JP2012114330A - 電力増幅装置及び連結電力増幅装置 - Google Patents

電力増幅装置及び連結電力増幅装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2012114330A
JP2012114330A JP2010263451A JP2010263451A JP2012114330A JP 2012114330 A JP2012114330 A JP 2012114330A JP 2010263451 A JP2010263451 A JP 2010263451A JP 2010263451 A JP2010263451 A JP 2010263451A JP 2012114330 A JP2012114330 A JP 2012114330A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
source electrode
ground
electrode
gate
drain
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2010263451A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5269045B2 (ja
Inventor
Keiichi Matsushita
景一 松下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2010263451A priority Critical patent/JP5269045B2/ja
Priority to EP11175178.0A priority patent/EP2458634B1/en
Priority to US13/192,751 priority patent/US8482354B2/en
Publication of JP2012114330A publication Critical patent/JP2012114330A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5269045B2 publication Critical patent/JP5269045B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/482Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
    • H01L23/4824Pads with extended contours, e.g. grid structure, branch structure, finger structure
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/482Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
    • H01L23/4821Bridge structure with air gap
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

【課題】ソース電極からビアホールまでの距離をさらに短くし、インダクタンスの影響をできる限り低下させる増幅装置を提供する。
【解決手段】電力増幅装置は、接地のためのビアホールと接続する接地部と、接地部を接続するソース電極接地導体と、ソース電極接地導体に連結したソース電極と、ソース電極接地導体に接触しない内側ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と、内側ソース電極と接地部とを直接接続する接地ブリッジと、を備える。
【選択図】図1

Description

本発明の実施形態は、電力増幅装置及び連結電力増幅装置に関する。
電力増幅素子はドレイン電極と、ゲート電極と、ソース電極とを備える。高周波増幅装置は、高い利得を得るために複数個並列に接続した電力増幅素子を備える。
ここで、この高周波増幅装置の複数のドレイン電極をある方向から接続し、複数のゲート電極を他の方向から接続すると、電力増幅素子の数が4つ以上になる場合に孤立したソース電極が生じ、この孤立したソース電極をどのように接地するかという問題が生じる。
従来の高周波増幅装置は、この孤立したソース電極を接地するために、複数個並列に接続した電力増幅素子の両端のソース電極を接地する連結部とこの孤立したソース電極とをドレイン電極及びゲート電極の対をまたぐようにメッキ配線を接続する。このメッキ配線は空中メッキ配線、乃至エアブリッジと呼ばれる。
特開2001−102393号公報
しかし、エアブリッジを使用すると孤立したソース電極から接地のためのビアホールまでの距離が長くなる。ソース電極からビアホールまでの距離が長くなると、高周波においてはインダクタンスが生じ、高周波増幅装置の利得を低下させるという問題がある。
ソース電極からビアホールまでの距離をさらに短くし、インダクタンスの影響をできる限り低下させる増幅装置が求められている。
上記の課題を解決するために、本発明の一実施形態は基板上に設けられるドレイン電極と、ドレイン電極に接続され、先端がくし状に分岐する複数本のドレインフィンガーと、ドレイン電極に対向して基板上に設けられるゲート電極と、ゲート電極に接続され、各ドレインフィンガーの両側に配置される複数本のゲートフィンガーと、ゲートフィンガーの外側に平行に配置されるソース電極と、ソース電極のうち、ゲート電極の両端に配置されたゲートフィンガーの外側に配置されるソース電極に接続され、ソース電極に平行に配置されるソース電極接地導体と、ソース電極接地導体の両端に接続し、接地のためのビアホールと接続する一対の接地部と、ソース電極のうち、一対のソース電極接地導体の間に配置される内側ソース電極と、内側ソース電極と接地部とを直接接続する接地ブリッジと、を備える電力増幅装置を提供する。
第1の応用例に係る電力増幅装置の構成を示す図である。 第2の応用例に係る電力増幅装置の構成を示す図である。 第3の応用例に係る電力増幅装置の構成を示す図である。 各応用例に共通して実施可能な電力増幅装置の構成を示す図である。 電力増幅装置を複数連結した連結電力増幅装置の例を示す図である。
以下、電力増幅装置の一実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。
本実施形態の電力増幅装置は、基板上に設けられるドレイン電極と、ドレイン電極に接続され、先端がくし状に分岐する複数本のドレインフィンガーと、ドレイン電極に対向して基板上に設けられるゲート電極と、ゲート電極に接続され、各ドレインフィンガーの両側に配置される複数本のゲートフィンガーと、ゲートフィンガーの外側に平行に配置されるソース電極と、ソース電極のうち、ゲート電極の両端に配置されたゲートフィンガーの外側に配置されるソース電極に接続され、ソース電極に平行に配置されるソース電極接地導体と、ソース電極接地導体の両端に接続し、接地のためのビアホールと接続する一対の接地部と、ソース電極のうち、一対のソース電極接地導体の間に配置される内側ソース電極と、内側ソース電極と接地部とを直接接続する接地ブリッジと、を備える。
図1は、本実施形態の第1の応用例に係る電力増幅装置100の構成を示す図である。図1に示すように、電力増幅装置100は、接地のためのビアホール12Aと接続する一対の接地部12と、基板上16に設けられ、この一対の接地部12を接続するソース電極接地導体13と、ソース電極接地導体13に連結したソース電極13Aと、ソース電極接地導体13に接触しない内側ソース電極13Bと、ドレイン電極14と、ゲート電極15と、内側ソース電極13Bと接地部12とを直接接続する接地ブリッジ110と、を備える。
ドレイン電極14は、くしの歯状のドレインフィンガー14Aを複数有する。ゲート電極15は、くしの歯状のゲートフィンガーを複数有する。
ソース電極13Aとゲートフィンガー15A、ゲートフィンガー15Aとドレインフィンガー14A、ドレインフィンガー14Aと内側ソース電極13B、の間にはそれぞれ間隙が設けられる。
接地ブリッジ110は導体により形成される。この導体は金を含む。
電力増幅装置100は接地部12を少なくとも4つ有する。従って、電力増幅装置100はソース電極接地導体13を少なくとも2つ有する。電力増幅装置100はソース電極接地導体13を平行に備える。
電力増幅装置100はドレイン電極14に先端がくしの歯状のドレインフィンガー14Aを備える。電力増幅装置100はゲート電極15に先端がくしの歯状のゲートフィンガー15Aを備える。ゲートフィンガー15Aの数はドレインフィンガー14Aの数の2倍である。
電力増幅装置100は、ソース電極13Aと内側ソース電極13Bとの間に2本のゲートフィンガー15Aを有し、この2本のゲートフィンガー15Aの間に1本のドレインフィンガー14Aを有する。
このように配置すると、図1に記載の例においては、電力増幅装置100はソース電極、ゲート電極、ドレイン電極の組が4組有することとなる。
内側ソース電極13Bと接地部12とは複数のメッキ配線11を含む接地ブリッジ110によって直接接続される。ここで、直接接続するとは、少なくともソース電極接地導体13を介さずに接続することを言う。
内側ソース電極13Bと接地部12とは、内側ソース電極13Bの長手方向中央部と最短距離によって接続される。この場合、4つの接地部12が対角線状に接続される。
電力増幅装置100は、一体形成された接地ブリッジ120を備える。接地ブリッジ120は、内側ソース電極13Bと接続する中間部120Bと、内側ソース電極13Bの長手方向中央部と接地部12とを最短距離に結ぶ直線上に形成される接続ブリッジ部120Aと、を備える。
なお、接地ブリッジ120は、一体形成することができるほか、中間部120Bに後から接続ブリッジ部120Aを接続することにより形成することもできる。中間部120Bの形状には制限はない。中間部120Bは内側ソース電極13Bと同じ形状とすることもできる。
接続ブリッジ部120Aは各接地部12に直接接続される。図2に示す例では、接地ブリッジ120は接続ブリッジ部120Aを4本備える。なお、接続ブリッジ部120Aの数は、設計上の制約の範囲内において増減できる。
以上述べたように第1の応用例においては、電力増幅装置100は内側ソース電極13Bと接地部12とを、内側ソース電極13Bの長手方向中央部と最短距離によって接続する接地ブリッジ110を有する。
従って、内側ソース電極13Bからビアホール12Aまでの距離が最短となり、メッキ配線の設置によるインダクタンスの影響を最小限にすることが可能となり、高周波増幅装置の利得を低下させずに済むという効果がある。
図2は、第2の応用例に係る電力増幅装置100の構成を示す図である。図2に示すように、電力増幅装置100は、接地部12と、ソース電極接地導体13と、ソース電極13Aと、内側ソース電極13Bと、ドレインフィンガー14Aと、ゲートフィンガー15Aと、を第1の応用例と同様に有する。
電力増幅装置100は、一体形成された接地ブリッジ130を備える。接地ブリッジ130は、内側ソース電極13Bと接続する中間部130Bと、内側ソース電極13Bの長手方向端部と最も近い接地部12とを最短距離に結ぶ直線上に形成される接続ブリッジ部130Aと、を備える。
なお、接地ブリッジ130は、一体形成することができるほか、中間部130Bに後から接続ブリッジ部130Aを接続することにより形成することもできる。中間部130Bの形状には制限はない。中間部130Bは内側ソース電極13Bと同じ形状とすることもできる。
接続ブリッジ部130Aは各接地部12に直接接続される。図3に示す例では、接地ブリッジ130は接続ブリッジ部130Aを4本備える。なお、接続ブリッジ部130Aの数は、設計上の制約の範囲内において増減できる。
以上述べたように第2の応用例においては、電力増幅装置100は内側ソース電極13Bと接続する中間部130Bと、内側ソース電極13Bの長手方向端部と最も近い接地部12とを最短距離に結ぶ直線上に形成される接続ブリッジ部130Aと、を備える接地ブリッジ130を有する。
従って、接続ブリッジ部130Aの長さを最短かつ等距離にすることが可能となり、インダクタンスの影響をさらに低下させることができるという効果がある。
図3は、本実施形態の第3の応用例に係る電力増幅装置100の構成を示す図である。図3に示すように、電力増幅装置100は、接地のためのビアホール12Aと接続する一対の接地部12と、基板上16に設けられ、この一対の接地部12を接続するソース電極接地導体13と、ソース電極接地導体13に連結したソース電極13Aと、ソース電極接地導体13に接触しない内側ソース電極13Bと、ドレイン電極14と、ゲート電極15と、内側ソース電極13Bと接地部12とを直接接続する接地ブリッジ140と、を備える。
ドレイン電極14は、くしの歯状のドレインフィンガー14Aを複数有する。ゲート電極15は、くしの歯状のゲートフィンガーを複数有する。
なお、図3においては、内側ソース電極13Bは、後述する中間部140C、140Dに接続されて隠れている。
接地ブリッジ140は導体により形成される。この導体は金を含む。
電力増幅装置100は接地部12を少なくとも4つ有する。従って、電力増幅装置100はソース電極接地導体13を少なくとも2つ有する。電力増幅装置100はソース電極接地導体13を平行に備える。
電力増幅装置100はドレイン電極14に先端がくしの歯状のドレインフィンガー14Aを備える。電力増幅装置100はゲート電極15に先端がくしの歯状のゲートフィンガー15Aを備える。ゲートフィンガー15Aの数はドレインフィンガー14Aの数の2倍である。
電力増幅装置100は、ソース電極13Aとこのソース電極13Aに直近の内側ソース電極13Bとの間、及び隣接する一対の内側ソース電極13Bの間に、それぞれ2本のゲートフィンガー15Aを有し、この2本のゲートフィンガー15Aの間に1本のドレインフィンガー14Aを有する。
このように配置すると、図3に記載の例においては、電力増幅装置100はソース電極、ゲート電極、ドレイン電極の組が8組有することとなる。
電力増幅装置100は、一体形成された接地ブリッジ140を備える。接地ブリッジ140は、中央の内側ソース電極13Bと接続する中間部140Cと、左右の内側ソース電極13Bと接続する中間部140Dと、中央の内側ソース電極13Bの長手方向端部と最も近くの接地部12とを最短距離に結ぶ直線上に形成される接続ブリッジ部140Aと、左右の内側ソース電極13Bの長手方向端部と最も近くの接地部12とを最短距離に結ぶ直線上に形成される接続ブリッジ部140Bと、を備える。
すなわち、電力増幅装置100は、複数の内側ソース電極13Bと、複数の中間部(140C、140D)と、複数の接続ブリッジ部(140A、140B)と、を有する。
なお、接地ブリッジ140は、一体形成することができるほか、中間部140C、140Dに後から接続ブリッジ部140Aを接続することにより形成することもできる。中間部140C及び中間部140Dの形状には制限はない。中間部140C及び中間部140Dは内側ソース電極13Bと同じ形状とすることもできる。
接続ブリッジ部140Aは各接地部12に直接接続される。図3に示す例では、接地ブリッジ140は接続ブリッジ部140Aを4本、接続ブリッジ部140Bを左右の内側ソース電極13Bに2本ずつ計4本備える。なお、接続ブリッジ部140A及び接続ブリッジ部140Bの数は、設計上の制約の範囲内において増減できる。
以上述べたように第3の応用例においては、電力増幅装置100は内側ソース電極13Bと接続する中間部140C、140Dと、内側ソース電極13Bの長手方向端部と最も近い接地部12とを最短距離に結ぶ直線上に形成される接続ブリッジ部140A、140Bと、を備える接地ブリッジ140を有する。
従って、全ての孤立したソース電極を最短かつ等距離に接地部12に接地することが可能となり、孤立したソース電極が増加してもインダクタンスの影響を低下させることができるという効果がある。
図4は、各応用例に共通して実施可能な電力増幅装置100の構成を示す図である。図4においては第1の応用例を例にとって図示してある。図4は、図1におけるAA線断面図である。
図4に示すように、電力増幅装置100においては、接地部12及び内側ソース電極13Bの高さh2は等しく、この高さh2はソース電極13A、ドレインフィンガー14A、及びゲートフィンガー15Aの高さh1より高い。
従って、各接地ブリッジ(110、120、130、140)は側面から見た場合、弧を描くことなく、平面状となる。
よって、内側ソース電極13Bからビアホール12Aまでの距離がさらに短くなり、メッキ配線の設置によるインダクタンスの影響をさらに低減することが可能となり、高周波増幅装置の利得を低下させずに済むという効果がある。
図5は、各応用例に係る電力増幅装置100を複数連結した例を示す図である。図5に示すように、本実施形態に係る電力増幅装置100は複数連結して用いることができる。電力増幅装置100を連結する場合は、一対の接地部12を接続するソース電極接地導体13を隣接する二つの電力増幅装置100が共有するように連結する。連結電力増幅装置200は電力増幅装置100を複数含む。
連結電力増幅装置200は、電力増幅装置100を複数設けるよりもスペースを節約することが可能となるという効果がる。
いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
12:接地部、
12A:ビアホール、
13:ソース電極接地導体、
13A:ソース電極、
13B:内側ソース電極、
14:ドレイン電極、
15:ゲート電極、
100:電力増幅装置、
110、120、130、140:接地ブリッジ、
120B、130B、140C、140D:中間部、
120A、130A、140A、140B:接続ブリッジ部、
200:連結電力増幅装置。

Claims (7)

  1. 基板上に設けられるドレイン電極と、
    前記ドレイン電極に接続され、先端がくし状に分岐する複数本のドレインフィンガーと、
    前記ドレイン電極に対向して前記基板上に設けられるゲート電極と、
    前記ゲート電極に接続され、各前記ドレインフィンガーの両側に配置される複数本のゲートフィンガーと、
    前記ゲートフィンガーの外側に平行に配置されるソース電極と、
    前記ソース電極のうち、前記ゲート電極の両端に配置されたゲートフィンガーの外側に配置されるソース電極に接続され、前記ソース電極に平行に配置されるソース電極接地導体と、
    前記ソース電極接地導体の両端に接続し、接地のためのビアホールと接続する一対の接地部と、
    前記ソース電極のうち、前記一対のソース電極接地導体の間に配置される内側ソース電極と、
    前記内側ソース電極と前記接地部とを直接接続する接地ブリッジと、
    を備える電力増幅装置。
  2. 前記接地ブリッジは、
    前記内側ソース電極と前記接地部とを、前記内側ソース電極の長手方向中央部と前記ビアホールまでの距離が最短距離となるように接続する請求項1記載の電力増幅装置。
  3. 前記接地ブリッジは、
    前記内側ソース電極と前記接地部とを、前記内側ソース電極の長手方向端部と前記ビアホールまでの距離が最短距離となるように接続する請求項1記載の電力増幅装置。
  4. 前記接地ブリッジは、
    前記内側ソース電極と接続し、前記接地部に接続する中間部をさらに備える請求項2又は請求項3に記載の電力増幅装置。
  5. 前記接地ブリッジは、
    前記中間部を複数有する請求項3に記載の電力増幅装置。
  6. 前記接地部及び前記内側ソース電極の高さは、前記ソース電極、前記ドレインフィンガー、及び前記ゲートフィンガーの高さより高い請求項1記載の電力増幅装置。
  7. 基板上に設けられるドレイン電極と、
    前記ドレイン電極に接続され、先端がくし状に分岐する複数本のドレインフィンガーと、
    前記ドレイン電極に対向して前記基板上に設けられるゲート電極と、
    前記ゲート電極に接続され、各前記ドレインフィンガーの両側に配置される複数本のゲートフィンガーと、
    前記ゲートフィンガーの外側に平行に配置されるソース電極と、
    前記ソース電極のうち、前記ゲート電極の両端に配置されたゲートフィンガーの外側に配置されるソース電極に接続され、前記ソース電極に平行に配置されるソース電極接地導体と、
    前記ソース電極接地導体の両端に接続し、接地のためのビアホールと接続する一対の接地部と、
    前記ソース電極のうち、前記一対のソース電極接地導体の間に配置される内側ソース電極と、
    前記内側ソース電極と前記接地部とを直接接続する接地ブリッジと、
    を備える電力増幅装置を、隣接する二つの前記電力増幅装置が前記ソース電極接地導体を共有するように連結する連結電力増幅装置。
JP2010263451A 2010-11-26 2010-11-26 電力増幅装置及び連結電力増幅装置 Expired - Fee Related JP5269045B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010263451A JP5269045B2 (ja) 2010-11-26 2010-11-26 電力増幅装置及び連結電力増幅装置
EP11175178.0A EP2458634B1 (en) 2010-11-26 2011-07-25 Power amplifying device and coupled power amplifying device
US13/192,751 US8482354B2 (en) 2010-11-26 2011-07-28 Power amplifying device and coupled power amplifying device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010263451A JP5269045B2 (ja) 2010-11-26 2010-11-26 電力増幅装置及び連結電力増幅装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012114330A true JP2012114330A (ja) 2012-06-14
JP5269045B2 JP5269045B2 (ja) 2013-08-21

Family

ID=44582283

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010263451A Expired - Fee Related JP5269045B2 (ja) 2010-11-26 2010-11-26 電力増幅装置及び連結電力増幅装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8482354B2 (ja)
EP (1) EP2458634B1 (ja)
JP (1) JP5269045B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8928411B2 (en) * 2012-12-31 2015-01-06 Silicon Image, Inc. Integration of signal sampling within transistor amplifier stage
WO2018185839A1 (ja) * 2017-04-04 2018-10-11 三菱電機株式会社 半導体装置及びその製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07235554A (ja) * 1994-02-24 1995-09-05 Fujitsu Ltd 超高周波装置
JP2000138236A (ja) * 1998-08-26 2000-05-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2008042184A (ja) * 2006-07-12 2008-02-21 Toshiba Corp 高周波用半導体装置
JP2010011469A (ja) * 2000-10-10 2010-01-14 California Inst Of Technology 分布型環状電力増幅器の構造

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0637308A (ja) 1992-07-17 1994-02-10 Murata Mfg Co Ltd 半導体装置
JPH06326330A (ja) * 1993-05-13 1994-11-25 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法
JP3499103B2 (ja) * 1997-02-21 2004-02-23 三菱電機株式会社 半導体装置
JP4743077B2 (ja) * 2006-10-23 2011-08-10 三菱電機株式会社 高周波電力増幅器
JP5381305B2 (ja) 2009-05-08 2014-01-08 富士通株式会社 受信装置、送受信装置、及び伝送システム

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07235554A (ja) * 1994-02-24 1995-09-05 Fujitsu Ltd 超高周波装置
JP2000138236A (ja) * 1998-08-26 2000-05-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2010011469A (ja) * 2000-10-10 2010-01-14 California Inst Of Technology 分布型環状電力増幅器の構造
JP2008042184A (ja) * 2006-07-12 2008-02-21 Toshiba Corp 高周波用半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP5269045B2 (ja) 2013-08-21
EP2458634B1 (en) 2019-12-18
US20120133440A1 (en) 2012-05-31
EP2458634A3 (en) 2013-02-20
EP2458634A2 (en) 2012-05-30
US8482354B2 (en) 2013-07-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6569417B2 (ja) 増幅器
JP5361951B2 (ja) 半導体電力増幅器
JP7025883B2 (ja) コネクタ
JP5269045B2 (ja) 電力増幅装置及び連結電力増幅装置
JP6447318B2 (ja) 光変調器
JP2015171107A (ja) 分布型増幅器
JP5693710B2 (ja) 高周波パッケージ
JP2004112178A (ja) 伝送線路及びそれを有する装置
US10825760B2 (en) Semiconductor chip and semiconductor device provided with same
US10939541B2 (en) Shield structure for a low crosstalk single ended clock distribution circuit
KR101823232B1 (ko) 공통 모드 필터
JP6553531B2 (ja) 半導体装置
WO2021117627A1 (ja) 半導体装置
JP5436063B2 (ja) マイクロ波電力増幅器
JP6740206B2 (ja) 光受信器
JP2018082394A (ja) 増幅器及び送信機
JP6246432B1 (ja) トランジスタ
JP2012090207A (ja) コプレーナ線路のエアブリッジ構造
US7449788B2 (en) Chip structure with arrangement of side pads
JP2011035445A (ja) 高周波回路
US20140197906A1 (en) Common mode filter
JP2005135839A (ja) 差動ケーブル及びその実装方法
JP5610953B2 (ja) プリント配線板及びプリント回路板
JP6419878B2 (ja) 回路基板
JP5855639B2 (ja) 弾性波フィルタ

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120913

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120918

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121114

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130122

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130311

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130409

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130507

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees