JP2014053552A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板の主面側に配置された素子形成領域において、X方向に延伸し、X方向と直交するY方向に並設された複数のトレンチゲート12と、X方向に延伸し、トレンチゲート12を挟んでY方向に並設された複数のダミートレンチゲート13と、半導体基板の主面上に形成され、複数のトレンチゲート12同士を電気的に接続するゲート配線15、17、17aと、複数のダミートレンチゲート13同士を電気的に接続するダミーゲート配線14と、を備え、ダミーゲート配線14は、半導体基板の厚さ方向から平面視したときに、トレンチゲート12を避けるようにしてゲート配線15、17、17aと重なっている。
【選択図】図4
Description
まず、第1の実施形態に係る半導体装置の構成について説明する。なお、本実施形態では、IGBT領域10とダイオード領域40が交互に配置されたRC−IGBT構造の半導体装置を例に挙げて説明する。ここで、図1は本実施形態に係る半導体装置1の上面図であり、図2〜4は図1の楕円で囲まれた領域の構成をより詳細に示す拡大図である。さらに、図5、6は図4の断面図である。なお、図6は、構造の一部を簡略化して示している。
本発明に係る半導体装置の第2の実施形態を図面を参照しながら説明する。なお、第1の実施形態と同様の構成及び動作については適宜説明を省略する。
Claims (9)
- 半導体基板の主面側に配置された素子形成領域において、第1の方向に延伸し、当該第1の方向と直交する第2の方向に並設された複数のトレンチゲートと、
前記素子形成領域において、前記第1の方向に延伸し、前記トレンチゲートを挟んで前記第2の方向に並設された複数のダミートレンチゲートと、
前記半導体基板の主面上に形成され、前記複数のトレンチゲート同士を電気的に接続するゲート配線と、
前記半導体基板の主面上に形成され、前記複数のダミートレンチゲート同士を電気的に接続するダミーゲート配線と、を備え、
前記ダミーゲート配線は、前記半導体基板の厚さ方向から平面視したときに、前記トレンチゲートを避けるようにして前記ゲート配線と重なっていることを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体基板の主面上に形成された第1の配線層と、
前記第1の配線層よりも上層に形成された第2の配線層と、を備え、
前記ダミーゲート配線は、前記第1の配線層に形成され、
前記ゲート配線は、前記第1及び第2の配線層に亘って形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記半導体基板の主面上に形成された第1の配線層と、
前記第1の配線層よりも上層に形成された第2の配線層と、を備え、
前記ゲート配線は、前記第1の配線層に形成され、
前記ダミーゲート配線は、前記第1及び第2の配線層に亘って形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記ダミーゲート配線は、前記第2の方向に延伸する第1の配線部と、前記第1の配線部から前記第1の方向に引き出され、前記ダミートレンチゲートの前記第1の方向の端部と電気的に接続される第2の配線部と、を有し、
前記半導体基板の厚さ方向から平面視したときに、前記第1の配線部が前記第2の方向に沿って前記ゲート配線と重なっていることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1の請求項に記載の半導体装置。 - 前記ゲート配線及び前記ダミーゲート配線は、前記第1の方向において、前記トレンチゲート及び前記ダミートレンチゲートの両端部側にそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
- 前記ダミーゲート配線は、前記第2の方向に延伸する第1の配線部と、前記第1の配線部から前記第1の方向に引き出され、前記ダミートレンチゲートの前記第1の方向の端部と電気的に接続される第2の配線部と、を有し、
前記半導体基板の厚さ方向から平面視したときに、前記第1の配線部が前記ゲート配線との重なりを避け、前記第2の配線部が前記ゲート配線を横切るようにして前記ゲート配線と重なっていることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1の請求項に記載の半導体装置。 - 前記半導体基板の主面側に、前記第1の方向に所定の間隔を置いて複数の前記素子形成領域が並設され、
前記複数の素子形成領域を一群とするとき、前記ゲート配線及び前記ダミーゲート配線は、前記一群の前記第1の方向における両側にそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。 - 前記ダミートレンチゲートに電気的に接続される電極パッドをさらに備え、
前記電極パッドを介して前記ダミートレンチゲートに基準電位が印加されることを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれか1の請求項に記載の半導体装置。 - 前記ダミートレンチゲートに電気的に接続される電極パッドをさらに備え、
前記電極パッドを介して前記ダミートレンチゲートに動作電位が印加されることを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれか1の請求項に記載の半導体装置。
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