JP2012032839A - 表示板及びそれを含む液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】高開口率及び高透過率を実現した液晶表示装置を提供する。
【解決手段】表示板は、基板と、基板上に形成され、互いに対向する一対の第１主辺と第１主辺に接続し、互いに対向する一対の第２主辺を有する画素電極を備え、画素電極の第２主辺はのこぎり状の突出部を含む。
【選択図】図１

Description

本発明は液晶表示装置に関する。

液晶表示装置は現在最も広く使用されている平板表示装置の１つであって、画素電極と共通電極など電場生成電極（ｆｉｅｌｄ ｇｅｎｅｒａｔｉｎｇ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）が形成された２枚の表示板と、その間に入っている液晶層及び表示板外側面に付着された偏光子を備える。液晶表示装置は、電場生成電極に電圧を印加して液晶層に電場を生成し、これによって液晶層の液晶分子の方向を決定し、入射光の偏光を制御することによって映像を表示する。

特に、電場が印加されない状態で液晶分子の長軸を表示板に対して垂直をなすように配列した垂直配向方式（ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ ａｌｉｇｎｅｄ ｍｏｄｅ）の液晶表示装置はコントラスト比が大きく、基準視野角が広いため脚光を浴びている。

垂直配向方式の液晶表示装置で広い基準視野角を実現するための具体的な方法としては、電場生成電極に切開部を形成する方法と、電場生成電極上に突起を形成する方法などがある。切開部及び突起は液晶分子が傾く方向（ｔｉｌｔ ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）を決定するので、これらを適切に配置して液晶分子の傾斜方向を分散させることによって基準視野角を広くすることができる。

一方、液晶分子の傾斜方向は、偏光子の偏光方向と４５°をなすとき最も光効率が良いものと知られ、偏光子は偏光方向がゲート線またはデータ線に平行または垂直になるように付着するのが一般的である。このため、切開部や突起は、ゲート線及びデータ線と４５°をなしながら延びるように形成する。

しかし、画素電極がゲート線及びデータ線に平行な長方形状である液晶表示装置では、隣接した画素電極の間で生じる電場により液晶分子の配列が乱れてテクスチャー（ｔｅｘｔｕｒｅ）が発生し、その結果、透過率が減少するという問題がある。

また、このようなテクスチャーを減らすために共通電極の切開部に画素電極の辺と重畳する部分を設けるが、その場合、開口率が減少する可能性がある。

本発明の目的は、開口率及び透過率を向上させることである。

各画素に形成され、各画素を複数の副領域に区画する第１切開部を有する画素電極と、
前記第１切開部とともに各画素を複数の副領域に区画する第２切開部を有し、前記画素電極と対向する共通電極と、
前記画素電極と前記共通電極の間に位置している液晶層と、
を備え、
前記副領域それぞれは互いに対向する一対の主辺と、これに接続している複数の副辺を有し、
隣接した２つの画素電極にそれぞれ含まれる２つの副領域の主辺は互いにずれており、
前記共通電極は、隣接する画素電極の間隙に位置し、隣り合う画素の前記第２切開部を接続する接続切開部を有することを特徴とする液晶表示装置を提供する。

この発明による液晶表示装置は、共通電極の切開部のうちの縦部を除去し、除去された領域を透過領域として活用することができる。そして、共通電極に画素電極の間隙と対応する接続部を形成することにより、間隙に形成される副電場が副領域の液晶の配向を強化してテクスチャーが減少し、高開口率及び高透過率を実現した液晶表示装置を提供することができる。

本発明の一実施形態による液晶表示装置の配置図である。 図１の液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の配置図である。 図１の液晶表示装置用共通電極表示板の配置図である。 図１の液晶表示装置のIV-IV線に沿った断面図である。 図１の共通電極及び画素電極の配置図である。 図１に示す互いに隣接した画素電極の間を拡大して示す図である。 本発明の他の実施形態による液晶表示装置の配置図である。 図７の液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の配置図である。 図７の液晶表示装置用共通電極表示板の配置図である。 図７の液晶表示装置のX-X線に沿った断面図である。 図６のXI-XI線に沿った断面図である。 図７のXII-XII線に沿った断面図である。 本発明の他の実施形態による液晶表示装置の配置図である。 図１３の液晶表示装置のXIV-XIV線に沿った断面図である。 本発明の他の実施形態による液晶表示装置で、図１のIV-IV線に沿った断面図である。 本発明の他の実施形態による液晶表示装置の配置図である。 図１６の液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板用の薄膜トランジスタ表示板の配置図である。 図１６の液晶表示装置用共通電極表示板の配置図である。 図１６の液晶表示装置をXIX-XIX線に沿って切断した断面図である。 図１６の液晶表示装置をXX-XX線に沿って切断した断面図である。 本発明の他の実施形態による液晶表示装置の配置図である。 図２１の液晶表示装置のXXII-XXII線に沿った断面図である。 図２１のXXIII-XXIII線に沿った断面図である。 図２１に示す液晶表示装置の一つの画素に対する概略的な等価回路図である。 本発明の他の実施形態による液晶表示装置の配置図である。 図２５のXXVI-XXVI線に沿った断面図である。 図２５のXXVII-XXVII線に沿った断面図である。 本発明の他の実施形態による液晶表示装置の配置図である。 図２８のXXIX-XXIX線に沿った断面図である。 図２８の液晶表示装置をXXX-XXX線に沿って切断した断面図である。

以下、添付した図面を参照して、本発明の実施形態を、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。しかし、本発明は、多様な形態で実現することができ、ここで説明する実施形態に限定されない。

図面は、各種層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示している。明細書全体を通じて類似した部分については同一の参照符号を付けている。層、膜、領域、板などの部分が、他の部分の“上に”あるとする時、これは他の部分の“すぐ上に”ある場合に限らず、その中間に更に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“すぐ上に”あるとする時、これは中間に他の部分がない場合を意味する。

図１〜図６を参照して本発明の一実施形態による液晶表示装置を詳細に説明する。

図１は、本発明の一実施形態による液晶表示装置の配置図であり、図２は、図１の液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の配置図であり、図３は、図１の液晶表示装置用共通電極表示板の配置図であり、図４は、図１に示す液晶表示装置のIV-IV線に沿った断面図であり、図５は、図１の共通電極及び画素電極の配置図であり、図６は、図１の互いに隣接した画素電極の間を拡大した図面である。

本実施形態による液晶表示装置は、互いに対向する薄膜トランジスタ表示板１００と共通電極表示板２００及びこれら２つの表示板１００、２００の間に挟持された液晶層３を備える。

まず、図１、図２及び図４を参照して薄膜トランジスタ表示板１００を詳細に説明する。

透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板１１０上に複数のゲート線１２１と複数の維持電極線１３１が形成されている。

ゲート線１２１はゲート信号を伝達し、主に図１の横方向に延びている。各ゲート線１２１は、下上に突出した複数のゲート電極１２４と他の層または外部駆動回路との接続のために広い端部１２９を有する。ゲート信号を生成するゲート駆動回路（図示せず）は、基板１１０上に付着されるフレキシブル印刷回路膜（図示せず）上に装着するか、基板１１０上に直接装着するか、あるいは基板１１０に集積することができる。ゲート駆動回路が基板１１０上に集積する場合、ゲート線１２１を延長して直接接続するように構成できる。

