JP6814672B2

JP6814672B2 - 加工方法

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Publication number: JP6814672B2
Application number: JP2017057450A
Authority: JP
Inventors: 昌充上里
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2017-03-23
Filing date: 2017-03-23
Publication date: 2021-01-20
Anticipated expiration: 2037-03-23
Also published as: JP2018160579A

Description

本発明は、板状物の裏面に膜が成膜されるとともに交差する複数の分断予定ラインが設定された被加工物の加工方法に関する。

金属膜や樹脂膜等、特に延性を有する膜を備える板状物を切削ブレードで切削すると、切削ブレードに膜による目詰まりが生じる。そこで、切削加工を施す前に、予め上記膜をレーザビームで除去する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１６−４２５２６号公報

しかし、レーザビームで膜を除去するとデブリが発生する上、一般的に高価なレーザ加工装置を利用して加工することになるため製造コストも嵩むという問題がある。

よって、成膜された板状の被加工物を加工する場合には、切削ブレードに目詰まりを発生させることなく、かつ、レーザ加工装置を利用せずとも被加工物を加工できるようにするという課題がある。

上記課題を解決するための本発明は、板状物の裏面に膜が成膜されるとともに交差する複数の分断予定ラインが表面に設定された被加工物を該分断予定ラインに沿って分断して複数のチップを形成する加工方法であって、被加工物の表面から該分断予定ラインに沿って該膜に至らず該板状物を残し部として溝底に残した溝を形成する溝形成ステップと、該溝形成ステップを実施した後に被加工物の該表面にエキスパンドシートを貼着するエキスパンドシート貼着ステップと、該エキスパンドシート貼着ステップを実施した後、被加工物を０℃以下かつ該エキスパンドシートが破断しない温度に冷却して該エキスパンドシートを拡張することで該溝に沿って該膜を該残し部とともに分断するエキスパンドステップと、を備えた加工方法である。

前記エキスパンドシート貼着ステップの実施中または実施後で且つ前記エキスパンドステップを実施する前に、前記エキスパンドシートまたは被加工物の少なくとも一方を加熱して被加工物に該エキスパンドシートを密着させるシート密着ステップを備えるものとすると好ましい。

本発明に係る加工方法は、被加工物の表面から分断予定ラインに沿って膜に至らず板状物を残し部として溝底に残した溝を形成する溝形成ステップと、溝形成ステップを実施した後に被加工物の表面にエキスパンドシートを貼着するエキスパンドシート貼着ステップと、エキスパンドシート貼着ステップを実施した後、被加工物を０℃以下かつエキスパンドシートが破断しない温度に冷却してエキスパンドシートを拡張することで溝に沿って膜を残し部とともに分断するエキスパンドステップとを備えているため、レーザ加工装置を利用せず、また、切削ブレードに膜による目詰まりを発生させることもなく、膜をエキスパンドで残し部とともに確実に分断して、被加工物からチップを作製することができる。

また、エキスパンドシート貼着ステップの実施中または実施後で且つエキスパンドステップを実施する前に、エキスパンドシートまたは被加工物の少なくとも一方を加熱して被加工物にエキスパンドシートを密着させるシート密着ステップを更に備えるものとすることで、エキスパンドステップにおけるエキスパンドシートを介した被加工物に対する拡張力の付加をより確実なものとすることができる。

被加工物の一例を示す断面図である。切削装置を用いて被加工物に溝を形成している状態を示す断面図である。被加工物に形成された溝の一例を拡大して示す断面図である。被加工物に溝を形成するためのプラズマエッチング装置の一例を示す断面図である。エキスパンドシートが表面側に貼着された状態の被加工物の一部を示す断面図である。エキスパンド装置に、エキスパンドシートを介してリングフレームで支持された被加工物をセットした状態を示す断面図である。エキスパンド装置によってエキスパンドシートを拡張している状態を示す断面図である。

図１に示す被加工物Ｗは、例えば、シリコンからなる板状物Ｗ１を備える円形状の半導体ウエーハであり、板状物Ｗ１の表面、すなわち、被加工物Ｗの表面Ｗ１ａには複数の分断予定ラインＳがそれぞれ直交するように設定されている。そして、分断予定ラインＳによって区画された格子状の領域には、デバイスＤがそれぞれ形成されている。図１において−Ｚ方向側に向いている板状物Ｗ１の裏面Ｗ１ｂには、銅及びニッケル等の金属からなり電極として働く一様な厚さ（例えば、０．５μｍ〜１０μｍ）の膜Ｗ２が形成されている。膜Ｗ２の露出面は、被加工物Ｗの裏面Ｗ２ｂとなる。なお、被加工物Ｗの構成は、本実施形態に示す例に限定されるものではない。例えば、板状物Ｗ１はシリコン以外にサファイア、ガリウム又はシリコンカーバイド等で構成されていてもよく、また、膜Ｗ２は、金属膜ではなく、例えばＤＡＦ（ＤｉｅＡｔｔａｃｈＦｉｌｍ）やＤＢＦ（ＤｉｅＢａｃｋｓｉｄｅＦｉｌｍ）等の厚さ５μｍ〜３０μｍ程度の樹脂膜であってもよい。

以下に、本発明に係る加工方法を実施して図１に示す被加工物ＷからデバイスＤを備えるチップを作製する場合の、加工方法の各ステップについて説明していく。

（１−１）切削装置を用いる溝形成ステップ
まず、図１に示す被加工物Ｗの表面Ｗ１ａから分断予定ラインＳに沿って溝を形成する溝形成ステップを実施する。本溝形成ステップにおいては、例えば、図２に示す切削装置１を用いて溝形成を行う。

溝が形成されるにあたり、図２に示すように、被加工物Ｗは、裏面Ｗ２ｂにダイシングテープＴ１が貼着され、ダイシングテープＴ１の粘着面の外周部は、環状フレームＦ１に貼着された状態になる。そして、表面Ｗ１ａが上方に向かって露出した状態の被加工物Ｗは、環状フレームＦ１によるハンドリングが可能な状態となる。

図２に示す切削装置１は、例えば、被加工物Ｗを吸引保持するチャックテーブル１０と、チャックテーブル１０に保持された被加工物Ｗに対して回転する切削ブレード１１０で切削加工を施す切削手段１１と、を少なくとも備えている。

チャックテーブル１０は、例えば、その外形が円形状であり、ポーラス部材等からなる保持面１０ａ上で被加工物Ｗを吸引保持する。チャックテーブル１０は、鉛直方向（Ｚ軸方向）の軸心周りに回転可能であるとともに、図示しない切削送り手段によりＸ軸方向に往復移動可能となっている。チャックテーブル１０の外周部には、例えば４つ（図示の例においては、２つのみ図示している）の固定クランプ１００が環状フレームＦ１を固定するために均等に配設されている。

切削手段１１は、軸方向が被加工物Ｗの移動方向（Ｘ軸方向）に対し水平方向に直交する方向（Ｙ軸方向）であるスピンドル１１１を備えており、スピンドル１１１の先端には円環状の切削ブレード１１０が固定されている。なお、最終的に被加工物Ｗから分割されたチップの外周縁から膜Ｗ２等がバリ状にはみ出す量を抑えるためにも、本ステップにおいて形成する溝の幅はなるべく小さくなる方が好ましい。そのため、切削ブレード１１０は、例えば、その刃厚が１０μｍ以下の細厚のブレードであると好ましい。

まず、図２に示すように、環状フレームＦ１により支持されている被加工物Ｗが、表面Ｗ１ａが上側を向いた状態でチャックテーブル１０により吸引保持される。また、各固定クランプ１００によって環状フレームＦ１が挟持固定される。次いで、図示しないアライメント手段により、切削ブレード１１０を切り込ませる分断予定ラインＳのＹ軸方向の座標位置が検出される。そして、切削手段１１がＹ軸方向に割り出し送りされ、切削すべき分断予定ラインＳに対して切削ブレード１１０が位置付けられる。

スピンドル１１１が回転することに伴い、切削ブレード１１０が例えば−Ｙ方向側から見て時計回り方向に高速回転する。さらに、切削手段１１が−Ｚ方向に向かって切り込み送りされ、切削ブレード１１０の最下端が板状物Ｗ１の裏面Ｗ１ｂよりも所定距離（例えば、１０μｍ〜２５μｍ）だけ上方となる高さ位置に、切削手段１１が位置付けられる。

