JP2015164233A - ワーク分割装置及びワーク分割方法 - Google Patents
ワーク分割装置及びワーク分割方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015164233A JP2015164233A JP2015121666A JP2015121666A JP2015164233A JP 2015164233 A JP2015164233 A JP 2015164233A JP 2015121666 A JP2015121666 A JP 2015121666A JP 2015121666 A JP2015121666 A JP 2015121666A JP 2015164233 A JP2015164233 A JP 2015164233A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dicing tape
- workpiece
- wafer
- daf
- work
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 155
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 49
- 238000007710 freezing Methods 0.000 abstract description 58
- 230000008014 freezing Effects 0.000 abstract description 58
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 42
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 29
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 29
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 25
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 21
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 21
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 4
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 230000005679 Peltier effect Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000009300 dissolved air flotation Methods 0.000 description 1
- 239000002654 heat shrinkable material Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- XULSCZPZVQIMFM-IPZQJPLYSA-N odevixibat Chemical compound C12=CC(SC)=C(OCC(=O)N[C@@H](C(=O)N[C@@H](CC)C(O)=O)C=3C=CC(O)=CC=3)C=C2S(=O)(=O)NC(CCCC)(CCCC)CN1C1=CC=CC=C1 XULSCZPZVQIMFM-IPZQJPLYSA-N 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dicing (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Perforating, Stamping-Out Or Severing By Means Other Than Cutting (AREA)
Abstract
【解決手段】ダイシングテープSをエキスパンドすることにより、ダイシングテープSにダイアタッチフィルムDを介して貼付されたワークWを個々のチップに分割する分割手段を備えたワーク分割装置であって、ダイシングテープSを介してダイアタッチフィルムDに接触することにより、ダイアタッチフィルムDを局所的に冷却する冷凍チャックテーブル10(冷却手段)と、冷凍チャックテーブル10と同一のユニット内に設けられ、ダイシングテープSを加熱する光加熱装置22(加熱手段)と、を備える。
【選択図】図6
Description
これより、R=1/1400=0.00071m2・K/Wとなる。
なお、異種材料間を伝わる熱伝達においては、同種材料内を伝わる熱伝導と基本的には同じであり、熱伝導率の変わりに熱伝達係数が適用されるだけである。
Claims (8)
- ダイシングテープをエキスパンドすることにより、前記ダイシングテープにダイアタッチフィルムを介して貼付されたワークを個々のチップに分割する分割手段を備えたワーク分割装置であって、
前記ダイシングテープを介して前記ダイアタッチフィルムに接触することにより、前記ダイアタッチフィルムを局所的に冷却する冷却手段と、
前記冷却手段と同一のユニット内に設けられ、前記ダイシングテープを加熱する加熱手段と、
を備えるワーク分割装置。 - 前記分割手段は、前記冷却手段により前記ダイアタッチフィルムが局所的に冷却された後、前記ダイシングテープを突き上げて前記ダイシングテープをエキスパンドする突上げ用部材を有する、請求項1に記載のワーク分割装置。
- 前記加熱手段は、前記ダイシングテープを光により選択的に加熱する光加熱手段である、請求項1又は2に記載のワーク分割装置。
- 前記冷却手段は、前記ダイアタッチフィルムのうち前記ダイシングテープと前記ワークに挟まれた領域を局所的に冷却する、請求項1〜3のいずれか1項に記載のワーク分割装置。
- ダイシングテープをエキスパンドすることにより、前記ダイシングテープにダイアタッチフィルムを介して貼付されたワークを個々のチップに分割する分割ステップを備えたワーク分割方法であって、
前記ダイシングテープを介して前記ダイアタッチフィルムに接触することにより、前記ダイアタッチフィルムを局所的に冷却する冷却ステップと、
前記冷却ステップと同一のユニット内で行われ、前記ダイシングテープを加熱する加熱ステップと、
を備えるワーク分割方法。 - 前記分割ステップは、前記冷却ステップにより前記ダイアタッチフィルムが局所的に冷却された後、前記ダイシングテープを突き上げることによって前記ダイシングテープをエキスパンドする、請求項5に記載のワーク分割方法。
- 前記加熱ステップは、前記ダイシングテープを光により選択的に加熱する光加熱ステップである、請求項5又は6に記載のワーク分割方法。
- 前記冷却ステップは、前記ダイアタッチフィルムのうち前記ダイシングテープと前記ワークに挟まれた領域を局所的に冷却する、請求項5〜7のいずれか1項に記載のワーク分割方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015121666A JP6069740B2 (ja) | 2011-02-16 | 2015-06-17 | ワーク分割装置及びワーク分割方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011031291 | 2011-02-16 | ||
JP2011031291 | 2011-02-16 | ||
JP2015121666A JP6069740B2 (ja) | 2011-02-16 | 2015-06-17 | ワーク分割装置及びワーク分割方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012126847A Division JP5871719B2 (ja) | 2011-02-16 | 2012-06-04 | ワーク分割装置及びワーク分割方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016243282A Division JP2017050574A (ja) | 2011-02-16 | 2016-12-15 | ワーク分割装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015164233A true JP2015164233A (ja) | 2015-09-10 |
JP6069740B2 JP6069740B2 (ja) | 2017-02-01 |
Family
ID=46844533
Family Applications (11)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011282761A Active JP5013148B1 (ja) | 2011-02-16 | 2011-12-26 | ワーク分割装置及びワーク分割方法 |
JP2012126847A Active JP5871719B2 (ja) | 2011-02-16 | 2012-06-04 | ワーク分割装置及びワーク分割方法 |
JP2015121666A Active JP6069740B2 (ja) | 2011-02-16 | 2015-06-17 | ワーク分割装置及びワーク分割方法 |
JP2016243282A Pending JP2017050574A (ja) | 2011-02-16 | 2016-12-15 | ワーク分割装置 |
JP2017030266A Active JP6383030B2 (ja) | 2011-02-16 | 2017-02-21 | ワーク分割装置及びワーク分割方法 |
JP2017099990A Active JP6384975B2 (ja) | 2011-02-16 | 2017-05-19 | ワーク分割装置及びワーク分割方法 |
JP2017203593A Active JP6508286B2 (ja) | 2011-02-16 | 2017-10-20 | ワーク分割装置及びワーク分割方法 |
JP2018175177A Active JP6452016B1 (ja) | 2011-02-16 | 2018-09-19 | ワーク分割装置及びワーク分割方法 |
JP2018219316A Active JP6466620B1 (ja) | 2011-02-16 | 2018-11-22 | ワーク分割装置 |
JP2019001461A Active JP6562170B2 (ja) | 2011-02-16 | 2019-01-08 | ワーク分割装置 |
JP2019001460A Active JP6562169B2 (ja) | 2011-02-16 | 2019-01-08 | ワーク分割装置 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011282761A Active JP5013148B1 (ja) | 2011-02-16 | 2011-12-26 | ワーク分割装置及びワーク分割方法 |
JP2012126847A Active JP5871719B2 (ja) | 2011-02-16 | 2012-06-04 | ワーク分割装置及びワーク分割方法 |
Family Applications After (8)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016243282A Pending JP2017050574A (ja) | 2011-02-16 | 2016-12-15 | ワーク分割装置 |
JP2017030266A Active JP6383030B2 (ja) | 2011-02-16 | 2017-02-21 | ワーク分割装置及びワーク分割方法 |
JP2017099990A Active JP6384975B2 (ja) | 2011-02-16 | 2017-05-19 | ワーク分割装置及びワーク分割方法 |
JP2017203593A Active JP6508286B2 (ja) | 2011-02-16 | 2017-10-20 | ワーク分割装置及びワーク分割方法 |
JP2018175177A Active JP6452016B1 (ja) | 2011-02-16 | 2018-09-19 | ワーク分割装置及びワーク分割方法 |
JP2018219316A Active JP6466620B1 (ja) | 2011-02-16 | 2018-11-22 | ワーク分割装置 |
JP2019001461A Active JP6562170B2 (ja) | 2011-02-16 | 2019-01-08 | ワーク分割装置 |
JP2019001460A Active JP6562169B2 (ja) | 2011-02-16 | 2019-01-08 | ワーク分割装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (11) | JP5013148B1 (ja) |
KR (1) | KR101522276B1 (ja) |
TW (1) | TWI433228B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180028932A (ko) * | 2016-09-09 | 2018-03-19 | 가부시기가이샤 디스코 | 칩 간격 유지 방법 |
JP2021176201A (ja) * | 2020-05-26 | 2021-11-04 | 株式会社東京精密 | 温度付与装置及び温度付与方法 |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5013148B1 (ja) * | 2011-02-16 | 2012-08-29 | 株式会社東京精密 | ワーク分割装置及びワーク分割方法 |
JP2013191718A (ja) * | 2012-03-14 | 2013-09-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | 被加工物の分割装置及び分割方法 |
JP5885033B2 (ja) * | 2012-09-24 | 2016-03-15 | 株式会社東京精密 | ワーク分割装置及びワーク分割方法 |
KR102047347B1 (ko) * | 2012-12-26 | 2019-11-21 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 익스팬드 방법, 반도체 장치의 제조방법, 및 반도체 장치 |
JP6298635B2 (ja) * | 2014-01-10 | 2018-03-20 | 株式会社ディスコ | 分割装置及び被加工物の分割方法 |
JP6573072B2 (ja) * | 2015-08-27 | 2019-09-11 | 株式会社村田製作所 | フィルム拡張装置およびそれを用いた電子部品の製造方法 |
JP6570942B2 (ja) * | 2015-09-18 | 2019-09-04 | 株式会社ディスコ | 分割装置及びウエーハの分割方法 |
JP5939416B2 (ja) * | 2016-02-12 | 2016-06-22 | 株式会社東京精密 | ワーク分割装置及びワーク分割方法 |
JP6060475B2 (ja) * | 2016-05-16 | 2017-01-18 | 株式会社東京精密 | ワーク分割装置及びワーク分割方法 |
CN109891556B (zh) * | 2016-10-28 | 2022-11-22 | 株式会社东京精密 | 工件分割装置及工件分割方法 |
JP6414995B2 (ja) * | 2016-12-14 | 2018-10-31 | 株式会社東京精密 | ワーク分割装置及びワーク分割方法 |
JP6814672B2 (ja) * | 2017-03-23 | 2021-01-20 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
JP6820099B2 (ja) * | 2017-05-10 | 2021-01-27 | リンテック株式会社 | 離間装置および離間方法 |
JP2018207068A (ja) * | 2017-06-09 | 2018-12-27 | 株式会社ディスコ | ピックアップ方法 |
JP7105120B2 (ja) * | 2017-07-04 | 2022-07-22 | 日東電工株式会社 | ダイシングテープ、ダイシングダイボンドフィルム、および半導体装置製造方法 |
JP7109916B2 (ja) * | 2017-12-27 | 2022-08-01 | 株式会社ディスコ | 分割装置 |
JP7110541B2 (ja) * | 2018-01-11 | 2022-08-02 | 株式会社東京精密 | ワーク分割装置及びワーク分割方法 |
CN110098148A (zh) * | 2018-01-30 | 2019-08-06 | 株式会社迪思科 | 晶片的加工方法 |
JP7030006B2 (ja) * | 2018-04-12 | 2022-03-04 | 株式会社ディスコ | 拡張方法及び拡張装置 |
JP7130324B2 (ja) * | 2018-05-18 | 2022-09-05 | 株式会社ディスコ | デバイスチップの形成方法 |
JP7033004B2 (ja) * | 2018-05-24 | 2022-03-09 | 日東電工株式会社 | ダイシングダイボンドフィルムおよび半導体装置製造方法 |
JP2018170525A (ja) * | 2018-07-09 | 2018-11-01 | 株式会社東京精密 | ワーク分割装置及びワーク分割方法 |
TWI677932B (zh) * | 2019-02-01 | 2019-11-21 | 相豐科技股份有限公司 | 拉伸膜擴張方法及其膜擴張機 |
WO2020217397A1 (ja) | 2019-04-25 | 2020-10-29 | 日立化成株式会社 | ドルメン構造を有する半導体装置の製造方法、支持片の製造方法及び積層フィルム |
JP7386649B2 (ja) * | 2019-08-29 | 2023-11-27 | 株式会社ディスコ | テープ拡張装置 |
JP7345328B2 (ja) * | 2019-09-13 | 2023-09-15 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法 |
CN110729186A (zh) * | 2019-10-24 | 2020-01-24 | 东莞记忆存储科技有限公司 | 一种晶圆切割及分离的加工工艺方法 |
US11842907B2 (en) * | 2020-07-08 | 2023-12-12 | Applied Materials, Inc. | Spot heating by moving a beam with horizontal rotary motion |
KR102441184B1 (ko) * | 2020-07-15 | 2022-09-07 | 주식회사 기가레인 | 필름 교환이 용이한 전사 장치 및 필름 교환 방법 |
JP7170208B2 (ja) * | 2021-01-19 | 2022-11-14 | 株式会社東京精密 | ワーク分割装置及びワーク分割方法 |
CN117957637A (zh) * | 2021-09-14 | 2024-04-30 | 雅马哈发动机株式会社 | 扩展装置 |
JPWO2023042261A1 (ja) * | 2021-09-14 | 2023-03-23 | ||
WO2023209901A1 (ja) * | 2022-04-27 | 2023-11-02 | ヤマハ発動機株式会社 | エキスパンド装置、半導体チップの製造方法および半導体チップ |
CN117894720A (zh) * | 2024-03-15 | 2024-04-16 | 视睿(杭州)信息科技有限公司 | 半导体晶圆芯片分选方法及装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009064905A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-03-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | 拡張方法および拡張装置 |
JP2009253071A (ja) * | 2008-04-08 | 2009-10-29 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | エキスパンド方法 |
JP2010206136A (ja) * | 2009-03-06 | 2010-09-16 | Disco Abrasive Syst Ltd | ワーク分割装置 |
JP5013148B1 (ja) * | 2011-02-16 | 2012-08-29 | 株式会社東京精密 | ワーク分割装置及びワーク分割方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2831680B2 (ja) * | 1989-03-06 | 1998-12-02 | 株式会社東芝 | ウエハーシートの延伸装置,ウエハーシートの延伸方法,半導体ペレット取出し方法,半導体ペレット取出し装置,インナーリードボンディング装置,インナーリードボンディング方法 |
JPH0541451A (ja) * | 1991-08-06 | 1993-02-19 | Sony Corp | 半導体ウエハのペレタイズ方法と装置 |
JP4526651B2 (ja) * | 1999-08-12 | 2010-08-18 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置 |
JP4392732B2 (ja) * | 2000-02-07 | 2010-01-06 | リンテック株式会社 | 半導体チップの製造方法 |
JP4288392B2 (ja) * | 2003-09-29 | 2009-07-01 | 株式会社東京精密 | エキスパンド方法 |
JP2004200381A (ja) * | 2002-12-18 | 2004-07-15 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
JP2005260154A (ja) * | 2004-03-15 | 2005-09-22 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | チップ製造方法 |
WO2005114714A1 (ja) * | 2004-05-24 | 2005-12-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | ウェハエキスパンド装置、部品供給装置、及びウェハシートのエキスパンド方法 |
JP2007027562A (ja) * | 2005-07-20 | 2007-02-01 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハに装着された接着フィルムの破断方法 |
JP2007123658A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | 粘着テープの拡張装置 |
JP4935733B2 (ja) * | 2008-03-24 | 2012-05-23 | 富士通株式会社 | 貸付状況表示プログラム、貸付状況表示装置、貸付状況表示方法 |
JP5243101B2 (ja) * | 2008-05-14 | 2013-07-24 | 株式会社ディスコ | 破断装置 |
JP5378780B2 (ja) * | 2008-12-19 | 2013-12-25 | 株式会社ディスコ | テープ拡張方法およびテープ拡張装置 |
JP5253996B2 (ja) * | 2008-12-26 | 2013-07-31 | 株式会社ディスコ | ワーク分割方法およびテープ拡張装置 |
JP5303330B2 (ja) * | 2009-03-26 | 2013-10-02 | 積水化学工業株式会社 | ダイシングテープ及び半導体チップの製造方法 |
JP2011077482A (ja) * | 2009-10-02 | 2011-04-14 | Disco Abrasive Syst Ltd | テープ拡張装置 |
JP5554118B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2014-07-23 | 古河電気工業株式会社 | ウエハ加工用テープ |
JP5536555B2 (ja) * | 2010-06-22 | 2014-07-02 | 株式会社ディスコ | 拡張テープ収縮装置 |
JP2012156400A (ja) * | 2011-01-27 | 2012-08-16 | Disco Abrasive Syst Ltd | テープ拡張装置 |
-
2011
- 2011-12-26 JP JP2011282761A patent/JP5013148B1/ja active Active
-
2012
- 2012-02-10 KR KR1020120013857A patent/KR101522276B1/ko active IP Right Grant
- 2012-02-15 TW TW101104820A patent/TWI433228B/zh active
- 2012-06-04 JP JP2012126847A patent/JP5871719B2/ja active Active
-
2015
- 2015-06-17 JP JP2015121666A patent/JP6069740B2/ja active Active
-
2016
- 2016-12-15 JP JP2016243282A patent/JP2017050574A/ja active Pending
-
2017
- 2017-02-21 JP JP2017030266A patent/JP6383030B2/ja active Active
- 2017-05-19 JP JP2017099990A patent/JP6384975B2/ja active Active
- 2017-10-20 JP JP2017203593A patent/JP6508286B2/ja active Active
-
2018
- 2018-09-19 JP JP2018175177A patent/JP6452016B1/ja active Active
- 2018-11-22 JP JP2018219316A patent/JP6466620B1/ja active Active
-
2019
- 2019-01-08 JP JP2019001461A patent/JP6562170B2/ja active Active
- 2019-01-08 JP JP2019001460A patent/JP6562169B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009064905A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-03-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | 拡張方法および拡張装置 |
JP2009253071A (ja) * | 2008-04-08 | 2009-10-29 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | エキスパンド方法 |
JP2010206136A (ja) * | 2009-03-06 | 2010-09-16 | Disco Abrasive Syst Ltd | ワーク分割装置 |
JP5013148B1 (ja) * | 2011-02-16 | 2012-08-29 | 株式会社東京精密 | ワーク分割装置及びワーク分割方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180028932A (ko) * | 2016-09-09 | 2018-03-19 | 가부시기가이샤 디스코 | 칩 간격 유지 방법 |
KR102305385B1 (ko) | 2016-09-09 | 2021-09-24 | 가부시기가이샤 디스코 | 칩 간격 유지 방법 |
JP2021176201A (ja) * | 2020-05-26 | 2021-11-04 | 株式会社東京精密 | 温度付与装置及び温度付与方法 |
JP7217408B2 (ja) | 2020-05-26 | 2023-02-03 | 株式会社東京精密 | 温度付与装置及び温度付与方法 |
JP2023040258A (ja) * | 2020-05-26 | 2023-03-22 | 株式会社東京精密 | 温度付与装置及び温度付与方法 |
JP7486709B2 (ja) | 2020-05-26 | 2024-05-20 | 株式会社東京精密 | 温度付与装置及び温度付与方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012186504A (ja) | 2012-09-27 |
JP6562170B2 (ja) | 2019-08-21 |
JP5013148B1 (ja) | 2012-08-29 |
JP2012186445A (ja) | 2012-09-27 |
JP5871719B2 (ja) | 2016-03-01 |
TWI433228B (zh) | 2014-04-01 |
TW201243932A (en) | 2012-11-01 |
JP6069740B2 (ja) | 2017-02-01 |
JP2018029203A (ja) | 2018-02-22 |
JP2019068102A (ja) | 2019-04-25 |
JP6384975B2 (ja) | 2018-09-05 |
JP2019068101A (ja) | 2019-04-25 |
JP6466620B1 (ja) | 2019-02-06 |
JP6383030B2 (ja) | 2018-08-29 |
JP2017139504A (ja) | 2017-08-10 |
JP2017050574A (ja) | 2017-03-09 |
JP2019012841A (ja) | 2019-01-24 |
JP6452016B1 (ja) | 2019-01-16 |
JP6562169B2 (ja) | 2019-08-21 |
JP6508286B2 (ja) | 2019-05-08 |
JP2019050414A (ja) | 2019-03-28 |
JP2017123476A (ja) | 2017-07-13 |
KR20120094427A (ko) | 2012-08-24 |
KR101522276B1 (ko) | 2015-05-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6562169B2 (ja) | ワーク分割装置 | |
JP6249586B2 (ja) | ワーク分割装置及びワーク分割方法 | |
JP5885033B2 (ja) | ワーク分割装置及びワーク分割方法 | |
JP2012186447A (ja) | ワーク分割装置及びワーク分割方法 | |
JP2018170525A (ja) | ワーク分割装置及びワーク分割方法 | |
KR102225430B1 (ko) | 워크 분할장치 및 워크 분할방법 | |
JP6414995B2 (ja) | ワーク分割装置及びワーク分割方法 | |
JP5939416B2 (ja) | ワーク分割装置及びワーク分割方法 | |
JP6060475B2 (ja) | ワーク分割装置及びワーク分割方法 | |
JP2020025112A (ja) | ワーク分割装置及びワーク分割方法 | |
KR101843794B1 (ko) | 워크 분할장치 및 워크 분할방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150617 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160608 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160614 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160802 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A132 Effective date: 20160902 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161028 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161130 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161213 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6069740 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |