JP2013041647A - サスペンション用基板 - Google Patents

Abstract

【課題】磁気ヘッドスライダに搭載された素子と接続される素子用端子の変形を防止することができるサスペンション用基板を提供する。
【解決手段】サスペンション用基板１の磁気ヘッドスライダ実装領域２は、磁気ヘッドスライダ３０の一側を支持する第１支持部４０と、他側を支持する第２支持部５０と、を備えている。このうち第１支持部４０は、第１絶縁層２２と、第１配線層１０と、第２絶縁層２４と、磁気ヘッドスライダ３０と電気的に接続される第２配線層１２と、を有している。第１配線層１０は、素子３２と電気的に接続される素子用端子１８を有している。第１絶縁層２２は、素子用端子１８の下方に延び、素子用端子１８に対応して設けられた切欠部２７を有している。素子用端子１８の金属基板２０側の面の一部分は、切欠部２７によって露出し、他の部分は、第１絶縁層２２により覆われている。
【選択図】図５

Description

本発明は、ハードディスクドライブに用いられるサスペンション用基板に関する。

一般に、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）は、データが記憶されるディスクに対してデータの書き込み及び読み出しを行う磁気ヘッドスライダが実装されたサスペンション用基板を備えている。このサスペンション用基板は、複数の配線層と、磁気ヘッドスライダが実装される実装領域の近傍に設けられた複数の接続端子とを有し、各接続端子が配線層にそれぞれ接続されている。これらの接続端子が磁気ヘッドスライダのスライダパッドにそれぞれ接続されることにより、磁気ヘッドスライダに対してデータの受け渡しを行うようになっている。

ところで、ＨＤＤの記録密度増加のために、裏面に熱アシスト用素子（例えば、レーザーダイオード（ＬＤ）素子又は発光ダイオード（ＬＥＤ）素子）を搭載した、熱アシスト記録方式に対応する磁気ヘッドスライダが知られている（例えば、特許文献１参照）。ここで、熱アシスト記録方式とは、磁性粒子を小さくして高密度化されたハードディスクにおいて、磁気記録を行う部分を瞬間的に加熱することによって、常温では困難な保磁力の高い記録を可能とする記録方式である。

特開２００８−５９６９４号公報

このような熱アシスト記録方式に対応する磁気ヘッドスライダを搭載するサスペンション用基板としては、例えば、金属基板と、第１絶縁層と、第１配線と、第２絶縁層と、第２配線とがこの順に積層されて、第１配線および第２絶縁層が、磁気ヘッドスライダの一側の下方まで延びて、磁気ヘッドスライダの当該一側を支持するような構成が考えられる。この構成においては、第２配線が、その先端部に設けられた接続端子を介して磁気ヘッドスライダの当該一側に設けられたスライダパッド（電極）に接続され、第１配線が、その先端部に設けられた素子用端子を介して磁気ヘッドスライダの裏面に搭載された素子の素子パッド（電極）に接続される。

しかしながら、この場合、第１絶縁層は、磁気ヘッドスライダの一側の下方まで延びていないため、磁気ヘッドスライダの当該一側は、第１配線および第２絶縁層のみにより支持されるようになる。このため、サスペンション用基板に磁気ヘッドスライダを実装する際、磁気ヘッドスライダを下方へ押し付ける力によって、磁気ヘッドスライダの当該一側を支持する第１配線の素子用端子が変形し、場合によっては破損するという問題があった。

本発明は、磁気ヘッドスライダに搭載された素子と接続される素子用端子の変形を防止することができるサスペンション用基板を提供することを目的とする。

本発明の一態様によるサスペンション用基板は、素子を搭載した磁気ヘッドスライダが実装される磁気ヘッドスライダ実装領域と、前記磁気ヘッドスライダ実装領域と電極パッドとを接続する配線パターンとを備えたサスペンション用基板であって、 前記磁気ヘッドスライダ実装領域は、金属基板と、前記金属基板上に設けられ、前記磁気ヘッドスライダの一側を支持する第１支持部と、前記金属基板上に設けられ、前記磁気ヘッドスライダの他側を支持すると共に、前記第１支持部と離れた位置に形成された第２支持部と、を備え、前記第１支持部は、前記金属基板上に設けられた第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に設けられた第１配線層と、前記第１絶縁層及び前記第１配線層上に設けられた第２絶縁層と、前記第２絶縁層上に設けられ、前記磁気ヘッドスライダと電気的に接続される第２配線層と、を有し、前記第１配線層は、配線部分と、前記配線部分の先端に接続され、前記素子と電気的に接続される素子用端子と、を有し、前記第１絶縁層は、前記素子用端子の下方に延び、前記第１絶縁層は、前記素子用端子に対応して設けられた切欠部を有しており、前記素子用端子の前記金属基板側の面の一部分は、前記切欠部によって露出し、他の部分は、前記第１絶縁層により覆われていることを特徴とするサスペンション用基板である。

本発明の一態様によるサスペンション用基板においては、前記第１配線層の前記素子用端子の前記素子側の端面が、前記第１絶縁層の前記素子側の端面より前記素子側に配置されていることが好ましい。

本発明の一態様によるサスペンション用基板においては、前記第１配線層の前記素子用端子は、矩形状に形成されており、前記素子用端子の前記金属基板側の面において、前記素子用端子の一対の側方縁部のうち一方の側方縁部は、前記切欠部によって露出され、他方の側方縁部は、前記第１絶縁層により覆われていることが好ましい。