チャックテーブル１０が所定の切削送り速度で−Ｘ方向側（紙面奥側）に送り出されることで、回転する切削ブレード１１０が分断予定ラインＳに沿って被加工物Ｗの表面Ｗ１ａ側から板状物Ｗ１に切り込んでいき、図２、３に示す膜Ｗ２に至らない溝Ｍ１が形成されていく。図３に示すように、溝Ｍ１の溝底には、板状物Ｗ１が残し部Ｗ１ｄとして１０μｍ〜２５μｍの厚さで残った状態になる。溝Ｍ１の幅は例えば約１０μｍとなる。

切削ブレード１１０が一本の分断予定ラインＳを切削し終えるＸ軸方向の所定の位置まで被加工物Ｗが送られると、切削ブレード１１０が被加工物Ｗから離間し、次いで、被加工物Ｗが＋Ｘ方向に移動し原点位置に戻る。そして、隣り合う分断予定ラインＳの間隔ずつ切削ブレード１１０を＋Ｙ方向に割り出し送りしながらＸ軸方向の全ての分断予定ラインＳについて順次同様の切削を行い、さらに、被加工物Ｗを９０度回転させてから同様の切削加工を行うことで、全ての分断予定ラインＳに沿って膜Ｗ２に至らず板状物Ｗ１を残し部Ｗ１ｄとして溝底に残した溝Ｍ１を被加工物Ｗに形成する。

（１−２）プラズマエッチング装置を用いる溝形成ステップ
溝形成ステップは、上記のように図２に示す切削装置１を用いて実施する代わりに、図４に示すプラズマエッチング装置９を用いて実施してもよい。

図４に示すプラズマエッチング装置９は、被加工物Ｗを保持する静電チャック９０と、ガスを噴出するガス噴出ヘッド９１と、静電チャック９０及びガス噴出ヘッド９１を内部に収容したチャンバ９２とを備えている。

例えば、アルミナ等のセラミック又は酸化チタン等の誘電体で形成される静電チャック９０は、支持部材９００によって下方から支持されている。静電チャック９０の内部には、電圧が印加されることにより電荷を発生する電極（金属板）９０１が静電チャック９０の保持面９０ａと平行に配設されており、この電極９０１は、整合器９４ａ及びバイアス高周波電源９５ａに接続されている。なお、例えば、静電チャック９０は、本実施形態のような単極型の静電チャックに限定されるものではなく、いわゆる双極型の静電チャックであってもよい。

チャンバ９２の上部に軸受け９１９を介して昇降自在に配設されたガス噴出ヘッド９１の内部には、ガス拡散空間９１０が設けられており、ガス拡散空間９１０の上部にはガス導入口９１１が連通し、ガス拡散空間９１０の下部にはガス吐出口９１２が複数連通している。各ガス吐出口９１２の下端は、静電チャック９０の保持面９０ａに向かって開口している。

ガス導入口９１１には、ガス供給部９３が接続されている。ガス供給部９３は、例えばＳＦ_６、ＣＦ_４、Ｃ_２Ｆ_６、Ｃ_２Ｆ_４等のフッ素系ガスをエッチングガスとして蓄えている。

ガス噴出ヘッド９１には、整合器９４を介して高周波電源９５が接続されている。高周波電源９５から整合器９４を介してガス噴出ヘッド９１に高周波電力を供給することにより、ガス吐出口９１２から吐出されたエッチングガスをプラズマ化することができる。プラズマエッチング装置９は、図示しない制御部を備えており、制御部による制御の下で、ガスの吐出量や時間、高周波電力等の条件がコントロールされる。

チャンバ９２の底には排気口９６が形成されており、この排気口９６には排気装置９７が接続されている。この排気装置９７を作動させることにより、チャンバ９２の内部を所定の真空度まで減圧することができる。
チャンバ９２の側部には、被加工物Ｗの搬入出を行うための搬入出口９２０と、この搬入出口９２０を開閉するゲートバルブ９２１とが設けられている。

被加工物Ｗはプラズマエッチングが施されて溝が形成されるにあたり、各デバイスＤ（図４においては不図示）がレジスト膜Ｒによって保護された状態になる。すなわち、例えば、ポジ型レジスト液が被加工物Ｗの表面Ｗ１ａに塗布され一様な厚さのレジスト膜が表面Ｗ１ａ上に形成された後、分断予定ラインＳにのみ紫外光が照射され、露光後の被加工物Ｗが現像されることで、分断予定ラインＳが露出しかつデバイスＤがレジスト膜Ｒにより保護された状態となる。なお、最終的に被加工物Ｗから分割されたチップの外周縁から膜Ｗ２等がバリ状にはみ出す量を抑えるためにも、形成する溝の幅はなるべく小さくなる方が好ましい。そのため、例えば、レジスト膜Ｒを分断予定ラインＳが１０μｍ以下の幅で露出するように形成すると好ましく、分断予定ラインＳが５μｍ以下の幅で露出するように形成するとさらに好ましい。
また、被加工物Ｗの裏面Ｗ２ｂにはテープ又はハードプレートが保護部材Ｔ２として貼着され、裏面Ｗ２ｂは保護部材Ｔ２によって保護された状態になる。

溝の形成においては、まず、ゲートバルブ９２１を開け、搬入出口９２０から被加工物Ｗをチャンバ９２内に搬入し、表面Ｗ１ａ側を上に向けて被加工物Ｗを静電チャック９０の保持面９０ａ上に載置する。ゲートバルブ９２１を閉じ、排気装置９７によってチャンバ９２内を排気し、チャンバ９２内を所定の圧力の密閉空間とする。

ガス噴出ヘッド９１を所定の高さ位置まで下降させ、その状態でガス供給部９３から例えばＳＦ_６を主体とするエッチングガスをガス拡散空間９１０に供給し、ガス吐出口９１２から下方に噴出させる。また、高周波電源９５からガス噴出ヘッド９１に高周波電力を印加して、ガス噴出ヘッド９１と静電チャック９０との間に高周波電界を生じさせ、エッチングガスをプラズマ化させる。これに並行して、電極９０１にバイアス高周波電源９５ａから電圧を印加することで、静電チャック９０の保持面９０ａと被加工物Ｗとの間に誘電分極現象を発生させ、電荷の分極による静電吸着力によって被加工物Ｗを保持面９０ａ上に吸着保持する。

プラズマ化したエッチングガスは、レジスト膜Ｒで被覆されている各デバイスＤはエッチングせずに、分断予定ラインＳ上を−Ｚ方向に向かって異方性エッチングしていく。そのため、図３に示す分断予定ラインＳに沿った格子状の溝Ｍ１が板状物Ｗ１に形成されていく。

図３に示すように、溝Ｍ１の底が板状物Ｗ１の裏面Ｗ１ｂよりも所定距離（例えば、１０μｍ〜２５μｍ）だけ上方となる高さ位置までプラズマエッチングを進行させた後、プラズマエッチングを終了させる。すなわち、図４に示すチャンバ９２内へのエッチングガス等の導入及びガス噴出ヘッド９１への高周波電力の供給を停止し、また、チャンバ９２内のエッチングガスを排気口９６から排気装置９７に排気し、チャンバ９２内部にエッチングガスが存在しない状態とする。その結果、図３に示すように、全ての分断予定ラインＳに沿って膜Ｗ２に至らず板状物Ｗ１を残し部Ｗ１ｄとして溝底に残した溝Ｍ１を被加工物Ｗに形成する。なお、形成された溝Ｍ１の幅は、１０μｍ以下であると好ましく、５μｍ以下であるとさらに好ましい。
なお、溝形成ステップは、上記のようなＳＦ６ガス単体によるプラズマエッチングで行われる形態に限定されず、ＳＦ６ガスによるプラズマエッチングとＣ４Ｆ８による溝側壁等に対する保護膜堆積（デポジション）とを交互に繰り返すボッシュ法により行われるものとしてもよい。

次いで、図４に示す被加工物Ｗの表面Ｗ１ａ上からレジスト膜Ｒを除去する。レジスト膜Ｒの除去は、例えば、所定薬剤を用いたウェット処理、又はプラズマエッチング装置９によるレジスト膜Ｒのアッシング（灰化）によって行う。

（２）エキスパンドシート貼着ステップ
上記のように（１−１）切削装置１を用いる溝形成ステップ、又は（１−２）プラズマエッチング装置９を用いる溝形成ステップのいずれかを実施した後、図５に示すように、被加工物Ｗの表面Ｗ１ａにエキスパンドシートＴ３を貼着する。エキスパンドシートＴ３は、例えば、被加工物Ｗの外径よりも大きい外径を有する円盤状のシートであり、機械的外力に対する適度な伸縮性を備えている。例えば、図示しない貼り付けテーブル上に載置された被加工物Ｗの中心とリングフレームＦ２の円形の開口の中心とが略合致するように、被加工物Ｗに対してリングフレームＦ２が位置付けられる。そして、貼り付けテーブル上でプレスローラー等により被加工物Ｗの表面Ｗ１ａにエキスパンドシートＴ３が押し付けられて貼着される。同時に、エキスパンドシートＴ３の粘着面Ｔ３ａの外周部をリングフレームＦ２にも貼着することで、被加工物Ｗは、エキスパンドシートＴ３を介してリングフレームＦ２に支持された状態となり、リングフレームＦ２を介したハンドリングが可能な状態になる。なお、被加工物Ｗだけに先にエキスパンドシートＴ３をプレスローラー等で貼着した後、リングフレームＦ２に対して被加工物Ｗを適切に位置付けて、リングフレームＦ２にエキスパンドシートＴ３を貼着してもよい。また、被加工物Ｗの裏面Ｗ２ｂから図２に示すダイシングテープＴ１又は図４に示す保護部材Ｔ２が剥離される。

（３）シート密着ステップ
例えば、上記エキスパンドシート貼着ステップを実施した後、エキスパンドシートＴ３または被加工物Ｗの少なくとも一方を加熱して被加工物ＷにエキスパンドシートＴ３を密着させるシート密着ステップを実施する。エキスパンドシートＴ３又は被加工物Ｗの加熱は、例えば、図５に示す所定温度に加熱されたヒーターテーブル７上で行われる。ヒーターテーブル７の温度は、エキスパンドシートＴ３を構成する基材層及び粘着層の種類並びにシート厚み等によって適切な温度（例えば、７０℃）に設定される。すなわち、ヒーターテーブル７の温度は、熱によるエキスパンドシートＴ３の溶融及びエキスパンドシートＴ３の熱収縮による外径の変化が生じない程度の温度に設定される。

図５に示す例においては、エキスパンドシートＴ３を下側に向けてヒーターテーブル７上に被加工物Ｗを載置してエキスパンドシートＴ３及び被加工物Ｗを加熱しているが、これに限定されず、被加工物Ｗを下側に向けてヒーターテーブル７上に被加工物Ｗを載置して加熱してもよい。

例えば、被加工物Ｗをヒーターテーブル７上に約１分間載置することで、エキスパンドシートＴ３及び被加工物Ｗの加熱を完了させる。エキスパンドシートＴ３は、加熱されたことでエキスパンドシートＴ３の粘着面Ｔ３ａが軟化して被加工物Ｗの表面Ｗ１ａにより密着した状態となっている。なお、被加工物Ｗの加熱はヒーターテーブル７を用いて接触式で行う形態に限定されず、例えば赤外線を放射可能な赤外線ランプや加熱オーブンなどで、非接触でエキスパンドシートＴ３又は被加工物Ｗの少なくとも一方を加熱するようにしてもよい。

シート密着ステップは、上記（２）エキスパンドシート貼着ステップを実施している最中に行ってもよい。この場合には、ヒーターテーブル７に被加工物Ｗの表面Ｗ１ａを上側に向けた状態で保持し、被加工物Ｗを加熱しつつ、被加工物Ｗの表面Ｗ１ａに対してリングフレームＦ２の開口内に露出しているエキスパンドシートＴ３の粘着面Ｔ３ａを上方から押し付けることで、被加工物ＷにエキスパンドシートＴ３を貼着する。

（４）エキスパンドステップ
次いで、エキスパンドシートＴ３を介してリングフレームＦ２によって支持された状態の被加工物Ｗを、図６に示すエキスパンド装置５に搬送する。なお、上記シート密着ステップを実施せずに、（２）エキスパンドシート貼着ステップを実施した後、本エキスパンドステップを実施するものとしてもよい。エキスパンド装置５は、図６に示すように、内部の温度を所定の温度に設定することが可能な冷却チャンバ６内に収容されている。

エキスパンド装置５は、例えば、エキスパンドシートＴ３の外径よりも大きな外径を備える環状テーブル５０を具備しており、環状テーブル５０の開口５０ｃの直径はエキスパンドシートＴ３の外径よりも小さく形成されている。環状テーブル５０の外周側には、例えば４つ（図６においては、２つのみ図示している）の固定クランプ５２が均等に配設されている。固定クランプ５２は、バネ等によって回転軸５２ｃを軸に回動可能となっており、環状テーブル５０の保持面５０ａと固定クランプ５２の下面との間にリングフレームＦ２及びエキスパンドシートＴ３を挟み込むことができる。環状テーブル５０は、例えば、エアシリンダ等で構成される環状テーブル昇降手段５５によって上下動可能となっている。

環状テーブル５０の開口５０ｃ内には、円筒状の拡張ドラム５３が配設されており、環状テーブル５０の中心と拡張ドラム５３の中心とは略合致している。この拡張ドラム５３の外径は、エキスパンドシートＴ３の外径より小さく、かつ、被加工物Ｗの外径よりも大きく形成されている。拡張ドラム５３は、例えば、エアシリンダ等で構成される拡張ドラム昇降手段５６によって上下動可能となっている。

まず、リングフレームＦ２によって支持された被加工物Ｗが、冷却チャンバ６の図示しない搬入口から冷却チャンバ６内に搬入され、基準高さ位置に位置付けられた環状テーブル５０の保持面５０ａに、エキスパンドシートＴ３を介してリングフレームＦ２が載置される。次いで、リングフレームＦ２及びエキスパンドシートＴ３が、固定クランプ５２と環状テーブル５０の保持面５０ａとの間に挟持固定される。この状態においては、環状テーブル５０の保持面５０ａと拡張ドラム５３の環状の上端面とは同一の高さ位置にあり、拡張ドラム５３の上端面が、エキスパンドシートＴ３のリングフレームＦ２の内周縁と被加工物Ｗの外周縁との間の領域に、エキスパンドシートＴ３の基材面側（図６における下面側）から当接する。

冷却チャンバ６は、チャンバ内部の温度が例えば０℃以下かつエキスパンドシートＴ３が破断しない温度（例えば、約−１５℃）を保つように設定されている。そのため、エキスパンド装置５に搬送された被加工物Ｗは、エキスパンドシートＴ３と共に冷却チャンバ６内で−１５℃程度まで冷却される。

図７に示すように、環状テーブル昇降手段５５が、固定クランプ５２との間にリングフレームＦ２及びエキスパンドシートＴ３を挟み込んだ状態の環状テーブル５０を下降させることで、環状テーブル５０の保持面５０ａを拡張ドラム５３の上端面より下方のシート拡張位置に位置付ける。その結果、拡張ドラム５３は固定クランプ５２に対して相対的に上昇し、エキスパンドシートＴ３は、拡張ドラム５３の上端面で押し上げられて径方向外側に向かって拡張される。なお、環状テーブル５０を下降させるのではなく、拡張ドラム昇降手段５６が拡張ドラム５３の上昇させることで、エキスパンドシートＴ３を拡張するものとしてもよい。

板状物Ｗ１中の厚みが薄くなった箇所である残し部Ｗ１ｄは、エキスパンドシートＴ３を介して付与される拡張力によって破断しやすくなっている。また、エキスパンド装置５に搬送される前に図５に示すヒーターテーブル７により加温された状態の板状物Ｗ１（シート密着ステップを実施していない場合には、常温の状態の板状物Ｗ１）は、冷却チャンバ６内で−１５℃程度まで冷却されることで、温度変化によって破断しやすくなっている。さらに、金属膜Ｗ２も、上記温度変化により拡張力が加えられた際に変形せずに破断しやすくなっている。したがって、エキスパンドシートＴ３を介した拡張力が直に加わる残し部Ｗ１ｄが溝Ｍ１に沿ってまず破断することで、残し部Ｗ１ｄ上の金属膜Ｗ２にもその抗張力以上の拡張力が一気に加わり膜Ｗ２が破断する。即ち、各溝Ｍ１に沿って膜Ｗ２が残し部Ｗ１ｄとともに分断され、被加工物Ｗから図７に示す複数のチップＣを形成することができる。

本発明に係る加工方法は、被加工物Ｗの表面Ｗ１ａから分断予定ラインＳに沿って膜Ｗ２に至らず板状物Ｗ１を残し部Ｗ１ｄとして溝底に残した溝Ｍ１を形成する溝形成ステップと、溝形成ステップを実施した後に被加工物Ｗの表面Ｗ１ａにエキスパンドシートＴ３を貼着するエキスパンドシート貼着ステップと、エキスパンドシート貼着ステップを実施した後、被加工物Ｗを０℃以下かつエキスパンドシートＴ３が破断しない温度に冷却してエキスパンドシートＴ３を拡張することで溝Ｍ１に沿って膜Ｗ２を残し部Ｗ１ｄとともに分断するエキスパンドステップとを備えているため、レーザ加工装置を利用せず、また、切削ブレード１１０に膜Ｗ２による目詰まりを発生させることもなく、膜Ｗ２をエキスパンドで残し部Ｗ１ｄとともに確実に分断して、被加工物ＷからチップＣを作製することができる。

また、エキスパンドシート貼着ステップの実施中または実施後で且つエキスパンドステップを実施する前に、エキスパンドシートＴ３または被加工物Ｗの少なくとも一方を加熱して被加工物ＷにエキスパンドシートＴ３を密着させるシート密着ステップを更に備えるものとすることで、エキスパンドステップにおけるエキスパンドシートＴ３を介した被加工物Ｗに対する拡張力の付加をより確実なものとすることができる。

Ｗ：被加工物Ｗ１：板状物Ｗ１ａ：被加工物の表面Ｓ：分断予定ラインＤ：デバイスＷ１ｂ：板状物の裏面Ｗ２：膜Ｗ２ａ：膜の表面Ｗ２ｂ：被加工物の裏面
Ｔ１：ダイシングテープＦ１：環状フレームＭ１：溝Ｗ１ｄ：残し部
１：切削装置１０：チャックテーブル１０ａ：保持面１００：固定クランプ
１１：切削手段１１０：切削ブレード１１１：スピンドル
９：プラズマエッチング装置
９０：静電チャック９０ａ：静電チャックの保持面９００：支持部材９０１：電極
９１：ガス噴出ヘッド９１０：ガス拡散空間９１１：ガス導入口
９１２：ガス吐出口
９２：チャンバ９２０：搬入出口９２１：ゲートバルブ
９３：ガス供給部９４，９４ａ：整合器９５，９５ａ：高周波電源，バイアス高周波電源９６：排気口９７：排気装置
Ｒ：レジスト膜Ｔ２：保護部材
Ｔ３：エキスパンドシートＦ２：リングフレーム７：ヒーターテーブル
５：エキスパンド装置５０：環状テーブル５０ａ：環状テーブルの保持面５０ｃ：環状テーブルの開口５２：固定クランプ５３：拡張ドラム
５５：環状テーブル昇降手段５６：拡張ドラム昇降手段

Claims

板状物の裏面に膜が成膜されるとともに交差する複数の分断予定ラインが表面に設定された被加工物を該分断予定ラインに沿って分断して複数のチップを形成する加工方法であって、
被加工物の表面から該分断予定ラインに沿って該膜に至らず該板状物を残し部として溝底に残した溝を形成する溝形成ステップと、
該溝形成ステップを実施した後に被加工物の該表面にエキスパンドシートを貼着するエキスパンドシート貼着ステップと、
該エキスパンドシート貼着ステップを実施した後、被加工物を０℃以下かつ該エキスパンドシートが破断しない温度に冷却して該エキスパンドシートを拡張することで該溝に沿って該膜を該残し部とともに分断するエキスパンドステップと、を備えた加工方法。
前記エキスパンドシート貼着ステップの実施中または実施後で且つ前記エキスパンドステップを実施する前に、前記エキスパンドシートまたは被加工物の少なくとも一方を加熱して被加工物に該エキスパンドシートを密着させるシート密着ステップを備えた請求項１に記載の加工方法。