JP2014512765A - ノーマリーオフ装置およびノーマリーオン装置を含むカスケードスイッチ並びに本スイッチを備える回路 - Google Patents
ノーマリーオフ装置およびノーマリーオン装置を含むカスケードスイッチ並びに本スイッチを備える回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014512765A JP2014512765A JP2014505149A JP2014505149A JP2014512765A JP 2014512765 A JP2014512765 A JP 2014512765A JP 2014505149 A JP2014505149 A JP 2014505149A JP 2014505149 A JP2014505149 A JP 2014505149A JP 2014512765 A JP2014512765 A JP 2014512765A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- normally
- gate
- semiconductor device
- switch
- source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/16—Modifications for eliminating interference voltages or currents
- H03K17/168—Modifications for eliminating interference voltages or currents in composite switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/04—Modifications for accelerating switching
- H03K17/042—Modifications for accelerating switching by feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/04206—Modifications for accelerating switching by feedback from the output circuit to the control circuit in field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/16—Modifications for eliminating interference voltages or currents
- H03K17/161—Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/567—Circuits characterised by the use of more than one type of semiconductor device, e.g. BIMOS, composite devices such as IGBT
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K17/6871—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K2017/6875—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors using self-conductive, depletion FETs
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
Claims (27)
- ゲート、ソースおよびドレインを含む第1のノーマリーオン半導体装置と、
ゲート、ソースおよびドレインを含む第1のノーマリーオフ半導体装置と、
第1のコンデンサと、
第1のダイオードと、を備え、
前記第1のノーマリーオン半導体装置の前記ソースが、前記第1のノーマリーオフ半導体装置の前記ドレインに接続され、
前記第1のノーマリーオン半導体装置の前記ゲートが、第1のコンデンサを介して、前記第1のノーマリーオフ半導体装置の前記ソースに接続され、
前記第1のダイオードが、前記第1のノーマリーオン半導体装置の前記ゲートと前記第1のノーマリーオフ半導体装置の前記ソースとの間で、前記第1のコンデンサと並列に接続され、前記第1のダイオードのカソードが、前記第1のノーマリーオン半導体装置の前記ゲートに接続され、前記第1のダイオードのアノードが、前記第1のノーマリーオフ半導体装置の前記ソースに接続されている、
スイッチ。 - 前記第1のダイオードが、第1のツェナーダイオードである、
請求項1のスイッチ。 - 前記第1のツェナーダイオードのツェナー電圧が、15−25Vである、
請求項2のスイッチ。 - 前記第1のノーマリーオフ半導体装置の前記ゲートと前記ソースとの間で逆向きに直列接続された第2のツェナーダイオードおよび第3のツェナーダイオードをさらに備える、
請求項1のスイッチ。 - 前記第1のノーマリーオン半導体装置の前記ドレインと前記第1のノーマリーオフ半導体装置の前記ソースとの間で互いに並列接続された第1および第2のダイオードをさらに備え、前記第1および第2のダイオードのそれぞれのカソードが、前記第1のノーマリーオン半導体装置の前記ドレインに接続されている、
請求項1のスイッチ。 - 前記第1のノーマリーオフ半導体装置の前記ゲートと前記前記第1のコンデンサおよび前記第1のノーマリーオン半導体装置の前記ゲートの間の電気接続部との間で直列接続されたダイオードおよび抵抗器をさらに備え、前記ダイオードのアノードが、前記第1のノーマリーオフ半導体装置の前記ゲートに接続されている、
請求項1のスイッチ。 - 前記第1のノーマリーオン半導体装置の前記ゲートと前記第1のコンデンサとの間で、互いに並列に配置され、さらに、前記第1のコンデンサと直列に配置された抵抗器およびダイオードをさらに備える、
請求項1のスイッチ。 - 前記ダイオードのカソードが、前記第1のノーマリーオン半導体装置の前記ゲートに接続されている、
請求項7のスイッチ。 - 前記ダイオードのアノードが、前記第1のノーマリーオン半導体装置の前記ゲートに接続されている、
請求項7のスイッチ。 - 前記第1のノーマリーオフ半導体装置の前記ゲートと前記第1のノーマリーオン半導体装置の前記ドレインとの間で直列に配置された抵抗器および第2のコンデンサをさらに備える、請求項1のスイッチ。
- 前記第1のノーマリーオン半導体装置が、高電圧装置である、
請求項1のスイッチ。 - 前記第1のノーマリーオン半導体装置が、接合型電界効果トランジスタである、請求項1のスイッチ。
- 前記第1のノーマリーオン半導体装置が、SiC接合型電界効果トランジスタである、
請求項1のスイッチ。 - 前記第1のノーマリーオフ半導体装置が、低電圧装置である、
請求項1のスイッチ。 - 前記第1のノーマリーオフ半導体装置が、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタである、請求項1のスイッチ。