本発明の一態様によるサスペンション用基板においては、前記素子用端子の前記金属基板側の面の前記一部分にめっき層が形成され、前記めっき層の厚さは、前記第１絶縁層の厚さより小さいことが好ましい。

本発明の一態様によるサスペンション用基板においては、前記第１絶縁層は、ベース絶縁層と、前記ベース絶縁層と前記金属基板との間に介在されたスキン絶縁層と、を有し、 前記切欠部は、前記ベース絶縁層に設けられたベース切欠部と、前記スキン絶縁層に設けられたスキン切欠部と、を含み、前記素子用端子は、その前記金属基板側の面の前記一部分が前記ベース絶縁層の前記金属基板側の面と同一平面上に位置するように、部分的に前記ベース切欠部に設けられ、前記素子用端子の前記金属基板側の面の前記一部分は、前記スキン切欠部によって露出し、前記素子用端子の前記金属基板側の面の前記他の部分は、前記ベース絶縁層によって覆われていることが好ましい。

本発明の一態様によるサスペンション用基板においては、前記素子用端子の前記金属基板側の面の前記一部分にめっき層が形成され、前記めっき層の厚さは、前記スキン絶縁層の厚さより小さいことが好ましい。

本発明の一態様によるサスペンション用基板においては、前記スキン切欠部において、前記ベース絶縁層の前記金属基板側の面がさらに露出していることが好ましい。

本発明の一態様によるサスペンション用基板においては、前記素子は熱アシスト用素子であることが好ましい。

本発明によれば、磁気ヘッドスライダに搭載された素子と接続される素子用端子の変形を防止することができる。

本発明の実施形態に係るサスペンション用基板の平面図である。 図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。 本発明の実施形態に係る磁気ヘッドスライダが実装された実装領域の平面図である。 図３のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。 本発明の実施形態に係る切欠部の平面図である。 図５のＣ−Ｃ線に沿った断面図である。 本発明の実施形態に係るサスペンションの平面図である。 本発明の実施形態に係るヘッド付サスペンションの平面図である。 本発明の実施形態に係るハードディスクドライブの斜視図である。 本発明の実施形態に係るサスペンション用基板の製造方法を示す図である。 本発明の変形例による切欠部の平面図である。 本発明の変形例による切欠部の平面図である。 本発明の変形例による切欠部の平面図である。 本発明の変形例による磁気ヘッドスライダが実装された実装領域の断面図である。 本発明の変形例による切欠部の平面図である。 図１５のＤ−Ｄ線に沿った断面図である。 本発明の変形例によるサスペンション用基板の製造方法を示す図である。 本発明の変形例による切欠部の平面図である。 図１８のＥ−Ｅ線に沿った断面図である。

以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。

図１は、本発明の実施形態に係るサスペンション用基板１の平面図である。図１に示すように、サスペンション用基板１は、平面からみて磁気ヘッドスライダ３０（図８参照）を実装する実装領域２と、電極パッド３と、実装領域２と電極パッド３とを接続する複数の配線パターンとを備えている。複数の配線パターンは、例えば、第１配線層１０及び第２配線層１２から構成される。図１はサスペンション用基板１を示す簡略化した平面図であり、図１において複数の配線層は１本の線で表示されている。また、図１において電極パッド３を２つ示しているが、実際には配線層に応じた数の電極パッド３が設けられる。電極パッド３は、サスペンション用基板１と外部回路との接続に用いられるものである。

図２に、図１のＡ−Ａ線に沿った断面を示す。すなわち、図２に示す図１のＡ−Ａ断面図において、サスペンション用基板１は、金属基板２０と、金属基板２０上に設けられた第１絶縁層２２と、第１絶縁層２２上に設けられた第１配線層１０と、第１絶縁層２２及び第１配線層１０上に設けられた第２絶縁層２４と、第２絶縁層２４上に設けられた第２配線層１２と、第２絶縁層２４及び第２配線層１２上に設けられた保護層２６とを有する。

第１配線層１０、第２配線層１２は後述するディスク１０３（図９参照）に対する書き込みデータや、ディスク１０３からの読み出しデータを伝送することができる。図２では、第１配線層１０、第２配線層１２を１つずつ示しているが、２つ以上設けられていてもよい。

図３は、磁気ヘッドスライダ３０が実装された実装領域２の平面図である。図３では、第２配線層１２の配置を明確に示すために、保護層２６は省略されている。図４は、図３のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。図３及び図４に示すように、実装領域２は、磁気ヘッドスライダ３０の一側を支持する第１支持部４０と、磁気ヘッドスライダ３０の他側を支持する第２支持部５０とを備える。第１支持部４０と第２支持部５０との間には空間６０が形成されている。

図４に示すように、第１支持部４０は、金属基板２０上に設けられた第１絶縁層２２と、第１絶縁層２２上に設けられた第１配線層１０と、第１絶縁層２２及び第１配線層１０上に設けられた第２絶縁層２４と、第２絶縁層２４上に設けられた第２配線層１２と、を有する。

第２配線層１２は、先端部を除いて、保護層２６で覆われている。第２配線層１２の先端部（接続端子１３）は露出しており、はんだ４１により、磁気ヘッドスライダ３０の一側に設けられているスライダパッド（図示せず）と電気的に接続されている。このようにして、本実施形態では、第２絶縁層２４上において第２配線層１２と磁気ヘッドスライダ３０とが接続されている。

図５は、第１絶縁層２２に設けられた後述する切欠部２７を示す平面図である。図４及び図５に示すように、第１配線層１０の素子用端子１８（後述）と第２絶縁層２４とは、磁気ヘッドスライダ３０の一側の下方まで延びている。また、第１絶縁層２２は、図５に示されているように、素子用端子１８の下方まで、すなわち、磁気ヘッドスライダ３０の当該一側の下方まで延びている。なお、図４においては、切欠部２７を示すために、第１絶縁層２２が素子用端子１８の下方まで延びていることについて明瞭に示されていないが、本実施形態においては、図５に明瞭に示されているように、第１絶縁層２２は、素子用端子１８の下方まで延びている。そして、磁気ヘッドスライダ３０の一側は、第２絶縁層２４の上面に直接、又ははんだ４１を介して接触している。これにより、磁気ヘッドスライダ３０の一側が第１支持部４０により支持される。なお、磁気ヘッドスライダ３０の一側の直下には、第１支持部４０のうち第１配線層１０の素子用端子１８、第１絶縁層２２及び第２絶縁層２４が位置しており、第２配線層１２は位置していないが、第１支持部４０全体として磁気ヘッドスライダ３０の一側を支持していると考えることができる。磁気ヘッドスライダ３０の一側の「支持」を「下から支える」と捉える場合は、第１支持部４０の一部（第１配線層１０、第１絶縁層２２及び第２絶縁層２４）が磁気ヘッドスライダ３０の一側を支持することになる。

磁気ヘッドスライダ３０の他側を支持する第２支持部５０は、金属基板２０上に設けられた追加第１絶縁層５２と、追加第１絶縁層５２上に島状に設けられた追加第１配線層５６と、追加第１絶縁層５２及び追加第１配線層５６の上に設けられた追加第２絶縁層５４と、を備えている。追加第１配線層５６は電気的に接続された配線であっても、接続されていない配線（ダミー配線）であってもよい。また、追加第１絶縁層５２は、第１絶縁層２２と一体的に設けられていてもよいし、分離して設けられていてもよい。同様に、追加第２絶縁層５４は、第２絶縁層２４と一体的に設けられていてもよいし、分離して設けられていてもよい。なお、本実施形態においては、第２支持部５０が追加第１配線層５６を備えているが、これに限られることはなく、第２支持部５０は追加第１配線層５６を有していなくてもよい。

図４に示すように、空間６０には、金属基板２０と磁気ヘッドスライダ３０の裏面とを接着して磁気ヘッドスライダ３０を固定する接着部材６１が設けられている。接着部材６１には、接着剤、導電ペースト、はんだ等を用いることができる。接着部材６１に導電性を有する材料を使用し、磁気ヘッドスライダ３０の裏面のグランドパッド（図示せず）に接続させることが好ましい。

金属基板２０には、第１支持部４０と第２支持部５０との間の領域において、開口部２０Ａが設けられている。開口部２０Ａは、第１支持部４０の一部分の下方まで広がっている。磁気ヘッドスライダ３０の裏面（下面）には、レーザーダイオード（ＬＤ）素子又は発光ダイオード（ＬＥＤ）素子等の熱アシスト用素子３２（以下、単に“素子３２”と称する）が搭載されており、素子３２が開口部２０Ａを挿通するように、磁気ヘッドスライダ３０が実装される。このように、本実施形態におけるサスペンション用基板１には、熱アシスト記録方式に対応する磁気ヘッドスライダ３０が実装されるようになっている。素子３２は、発光部３３を有しており、データの書き込み時に、当該発光部３３からディスク１０３に光が発せられて、ディスク１０３を加熱するようになっている。

また、図３に示すように、第１絶縁層２２上には、島状に設けられたダミー配線としてのダミー第１配線層１０Ａが形成されている。ダミー第１配線層１０Ａは、磁気ヘッドスライダ３０の一側の角部に対応する位置に形成されている。このダミー第１配線層１０Ａと、磁気ヘッドスライダ３０の下方まで延びている第１配線層１０と、追加第１配線層５６とにより、第２絶縁層２４の上面の高さと、追加第２絶縁層５４の上面の高さとがほぼ同じになる。そのため、磁気ヘッドスライダ３０を水平に実装することができ、ハードディスクドライブ１０１における磁気ヘッドスライダ３０の浮上姿勢を安定させることができる。

上述したように、磁気ヘッドスライダ３０と第２配線層１２とを第２絶縁層２４上で接続することで、第１絶縁層２２上（第２絶縁層２４下）の第１配線層１０の先端部を、磁気ヘッドスライダ３０に搭載された素子３２と電気的に接続される素子用端子１８として利用することができる。以下に、図３〜図６を用いて、素子用端子１８について詳細に説明する。ここで、図６は、図５のＣ−Ｃ線に沿った断面図である。

図３〜図５に示すように、第１配線層１０は、配線部分１７と、配線部分１７の先端に接続され、磁気ヘッドスライダ３０に搭載された素子３２の素子パッド（図示せず）とはんだ４２により電気的に接続される素子用端子１８と、を有している。このうち素子用端子１８は、平面からみて矩形状に形成され、配線部分１７の線幅より大きい線幅を有している。

図５に示すように、第１絶縁層２２が、第１配線層１０の素子用端子１８の下方まで延びている。そして、第１絶縁層２２は、第１配線層１０の素子用端子１８に対応して設けられた切欠部２７を有している。このようにして、素子用端子１８の下面（金属基板２０側の面）の一部分は、切欠部２７によって露出し、他の部分は、第１絶縁層２２により覆われている。本実施形態においては、素子用端子１８の素子３２側の端面１８Ａが、第１絶縁層２２の素子３２側の端面２２Ａと一致し、切欠部２７が、素子用端子１８の領域内において素子３２側に向かって開口するようにＵ字形状を有している。そして、素子用端子１８の下面において、素子用端子１８の配線部分１７側の配線部分側縁部１８Ｂと、一対の側方縁部１８Ｃ（配線部分１７から素子３２側に沿って延びる縁部）とが、第１絶縁層２２により覆われている。また、素子用端子１８の下面において、素子用端子１８の素子３２側の素子側縁部１８Ｄは露出している。なお、一致とは、厳密に判断されるものではなく、例えば、エッチングなどにより第１絶縁層２２、第１配線層１０を形成する際に生じ得る程度の誤差を含んだ概念である。また、図４に示すように、素子用端子１８の端面１８Ａは、第２絶縁層２４の素子３２側の端面とも一致しているが、これに限られることはない。

図４及び図６に示すように、第１配線層１０の素子用端子１８の下面の露出された部分には、めっき層１９が形成されている。このめっき層１９の厚さは、第１絶縁層２２の厚さより小さくなっている。すなわち、めっき層１９の下面が、第１絶縁層２２の下面より上方（素子用端子１８側）に位置している。なお、めっき層１９は、例えば、素子用端子１８の下面の露出された部分に形成されたニッケル（Ｎｉ）めっき層と、このニッケル（Ｎｉ）めっき層上に形成された金（Ａｕ）めっき層とにより構成されている。

次に、サスペンション用基板１の各構成部材について説明する。

電極パッド３は、例えば、各配線層１０、１２上に形成されたニッケルめっき層と、このニッケルめっき層上に形成された金（Ａｕ）めっき層とを有する。

金属基板２０の材料としては、所望の導電性、弾力性、および強度を有するものであれば特に限定されることはないが、例えば、ステンレス、アルミニウム、ベリリウム銅、またはその他の銅合金を用いることができ、ステンレスを用いることが好適である。

第１配線層１０、第２配線層１２及び追加第１配線層５６の材料としては、所望の導電性を有する材料であれば特に限定されることはないが、銅（Ｃｕ）を用いることが好適である。銅以外にも、純銅に準ずる電気特性を有する材料であれば用いることもできる。

第１絶縁層２２、第２絶縁層２４、追加第１絶縁層５２及び追加第２絶縁層５４の材料としては、所望の絶縁性を有する材料であれば特に限定されることはないが、例えば、ポリイミド（ＰＩ）を用いることが好適である。

保護層２６の材料としては、樹脂材料、例えば、ポリイミド（ＰＩ）を用いることが好適である。なお、保護層２６の材料は、感光性材料であっても非感光性材料であっても用いることができる。

次に、図７により、本実施形態におけるサスペンション８１について説明する。図７に示すサスペンション８１は、上述したサスペンション用基板１と、サスペンション用基板１の実装領域２とは反対側となる面（下面）に設けられ、上述の磁気ヘッドスライダ３０を後述のディスク１０３（図９参照）に対して保持するためのロードビーム８２とを有している。

次に、図８により、本実施形態におけるヘッド付サスペンション９１について説明する。図８に示すヘッド付サスペンション９１は、上述したサスペンション８１と、サスペンション用基板１の実装領域２に実装され、複数のスライダパッドが設けられた磁気ヘッドスライダ３０とを有している。この磁気ヘッドスライダ３０の裏面には、素子３２が搭載されている。

次に、図９により、本実施形態におけるハードディスクドライブ１０１について説明する。図９に示すハードディスクドライブ１０１は、ケース１０２と、このケース１０２に回転自在に取り付けられ、データが記憶されるディスク１０３と、このディスク１０３を回転させるスピンドルモータ１０４と、ディスク１０３に所望のフライングハイトを保って近接するように設けられ、ディスク１０３に対してデータの書き込みおよび読み出しを行う磁気ヘッドスライダ３０を含むヘッド付サスペンション９１とを有している。このうちヘッド付サスペンション９１は、ケース１０２に対して移動自在に取り付けられ、ケース１０２にはヘッド付サスペンション９１の磁気ヘッドスライダ３０をディスク１０３上に沿って移動させるボイスコイルモータ１０５が取り付けられている。また、ヘッド付サスペンション１０１とボイスコイルモータ１０５との間には、アーム１０６が連結されている。

次に、本実施形態に係るサスペンション用基板１の製造方法について説明する。ここでは、一例として、図１０を用いて、サブトラクティブ法によりサスペンション用基板１を製造する方法について説明する。

まず、金属基板材料層６５と、金属基板材料層６５上に形成された第１絶縁材料層６６と、第１絶縁材料層６６上に形成された第１配線材料層６７とを有する三層材６８を準備する（図１０（ａ）参照）。

続いて、金属基板材料層６５が外形加工されて金属基板２０が形成される（図１０（ｂ）参照）。この場合、金属基板材料層６５上に、フォトリソグラフィ法を用いてパターン状のレジスト（図示せず）が形成され、このレジストから露出された部分がエッチングされる。このようにして、金属基板材料層６５が外形加工されて、金属基板２０が形成されると共に開口部２０Ａが形成される。エッチングが行われた後、レジストは除去される。

次に、第１配線材料層６７が外形加工されて第１配線層１０および追加第１配線層５６が形成される（図１０（ｃ）参照）。この場合、金属基板材料層６５のエッチングと同様にして、第１配線材料層６７上にパターン状のレジストが形成されてエッチングされ、第１配線材料層６７から素子用端子１８を含む第１配線層１０および追加第１配線層５６が形成される。

第１配線層１０が形成された後、第２絶縁層２４および追加第２絶縁層５４が形成される（図１０（ｄ）参照）。この場合、第１配線層１０及び第１絶縁層２２を覆うようにポリイミドが塗布され、塗布されたポリイミド上にパターン状のレジストが形成されてエッチングされ、所望の形状を有する第２絶縁層２４および追加第２絶縁層５４が形成される。

続いて、第２配線層１２が形成される（図１０（ｅ）参照）。この場合、まず、第２絶縁層２４上にクロム（Ｃｒ）及び銅（Ｃｕ）のスパッタリング層が形成される。続いて、スパッタリング層の上面及び金属基板２０の下面にパターン状のレジストが形成される。そして、レジストから露出された部分に、電解銅めっき法により銅で構成された金属膜からなる第２配線層１２が形成される。その後、レジストが除去されて、スパッタリング層のうち、表面が露出している部分が除去される。

次に、上述した第２絶縁層２４と同様にして、保護層２６が形成される（図１０（ｆ）参照）。

そして、第１絶縁材料層６６が外形加工されて、第１絶縁層２２および追加第１絶縁層５２が形成される（図１０（ｇ）参照）。この場合、パターン状のレジストを用いて第１絶縁材料層６６がエッチングされて、所望の形状に外形加工され、第１絶縁層２２および追加第１絶縁層５２が形成される。この際、第１絶縁層２２は、第１配線層１０の素子用端子１８の下方まで延びるように形成されて、第１絶縁層２２に、素子用端子１８の下面の一部を露出させる切欠部２７が形成される。

その後、第１配線層１０の素子用端子１８の下面の露出されている部分に、Ｎｉめっき及びＡｕめっきが順次施されてめっき層１９が形成される（図１０（ｈ）参照）。この際、各配線層１０、１２の他の露出されている部分、すなわち、磁気ヘッドスライダ３０に接続される接続端子１３及び電極パッド３にも、ＮｉめっきおよびＡｕめっきが順次施される。

このようにして得られたサスペンション用基板１の下面に、ロードビーム８２が取り付けられて図７に示すサスペンション８１が得られる。このサスペンション８１の実装領域２に、素子３２を搭載した磁気ヘッドスライダ３０が実装されて図８に示すヘッド付サスペンション９１が得られる。このとき、図４に示すように、磁気ヘッドスライダ３０の一側が第１支持部４０に支持され、他側が第２支持部５０に支持されて、磁気ヘッドスライダ３０が接着部材６１によって金属基板２０に固定される。素子３２は、金属基板２０の開口部２０Ａに挿通される。そして、第１配線層１０の素子用端子１８は、はんだ４２によって、素子３２の素子パッドに電気的に接続されると共に、第２配線層１２の接続端子１３は、はんだ４１によって、磁気ヘッドスライダ３０のスライダパッドに電気的に接続される。

さらに、このヘッド付サスペンション９１がハードディスクドライブ１０１のケース１０２に取り付けられて、図９に示すハードディスクドライブ１０１が得られる。

このように、本実施形態によれば、第１絶縁層２２が第１配線層１０の素子用端子１８の下方まで延び、素子用端子１８の下面の一部分が、切欠部２７によって露出し、他の部分が、第１絶縁層２２により覆われている。このことにより、素子用端子１８を、第１絶縁層２２によって下側（金属基板２０の側）から支持することができる。このため、磁気ヘッドスライダ実装領域２に磁気ヘッドスライダ３０を実装する際、磁気ヘッドスライダ３０を押し付ける力（下方への力）によって素子用端子１８が変形することを防止できる。とりわけ、本実施形態においては、第１絶縁層２２の素子３２側の端面２２Ａが、素子用端子１８の素子３２側の端面１８Ａと一致し、素子用端子１８の下面において、素子用端子１８の配線部分側縁部１８Ｂと一対の側方縁部１８Ｃとが、第１絶縁層２２によって覆われているため、素子用端子１８の配線部分側縁部１８Ｂと一対の側方縁部１８Ｃとが第１絶縁層２２によって確実に支持され、素子用端子１８の変形を確実に防止することができる。

また、本実施形態によれば、第１配線層１０の素子用端子１８の下面において、配線部分側縁部１８Ｂおよび一対の側方縁部１８Ｃ以外の部分は、切欠部２７によって露出されている。このことにより、素子用端子１８の下面において、素子３２と電気的に接続するためのはんだ４２との接触面積を確保することができる。このため、素子用端子１８と素子３２との接続信頼性を確保することができる。

さらに、本実施形態によれば、切欠部２７によって第１配線層１０の素子用端子１８の下面の露出された部分にめっき層１９が形成され、当該めっき層１９の厚さが、第１絶縁層２２の厚さより小さくなっている。このことにより、めっき層１９の下面を、第１絶縁層２２の下面より上方に配置させることができ、素子３２と電気的に接続するためのはんだ４２が、切欠部２７内に収まり、不要な箇所に濡れ広がることを防止できる。

（切欠部の変形例）
図１１〜図１３に切欠部の変形例を示す。なお、図１１〜図１３に示す変形例において、図１〜図１０に示す実施形態と同一部分には同一符号を付して説明は省略する。

図１１に示すように、第１配線層１０の素子用端子１８の端面１８Ａが、第１絶縁層２２の端面２２Ａより素子３２側に配置されるようにしてもよい。言い換えると、第１配線層１０の素子用端子１８と第２絶縁層２４とが、第１絶縁層２２より素子３２側へ延び、素子用端子１８の素子側縁部１８Ｄを幅方向全体にわたって露出させると共に、第２絶縁層２４の下面（金属基板２０側の面）の素子３２側の部分を露出させるようにしてもよい。この場合、素子用端子１８の下面のうち素子側縁部１８Ｄを大きく露出させて、素子用端子１８の下面において、素子３２と電気的に接続するためのはんだ４２との接触面積を素子３２側の部分で増大させることができ、素子用端子１８と素子３２との接続信頼性をより一層向上させることができる。

また、図１２に示すように、切欠部２７が、磁気ヘッドスライダ３０の側に向かって末広がりに開口していてもよい。この場合においても、素子用端子１８の下面の素子側縁部１８Ｄを大きく露出させて、素子用端子１８の下面において、素子３２と電気的に接続するためのはんだ４２との接触面積を素子３２側の部分で増大させることができ、素子用端子１８と素子３２との接続信頼性をより一層向上させることができる。

また、上記実施形態および上記変形例においては、切欠部２７は、Ｕ字形状を有している例を示したが、これに限られず、例えば、矩形形状、三角形状等、任意の形状を有するようにしてもよい。とりわけ、三角形状とする場合には、図１２に示す変形例と同様にして、三角形状の切欠部２７が、素子３２側に向かって末広がりに開口することが好ましい。

さらに、図１３に示すように、切欠部２７は、第１配線層１０の素子用端子１８から横方向に延びるように形成されていてもよい。すなわち、素子用端子１８の下面において、一対の側方縁部１８Ｂ、１８Ｃのうち一方の側方縁部１８Ｃが切欠部２７によって露出され、素子用端子１８の下面の一部分と共に、第２絶縁層２４の下面の一部分を露出させるようにしてもよい。この場合、素子用端子１８の下面の配線部分側縁部１８Ｂ及び他方の側方縁部１８Ｃのみが、第１絶縁層２２によって覆われるようになる。この場合においても、素子用端子１８を、第１絶縁層２２によって下側から支持することができ、素子用端子１８の変形を防止することができる。また、この場合、素子用端子１８の下面において、素子３２と電気的に接続するためのはんだ４２との接触面積を増大させることができる。

（第１絶縁層の層構成の変形例）
図１４〜図１７に第１絶縁層の層構成の変形例を示す。なお、図１４〜図１７に示す変形例において、図１〜図１０に示す実施形態と同一部分には同一符号を付して説明は省略する。

上記実施形態では、サブトラクティブ法によりサスペンション用基板１を製造する例を示したが、アディティブ法によりサスペンション用基板１を製造してもよい。この場合における磁気ヘッドスライダ３０が実装される実装領域の断面構造を、図１４〜図１７を用いて説明する。

図１４に示すように、第１絶縁層２２は、第１配線層１０の側に設けられたベース絶縁層７１と、ベース絶縁層７１と金属基板２０との間に介在されたスキン絶縁層７２と、を有している。図１４及び図１５に示すように、ベース絶縁層７１及びスキン絶縁層７２は、第１配線層１０の素子用端子１８の下方まで延びている。ここで、ベース絶縁層７１およびスキン絶縁層７２の材料としては、上述した第１絶縁層２２および第２絶縁層２４と同様の材料を用いることが好適である。

図１５及び図１６に示すように、切欠部２７は、ベース絶縁層７１に設けられたベース切欠部７３と、スキン絶縁層７２に設けられたスキン切欠部７４と、を含んでいる。素子用端子１８は、その下面の一部分がベース絶縁層７１の下面（金属基板２０側の面）と同一平面上に位置するように、部分的にベース切欠部７３に設けられている。そして、素子用端子１８の下面の一部分は、スキン切欠部７４によって露出し、素子用端子１８の下面の他の部分は、ベース絶縁層７１およびスキン絶縁層７２によって覆われている。このようにして、素子用端子１８は、部分的にベース切欠部７３に入り込んで階段状に形成されて、ベース切欠部７３に入り込んだ素子用端子１８の部分の下面が、スキン切欠部７４によって露出している。なお、同一平面とは、厳密に判断されるものではなく、例えば、エッチングなどにより第１絶縁層２２、第１配線層１０を形成する際に生じ得る程度の誤差を含んだ概念である。

また、図１４に示すように、第２支持部５０において、追加第１絶縁層５２は、追加第１配線層５６の側に設けられた追加ベース絶縁層７５と、追加ベース絶縁層７５と金属基板２０との間に介在された追加スキン絶縁層７６と、を有している。なお、追加スキン絶縁層７６は、スキン絶縁層７２と一体的に設けられていてもよいし、分離して設けられていてもよい。同様に、追加ベース絶縁層７５は、ベース絶縁層７１と一体的に設けられていてもよいし、分離して設けられていてもよい。

図１４〜図１６に示す変形例によるサスペンション用基板１を製造する場合、まず、金属基板材料層６５を準備する（図１７（ａ）参照）。

続いて、金属基板材料層６５上に、ポリイミドが塗布されて、スキン絶縁材料層７７が形成される（図１７（ｂ）参照）。

次に、スキン絶縁材料層７７上に、ベース絶縁層７１及び追加ベース絶縁層７５が形成される（図１７（ｃ）参照）。この場合、スキン絶縁材料層７７上に、ポリイミドが塗布され、塗布されたポリイミド上にパターン状のレジストが形成されてエッチングされ、所望の形状を有するベース絶縁層７１および追加ベース絶縁層７５が形成される。この際、ベース絶縁層７１には、ベース切欠部７３が形成される。

ベース絶縁層７１が形成された後、第１配線層１０が形成される（図１７（ｄ）参照）。この場合、まず、スキン絶縁層７２およびベース絶縁層７１上にクロム（Ｃｒ）及び銅（Ｃｕ）のスパッタリング層が形成される。続いて、スパッタリング層の上面及び金属基板２０の下面にパターン状のレジストが形成される。そして、レジストから露出された部分に、電解銅めっき法により銅で構成された金属膜からなる第１配線層１０および追加第１配線層５６が形成される。この際、第１配線層１０の素子用端子１８は、ベース絶縁層７１上に形成されると共に、部分的にベース切欠部７３に入り込んでスキン絶縁材料層７７上に延びて階段状に形成される。その後、レジストが除去されて、スパッタリング層のうち、表面が露出している部分が除去される。

続いて、第２絶縁層２４および追加第２絶縁層５４が形成され（図１７（ｅ）参照）、第２配線層１２が形成されて（図１７（ｆ）参照）、保護層２６が形成される（図１７（ｇ）参照）。

次に、金属基板材料層６５が外形加工されて金属基板２０が形成される（図１７（ｈ）参照）。

そして、スキン絶縁材料層７７が外形加工されて、スキン絶縁層７２および追加スキン絶縁層７６が形成される（図１７（ｉ）参照）。この場合、パターン状のレジストを用いてスキン絶縁材料層７７がエッチングされて、所望の形状に外形加工され、スキン絶縁層７２および追加スキン絶縁層７６が形成される。この際、ベース絶縁層７１およびスキン絶縁層７２は、第１配線層１０の素子用端子１８の下方まで延びるように形成されてスキン絶縁層７２に、ベース切欠部７３に入り込んだ素子用端子１８の部分の下面を露出させるスキン切欠部７４が形成される。この場合、図１０（ｇ）に示す形態において素子用端子１８の下面を露出させるためのエッチングでは、第１絶縁層２２の対応する部分を除去する必要があるが、これに対して、図１７（ｉ）に示す形態において素子用端子１８の下面を露出させるためのエッチングでは、第１絶縁層２２より薄いスキン絶縁層７２の対応する部分を除去すればよいため、除去すべき絶縁材料の厚みを低減することができ、エッチング加工を容易に行うことができる。

その後、第１配線層１０の素子用端子１８の下面の露出されている部分に、Ｎｉめっき及びＡｕめっきが順次施されてめっき層１９が形成される（図１７（ｊ）参照）。

図１４〜図１７に示す変形例においても、ベース絶縁層７１およびスキン絶縁層７２が第１配線層１０の素子用端子１８の下方まで延び、素子用端子１８の下面の一部分が、スキン切欠部７４によって露出し、他の部分が、ベース絶縁層７１およびスキン絶縁層７２により覆われている。このことにより、素子用端子１８を、ベース絶縁層７１およびスキン絶縁層７２によって下側（金属基板２０の側）から支持することができる。このため磁気ヘッドスライダ実装領域２に磁気ヘッドスライダ３０を実装する際、磁気ヘッドスライダ３０を押し付ける力（下方への力）によって素子用端子１８が変形することを防止できる。また、素子用端子１８の下面において、配線部分側縁部１８Ｂおよび一対の側方縁部１８Ｃ以外の部分は、スキン切欠部７４によって露出されている。このことにより、素子用端子１８の下面において、素子３２と電気的に接続するためのはんだ４２との接触面積を確保することができ、素子用端子１８と素子３２との接続信頼性を確保することができる。

また、図１４〜図１７に示す変形例においては、上述したように、素子用端子１８が階段状に形成されていることから、図１４および図１６に示すように、素子用端子１８の第２配線層１２（図１４参照）側の面には凹部１８Ｅが形成されており、当該凹部１８Ｅに第２絶縁層２４が入り込んでいる。このことにより、素子用端子１８と第２絶縁層２４との接合強度を向上させることができ、磁気ヘッドスライダ３０を実装する際、磁気ヘッドスライダ３０を押し付ける力によって素子用端子１８が第２絶縁層２４から剥がれることを防止することができ、素子用端子１８の変形をより一層防止することができる。

（第１絶縁層の層構成の他の変形例）
図１８及び図１９に第１絶縁層２２の層構成の変形例を示す。なお、図１８及び図１９に示す変形例において、図１４〜図１７に示す実施形態と同一部分には同一符号を付して説明は省略する。

図１８及び図１９に示すように、スキン切欠部７４において、ベース絶縁層７１の下面が、さらに露出するように構成してもよい。図１８及び図１９に示す変形例においては、めっき層１９が、スキン切欠部７４においてベース絶縁層７１から突出するように形成される

なお、本発明は上記実施形態および上記変形例そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態および上記変形例に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態または変形例に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、実施形態および変形例にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。

また、磁気ヘッドスライダ３０に搭載される熱アシスト用素子３２は、レーザーダイオード（ＬＤ）素子や発光ダイオード（ＬＥＤ）素子に限定されず、レーザーダイオード（ＬＤ）素子又は発光ダイオード（ＬＥＤ）素子を搭載した光源ユニットでもよく、また、ハードディスクの磁気記録を行う部分を加熱できるものであれば、他の機能性素子でもよい。

また、上記実施形態および上記変形例においては、第１配線層１０の素子用端子１８が、矩形状に形成されている例について示したが、これに限られず、素子用端子１８の形状は、平面からみて円形など任意の形状とすることができる。また、素子用端子１８の幅は、配線部分１７の幅と略同一とすることもできる。

１ サスペンション用基板
２ 実装領域
３ 電極パッド
１０ 第１配線層
１０Ａ ダミー第１配線層
１２ 第２配線層
１３ 接続端子
１７ 配線部分
１８ 素子用端子
１８Ａ 端面
１８Ｂ 配線部分側縁部
１８Ｃ 側方縁部
１８Ｄ 素子側縁部
１８Ｅ 凹部
１９ めっき層
２０ 金属基板
２０Ａ 開口部
２２ 第１絶縁層
２２Ａ 端面
２４ 第２絶縁層
２６ 保護層
２７ 切欠部
３０ 磁気ヘッドスライダ
３２ 素子
３３ 発光部
４０ 第１支持部
４１、４２ はんだ
５０ 第２支持部
５２ 追加第１絶縁層
５４ 追加第２絶縁層
５６ 追加第１配線層
６０ 空間
６１ 接着部材
６５ 金属基板材料層
６６ 第１絶縁材料層
６７ 第１配線材料層
６８ 三層材
７１ ベース絶縁層
７２ スキン絶縁層
７３ ベース切欠部
７４ スキン切欠部
７５ 追加ベース絶縁層
７６ 追加スキン絶縁層
７７ スキン絶縁材料層
８１ サスペンション
８２ ロードビーム
９１ ヘッド付サスペンション
１０１ ハードディスクドライブ
１０２ ケース
１０３ ディスク
１０４ スピンドルモータ
１０５ ボイスコイルモータ
１０６ アーム

Claims (8)

1. 素子を搭載した磁気ヘッドスライダが実装される磁気ヘッドスライダ実装領域と、前記磁気ヘッドスライダ実装領域と電極パッドとを接続する配線パターンとを備えたサスペンション用基板であって、
   前記磁気ヘッドスライダ実装領域は、
   金属基板と、
   前記金属基板上に設けられ、前記磁気ヘッドスライダの一側を支持する第１支持部と、
   前記金属基板上に設けられ、前記磁気ヘッドスライダの他側を支持すると共に、前記第１支持部と離れた位置に形成された第２支持部と、
   を備え、
   前記第１支持部は、
   前記金属基板上に設けられた第１絶縁層と、
   前記第１絶縁層上に設けられた第１配線層と、
   前記第１絶縁層及び前記第１配線層上に設けられた第２絶縁層と、
   前記第２絶縁層上に設けられ、前記磁気ヘッドスライダと電気的に接続される第２配線層と、を有し、
   前記第１配線層は、配線部分と、前記配線部分の先端に接続され、前記素子と電気的に接続される素子用端子と、を有し、
   前記第１絶縁層は、前記素子用端子の下方に延び、
   前記第１絶縁層は、前記素子用端子に対応して設けられた切欠部を有しており、
   前記素子用端子の前記金属基板側の面の一部分は、前記切欠部によって露出し、他の部分は、前記第１絶縁層により覆われていることを特徴とするサスペンション用基板。
2. 前記第１配線層の前記素子用端子の前記素子側の端面が、前記第１絶縁層の前記素子側の端面より前記素子側に配置されていることを特徴とする請求項１に記載のサスペンション用基板。
3. 前記第１配線層の前記素子用端子は、矩形状に形成されており、
   前記素子用端子の前記金属基板側の面において、前記素子用端子の一対の側方縁部のうち一方の側方縁部は、前記切欠部によって露出され、他方の側方縁部は、前記第１絶縁層により覆われていることを特徴とする請求項１又は２に記載のサスペンション用基板。
4. 前記素子用端子の前記金属基板側の面の前記一部分にめっき層が形成され、
   前記めっき層の厚さは、前記第１絶縁層の厚さより小さいことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のサスペンション用基板。
5. 前記第１絶縁層は、ベース絶縁層と、前記ベース絶縁層と前記金属基板との間に介在されたスキン絶縁層と、を有し、
   前記切欠部は、前記ベース絶縁層に設けられたベース切欠部と、前記スキン絶縁層に設けられたスキン切欠部と、を含み、
   前記素子用端子は、その前記金属基板側の面の前記一部分が前記ベース絶縁層の前記金属基板側の面と同一平面上に位置するように、部分的に前記ベース切欠部に設けられ、
   前記素子用端子の前記金属基板側の面の前記一部分は、前記スキン切欠部によって露出し、前記素子用端子の前記金属基板側の面の前記他の部分は、前記ベース絶縁層によって覆われていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のサスペンション用基板。
6. 前記素子用端子の前記金属基板側の面の前記一部分にめっき層が形成され、
   前記めっき層の厚さは、前記スキン絶縁層の厚さより小さいことを特徴とする請求項５に記載のサスペンション用基板。
7. 前記スキン切欠部において、前記ベース絶縁層の前記金属基板側の面がさらに露出していることを特徴とする請求項５又は６に記載のサスペンション用基板。
8. 前記素子は熱アシスト用素子であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載のサスペンション用基板。

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