JP5159831B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5159831B2 JP5159831B2 JP2010138086A JP2010138086A JP5159831B2 JP 5159831 B2 JP5159831 B2 JP 5159831B2 JP 2010138086 A JP2010138086 A JP 2010138086A JP 2010138086 A JP2010138086 A JP 2010138086A JP 5159831 B2 JP5159831 B2 JP 5159831B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- signal
- input
- amplifier
- switch circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/02—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal
- H02M7/04—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/12—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M7/21—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M7/217—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Rectifiers (AREA)
Description
体装置に関する。また、整流回路を有する半導体装置を用いた電子機器に関する。
り多くの情報伝達が予想される。一方、パーソナルコンピュータもその軽量化によって、
モバイル対応の製品が生産されている。電子手帳に始まったPDAと呼ばれる情報端末も
多数生産され普及しつつある。また、表示装置の発展により、それらの携帯情報機器のほ
とんどにはフラットパネルディスプレイが装備されている。
シリコンを形成する技術を使用して、画素のみでなくドライバーを薄膜トランジスタで構
成した表示装置が普及しつつある。また、このような低温ポリシリコン技術を用いて回路
の開発が進められている。CPUやメモリ回路なども発表されている。さらにはアナログ
回路への応用も視野にはいってきている。
このようなアナログ回路では、表示装置の外部の非電気情報、たとえば、音声や、圧力
などを検出するのにも使用することができる。音声信号をマイクロホンで電気信号に変換
し、それを増幅したのち、整流回路および平滑回路で直流に変換し、その直流電位で検出
の判断をおこなうことができる。
このような場合において、整流回路が必要であり、それを絶縁基板上の薄膜トランジス
タで実現することができれば、低温ポリシリコンを用いた表示装置をよりシステマティッ
クに構成することが可能となる。
成していた。このような回路は公知のものである。このような整流回路は電子機器を構成
する上では、簡単に構成されるためよく使用されている(例えば非特許文献1参照。)。
オード302、ダイオード303、抵抗304、抵抗305、平滑回路306、入力端子
307、出力端子308、電源309で構成されている。
アンプ301の反転入力端子は、非反転入力端子と等電位であり、非反転入力端子は電源
309に接続されているため、反転入力端子の電位も電源309と等電位となる。従って
、入力端子307から反転入力端子に向かって電流が流れる。その電流はダイオード30
3を介して、オペアンプ301の出力端子に流れる。オペアンプ301の出力電位は電源
309の電位よりダイオード303のVF1つ分下がった電位となる。このとき抵抗30
5には電流が流れないため、抵抗305の両端の電位はいずれも電源309と同じとなる
。
の場合電流は、オペアンプ301の出力端子から、ダイオード302、抵抗305、抵抗
304を介して入力端子307に流れる。この場合抵抗305とダイオード302の接続
点には入力信号と逆相の出力が現れる。図4(A)に入力信号、図4(B)に整流後の出
力を示す。
用いる場合、以下のような問題点があった。
従来の整流回路ではオペアンプを基本として、回路を組んでいるため、交流帰還をかけ
て使用する必要がある。ところが、薄膜トランジスタでは、素子の電流能力が小さいため
、電流能力を上げるには素子を大きくする必要があるが、素子を大きくすると、寄生容量
も大きくなるため、発振安定度が悪化し、交流帰還をかけられないという問題点があった
。
防ぐため、内部に発振防止容量を多く接続する必要があり、そのため周波数特性が低下す
るという問題点があった。これによって、整流波形は図4(C)のようになり、期待する
波形が得られなくなっていた。
半導体装置を実現するために、増幅機能と、増幅された信号波形を整形する波形整形機能
と、波形整形された信号で制御可能なスイッチ機能とを備えた整流回路を備えたことを特
徴としている。
装置において、前記整流回路は増幅回路と、前記増幅回路の出力信号を波形整形する波形
整形回路と、前記波形整形回路の出力信号で制御されるスイッチ回路とを有することを特
徴としている。
装置において、前記整流回路は増幅回路と、前記増幅回路の出力信号を波形整形する波形
整形回路と、前記波形整形回路の出力信号で制御されるスイッチ回路、前記スイッチ回路
に接続された抵抗とを有することを特徴としている。
装置において、前記整流回路は入力端子と、電源と、増幅回路と、前記増幅回路の出力信
