置有XY載物台105。在XY載物台105上配置作為描繪對象之試樣101。作為試樣101,例如包含形成半導體裝置之晶圓,或將圖案轉寫至晶圓之曝光用光罩。此外,該光罩例如包含尚未形成有任何圖案之空白光罩。描繪裝置110係藉由圖1所示之控制部120所控制。
由電子槍201射出之電子束200,藉由照明透鏡202照明具有矩形例如長方形孔之第1孔徑203整體。此處,首先係將電子束200成形為矩形例如長方形。然後,通過第1孔徑203之第1孔徑像之電子束200,藉由投影透鏡204投影至第2孔徑206上。在該第2孔徑206上之第1孔徑像之位置,可藉由偏向器205進行偏向控制,而使束形狀與尺寸改變。然後,通過第2孔徑206之第2孔徑像之電子束200藉由物鏡207聚焦,並藉由偏向器208進行偏向,而照射至連續移動之XY載物台105上之試樣101之期望位置。如此,描繪裝置110係藉由複數之控制單元進行控制,使用電子束200在試樣101上描繪圖案。
複數之控制單元122、124、126之參數資訊係由外部之PC502、504按照通信規格a而與時間無關地發送。參數資訊係在I/F電路142變更為控制計算單元130內之規格後,將該資訊儲存在資料庫140(記憶部)。另外,由外部之PC502、504發送用於描繪裝置110之描繪之檔案資訊,儲存於磁碟裝置146。裝置管理者可利用通信規格a由主計算機160讀取由資料庫140及磁碟裝置146所儲存之資訊。藉此,可將由外部之PC502、504所發送之參數與參照資料進行比較。控制計算機132讀取儲存於資料庫140之參數資訊,並在I/F電路134、136、及138群(第1I/F電路群)使通信規格一致後,設定於複數之控制單元122、124、及126中之至少一者。例如,若參數係用於控制單元122時,則參數資訊藉由I/F電路134由控制計算單元130內之規格變更為通信規格b後,發送(輸出)至控制單元122進行設定。同樣,例如,若參數係用於控制單元124時,則參數資訊藉由I/F電路136由控制計算單元130內之規格變更為通信規格c後,發送(輸出)至控制單元124進行設定。同樣,例如,若參數係用於控制單元126時,則參數資訊藉由I/F電路138由控制計算單元130內之規格變更為通信規格d後,發送(輸出)至控制單元126進行設定。
此處,在將參數資訊儲存於資料庫140後,至將其設定於各控制單元122、124、及126期間產生時間延遲。其間,設定於各控制單元122、124、及126之參數與儲存於資料庫140之參數變得不一致。因此,如上所述,裝置管理者即使利用主計算機160由資料庫140及磁碟裝置146讀取所儲存之資訊,與參照資料進行比較,亦有與實際機器存在不一致之虞。換言之,因確認時點之不同而有參數會改變之虞。
因此,實施形態1中,係不經由資料庫140及磁碟裝置146而讀取設定於各控制單元122、124、126之參數。但因各控制單元122、124、126其通信規格互不相同,故主計算機160直接進行通信有其困難。因此,在實施形態1中,係藉由I/F電路群170(第2I/F電路群)使主計算機160使用之通信規格a與各控制單元122、124、及126使用之通信規格b、c、d相互轉換。例如,I/F電路172在通信規格a與控制單元122使用之通信規格b之間使規格相互一致。I/F電路174在通信規格a與控制單元124使用之通信規格c之間使規格相互一致。I/F電路176在通信規格a與控制單元126使用之通信規格d之間使規格相互一致。藉此,主計算機160可不經由資料庫140及磁碟裝置146而與各控制單元122、124、及126進行通信。由於係與控制計算單元130獨立而配置I/F電路群170,故可不會阻礙控制計算單元130進行之動作,而與各控制單元122、124、及126進行通信。但,並非係限定於此者,若在控制計算單元130內之I/F電路134、136、及138有空埠,則主計算機160亦可使用該空埠與各控制單元122、124、及126進行通信。
圖3係按照實施形態1之描繪裝置之參數監視方法的主要步驟流程而顯示主計算機內部構造之方塊圖。圖3中,在主計算機160內配置有輸入部10、比較部12、列表製作部14、輸出部16、及記憶體18。稱為輸入部10、比較部12、列表製作部14、及輸出部16之各功能處理,係藉由稱為程式之軟體執行。或者,亦可用電性電路等之硬體構成。或者,亦可藉由硬體與軟體之組合實施。或者,亦可與韌體組合。此外,在係藉由程式構成時,程式係記錄於記憶裝置164或記憶體18等之記錄媒體。
首先,作為輸入步驟,輸入部10不經由資料庫140接收設定於複數之控制單元122、124、及126之各設定參數資訊,該各設定參數資訊係經由從外部PC502、504可存取之資料庫140由外部PC502、504所設定者。首先,主計算機160將要求設定於複數之控制單元122、124、及126之各設定參數資訊之資訊,經由I/F電路群170發送至各控制單元122、124、及126。各控制單元122、124、及126,以各自之通信規格將所設定之設定參數資訊輸出至I/F電路群170。I/F電路群170接收來自主計算機160之要求,不經由資料庫140而輸入設定於複數之控制單元122、124、及126之各參數資訊,並將所輸入之各參數資訊之通信規格轉換成主計算機160使用之通信規格a。然後,將設定於複數之控制單元122、124、及126之各參數資訊發送至主計算機160。藉由該構成,主計算機160可獲得設定於實際之複數之控制單元122、124、及126(複數之機器)之各參數資訊(設定參數),而非儲存於資料庫140之參數資訊。而且,主計算機160可經由I/F電路群170接收設定於複數之機器之即時之參數資訊。
此外,作為另外之輸入步驟,輸入部10由記憶裝置164接收各參照資料(基準參數),其係用於在控制描繪裝置110之通信規格不同之複數之控制單元122、124、及126進行設定者。
繼之,作為比較步驟,比較部12係將所接收之各參照資料資訊與所接收之各設定參數資訊中對應之設定參數資訊進行比較。
然後,作為列表製作步驟,列表製作部14係於進行比較之後,結果在各參照資料資訊與比較之由I/F電路群170接收之各設定參數資訊之間至少存在1個不同之參數資訊時,對於該不同之參數資訊,製成參數資訊列表。
圖4係顯示實施形態1之參數資訊列表之一例之圖。圖4中,在參數資訊列表20,係以使參照資料之內容與實際設定之參數內容對應的方式來定義。此處,宜定義為並非列記全部而僅抽出成為不一致之參數。即使順序列記龐大數量之參數,要找出不一致之處亦會費力。由於係定義為僅將不一致之參數抽出,故裝置管理者可迅速視認其內容。但並非限定於定義僅列記為不一致之參數之情形,亦可列記上述之全部。
而且,作為輸出步驟,輸出部16係輸出比較之結果。此處,係輸出參數資訊列表20。亦可一起輸出其他之資訊。例如在監視器162顯示。
如上所述,主計算機160輸入作為基準之基準參數資訊,並與由I/F電路群170接收之參數資訊進行比較,輸出其結果。進一步,主計算機160於進行比較之後,結果製成在基準參數資訊與由I/F電路群170接收之參數資訊上不一致之參數資訊之列表。
藉由以上之構成,可監視實際設定於各控制單元122、124、及126之各參數。其結果,若設定有錯誤之參數則可中止或停止描繪動作。或者,可原樣不動地描繪,而使之在進行下一描繪動作時停止。其結果,可避免進行未設想之描繪。其結果可製造高精度之光罩。
以上,參照具體例就實施形態進行了說明。但,本發明並非係限定於此等之具體例者。
此外,對於裝置構成及控制方法等之在說明本發明上無直接必要之部分等,省略其記載,但可適宜選擇使用需要之裝置構成及控制方法。例如,對於控制描繪裝置110之具體的控制部構成,係省略了其記載,但可適宜選擇使用需要之控制部構成係不言而喻的。
另外,具備本發明之要件、本行業者可進行適宜設計變更之全部描繪系統及描繪裝置之參數監視方法均包含於本發明之範圍。
本發明之其他優點及變形例由本行業者當可輕易實施。因此,由廣義而言本發明不限於發明詳細說明及實施形態。在不脫離本發明之請求範圍之要旨之範圍內可有各種各樣之變形例。
10...輸入部
12...比較部
14...列表製成部
16...輸出部
18...記憶體
20...參數資訊列表
100...描繪系統
101,340...試樣
102...電子鏡筒
103...描繪室
105...XY載物台
110...描繪裝置
120...控制部
122...控制單元
124...控制單元
126...控制單元
130...控制計算單元
132...控制計算機
134...I/F電路
136...I/F電路
138...I/F電路
139,170...I/F電路群
140...資料庫
142...I/F電路
144...匯流排
146...磁碟裝置
150,510...描繪部
160...主計算機
162...監視器
164...記憶裝置
172...I/F電路
174...I/F電路
176...I/F電路
200...電子束
201...電子槍
202...照明透鏡
203,410...第1孔徑
204...投影透鏡
205,208...偏向器
206,420...第2孔徑
207...物鏡
330...電子線
411...開口
421...可變成形開口
430...荷電粒子源
522,524...機器
534,536...I/F電路
540...資料庫
552...PC
554...PC
560...PC
564...參照資料
圖1係顯示實施形態1之描繪系統構成之概念圖;
圖2係顯示實施形態1之描繪裝置構成之概念圖;
圖3係按照實施形態1之描繪裝置之參數監視方法的主要步驟流程而顯示主計算機內部構造之方塊圖;
圖4係顯示實施形態1之參數資訊列表之一例之圖;
圖5係用於說明先前之可變成形型電子線描繪裝置之動作的概念圖;及
圖6係顯示描繪系統構成之一例之概念圖。
100...描繪系統
110...描繪裝置
120...控制部
122...控制單元
124...控制單元
126...控制單元
130...控制計算單元
132...控制計算機
134...I/F電路
136...I/F電路
138...I/F電路
139...I/F電路群
140...資料庫
146...磁碟裝置
142...I/F電路
160...主計算機
162...監視器
164...記憶裝置
170...I/F電路群
172...I/F電路
174...I/F電路
176...I/F電路
502...外部計算機
504...外部計算機
Claims (9)
- 一種描繪系統,其特徵在於包含:通信規格不同之複數之控制單元;描繪部,其係藉由前述複數之控制單元進行控制,利用荷電粒子束在試樣上描繪圖案;記憶部,其係由外部之從屬計算機接收參數資訊而記憶;第1介面電路群,其係使所接收之參數資訊符合通信規格而輸出至前述複數之控制單元中之至少一者;主計算機;及第2介面電路群,其係接收來自前述主計算機之要求,不經由前述記憶部而輸入設定於前述複數之控制單元之各參數資訊,並將所輸入之各參數資訊之通信規格轉換為前述主計算機使用之通信規格,而將轉換後之各參數資訊發送至前述主計算機;且前述第2介面電路群係與前述第1介面電路群不同。
- 如請求項1之描繪系統,其中前述主計算機係輸入成為前述複數之控制單元用之基準之各基準參數資訊,並將前述各基準參數資訊與從前述第2介面電路群所接收到之各參數資訊中對應之參數資訊加以比較,輸出其結果。
- 如請求項2之描繪系統,其中前述主計算機製作比較後之前述各基準參數資訊與前述對應之參數資訊之間的不同參數資訊之至少一個組合之列表。
- 如請求項1之描繪系統,其中前述主計算機係經由前述第2介面電路群接收設定於前述複數之控制單元之即時的各參數資訊。
- 如請求項1之描繪系統,其中前述主計算機係不經由前述記憶部地自前述第2介面電路群接收設定於前述複數之控制單元之參數資訊。
- 一種描繪裝置之參數監視方法,其特徵在於:接收用於在控制描繪裝置之通信規格不同之複數之控制單元進行設定之各基準參數資訊;不經由記憶裝置地接收設定於前述複數之控制單元之各設定參數資訊,該各設定參數資訊係經由從外部計算機可進行存取之前述記憶裝置而由前述外部計算機所設定者;使用計算機比較所接收之前述各基準參數資訊與所接收之前述各設定參數資訊中對應之設定參數資訊,輸出其結果;在各設定參數資訊分別經由前述記憶裝置設定於前述複數之控制單元之對應之控制單元之前,藉由第1介面電路群轉換各設定參數資訊之通信規格;在設定於前述複數之控制單元之各設定參數資訊之通信規格由與前述第1介面電路群不同第2介面電路群轉換後,接收設定於前述複數之控制單元之各設定參數資訊。
- 如請求項6之描繪裝置之參數監視方法,其係製作比較 後之前述基準參數資訊與前述對應之設定參數資訊中不同參數資訊之至少一個組合之列表。
- 如請求項6之描繪裝置之參數監視方法,其中所接收到之前述設定參數資訊係設定於前述複數之控制單元之即時之設定參數資訊。
- 如請求項6之描繪裝置之參數監視方法,其中在接收前,前述設定參數資訊係配合接收之計算機而轉換通信規格。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008071472A JP5486163B2 (ja) | 2008-03-19 | 2008-03-19 | 描画システム及び描画装置のパラメータ監視方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201005797A TW201005797A (en) | 2010-02-01 |
TWI434328B true TWI434328B (zh) | 2014-04-11 |
Family
ID=41078837
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW098108806A TWI434328B (zh) | 2008-03-19 | 2009-03-18 | 描繪系統及描繪裝置之參數監視方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8258491B2 (zh) |
JP (1) | JP5486163B2 (zh) |
KR (1) | KR101149167B1 (zh) |
DE (1) | DE102009013801B4 (zh) |
TW (1) | TWI434328B (zh) |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4206192B2 (ja) * | 2000-11-09 | 2009-01-07 | 株式会社日立製作所 | パターン検査方法及び装置 |
JP2001052992A (ja) * | 1999-08-13 | 2001-02-23 | Nikon Corp | 露光装置および露光方法 |
JP2001168018A (ja) * | 1999-12-13 | 2001-06-22 | Canon Inc | 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法及び露光補正データの決定方法、該方法を適用したデバイスの製造方法。 |
US6734428B2 (en) * | 2000-02-19 | 2004-05-11 | Multibeam Systems, Inc. | Multi-beam multi-column electron beam inspection system |
US6566664B2 (en) * | 2000-03-17 | 2003-05-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Charged-particle beam exposure apparatus and device manufacturing method |
JP2002124456A (ja) * | 2000-10-18 | 2002-04-26 | Canon Inc | パラメータ管理装置、露光装置、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法 |
JP4647820B2 (ja) * | 2001-04-23 | 2011-03-09 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線描画装置、および、デバイスの製造方法 |
JP4078150B2 (ja) | 2002-08-22 | 2008-04-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 半導体製造装置 |
JP2005333414A (ja) * | 2004-05-20 | 2005-12-02 | Think Laboratory Co Ltd | レーザ露光装置 |
JP4958469B2 (ja) * | 2006-04-24 | 2012-06-20 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置の描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
JP4894660B2 (ja) * | 2006-08-17 | 2012-03-14 | ソニー株式会社 | コンテンツ記録装置、コンテンツ記録方法、およびプログラム |
JP4863825B2 (ja) | 2006-09-14 | 2012-01-25 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及びプログラム |
-
2008
- 2008-03-19 JP JP2008071472A patent/JP5486163B2/ja active Active
-
2009
- 2009-03-18 US US12/406,390 patent/US8258491B2/en active Active
- 2009-03-18 DE DE102009013801.3A patent/DE102009013801B4/de active Active
- 2009-03-18 TW TW098108806A patent/TWI434328B/zh active
- 2009-03-18 KR KR1020090022865A patent/KR101149167B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20090100288A (ko) | 2009-09-23 |
KR101149167B1 (ko) | 2012-05-25 |
DE102009013801B4 (de) | 2018-03-29 |
JP2009231333A (ja) | 2009-10-08 |
US8258491B2 (en) | 2012-09-04 |
DE102009013801A1 (de) | 2009-10-22 |
US20090237824A1 (en) | 2009-09-24 |
TW201005797A (en) | 2010-02-01 |
JP5486163B2 (ja) | 2014-05-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5001563B2 (ja) | 荷電粒子線描画データの作成方法 | |
US7926007B2 (en) | Writing apparatus, writing data conversion method, and computer-readable recording medium storing program using Huffman tree for converting writing data in lithographic process | |
JP2009054944A (ja) | 描画データの作成方法及び荷電粒子ビーム描画装置 | |
JP4778777B2 (ja) | 荷電粒子線描画データの作成方法 | |
JP4863825B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及びプログラム | |
KR100996993B1 (ko) | 묘화 장치 및 묘화 방법 | |
JP5442958B2 (ja) | 描画装置及び描画方法 | |
JP5107619B2 (ja) | 描画データの作成装置及び描画データの作成方法 | |
US9164044B2 (en) | Charged particle beam lithography apparatus, inspection apparatus and inspection method of pattern writing data | |
JP5063320B2 (ja) | 描画装置及び描画データの変換方法 | |
TWI434328B (zh) | 描繪系統及描繪裝置之參數監視方法 | |
JP2007059429A (ja) | データの検証方法 | |
JP4778776B2 (ja) | 荷電粒子線描画データの作成方法 | |
JP5463429B2 (ja) | 荷電粒子描画システム及び荷電粒子描画装置のパラメータ監視方法 | |
JP2008244196A (ja) | 描画データ作成方法及び描画データファイルを格納した記憶媒体 | |
JP5232429B2 (ja) | 描画装置及び描画方法 | |
JP2009081340A (ja) | 描画装置及び描画方法 | |
JP5314937B2 (ja) | 描画装置及び描画用データの処理方法 | |
JP5357530B2 (ja) | 描画用データの処理方法、描画方法、及び描画装置 | |
JP2008085248A (ja) | 荷電粒子ビーム描画データの作成方法及び荷電粒子ビーム描画データの変換方法 | |
JP2010147100A (ja) | 描画データに対するデータ処理の検証方法及び描画装置 | |
JP2013207254A (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置、検査装置、及び描画データの検査方法 | |
JP2010067808A (ja) | 描画装置、描画データの変換方法及び描画方法 | |
JP2015185800A (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置、情報処理装置、パターン検査装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
TWI526776B (zh) | Charged particle beam rendering device, format inspection device and format inspection method |