JP5554118B2 - ウエハ加工用テープ - Google Patents
ウエハ加工用テープ Download PDFInfo
- Publication number
- JP5554118B2 JP5554118B2 JP2010080180A JP2010080180A JP5554118B2 JP 5554118 B2 JP5554118 B2 JP 5554118B2 JP 2010080180 A JP2010080180 A JP 2010080180A JP 2010080180 A JP2010080180 A JP 2010080180A JP 5554118 B2 JP5554118 B2 JP 5554118B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- semiconductor
- wafer processing
- adhesive layer
- processing tape
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Dicing (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
Description
エキスパンドにより接着剤層をチップに沿って分断する際に用いる、エキスパンド可能なウエハ加工用テープであって、
基材フィルムと、前記基材フィルム上に設けられた粘着剤層とを有し、
前記基材フィルムはJIS K7206で規定されるビカット軟化点が50℃以上90℃未満の熱可塑性架橋樹脂の単層からなり、
前記熱可塑性架橋樹脂は、エチレン−(メタ)アクリル酸2元共重合体を亜鉛イオンで架橋させたアイオノマー樹脂であるか、またはエチレン−(メタ)アクリル酸−(メタ)アクリル酸アルキルエステル3元共重合体を亜鉛イオンで架橋させたアイオノマー樹脂であり、共重合体におけるエチレン成分の質量比が80〜95%でアクリル酸成分もしくはアクリル酸アルキルエステル成分の合計成分の質量比が5〜20%であり、前記基材フィルムにおける亜鉛イオン含有量が2〜4質量%であり、
熱収縮による応力の増大が9MPa以上であることを特徴とする。
また、本発明の第2の態様は、前記粘着剤層上に接着剤層を積層したことを特徴とする。
(a)回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
(b)前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
(c)70〜80℃に半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
(d)前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
(e)前記半導体ウエハの分割予定部分にレーザー光を照射して、該ウエハの内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程と、
(f)前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記半導体ウエハと前記接着剤層とを分断ラインに沿って分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程と、
(g)前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
(h)前記接着剤層が付いた前記半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする。
(a)回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
(b)前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
(c)70〜80℃に半導体ウエハを加熱した状態で、半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
(d)前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
(e)前記半導体ウエハの表面から分断ラインに沿ってレーザー光を照射して、個々の半導体チップに分断する工程と、
(f)前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程と、
(g)前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程
(h)前記接着剤層が付いた前記半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする。
(a)回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
(b)前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
(c)70〜80℃に半導体ウエハを加熱した状態で、半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
(d)前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
(e)ダイシングブレードを用いて前記半導体ウエハを分断ラインに沿って切削し、個々の半導体チップに分断する工程と、
(f)前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程と、
(g)前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
(h)前記接着剤層が付いた前記半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする。
(a)ダイシングブレードを用いて回路パタ−ンが形成された半導体ウエハを分断ライン予定ラインに沿ってウエハの厚さ未満の深さまで切削し、
(b)前記半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
(c)前記半導体ウエハ裏面を研削して個々の半導体チップに分断するバックグラインド工程と、
(d)70〜80℃に半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体チップの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
(e)前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
(f)前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程と、
(g)前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
(h)前記接着剤層が付いた前記半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする。
図1は、本発明の実施形態に係るウエハ加工用テープ10に、半導体ウエハWが貼り合わされた状態を示す断面図である。半導体ウエハWの回路パターン形成面(ウエハ表面)には、ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程にて、回路パターンを保護するための表面保護テープ14が貼合されている。また、半導体ウエハWの裏面には、ウエハ加工用テープ10が貼合されている。本発明のウエハ加工用テープ10は、エキスパンドにより接着剤層13をチップに沿って分断する際に用いるエキスパンド可能なテープである。このウエハ加工用テープ10は、基材フィルム11と、基材フィルム11上に設けられた粘着剤層12と、粘着剤層12上に設けられた接着剤層13とを有し、接着剤層13上に半導体ウエハWの裏面を貼合する。なお、それぞれの層は、使用工程や装置に合わせて予め所定形状に切断(プリカット)されていてもよい。さらに、本発明のウエハ加工用テープは、ウエハ1枚分ごとに切断された形態と、これが複数形成された長尺のシートをロール状に巻き取った形態とを含む。以下に、各層の構成について説明する。
基材フィルム11は、JIS K7206で規定されるビカット軟化点が50℃以上90℃未満の熱可塑性架橋樹脂から構成される。このような構成の基材フィルム11を使用することで、接着剤層13を分断するエキスパンド工程において使用可能な均一且つ等方的な拡張性を有するウエハ加工用テープ10が実現できる。しかも架橋樹脂は非架橋樹脂と比較して引っ張りに対する復元力が大きい為に、エキスパンド工程後の引き伸ばされた状態に熱を加えて該樹脂を軟化させた際の収縮応力が大きく、エキスパンド工程後にテープに生じた弛みを加熱収縮によって除去でき、テープを緊張させて個々の半導体チップの間隔を安定に保持することができる。なお、一般にエキスパンド工程後の加熱工程においてテープは50〜90℃程度になる為、軟化点がこの範囲より高すぎれば弛みを十分に除去するのが困難であり、また逆に低すぎればテープが溶断する危険がある。
粘着剤層12は、基材フィルム11に粘着剤を塗工して形成することができる。本発明のウエハ加工用テープ10を構成する粘着剤層12に特に制限はなく、ダイシング時において接着剤層13との剥離を生じずチップ飛びなどの不良を発生しない程度の保持性や、ピックアップ時において接着剤層13との剥離が容易となる特性を有するものであればよい。ダイシング後のピックアップ性を向上させるために、粘着剤層12はエネルギー線硬化性のものが好ましく、硬化後に接着剤層13との剥離が容易な材料であることが好ましい。
接着剤層13は、半導体ウエハが貼合されダイシングされた後、チップをピックアップする際に、粘着剤層12と剥離してチップに付着しており、チップを基板やリードフレームに固定する際の接着剤として使用されるものである。半導体ウエハ加工に際して、該接着剤層13は基材フィルム11に粘着剤層12を積層したウエハ加工用テープ10に予め積層されていてもよいし、それぞれ別々に半導体ウエハに貼合してもよい。接着剤は得に限定されるものではないが、ダイシング・ダイボンディングテープに一般的に使用されるフィルム状接着剤であれば良く、アクリル系粘接着剤、エポキシ樹脂/フェノール樹脂/アクリル樹脂のブレンド系粘接着剤等が好ましい。その厚さは適宜設定してよいが、5〜100μm程度が好ましい。
本発明のウエハ加工用テープ10の使用用途としては、少なくともエキスパンドにより接着剤層13を分断する工程を含む半導体装置の製造方法に使用する限り、特に限定されない。例えば、以下の半導体装置の製造方法(A)〜(D)において好適に使用できる。
(a)回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
(b)前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
(c)70〜80℃に半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
(d)前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
(e)前記半導体ウエハの分割予定部分にレーザー光を照射して、該ウエハの内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程と、
(f)前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記半導体ウエハと前記接着剤層とを分断ラインに沿って分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程と、
(g)前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
(h)接着剤層が付いた前記半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
(a)回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
(b)前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
(c)70〜80℃に半導体ウエハを加熱した状態で、半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
(d)前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
(e)前記半導体ウエハの表面から分断ラインに沿ってレーザー光を照射して、個々の半導体チップに分断する工程と、
(f)前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程と、
(g)前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
(h)接着剤層が付いた前記半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
(a)回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
(b)前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
(c)70〜80℃に半導体ウエハを加熱した状態で、半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
(d)前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
(e)ダイシングブレードを用いて前記半導体ウエハを分断ラインに沿って切削し、個々の半導体チップに分断する工程と、
(f)前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程と、
(g)前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
(h)接着剤層が付いた前記半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
(a)ダイシングブレードを用いて回路パタ−ンが形成された半導体ウエハを分断ライン予定ラインに沿ってウエハの厚さ未満の深さまで切削し、
(b)前記半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
(c)前記半導体ウエハ裏面を研削して個々の半導体チップに分断するバックグラインド工程と、
(d)70〜80℃に半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体チップの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
(e)前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
(f)前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程と
(g)前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
(h)接着剤層が付いた前記半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
本発明のウエハ加工用テープ10を上記半導体装置の製造方法(A)に適用した場合の、テープの使用方法について、図2〜図5を参照しながら説明する。まず、図2に示すように、回路パターンが形成された半導体ウエハWの表面に、紫外線硬化性成分からなる表面保護テープ14を貼合し、半導体ウエハWの裏面を研削するバックグラインド工程を実施する。
(1.1)実施例1
(基材フィルム11の作製)
ラジカル重合法によって合成されたエチレン−メタアクリル酸−メタアクリル酸エチル(質量比8:1:1)3元共重合体の亜鉛アイオノマーa(密度0.96g/cm3、亜鉛イオン含有量4質量%、塩素含有量1質量%未満、ビカット軟化点56℃、融点86℃)の樹脂ビーズを140℃で溶融し、押出機を用いて厚さ100μmの長尺フィルム状に成形することにより、基材フィルム11をなす支持基材1を作製した。
ブチルアクリレートと2−ヒドロキシエチルアクリレートとアクリル酸をラジカル重合することでアクリル系共重合体(分子量60万、水酸基価4.7mgKOH/g、酸価0.2mgKOH/g)を得た。このアクリル系共重合体の100質量部に対して、光重合性硬化物としてトリメチロールプロパントリアクリレートを30質量部加え、ポリイソシアネートとしてコロネートL(日本ポリウレタン製)を2質量部加え、光重合開始剤としてイルガキュアー184(日本チバガイギー社製)を1質量部加えた混合物を、酢酸エチルに溶解させ、攪拌して粘着剤組成物1を調製した。
エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量197、分子量1200、軟化点70℃)50質量部、シランカップリング剤としてγ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン1.5質量部、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン3質量部、平均粒径16nmのシリカフィラー30質量部からなる組成物に、シクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、更にビーズミルを用いて90分間混錬した。これに、ブチルアクリレートと2−ヒドロキシエチルアクリレートをラジカル重合することで合成したアクリル樹脂(分子量20万、水酸基価3.5mgKOH/g)を100質量部、硬化剤としてコロネートLを1質量部加え、攪拌混合して接着剤組成物1を調製した。
基材フィルム11をなす支持基材1上に、粘着剤組成物1を乾燥後の厚さが20μmになるように塗工し、110℃で3分間乾燥させて、基材フィルム11上に粘着剤層12が形成された粘着シートを作成した。これとは別に、接着剤組成物1を離型処理したポリエチレン−テレフタレートフィルムよりなる剥離ライナーに、乾燥後の厚さが20μmになるように塗工し、110℃で3分間乾燥させて剥離ライナー上に接着剤層13が形成された接着フィルムを作製した。
(基材フィルム11の調製)
ラジカル重合法によって合成されたエチレン−メタアクリル酸(質量比9.5:0.5)2元共重合体の亜鉛アイオノマーb(密度0.95g/cm3、亜鉛イオン含有量2質量%、塩素含有量1質量%未満、ビカット軟化点81℃、融点100℃)の樹脂ビーズを140℃で溶融し、押出機を用いて厚さ100μmの長尺フィルム状に成形することにより、基材フィルム11をなす支持基材2を作製した。
(基材フィルム11の調製)
メタロセン重合法によって合成された超低密度ポリエチレンULDPEa(密度0.90g/cm3、塩素含有量1質量%未満、ビカット軟化点72℃、融点90℃)の樹脂ビーズを140℃で溶融し、押出機を用いて厚さ100μmの長尺フィルム状に成形した後、中エネルギー電子線加速装置を用いて加速電圧1MeV、照射量20Mradで電子線を照射することにより、基材フィルム11をなす支持基材3を作製した。
(基材フィルム11の調製)
メタロセン重合法によって合成された低密度ポリエチレンLDPEb(密度0.91g/cm3、塩素含有量1質量%未満、ビカット軟化点81℃、融点102℃)の樹脂ビーズを140℃で溶融し、押出機を用いて厚さ100μmの長尺フィルム状に成形した後、中エネルギー電子線加速装置を用いて加速電圧1MeV、照射量20Mradで電子線を照射することにより、基材フィルム11をなす支持基材4を作製した。
(基材フィルム11の調製)
ラジカル重合法によって合成されたエチレン−酢酸ビニル(質量比9:1)共重合体EVAa(密度0.93g/cm3、塩素含有量1質量%未満、ビカット軟化点69℃、融点96℃)の樹脂ビーズを140℃で溶融し、押出機を用いて厚さ100μmの長尺フィルム状に成形した後、中エネルギー電子線加速装置を用いて加速電圧1MeV、照射量20Mradで電子線を照射することにより、基材フィルム11をなす支持基材5を作製した。
(基材フィルム11の調製)
ラジカル重合法によって合成されたエチレン−メタアクリル酸(質量比9.5:0.5)2元共重合体の亜鉛アイオノマーc(密度0.94g/cm3、亜鉛イオン含有量1質量%、塩素含有量1質量%未満、ビカット軟化点80℃、融点98℃)の樹脂ビーズを140℃で溶融し、押出機を用いて厚さ100μmの長尺フィルム状に成形することにより、基材フィルム11をなす支持基材6を作製した。
(基材フィルム11の調製)
ラジカル重合法によって合成されたエチレン−酢酸ビニル(質量比9:1)共重合体EVAa(密度0.93g/cm3、塩素含有量1質量%未満、ビカット軟化点69℃、融点96℃)の樹脂ビーズを140℃で溶融し、押出機を用いて厚さ100μmの長尺フィルム状に成形することにより、基材フィルム11をなす支持基材7を作製した。
(基材フィルム11の調製)
市販の工業用ポリ塩化ビニルa(可塑剤30質量%、密度1.45g/cm3、塩素含有量56.8質量%、ビカット軟化点76℃、融点100℃)の樹脂ビーズを140℃で溶融し、押出機を用いて厚さ100μmの長尺フィルム状に成形することにより、基材フィルム11をなす支持基材8を作製した。
(基材フィルム11の調製)
メタロセン重合法によって合成された超低密度ポリエチレンULDPEa(密度0.90g/cm3、塩素含有量1質量%未満、ビカット軟化点72℃、融点90℃)の樹脂ビーズを140℃で溶融し、押出機を用いて厚さ100μmの長尺フィルム状に成形することにより、基材フィルム11をなす支持基材9を作製した。
(基材フィルム11の調製)
メタロセン重合法によって合成された低密度ポリエチレンLDPEb(密度0.91g/cm3、塩素含有量1質量%未満、ビカット軟化点81℃、融点102℃)の樹脂ビーズを140℃で溶融し、押出機を用いて厚さ100μmの長尺フィルム状に成形することにより、基材フィルム11をなす支持基材10を作製した。
(基材フィルム11の調製)
メタロセン重合法によって合成された低密度ポリエチレンLDPEc(密度0.91g/cm3、塩素含有量1質量%未満、ビカット軟化点96℃、融点102℃)の樹脂ビーズを140℃で溶融し、押出機を用いて厚さ100μmの長尺フィルム状に成形した後、中エネルギー電子線加速装置を用いて加速電圧1MeV,照射量20Mradで電子線を照射することにより、基材フィルム11をなす支持基材11を作製した。
(基材フィルム11の調製)
メタロセン重合法によって合成された低密度ポリエチレンLDPEc(密度0.91g/cm3、塩素含有量1質量%未満、ビカット軟化点96℃、融点102℃)の樹脂ビーズを140℃で溶融し、押出機を用いて厚さ100μmの長尺フィルム状に成形することにより、基材フィルム11をなす支持基材12を作製した。
(2.1)加熱による収縮応力の増大量
以下に示す方法により、実施例1〜2、参考例3〜5および比較例1〜7のウエハ加工用テープを加熱した際の収縮応力の増大量を測定した。
以下に示す方法により、前記実施例、前記参考例および前記比較例のウエハ加工用テープついて、上述した半導体装置の製造方法(A)に相当する下記の半導体加工工程における適合性試験を実施した。
(b)前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程。
(c)70〜80℃に半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合し、同時にウエハ加工用リングフレームを、前記ウエハ加工用テープの粘着剤層が接着剤層と重ならずに露出した部分と貼合する工程。
(d)前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程。
(e)前記半導体ウエハの分割予定部分にレーザー光を照射して、該ウエハの内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程。
(f)前記ウエハ加工用テープを10%エキスパンドすることにより、前記半導体ウエハと前記接着剤層とを分断ラインに沿って分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程。
(g)前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分(半導体チップが存在する領域とリングフレームとの間の円環状の領域)を50℃若しくは70℃若しくは90℃に加熱し、目視によって前記テープの弛みがなくなるまで加熱を継続する加熱工程。なお、この加熱工程において加熱した時間を記録した。また、上記加熱工程後、ウエハ加工用テープの弛み量を、JIS B7609適合10g分銅を基材フィルムの背面(半導体ウエハを貼合しない面)よりのせて測定し、該緩み量が5mm未満であることを確認した。
(h)接着剤層が付いた前記半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程。
前記実施例、前記参考例および比較例のウエハ加工用テープについて、最終の(h)工程における歩留まり(ピックアップ成功率)を評価した。各実施例、各参考例および各比較例のウエハ加工用テープを用いた場合における結果を表1および表2に示す。
以上の結果から、基材フィルムとして、JIS K7206で規定されるビカット軟化点が50℃以上90℃未満であり、熱収縮による応力の増大が9MPa以上である熱可塑性架橋樹脂を用いることで、半導体装置の製造に好適なウエハ加工用テープとすることができることが明らかとなった。すなわち、50℃、70℃、90℃の何れの温度における加熱収縮工程によっても短い加熱時間で十分な収縮性を示しており、加熱収縮工程の後に弛みが非常に少ないことが明らかとなった。そして、このように弛み量が少ないことで、分断済みの半導体チップおよび個片化された接着剤をウエハ加工用テープ上に安定して固定することができ、隣接チップ同士が接触して破損したり、接着剤層同士が接触して再癒着したりすることがなく、良好なピックアップ性を示すことが明らかとなった。また、短い加熱時間で十分な収縮性を示すことから、過剰の熱量を加えることで接着剤層13と粘着剤層12が密着してピックアップ性が低下する虞もない。
11 基材フィルム
12 粘着剤層
13 接着剤層
14 表面保護フィルム
20 リングフレーム
21 ステージ
22 突き上げ部材
25 ヒーターテーブル
26 吸着テーブル
27 紫外線光源
28 加熱収縮領域
29 温風ノズル
30 改質領域
41 突き上げピン
42 吸着コレット
50 JIS B7609適合10g分銅
W 半導体ウエハ
C 半導体チップ
a 弛み量
Claims (7)
- エキスパンドにより接着剤層をチップに沿って分断する際に用いる、エキスパンド可能なウエハ加工用テープであって、
基材フィルムと、前記基材フィルム上に設けられた粘着剤層を有し、
前記基材フィルムは、JIS K7206で規定されるビカット軟化点が50℃以上90℃未満の熱可塑性架橋樹脂の単層からなり、
前記熱可塑性架橋樹脂は、エチレン−(メタ)アクリル酸2元共重合体を亜鉛イオンで架橋させたアイオノマー樹脂であるか、またはエチレン−(メタ)アクリル酸−(メタ)アクリル酸アルキルエステル3元共重合体を亜鉛イオンで架橋させたアイオノマー樹脂であり、共重合体におけるエチレン成分の質量比が80〜95%でアクリル酸成分もしくはアクリル酸アルキルエステル成分の合計成分の質量比が5〜20%であり、前記基材フィルムにおける亜鉛イオン含有量が2〜4質量%であり、
JIS K7162で定められた方法で、当該ウエハ加工用テープの試験片に10%の伸び歪みを与えた後、チャック間距離を一定に保った状態のまま、該試験片の温度が70℃に達するまで加熱する過程と、該試験片を70℃の温度に1分間保つ過程と、その後該試験片を室温に戻す過程における、該試験片の最大熱収縮応力が、加熱開始直前の初期応力よりも9MPa以上大きいことを特徴とするウエハ加工用テープ。 - 前記粘着剤層上に接着剤層を積層したことを特徴とする請求項1に記載のウエハ加工用テープ。
- 前記熱可塑性架橋樹脂は、塩素原子の含有量が1質量%未満であることを特徴とする請求項1または2に記載のウエハ加工用テープ。
- 前記ウエハ加工用テープは、
(a)回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
(b)前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
(c)70〜80℃に半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
(d)前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
(e)前記半導体ウエハの分割予定部分にレーザー光を照射して、該ウエハの内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程と、
(f)前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記半導体ウエハと前記接着剤層とを分断ラインに沿って分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程と、
(g)前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
(h)前記接着剤層が付いた前記半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする請求項2または3に記載のウエハ加工用テープ。 - 前記ウエハ加工用テープは、
(a)回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
(b)前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
(c)70〜80℃に半導体ウエハを加熱した状態で、半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
(d)前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
(e)前記半導体ウエハの表面から分断ラインに沿ってレーザー光を照射して、個々の半導体チップに分断する工程と、
(f)前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程と、
(g)前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
(h)前記接着剤層が付いた前記半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする請求項2または3に記載のウエハ加工用テープ。 - 前記ウエハ加工用テープは、
(a)回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
(b)前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
(c)70〜80℃に半導体ウエハを加熱した状態で、半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
(d)前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
(e)ダイシングブレードを用いて前記半導体ウエハを分断ラインに沿って切削し、個々の半導体チップに分断する工程と、
(f)前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程と、
(g)前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
(h)前記接着剤層が付いた前記半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする請求項2または3に記載のウエハ加工用テープ。 - 前記ウエハ加工用テープは、
(a)ダイシングブレードを用いて回路パタ−ンが形成された半導体ウエハを分断ライン予定ラインに沿ってウエハの厚さ未満の深さまで切削し、
(b)前記半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
(c)前記半導体ウエハ裏面を研削して個々の半導体チップに分断するバックグラインド工程と、
(d)70〜80℃に半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体チップの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
(e)前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
(f)前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程と、
(g)前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
(h)前記接着剤層が付いた前記半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする請求項2または3に記載のウエハ加工用テープ。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010080180A JP5554118B2 (ja) | 2010-03-31 | 2010-03-31 | ウエハ加工用テープ |
TW100108007A TWI481692B (zh) | 2010-03-31 | 2011-03-10 | 晶圓加工用帶 |
KR1020110028664A KR101322160B1 (ko) | 2010-03-31 | 2011-03-30 | 웨이퍼 가공용 테이프 |
CN201110080346.3A CN102206469B (zh) | 2010-03-31 | 2011-03-31 | 晶片加工用胶带 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010080180A JP5554118B2 (ja) | 2010-03-31 | 2010-03-31 | ウエハ加工用テープ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011216508A JP2011216508A (ja) | 2011-10-27 |
JP5554118B2 true JP5554118B2 (ja) | 2014-07-23 |
Family
ID=44695542
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010080180A Active JP5554118B2 (ja) | 2010-03-31 | 2010-03-31 | ウエハ加工用テープ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5554118B2 (ja) |
KR (1) | KR101322160B1 (ja) |
CN (1) | CN102206469B (ja) |
TW (1) | TWI481692B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190080862A (ko) | 2016-11-02 | 2019-07-08 | 린텍 가부시키가이샤 | 스텔스 다이싱용 점착 시트 |
KR102193721B1 (ko) | 2019-01-21 | 2020-12-21 | 주식회사 야스 | 점착척의 점착시트 보호 용 커버 필름 |
Families Citing this family (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5013148B1 (ja) * | 2011-02-16 | 2012-08-29 | 株式会社東京精密 | ワーク分割装置及びワーク分割方法 |
WO2013015012A1 (ja) * | 2011-07-25 | 2013-01-31 | リンテック株式会社 | 半導体加工シート用基材フィルム、半導体加工シート及び半導体装置の製造方法 |
TWI461498B (zh) * | 2011-09-22 | 2014-11-21 | Furukawa Electric Co Ltd | Cut sticky ribbon |
CN103013365A (zh) * | 2011-09-23 | 2013-04-03 | 古河电气工业株式会社 | 晶片加工用带 |
JP2013098443A (ja) * | 2011-11-02 | 2013-05-20 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体用接着シート |
WO2013099778A1 (ja) * | 2011-12-26 | 2013-07-04 | 三井・デュポンポリケミカル株式会社 | レーザーダイシング用フィルム基材、レーザーダイシング用フィルム、及び電子部品の製造方法 |
JP5294358B2 (ja) * | 2012-01-06 | 2013-09-18 | 古河電気工業株式会社 | ウエハ加工用テープ及びこれを使用した半導体装置の製造方法 |
CN103715117B (zh) * | 2012-09-28 | 2016-11-16 | 株式会社东芝 | 半导体装置的制造装置以及半导体装置的制造方法 |
TWI647295B (zh) * | 2012-10-05 | 2019-01-11 | 日商琳得科股份有限公司 | 具有保護膜形成層的切割薄片及晶片的製造方法 |
JP6219565B2 (ja) * | 2012-12-26 | 2017-10-25 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP5379919B1 (ja) * | 2013-02-13 | 2013-12-25 | 古河電気工業株式会社 | 半導体加工用粘着テープ |
JP5731080B2 (ja) * | 2013-03-28 | 2015-06-10 | 古河電気工業株式会社 | 粘着テープおよびウエハ加工用テープ |
JP6306362B2 (ja) * | 2014-02-13 | 2018-04-04 | リンテック株式会社 | 伸長可能シートおよび積層チップの製造方法 |
SG11201607716PA (en) * | 2014-03-24 | 2016-11-29 | Lintec Corp | Protection membrane forming film, protection membrane forming utilization sheet, production method and inspection method for workpiece or processed product, workpiece determined as adequate product, and processed product determined as adequate product |
JP6266429B2 (ja) * | 2014-05-08 | 2018-01-24 | 株式会社ディスコ | チップ間隔維持装置及びチップ間隔維持方法 |
JP6445315B2 (ja) * | 2014-12-12 | 2018-12-26 | 日東電工株式会社 | ダイシングシート、ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法 |
JP6758801B2 (ja) * | 2015-03-20 | 2020-09-23 | 株式会社サンエー化研 | 表面保護フィルム |
KR101894690B1 (ko) | 2015-03-24 | 2018-09-04 | 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 | 반도체 가공용 테이프 |
CN107431002B (zh) * | 2015-03-24 | 2020-09-11 | 古河电气工业株式会社 | 半导体加工用带 |
CN106531638B (zh) * | 2015-09-11 | 2020-02-07 | 晟碟信息科技(上海)有限公司 | 包括堆叠的半导体裸芯块的半导体装置及其制造方法 |
KR102382843B1 (ko) * | 2016-11-02 | 2022-04-05 | 린텍 가부시키가이샤 | 스텔스 다이싱용 점착 시트 및 이를 사용하는 반도체 장치의 제조 방법 |
CN110036459B (zh) * | 2016-12-07 | 2023-07-14 | 古河电气工业株式会社 | 半导体加工用带 |
WO2018212185A1 (ja) * | 2017-05-15 | 2018-11-22 | デクセリアルズ株式会社 | 半導体加工用テープ、及び半導体加工用テープの製造方法 |
JP7105120B2 (ja) * | 2017-07-04 | 2022-07-22 | 日東電工株式会社 | ダイシングテープ、ダイシングダイボンドフィルム、および半導体装置製造方法 |
JP7092526B2 (ja) * | 2018-03-14 | 2022-06-28 | マクセル株式会社 | バックグラインド用粘着テープ |
JP6535119B1 (ja) * | 2018-03-28 | 2019-06-26 | 古河電気工業株式会社 | 半導体加工用テープ |
MY187307A (en) * | 2018-03-28 | 2021-09-21 | Furukawa Electric Co Ltd | Tape for semiconductor processing |
JP6535118B1 (ja) * | 2018-03-28 | 2019-06-26 | 古河電気工業株式会社 | 半導体加工用テープ |
JP6535117B1 (ja) * | 2018-03-28 | 2019-06-26 | 古河電気工業株式会社 | 半導体加工用テープ |
KR102112771B1 (ko) * | 2018-03-28 | 2020-05-19 | 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 | 반도체 가공용 테이프 |
JP7143156B2 (ja) * | 2018-04-27 | 2022-09-28 | 日東電工株式会社 | 半導体装置製造方法 |
CN112236469B (zh) * | 2018-08-08 | 2023-07-14 | 三井—陶氏聚合化学株式会社 | 切割膜基材用树脂组合物、切割膜基材及切割膜 |
JP7154962B2 (ja) * | 2018-11-09 | 2022-10-18 | 株式会社ディスコ | 板状物加工方法 |
WO2020194613A1 (ja) | 2019-03-27 | 2020-10-01 | 日立化成株式会社 | 半導体装置の製造方法、ダイボンディングフィルム、及びダイシング・ダイボンディング一体型接着シート |
JP7269095B2 (ja) * | 2019-05-29 | 2023-05-08 | 古河電気工業株式会社 | ガラス加工用テープ |
JP7060548B2 (ja) * | 2019-05-29 | 2022-04-26 | 古河電気工業株式会社 | ガラス加工用テープ |
JP7060547B2 (ja) * | 2019-05-29 | 2022-04-26 | 古河電気工業株式会社 | ガラス加工用テープ |
JP7269096B2 (ja) * | 2019-05-29 | 2023-05-08 | 古河電気工業株式会社 | ガラス加工用テープ |
US11658056B2 (en) | 2019-11-05 | 2023-05-23 | Nxp B.V. | Technique for handling diced wafers of integrated circuits |
US11508606B2 (en) | 2019-11-05 | 2022-11-22 | Nxp B.V. | Technique for handling diced wafers of integrated circuits |
CN113725169B (zh) * | 2021-04-22 | 2024-06-14 | 成都芯源***有限公司 | 倒装芯片封装单元及相关封装方法 |
WO2023281996A1 (ja) * | 2021-07-08 | 2023-01-12 | マクセル株式会社 | 粘着テープ |
US20230377972A1 (en) * | 2022-05-23 | 2023-11-23 | Western Digital Technologies, Inc. | Die separation ring for wafers having a large die aspect ratio |
CN115223851B (zh) * | 2022-09-21 | 2022-12-09 | 西北电子装备技术研究所(中国电子科技集团公司第二研究所) | 一种机械式晶片分离方法及装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05211234A (ja) * | 1991-12-05 | 1993-08-20 | Lintec Corp | ウェハ貼着用粘着シートおよびウェハダイシング方法 |
JP4288392B2 (ja) * | 2003-09-29 | 2009-07-01 | 株式会社東京精密 | エキスパンド方法 |
JP4482271B2 (ja) | 2002-12-03 | 2010-06-16 | 三井化学株式会社 | ウエハ加工用粘着テープ |
JP2005244206A (ja) | 2004-01-28 | 2005-09-08 | Mitsui Chemicals Inc | 半導体ウエハの保護方法および半導体ウエハ保護用粘着フィルム |
JP4558345B2 (ja) | 2004-02-19 | 2010-10-06 | リンテック株式会社 | 保護シートおよび半導体ウエハの加工方法 |
JP4923398B2 (ja) * | 2004-09-21 | 2012-04-25 | 日立化成工業株式会社 | 接着剤層付き半導体素子の製造方法 |
JP2008066688A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-03-21 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ウェハ加工用テープ |
JP5045745B2 (ja) * | 2007-04-05 | 2012-10-10 | 日立化成工業株式会社 | 半導体チップの製造方法、並びに半導体用接着フィルム及びこれを用いた複合シート |
JP4934620B2 (ja) * | 2008-03-25 | 2012-05-16 | 古河電気工業株式会社 | ウエハ加工用テープ |
JP2009231699A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ウエハ加工用テープ |
JP5757625B2 (ja) * | 2008-04-25 | 2015-07-29 | エルジー・ケム・リミテッド | エポキシ系組成物、接着フィルム、ダイシングダイボンディングフィルム及び半導体装置 |
-
2010
- 2010-03-31 JP JP2010080180A patent/JP5554118B2/ja active Active
-
2011
- 2011-03-10 TW TW100108007A patent/TWI481692B/zh active
- 2011-03-30 KR KR1020110028664A patent/KR101322160B1/ko active IP Right Grant
- 2011-03-31 CN CN201110080346.3A patent/CN102206469B/zh active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190080862A (ko) | 2016-11-02 | 2019-07-08 | 린텍 가부시키가이샤 | 스텔스 다이싱용 점착 시트 |
KR102193721B1 (ko) | 2019-01-21 | 2020-12-21 | 주식회사 야스 | 점착척의 점착시트 보호 용 커버 필름 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011216508A (ja) | 2011-10-27 |
KR101322160B1 (ko) | 2013-10-28 |
CN102206469A (zh) | 2011-10-05 |
CN102206469B (zh) | 2014-09-03 |
KR20110110001A (ko) | 2011-10-06 |
TW201202382A (en) | 2012-01-16 |
TWI481692B (zh) | 2015-04-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5554118B2 (ja) | ウエハ加工用テープ | |
JP5294358B2 (ja) | ウエハ加工用テープ及びこれを使用した半導体装置の製造方法 | |
JP5731080B2 (ja) | 粘着テープおよびウエハ加工用テープ | |
JP4934620B2 (ja) | ウエハ加工用テープ | |
JP5582836B2 (ja) | ダイシング・ダイボンディングテープ | |
JP2012174945A (ja) | 半導体ウエハの加工方法 | |
JP6306362B2 (ja) | 伸長可能シートおよび積層チップの製造方法 | |
JP5323779B2 (ja) | ウエハ加工用テープ | |
JP2009164556A (ja) | ウエハ加工用テープ | |
JP5554351B2 (ja) | ウエハ加工用テープ | |
JP2011224853A (ja) | フィルム及び粘接着シート | |
JP2009094127A (ja) | 半導体ウエハ加工用フィルム | |
JP5170880B2 (ja) | ウエハ加工用テープ | |
JP2009231699A (ja) | ウエハ加工用テープ | |
JP2010182761A (ja) | 半導体ウエハ加工用フィルム及びその基材フィルム | |
TW201346002A (zh) | 自發回捲性黏著膜 | |
JPWO2018083987A1 (ja) | ステルスダイシング用粘着シート | |
WO2004107423A1 (ja) | 貫通構造を有する薄膜化回路基板の製造方法と保護用粘着テープ | |
JP2009200076A (ja) | ウエハ加工用テープ | |
KR101314398B1 (ko) | 웨이퍼 가공용 테이프 | |
WO2023281996A1 (ja) | 粘着テープ | |
JPWO2018083986A1 (ja) | ステルスダイシング用粘着シート | |
TWI461498B (zh) | Cut sticky ribbon | |
JP2010219322A (ja) | ウエハ加工用テープ | |
JP2012099838A (ja) | ウエハ加工用テープ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121127 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131219 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140107 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140306 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140513 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140528 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5554118 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |