JP2014078027A5 - 液晶表示装置、携帯情報端末、携帯電話 - Google Patents
液晶表示装置、携帯情報端末、携帯電話 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014078027A5 JP2014078027A5 JP2013252783A JP2013252783A JP2014078027A5 JP 2014078027 A5 JP2014078027 A5 JP 2014078027A5 JP 2013252783 A JP2013252783 A JP 2013252783A JP 2013252783 A JP2013252783 A JP 2013252783A JP 2014078027 A5 JP2014078027 A5 JP 2014078027A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- opening
- region
- conductive film
- organic resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 20
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims 12
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 11
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims 11
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims 1
Claims (6)
- ガラス基板と、
前記ガラス基板上方の第1の導電膜と、
前記ガラス基板上方の第2の導電膜と、
前記第1の導電膜上方及び前記第2の導電膜上方の第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上方であって、前記第1の導電膜と重なる領域を有する第1の半導体膜と、
前記第1の絶縁膜上方であって、前記第2の導電膜と重なる領域を有する第2の半導体膜と、
前記第1の絶縁膜上方、前記第1の半導体膜上方及び前記第2の半導体膜上方の、第1の窒化シリコン膜と、
前記第1の窒化シリコン膜上方の有機樹脂膜と、
前記有機樹脂膜上方の第2の窒化シリコン膜と、
前記第2の窒化シリコン膜上方の電極と、を有し、
前記第1の半導体膜及び前記第1の導電膜は、画素部に設けられ、
前記第2の半導体膜及び前記第2の導電膜は、前記画素部以外に設けられ、
前記有機樹脂膜は、前記第1の半導体膜と重なる領域と、前記第2の半導体膜と重なる領域とを有し、
前記第1の導電膜及び前記第2の導電膜は、それぞれゲート電極として機能する領域を有し、
前記第1の窒化シリコン膜は第1の開口部を有し、
前記有機物樹脂膜は第2の開口部を有し、
前記第2の窒化シリコン膜は第3の開口部を有し、
前記第1の開口部は前記第2の開口部と重なる領域を有し、
前記第1の開口部は前記第3の開口部と重なる領域を有し、
前記第2の開口部は前記第3の開口部と重なる領域を有し、
前記第2の窒化シリコン膜は、前記有機樹脂膜の上面を覆う領域と、前記第2の開口部において前記有機樹脂膜の側面を覆う領域と、を有し、
前記第1の窒化シリコン膜は、前記第2の開口部において、前記第2の窒化シリコン膜と接する領域を有し、
前記電極は、前記第1の開口部及び前記第3の開口部を介して、前記第1の半導体膜と電気的に接続され、
前記電極は、前記第1の開口部において前記第1の窒化シリコン膜の側面に接する領域と、前記第3の開口部において前記第2の窒化シリコン膜の側面に接する領域とを有することを特徴とする液晶表示装置。 - ガラス基板と、
前記ガラス基板上方の第1の導電膜と、
前記ガラス基板上方の第2の導電膜と、
前記第1の導電膜上方及び前記第2の導電膜上方の第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上方であって、前記第1の導電膜と重なる領域を有する第1の半導体膜と、
前記第1の絶縁膜上方であって、前記第2の導電膜と重なる領域を有する第2の半導体膜と、
前記第1の絶縁膜上方、前記第1の半導体膜上方及び前記第2の半導体膜上方の、第1のバリア層と、
前記第1のバリア層上方の有機樹脂膜と、
前記有機樹脂膜上方の第2のバリア層と、
前記第2のバリア層上方の電極と、を有し、
前記第1の半導体膜及び前記第1の導電膜は、画素部に設けられ、
前記第2の半導体膜及び前記第2の導電膜は、前記画素部以外に設けられ、
前記有機樹脂膜は、前記第1の半導体膜と重なる領域と、前記第2の半導体膜と重なる領域とを有し、
前記第1の導電膜及び前記第2の導電膜は、それぞれゲート電極として機能する領域を有し、
前記第1のバリア層は第1の開口部を有し、
前記有機物樹脂膜は第2の開口部を有し、
前記第2のバリア層は第3の開口部を有し、
前記第1の開口部は前記第2の開口部と重なる領域を有し、
前記第1の開口部は前記第3の開口部と重なる領域を有し、
前記第2の開口部は前記第3の開口部と重なる領域を有し、
前記第2のバリア層は、前記有機樹脂膜の上面を覆う領域と、前記第2の開口部において前記有機樹脂膜の側面を覆う領域と、を有し、
前記第1のバリア層は、前記第2の開口部において、前記第2のバリア層と接する領域を有し、
前記電極は、前記第1の開口部及び前記第3の開口部を介して、前記第1の半導体膜と電気的に接続され、
前記電極は、前記第1の開口部において前記第1のバリア層の側面に接する領域と、前記第3の開口部において前記第2のバリア層の側面に接する領域とを有することを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1または請求項2において、
前記第2の導電膜と前記第2の半導体膜とは、保護回路に設けられていることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
前記電極は、前記第1の開口部、前記第2の開口部、及び前記第3の開口部を介して、前記第1の半導体膜と電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一に記載の液晶表示装置を有する携帯情報端末。
- 請求項1乃至請求項4のいずれか一に記載の液晶表示装置を有する携帯電話。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013252783A JP2014078027A (ja) | 2002-05-13 | 2013-12-06 | 表示装置、携帯情報端末、携帯電話 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002137249 | 2002-05-13 | ||
JP2002137249 | 2002-05-13 | ||
JP2013252783A JP2014078027A (ja) | 2002-05-13 | 2013-12-06 | 表示装置、携帯情報端末、携帯電話 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013231898A Division JP5636488B2 (ja) | 2002-05-13 | 2013-11-08 | 表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014078027A JP2014078027A (ja) | 2014-05-01 |
JP2014078027A5 true JP2014078027A5 (ja) | 2014-06-19 |
Family
ID=29544866
Family Applications (11)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010027129A Expired - Lifetime JP5005051B2 (ja) | 2002-05-13 | 2010-02-10 | 半導体装置 |
JP2011279488A Expired - Lifetime JP5376734B2 (ja) | 2002-05-13 | 2011-12-21 | 半導体装置 |
JP2012111105A Expired - Lifetime JP5433726B2 (ja) | 2002-05-13 | 2012-05-15 | 表示装置及び携帯情報端末 |
JP2013028622A Expired - Lifetime JP5376738B2 (ja) | 2002-05-13 | 2013-02-18 | 半導体装置の作製方法 |
JP2013231898A Expired - Lifetime JP5636488B2 (ja) | 2002-05-13 | 2013-11-08 | 表示装置 |
JP2013252783A Withdrawn JP2014078027A (ja) | 2002-05-13 | 2013-12-06 | 表示装置、携帯情報端末、携帯電話 |
JP2013265075A Withdrawn JP2014112686A (ja) | 2002-05-13 | 2013-12-24 | 表示装置 |
JP2014035233A Withdrawn JP2014160823A (ja) | 2002-05-13 | 2014-02-26 | 半導体装置の作製方法 |
JP2014085669A Expired - Lifetime JP5648140B2 (ja) | 2002-05-13 | 2014-04-17 | 素子基板 |
JP2014162301A Granted JP2015019074A (ja) | 2002-05-13 | 2014-08-08 | 半導体装置 |
JP2014209329A Expired - Fee Related JP5913516B2 (ja) | 2002-05-13 | 2014-10-10 | 表示装置 |
Family Applications Before (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010027129A Expired - Lifetime JP5005051B2 (ja) | 2002-05-13 | 2010-02-10 | 半導体装置 |
JP2011279488A Expired - Lifetime JP5376734B2 (ja) | 2002-05-13 | 2011-12-21 | 半導体装置 |
JP2012111105A Expired - Lifetime JP5433726B2 (ja) | 2002-05-13 | 2012-05-15 | 表示装置及び携帯情報端末 |
JP2013028622A Expired - Lifetime JP5376738B2 (ja) | 2002-05-13 | 2013-02-18 | 半導体装置の作製方法 |
JP2013231898A Expired - Lifetime JP5636488B2 (ja) | 2002-05-13 | 2013-11-08 | 表示装置 |
Family Applications After (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013265075A Withdrawn JP2014112686A (ja) | 2002-05-13 | 2013-12-24 | 表示装置 |
JP2014035233A Withdrawn JP2014160823A (ja) | 2002-05-13 | 2014-02-26 | 半導体装置の作製方法 |
JP2014085669A Expired - Lifetime JP5648140B2 (ja) | 2002-05-13 | 2014-04-17 | 素子基板 |
JP2014162301A Granted JP2015019074A (ja) | 2002-05-13 | 2014-08-08 | 半導体装置 |
JP2014209329A Expired - Fee Related JP5913516B2 (ja) | 2002-05-13 | 2014-10-10 | 表示装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (10) | US6960786B2 (ja) |
JP (11) | JP5005051B2 (ja) |
KR (1) | KR100979923B1 (ja) |
CN (1) | CN100445812C (ja) |
TW (2) | TWI272556B (ja) |
Families Citing this family (52)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6753654B2 (en) * | 2001-02-21 | 2004-06-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic appliance |
JP3989761B2 (ja) | 2002-04-09 | 2007-10-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体表示装置 |
US7038239B2 (en) | 2002-04-09 | 2006-05-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor element and display device using the same |
JP3989763B2 (ja) | 2002-04-15 | 2007-10-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体表示装置 |
JP4463493B2 (ja) | 2002-04-15 | 2010-05-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及びその作製方法 |
US7242021B2 (en) * | 2002-04-23 | 2007-07-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display element using semiconductor device |
TWI272556B (en) * | 2002-05-13 | 2007-02-01 | Semiconductor Energy Lab | Display device |
TWI263339B (en) * | 2002-05-15 | 2006-10-01 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method for manufacturing the same |
US7256421B2 (en) | 2002-05-17 | 2007-08-14 | Semiconductor Energy Laboratory, Co., Ltd. | Display device having a structure for preventing the deterioration of a light emitting device |
AU2003264515A1 (en) | 2002-09-20 | 2004-04-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
US7452257B2 (en) * | 2002-12-27 | 2008-11-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a display device |
JP4417027B2 (ja) * | 2003-05-21 | 2010-02-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
US7520790B2 (en) | 2003-09-19 | 2009-04-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method of display device |
KR100741966B1 (ko) * | 2004-01-27 | 2007-07-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 그의 제조방법 |
US8278818B2 (en) | 2004-06-04 | 2012-10-02 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Electroluminescent display device and method of fabricating the same |
KR100611755B1 (ko) * | 2004-06-04 | 2006-08-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광소자 및 그의 제조방법 |
US8217396B2 (en) | 2004-07-30 | 2012-07-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device comprising electrode layer contacting wiring in the connection region and extending to pixel region |
US7753751B2 (en) | 2004-09-29 | 2010-07-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating the display device |
US20060091397A1 (en) * | 2004-11-04 | 2006-05-04 | Kengo Akimoto | Display device and method for manufacturing the same |
US7563658B2 (en) * | 2004-12-27 | 2009-07-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP4341570B2 (ja) * | 2005-03-25 | 2009-10-07 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
TWI460851B (zh) | 2005-10-17 | 2014-11-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法 |
US8212953B2 (en) | 2005-12-26 | 2012-07-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
TWI277216B (en) * | 2006-02-16 | 2007-03-21 | Au Optronics Corp | Pixel structure and thin film transistor and fabrication methods thereof |
US20070287209A1 (en) * | 2006-04-28 | 2007-12-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light-emitting device |
DE102007052167B4 (de) * | 2007-10-31 | 2010-04-08 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Halbleiterbauelement und Verfahren zum Einstellen der Höhe einer Gateelektrode in dem Halbleiterbauelement |
JP2009117699A (ja) * | 2007-11-08 | 2009-05-28 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体パッケージ用部品及び半導体パッケージ用部品の製造方法 |
JP5351282B2 (ja) * | 2009-11-27 | 2013-11-27 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
KR101182445B1 (ko) * | 2010-04-01 | 2012-09-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 평판 표시 장치 및 그 제조방법 |
KR101799034B1 (ko) * | 2010-12-20 | 2017-11-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자용 기판 및 그 제조 방법 |
JP5927520B2 (ja) | 2011-11-16 | 2016-06-01 | 株式会社Joled | 表示パネルの製造方法 |
KR101339000B1 (ko) | 2011-12-14 | 2013-12-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시소자 및 그 제조방법 |
KR102101000B1 (ko) | 2012-07-20 | 2020-04-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
KR102368865B1 (ko) | 2012-07-20 | 2022-03-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치, 및 표시 장치를 포함하는 전자 장치 |
KR20140058745A (ko) * | 2012-11-05 | 2014-05-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR102132697B1 (ko) * | 2013-12-05 | 2020-07-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 휘어진 디스플레이 장치 |
CN103676354B (zh) * | 2013-12-06 | 2016-03-23 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 电极结构及制备方法、阵列基板及制备方法和显示装置 |
KR20150137214A (ko) * | 2014-05-28 | 2015-12-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
JP6364998B2 (ja) * | 2014-06-23 | 2018-08-01 | 王子ホールディングス株式会社 | 有機発光ダイオード素子および有機薄膜太陽電池素子 |
TWI582968B (zh) * | 2014-08-15 | 2017-05-11 | 群創光電股份有限公司 | 陣列基板結構及接觸結構 |
JP6412791B2 (ja) * | 2014-12-18 | 2018-10-24 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
TWI560857B (en) * | 2015-02-17 | 2016-12-01 | Innolux Corp | Thin film transistor substrate and display panel comprising the same |
CN116154003A (zh) | 2015-11-20 | 2023-05-23 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置、包括该半导体装置的显示装置以及包括该半导体装置的电子设备 |
CN105679765A (zh) * | 2016-01-12 | 2016-06-15 | 武汉华星光电技术有限公司 | Tft阵列基板结构 |
KR102606279B1 (ko) * | 2016-04-04 | 2023-11-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR102596337B1 (ko) * | 2016-04-29 | 2023-10-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
CN206179906U (zh) * | 2016-12-01 | 2017-05-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示装置 |
KR20180079503A (ko) * | 2016-12-30 | 2018-07-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 도전 패턴 및 이를 구비하는 표시 장치 |
KR102392708B1 (ko) * | 2017-09-25 | 2022-04-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 보조 전극을 포함하는 디스플레이 장치 |
JP6792577B2 (ja) * | 2018-01-23 | 2020-11-25 | 双葉電子工業株式会社 | 発光装置 |
CN111564480B (zh) * | 2020-05-21 | 2023-03-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板和显示装置 |
KR20220030361A (ko) | 2020-08-28 | 2022-03-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 및 이의 제조 방법 |
Family Cites Families (151)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4400319A (en) | 1980-10-03 | 1983-08-23 | Ciba-Geigy Corporation | Monoazo pigments containing heterocycles, and high-molecular organic materials dyed therewith |
JPH0756190B2 (ja) | 1987-11-17 | 1995-06-14 | 清水建設株式会社 | 構造物の振動抑制装置 |
JPH01156725A (ja) | 1987-12-15 | 1989-06-20 | Seiko Epson Corp | 表示装置 |
JPH01156725U (ja) | 1988-04-15 | 1989-10-27 | ||
JPH0239541A (ja) | 1988-07-29 | 1990-02-08 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置 |
JPH02234134A (ja) | 1989-03-07 | 1990-09-17 | Nec Corp | 液晶表示装置用アクティブマトリクス基板 |
US6562672B2 (en) * | 1991-03-18 | 2003-05-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor material and method for forming the same and thin film transistor |
US5946561A (en) * | 1991-03-18 | 1999-08-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for forming the same |
JPH0824104B2 (ja) * | 1991-03-18 | 1996-03-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体材料およびその作製方法 |
JP3071851B2 (ja) * | 1991-03-25 | 2000-07-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電気光学装置 |
US5414442A (en) | 1991-06-14 | 1995-05-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method of driving the same |
US6778231B1 (en) | 1991-06-14 | 2004-08-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical display device |
US6975296B1 (en) | 1991-06-14 | 2005-12-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method of driving the same |
CN1196184C (zh) * | 1992-07-06 | 2005-04-06 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其形成方法 |
US5459596A (en) * | 1992-09-14 | 1995-10-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Active matrix liquid crystal display with supplemental capacitor line which overlaps signal line |
JP3587537B2 (ja) * | 1992-12-09 | 2004-11-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP3158749B2 (ja) * | 1992-12-16 | 2001-04-23 | ヤマハ株式会社 | 半導体装置 |
JP3383047B2 (ja) * | 1992-12-25 | 2003-03-04 | ソニー株式会社 | アクティブマトリクス基板 |
EP0603866B1 (en) | 1992-12-25 | 2002-07-24 | Sony Corporation | Active matrix substrate |
JPH06296023A (ja) * | 1993-02-10 | 1994-10-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜状半導体装置およびその作製方法 |
JP3355181B2 (ja) | 1993-02-10 | 2002-12-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US6150692A (en) * | 1993-07-13 | 2000-11-21 | Sony Corporation | Thin film semiconductor device for active matrix panel |
JP3309509B2 (ja) * | 1993-08-12 | 2002-07-29 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリックス表示装置およびその製造方法 |
JPH07273191A (ja) | 1994-03-28 | 1995-10-20 | Toyota Motor Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP3240858B2 (ja) * | 1994-10-19 | 2001-12-25 | ソニー株式会社 | カラー表示装置 |
JP2900229B2 (ja) * | 1994-12-27 | 1999-06-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法および電気光学装置 |
JP3665095B2 (ja) | 1995-01-27 | 2005-06-29 | 沖電気工業株式会社 | パターン形成方法 |
JP3225772B2 (ja) * | 1995-01-30 | 2001-11-05 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置の製造方法 |
US6372534B1 (en) * | 1995-06-06 | 2002-04-16 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd | Method of making a TFT array with photo-imageable insulating layer over address lines |
JPH09105952A (ja) | 1995-10-11 | 1997-04-22 | Toshiba Electron Eng Corp | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
TWI228625B (en) | 1995-11-17 | 2005-03-01 | Semiconductor Energy Lab | Display device |
US6800875B1 (en) | 1995-11-17 | 2004-10-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix electro-luminescent display device with an organic leveling layer |
JPH09197390A (ja) * | 1995-11-17 | 1997-07-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
US6294799B1 (en) | 1995-11-27 | 2001-09-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating same |
JP4209477B2 (ja) * | 1995-11-27 | 2009-01-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP3383535B2 (ja) * | 1995-12-14 | 2003-03-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
TW309633B (ja) | 1995-12-14 | 1997-07-01 | Handotai Energy Kenkyusho Kk | |
JPH09265110A (ja) | 1996-03-28 | 1997-10-07 | Toshiba Corp | アクティブマトリックスパネル |
US6037712A (en) * | 1996-06-10 | 2000-03-14 | Tdk Corporation | Organic electroluminescence display device and producing method thereof |
US6288764B1 (en) * | 1996-06-25 | 2001-09-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device or electronic device having liquid crystal display panel |
JPH1039334A (ja) | 1996-07-24 | 1998-02-13 | Toshiba Corp | アレイ基板および液晶表示装置 |
JPH1062810A (ja) | 1996-08-19 | 1998-03-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JPH1066972A (ja) | 1996-08-28 | 1998-03-10 | Nomura Micro Sci Co Ltd | 水処理用分離膜の洗浄回生方法 |
JP3541650B2 (ja) * | 1996-10-22 | 2004-07-14 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶パネル用基板、液晶パネル、及びそれを用いた電子機器並びに投写型表示装置 |
CN1244837C (zh) | 1996-10-22 | 2006-03-08 | 精工爱普生株式会社 | 液晶面板用基板和液晶面板 |
US7872728B1 (en) | 1996-10-22 | 2011-01-18 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal panel substrate, liquid crystal panel, and electronic device and projection display device using the same |
KR100225097B1 (ko) * | 1996-10-29 | 1999-10-15 | 구자홍 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
JP3123450B2 (ja) * | 1996-11-26 | 2001-01-09 | 日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH10229197A (ja) * | 1997-02-17 | 1998-08-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法 |
JPH10307305A (ja) * | 1997-03-07 | 1998-11-17 | Toshiba Corp | アレイ基板、液晶表示装置及びそれらの製造方法 |
TW477907B (en) * | 1997-03-07 | 2002-03-01 | Toshiba Corp | Array substrate, liquid crystal display device and their manufacturing method |
JPH10268360A (ja) * | 1997-03-26 | 1998-10-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
JP4302194B2 (ja) | 1997-04-25 | 2009-07-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2869721B2 (ja) | 1997-05-12 | 1999-03-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US6069443A (en) * | 1997-06-23 | 2000-05-30 | Fed Corporation | Passive matrix OLED display |
JPH1068972A (ja) | 1997-07-04 | 1998-03-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気光学装置 |
JPH11102867A (ja) | 1997-07-16 | 1999-04-13 | Sony Corp | 半導体薄膜の形成方法およびプラスチック基板 |
JP3156765B2 (ja) * | 1997-08-29 | 2001-04-16 | 日本電気株式会社 | 半導体装置、および半導体装置の製造方法 |
TW381187B (en) | 1997-09-25 | 2000-02-01 | Toshiba Corp | Substrate with conductive films and manufacturing method thereof |
JPH11163368A (ja) * | 1997-09-25 | 1999-06-18 | Toshiba Corp | 導電膜付き基板及びその製造方法 |
JP3679567B2 (ja) | 1997-09-30 | 2005-08-03 | 三洋電機株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JP3599972B2 (ja) | 1997-09-30 | 2004-12-08 | 三洋電機株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
US6274516B1 (en) * | 1997-10-27 | 2001-08-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for manufacturing interlayer insulating film and display apparatus using this film and its manufacturing method |
JP3980156B2 (ja) * | 1998-02-26 | 2007-09-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | アクティブマトリクス型表示装置 |
KR100519205B1 (ko) * | 1998-03-19 | 2005-10-06 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 액정장치, 투사형 표시장치 및 전자기기 |
US6372558B1 (en) * | 1998-08-18 | 2002-04-16 | Sony Corporation | Electrooptic device, driving substrate for electrooptic device, and method of manufacturing the device and substrate |
JP2000111952A (ja) * | 1998-10-07 | 2000-04-21 | Sony Corp | 電気光学装置、電気光学装置用の駆動基板、及びこれらの製造方法 |
JP2000155334A (ja) * | 1998-11-20 | 2000-06-06 | Sony Corp | 電気光学装置、電気光学装置用の駆動基板、及びこれらの製造方法 |
WO2000033285A1 (en) * | 1998-11-30 | 2000-06-08 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and its manufacturing method |
JP4514871B2 (ja) | 1999-01-29 | 2010-07-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置および電子機器 |
US6593592B1 (en) | 1999-01-29 | 2003-07-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having thin film transistors |
US7821065B2 (en) * | 1999-03-02 | 2010-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising a thin film transistor comprising a semiconductor thin film and method of manufacturing the same |
US6306694B1 (en) * | 1999-03-12 | 2001-10-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process of fabricating a semiconductor device |
TW441112B (en) | 1999-03-16 | 2001-06-16 | Sanyo Electric Co | Method for making a thin film transistor |
US6281552B1 (en) * | 1999-03-23 | 2001-08-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistors having ldd regions |
US6512504B1 (en) | 1999-04-27 | 2003-01-28 | Semiconductor Energy Laborayory Co., Ltd. | Electronic device and electronic apparatus |
TW517260B (en) * | 1999-05-15 | 2003-01-11 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and method for its fabrication |
JP3826618B2 (ja) | 1999-05-18 | 2006-09-27 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置 |
JP4197574B2 (ja) * | 1999-05-20 | 2008-12-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
US6630977B1 (en) | 1999-05-20 | 2003-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device with capacitor formed around contact hole |
US6466401B1 (en) * | 1999-06-02 | 2002-10-15 | Read-Rite Corporation | Thin film write head with interlaced coil winding and method of fabrication |
TWI232595B (en) * | 1999-06-04 | 2005-05-11 | Semiconductor Energy Lab | Electroluminescence display device and electronic device |
JP4627822B2 (ja) | 1999-06-23 | 2011-02-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
TW556357B (en) | 1999-06-28 | 2003-10-01 | Semiconductor Energy Lab | Method of manufacturing an electro-optical device |
JP4877675B2 (ja) | 1999-06-28 | 2012-02-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電気光学装置の作製方法 |
TW480554B (en) * | 1999-07-22 | 2002-03-21 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US6580094B1 (en) | 1999-10-29 | 2003-06-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro luminescence display device |
JP2001195016A (ja) | 1999-10-29 | 2001-07-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電子装置 |
US6384427B1 (en) * | 1999-10-29 | 2002-05-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device |
JP2001175198A (ja) | 1999-12-14 | 2001-06-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2001177101A (ja) | 1999-12-20 | 2001-06-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
US6573162B2 (en) * | 1999-12-24 | 2003-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation apparatus and method of fabricating a semiconductor device |
US20010053559A1 (en) * | 2000-01-25 | 2001-12-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating display device |
US6639265B2 (en) * | 2000-01-26 | 2003-10-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device |
JP4831873B2 (ja) * | 2000-02-22 | 2011-12-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 自発光装置及びその作製方法 |
TW525305B (en) | 2000-02-22 | 2003-03-21 | Semiconductor Energy Lab | Self-light-emitting device and method of manufacturing the same |
US7023021B2 (en) * | 2000-02-22 | 2006-04-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
JP2001318627A (ja) | 2000-02-29 | 2001-11-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
JP2001249358A (ja) * | 2000-03-03 | 2001-09-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
TW495854B (en) | 2000-03-06 | 2002-07-21 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP4836339B2 (ja) | 2000-03-06 | 2011-12-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体表示装置及びその作製方法 |
TWI226205B (en) * | 2000-03-27 | 2005-01-01 | Semiconductor Energy Lab | Self-light emitting device and method of manufacturing the same |
US7525165B2 (en) * | 2000-04-17 | 2009-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
US6706544B2 (en) | 2000-04-19 | 2004-03-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and fabricating method thereof |
JP4731715B2 (ja) * | 2000-04-19 | 2011-07-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
JP4531923B2 (ja) * | 2000-04-25 | 2010-08-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
TW531901B (en) * | 2000-04-27 | 2003-05-11 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device |
US7804552B2 (en) | 2000-05-12 | 2010-09-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device with light shielding portion comprising laminated colored layers, electrical equipment having the same, portable telephone having the same |
JP4916620B2 (ja) | 2000-05-12 | 2012-04-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置及び電気光学装置 |
US6729922B2 (en) | 2000-06-05 | 2004-05-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Device for inspecting element substrates and method of inspection using this device |
JP4741110B2 (ja) | 2000-06-05 | 2011-08-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 検査装置、発光装置の作製方法 |
JP2002072963A (ja) | 2000-06-12 | 2002-03-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光モジュールおよびその駆動方法並びに光センサ |
JP4581187B2 (ja) * | 2000-06-13 | 2010-11-17 | ソニー株式会社 | 表示装置の製造方法 |
US6875674B2 (en) | 2000-07-10 | 2005-04-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device with fluorine concentration |
JP2002118118A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-04-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2002040411A (ja) * | 2000-07-26 | 2002-02-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
JP3864678B2 (ja) | 2000-07-28 | 2007-01-10 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置 |
US6956324B2 (en) | 2000-08-04 | 2005-10-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method therefor |
JP4566475B2 (ja) | 2000-08-04 | 2010-10-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
TW522374B (en) | 2000-08-08 | 2003-03-01 | Semiconductor Energy Lab | Electro-optical device and driving method of the same |
JP3918412B2 (ja) * | 2000-08-10 | 2007-05-23 | ソニー株式会社 | 薄膜半導体装置及び液晶表示装置とこれらの製造方法 |
US6828950B2 (en) | 2000-08-10 | 2004-12-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method of driving the same |
US6822629B2 (en) | 2000-08-18 | 2004-11-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US6605826B2 (en) * | 2000-08-18 | 2003-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and display device |
US6739931B2 (en) * | 2000-09-18 | 2004-05-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method of fabricating the display device |
US6774578B2 (en) | 2000-09-19 | 2004-08-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Self light emitting device and method of driving thereof |
JP3743273B2 (ja) * | 2000-09-27 | 2006-02-08 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法 |
JP2002110995A (ja) | 2000-09-29 | 2002-04-12 | Casio Comput Co Ltd | アクティブマトリックス基板 |
JP4925528B2 (ja) | 2000-09-29 | 2012-04-25 | 三洋電機株式会社 | 表示装置 |
US6599818B2 (en) | 2000-10-10 | 2003-07-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device manufacturing method, heat treatment apparatus, and heat treatment method |
US6664732B2 (en) | 2000-10-26 | 2003-12-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
JP4831874B2 (ja) * | 2001-02-26 | 2011-12-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及び電子機器 |
US6830994B2 (en) * | 2001-03-09 | 2004-12-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device having a crystallized semiconductor film |
US6737653B2 (en) * | 2001-03-12 | 2004-05-18 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | X-ray detector and method of fabricating therefore |
US6744198B2 (en) | 2001-03-19 | 2004-06-01 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing display device, display device, and electronic apparatus |
JP2003017273A (ja) | 2001-07-05 | 2003-01-17 | Sony Corp | 表示装置および表示装置の製造方法 |
JP4876341B2 (ja) * | 2001-07-13 | 2012-02-15 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリクス基板及びその製造方法 |
WO2003027997A1 (fr) * | 2001-09-21 | 2003-04-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Ecran et procede de fonctionnement associe |
US6903377B2 (en) * | 2001-11-09 | 2005-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting apparatus and method for manufacturing the same |
US6724314B2 (en) * | 2001-12-26 | 2004-04-20 | Dew Engineering And Development Limited | Automated passenger loading bridge |
JP3481232B2 (ja) | 2002-03-05 | 2003-12-22 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法 |
US7038239B2 (en) | 2002-04-09 | 2006-05-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor element and display device using the same |
JP3989761B2 (ja) * | 2002-04-09 | 2007-10-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体表示装置 |
JP4463493B2 (ja) * | 2002-04-15 | 2010-05-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及びその作製方法 |
JP3989763B2 (ja) * | 2002-04-15 | 2007-10-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体表示装置 |
US7242021B2 (en) * | 2002-04-23 | 2007-07-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display element using semiconductor device |
US7579771B2 (en) | 2002-04-23 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
US7786496B2 (en) | 2002-04-24 | 2010-08-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing same |
TWI272556B (en) | 2002-05-13 | 2007-02-01 | Semiconductor Energy Lab | Display device |
TWI263339B (en) * | 2002-05-15 | 2006-10-01 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method for manufacturing the same |
US7164155B2 (en) | 2002-05-15 | 2007-01-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
-
2003
- 2003-04-30 TW TW95108253A patent/TWI272556B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-04-30 TW TW92110194A patent/TWI269248B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-05-01 US US10/426,950 patent/US6960786B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-05-09 KR KR20030029301A patent/KR100979923B1/ko active IP Right Grant
- 2003-05-13 CN CNB031312888A patent/CN100445812C/zh not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-05-26 US US11/137,491 patent/US7554116B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2009
- 2009-06-26 US US12/492,165 patent/US7989808B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-02-10 JP JP2010027129A patent/JP5005051B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2011
- 2011-07-28 US US13/192,596 patent/US8207537B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-12-21 JP JP2011279488A patent/JP5376734B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2012
- 2012-05-15 JP JP2012111105A patent/JP5433726B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2012-06-25 US US13/531,610 patent/US8471259B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2013
- 2013-02-18 JP JP2013028622A patent/JP5376738B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2013-06-20 US US13/922,920 patent/US8748895B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2013-11-08 JP JP2013231898A patent/JP5636488B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2013-12-06 JP JP2013252783A patent/JP2014078027A/ja not_active Withdrawn
- 2013-12-24 JP JP2013265075A patent/JP2014112686A/ja not_active Withdrawn
-
2014
- 2014-02-26 JP JP2014035233A patent/JP2014160823A/ja not_active Withdrawn
- 2014-03-11 US US14/204,342 patent/US8927994B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2014-04-17 JP JP2014085669A patent/JP5648140B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2014-08-08 JP JP2014162301A patent/JP2015019074A/ja active Granted
- 2014-10-10 JP JP2014209329A patent/JP5913516B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-01-02 US US14/588,771 patent/US9165991B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2015-10-15 US US14/884,257 patent/US9508756B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2016
- 2016-11-28 US US15/361,724 patent/US9966390B2/en not_active Expired - Lifetime
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2014078027A5 (ja) | 液晶表示装置、携帯情報端末、携帯電話 | |
JP2014059574A5 (ja) | 液晶表示装置、携帯情報端末、携帯電話 | |
JP2014178698A5 (ja) | 素子基板 | |
JP2012230383A5 (ja) | 表示装置及び携帯情報端末 | |
JP2014038323A5 (ja) | 半導体装置、液晶表示装置 | |
JP2011054957A5 (ja) | 液晶表示装置 | |
JP2016184173A5 (ja) | 半導体装置、携帯電話機、表示装置 | |
JP2014225044A5 (ja) | 表示装置、表示モジュール及び電子機器 | |
JP2016195267A5 (ja) | ||
JP2012124494A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2013047808A5 (ja) | 表示装置 | |
JP2011138117A5 (ja) | ||
JP2014150273A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2010113346A5 (ja) | ||
JP2011071503A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2014199406A5 (ja) | ||
JP2013016831A5 (ja) | ||
JP2010107976A5 (ja) | ||
JP2014241404A5 (ja) | ||
JP2014063179A5 (ja) | ||
JP2010097203A5 (ja) | ||
JP2010107977A5 (ja) | ||
JP2011086927A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2013243372A5 (ja) | 半導体装置、電子機器、及び携帯情報端末 | |
JP2011035388A5 (ja) | 半導体装置 |