JP2012199631A - 回路装置及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】回路装置は発振回路10とバッファー回路20を含む。バッファー回路20は、プリバッファーPBFと第1、第2の出力バッファーQBF1、QBF2を含む。第1のモードでは、第1の出力バッファーQBF1が動作イネーブル状態に設定され、第2の出力バッファーQBF2が動作ディスエーブル状態に設定される。第2のモードでは、第1の出力バッファーQBF1及び第2の出力バッファーQBF2が動作イネーブル状態に設定される。第1のモードでは、プリバッファーPBFの駆動能力が、第2のモードに比べて低い駆動能力に設定される。
【選択図】図1
Description
図1に本実施形態の回路装置(IC)の第1の構成例を示す。この回路装置は発振回路10、バッファー回路20を含む。また制御回路30、メモリー40、温度補償電圧発生回路50を含むことができる。なお回路装置の構成は図1の構成には限定されず、その一部の構成要素(例えば温度補償電圧発生回路)を省略したり、他の構成要素を追加するなどの種々の変形実施が可能である。
次に出力バッファーやプリバッファーの具体的な回路構成例について説明する。図6にクリップドサイン波出力回路により構成される出力バッファーQBF1や、プリバッファーPBFの回路構成例を示す。なお出力バッファーQBF2がクリップドサイン波出力回路により構成される場合には、図6のQBF1と同様の構成になる。
図12に本実施形態の回路装置のレイアウト配置例を示す。図12は、回路装置のチップを平面視で見た図である。なお本実施形態の回路装置のレイアウト配置は図12の配置例に限定されず、種々の変形実施が可能である。
図13に本実施形態の回路装置を含む電子機器の構成例を示す。この電子機器は、本実施形態の回路装置500、水晶振動子等の振動子XTAL、アンテナATN、通信部510、処理部520を含む。また操作部530、表示部540、記憶部550を含むことができる。なおこれらの一部の構成要素を省略したり、他の構成要素を追加するなどの種々の変形実施が可能である。
SWX、SWY、SWZ スイッチ回路、CB キャパシター、XTAL 振動子、
TX1、TX2 第1、第2の振動子用端子、TQ1〜TQ3 第1〜第3の出力端子、
TA1、TA2、TB1〜TB8、TD3〜TD8 トランジスター、
CA1、CA2 第1、第2のキャパシター、RA1〜RA4、RB 抵抗素子、
BAS1、BAS2 第1、第2のバイアス電圧設定回路、
SWA1〜SWA3、SWB1〜SWB4、SWD1〜SWD4 スイッチ素子、
BDL 境界線、AR1、AR2 第1、第2の領域、
SD1〜SD4 第1〜第4の辺、IO1、IO2 第1、第2の端子配置領域、
10 発振回路、20 バッファー回路、30 制御回路、40 メモリー、
50 温度補償電圧発生回路、500 回路装置、510 通信部、520 処理部、
530 操作部、540 表示部、550 記憶部
Claims (13)
- 振動子に接続される発振回路と、
前記発振回路からの発振信号をバッファリングするバッファー回路と、
を含み、
前記バッファー回路は、
前記発振回路からの前記発振信号が入力されるプリバッファーと、
前記プリバッファーからの信号が入力され、第1の出力信号を出力する第1の出力バッファーと、
前記プリバッファーからの信号が入力され、第2の出力信号を出力する第2の出力バッファーと、
を含み、
第1のモードでは、前記第1の出力バッファーが動作イネーブル状態に設定され、前記第2の出力バッファーが動作ディスエーブル状態に設定され、
第2のモードでは、前記第1の出力バッファー及び前記第2の出力バッファーが動作イネーブル状態に設定され、
前記第1のモードでは、前記プリバッファーの駆動能力が、前記第2のモードに比べて低い駆動能力に設定されることを特徴とする回路装置。 - 請求項1において、
前記バッファー回路は、
前記プリバッファーの出力ノードと前記第2の出力バッファーの入力ノードとの間に設けられるスイッチ回路を含み、
前記スイッチ回路は、前記第1のモードではオフ状態に設定され、前記第2のモードではオン状態に設定されることを特徴とする回路装置。 - 請求項1又は2において、
前記第1の出力バッファー、或いは前記第1の出力バッファー及び前記第2の出力バッファーが、クリップドサイン波の信号を出力するクリップドサイン波出力回路により構成されることを特徴とする回路装置。 - 請求項3において、
前記クリップドサイン波出力回路は、
高電位側電源ノードと出力ノードとの間に設けられる第1のトランジスターと、
前記出力ノードと低電位側電源ノードとの間に設けられる第2のトランジスターと、
前記第1のトランジスターのゲートノードである第1のゲートノードに対してバイアス電圧を設定する第1のバイアス電圧設定回路と、
前記第2のトランジスターのゲートノードである第2のゲートノードに対してバイアス電圧を設定する第2のバイアス電圧設定回路と、
前記プリバッファーからの信号が入力される入力ノードと前記第1のゲートノードとの間に設けられる第1のキャパシターと、
前記入力ノードと前記第2のゲートノードとの間に設けられる第2のキャパシターと、 を含むことを特徴とする回路装置。 - 請求項4において、
前記第1のバイアス電圧設定回路は、
前記高電位側電源ノードと前記第1のゲートノードとの間に直列に設けれる第1の抵抗素子及び第1のスイッチ素子と、
前記第1のゲートノードと前記低電位側電源ノードとの間に設けられる第2の抵抗素子を含み、
前記第2のバイアス電圧設定回路は、
前記高電位側電源ノードと前記第2のゲートノードとの間に直列に設けれる第3の抵抗素子及び第2のスイッチ素子と、
前記第2のゲートノードと前記低電位側電源ノードとの間に設けられる第4の抵抗素子及び第3のスイッチ素子を含み、
動作イネーブル状態では、前記第1のスイッチ素子及び前記第3のスイッチ素子がオン状態に設定され、前記第2のスイッチ素子がオフ状態に設定され、
動作ディスエーブル状態では、前記第1のスイッチ素子及び前記第3のスイッチ素子がオフ状態に設定され、前記第2のスイッチ素子がオン状態に設定されることを特徴とする回路装置。 - 請求項4又は5において、
前記第1のキャパシター及び前記第2のキャパシターは、MIM(Metal-Insulator-Metal)構造のキャパシターにより構成され、
MIM構造の前記第1のキャパシターの上部電極が前記入力ノードに接続され、下部電極が前記第1のゲートノードに接続され、
MIM構造の前記第2のキャパシターの上部電極が前記入力ノードに接続され、下部電極が前記第2のゲートノードに接続されることを特徴とする回路装置。 - 請求項1又は2において、
前記第1の出力バッファーがクリップドサイン波の信号を出力するクリップドサイン波出力回路により構成され、前記第2の出力バッファーが、矩形波の信号を出力する矩形波出力回路により構成されることを特徴とする回路装置。 - 請求項1乃至7のいずれかにおいて、
前記第1の出力バッファー及び前記第2の出力バッファーが動作ディスエーブル状態に設定された場合に、前記プリバッファーが動作ディスエーブル状態に設定されることを特徴とする回路装置。 - 請求項1乃至8のいずれかにおいて、
前記バッファー回路は、
前記プリバッファーからの信号が入力され、第3の出力信号を出力する第3の出力バッファーを含み、
前記第1のモードでは、前記第1の出力バッファーが動作イネーブル状態に設定され、前記第2の出力バッファー及び前記第3の出力バッファーが動作ディスエーブル状態に設定され、
前記第2のモードでは、前記第1の出力バッファー及び前記第2の出力バッファーが動作イネーブル状態に設定され、前記第3の出力バッファーが動作ディスエーブル状態に設定され、
第3のモードでは、前記第1の出力バッファー、前記第2の出力バッファー及び前記第3の出力バッファーが動作イネーブル状態に設定され、
前記第1のモードでは、前記プリバッファーの駆動能力が、前記第2のモードに比べて低い駆動能力に設定され、
前記第2のモードでは、前記プリバッファーの駆動能力が、前記第3のモードに比べて低い駆動能力に設定されることを特徴とする回路装置。 - 請求項1乃至9のいずれかにおいて、
回路装置の対向する第1の辺及び第2の辺の間の境界線により区分される一方の領域を第1の領域とし、他方の領域を第2の領域とした場合に、
前記振動子を接続するための第1の振動子用端子及び第2の振動子用端子が、前記第1の領域に配置され、
前記第1の出力バッファーからの前記第1の出力信号が出力される第1の出力端子と、前記第2の出力バッファーからの前記第2の出力信号が出力される第2の出力端子が、前記第2の領域に配置され、
前記発振回路及び前記バッファー回路が、前記第1の領域に配置されることを特徴とする回路装置。 - 請求項10において、
回路装置の前記第1の辺及び前記第2の辺に交差する辺を第3の辺及び第4の辺とした場合に、
前記第1の振動子用端子は、前記第3の辺に沿った第1の端子配置領域に配置され、
前記第2の振動子用端子は、前記第4の辺に沿った第2の端子配置領域に配置され、
前記第1の出力端子は、前記第3の辺に沿った前記第1の端子配置領域に配置され、
前記第2の出力端子は、前記第4の辺に沿った前記第2の端子配置領域に配置されることを特徴とする回路装置。 - 請求項11において、
前記第1の端子配置領域では、
前記第1の振動子用端子と前記第1の出力端子の間に、高電位側電源及び低電位側電源の一方の電源用の第1の電源端子が配置され、
前記第2の端子配置領域では、
前記第2の振動子用端子と前記第2の出力端子の間に、前記一方とは異なる他方の電源用の第2の電源端子が配置されることを特徴とする回路装置。 - 請求項1乃至12のいずれかに記載の回路装置を含むことを特徴とする電子機器。
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