JP5809419B2 - 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
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Description
可変成形型電子線(EB:Electron beam)描画装置は、以下のように動作する。第1のアパーチャ410には、電子線330を成形するための矩形例えば長方形の開口411が形成されている。また、第2のアパーチャ420には、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口421が形成されている。荷電粒子ソース430から照射され、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330は、偏向器により偏向され、第2のアパーチャ420の可変成形開口421の一部を通過して、所定の一方向(例えば、X方向とする)に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340に照射される。すなわち、第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過できる矩形形状が、X方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340の描画領域に描画される。第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式(VSB方式)という。
レジストが塗布された描画対象となる試料の描画領域が仮想分割された複数の小領域のそれぞれの小領域内に配置される複数の図形パターンの各パターンデータであって、図形パターン毎に、当該図形パターンが所属する小領域内でさらに複数のグループの1つに振り分けられるための振り分け識別子が定義された、外部から入力された各パターンデータを記憶する記憶部と、
前記振り分け識別子を用いて、グループ毎に描画順序が並ぶように、各小領域に当該小領域に配置される各パターンデータを割り当てる割当処理部と、
荷電粒子ビームを用いて、グループ毎に、各小領域に当該小領域に配置される各図形パターンを描画する描画部と、
を備え、
前記各パターンデータには、対象となる図形パターンの図形コード、図形パターンのサイズ、図形パターンの配置位置、及び前記振り分け識別子を含む属性情報が定義されることを特徴とする。
割当処理部は、グループ毎に異なる層になるように複数の層のいずれかの層の小領域に各パターンデータを割り当て、
描画部は、各小領域に配置される各図形パターンを描画する際、1つの層の当該小領域内に割り当てられた図形パターンを描画した後、他の層の当該小領域内に割り当てられた図形パターンを描画するように構成すると好適である。
割当処理部は、パターンデータ毎に、精度レベル識別子に応じて振り分け識別子が示すグループに振り分けるかどうかを判定し、判定の結果、振り分け識別子が示すグループに振り分けない場合には、振り分け識別子が示すグループとは異なる複数のグループの1つに当該パターンデータを割り当てるように構成すると好適である。
レジストが塗布された描画対象となる試料の描画領域が仮想分割された複数の小領域のそれぞれの小領域内に配置される複数の図形パターンの各パターンデータであって、図形パターン毎に、当該図形パターンが所属する小領域内でさらに複数のグループの1つに振り分けられるための振り分け識別子が定義された、外部から入力された各パターンデータを描画装置内の記憶装置に記憶する工程と、
記憶装置から各パターンデータを読み出し、前記振り分け識別子を用いて、グループ毎に描画順序が並ぶように、各小領域に当該小領域に配置される各パターンデータを割り当てる工程と、
荷電粒子ビームを用いて、グループ毎に、各小領域に当該小領域に配置される各図形パターンを描画する工程と、
を備え、
前記各パターンデータには、対象となる図形パターンの図形コード、図形パターンのサイズ、図形パターンの配置位置、及び前記振り分け識別子を含む属性情報が定義されることを特徴とする。
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型の描画装置の一例である。描画部150は、電子鏡筒102と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、第1のアパーチャ203、投影レンズ204、偏向器205、第2のアパーチャ206、対物レンズ207、主偏向器208及び副偏向器209が配置されている。描画室103内には、XYステージ105が配置される。XYステージ105上には、描画時には描画対象となるマスク等の試料101が配置される。試料101には、半導体装置を製造する際の露光用マスクが含まれる。また、試料101には、レジストが塗布された、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。
実施の形態1では、同じSFを複数のSFレイヤに分け、密に配置された、或いは重なって配置された複数の図形をいずれかのSFレイヤに割り振ることで、パターンの寸法変動を回避した。しかし、レジストヒーティングに起因したパターンの寸法変動を回避する手法はこれに限るものではない。実施の形態2では、同じSFを複数のSFレイヤに分けずにレジストヒーティングに起因したパターンの寸法変動を回避する手法について説明する。
20,22 ストライプ領域
30,40 SF領域
50 ブロック割当部
52 SFレイヤ数決定部
54 SFレイヤ作成部
56 SF割当部
58 ショットデータ生成部
59 描画処理部
60,62 取得部
64,68,69 判定部
66,67割当処理部
100 描画装置
101,340 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110 制御計算機ユニット
112 メモリ
120 制御回路
140,142,144 記憶装置
150 描画部
160 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203,410 第1のアパーチャ
204 投影レンズ
205 偏向器
206,420 第2のアパーチャ
207 対物レンズ
208 主偏向器
209 副偏向器
330 電子線
411 開口
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース
Claims (5)
- レジストが塗布された描画対象となる試料の描画領域が仮想分割された複数の小領域のそれぞれの小領域内に配置される複数の図形パターンの各パターンデータであって、図形パターン毎に、当該図形パターンが所属する小領域内でさらに複数のグループの1つに振り分けられるための振り分け識別子が定義された、外部から入力された各パターンデータを記憶する記憶部と、
前記振り分け識別子を用いて、グループ毎に描画順序が並ぶように、各小領域に当該小領域に配置される各パターンデータを割り当てる割当処理部と、
荷電粒子ビームを用いて、グループ毎に、各小領域に当該小領域に配置される各図形パターンを描画する描画部と、
を備え、
前記各パターンデータには、対象となる図形パターンの図形コード、図形パターンのサイズ、図形パターンの配置位置、及び前記振り分け識別子を含む属性情報が定義されることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記複数の小領域がそれぞれ配置される複数の層を作成するレイヤ作成部をさらに備え、
前記割当処理部は、グループ毎に異なる層になるように前記複数の層のいずれかの層の小領域に各パターンデータを割り当て、
前記描画部は、各小領域に配置される各図形パターンを描画する際、1つの層の当該小領域内に割り当てられた図形パターンを描画した後、他の層の当該小領域内に割り当てられた図形パターンを描画することを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置。 - 各パターンデータには、さらに、当該図形パターンの必要精度レベルを示す精度レベル識別子が定義され、
前記割当処理部は、パターンデータ毎に、精度レベル識別子に応じて前記振り分け識別子が示すグループに振り分けるかどうかを判定し、判定の結果、前記振り分け識別子が示すグループに振り分けない場合には、前記振り分け識別子が示すグループとは異なる前記複数のグループの1つに当該パターンデータを割り当てることを特徴とする請求項1又は2記載の荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記描画部は、グループ間に待機時間を設けて、グループ毎に各図形パターンを描画することを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- レジストが塗布された描画対象となる試料の描画領域が仮想分割された複数の小領域のそれぞれの小領域内に配置される複数の図形パターンの各パターンデータであって、図形パターン毎に、当該図形パターンが所属する小領域内でさらに複数のグループの1つに振り分けられるための振り分け識別子が定義された、外部から入力された各パターンデータを描画装置内の記憶装置に記憶する工程と、
前記記憶装置から各パターンデータを読み出し、前記振り分け識別子を用いて、グループ毎に描画順序が並ぶように、各小領域に当該小領域に配置される各パターンデータを割り当てる工程と、
荷電粒子ビームを用いて、グループ毎に、各小領域に当該小領域に配置される各図形パターンを描画する工程と、
を備え、
前記各パターンデータには、対象となる図形パターンの図形コード、図形パターンのサイズ、図形パターンの配置位置、及び前記振り分け識別子を含む属性情報が定義されることを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
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