号を波形整形する波形整形回路と、前記波形整形回路の出力信号で制御されるスイッチ回
路とバッファアンプを有し、前記電源は前記スイッチ回路の第1の端子に接続され、前記
入力端子は前記スイッチの第2の端子と、前記増幅回路に接続されることを特徴としてい
る。
装置において、前記整流回路は第1の入力端子と、第2の入力端子と、増幅回路と、前記
増幅回路の出力信号を波形整形する波形整形回路と、前記波形整形回路の出力信号で制御
されるスイッチ回路とバッファアンプを有し、前記第1の入力端子は前記スイッチ回路の
第1の端子と、前記増幅回路の第1の入力端子に接続され、前記第2の入力端子は前記ス
イッチ回路の第2の端子と、前記増幅回路の第2の入力端子に接続されることを特徴とし
ている。
としている。
膜トランジスタを組み合わせたものであり、且つ、前記N型薄膜トランジスタと前記P型
薄膜トランジスタのゲート幅は概ね等しいことを特徴としている。
る。
つ入力信号を増幅し、波形整形した信号によって、スイッチを制御し、入力信号をスイッ
チングすることによって、周波数特性に優れた整流回路を形成することが可能である。
図1に本発明の第1の実施形態を示す。図1に示す実施形態は増幅回路101、波形整
形回路102、抵抗103、スイッチ104、バッファアンプ105、平滑回路106、
入力端子107、出力端子108によって構成されている。この回路は薄膜トランジスタ
(以下、「TFT」と記す。)によって形成されている。以下本実施形態の動作について
説明をおこなう。
路101の出力は波形整形回路102に入力され、波形整形回路102によって、論理信
号に整形される。波形整形された信号はスイッチ104の制御信号として入力され、スイ
ッチ104をオンオフする。一方、入力端子107に入力された信号は、増幅回路101
とともに抵抗103に入力される。
入力される。このとき、バッファアンプの入力インピーダンスを抵抗103の抵抗値より
十分高く設定しておけば、抵抗でのロスはほとんど発生しないため、入力信号はバッファ
アンプ105を経て平滑回路106に入力される。
ため、バッファアンプ105の出力は直流電位のみが出力される。これは図4(B)相当
になる。整流された波形は、平滑回路で平滑されたのち、出力端子108に出力される。
ッチという構成を用いることによって、周波数特性を劣化させることなく、絶縁基板上に
TFTを用いて整流回路を構成できる。
このようにして、表示部分と整流回路を絶縁基板上に一体形成した半導体装置を形成す
ることが可能になる。
図2に本発明の第2の実施形態を示す。図2に示す実施形態は増幅回路201、波形整
形回路202、スイッチ204、バッファアンプ205、平滑回路206、入力端子20
7、出力端子208によって構成されている。以下本実施形態の動作について説明をおこ
なう。
路201の出力は波形整形回路202に入力され、波形整形回路202によって、論理信
号に整形される。波形整形された信号はスイッチ204の制御信号として入力され、スイ
ッチ204の接続を切り換える。一方、入力端子207に入力された信号は、増幅回路2
01とともにスイッチ204に入力される。
され、さらにバッファアンプ205を経て平滑回路206に入力される。
9に接続されるため、バッファアンプ205の出力は直流電位のみが出力される。これは
図4(B)相当となる。整流された波形は、平滑回路206で平滑されたのち、出力端子
208に出力される。
という構成を用いることによって、周波数特性を劣化させることなく、絶縁基板上にTF
Tを用いて整流回路を構成できる。
このようにして、表示部分と整流回路を絶縁基板上に一体形成した半導体装置を形成す
ることが可能になる。
ものである。図5に示す実施形態は増幅回路501、波形整形回路502、抵抗503、
アナログスイッチTFT517、518、バッファアンプ505、平滑回路506、入力
端子507、出力端子508によって構成されている。さらに、増幅回路501はTFT
510〜513、電流源514によって構成され、波形整形回路502はインバータ51
5、516によって構成され、平滑回路506は抵抗519、容量520によって構成さ
れる。以下本実施例の動作について説明をおこなう。
路501はTFT512、513によって構成される差動回路とTFT510、511か
ら構成されるカレントミラー回路によって構成される。入力端子507に電源509より
高い電位の信号が入力されるとTFT512、510、511の電流がTFT513の電
流より増加する。そして増幅回路501の出力はハイが出力される。入力端子507に電
源509より低い電位の信号が入力されるとTFT512、510、511の電流がTF
T513の電流より減少する。そして増幅回路501の出力はロウが出力される。
、論理信号に整形される。本実施例では波形整形回路はインバータを用いており、波形整
形された信号はアナログスイッチTFT517、518の制御信号として入力され、アナ
ログスイッチTFT517、518をオンオフする。
フとなる。増幅回路501の出力がロウであるとき、アナログスイッチTFT517、5
18はオンになる。一方、入力端子507に入力された信号は、増幅回路501とともに
抵抗503に入力される。
バッファアンプ505に入力される。このとき、バッファアンプの入力インピーダンスを
抵抗503の抵抗値より十分高く設定しておけば、抵抗でのロスはほとんど発生しないた
め、入力信号はバッファアンプ505を経て平滑回路506に入力される。
電源509に接続されるため、バッファアンプ505の出力は直流電位のみが出力される
。これは図4(B)相当になる。整流された波形は、抵抗519、容量520よりなる平
滑回路506で平滑されたのち、出力端子508に出力される。
スイッチを構成するP型TFT518、N型TFT517のゲート幅は概ね等しいことが
望ましい。
ッチという構成を用いることによって、周波数特性を劣化させることなく、絶縁基板上に
TFTを用いて整流回路を構成できる。
このようにして、表示部分と整流回路を絶縁基板上に一体形成した半導体装置を形成す
ることが可能になる。
波整流された出力波を示す。入力波は入力端子507に入力された1kHz,1Vppの
正弦波の信号であり、出力波は出力端子508から出力された信号である。
出力波は、正弦波の半サイクルおきに一定電位となり、正弦波が正の半サイクルのとき
は同様の波形を出力し、正弦波が負の半サイクルのときは一定電位を出力している。
このように、出力波形を鈍らせることなく周波数特性に優れた整流回路が得られ、本発
明の効果を確認することができた。
ものである。図6に示す実施形態は増幅回路601、波形整形回路602、アナログスイ
ッチTFT617〜620、バッファアンプ605、平滑回路606、入力端子607、
出力端子608によって構成されている。さらに、増幅回路601はTFT610〜61
3、電流源614によって構成され、波形整形回路602はインバータ615、616に
よって構成され、平滑回路606は抵抗621、容量622によって構成される。以下本
実施例の動作について説明をおこなう。
路601はTFT612、613によって構成される差動回路とTFT610、611か
ら構成されるカレントミラー回路によって構成される。入力端子607に電源609より
高い電位の信号が入力されるとTFT612、610、611の電流がTFT613の電
流より増加する。そして増幅回路601の出力はハイが出力される。入力端子607に電
源609より低い電位の信号が入力されるとTFT612、610、611の電流がTF
T613の電流より減少する。そして増幅回路601の出力はロウが出力される。
、論理信号に整形される。本実施例では波形整形回路はインバータを用いており、波形整
形された信号はアナログスイッチTFT617〜620の制御信号として入力され、アナ
ログスイッチTFT617〜620をオンオフする。
フ、619、620はオンとなる。増幅回路601の出力がロウであるとき、アナログス
イッチTFT617、618はオン、619、620はオフになる。一方、入力端子60
7に入力された信号は、増幅回路601とともにアナログスイッチTFT617、618
に入力される。
ファアンプ605に入力され、バッファアンプ605を経て平滑回路606に入力される
。アナログスイッチTFT617、618がオフ、619、620がオンのときはバッフ
ァアンプ605の入力は電源609に接続されるため、バッファアンプ605の出力は直
流電位のみが出力される。これは図4(B)相当になる。整流された波形は、抵抗621
、容量622よりなる平滑回路606で平滑されたのち、出力端子608に出力される。
スイッチを構成するP型TFT618、619、N型TFT617、620のゲート幅は
概ね等しいことが望ましい。
ッチという構成を用いることによって、周波数特性を劣化させることなく、絶縁基板上に
TFTを用いて整流回路を構成できる。
このようにして、表示部分と整流回路を絶縁基板上に一体形成した半導体装置を形成す
ることが可能になる。
す実施形態は増幅回路801、波形整形回路802、スイッチ804、バッファアンプ8
05、平滑回路806、入力端子807、809、出力端子808によって構成されてい
る。以下本実施形態の動作について説明をおこなう。
に入力された信号は増幅回路801によって増幅される。ここで増幅回路801は差動入
力の増幅回路である。増幅回路801の出力は波形整形回路802に入力され、波形整形
回路802によって、論理信号に整形される。波形整形された信号はスイッチ804の制
御信号として入力され、スイッチ804の接続を切り換える。一方、入力端子807、8
09に入力された信号は、増幅回路801とともにスイッチ804に入力される。
ンプ805に入力され、バッファアンプ805を経て平滑回路806に入力される。
ンプ805に入力され、バッファアンプ805を経て平滑回路806に入力される。全波
整流された波形は、平滑回路806で平滑されたのち、出力端子808に出力される。
いう構成を用いることによって、周波数特性を劣化させることなく、絶縁基板上にTFT
を用いて整流回路を構成できる。
このようにして、表示部分と整流回路を絶縁基板上に一体形成した半導体装置を形成す
ることが可能になる。
07、対向基板908、TFT基板上に形成されたソース信号線駆動回路902、ゲート
信号線駆動回路903、画素部904、音声信号回路905、FPC906からなってい
る。音声信号回路はスピーカーを駆動するためのものでメインアンプ909、プリアンプ
910、整流回路911よりなっている。
るものである。ここで、整流回路911は入力された音声信号を整流しその信号レベルを
検出するものである。このようにして、たとえば、音量を自動調整することができる。
このように、本発明を用いることにより、絶縁基板上に、TFTを用いて周波数特性の
良好な整流回路を構成することが可能となる。以上において、音声信号を整流する例を説
明したが、本発明は音声信号に限定されず他の信号を整流することも可能であり、センサ
ーなどを構成することも可能である。
。以下に、本発明の半導体装置を組み込んだ電子機器について説明する。
レイ(ゴーグル型ディスプレイ)、ゲーム機、カーナビゲーション、パーソナルコンピュ
ータ、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話または電子書籍等)、テレビなど
が挙げられる。
キーボード3204、外部接続ポート3205、ポインティングマウス3206等を含ん
でおり、本発明の半導体装置は前記表示部などに使用することが可能である。本発明の整
流回路を有する半導体装置を用いることにより、よりシステマティックな電子機器を構成
することができる。
、操作キー3304、赤外線ポート3305等を含んでおり、本発明の半導体装置は前記
表示部などに使用することが可能である。本発明の整流回路を有する半導体装置を用いる
ことにより、よりシステマティックな電子機器を構成することができる。
あらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。また、本実施例の電子機器は実施
形態1、2、実施例1〜3のどのような組み合わせからなる構成を用いても実現すること
ができる。
102 波形整形回路
103 抵抗
104 スイッチ
105 バッファアンプ
106 平滑回路
107 入力端子
108 出力端子
109 電源
Claims (8)
- 絶縁基板上の整流回路を有し、
前記整流回路は、
第1の信号が入力される第1の入力端子と、
第2の信号が入力される第2の入力端子と、
前記第1の信号と前記第2の信号を比較する増幅回路と、
前記増幅回路の出力信号の波形を整形するための波形整形回路と、
バッファアンプと、
前記第1の入力端子と前記バッファアンプの入力部との間に電気的に接続される第1のスイッチ回路と、
前記第2の入力端子と前記バッファアンプの入力部との間に電気的に接続される第2のスイッチ回路と、を有し、
前記第1のスイッチ回路は、前記波形整形回路の出力信号によって制御され、
前記第2のスイッチ回路は、前記波形整形回路の出力信号によって制御され、
前記第1のスイッチ回路及び前記第2のスイッチ回路の動作により前記第1の信号または前記第2の信号が前記バッファアンプの入力部に出力され、
前記増幅回路、前記波形整形回路、前記第1のスイッチ回路及び前記第2のスイッチ回路は薄膜トランジスタを含むことを特徴とする半導体装置。 - 基板上にソース信号線駆動回路、ゲート信号線駆動回路、画素部、音声信号回路、及びFPCを有し、
前記音声信号回路はメインアンプ、プリアンプ及び整流回路を有し、
前記整流回路は、
第1の信号が入力される第1の入力端子と、
第2の信号が入力される第2の入力端子と、
前記第1の信号と前記第2の信号を比較する増幅回路と、
前記増幅回路の出力信号の波形を整形するための波形整形回路と、
バッファアンプと、
前記第1の入力端子と前記バッファアンプの入力部との間に電気的に接続される第1のスイッチ回路と、
前記第2の入力端子と前記バッファアンプの入力部との間に電気的に接続される第2のスイッチ回路と、を有し、
前記第1のスイッチ回路は、前記波形整形回路の出力信号によって制御され、
前記第2のスイッチ回路は、前記波形整形回路の出力信号によって制御され、
前記第1のスイッチ回路及び前記第2のスイッチ回路の動作により前記第1の信号または前記第2の信号が前記バッファアンプの入力部に出力され、
前記増幅回路、前記波形整形回路、前記第1のスイッチ回路及び前記第2のスイッチ回路は薄膜トランジスタを含むことを特徴とする半導体装置。 - 第1の信号が入力される第1の入力端子と、
第2の信号が入力される第2の入力端子と、
前記第1の信号と前記第2の信号を比較する増幅回路と、
前記増幅回路の出力信号の波形を整形するための波形整形回路と、
バッファアンプと、
前記第1の入力端子と前記バッファアンプの入力部との間に電気的に接続される第1のスイッチ回路と、
前記第2の入力端子と前記バッファアンプの入力部との間に電気的に接続される第2のスイッチ回路と、を有し、
前記第1のスイッチ回路は、前記波形整形回路の出力信号によって制御され、
前記第2のスイッチ回路は、前記波形整形回路の出力信号によって制御され、
前記第1のスイッチ回路及び前記第2のスイッチ回路の動作により前記第1の信号または前記第2の信号が前記バッファアンプの入力部に出力され、
前記増幅回路、前記波形整形回路、前記第1のスイッチ回路及び前記第2のスイッチ回路は薄膜トランジスタを含むことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一において、
前記バッファアンプの出力部に平滑回路が電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項4において、
前記平滑回路は、抵抗と容量を有することを特徴とする半導体装置。 - 第1の信号が入力される第1の入力端子と、
第2の信号が入力される第2の入力端子と、
前記第1の信号と前記第2の信号を比較する増幅回路と、
前記増幅回路の出力信号の波形を整形するための波形整形回路と、
出力端子と、
第1のスイッチ回路と、
第2のスイッチ回路と、を有し、
前記第1の信号は、前記第1のスイッチ回路を介して前記出力端子に出力され、
前記第2の信号は、前記第2のスイッチ回路を介して前記出力端子に出力され、
前記第1のスイッチ回路は、前記波形整形回路の出力信号によって制御され、
前記第2のスイッチ回路は、前記波形整形回路の出力信号によって制御され、
前記第1のスイッチ回路及び前記第2のスイッチ回路の動作により前記第1の信号または前記第2の信号が前記出力端子に出力され、
前記増幅回路、前記波形整形回路、前記第1のスイッチ回路及び前記第2のスイッチ回路は薄膜トランジスタを含むことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至6のいずれか一において、
前記第2の信号は、前記第1の信号の逆相の信号であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至7のいずれか一において、
前記波形整形回路はインバータ回路であることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010138086A JP5159831B2 (ja) | 2003-09-02 | 2010-06-17 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003310767 | 2003-09-02 | ||
JP2003310767 | 2003-09-02 | ||
JP2010138086A JP5159831B2 (ja) | 2003-09-02 | 2010-06-17 | 半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004243828A Division JP4549779B2 (ja) | 2003-09-02 | 2004-08-24 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010226954A JP2010226954A (ja) | 2010-10-07 |
JP5159831B2 true JP5159831B2 (ja) | 2013-03-13 |
Family
ID=34412508
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010138086A Expired - Fee Related JP5159831B2 (ja) | 2003-09-02 | 2010-06-17 | 半導体装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7199637B2 (ja) |
JP (1) | JP5159831B2 (ja) |
CN (1) | CN100580935C (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7199637B2 (en) * | 2003-09-02 | 2007-04-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Rectifier circuit without alternating-current feedback |
JP4549779B2 (ja) * | 2003-09-02 | 2010-09-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
EP1696368B1 (en) * | 2005-02-28 | 2011-11-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
WO2007023417A2 (en) * | 2005-08-22 | 2007-03-01 | Nxp B.V. | Multi-tuner apparatus for receiving rf signals |
US7990182B2 (en) | 2008-03-18 | 2011-08-02 | Standard Microsystems Corporation | Electrical physical layer activity detector |
US10006948B2 (en) * | 2011-02-25 | 2018-06-26 | Veris Industries, Llc | Current meter with voltage awareness |
CN110658805B (zh) * | 2019-09-30 | 2020-12-01 | 天津市盛丹电子技术发展有限公司 | 一种工业建筑消防***信号校准电路 |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4462050A (en) * | 1982-03-10 | 1984-07-24 | Cox J Rodney | Hybrid digital-analog signal recording-playback system |
JPS59126319A (ja) * | 1982-08-31 | 1984-07-20 | Toshiba Corp | チヨツパ形コンパレ−タ |
US4529973A (en) * | 1983-06-08 | 1985-07-16 | Blamberg Siegmar R | School cafeteria sound level monitor |
JPS61151880A (ja) | 1984-12-25 | 1986-07-10 | Nec Home Electronics Ltd | デイジタル磁気再生装置 |
JPH01300606A (ja) | 1988-05-30 | 1989-12-05 | Nec Corp | 半波整流回路 |
JPH01310418A (ja) * | 1988-06-08 | 1989-12-14 | Aretsukusu Denshi Kogyo Kk | 自動力率制御装置 |
JPH01311464A (ja) | 1989-04-04 | 1989-12-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 音声多重録音媒体再生装置 |
JP2895859B2 (ja) * | 1989-05-25 | 1999-05-24 | 三洋電機株式会社 | Fmステレオ受信機 |
JP2650142B2 (ja) | 1989-08-10 | 1997-09-03 | レーム プロパティズ ビーブイ | 支払装置とカード |
JP3100383B2 (ja) | 1989-09-06 | 2000-10-16 | 株式会社リコー | 文字領域分離方法および装置 |
JPH0421361A (ja) | 1990-05-15 | 1992-01-24 | Seiko Instr Inc | 半波整流回路 |
JPH0442474A (ja) | 1990-06-08 | 1992-02-13 | Nec Corp | 磁気ヘッド位置決め回路 |
JPH0497908A (ja) | 1990-08-10 | 1992-03-30 | Lion Corp | ゼオライトの製造方法 |
JPH0745611Y2 (ja) * | 1990-12-28 | 1995-10-18 | 株式会社新潟鉄工所 | 舗装機械の懸架装置 |
JPH07194126A (ja) | 1993-12-28 | 1995-07-28 | Fujitsu Ltd | 半波整流回路 |
US5665611A (en) * | 1996-01-31 | 1997-09-09 | Micron Technology, Inc. | Method of forming a thin film transistor using fluorine passivation |
JP2000020010A (ja) | 1998-07-03 | 2000-01-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表示装置 |
JP2000174282A (ja) * | 1998-12-03 | 2000-06-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP3423248B2 (ja) * | 1999-04-19 | 2003-07-07 | 三洋電機株式会社 | プリアンプ回路 |
US6687380B1 (en) * | 1999-12-17 | 2004-02-03 | Broan-Nutone Llc | Active sub-woofer speaker system |
JP2002229473A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-14 | Canon Inc | 表示装置の製造方法 |
US6850080B2 (en) | 2001-03-19 | 2005-02-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Inspection method and inspection apparatus |
SG117406A1 (en) * | 2001-03-19 | 2005-12-29 | Miconductor Energy Lab Co Ltd | Method of manufacturing a semiconductor device |
JP2002340989A (ja) | 2001-05-15 | 2002-11-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 測定方法、検査方法及び検査装置 |
AU2003214699A1 (en) * | 2002-04-08 | 2003-10-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
JP3093355U (ja) * | 2002-10-10 | 2003-05-09 | アルプス電気株式会社 | 電圧制御発振器 |
SG143934A1 (en) * | 2002-11-08 | 2008-07-29 | Semiconductor Energy Lab | Display appliance |
JP4152797B2 (ja) * | 2003-04-14 | 2008-09-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | アクティブマトリクス型表示装置 |
JP4130388B2 (ja) | 2003-08-04 | 2008-08-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
US7199637B2 (en) | 2003-09-02 | 2007-04-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Rectifier circuit without alternating-current feedback |
-
2004
- 2004-08-13 US US10/917,374 patent/US7199637B2/en active Active
- 2004-09-02 CN CN200410076946A patent/CN100580935C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-03-29 US US11/730,086 patent/US8416220B2/en active Active
-
2010
- 2010-06-17 JP JP2010138086A patent/JP5159831B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010226954A (ja) | 2010-10-07 |
CN1591881A (zh) | 2005-03-09 |
US7199637B2 (en) | 2007-04-03 |
US20070188214A1 (en) | 2007-08-16 |
US20050078495A1 (en) | 2005-04-14 |
CN100580935C (zh) | 2010-01-13 |
US8416220B2 (en) | 2013-04-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5159831B2 (ja) | 半導体装置 | |
US10277119B2 (en) | Charge pump having AC and DC outputs for touch panel bootstrapping and substrate biasing | |
US7791399B2 (en) | Over-voltage protection circuit and LCD driving circuit using the same | |
US10936138B2 (en) | Touch detection circuit and the method of driving the same | |
US10181790B2 (en) | Direct current voltage conversion circuit and liquid crystal display device | |
KR20160106734A (ko) | 지문 인식 센서와 단말 장치 | |
TWI825051B (zh) | 顯示裝置及電子裝置 | |
US20180108308A1 (en) | Dc voltage conversion circuit and liquid crystal display device including the same | |
JP2017215906A (ja) | シリーズレギュレータ及び半導体集積回路 | |
TW200826040A (en) | Driving circuit for liquid crystal panel and liquid crystal display using same | |
JP4188188B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
CN102148006A (zh) | 显示装置和电子设备 | |
JP4549779B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP4130388B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
US10642427B2 (en) | Touch system and power supply circuit thereof | |
US20210096685A1 (en) | Touch panel and controlling method of touch panel | |
US10269317B2 (en) | Gate driving apparatus and array substrate using the same | |
JP4152797B2 (ja) | アクティブマトリクス型表示装置 | |
WO2014121474A1 (zh) | 液晶显示器及其补偿电路、薄膜晶体管的电压的关闭方法 | |
JP4868380B2 (ja) | 可変容量回路及びこれを備える集積回路 | |
US9553578B2 (en) | Transistor switch having constant on resistance with input signal with having variable voltage component | |
WO2018119961A1 (zh) | 触控装置和触控显示*** | |
US7916132B2 (en) | Systems for displaying images and related methods | |
WO2021135741A1 (zh) | Nfc访问控制电路及nfc装置 | |
TW200414672A (en) | Circuitry and method to provide a high speed comparator for an input stage of a low-voltage differential signal receiver circuit |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120522 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120628 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121204 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121211 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5159831 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151221 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151221 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |