JPH0541451A - 半導体ウエハのペレタイズ方法と装置 - Google Patents
半導体ウエハのペレタイズ方法と装置Info
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- JPH0541451A JPH0541451A JP22108491A JP22108491A JPH0541451A JP H0541451 A JPH0541451 A JP H0541451A JP 22108491 A JP22108491 A JP 22108491A JP 22108491 A JP22108491 A JP 22108491A JP H0541451 A JPH0541451 A JP H0541451A
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- dicing tape
- semiconductor wafer
- dicing
- inner ring
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエハ表面に傷や欠け等を生じさせることな
く、良好にダイシングすることが可能であり、任意の延
伸倍率でダイシングテープを延伸することが可能であ
り、ダイシングテープ上でダイシングされた各半導体チ
ップを均一な間隔で十分に分離することが可能なペレタ
イズ方法及びそれに用いる装置を提供することである。 【構成】 ダイシングテープ４上に、半導体ウエハ６を
設置し、この半導体ウエハ６をフルカットダイシングす
るダイシング工程と、ダイシングテープ４の周囲を固定
しつつ、ダイシングされた半導体ウエハ６が設置された
ダイシングテープ部分を任意の所定量押し上げて、ダイ
シングテープ４を延伸させ、ダイシングテープ上のダイ
シングされた個々の半導体チップ６ａを所定間隔で引き
離す第１段階延伸工程と、延伸されたダイシングテープ
４をインナリング２８とアウタリング３６とで挟み込み
つつ延伸する第２段階延伸工程とを有する。
く、良好にダイシングすることが可能であり、任意の延
伸倍率でダイシングテープを延伸することが可能であ
り、ダイシングテープ上でダイシングされた各半導体チ
ップを均一な間隔で十分に分離することが可能なペレタ
イズ方法及びそれに用いる装置を提供することである。 【構成】 ダイシングテープ４上に、半導体ウエハ６を
設置し、この半導体ウエハ６をフルカットダイシングす
るダイシング工程と、ダイシングテープ４の周囲を固定
しつつ、ダイシングされた半導体ウエハ６が設置された
ダイシングテープ部分を任意の所定量押し上げて、ダイ
シングテープ４を延伸させ、ダイシングテープ上のダイ
シングされた個々の半導体チップ６ａを所定間隔で引き
離す第１段階延伸工程と、延伸されたダイシングテープ
４をインナリング２８とアウタリング３６とで挟み込み
つつ延伸する第２段階延伸工程とを有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウエハのダイシン
グ方法及び装置に係わり、特に、半導体ウエハを良好に
ダイシングすることが可能であると共に、ダイシングテ
ープ上でダイシングされた各半導体チップ間隙間を十分
に引き離し、ダイボンディング時のピツクアップ作業性
を向上させることが可能な半導体ウエハのダイシング方
法及びそれに用いられる装置に関する。
グ方法及び装置に係わり、特に、半導体ウエハを良好に
ダイシングすることが可能であると共に、ダイシングテ
ープ上でダイシングされた各半導体チップ間隙間を十分
に引き離し、ダイボンディング時のピツクアップ作業性
を向上させることが可能な半導体ウエハのダイシング方
法及びそれに用いられる装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体ウエハのダイシング方法の
一例を図７に示す。同図（Ａ）に示すように、まず周辺
にディスコリング２が装着されたダイシングテープ４の
表面に、半導体ウエハ６を貼着する。次に、同図（Ｂ）
に示すように、ダイシングテープ４上の半導体ウエハ６
をディープカットダイシングする。ディープカットダイ
シングでは、半導体ウエハ６の切り残し量が約３０±１
０μｍ程度になる。
一例を図７に示す。同図（Ａ）に示すように、まず周辺
にディスコリング２が装着されたダイシングテープ４の
表面に、半導体ウエハ６を貼着する。次に、同図（Ｂ）
に示すように、ダイシングテープ４上の半導体ウエハ６
をディープカットダイシングする。ディープカットダイ
シングでは、半導体ウエハ６の切り残し量が約３０±１
０μｍ程度になる。
【０００３】次に、同図（Ｃ）に示すように、ディープ
カットされた半導体ウエハ６の表面を保護テープ８で被
覆し、ダイシングテープ４と共に裏返しにし、ホルダー
１０上に載置する。そして、ダイシングテープ４の上か
ら、ローラ１２でホルダー１０方向に押圧し、半導体ウ
エハ６をブレーキングし、同図（Ｄ）に示すように、分
割された半導体チップ６ａを得る。次に、ダイシングテ
ープ４の周囲を外周方向に引っ張り、ダイシングテープ
４を延伸させる。すると、同図（Ｅ）に示すように、各
半導体チップ６ａの隙間が広がる。その状態で、延伸リ
ング１４に装着してある両面粘着テープ１６に対し、最
外周に位置する半導体チップ６ａの外周位置に位置する
ダイシングテープ４の表面を接着し、ダイシングテープ
４を延伸された状態で固定する。
カットされた半導体ウエハ６の表面を保護テープ８で被
覆し、ダイシングテープ４と共に裏返しにし、ホルダー
１０上に載置する。そして、ダイシングテープ４の上か
ら、ローラ１２でホルダー１０方向に押圧し、半導体ウ
エハ６をブレーキングし、同図（Ｄ）に示すように、分
割された半導体チップ６ａを得る。次に、ダイシングテ
ープ４の周囲を外周方向に引っ張り、ダイシングテープ
４を延伸させる。すると、同図（Ｅ）に示すように、各
半導体チップ６ａの隙間が広がる。その状態で、延伸リ
ング１４に装着してある両面粘着テープ１６に対し、最
外周に位置する半導体チップ６ａの外周位置に位置する
ダイシングテープ４の表面を接着し、ダイシングテープ
４を延伸された状態で固定する。
【０００４】次に、同図（Ｆ）に示すように、ダイシン
グテープ４が接着された延伸リング１４をひっくり返
し、ダイシングテープ４の周囲をゴムバンド１８で延伸
リング１４に対し固定すると共に、保護テープ８を剥
す。すると、半導体チップ６ａがダイシングテープ４上
に所定間隔で配置される。このように半導体チップ６ａ
を所定間隔で配置するのは、その後のダイボンディング
工程における半導体チップ６ａのピックアップ作業性を
向上させるためである。
グテープ４が接着された延伸リング１４をひっくり返
し、ダイシングテープ４の周囲をゴムバンド１８で延伸
リング１４に対し固定すると共に、保護テープ８を剥
す。すると、半導体チップ６ａがダイシングテープ４上
に所定間隔で配置される。このように半導体チップ６ａ
を所定間隔で配置するのは、その後のダイボンディング
工程における半導体チップ６ａのピックアップ作業性を
向上させるためである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな半導体ウエハのダイシング方法では、ローラ１２を
用いて強制的に半導体ウエハ６をブレーキングするた
め、半導体ウエハ上のアルミ電極表面に傷がついたり、
得られる半導体チップに欠けが生じるおそれがあり、検
査工程に長時間を要する等の問題点を有している。ま
た、半導体ウエハをダイシングして得られる半導体チッ
プが、バリキャップダイオード等の比較的小さなチップ
の場合には、機械によるローラ押圧動作では良好にブレ
ーキングできないことから、ローラ１２による押圧動作
を手作業でやらなければならず、そのための作業が煩雑
であるという問題点も有する。また、従来の方法では、
各半導体チップを十分に分離するためのダイシングテー
プの延伸量が一定であり、任意の延伸倍率でダイシング
テープを延伸することはできないと共に、半導体チップ
が載置してある位置によってダイシングテープの延伸量
にばらつきが生じ易いという問題点を有している。その
結果、その後の工程におけるダイボンディング時に、各
半導体チップをコレットなどによりピックアップする作
業性が低下するという問題点を有している。
うな半導体ウエハのダイシング方法では、ローラ１２を
用いて強制的に半導体ウエハ６をブレーキングするた
め、半導体ウエハ上のアルミ電極表面に傷がついたり、
得られる半導体チップに欠けが生じるおそれがあり、検
査工程に長時間を要する等の問題点を有している。ま
た、半導体ウエハをダイシングして得られる半導体チッ
プが、バリキャップダイオード等の比較的小さなチップ
の場合には、機械によるローラ押圧動作では良好にブレ
ーキングできないことから、ローラ１２による押圧動作
を手作業でやらなければならず、そのための作業が煩雑
であるという問題点も有する。また、従来の方法では、
各半導体チップを十分に分離するためのダイシングテー
プの延伸量が一定であり、任意の延伸倍率でダイシング
テープを延伸することはできないと共に、半導体チップ
が載置してある位置によってダイシングテープの延伸量
にばらつきが生じ易いという問題点を有している。その
結果、その後の工程におけるダイボンディング時に、各
半導体チップをコレットなどによりピックアップする作
業性が低下するという問題点を有している。
【０００６】本発明は、このような実状に鑑みてなさ
れ、ウエハ表面に傷や欠け等を生じさせることなく、良
好にダイシングすることが可能であり、任意の延伸倍率
でダイシングテープを延伸することが可能であり、ダイ
シングテープ上でダイシングされた各半導体チップを均
一な間隔で十分に分離することが可能なダイシング方法
及びそれに用いる装置を提供することを目的とする。
れ、ウエハ表面に傷や欠け等を生じさせることなく、良
好にダイシングすることが可能であり、任意の延伸倍率
でダイシングテープを延伸することが可能であり、ダイ
シングテープ上でダイシングされた各半導体チップを均
一な間隔で十分に分離することが可能なダイシング方法
及びそれに用いる装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のダイシング方法は、ダイシングテープ上
に、半導体ウエハを設置し、この半導体ウエハをフルカ
ットダイシングするダイシング工程と、ダイシングテー
プの周囲を固定しつつ、ダイシングされた半導体ウエハ
が設置されたダイシングテープ部分を相対的に任意の所
定量押し上げて、ダイシングテープを延伸させ、ダイシ
ングテープ上のダイシングされた個々の半導体チップを
所定間隔で引き離す第１段階延伸工程と、延伸されたダ
イシングテープをインナリングとアウタリングとで挟み
込みつつ延伸する第２段階延伸工程とを有する。
に、本発明のダイシング方法は、ダイシングテープ上
に、半導体ウエハを設置し、この半導体ウエハをフルカ
ットダイシングするダイシング工程と、ダイシングテー
プの周囲を固定しつつ、ダイシングされた半導体ウエハ
が設置されたダイシングテープ部分を相対的に任意の所
定量押し上げて、ダイシングテープを延伸させ、ダイシ
ングテープ上のダイシングされた個々の半導体チップを
所定間隔で引き離す第１段階延伸工程と、延伸されたダ
イシングテープをインナリングとアウタリングとで挟み
込みつつ延伸する第２段階延伸工程とを有する。
【０００８】また、本発明のダイシングテープ延伸装置
は、フルカットダイシングされた半導体ウエハが設置さ
れるダイシングテープと、このダイシングテープの周囲
を固定する固定手段と、この固定手段に対して相対的に
上下動移動自在に装着され、頂部外周にインナリングが
装着され、この頂部が上記ダイシングされた半導体ウエ
ハの裏側に位置するダイシングテープの表面に適宜圧接
し、半導体ウエハが設置されたダイシングテープ部分
を、上記固定手段に対して相対的に上方に押し上げるこ
とにより、ダイシングテープを延伸させることが可能な
インナリングホルダーと、上記固定手段に対して相対的
に上下動可能に装着され、上記インナリングホルダーに
対して接近する方向の相対移動により、上記インナリン
グの外周にダイシングテープを挟み込むように嵌合され
るアウタリングが装着してあるアウタリングホルダーと
を有する。
は、フルカットダイシングされた半導体ウエハが設置さ
れるダイシングテープと、このダイシングテープの周囲
を固定する固定手段と、この固定手段に対して相対的に
上下動移動自在に装着され、頂部外周にインナリングが
装着され、この頂部が上記ダイシングされた半導体ウエ
ハの裏側に位置するダイシングテープの表面に適宜圧接
し、半導体ウエハが設置されたダイシングテープ部分
を、上記固定手段に対して相対的に上方に押し上げるこ
とにより、ダイシングテープを延伸させることが可能な
インナリングホルダーと、上記固定手段に対して相対的
に上下動可能に装着され、上記インナリングホルダーに
対して接近する方向の相対移動により、上記インナリン
グの外周にダイシングテープを挟み込むように嵌合され
るアウタリングが装着してあるアウタリングホルダーと
を有する。
【０００９】
【作用】本発明では、半導体ウエハをフルカットダイシ
ングするようにしているので、従来のようにローラによ
る押圧作業が一切不用となる。また、従来必要としてい
た保護テープも不用となる。さらに、ダイシングテープ
の周囲を固定している固定手段に対して、インナリング
ホルダーを相対的に押し上げること等の手段で、ダイシ
ングテープを任意の延伸倍率に延伸させることができ
る。その後、インナリングの外周にアウタリングを嵌合
させることで、ダイシングテープに対し、第２段階目の
延伸を行う。インナリングとアウタリングの嵌合が終了
すれば、半導体チップが載置されているダイシングテー
プ部分は、任意の延伸倍率で延伸された状態で固定され
ることになる。したがって、各半導体チップは、所定の
間隔で均一にダイシングテープ上に配置される。
ングするようにしているので、従来のようにローラによ
る押圧作業が一切不用となる。また、従来必要としてい
た保護テープも不用となる。さらに、ダイシングテープ
の周囲を固定している固定手段に対して、インナリング
ホルダーを相対的に押し上げること等の手段で、ダイシ
ングテープを任意の延伸倍率に延伸させることができ
る。その後、インナリングの外周にアウタリングを嵌合
させることで、ダイシングテープに対し、第２段階目の
延伸を行う。インナリングとアウタリングの嵌合が終了
すれば、半導体チップが載置されているダイシングテー
プ部分は、任意の延伸倍率で延伸された状態で固定され
ることになる。したがって、各半導体チップは、所定の
間隔で均一にダイシングテープ上に配置される。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例に係る半導体ウエハ
のダイシング方法について、図面を参照しつつ詳細に説
明する。図１〜５は本発明の一実施例に係る半導体ウエ
ハのダイシング方法を示す概略断面図、図６は本発明の
一実施例に係る半導体ウエハのダイシングテープ延伸装
置の全体図である。
のダイシング方法について、図面を参照しつつ詳細に説
明する。図１〜５は本発明の一実施例に係る半導体ウエ
ハのダイシング方法を示す概略断面図、図６は本発明の