- 前記第1のノーマリーオフ半導体装置が、Si金属酸化膜半導体電界効果トランジスタである、請求項1のスイッチ。
- 前記スイッチが、1以上の付加的なノーマリーオン半導体装置を更に備え、
前記1以上の付加的なノーマリーオン半導体装置のそれぞれの前記ドレインが、前記第1のノーマリーオン半導体装置の前記ドレインに接続され、
前記1以上の付加的なノーマリーオン半導体装置のそれぞれの前記ソースが、前記第1のノーマリーオフ半導体装置の前記ドレインに接続され、
前記第1のノーマリーオン半導体装置の前記ゲートが、前記1以上の付加的なノーマリーオン半導体装置のそれぞれの前記ゲートに接続されて共通ゲートを形成し、前記共通ゲートが、前記第1のコンデンサを介して前記第2のノーマリーオフ半導体装置の前記ソースに接続されている、
請求項1のスイッチ。 - 前記回路が、1以上の付加的なノーマリーオン半導体装置を更に備え、
前記1以上の付加的なノーマリーオン半導体装置のそれぞれの前記ドレインが、前記第1のノーマリーオン半導体装置の前記ドレインに接続され、
前記1以上の付加的なノーマリーオン半導体装置のそれぞれの前記ソースが、前記第1のノーマリーオフ半導体装置の前記ドレインに接続され、前記1以上の付加的なノーマリーオン半導体装置の前記ゲートのそれぞれが、コンデンサを介して前記第2のノーマリーオフ半導体装置の前記ソースに接続されている、
請求項1のスイッチ。 - 前記回路が、1以上の付加的なノーマリーオン半導体装置と1以上の付加的なノーマリーオフ半導体装置と、を更に備え、
前記1以上の付加的なノーマリーオン半導体装置のそれぞれの前記ドレインが、前記第1のノーマリーオン半導体装置の前記ドレインに接続され、
前記1以上の付加的なノーマリーオン半導体装置のそれぞれの前記ゲートが、前記第1のノーマリーオン半導体装置の前記ゲートに接続されて共通ゲートを形成し、前記共通ゲートが、前記第1のコンデンサを介して前記第1のノーマリーオフ半導体装置の前記ソースに接続され、
前記1以上の付加的なノーマリーオン半導体装置のそれぞれの前記ソースが、前記1以上の付加的なノーマリーオフ半導体装置のうちの個別の1の付加的なノーマリーオフ半導体装置の前記ドレインに接続され、
前記1以上の付加的なノーマリーオフ半導体装置のそれぞれの前記ソースが、前記第1のノーマリーオフ半導体装置の前記ソースに接続され、前記1以上の付加的なノーマリーオフ半導体装置のそれぞれの前記ゲートが、前記第1のノーマリーオフ半導体装置の前記ゲートに接続されている、
請求項1のスイッチ。 - 前記第1のコンデンサの容量が、1000−100000nFである、
請求項1のスイッチ。 - 前記第1のコンデンサの容量が、2200−6800pFである、
請求項1のスイッチ。 - 前記第1のコンデンサの定格電圧が、少なくとも25Vである、
請求項1のスイッチ。 - 前記第1のノーマリーオン半導体装置が、禁止帯の幅が広い接合型電界効果トランジスタである、
請求項1のスイッチ。 - 直流電圧源をさらに備え、
前記直流電圧源が、前記第1のコンデンサに直流バイアスを供給することに適合している、
請求項1のスイッチ。 - 前記直流電圧源と前記第1のコンデンサおよび前記第1のノーマリーオン半導体装置の前記ゲートの間の前記接続部との間で直列接続されたダイオードおよび抵抗器をさらに備え、前記ダイオードのアノードが、前記第1のノーマリーオフ半導体装置の前記ゲートに接続されている、
請求項24のスイッチ。 - 前記ノーマリーオフ半導体装置の前記ゲートに接続された直流電圧源をさらに備え、
前記直流電圧源が、
前記第1のノーマリーオフ半導体装置の前記ゲートと、前記第1のコンデンサおよび前記第1のノーマリーオン半導体装置の前記ゲートの間の前記接続部と、の間で直列接続された前記ダイオードおよび前記抵抗器を介して、前記第1のコンデンサに、および、
前記ノーマリーオフ半導体装置の前記ゲートに、
直流バイアスを供給することに適合している、
請求項6のスイッチ。 - 請求項1に記載のスイッチを備える回路。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/085,648 US20120262220A1 (en) | 2011-04-13 | 2011-04-13 | Cascode switches including normally-off and normally-on devices and circuits comprising the switches |
US13/085,648 | 2011-04-13 | ||
PCT/US2012/030045 WO2012141859A2 (en) | 2011-04-13 | 2012-03-22 | Cascode switches including normally-off and normally-on devices and circuits comprising the switches |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014512765A true JP2014512765A (ja) | 2014-05-22 |
JP2014512765A5 JP2014512765A5 (ja) | 2015-05-07 |
Family
ID=47005975
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014505149A Pending JP2014512765A (ja) | 2011-04-13 | 2012-03-22 | ノーマリーオフ装置およびノーマリーオン装置を含むカスケードスイッチ並びに本スイッチを備える回路 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US20120262220A1 (ja) |
JP (1) | JP2014512765A (ja) |
CN (1) | CN103493374A (ja) |
DE (1) | DE112012001674T5 (ja) |
TW (1) | TW201301758A (ja) |
WO (1) | WO2012141859A2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015176868A (ja) * | 2014-03-17 | 2015-10-05 | ユニゾン・インダストリーズ,エルエルシー | 点火励振器放電スイッチ |
EP3086472A1 (en) | 2015-04-22 | 2016-10-26 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
JP2018504818A (ja) * | 2015-01-08 | 2018-02-15 | ユナイテッド シリコン カーバイド、インク. | 高電圧スイッチ |
JP2019169766A (ja) * | 2018-03-22 | 2019-10-03 | 株式会社東芝 | 半導体装置及び半導体パッケージ |
CN111834980A (zh) * | 2019-04-22 | 2020-10-27 | 株式会社东芝 | 电流断路装置及晶体管选定方法 |
JP2020195143A (ja) * | 2020-08-03 | 2020-12-03 | 株式会社東芝 | 半導体パッケージ |
JP2021048436A (ja) * | 2019-09-17 | 2021-03-25 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP2022047218A (ja) * | 2020-09-11 | 2022-03-24 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US11451161B2 (en) | 2019-10-25 | 2022-09-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Power switcher, power rectifier, and power converter including cascode-connected transistors |
Families Citing this family (77)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5290354B2 (ja) * | 2011-05-06 | 2013-09-18 | シャープ株式会社 | 半導体装置および電子機器 |
KR20130004707A (ko) * | 2011-07-04 | 2013-01-14 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 소자, 질화물 반도체 소자의 제조방법 및 질화물 반도체 파워소자 |
US9093420B2 (en) | 2012-04-18 | 2015-07-28 | Rf Micro Devices, Inc. | Methods for fabricating high voltage field effect transistor finger terminations |
DE102013010188A1 (de) * | 2012-06-21 | 2013-12-24 | Fairchild Semiconductor Corp. | Schalt-Schaltkreis und Steuer- bzw. Regelschaltkreis |
US8803246B2 (en) * | 2012-07-16 | 2014-08-12 | Transphorm Inc. | Semiconductor electronic components with integrated current limiters |
US9124221B2 (en) | 2012-07-16 | 2015-09-01 | Rf Micro Devices, Inc. | Wide bandwidth radio frequency amplier having dual gate transistors |
EP2693639B1 (en) * | 2012-07-30 | 2015-09-09 | Nxp B.V. | Cascoded semiconductor devices |
US9202874B2 (en) | 2012-08-24 | 2015-12-01 | Rf Micro Devices, Inc. | Gallium nitride (GaN) device with leakage current-based over-voltage protection |
US9917080B2 (en) | 2012-08-24 | 2018-03-13 | Qorvo US. Inc. | Semiconductor device with electrical overstress (EOS) protection |
US9142620B2 (en) | 2012-08-24 | 2015-09-22 | Rf Micro Devices, Inc. | Power device packaging having backmetals couple the plurality of bond pads to the die backside |
US20140055192A1 (en) * | 2012-08-24 | 2014-02-27 | Rf Micro Devices, Inc. | Saturation current limiting circuit topology for power transistors |
US8988097B2 (en) | 2012-08-24 | 2015-03-24 | Rf Micro Devices, Inc. | Method for on-wafer high voltage testing of semiconductor devices |
US9147632B2 (en) | 2012-08-24 | 2015-09-29 | Rf Micro Devices, Inc. | Semiconductor device having improved heat dissipation |
US9129802B2 (en) | 2012-08-27 | 2015-09-08 | Rf Micro Devices, Inc. | Lateral semiconductor device with vertical breakdown region |
US9070761B2 (en) | 2012-08-27 | 2015-06-30 | Rf Micro Devices, Inc. | Field effect transistor (FET) having fingers with rippled edges |
JPWO2014034346A1 (ja) * | 2012-08-28 | 2016-08-08 | シャープ株式会社 | 複合型半導体装置 |
US9325281B2 (en) | 2012-10-30 | 2016-04-26 | Rf Micro Devices, Inc. | Power amplifier controller |
JP6461603B2 (ja) | 2012-11-02 | 2019-01-30 | ローム株式会社 | チップコンデンサ、回路アセンブリ、および電子機器 |
EP2736073A1 (en) * | 2012-11-21 | 2014-05-28 | Nxp B.V. | Cascode semiconductor device |
EP2736170B1 (en) * | 2012-11-23 | 2015-06-17 | Nxp B.V. | Cascoded semiconductor devices |
US9143078B2 (en) | 2012-11-29 | 2015-09-22 | Infineon Technologies Ag | Power inverter including SiC JFETs |
JP5996465B2 (ja) * | 2013-03-21 | 2016-09-21 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP6113542B2 (ja) * | 2013-03-21 | 2017-04-12 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
EP2784816A1 (en) * | 2013-03-28 | 2014-10-01 | Nxp B.V. | Cascode semiconductor device |
EP2787641B1 (en) * | 2013-04-05 | 2018-08-29 | Nexperia B.V. | Cascoded semiconductor devices |
JP6211829B2 (ja) * | 2013-06-25 | 2017-10-11 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP6223729B2 (ja) | 2013-06-25 | 2017-11-01 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
DE102013107699A1 (de) * | 2013-07-18 | 2015-01-22 | Springburo GmbH | Spannungsbegrenzer |
JP6237038B2 (ja) | 2013-09-20 | 2017-11-29 | 富士通株式会社 | カスコードトランジスタ及びカスコードトランジスタの制御方法 |
US9048838B2 (en) | 2013-10-30 | 2015-06-02 | Infineon Technologies Austria Ag | Switching circuit |
US9525063B2 (en) | 2013-10-30 | 2016-12-20 | Infineon Technologies Austria Ag | Switching circuit |
CN105684136A (zh) * | 2013-11-26 | 2016-06-15 | 夏普株式会社 | 半导体器件 |
US20150162321A1 (en) * | 2013-12-09 | 2015-06-11 | International Rectifier Corporation | Composite Power Device with ESD Protection Clamp |
US20150162832A1 (en) * | 2013-12-09 | 2015-06-11 | International Rectifier Corporation | Group III-V Voltage Converter with Monolithically Integrated Level Shifter, High Side Driver, and High Side Power Switch |
DE102014204039B3 (de) * | 2014-03-05 | 2015-05-07 | Ifm Electronic Gmbh | Elektronisches Schaltgerät in Zweileitertechnik und Verfahren zum Betreiben eines solchen Schaltgeräts |
CN103915991B (zh) * | 2014-04-25 | 2017-02-01 | 西安科技大学 | 具有rcd网络的耗尽型器件的开关电路的设计方法 |
WO2015166523A1 (ja) * | 2014-04-28 | 2015-11-05 | 株式会社日立産機システム | 半導体装置および電力変換装置 |
US9325308B2 (en) * | 2014-05-30 | 2016-04-26 | Delta Electronics, Inc. | Semiconductor device and cascode circuit |
US9455327B2 (en) | 2014-06-06 | 2016-09-27 | Qorvo Us, Inc. | Schottky gated transistor with interfacial layer |
US9536803B2 (en) | 2014-09-05 | 2017-01-03 | Qorvo Us, Inc. | Integrated power module with improved isolation and thermal conductivity |
US10290566B2 (en) * | 2014-09-23 | 2019-05-14 | Infineon Technologies Austria Ag | Electronic component |
GB201417564D0 (en) * | 2014-10-03 | 2014-11-19 | E2V Tech Uk Ltd | Switching arrangement |
US9960234B2 (en) * | 2014-10-07 | 2018-05-01 | Semiconductor Components Industries, Llc | Method of forming a semiconductor device and structure therefor |
CN105763178A (zh) * | 2014-12-17 | 2016-07-13 | 台达电子工业股份有限公司 | 串叠开关装置与稳压保护方法 |
US10615158B2 (en) | 2015-02-04 | 2020-04-07 | Qorvo Us, Inc. | Transition frequency multiplier semiconductor device |
US10062684B2 (en) | 2015-02-04 | 2018-08-28 | Qorvo Us, Inc. | Transition frequency multiplier semiconductor device |
US9762119B2 (en) * | 2015-03-27 | 2017-09-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Switch driving circuit, and power factor correction circuit having the same |
JP6639103B2 (ja) * | 2015-04-15 | 2020-02-05 | 株式会社東芝 | スイッチングユニット及び電源回路 |
CN106160716B (zh) * | 2015-04-17 | 2019-04-05 | 台达电子工业股份有限公司 | 开关电路及其电流补偿方法 |
TWI563631B (en) | 2015-07-21 | 2016-12-21 | Delta Electronics Inc | Semiconductor Device |
US9793260B2 (en) * | 2015-08-10 | 2017-10-17 | Infineon Technologies Austria Ag | System and method for a switch having a normally-on transistor and a normally-off transistor |
JP2017055255A (ja) | 2015-09-09 | 2017-03-16 | 株式会社東芝 | パワー半導体装置 |
US9748941B2 (en) * | 2015-10-27 | 2017-08-29 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Power semiconductor module and method for stabilizing thereof |
KR102265460B1 (ko) | 2016-01-11 | 2021-06-16 | 한국전자통신연구원 | 캐스코드 스위치 회로 |
US9871510B1 (en) | 2016-08-24 | 2018-01-16 | Power Integrations, Inc. | Clamp for a hybrid switch |
US10256811B2 (en) | 2016-11-22 | 2019-04-09 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Cascode switch circuit including level shifter |
KR102094491B1 (ko) * | 2016-11-22 | 2020-03-30 | 한국전자통신연구원 | 레벨 쉬프터를 포함하는 캐스코드 스위치 회로 |
CN106898604A (zh) * | 2017-01-24 | 2017-06-27 | 上海电力学院 | 共源共栅级联的氮化镓器件封装结构 |
CN108631623B (zh) * | 2017-03-26 | 2021-05-18 | 南京博兰得电子科技有限公司 | 一种组合开关 |
US10187050B2 (en) | 2017-04-12 | 2019-01-22 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Method and apparatus for balancing current and power |
WO2018197363A1 (en) | 2017-04-28 | 2018-11-01 | Abb Schweiz Ag | Power module based on normally-on semiconductor switches |
CN111373660B (zh) | 2017-09-07 | 2023-09-22 | 威电科技有限公司 | 高压快速开关装置 |
EP3462614A1 (de) * | 2017-09-28 | 2019-04-03 | Siemens Aktiengesellschaft | Optimierte kaskodenstrukturen |
JP6779932B2 (ja) * | 2018-03-20 | 2020-11-04 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
CN110768649B (zh) * | 2018-07-26 | 2023-03-24 | 台达电子工业股份有限公司 | 功率半导体开关的门极电路及门极驱动电路 |
US10826485B2 (en) * | 2018-12-17 | 2020-11-03 | Analog Devices International Unlimited Company | Cascode compound switch slew rate control |
US10862429B2 (en) | 2019-01-09 | 2020-12-08 | Silanna Asia Pte Ltd | Apparatus for optimized turn-off of a cascode amplifier |
US11088688B2 (en) | 2019-02-13 | 2021-08-10 | Logisic Devices, Inc. | Configurations of composite devices comprising of a normally-on FET and a normally-off FET |
US11211484B2 (en) | 2019-02-13 | 2021-12-28 | Monolithic Power Systems, Inc. | Vertical transistor structure with buried channel and resurf regions and method of manufacturing the same |
US10892617B2 (en) * | 2019-03-28 | 2021-01-12 | Nxp Usa, Inc. | High speed wide dynamic range input structure |
JP7237774B2 (ja) * | 2019-08-27 | 2023-03-13 | 株式会社東芝 | 電流検出回路 |
CN112234805B (zh) * | 2020-09-25 | 2022-09-27 | 北京智芯微电子科技有限公司 | 钳位源级驱动碳化硅半导体场效应管的电路 |
US11979090B2 (en) | 2021-08-12 | 2024-05-07 | Power Integrations, Inc. | Power converter controller with branch switch |
US20230111542A1 (en) * | 2021-10-08 | 2023-04-13 | Efficient Power Conversion Corporation | BIDIRECTIONAL GaN FET WITH SINGLE GATE |
EP4266581A1 (en) * | 2022-04-21 | 2023-10-25 | Infineon Technologies Austria AG | Method for operating a power transistor circuit |
US20240022239A1 (en) * | 2022-07-13 | 2024-01-18 | Infineon Technologies Austria Ag | Cascode device with one or more normally-on gates |
EP4380054A1 (en) | 2022-11-29 | 2024-06-05 | Nexperia B.V. | Cascode switching module |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5005061A (en) * | 1990-02-05 | 1991-04-02 | Motorola, Inc. | Avalanche stress protected semiconductor device having variable input impedance |
DE19943785A1 (de) * | 1998-09-25 | 2000-03-30 | Siemens Ag | Elektronische Schalteinrichtung mit mindestens zwei Halbleiterbauelementen |
DE19902519C2 (de) * | 1999-01-22 | 2002-04-18 | Siemens Ag | Hybrid-Leistungs-MOSFET für hohe Stromtragfähigkeit |
DE10062026A1 (de) * | 2000-12-13 | 2002-07-04 | Siemens Ag | Elektronische Schalteinrichtung |
US6483369B1 (en) * | 2001-10-02 | 2002-11-19 | Technical Witts Inc. | Composite mosfet cascode switches for power converters |
US7820511B2 (en) * | 2004-07-08 | 2010-10-26 | Semisouth Laboratories, Inc. | Normally-off integrated JFET power switches in wide bandgap semiconductors and methods of making |
TWI242928B (en) * | 2004-09-10 | 2005-11-01 | Richtek Techohnology Corp | Electronic circuit using normally-on junction field effect transistor |
DE102004046823B3 (de) * | 2004-09-27 | 2005-12-08 | Siemens Ag | Elektronisches Schaltgerät, insbesondere Leistungsschalter, und zugehörige Betriebsweise |
WO2007069281A1 (en) * | 2005-12-13 | 2007-06-21 | Stmicroelectronics S.R.L. | Driving circuit for an emitter-switching configuration |
FR2911736B1 (fr) * | 2007-01-23 | 2009-03-20 | Schneider Toshiba Inverter | Dispositif de commande d'un interrupteur de puissance et variateur comprenant un tel dipositif. |
US20080211552A1 (en) * | 2007-03-01 | 2008-09-04 | Chao-Cheng Lu | Controllable synchronous rectifier |
JP5130906B2 (ja) * | 2007-12-26 | 2013-01-30 | サンケン電気株式会社 | スイッチ装置 |
US8164162B2 (en) * | 2009-06-11 | 2012-04-24 | Force Mos Technology Co., Ltd. | Power semiconductor devices integrated with clamp diodes sharing same gate metal pad |
US8563986B2 (en) * | 2009-11-03 | 2013-10-22 | Cree, Inc. | Power semiconductor devices having selectively doped JFET regions and related methods of forming such devices |
-
2011
- 2011-04-13 US US13/085,648 patent/US20120262220A1/en not_active Abandoned
-
2012
- 2012-03-22 JP JP2014505149A patent/JP2014512765A/ja active Pending
- 2012-03-22 DE DE112012001674.2T patent/DE112012001674T5/de not_active Ceased
- 2012-03-22 WO PCT/US2012/030045 patent/WO2012141859A2/en active Application Filing
- 2012-03-22 CN CN201280017874.7A patent/CN103493374A/zh active Pending
- 2012-04-12 TW TW101112958A patent/TW201301758A/zh unknown
-
2016
- 2016-11-04 US US15/344,400 patent/US20170104482A1/en not_active Abandoned
-
2019
- 2019-08-28 US US16/553,735 patent/US20190393871A1/en not_active Abandoned
-
2023
- 2023-06-14 US US18/334,412 patent/US20230327661A1/en active Pending
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015176868A (ja) * | 2014-03-17 | 2015-10-05 | ユニゾン・インダストリーズ,エルエルシー | 点火励振器放電スイッチ |
JP2018504818A (ja) * | 2015-01-08 | 2018-02-15 | ユナイテッド シリコン カーバイド、インク. | 高電圧スイッチ |
EP3086472A1 (en) | 2015-04-22 | 2016-10-26 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
US9837395B2 (en) | 2015-04-22 | 2017-12-05 | Renesas Electrics Corporation | Semiconductor device |
US10854588B2 (en) | 2015-04-22 | 2020-12-01 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
JP2019169766A (ja) * | 2018-03-22 | 2019-10-03 | 株式会社東芝 | 半導体装置及び半導体パッケージ |
JP2020178312A (ja) * | 2019-04-22 | 2020-10-29 | 株式会社東芝 | 電流遮断装置及びトランジスタ選定方法 |
CN111834980A (zh) * | 2019-04-22 | 2020-10-27 | 株式会社东芝 | 电流断路装置及晶体管选定方法 |
JP2021048436A (ja) * | 2019-09-17 | 2021-03-25 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US11451161B2 (en) | 2019-10-25 | 2022-09-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Power switcher, power rectifier, and power converter including cascode-connected transistors |
JP2020195143A (ja) * | 2020-08-03 | 2020-12-03 | 株式会社東芝 | 半導体パッケージ |
JP7003194B2 (ja) | 2020-08-03 | 2022-01-20 | 株式会社東芝 | 半導体パッケージ |
JP2022047218A (ja) * | 2020-09-11 | 2022-03-24 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP7293176B2 (ja) | 2020-09-11 | 2023-06-19 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2012141859A2 (en) | 2012-10-18 |
CN103493374A (zh) | 2014-01-01 |
WO2012141859A3 (en) | 2013-01-03 |
US20170104482A1 (en) | 2017-04-13 |
US20230327661A1 (en) | 2023-10-12 |
TW201301758A (zh) | 2013-01-01 |
US20190393871A1 (en) | 2019-12-26 |
US20120262220A1 (en) | 2012-10-18 |
DE112012001674T5 (de) | 2014-02-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2014512765A (ja) | ノーマリーオフ装置およびノーマリーオン装置を含むカスケードスイッチ並びに本スイッチを備える回路 | |
US9019000B2 (en) | Driver circuit having a storage device for driving switching device | |
US9264022B2 (en) | Level shift circuit | |
JP7457951B2 (ja) | スイッチング回路 | |
US9935551B2 (en) | Switching circuit including serially connected transistors for reducing transient current at time of turning off, and power supply circuit provided therewith | |
EP2549650A1 (en) | Method for driving IGBT | |
CN113037273B (zh) | 电容耦合式电平移位器 | |
WO2018102299A1 (en) | Bootstrap capacitor over-voltage management circuit for gan transistor based power converters | |
US20160134279A1 (en) | Method and circuit for recharging a bootstrap capacitor using a transfer capacitor | |
US9912332B2 (en) | Semiconductor device | |
US20180159418A1 (en) | Gate driver circuit for power converters incorporating normally on transistors and method thereof | |
CN104040890A (zh) | 用于控制半导体开关器件的装置和方法 | |
US20170070220A1 (en) | Bootstrap compensation circuit and power module | |
JP2014193022A (ja) | スイッチング回路および電力変換装置 | |
JP6065721B2 (ja) | 駆動回路、半導体集積回路、及び駆動回路の制御方法 | |
JP2014187543A (ja) | 半導体装置 | |
JP5832845B2 (ja) | 半導体モジュール及び電力変換モジュール | |
KR101969117B1 (ko) | 액티브 클램프 포워드 컨버터 및 그 구동방법 | |
Slawinski et al. | Demonstration of superior SiC MOSFET module performance within a buck-boost conversion system | |
JP7358227B2 (ja) | 半導体装置 | |
CN110601684A (zh) | 一种驱动电路 | |
RU148939U1 (ru) | Силовое полупроводниковое устройство с обратным диодом | |
US20230361673A1 (en) | Power supply semiconductor device and switched capacitor converter | |
US10451665B2 (en) | Pulse current application circuit and control method thereof | |
Volke et al. | IGBT/MOSFET Applications Based on Coreless Transformer Driver IC 2ED020I12-F |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131022 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140226 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150312 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150312 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150928 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151027 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160412 |