一実施例に係る半導体ウエハのダイシングテープ延伸装
置の全体図である。
【００１１】図１に示すように、本実施例のダイシング
方法では、半導体ウエハ６をダイシングテープ４上でフ
ルカットダイシングし、ウエハを各半導体チップ６ａに
分割する。フルカットダイシングとは、ディープカット
ダイシングとは異なり、切り残しを設けないで半導体ウ
エハ６を半導体チップ６ａに分割することである。ダイ
シングに用いられる切断手段としては、例えばダイヤモ
ンドブレード等が例示される。
方法では、半導体ウエハ６をダイシングテープ４上でフ
ルカットダイシングし、ウエハを各半導体チップ６ａに
分割する。フルカットダイシングとは、ディープカット
ダイシングとは異なり、切り残しを設けないで半導体ウ
エハ６を半導体チップ６ａに分割することである。ダイ
シングに用いられる切断手段としては、例えばダイヤモ
ンドブレード等が例示される。
【００１２】フルカットダイシングされた半導体ウエハ
６が乗せられたダイシングテープ４は、ダイシングテー
プ４の周縁に装着されたディスコフレームリング２０と
共に、図６に示す半導体ウエハのダイシングテープ延伸
装置４０の下部ユニット２１上に設置される。下部ユニ
ット２１は、ディスコ受けプレート２２と、インナリン
グホルダー２６とから成る。下部ユニット２１の上部に
は、上部ユニット２３が位置するようになっている。上
部ユニット２３は、ディスコフレーム押えプレート３０
とアウタリングホルダー３４とから成る。ディスコフレ
ームリング２０は、図１に示すように、ディスコフレー
ム受けプレート２２の上に設置されるようになってい
る。ディスコフレーム受けプレート２２の中央には、貫
通孔２４が形成してあり、ここにインナリングホルダー
２６が位置するようになっている。インナリングホルダ
ー２６の頂部は半導体ウエハ６と反対側のダイシングテ
ープ４表面に接するように位置し、ホルダー２６の頂部
周囲には、インナリング２８が装着してある。インナリ
ング２８は、半導体ウエハ６の外径よりもさらに大きな
内径を有し、半導体ウエハ６の外周に位置するようにな
っている。また、インナリングホルダー２６には、加熱
手段２９が装着してある。加熱手段２９により、インナ
リングホルダー２６の頂部は、約４０±２°Ｃに加熱し
てある。加熱温度は特に限定されないが、このような加
熱により、その後に行うダイシングテープ４に対する延
伸工程を、きわめてスムーズに行うことができる。
６が乗せられたダイシングテープ４は、ダイシングテー
プ４の周縁に装着されたディスコフレームリング２０と
共に、図６に示す半導体ウエハのダイシングテープ延伸
装置４０の下部ユニット２１上に設置される。下部ユニ
ット２１は、ディスコ受けプレート２２と、インナリン
グホルダー２６とから成る。下部ユニット２１の上部に
は、上部ユニット２３が位置するようになっている。上
部ユニット２３は、ディスコフレーム押えプレート３０
とアウタリングホルダー３４とから成る。ディスコフレ
ームリング２０は、図１に示すように、ディスコフレー
ム受けプレート２２の上に設置されるようになってい
る。ディスコフレーム受けプレート２２の中央には、貫
通孔２４が形成してあり、ここにインナリングホルダー
２６が位置するようになっている。インナリングホルダ
ー２６の頂部は半導体ウエハ６と反対側のダイシングテ
ープ４表面に接するように位置し、ホルダー２６の頂部
周囲には、インナリング２８が装着してある。インナリ
ング２８は、半導体ウエハ６の外径よりもさらに大きな
内径を有し、半導体ウエハ６の外周に位置するようにな
っている。また、インナリングホルダー２６には、加熱
手段２９が装着してある。加熱手段２９により、インナ
リングホルダー２６の頂部は、約４０±２°Ｃに加熱し
てある。加熱温度は特に限定されないが、このような加
熱により、その後に行うダイシングテープ４に対する延
伸工程を、きわめてスムーズに行うことができる。
【００１３】ディスコフレームリング２０がディスコフ
レーム受けプレート２２の上に設置されると、図２に示
すように、上部ユニット２３のディスコフレーム押えプ
レート３０が上から降りてきてディスコフレーム受けプ
レート２２との間で、ダイシングテープ４の周縁をディ
スコフレームリングと共に挟み込み固定する。ディスク
フレーム押えプレート３０、ディスコフレームリング２
０及びディスコフレーム受けプレート２２が、ダイシン
グテープに対する固定手段を構成する。
レーム受けプレート２２の上に設置されると、図２に示
すように、上部ユニット２３のディスコフレーム押えプ
レート３０が上から降りてきてディスコフレーム受けプ
レート２２との間で、ダイシングテープ４の周縁をディ
スコフレームリングと共に挟み込み固定する。ディスク
フレーム押えプレート３０、ディスコフレームリング２
０及びディスコフレーム受けプレート２２が、ダイシン
グテープに対する固定手段を構成する。
【００１４】ダイシングテープ４の周縁を固定した後、
図３に示すように、押えプレート３０をさらに下に押し
下げて、相対的にインナリングホルダー２６を上方に押
し上げる。図３及び図６に示すように、ディスコフレー
ム受けプレート２２の下部には、スプリング３２が装着
してあるので、プレート２２は、押えプレート３０によ
りスプリング３２の弾性力に抗して押し下げられる。押
えプレート３０を押し下げ移動させるための駆動源は、
特に限定されないが、例えば空気圧シリンダ等が例示さ
れる。その空気圧力は、特に限定されないが、約４ｋｇ
／ｃｍ2 程度である。押えプレート３０が押し下げられ
ると、ダイシングテープ４は、押えプレート３０の押し
下げ量に対応して延伸させられる。この延伸が第１段階
の延伸に相当する。この第１段階の延伸による延伸量
は、押えプレート３０の押し下げ量を選択することで、
任意に改変させることが可能である。ダイシングテープ
４が延伸させられると、その上に接着されたダイシング
後の各半導体チップ６ａは、それぞれの間隔が引き離さ
れる。
図３に示すように、押えプレート３０をさらに下に押し
下げて、相対的にインナリングホルダー２６を上方に押
し上げる。図３及び図６に示すように、ディスコフレー
ム受けプレート２２の下部には、スプリング３２が装着
してあるので、プレート２２は、押えプレート３０によ
りスプリング３２の弾性力に抗して押し下げられる。押
えプレート３０を押し下げ移動させるための駆動源は、
特に限定されないが、例えば空気圧シリンダ等が例示さ
れる。その空気圧力は、特に限定されないが、約４ｋｇ
／ｃｍ2 程度である。押えプレート３０が押し下げられ
ると、ダイシングテープ４は、押えプレート３０の押し
下げ量に対応して延伸させられる。この延伸が第１段階
の延伸に相当する。この第１段階の延伸による延伸量
は、押えプレート３０の押し下げ量を選択することで、
任意に改変させることが可能である。ダイシングテープ
４が延伸させられると、その上に接着されたダイシング
後の各半導体チップ６ａは、それぞれの間隔が引き離さ
れる。
【００１５】次に、上からアウタリングホルダー３４が
下降してくる。このホルダー３４の駆動源は特に限定さ
れないが、押えプレート３０を下降移動させるための駆
動源と同様な手段を適用することができる。アウタリン
グホルダー３４には、その下端部に、アウタリング３６
が装着してある。アウタリング３６の内径は、インナリ
ング２８の外径より若干大きい寸法を有し、アウタリン
グホルダー３４の下降移動により、図４に示すように、
アウタリング３６は、インナリング２８の外側に嵌合
し、間にダイシングテープ４を挟み込むようになってい
る。その際に、ダイシングテープ４は、第２段階の延伸
が行われ、延伸された状態で固定される。延伸されたダ
イシングテープ４上には、半導体チップ６ａが所定間隔
分離された状態で設置される。半導体チップ６ａ間の分
離量、すなわちダイシングテープ４の延伸量は、半導体
ウエハ６及びダイシングテープ４を加熱するためにイン
ナリングホルダー２６に設けられた加熱手段２９による
加熱温度と、第１段階の延伸工程における押えプレート
３０の下降量によって決定される。
下降してくる。このホルダー３４の駆動源は特に限定さ
れないが、押えプレート３０を下降移動させるための駆
動源と同様な手段を適用することができる。アウタリン
グホルダー３４には、その下端部に、アウタリング３６
が装着してある。アウタリング３６の内径は、インナリ
ング２８の外径より若干大きい寸法を有し、アウタリン
グホルダー３４の下降移動により、図４に示すように、
アウタリング３６は、インナリング２８の外側に嵌合
し、間にダイシングテープ４を挟み込むようになってい
る。その際に、ダイシングテープ４は、第２段階の延伸
が行われ、延伸された状態で固定される。延伸されたダ
イシングテープ４上には、半導体チップ６ａが所定間隔
分離された状態で設置される。半導体チップ６ａ間の分
離量、すなわちダイシングテープ４の延伸量は、半導体
ウエハ６及びダイシングテープ４を加熱するためにイン
ナリングホルダー２６に設けられた加熱手段２９による
加熱温度と、第１段階の延伸工程における押えプレート
３０の下降量によって決定される。
【００１６】その後、延伸されたダイシングテープ４
は、図５に示すように、リング２０，２８，３６と共
に、ダイボンディング用装置に移され、そこで、ダイシ
ングテープ４上の各半導体チップ６ａは、角錘コレット
などのピックアップ装置でピックアップされ、ダイボン
ディングされる。その際に、各半導体チップは、所定の
間隔で均一にダイシングテープ上に配置されているの
で、ピックアップ作業性が向上する。
は、図５に示すように、リング２０，２８，３６と共
に、ダイボンディング用装置に移され、そこで、ダイシ
ングテープ４上の各半導体チップ６ａは、角錘コレット
などのピックアップ装置でピックアップされ、ダイボン
ディングされる。その際に、各半導体チップは、所定の
間隔で均一にダイシングテープ上に配置されているの
で、ピックアップ作業性が向上する。
【００１７】なお、本発明は、上述した実施例に限定さ
れるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変するこ
とができる。例えば、上述した実施例では、固定手段と
しての押えプレート３０及びフレーム受けプレート２２
が、インナリングホルダー２６に対して押し下がるよう
に構成したが、それと逆に、インナリングホルダー２６
が固定手段に対して押し上がるように構成してもよい。
れるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変するこ
とができる。例えば、上述した実施例では、固定手段と
しての押えプレート３０及びフレーム受けプレート２２
が、インナリングホルダー２６に対して押し下がるよう
に構成したが、それと逆に、インナリングホルダー２６
が固定手段に対して押し上がるように構成してもよい。
【００１８】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、半導体ウエハをフルカットダイシングするようにし
ているので、従来のようにローラによる押圧作業が一切
不用となる。したがって、ダイシング後の半導体チップ
の表面に傷や欠け等が生じることはなくなる。しかも、
従来必要としていた保護テープも不用となる。
ば、半導体ウエハをフルカットダイシングするようにし
ているので、従来のようにローラによる押圧作業が一切
不用となる。したがって、ダイシング後の半導体チップ
の表面に傷や欠け等が生じることはなくなる。しかも、
従来必要としていた保護テープも不用となる。
【００１９】また、本発明では、ダイシングテープの周
囲を固定している固定手段に対して、インナリングホル
ダーを相対的に押し上げること等の手段で、ダイシング
テープを任意の延伸倍率に容易に延伸させることができ
る。その後、インナリングの外周にアウタリングを嵌合
させることで、ダイシングテープに対し、第２段階目の
延伸が行われれば、半導体チップが載置されているダイ
シングテープ部分は、任意の延伸倍率で延伸された状態
で固定されることになる。したがって、各半導体チップ
は、所定の間隔で均一にダイシングテープ上に配置さ
れ、その後のダイボンディング工程におけるコレットな
どによる半導体チップのピックアップ作業効率が著しく
向上する。さらに、本発明方法を実現するための装置
は、比較的安価な装置であるため、設備費が増大するこ
ともない。特に本発明の方法は、半導体ウエハを比較的
小さいチップに分割する場合に有効である。
囲を固定している固定手段に対して、インナリングホル
ダーを相対的に押し上げること等の手段で、ダイシング
テープを任意の延伸倍率に容易に延伸させることができ
る。その後、インナリングの外周にアウタリングを嵌合
させることで、ダイシングテープに対し、第２段階目の
延伸が行われれば、半導体チップが載置されているダイ
シングテープ部分は、任意の延伸倍率で延伸された状態
で固定されることになる。したがって、各半導体チップ
は、所定の間隔で均一にダイシングテープ上に配置さ
れ、その後のダイボンディング工程におけるコレットな
どによる半導体チップのピックアップ作業効率が著しく
向上する。さらに、本発明方法を実現するための装置
は、比較的安価な装置であるため、設備費が増大するこ
ともない。特に本発明の方法は、半導体ウエハを比較的
小さいチップに分割する場合に有効である。
【図１】本発明の一実施例に係る半導体ウエハのダイシ
ング方法の一過程を示す概略断面図である。
ング方法の一過程を示す概略断面図である。
【図２】本発明の一実施例に係る半導体ウエハのダイシ
ング方法の一過程を示す概略断面図である。
ング方法の一過程を示す概略断面図である。
【図３】本発明の一実施例に係る半導体ウエハのダイシ
ング方法の一過程を示す概略断面図である。
ング方法の一過程を示す概略断面図である。
【図４】本発明の一実施例に係る半導体ウエハのダイシ
ング方法の一過程を示す概略断面図である。
ング方法の一過程を示す概略断面図である。
【図５】本発明の一実施例に係る半導体ウエハのダイシ
ング方法の一過程を示す概略断面図である。
ング方法の一過程を示す概略断面図である。
【図６】本発明の一実施例に係る半導体ウエハのダイシ
ングテープ延伸装置の全体図である。
ングテープ延伸装置の全体図である。
【図７】従来のダイシング方法の一例を示す概略断面図
である。
である。
４ ダイシングテープ ６ 半導体ウエハ ６ａ 半導体チップ ２０ ディスコフレームリング ２２ ディスコフレーム受けプレート ２６ インナリングホルダー ２８ インナリング ２９ 加熱手段 ３０ ディスコフレーム押えプレート ３４ アウタリングホルダー ３６ アウタリング ４０ 半導体ウエハのダイシングテープ延伸装置
【手続補正書】
【提出日】平成３年１２月２４日
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【発明の名称】 半導体ウエハのペレタイズ方法と装置
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウエハのペレタイ
ズ方法及び装置に係わり、特に、半導体ウエハを良好に
ダイシングすることが可能であると共に、ダイシングテ
ープ上でダイシングされた各半導体チップ間隙間を十分
に引き離し、ダイボンディング時のピツクアップ作業性
を向上させることが可能な半導体ウエハのペレタイズ方
法及びそれに用いられる装置に関する。
ズ方法及び装置に係わり、特に、半導体ウエハを良好に
ダイシングすることが可能であると共に、ダイシングテ
ープ上でダイシングされた各半導体チップ間隙間を十分
に引き離し、ダイボンディング時のピツクアップ作業性
を向上させることが可能な半導体ウエハのペレタイズ方
法及びそれに用いられる装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体ウエハのペレタイズ方法の
一例を図７に示す。同図（Ａ）に示すように、まず周辺
にディスコリング２が装着されたダイシングテープ４の
表面に、半導体ウエハ６を貼着する。次に、同図（Ｂ）
に示すように、ダイシングテープ４上の半導体ウエハ６
をディープカットダイシングする。ディープカットダイ
シングでは、半導体ウエハ６の切り残し量が約３０±１
０μｍ程度になる。
一例を図７に示す。同図（Ａ）に示すように、まず周辺
にディスコリング２が装着されたダイシングテープ４の
表面に、半導体ウエハ６を貼着する。次に、同図（Ｂ）
に示すように、ダイシングテープ４上の半導体ウエハ６
をディープカットダイシングする。ディープカットダイ
シングでは、半導体ウエハ６の切り残し量が約３０±１
０μｍ程度になる。
【０００３】次に、同図（Ｃ）に示すように、ディープ
カットされた半導体ウエハ６の表面を保護テープ８で被
覆し、ダイシングテープ４と共に裏返しにし、シリコン
ゴム製のホルダー１０上に載置する。そして、ダイシン
グテープ４の上から、ローラ１２でホルダー１０方向に
押圧し、半導体ウエハ６をブレーキングし、同図（Ｄ）
に示すように、分割された半導体チップ６ａを得る。次
に、ダイシングテープ４の周囲を外周方向に引っ張り、
ダイシングテープ４を延伸させる。すると、同図（Ｅ）
に示すように、各半導体チップ６ａの隙間が広がる。そ
の状態で、延伸リング１４に装着してある両面粘着テー
プ１６に対し、最外周に位置する半導体チップ６ａの外
周位置に位置するダイシングテープ４の表面を接着し、
ダイシングテープ４を延伸された状態で固定する。
カットされた半導体ウエハ６の表面を保護テープ８で被
覆し、ダイシングテープ４と共に裏返しにし、シリコン
ゴム製のホルダー１０上に載置する。そして、ダイシン
グテープ４の上から、ローラ１２でホルダー１０方向に
押圧し、半導体ウエハ６をブレーキングし、同図（Ｄ）
に示すように、分割された半導体チップ６ａを得る。次
に、ダイシングテープ４の周囲を外周方向に引っ張り、
ダイシングテープ４を延伸させる。すると、同図（Ｅ）
に示すように、各半導体チップ６ａの隙間が広がる。そ
の状態で、延伸リング１４に装着してある両面粘着テー
プ１６に対し、最外周に位置する半導体チップ６ａの外
周位置に位置するダイシングテープ４の表面を接着し、
ダイシングテープ４を延伸された状態で固定する。
【０００４】次に、同図（Ｆ）に示すように、ダイシン
グテープ４が接着された延伸リング１４をひっくり返
し、ダイシングテープ４の周囲をゴムバンド１８で延伸
リング１４に対し固定すると共に、保護テープ８を剥
す。すると、半導体チップ６ａがダイシングテープ４上
に所定間隔で配置される。このように半導体チップ６ａ
を所定間隔で配置するのは、その後のダイボンディング
工程における半導体チップ６ａのピックアップ作業性を
向上させるためである。
グテープ４が接着された延伸リング１４をひっくり返
し、ダイシングテープ４の周囲をゴムバンド１８で延伸
リング１４に対し固定すると共に、保護テープ８を剥
す。すると、半導体チップ６ａがダイシングテープ４上
に所定間隔で配置される。このように半導体チップ６ａ
を所定間隔で配置するのは、その後のダイボンディング
工程における半導体チップ６ａのピックアップ作業性を
向上させるためである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな半導体ウエハのペレタイズ方法では、ローラ１２を
用いて強制的に半導体ウエハ６をブレーキングするた
め、半導体ウエハ上のアルミ電極表面に傷がついたり、
得られる半導体チップに欠けが生じるおそれがあり、検
査工程に長時間を要する等の問題点を有している。ま
た、半導体ウエハをダイシングして得られる半導体チッ
プが、バリキャップダイオード等の０．３ｍｍ角前後の
比較的小さなチップの場合には、機械によるローラ押圧
動作では良好にブレーキングできないことから、ローラ
１２による押圧動作を手作業でやらなければならず、そ
のための作業が煩雑であるという問題点も有する。ま
た、従来の方法では、各半導体チップを分離するための
ダイシングテープの延伸量が一定であり、任意の延伸倍
率でダイシングテープを延伸することはできないと共
に、半導体チップが載置してある位置によってダイシン
グテープの延伸量にばらつきが生じ易いという問題点を
有している。その結果、その後の工程におけるダイボン
ディング時に、各半導体チップをコレットなどによりピ
ックアップする作業性が低下するという問題点を有して
いる。
うな半導体ウエハのペレタイズ方法では、ローラ１２を
用いて強制的に半導体ウエハ６をブレーキングするた
め、半導体ウエハ上のアルミ電極表面に傷がついたり、
得られる半導体チップに欠けが生じるおそれがあり、検
査工程に長時間を要する等の問題点を有している。ま
た、半導体ウエハをダイシングして得られる半導体チッ
プが、バリキャップダイオード等の０．３ｍｍ角前後の
比較的小さなチップの場合には、機械によるローラ押圧
動作では良好にブレーキングできないことから、ローラ
１２による押圧動作を手作業でやらなければならず、そ
のための作業が煩雑であるという問題点も有する。ま
た、従来の方法では、各半導体チップを分離するための
ダイシングテープの延伸量が一定であり、任意の延伸倍
率でダイシングテープを延伸することはできないと共
に、半導体チップが載置してある位置によってダイシン
グテープの延伸量にばらつきが生じ易いという問題点を
有している。その結果、その後の工程におけるダイボン
ディング時に、各半導体チップをコレットなどによりピ
ックアップする作業性が低下するという問題点を有して
いる。
【０００６】本発明は、このような実状に鑑みてなさ
れ、ウエハ表面に傷や欠け等を生じさせることなく、良
好にペレタイズすることが可能であり、任意の延伸倍率
でダイシングテープを延伸することが可能であり、ダイ
シングテープ上でダイシングされた各半導体チップを均
一な間隔で十分に分離することが可能なペレタイズ方法
及びそれに用いる装置を提供することを目的とする。
れ、ウエハ表面に傷や欠け等を生じさせることなく、良
好にペレタイズすることが可能であり、任意の延伸倍率
でダイシングテープを延伸することが可能であり、ダイ
シングテープ上でダイシングされた各半導体チップを均
一な間隔で十分に分離することが可能なペレタイズ方法
及びそれに用いる装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のペレタイズ方法は、ダイシングテープ上
に、半導体ウエハを設置し、この半導体ウエハをフルカ
ットダイシングするダイシング工程と、ダイシングテー
プの周囲を固定しつつ、ダイシングされた半導体ウエハ
が設置されたダイシングテープ部分を相対的に任意の所
定量押し上げて、ダイシングテープを延伸させ、ダイシ
ングテープ上のダイシングされた個々の半導体チップを
所定間隔で引き離す第１段階延伸工程と、延伸されたダ
イシングテープをインナリングとアウタリングとで挟み
込みつつ延伸する第２段階延伸工程とを有する。
に、本発明のペレタイズ方法は、ダイシングテープ上
に、半導体ウエハを設置し、この半導体ウエハをフルカ
ットダイシングするダイシング工程と、ダイシングテー
プの周囲を固定しつつ、ダイシングされた半導体ウエハ
が設置されたダイシングテープ部分を相対的に任意の所
定量押し上げて、ダイシングテープを延伸させ、ダイシ
ングテープ上のダイシングされた個々の半導体チップを
所定間隔で引き離す第１段階延伸工程と、延伸されたダ
イシングテープをインナリングとアウタリングとで挟み
込みつつ延伸する第２段階延伸工程とを有する。
【０００８】また、本発明のダイシングテープ延伸装置
は、フルカットダイシングされた半導体ウエハが設置さ
れるダイシングテープと、このダイシングテープの周囲
を固定する固定手段と、この固定手段に対して相対的に
上下動移動自在に装着され、頂部外周にインナリングが
装着され、この頂部が上記ダイシングされた半導体ウエ
ハの裏側に位置するダイシングテープの裏面に適宜圧接
し、半導体ウエハが設置されたダイシングテープ部分
を、上記固定手段に対して相対的に上方に押し上げるこ
とにより、ダイシングテープを延伸させることが可能な
インナリングホルダーと、上記固定手段に対して相対的
に上下動可能に装着され、上記インナリングホルダーに
対して接近する方向の相対移動により、上記インナリン
グの外周にダイシングテープを挟み込むように嵌合され
るアウタリングが装着してあるアウタリングホルダーと
を有する。
は、フルカットダイシングされた半導体ウエハが設置さ
れるダイシングテープと、このダイシングテープの周囲
を固定する固定手段と、この固定手段に対して相対的に
上下動移動自在に装着され、頂部外周にインナリングが
装着され、この頂部が上記ダイシングされた半導体ウエ
ハの裏側に位置するダイシングテープの裏面に適宜圧接
し、半導体ウエハが設置されたダイシングテープ部分
を、上記固定手段に対して相対的に上方に押し上げるこ
とにより、ダイシングテープを延伸させることが可能な
インナリングホルダーと、上記固定手段に対して相対的
に上下動可能に装着され、上記インナリングホルダーに
対して接近する方向の相対移動により、上記インナリン
グの外周にダイシングテープを挟み込むように嵌合され
るアウタリングが装着してあるアウタリングホルダーと
を有する。
【０００９】
【作用】本発明では、半導体ウエハをフルカットダイシ
ングするようにしているので、従来のようにローラによ
る押圧作業が一切不用となる。また、従来必要としてい
た保護テープも不用となる。さらに、ダイシングテープ
の周囲を固定している固定手段に対して、インナリング
ホルダーを相対的に押し上げること等の手段で、ダイシ
ングテープを任意の延伸倍率に延伸させることができ
る。その後、インナリングの外周にアウタリングを嵌合
させることで、ダイシングテープに対し、第２段階目の
延伸を行う。インナリングとアウタリングの嵌合が終了
すれば、半導体チップが載置されているダイシングテー
プ部分は、任意の延伸倍率で延伸された状態で固定され
ることになる。したがって、各半導体チップは、所定の
間隔で均一にダイシングテープ上に配置される。
ングするようにしているので、従来のようにローラによ
る押圧作業が一切不用となる。また、従来必要としてい
た保護テープも不用となる。さらに、ダイシングテープ
の周囲を固定している固定手段に対して、インナリング
ホルダーを相対的に押し上げること等の手段で、ダイシ
ングテープを任意の延伸倍率に延伸させることができ
る。その後、インナリングの外周にアウタリングを嵌合
させることで、ダイシングテープに対し、第２段階目の
延伸を行う。インナリングとアウタリングの嵌合が終了
すれば、半導体チップが載置されているダイシングテー
プ部分は、任意の延伸倍率で延伸された状態で固定され
ることになる。したがって、各半導体チップは、所定の
間隔で均一にダイシングテープ上に配置される。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例に係る半導体ウエハ
のペレタイズ方法について、図面を参照しつつ詳細に説
明する。図１〜５は本発明の一実施例に係る半導体ウエ
ハのペレタイズ方法を示す概略断面図、図６は本発明の
一実施例に係る半導体ウエハのダイシングテープ延伸装
置の全体図である。
のペレタイズ方法について、図面を参照しつつ詳細に説
明する。図１〜５は本発明の一実施例に係る半導体ウエ
ハのペレタイズ方法を示す概略断面図、図６は本発明の
一実施例に係る半導体ウエハのダイシングテープ延伸装
置の全体図である。
【００１１】図１に示すように、本実施例のダイシング
方法では、半導体ウエハ６をダイシングテープ４上でフ
ルカットダイシングし、ウエハを各半導体チップ６ａに
分割する。フルカットダイシングとは、ディープカット
ダイシングとは異なり、切り残しを設けないで半導体ウ
エハ６を半導体チップ６ａに分割することである。ダイ
シングに用いられる切断手段としては、例えばダイヤモ
ンドプレードによるダイシングソー等が例示される。こ
のとき、ダイシングテープへの切り込み量は２０〜３０
（μｍ）が適当である。
方法では、半導体ウエハ６をダイシングテープ４上でフ
ルカットダイシングし、ウエハを各半導体チップ６ａに
分割する。フルカットダイシングとは、ディープカット
ダイシングとは異なり、切り残しを設けないで半導体ウ
エハ６を半導体チップ６ａに分割することである。ダイ
シングに用いられる切断手段としては、例えばダイヤモ
ンドプレードによるダイシングソー等が例示される。こ
のとき、ダイシングテープへの切り込み量は２０〜３０
（μｍ）が適当である。
【００１２】フルカットダイシングされた半導体ウエハ
６が乗せられたダイシングテープ４は、ダイシングテー
プ４の周縁に装着されたディスコフレームリング２０と
共に、図６に示す半導体ウエハのダイシングテープ延伸
装置４０の下部ユニット２１上に設置される。下部ユニ
ット２１は、ディスコ受けプレート２２と、インナリン
グホルダー２６とから成る。下部ユニット２１の上部に
は、上部ユニット２３が位置するようになっている。上
部ユニット２３は、ディスコフレーム押えプレート３０
とアウタリングホルダー３４とから成る。ディスコフレ
ームリング２０は、図１に示すように、ディスコフレー
ム受けプレート２２の上に設置されるようになってい
る。ディスコフレーム受けプレート２２の中央には、貫
通孔２４が形成してあり、ここにインナリングホルダー
２６が位置するようになっている。インナリングホルダ
ー２６の頂部は半導体ウエハ６と反対側のダイシングテ
ープ４裏面に接するように位置し、ホルダー２６の頂部
周囲には、インナリング２８が装着してある。インナリ
ング２８は、半導体ウエハ６の外径よりもさらに大きな
内径を有し、半導体ウエハ６の外周に位置するようにな
っている。また、インナリングホルダー２６には、加熱
手段２９が装着してある。加熱手段２９により、インナ
リングホルダー２６の頂部は、約４０±２°Ｃに加熱し
てある。加熱温度は特に限定されないが、このような加
熱により、その後に行うダイシングテープ４に対する延
伸工程を、きわめてスムーズに行うことができる。
６が乗せられたダイシングテープ４は、ダイシングテー
プ４の周縁に装着されたディスコフレームリング２０と
共に、図６に示す半導体ウエハのダイシングテープ延伸
装置４０の下部ユニット２１上に設置される。下部ユニ
ット２１は、ディスコ受けプレート２２と、インナリン
グホルダー２６とから成る。下部ユニット２１の上部に
は、上部ユニット２３が位置するようになっている。上
部ユニット２３は、ディスコフレーム押えプレート３０
とアウタリングホルダー３４とから成る。ディスコフレ
ームリング２０は、図１に示すように、ディスコフレー
ム受けプレート２２の上に設置されるようになってい
る。ディスコフレーム受けプレート２２の中央には、貫
通孔２４が形成してあり、ここにインナリングホルダー
２６が位置するようになっている。インナリングホルダ
ー２６の頂部は半導体ウエハ６と反対側のダイシングテ
ープ４裏面に接するように位置し、ホルダー２６の頂部
周囲には、インナリング２８が装着してある。インナリ
ング２８は、半導体ウエハ６の外径よりもさらに大きな
内径を有し、半導体ウエハ６の外周に位置するようにな
っている。また、インナリングホルダー２６には、加熱
手段２９が装着してある。加熱手段２９により、インナ
リングホルダー２６の頂部は、約４０±２°Ｃに加熱し
てある。加熱温度は特に限定されないが、このような加
熱により、その後に行うダイシングテープ４に対する延
伸工程を、きわめてスムーズに行うことができる。
【００１３】ディスコフレームリング２０がディスコフ
レーム受けプレート２２の上に設置されると、図２に示
すように、上部ユニット２３のディスコフレーム押えプ
レート３０が上から降りてきてディスコフレーム受けプ
レート２２との間で、ダイシングテープ４の周縁をディ
スコフレームリングと共に挟み込み固定する。ディスク
フレーム押えプレート３０、ディスコフレームリング２
０及びディスコフレーム受けプレート２２が、ダイシン
グテープに対する固定手段を構成する。
レーム受けプレート２２の上に設置されると、図２に示
すように、上部ユニット２３のディスコフレーム押えプ
レート３０が上から降りてきてディスコフレーム受けプ
レート２２との間で、ダイシングテープ４の周縁をディ
スコフレームリングと共に挟み込み固定する。ディスク
フレーム押えプレート３０、ディスコフレームリング２
０及びディスコフレーム受けプレート２２が、ダイシン
グテープに対する固定手段を構成する。
【００１４】ダイシングテープ４の周縁を固定した後、
図３に示すように、押えプレート３０をさらに下に押し
下げて、相対的にインナリングホルダー２６を上方に押
し上げる。図３及び図６に示すように、ディスコフレー
ム受けプレート２２の下部には、スプリング３２が装着
してあるので、プレート２２は、押えプレート３０によ
りスプリング３２の弾性力に抗して押し下げられる。押
えプレート３０を押し下げ移動させるための駆動源は、
特に限定されないが、例えば空気圧シリンダ等が例示さ
れる。その空気圧力は、特に限定されないが、約４ｋｇ
／ｃｍ２程度である。押えプレート３０が押し下げられ
ると、ダイシングテープ４は、押えプレート３０の押し
下げ量に対応して延伸させられる。この延伸が第１段階
の延伸に相当する。この第１段階の延伸による延伸量
は、押えプレート３０の押し下げ量を選択することで、
任意に改変させることが可能である。ダイシングテープ
４が延伸させられると、その上に接着されたダイシング
後の各半導体チップ６ａは、それぞれの間隔が引き離さ
れる。
図３に示すように、押えプレート３０をさらに下に押し
下げて、相対的にインナリングホルダー２６を上方に押
し上げる。図３及び図６に示すように、ディスコフレー
ム受けプレート２２の下部には、スプリング３２が装着
してあるので、プレート２２は、押えプレート３０によ
りスプリング３２の弾性力に抗して押し下げられる。押
えプレート３０を押し下げ移動させるための駆動源は、
特に限定されないが、例えば空気圧シリンダ等が例示さ
れる。その空気圧力は、特に限定されないが、約４ｋｇ
／ｃｍ２程度である。押えプレート３０が押し下げられ
ると、ダイシングテープ４は、押えプレート３０の押し
下げ量に対応して延伸させられる。この延伸が第１段階
の延伸に相当する。この第１段階の延伸による延伸量
は、押えプレート３０の押し下げ量を選択することで、
任意に改変させることが可能である。ダイシングテープ
４が延伸させられると、その上に接着されたダイシング
後の各半導体チップ６ａは、それぞれの間隔が引き離さ
れる。
【００１５】次に、上からアウタリングホルダー３４が
下降してくる。このホルダー３４の駆動源は特に限定さ
れないが、押えプレート３０を下降移動させるための駆
動源と同様な手段を適用することができる。アウタリン
グホルダー３４には、その下端部に、アウタリング３６
が装着してある。アウタリング３６の内径は、インナリ
ング２８の外径より若干大きい寸法を有し、アウタリン
グホルダー３４の下降移動により、図４に示すように、
アウタリング３６は、インナリング２８の外側に嵌合
し、間にダイシングテープ４を挟み込むようになってい
る。その際に、ダイシングテープ４は、第２段階の延伸
が行われ、延伸された状態で固定される。延伸されたダ
イシングテープ４上には、半導体チップ６ａが所定間隔
分離された状態で設置される。半導体チップ６ａ間の分
離量、すなわちダイシングテープ４の延伸量は、半導体
ウエハ６及びダイシングテープ４を加熱するためにイン
ナリングホルダー２６に設けられた加熱手段２９による
加熱温度と、第１段階の延伸工程における押えプレート
３０の下降量によって決定される。
下降してくる。このホルダー３４の駆動源は特に限定さ
れないが、押えプレート３０を下降移動させるための駆
動源と同様な手段を適用することができる。アウタリン
グホルダー３４には、その下端部に、アウタリング３６
が装着してある。アウタリング３６の内径は、インナリ
ング２８の外径より若干大きい寸法を有し、アウタリン
グホルダー３４の下降移動により、図４に示すように、
アウタリング３６は、インナリング２８の外側に嵌合
し、間にダイシングテープ４を挟み込むようになってい
る。その際に、ダイシングテープ４は、第２段階の延伸
が行われ、延伸された状態で固定される。延伸されたダ
イシングテープ４上には、半導体チップ６ａが所定間隔
分離された状態で設置される。半導体チップ６ａ間の分
離量、すなわちダイシングテープ４の延伸量は、半導体
ウエハ６及びダイシングテープ４を加熱するためにイン
ナリングホルダー２６に設けられた加熱手段２９による
加熱温度と、第１段階の延伸工程における押えプレート
３０の下降量によって決定される。
【００１６】その後、延伸されたダイシングテープ４
は、図５に示すように、リング２０，２８，３６と共
に、ダイボンディング用装置に移され、そこで、ダイシ
ングテープ４上の各半導体チップ６ａは、角錘コレット
などのピックアップ装置でピックアップされ、ダイボン
ディングされる。その際に、各半導体チップは、所定の
間隔で均一にダイシングテープ上に配置されているの
で、ピックアップ作業性が向上する。
は、図５に示すように、リング２０，２８，３６と共
に、ダイボンディング用装置に移され、そこで、ダイシ
ングテープ４上の各半導体チップ６ａは、角錘コレット
などのピックアップ装置でピックアップされ、ダイボン
ディングされる。その際に、各半導体チップは、所定の
間隔で均一にダイシングテープ上に配置されているの
で、ピックアップ作業性が向上する。
【００１７】なお、本発明は、上述した実施例に限定さ
れるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変するこ
とができる。例えば、上述した実施例では、固定手段と
しての押えプレート３０及びフレーム受けプレート２２
が、インナリングホルダー２６に対して押し下がるよう
に構成したが、それと逆に、インナリングホルダー２６
が固定手段に対して押し上がるように構成してもよい。
れるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変するこ
とができる。例えば、上述した実施例では、固定手段と
しての押えプレート３０及びフレーム受けプレート２２
が、インナリングホルダー２６に対して押し下がるよう
に構成したが、それと逆に、インナリングホルダー２６
が固定手段に対して押し上がるように構成してもよい。
【００１８】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、半導体ウエハをフルカットダイシングするようにし
ているので、従来のようにローラによる押圧作業が一切
不用となる。したがって、ダイシング後の半導体チップ
の表面に傷や欠け等が生じることはなくなる。しかも、
従来必要としていた保膜テープも不用となる。
ば、半導体ウエハをフルカットダイシングするようにし
ているので、従来のようにローラによる押圧作業が一切
不用となる。したがって、ダイシング後の半導体チップ
の表面に傷や欠け等が生じることはなくなる。しかも、
従来必要としていた保膜テープも不用となる。
【００１９】また、本発明では、ダイシングテープの周
囲を固定している固定手段に対して、インナリングホル
ダーを相対的に押し上げること等の手段で、ダイシング
テープを任意の延伸倍率に容易に延伸させることができ
る。その後、インナリングの外周にアウタリングを嵌合
させることで、ダイシングテープに対し、第２段階目の
延伸が行われれば、半導体チップが載置されているダイ
シングテープ部分は、任意の延伸倍率で延伸された状態
で固定されることになる。したがって、各半導体チップ
は、所定の間隔で均一にダイシングテープ上に配置さ
れ、その後のダイボンディング工程におけるコレットな
どによる半導体チップのピックアップ作業効率が著しく
向上する。さらに、本発明方法を実現するための装置
は、比較的安価な装置であるため、設備費が増大するこ
ともない。特に本発明の方法は、半導体ウエハを比較的
小さいチップに分割する場合に有効である。
囲を固定している固定手段に対して、インナリングホル
ダーを相対的に押し上げること等の手段で、ダイシング
テープを任意の延伸倍率に容易に延伸させることができ
る。その後、インナリングの外周にアウタリングを嵌合
させることで、ダイシングテープに対し、第２段階目の
延伸が行われれば、半導体チップが載置されているダイ
シングテープ部分は、任意の延伸倍率で延伸された状態
で固定されることになる。したがって、各半導体チップ
は、所定の間隔で均一にダイシングテープ上に配置さ
れ、その後のダイボンディング工程におけるコレットな
どによる半導体チップのピックアップ作業効率が著しく
向上する。さらに、本発明方法を実現するための装置
は、比較的安価な装置であるため、設備費が増大するこ
ともない。特に本発明の方法は、半導体ウエハを比較的
小さいチップに分割する場合に有効である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例に係る半導体ウエハのペレタ
イズ方法の一過程を示す概略断面図である。
イズ方法の一過程を示す概略断面図である。
【図２】本発明の一実施例に係る半導体ウエハのペレタ
イズ方法の一過程を示す概略断面図である。
イズ方法の一過程を示す概略断面図である。
【図３】本発明の一実施例に係る半導体ウエハのペレタ
イズ方法の一過程を示す概略断面図である。
イズ方法の一過程を示す概略断面図である。
【図４】本発明の一実施例に係る半導体ウエハのペレタ
イズ方法の一過程を示す概略断面図である。
イズ方法の一過程を示す概略断面図である。
【図５】本発明の一実施例に係る半導体ウエハのペレタ
イズ方法の一過程を示す概略断面図である。
イズ方法の一過程を示す概略断面図である。
【図６】本発明の一実施例に係る半導体ウエハのダイシ
ングテープ延伸装置の全体図である。
ングテープ延伸装置の全体図である。
【図７】従来のペレタイズ方法の一例を示す概略断面図
である。
である。
【符号の説明】 ４ ダイシングテープ ６ 半導体ウエハ ６ａ 半導体チップ ２０ ディスコフレームリング ２２ ディスコフレーム受けプレート ２６ インナリングホルダー ２８ インナリング ２９ 加熱手段 ３０ ディスコフレーム押えプレート ３４ アウタリングホルダー ３６ アウタリング ４０ 半導体ウエハのダイシングテープ延伸装置
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正内容】
【図７】
Claims (3)
- 【請求項１】 ダイシングテープ上に、半導体ウエハを
設置し、この半導体ウエハをフルカットダイシングする
ダイシング工程と、 ダイシングテープの周囲を固定しつつ、ダイシングされ
た半導体ウエハが設置されたダイシングテープ部分を相
対的に任意の所定量押し上げて、ダイシングテープを延
伸させ、ダイシングテープ上のダイシングされた個々の
半導体チップを所定間隔で引き離す第１段階延伸工程
と、 延伸されたダイシングテープをインナリングとアウタリ
ングとで挟み込みつつ延伸する第２段階延伸工程とを有
する半導体ウエハのダイシング方法。 - 【請求項２】 フルカットダイシングされた半導体ウエ
ハが設置されるダイシングテープと、 このダイシングテープの周囲を固定する固定手段と、 この固定手段に対して相対的に上下動移動自在に装着さ
れ、頂部外周にインナリングが装着され、この頂部が上
記ダイシングされた半導体ウエハの裏側に位置するダイ
シングテープの表面に適宜圧接し、半導体ウエハが設置
されたダイシングテープ部分を、上記固定手段に対して
相対的に上方に押し上げることにより、ダイシングテー
プを延伸させることが可能なインナリングホルダーと、 上記固定手段に対して相対的に上下動可能に装着され、
上記インナリングホルダーに対して接近する方向の相対
移動により、上記インナリングの外周にダイシングテー
プを挟み込むように嵌合されるアウタリングが装着して
あるアウタリングホルダーとを有する半導体ウエハのダ
イシングテープ延伸装置。 - 【請求項３】 上記インナリングホルダーには、ダイシ
ングテープを加熱するための加熱手段が装着してある半
導体ウエハのダイシングテープ延伸装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22108491A JPH0541451A (ja) | 1991-08-06 | 1991-08-06 | 半導体ウエハのペレタイズ方法と装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22108491A JPH0541451A (ja) | 1991-08-06 | 1991-08-06 | 半導体ウエハのペレタイズ方法と装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0541451A true JPH0541451A (ja) | 1993-02-19 |
Family
ID=16761242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22108491A Pending JPH0541451A (ja) | 1991-08-06 | 1991-08-06 | 半導体ウエハのペレタイズ方法と装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0541451A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1991
- 1991-08-06 JP JP22108491A patent/JPH0541451A/ja active Pending
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