維持電極線１３１は所定電圧の印加を受け、ゲート線１２１にほぼ平行に延びた幹線とこれから分かれた複数の第１、第２、第３及び第４維持電極１３３ａ、１３３ｂ、１３３ｃ、１３３ｄ群、及び複数の接続部（ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ）１３３ｅを含む。維持電極線１３１それぞれは、隣接した２つのゲート線１２１の間に位置し、幹線は２つのゲート線１２１のうちの上側に近い。

第１及び第２維持電極１３３ａ、１３３ｂは、図１の縦方向に延びて互いに対向する。第１維持電極１３３ａは幹線に接続している固定端とその反対側の自由端を有し、自由端は突出部を含む。第３及び第４維持電極１３３ｃ、１３３ｄは概ね第１維持電極１３３ａの中央から第２維持電極１３３ｂの上端及び下端まで斜めに延びている。接続部１３３ｅは隣接した維持電極１３３ａ−１３３ｄ群の間に接続している。しかし、維持電極線１３１の形状及び配置は様々な形態に変形することができる。

ゲート線１２１及び維持電極線１３１は、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金など銀系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金など銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金などモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）及びチタニウム（Ｔｉ）などにより形成することが望ましい。しかし、これらは物理的性質が異なる２つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有しても良い。このうちの１つの導電膜は、信号遅延や電圧降下を減らせるように比抵抗が低い金属、例えば、アルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属などからなる。これに対し、他の導電膜は他の物質、特にＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）及びＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）との物理的、化学的、電気的接触特性に優れた物質、例えばモリブデン系金属、クロム、タンタル、チタニウムなどで構成できる。このような組み合わせの良い例としては、クロム下部膜とアルミニウム（合金）上部膜、及びアルミニウム（合金）下部膜とモリブデン（合金）上部膜がある。しかし、ゲート線１２１及び維持電極線１３１は、この他にも様々な金属または導電体で構成できる。

ゲート線１２１及び維持電極線１３１の側面は基板１１０面に対して傾斜し、その傾斜角は約３０〜８０°であることが望ましい。

ゲート線１２１及び維持電極線１３１上には窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などからなるゲート絶縁膜１４０が形成されている。

ゲート絶縁膜１４０上には水素化非晶質シリコン（非晶質シリコンはａ-Ｓｉと略称する）または多結晶シリコンなどからなる複数の線状半導体１５１が形成されている。線状半導体１５１は、主に図１の縦方向に延びており、ゲート電極１２４に向かって延びた複数の突出部１５４を含む。線状半導体１５１はゲート線１２１及び維持電極線１３１付近で幅が広くなり、これらを幅広く覆う。

半導体１５１上には複数の線状及び島状オーミック接触部材１６１、１６５が形成されている。オーミック接触部材１６１、１６５は、リンなどのｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質からなるか、シリサイドからなることが望ましい。線状オーミック接触部材１６１は複数の突出部１６３を有しており、該突出部１６３と島状オーミック接触部材１６５は対をなして半導体１５１の突出部１５４上に配置される。

半導体１５１とオーミック接触部材１６１、１６５の側面も基板１１０面に対して傾斜しており、その傾斜角は３０°〜８０°程度である。

オーミック接触部材１６１、１６５及びゲート絶縁膜１４０上には、複数のデータ線１７１と複数のドレイン電極１７５及び複数の孤立した金属片（ｉｓｏｌａｔｅｄ ｍｅｔａｌ ｐｉｅｃｅ）１７８が形成されている。

データ線１７１はデータ電圧を伝達し、主に図１の縦方向に延びてゲート線１２１、維持電極線１３１の幹線及び接続部１３３ｅと交差する。各データ線１７１は、ゲート電極１２４に向かって延びＣ字状に折曲した複数のソース電極１７３と他の層または外部駆動回路との接続のために広い端部１７９を有する。データ電圧を生成するデータ駆動回路（図示せず）は、基板１１０上に付着されるフレキシブル印刷回路膜（図示せず）上に装着するか、基板１１０上に直接装着するか、あるいは基板１１０に集積することができる。データ駆動回路を基板１１０上に集積する場合、データ線１７１を延長してそれと直接接続することができる。

ドレイン電極１７５はデータ線１７１と分離され、ゲート電極１２４を中心にソース電極１７３と対向する。各ドレイン電極１７５は広い一端部と棒状である他端部を有し、棒状端部はソース電極１７３に一部囲まれている。

１つのゲート電極１２４、１つのソース電極１７３及び１つのドレイン電極１７５は、半導体の突出部１５４と共に１つの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をなし、薄膜トランジスタのチャンネルは、ソース電極１７３とドレイン電極１７５との間の突出部１５４に形成される。

孤立金属片１７８は第１維持電極１３３ａ付近のゲート線１２１上に位置する。

データ線１７１とドレイン電極１７５及び金属片１７８は、モリブデン、クロム、タンタル及びチタニウムなど耐火性金属、またはこれらの合金からなることが望ましく、耐火性金属膜（図示せず）と低抵抗導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有しても良い。多重膜構造の例としては、クロムまたはモリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）上部膜の二重膜、モリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）中間膜とモリブデン（合金）上部膜の三重膜がある。しかし、データ線１７１とドレイン電極１７５及び金属片１７８は、この他にも様々な金属または導電体からなっても良い。

データ線１７１とドレイン電極１７５及び金属片１７８もその側面が基板１１０面に対して３０°〜８０°程度の角度で傾斜していることが望ましい。

オーミック接触部材１６１、１６５は、その下の半導体１５１とその上のデータ線１７１及びドレイン電極１７５の間にのみ存在し、これらの間の接触抵抗を低くする。大部分の所で線状半導体１５１がデータ線１７１より狭いが、既に説明したように、ゲート線１２１と交わる部分で幅を広く形成することにより、表面の段差形状をゆるやかにすることでデータ線１７１の断線を防止する。半導体１５１には、ソース電極１７３とドレイン電極１７５との間のように、データ線１７１及びドレイン電極１７５で覆われず露出した部分がある。

データ線１７１、ドレイン電極１７５、金属片１７８及び露出した半導体１５１部分上には保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０は無機絶縁物または有機絶縁物などからなり、表面が平坦化されていても良い。無機絶縁物の例としては、窒化ケイ素と酸化ケイ素がある。有機絶縁物は感光性を有することが良く、その誘電定数は約４．０以下であることが望ましい。しかし、保護膜１８０は、有機膜の優れた絶縁特性を生かしながらも露出した半導体１５１部分に害を及ぼさないように、下部無機膜と上部有機膜の二重膜構造を有することが望ましい。

保護膜１８０にはデータ線１７１の端部１７９とドレイン電極１７５をそれぞれ露出させる複数のコンタクトホール（接触孔）１８２、１８５が形成され、保護膜１８０とゲート絶縁膜１４０にはゲート線１２１の端部１２９を露出させる複数のコンタクトホール１８１、第１維持電極１３３ａの自由端の突出部を露出させる複数のコンタクトホール１８３ａ、並びに第１維持電極１３３ａの固定端付近の維持電極線１３１の一部を露出させる複数のコンタクトホール１８３ｂが形成されている。

保護膜１８０上には複数の画素電極１９１、複数の接続ブリッジ（ｏｖｅｒｐａｓｓ）８３及び複数の接触補助部材８１、８２が形成されている。これらはＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質やアルミニウム、銀、クロムまたはその合金などの反射性金属で形成することが望ましい。

画素電極１９１は、コンタクトホール１８５を介してドレイン電極１７５と物理的・電気的に接続しており、ドレイン電極１７５からデータ電圧の印加を受ける。データ電圧が印加された画素電極１９１は、共通電圧の印加を受ける共通電極表示板２００の共通電極２７０と共に電場を生成することによって２つの電極１９１、２７０の間の液晶層３の液晶分子３１の方向を決定する。このように決定された液晶分子３１の方向によって液晶層３を通過する光の偏光が変わる。画素電極１９１と共通電極２７０はキャパシタ（以下、“液晶キャパシタ”という）をなし薄膜トランジスタがターンオフされた後にも印加された電圧を維持する。

画素電極１９１は、維持電極１３３ａ−１３３ｄを始めとする維持電極線１３１と重畳する。画素電極１９１及びこれに電気的に接続しているドレイン電極１７５が維持電極線１３１と重畳してなるキャパシタをストレージキャパシタと言い、ストレージキャパシタは液晶キャパシタの電圧維持能力を強化する。

画素電極１９１には中央切開部９１、下部切開部９２ａ及び上部切開部９２ｂが形成され、画素電極１９１はこの切開部９１−９２ｂによって複数の領域に分割される。切開部９１−９２ｂは、画素電極１９１を二等分する仮想の横中心線に対してほぼ反転対称をなす。

下部及び上部切開部９２ａ、９２ｂはほぼ画素電極１９１の右側辺から左側辺に斜めに延びており、第４及び第３維持電極１３３ｄ、１３３ｃとそれぞれ重畳する。下部及び上部切開部９２ａ、９２ｂは画素電極１９１の横中心線に対して下半部と上半部にそれぞれ位置している。下部及び上部切開部９２ａ、９２ｂはゲート線１２１に対して約４５°をなし、互いに垂直に延びている。

中央切開部９１は画素電極１９１の横中心線に沿って延びており、右辺側に入口を有する。中央切開部９１の入口は下部切開部９２ａと上部切開部９２ｂにそれぞれほぼ平行な一対の斜辺を有する。

よって、画素電極１９１の下半部は下部切開部９２ａによって２つの領域に分かれ、上半部も上部切開部９２ｂによって２つの領域に分割される。

図５に示すように、各画素電極１９１は互いに対向する一対の第１主辺１９３、１９４とこれに接続している一対の第２主辺１９５、１９６を有する。第１主辺１９３、１９４はゲート線１２１にほぼ平行であり、第２主辺１９５、１９６はデータ線１７１にほぼ平行な内側及び外側の包絡線（ｅｎｖｅｌｏｐｅ）９５１、９５２、９６１、９６２を有し、第１主辺１９３、１９４と第２主辺１９５、１９６の内側または外側の包絡線９５１、９６１、９５２、９６２はほぼ長方形をなす。画素電極１９１の左側角は面取りされて斜辺１９３ｃ、１９４ｃをなし、面取りされた斜辺１９３ｃ、１９４ｃはゲート線１２１に対して約４５°の角度をなす。

画素電極１９１の第２主辺１９５、１９６は内側の包絡線９５１、９６１上に位置する複数の縦線分９１５、９２５とこれから外側に突出した複数ののこぎり状部分９１０、９２０を有し、画素電極１９１の横中心線に対してほぼ対称である。

それぞれののこぎり状部分９１０、９２０は互いに対向する第１斜辺９１１、９２１及び第２斜辺９１２、９２２、並びにこれらを連結し外側の包絡線９５２、９６２上に位置する上辺９１３、９２３を有する。第１斜辺９１１、９２１は縦線分９１５、９２５と約１３５°より大きい鈍角をなして交わり、第２斜辺９１２、９２２は縦線分９１５、９２５と約４５°の角度をなし、第１斜辺９１１、９２１と第２斜辺９１２、９２２の延長線は約４５°より小さい鋭角をなしながら互いに交わる。また、第２斜辺９１２、９２２は下部及び上部切開部９２ａ、９２ｂと実質的に平行で、切開部９２ａ、９２ｂの延長線上にあり、第１斜辺９１１、９２１は下部及び上部切開部９２ａ、９２ｂと約４５°より小さい角度または１３５°より大きい角度をなす。

のこぎり状部分９１０、９２０の上部、つまり、上辺９１３、９２３付近はデータ線１７１と重畳し、データ線１７１を中心に左側に位置した画素電極１９１の右側辺１９６ののこぎり状部分９２０と、右側に位置した画素電極１９１ののこぎり状部分９１０は噛み合うように配置されている。また、互いに噛み合うのこぎり状部分９１０、９２０の対向する辺は互いに平行である。

のこぎり状部分９１０、９２０の数は、切開部９１−９２ｂによって分れる画素電極１９１領域の数または切開部の数と密接な関係があり、画素電極１９１領域の数及びのこぎり状部分９１０、９２０の数は、画素電極１９１の大きさ、画素電極１９１の横辺と縦辺との長さの比率、液晶層３の種類や特性など設計要素によって異なる。

接続ブリッジ８３はゲート線１２１を横切り、ゲート線１２１を間に介在し反対側に位置するコンタクトホール１８３ａ、１８３ｂを介して維持電極線１３１の露出した部分と第１維持電極１３３ａの自由端の露出した端部に接続している。維持電極１３３ａ、１３３ｂを始めとする維持電極線１３１は、接続ブリッジ８３と共にゲート線１２１やデータ線１７１、または薄膜トランジスタの欠陥修理に使用できる。

接触補助部材８１、８２はそれぞれコンタクトホール１８１、１８２を介してゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９に接続している。接触補助部材８１、８２は、ゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９と外部装置との接着性を補完し、これらを保護する。

以下、図１、図３及び図４を参照して共通電極表示板２００について説明する。

透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板２１０上に遮光部材２２０が形成されている。遮光部材２２０はブラックマトリクスとも言い、画素電極１９１の間の光漏れを防止する。遮光部材２２０は画素電極１９１と対向し、ほぼ長方形状である複数の開口部２２５を有する。遮光部材２２０のデータ線１７１と対応する部分２２１の幅（Ｗ）はデータ線１７１の幅とほぼ同一であり（ただし、表示板１００、２００の整列誤差を考慮できる）、遮光部材２２０は、データ線１７１の外に突出した噛み合うのこぎり状部分９１０、９２０の間の空間を遮る拡張部２２２を含む。遮光部材２２０は、薄膜トランジスタに対応する部分をさらに含むことが望ましい。

また、基板２１０上には、複数のカラーフィルタ２３０が形成されている。カラーフィルタ２３０は遮光部材２３０に囲まれた領域内に大部分存在し、画素電極１９１の列に沿って縦方向に長く延びることが望ましい。各カラーフィルタ２３０は、赤色、緑色及び青色の三原色など基本色のうちの１つを表示できる。

カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０上にはオーバーコート膜２５０が形成されている。オーバーコート膜２５０は（有機）絶縁物からなることが望ましく、カラーフィルタ２３０が露出することを防止し、平坦面を提供する。オーバーコート膜２５０は省略可能である。

オーバーコート膜２５０上には共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０はＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明な導電体などからなり、共通電極２７０には複数の切開部７１、７２ａ、７２ｂ群が形成されている。

１つの切開部７１−７２ｂ群は、１つの画素電極１９１と対向し、中央切開部７１、下部切開部７２ａ及び上部切開部７２ｂを含む。切開部７１−７２ｂそれぞれは画素電極１９１の隣接切開部９１−９２ｂの間または切開部９２ａ、９２ｂと画素電極１９１の面取りされた斜辺の間に配置されている。また、各切開部７１−７２ｂは画素電極１９１の下部切開部９２ａまたは上部切開部９２ｂにほぼ平行に延びており、少なくとも１つの斜線部を含み、各斜線部には凹まれた少なくとも１つのノッチ（ｎｏｔｃｈ）７がある。切開部７１−７２ｂは、画素電極１９１の横中心線に対してほぼ反転対称をなす。

下部及び上部切開部７２ａ、７２ｂそれぞれは斜線部及び横部を含む。斜線部は大略画素電極１９１の上側辺または下側辺から左側辺に延びており、画素電極１９１の縦辺と重畳する。斜線部の対向する長い辺は大略画素電極１９１突出部の第１及び第２斜辺９１１、９１２、９２１、９２２またはその延長線と会うか、またはその延長線上にある。横部は斜線部の各端から画素電極１９１の横辺に沿って横辺と重畳しながら延びており、斜線部と鈍角をなす。

中央切開部７１は中央横部及び一対の斜線部を含む。中央横部は概ね画素電極１９１の左側辺から画素電極１９１の横中心線に沿って右側に延びる。一対の斜線部は、中央横部の端から画素電極１９１の右側辺に向かって中央横部と鈍角をなしながら、それぞれ下部及び上部切開部７２ａ、７２ｂにほぼ平行に延びる。

また、切開部７１−７２ｂの数も設計要素によって異なり、遮光部材２２０が切開部７１−７２ｂと重畳して切開部７１−７２ｂ付近の光漏れを遮断することができる。共通電極２７０上には絶縁物質からなり、２つの表示板１００、２００の間の間隔を一定に維持するための間隔材３２０が形成されている。

表示板１００、２００の内側面には配向膜１１、２１が塗布されており、これらは垂直配向膜であっても良い。表示板１００、２００の外側面には偏光子１２、２２が備えられており、２つの偏光子１２、２２の偏光軸は直交し、斜線切開部９２ａ、９２ｂ及び切開部７１−７２ｂの斜線部とほぼ４５°の角度をなすことが良い。反射型液晶表示装置の場合、２つの偏光子１２、２２のうちの１つが省略可能である。

本実施形態による液晶表示装置は、液晶層３の遅延を補償するための位相遅延膜（図示せず）をさらに含むことが望ましい。さらに、液晶表示装置は、偏光子１２、２２、位相遅延膜、表示板１００、２００及び液晶層３に光を供給する照明部（図示せず）を含むことが望ましい。

液晶層３は負の誘電率異方性を有し、液晶層３の液晶分子３１は電場がない状態でその長軸が２つの表示板１００、２００の表面に対してほぼ垂直をなすように配向される。このため、入射光は直交偏光子１２、２２を通過できず遮断される。

共通電極２７０に共通電圧を印加し、画素電極１９１にデータ電圧を印加すれば、表示板１００、２００の表面にほぼ垂直である主電場が生成される（以下、画素電極１９１と共通電極２７０をひっくるめて電場生成電極という）。液晶分子３１は電場に応答してその長軸が電場の方向に垂直をなすように方向を変えようとする。

図１及び図５に示すように、１つの切開部群７１−７２ｂ、９１−９２ｂは画素電極１９１を複数の副領域に区画し、各副領域は画素電極１９１の第１主辺１９３、１９４と斜角をなす２つの主辺と、画素電極１９１の辺１９３−１９６の一部である副辺を有する。各副領域の主辺の１つは画素電極１９１の切開部９１−９２ｂの一辺とのこぎり状部分９１０、９２０の第２斜辺９１２、９２２が交わることにより構成されるか、あるいは面取りされた斜辺１９３ｃ、１９４ｃで構成され、主辺のもう１つは共通電極２７０の切開部７１−７２ｂの斜線部の一辺単独で構成されるか、切開部７１−７２ｂの斜線部とのこぎり状部分９１０、９２０の第２斜辺９１２、９２２が交わることにより構成される。このため、各副領域の主辺の長さは互いに異なり、隣接した副領域の隣接した主辺が互いにずれている。各副領域の副辺の１つは画素電極１９１ののこぎり状部分９１０、９２０の第１斜辺９１１、９２１であり、１３５°より大きい角度で主辺と交わる。主辺は偏光子１２、２２の偏光軸と約４５°をなし、これは光効率を最大にするためである。

ところが、主辺が副辺より極めて長く、副辺のうちの少なくとも１つは１３５°より大きい角度で主辺と交わるため、これら副領域上の主電場は、主辺に垂直な水平成分が主辺に平行な水平成分より極めて大きい。このため、各副領域上の液晶分子３１は大部分主辺に垂直な方向に傾く。

各副領域上の液晶分子３１は大部分主辺に垂直な方向に傾き、傾く方向は概ね４つの方向である。このように液晶分子３１が傾く方向を多様にすることによって液晶表示装置の基準視野角が大きくなる。

図６に示すように、画素電極１９１の間の電圧差によって副次的に生成される副電場Ｅ１、Ｅ２の方向は、主に副領域の１つの副辺、つまり、のこぎり状部分９１０、９２０の第１斜辺９１１、９２１と垂直である。よって、副電場Ｅ１、Ｅ２の方向は主電場の水平成分方向と約１５°より小さい角度をなす。結局、画素電極１９１の間の副電場は液晶分子３１の傾斜方向の決定を強化する方向に作用する。

このように、画素電極１９１の横辺に切開部９１−９２ｂ、７１−７２ｂと１３５°より大きい角度をなす斜辺９１１、９２１を有するのこぎり９１０、９２０を設けることで、画素電極１９１の縦辺１９５、１９６付近の主電場の水平成分方向及び副電場の方向を副領域中央の主電場の水平成分方向に近づけ、隣接する画素電極１９１の距離を短くして副電場の強さを強くすると、画素電極１９１ののこぎり状部分９１０、９２０付近に位置する液晶分子の傾斜方向が副領域中央の液晶分子の傾斜方向とほぼ一致し、のこぎり状部分９１０、９２０付近も有効表示領域として活用することができる。

これにより、のこぎり状部分９１０、９２０を設けない時に比べて有効表示領域が広くなり透過率が向上し、共通電極２７０の切開部７１−７２ｂに画素電極１９１の縦辺と重畳する部分を設けなくて済み、開口率が向上する。

一方、画素電極１９１の切開部のうちの斜線切開部に位置する液晶分子については、配向方向を速やかに決定できずテクスチャーが発生する可能性があるが、斜線方向に延びる第３及び第４維持電極１３３ｃ、１３３ｄがこの部分の液晶を制御する制御用電極として作用し、斜線切開部９２ａ、９２ｂの中央部で発生するテクスチャーを減少させることができる。

切開部７１−７２ｂ、９１−９２ｂの幅は約９μｍ〜約１２μmであることが望ましい。

共通電極２７０の切開部７１−７２ｂのノッチ７は切開部７１−７２ｂ上に位置した液晶分子３１の傾斜方向を決定する。ノッチ７は画素電極１９１の切開部９１−９２ｂに形成しても良い。

切開部７１−７２ｂ、９１−９２ｂ及びノッチ７の形状及び配置は様々な形態に変形することができる。

少なくとも１つの切開部７１−７２ｂ、９１−９２ｂは、突起（図示せず）や陥没部（図示せず）で代替しても良い。突起は有機物または無機物からなることが望ましく、電場生成電極１９１、２７０の上または下に配置される。

図７は、本発明の他の実施形態による液晶表示装置の配置図であり、図８は、図７の液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の配置図であり、図９は、図７の液晶表示装置用共通電極表示板の配置図であり、図１０は、図７の液晶表示装置のX-X線に沿った断面図である。

図７〜図１０に示すように、本発明の一実施形態による液晶表示装置は、互いに対向する薄膜トランジスタ表示板１００と共通電極表示板２００及びこれら２つの表示板１００、２００の間に挟持された液晶層３を備える。

まず、図７、図８及び図１０を参照して薄膜トランジスタ表示板１００について説明する。

透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板１１０上に複数のゲート線１２１及び複数の維持電極線１３１が形成されている。

ゲート線１２１はゲート信号を伝達し、主に図７横方向に延びている。各ゲート線１２１は上方に突出した複数のゲート電極１２４と他の層または外部駆動回路との接続のために広い端部１２９を有する。維持電極線１３１は所定の電圧の印加を受け、ゲート線１２１にほぼ平行に延びる。各維持電極線１３１は、隣接した２つのゲート線１２１の間に位置し、２つのゲート線１２１とほぼ同一の距離を置く。維持電極線１３１は下上に拡張した維持電極１３７を含む。しかし、維持電極線１３１の形状及び配置は様々な形態に変形することができる。

ゲート線１２１及び維持電極線１３１の側面は基板１１０面に対して傾斜しており、その傾斜角は約３０〜８０°であることが望ましい。

ゲート線１２１及び維持電極線１３１上には窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などからなるゲート絶縁膜１４０が形成されている。

ゲート絶縁膜１４０上には水素化非晶質シリコンまたは多結晶シリコンなどからなる複数の島状半導体１５４が形成されている。半導体１５４はゲート電極１２４上に位置し、ゲート線１２１の境界を覆う延長部（ｅｘｔｅｎｓｉｏｎ）を含む。半導体１５４上には複数の島状オーミック接触部材１６３、１６５が形成されている。オーミック接触部材１６３、１６５はリンなどのｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質からなるか、シリサイドからなることが望ましい。オーミック接触部材１６３、１６５は対をなして半導体１５４上に配置されている。

半導体１５４とオーミック接触部材１６３、１６５の側面も基板１１０面に対して傾斜しており、その傾斜角は３０〜８０°の範囲である。

オーミック接触部材１６３、１６５及びゲート絶縁膜１４０上には複数のデータ線１７１及び複数のドレイン電極１７５が形成されている。

データ線１７１はデータ電圧を伝達し、主に図７の縦方向に延びてゲート線１２１及び維持電極線１３１と交差する。各データ線１７１はゲート電極１２４に向かって延びた複数のソース電極１７３と他の層または外部駆動回路との接続のために広い端部１７９を有する。ドレイン電極１７５はデータ線１７１と分離されており、ゲート電極１２４を中心にソース電極１７３と対向する。各ドレイン電極１７５は広い面積の一端部１７７と棒状の他端部を有する。棒状端部はＵ字状に形成されたソース電極１７３に一部囲まれている。

データ線１７１及びドレイン電極１７５もその側面が基板１１０面に対して３０〜８０°の角度で傾斜していることが望ましい。

オーミック接触部材１６３、１６５はその下部の半導体１５４とその上のデータ線１７１及びドレイン電極１７５の間にのみ存在し、接触抵抗を低くする。

データ線１７１、ドレイン電極１７５及び露出した半導体１５４部分上には保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０は無機絶縁物または有機絶縁物などからなり、表面が平坦化しても良い。

保護膜１８０にはデータ線１７１の端部１７９とドレイン電極１７５をそれぞれ露出させる複数のコンタクトホール１８２、１８５が形成され、保護膜１８０とゲート絶縁膜１４０にはゲート線１２１の端部１２９を露出させる複数のコンタクトホール１８１が形成されている。

保護膜１８０上には複数の画素電極１９１及び複数の接触補助部材８１、８２が形成されている。これらはＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質やアルミニウム、または銀合金などの反射性金属からなることが望ましい。

画素電極１９１はコンタクトホール１８５を介してドレイン電極１７５と物理的・電気的に接続しており、ドレイン電極１７５からデータ電圧の印加を受ける。画素電極１９１は維持電極１３７を始めとする維持電極線１３１と重畳する。

各画素電極１９１は互いに対向する一対の第１主辺１９３、１９４と、これら第１主辺１９３、１９４に接続しており、複数ののこぎり状部分９０とこののこぎり状部分９０との間を接続する底辺９０ｃを含む第２主辺を有する。ここで、のこぎり状部分９０は第１主辺１９３、１９４に対して傾斜した第１斜辺９０ａと第２斜辺９０ｄ、及び第１斜辺９０ａと第２斜辺９０ｄの間を接続する上辺９０ｂを有する。第１主辺１９３、１９４はゲート線１２１に平行である。第１主辺１９３、１９４と第２主辺はほぼ長方形をなし、画素電極１９１の４つの角は面取りされてゲート線１２１に対して約４５°の角度をなす。

第１斜辺９０ａはデータ線１７１と一部分が重畳し、隣接する２つの画素電極１９１の第１斜辺９０ａは互いに対向し、平行となっている。

画素電極１９１には第１及び第２中央切開部９１、９２、下部斜線切開部９３ａ、９４ａ、９５ａ及び上部斜線切開部９３ｂ、９４ｂ、９５ｂが形成され、画素電極１９１はこの切開部９１〜９５ｂにより複数の副領域に分割される。切開部９１〜９５ｂは維持電極線１３１に対してほぼ反転対称をなす。下部及び上部斜線切開部９３ａ〜９５ａ、９３ｂ〜９５ｂはほぼ画素電極１９１の右側辺から左側辺、上側辺または下側辺に斜めに延びている。下部及び上部斜線切開部９３ａ〜９５ａ、９３ｂ〜９５ｂは、維持電極線１３１に対して下半部と上半部にそれぞれ位置している。下部及び上部斜線切開部９３ａ〜９５ａ、９３ｂ〜９５ｂはゲート線１２１に対して約４５°の角度をなし、互いに垂直に延びている。下部及び上部斜線切開部９３ａ〜９５ａ、９３ｂ〜９５ｂは画素電極１９１の左側辺または右側辺に入口を有し、入口は凹部９０ｃに接続することが望ましい。

第２主辺ののこぎり９０を構成する第１斜辺９０ａは、画素電極１９１の斜線切開部９３ａ〜９５ａ、９３ｂ〜９５ｂと鈍角をなし、第２斜辺９０ｄは斜線切開部９３ａ〜９５ａ、９３ｂ〜９５ｂにほぼ平行である。

第１中央切開部９１は、維持電極線１３１に沿って延びており、左辺側に入口を有する。そして、第２中央切開部９２は多角形で画素電極１９１の左側辺に位置した上下の角が突き出されている。

これにより、画素電極１９１の下半部は下部切開部９３ａ〜９５ａによって４個の領域に分割され、上半部も上部切開部９２ｂ〜９５ｂによって４個の領域に分割される。この時、領域の数または切開部の数は、画素の大きさ、画素電極の横辺と縦辺との長さ比率、液晶層３の種類や特性など設計要素によって異なる。

接触補助部材８１、８２はコンタクトホール１８１、１８２を介して各々ゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９に接続している。

以下、図７、図９及び図１０を参照して、共通電極表示板２００について説明する。

透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板２１０上に遮光部材２２０が形成されている。遮光部材２２０はデータ線１７１に対応する線状部分２２１、一部分が拡張された拡張部２２２と薄膜トランジスタに対応する面状部分２２３を有し、画素電極１９１の間の光漏れを防止し、画素電極１９１と対向する開口領域を定義する。しかし、遮光部材２２０は画素電極１９１と対向し画素電極１９１とほぼ同一形状である複数の開口部（図示せず）を有することが望ましい。

また、基板２１０上には、複数のカラーフィルタ２３０が形成されている。カラーフィルタ２３０は遮光部材２３０に囲まれた領域内に大部分存在し、画素電極１９１列に沿って縦方向に長く延びることが望ましい。各カラーフィルタ２３０は、赤色、緑色及び青色の三原色など基本色のうちの１つを表示できる。

カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０上にはオーバーコート膜２５０が形成されている。オーバーコート膜２５０は（有機）絶縁物からなることが望ましく、カラーフィルタ２３０が露出することを防止し、平坦面を提供する。オーバーコート膜２５０は省略可能である。

オーバーコート膜２５０上には共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０はＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明な導電体などからなる。

共通電極２７０には複数の切開部７１、７２ａ、７２ｂ、７３ａ、７３ｂ、７４ａ、７４ｂ、７５が形成されている。

１つの切開部群７１〜７５は、１つの画素電極１９１と対向し、中央切開部７１、第１〜第３下部斜線切開部７２ａ、７３ａ、７４ａ、第１〜第３上部斜線切開部７２ｂ、７３ｂ、７４ｂ及び接続部７５を有する。切開部７１〜７４ｂそれぞれは画素電極１９１の隣接切開部９１、９２、９３ａ、９３ｂ、９４ａ、９４ｂ、９５ａ、９５ｂの間または切開部９１、９２、９３ａ、９３ｂ、９４ａ、９４ｂ、９５ａ、９５ｂと画素電極１９１の面取りされた斜辺の間に配置されている。また、各切開部７１〜７４ｂは、画素電極１９１の下部切開部９３ａ、９４ａ、９５ａまたは上部切開部９３ｂ、９４ｂ、９５ｂに平行に延びた少なくとも１つの斜線部を含む。

第１下部及び第１上部斜線切開部７２ａ、７２ｂはほぼ画素電極１９１の右側辺から画素電極１９１の左側辺に延びており、第２下部及び第２上部斜線切開部７３ａ、７３ｂは画素電極１９１の右側辺から画素電極１９１の左上また左下角に延びている。そして、第３下部及び第３上部斜線切開部７４ａ、７４ｂは画素電極１９１の右側辺から画素電極１９１の上側辺または下側辺に延びており、第３下部及び第３上部斜線切開部７４ａ、７４ｂの各端から画素電極１９１の辺に沿って重畳しながら延びた縦断横部を含む。縦断横部は斜線切開部７４ａ、７４ｂと鈍角をなす。

中央切開部７１は中央横部、一対の斜線部を含む。中央横部はほぼ画素電極１９１の右側辺から維持電極線１３１に沿って左側に延びており、一対の斜線部は中央横部の端から画素電極１９１の左側辺に向かって各々下部及び上部斜線切開部７２ａ〜７４ｂにほぼ平行に延びる。

中央切開部７１のうちの斜線部の一端と隣り合う画素電極の第２下部切開部７３ａの一端、中央切開部７１の他の斜線部の一端と隣り合う画素電極の第２上部切開部７３ｂの一端、第１下部斜線切開部７２ａの一端と隣り合う画素電極の第３下部斜線切開部７４ａの一端、及び第１上部斜線切開部７２ｂの一端と隣り合う画素電極の第３上部斜線切開部７４ｂの一端はそれぞれ接続部７５に接続している。接続部７５は画素電極１９１の第１斜辺９０ａに平行であり、データ線１７１と対応する部分に位置する。接続部７５の幅は画素電極１９１と画素電極１９１の間の間隔より約８μｍ広く、遮光部材２２０の拡張部２２２は接続部７５と対応し他の部分より幅が広いことが望ましい。

このように、画素電極１９１の辺のうちデータ線１７１と隣接する辺をのこぎり状に形成することで、図１〜図４を用いて実施形態について説明したように、隣接する画素電極１９１の間に形成される副電場は、副領域の液晶の配向を強化する方向に作用する。また、隣接する２つの画素電極１９１の第１斜辺９０ａが対向する領域と対応する位置に接続部７５を設けることで、副領域の液晶の配向を一段と強化することができる。

このような効果に関して図１１及び図１２を参照して説明する。

図１１は、図６のXI-XI線に沿った断面図であり、図１２は、図７のXII-XII線に沿った断面図である。

図１１に示すように、画素電極１９１と共通電極２７０の間に形成される電場は、隣接する画素電極１９１の境界部で副領域の液晶の均一な配向を妨害する方向の副電場を有する。このため、副領域内部で液晶の衝突が生じ、液晶の配向が乱れる可能性がある。

しかし、本発明の実施形態のように、２つの画素電極１９１の第１斜辺９０ａが互いに対向する領域と対応する位置に接続部７５を形成すれば、図１２に示すように、共通電極２７０の接続部７５によって共通電極２７０と画素電極１９１の間に形成される電場の方向が変化し、副領域の液晶の均一な配向を強化する方向の副電場が形成される。これにより、図１１のような液晶衝突が発生せず、テクスチャーが減少する。

なお、各切開部７１〜７４ｂには一定の距離を置いて規則的に配置された複数の凹んだノッチ７を有することが望ましい。

切開部７１〜７５の数及び方向は、設計要素によって異なる。

表示板１００、２００の内側面には配向膜１１、２１が塗布され、これらは垂直配向膜であっても良い。表示板１００、２００の外側面には偏光子（図示せず）が設けられており、２つの偏光子の透過軸は直交し、そのうちの一透過軸はゲート線１２１に対して平行であることが望ましい。反射型液晶表示装置の場合、２つの偏光子のうちの１つは省略可能である。

液晶表示装置は、偏光子、表示板１００、２００及び液晶層３に光を供給する照明部（図示せず）を含むことが望ましい。

液晶層３は負の誘電率異方性を有し、液晶層３の液晶分子は電場がない状態でその長軸が２つの表示板１００、２００の表面に対して垂直をなすように配向されている。このため、入射光は直交偏光子を通過できず遮断される。

前述した実施形態は、以下に示す実施形態にも同様に適用できる。

以下、本発明の他の実施形態による液晶表示装置について図１３及び図１４を参照して詳細に説明する。

図１３は、本発明の他の実施形態による液晶表示装置の配置図であり、図１４は、図１３の液晶表示装置のXIV-XIV線に沿った断面図である。

図１３及び図１４に示すように、本発明の一実施形態による液晶表示装置も互いに対向する薄膜トランジスタ表示板１００と共通電極表示板２００、これら表示板１００、２００の間に挟持された液晶層３、及び表示板１００、２００の外面に付着された一対の偏光子１２、２２を含む。

本実施形態による表示板１００、２００の層状構造は、概ね図１〜図４に示すものと同様である。

薄膜トランジスタ表示板１００について、基板１１０上に複数のゲート線１２１及び複数の維持電極線１３１が形成されている。ゲート線１２１は複数のゲート電極１２４と端部１２９を含み、維持電極線１３１は複数の維持電極１３３ａ−１３３ｄ及び複数の接続部１３３ｅを含む。ゲート線１２１及び維持電極線１３１上にはゲート絶縁膜１４０、突出部１５４を含む複数の線状半導体１５１、突出部１６３を含む複数の線状オーミック接触部材１６１及び複数の島状オーミック接触部材１６５が順に形成されている。

オーミック接触部材１６１、１６５上には、ソース電極１７３及び端部１７９を含む複数のデータ線１７１、複数のドレイン電極１７５及び複数の孤立金属片１７８が形成され、その上に保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０及びゲート絶縁膜１４０には複数のコンタクトホール１８１、１８２、１８３ａ、１８３ｂ、１８５が形成されている。保護膜１８０上には切開部９１−９２ｂを有する複数の画素電極１９１、複数の接続ブリッジ８３及び複数の接触補助部材８１、８２が形成され、その上には配向膜１１が形成されている。

共通電極表示板２００については、遮光部材２２０、複数のカラーフィルタ２３０、オーバーコート膜２５０、切開部７１−７２ｂを有する共通電極２７０及び配向膜２１が絶縁基板２１０上に形成されている。

しかし、図１〜図４に示した液晶表示装置と異なって、線状半導体１５１はデータ線１７１、ドレイン電極１７５及びその下のオーミック接触部材１６１、１６５と実質的に同一の平面形状である。しかし、線状半導体１５１には、ソース電極１７３とドレイン電極１７５の間を始めとするデータ線１７１及びドレイン電極１７５で覆われず露出した部分がある。

また、孤立金属片１７８の下にも孤立金属片１７８と実質的に同一の平面形状のオーミック接触部材（図示せず）及び島状半導体（図示せず）が形成されている。

このような薄膜トランジスタ表示板１００は、データ線１７１、ドレイン電極１７５及び金属片１７８と半導体１５１及びオーミック接触部材１６１、１６５を１回のフォトエッチング工程で形成することによって製造する。

即ち、ゲート絶縁膜１４０上に半導体層、オーミック接触層、データ金属層を連続蒸着し、その上に位置によって厚さが異なる感光膜を形成した後、これをエッチングマスクとして半導体層、オーミック接触層、データ金属層をエッチングすることによって、図１３及び図１４に示す薄膜トランジスタ表示板を製造する。

ここで、位置によって厚さが異なる感光膜は厚さが薄くなる順に第１部分と第２部分を有し、第１部分はデータ線１７１、ドレイン電極１７１及び金属片１７８が占める配線領域に位置し、第２部分は薄膜トランジスタのチャンネル領域に位置する。

位置によって感光膜の厚さを異ならせる方法としては、例えば、光マスクに透光領域及び遮光領域の他に半透明領域を設ける方法などがある。半透明領域にはスリットパターン、格子パターン、または透過率が中間であるか、厚さが中間である薄膜が含まれる。スリットパターンを使用する場合には、スリットの幅やスリットの間の間隔が写真工程に使用する露光器の分解能より小さいのが良い。他の例としては、リフローが可能な感光膜を使用する方法がある。即ち、透光領域と遮光領域のみを有する通常の露光マスクでリフロー可能な感光膜を形成した後、リフローさせて感光膜が残留しない領域に流れるようにして薄い部分を形成する方法である。

このような感光膜をエッチングマスクとしてデータ金属層、抵抗性接触層及び半導体層を連続エッチングしてデータ配線の大略の形状を形成する。次に、感光膜をアッシングして第２部分を除去し、残った第１部分をエッチングマスクとして露出したデータ金属層と抵抗性接触層をエッチングすることによって薄膜トランジスタのチャンネル部を形成する。

このようして１回のフォト工程を減らすことができ、製造方法が簡単になる。

図１〜図１２に示した液晶表示装置の多くの特徴は、図１３及び図１４に示す液晶表示装置にも適用できる。

以下、図１５を参照して本発明の他の実施形態による液晶表示装置について詳細に説明する。

図１５は、本発明の他の実施形態による液晶表示装置を示し、図１のIV-IV線に沿った断面図である。

図１５に示すように、本発明の一実施形態による液晶表示装置は、互いに対向する薄膜トランジスタ表示板１００と共通電極表示板２００、これら表示板１００、２００の間に挟持された液晶層３、及び表示板１００、２００外面に付着された一対の偏光子１２、２２を備える。

本実施形態による表示板１００、２００の層状構造は概ね図１〜図４に示したものと同様である。

薄膜トランジスタ表示板１００については、基板１１０上に複数のゲート線１２１及び複数の維持電極線１３１が形成されている。ゲート線１２１は複数のゲート電極１２４と端部１２９を含み、維持電極線１３１は複数の維持電極１３３ａ−１３３ｄ及び複数の接続部１３３ｅを含む。ゲート線１２１及び維持電極線１３１上には、ゲート絶縁膜１４０、突出部１５４を含む複数の線状半導体１５１、突出部１６３を含む複数の線状オーミック接触部材１６１及び複数の島状オーミック接触部材１６５が順次に形成されている。オーミック接触部材１６１、１６５及びゲート絶縁膜１４０上には、ソース電極１７３及び端部１７９を含む複数のデータ線１７１、複数のドレイン電極１７５及び複数の孤立金属片１７８が形成され、その上に保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０及びゲート絶縁膜１４０には複数のコンタクトホール１８１、１８２、１８３ａ、１８３ｂ、１８５が形成されている。保護膜１８０上には切開部９１−９２ｂを有する複数の画素電極１９１、複数の接続ブリッジ８３及び複数の接触補助部材８１、８２が形成され、その上には配向膜１１が形成されている。

共通電極表示板２００については、遮光部材２２０、オーバーコート膜２５０、切開部７１−７２ｂを有する共通電極２７０及び配向膜２１が絶縁基板２１０上に形成されている。

しかし、図１〜図４に示した液晶表示装置と異なって、共通電極表示板２００にカラーフィルタがなく、その代わりに薄膜トランジスタ表示板１００の保護膜１８０下部に複数のカラーフィルタ２３０が形成されている。

カラーフィルタ２３０は画素電極１９１の列に沿って帯状に縦に長く延びており、隣接した２つのカラーフィルタ２３０の境界はデータ線１７１上で一致する。しかし、カラーフィルタ２３０は互いに離れているか、互いに重畳して画素電極１９１の間の光漏れを防止する遮光部材の役割を果たすことができる。カラーフィルタ２３０が互いに重畳する場合、共通電極表示板２００上の遮光部材２２０を省略しても良い。

カラーフィルタ２３０にはコンタクトホール１８５が通過する貫通孔２３５が形成されており、貫通孔２３５はコンタクトホール１８５より大きい。ゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９が位置した周辺領域にはカラーフィルタ２３０が存在しない。

図１５示した液晶表示装置は、図１〜図１４に示した液晶表示装置と多くの特徴を共有する。

一方、画素電極を２つに分離して互いに異なる電圧を印加する構造の液晶表示装置にも本発明の実施形態の特徴を適用できる。

図１６は、本発明の他の実施形態による液晶表示装置の配置図であり、図１７は、図１６の液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板用薄膜トランジスタ表示板の配置図であり、図１８は、図１６の液晶表示装置用共通電極表示板の配置図であり、図１９及び図２０は、各々図１６の液晶表示装置のXIX-XIX線及びXX-XX線に沿った断面図である。

本実施形態による液晶表示装置は、薄膜トランジスタ表示板１００、共通電極表示板２００、これら２つの表示板１００、２００の間に挟持された液晶層３を備える。
まず、図１６、図１７、図１９及び図２０を参照して薄膜トランジスタ表示板１００について詳細に説明する。

透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板１１０上に複数のゲート線１２１と複数の維持電極線１３１が形成されている。

ゲート線１２１はゲート信号を伝達し、主に図の横方向に延びている。各ゲート線１２１は下上に突出した複数のゲート電極１２４と他の層または外部駆動回路との接続のための広い端部１２９を有する。維持電極線１３１は所定の電圧の印加を受け、ゲート線１２１にほぼ平行に延びた幹線と、これから分かれた複数の第１、第２、第３及び第４維持電極１３３ａ、１３３ｂ、１３３ｃ、１３３ｄ群及び複数の接続部１３３ｅを含む。維持電極線１３１それぞれは、隣接した２つのゲート線１２１の間に位置し、幹線は２つのゲート線１２１のうちの上側に近い。

第１及び第２維持電極１３３ａ、１３３ｂは図の縦方向に延びて互いに対向する。第１維持電極１３３ａは幹線に接続している固定端とその反対方向の自由端を有し、自由端は突出部を含む。第３及び第４維持電極１３３ｃ、１３３ｄはほぼ第１維持電極１３３ａの中央から第２維持電極１３３ｂの下端及び上端まで斜めに延びている。接続部１３３ｅは、隣接した維持電極１３３ａ-１３３ｄ群の間に接続している。しかし、維持電極線１３１の形状及び配置は様々な形態に変形することができる。

ゲート線１２１及び維持電極線１３１の側面は基板１１０面に対して傾斜し、その傾斜角は約３０〜８０°であることが望ましい。

ゲート線１２１及び維持電極線１３１上には窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などからなるゲート絶縁膜１４０が形成されている。

ゲート絶縁膜１４０上には水素化非晶質シリコンまたは多結晶シリコンなどからなる複数の線状半導体１５１が形成されている。線状半導体１５１は主に図の縦方向に延びており、ゲート電極１２４に向かって延びた複数の突出部１５４を含む。線状半導体１５１はゲート線１２１及び維持電極線１３１付近で幅が広くなり、これらを幅広く覆っている。

半導体１５１上には複数の線状及び島状オーミック接触部材１６１、１６５が形成されている。オーミック接触部材１６１、１６５は、リンなどのｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質で構成されたシリサイドからなることが望ましい。線状オーミック接触部材１６１は複数の突出部１６３を有し、この突出部１６３と島状オーミック接触部材１６５は対をなし半導体１５１の突出部１５４上に配置されている。

また、半導体１５１とオーミック接触部材１６１、１６５の側面も基板１１０面に対して傾斜しており、傾斜角は３０°〜８０°程度である。

オーミック接触部材１６１、１６５及びゲート絶縁膜１４０上には、複数のデータ線１７１と複数のドレイン電極１７５及び複数の孤立した金属片１７８が形成されている。

データ線１７１はデータ電圧を伝達し、主に図の縦方向に延びてゲート線１２１、維持電極線１３１の幹線及び接続部１３３ｅと交差する。各データ線１７１はゲート電極１２４に向かって延びＣ字状に曲がった複数のソース電極１７３と他の層または外部駆動回路との接続のための広い端部１７９を有する。ドレイン電極１７５はデータ線１７１と分離され、ゲート電極１２４を中心にソース電極１７３と対向する棒状部分と棒状部分から延びた容量性結合電極１７６を含む。各ドレイン電極１７５の棒状部分はソース電極１７３に一部囲まれ、容量性結合電極１７６は互いに接続しており、第３及び第４維持電極１３３ｃ、１３３ｄにそれぞれ平行な２つの斜線部１７６ａ、１７６ｂを有する。

金属片１７８は第１維持電極１３３ａ付近のゲート線１２１上に位置する。

また、データ線１７１とドレイン電極１７５及び金属片１７８は、その側面が基板１１０面に対して３０°〜８０°程度の角度で傾斜していることが望ましい。

オーミック接触部材１６１、１６５は、その下の半導体１５１とその上のデータ線１７１及びドレイン電極１７５の間にのみ存在し、これらの間の接触抵抗を低くする。大部分の所では線状半導体１５１がデータ線１７１より狭いが、既に説明したように、ゲート線１２１と交わる部分で幅が広くなり、表面の段差形状をゆるやかに形成することで、データ線１７１が断線することを防止する。半導体１５１にはソース電極１７３とドレイン電極１７５の間のように、データ線１７１及びドレイン電極１７５で覆われず露出した部分がある。

データ線１７１、ドレイン電極１７５、金属片１７８及び露出した半導体１５１部分上には保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０は無機絶縁物または有機絶縁物などからなり、表面を平坦化することも可能である。保護膜１８０にはデータ線１７１の端部１７９とドレイン電極１７５をそれぞれ露出させる複数のコンタクトホール１８２、１８５が形成され、保護膜１８０とゲート絶縁膜１４０にはゲート線１２１の端部１２９を露出させる複数のコンタクトホール１８１、第１維持電極１３３ａの自由端の突出部を露出させる複数のコンタクトホール１８３ａ、そして、第１維持電極１３３ａの固定端付近の維持電極線１３１の一部を露出させる複数のコンタクトホール１８３ｂが形成されている。コンタクトホール１８１、１８２、１８３ａ、１８３ｂ、１８５は、多角形または円形など様々な形状とすることができる。コンタクトホール１８１、１８２、１８３ａ、１８３ｂ、１８５の側壁は３０°〜８５°の角度で傾斜しているか、階段状であることが望ましい。

保護膜１８０上には第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂを含む複数の画素電極１９１、複数の接続ブリッジ８３及び複数の接触補助部材８１、８２が形成されている。これらはＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質やアルミニウム、銀、クロムまたはその合金などの反射性金属からなることが望ましい。

第１副画素電極１９１ａは、コンタクトホール１８５を介してドレイン電極１７５と物理的・電気的に接続しており、ドレイン電極１７５からデータ電圧の印加を受ける。

第１副画素電極１９１ａと第２副画素電極１９１ｂは間隙９２を介在して互いに分離されており、間隙９２は左側辺から右側辺に斜めに延びた斜線部と、斜線部を連結する縦部を有する。斜線部はゲート線１２１に対して約４５°の角度をなす。

間隙９２によって分割された副画素電極１９１ａ、１９１ｂのうちの第１副画素電極１９１ａは、第２副画素電極１９１ｂを中心に上部及び下部に位置し、第２副画素電極１９１ｂを囲み、第２副画素電極１９１ｂは第１副画素電極１９１ａの二部分の間に挟まれた形態である。第１副画素電極１９１ａと第２副画素電極１９１ｂは互いに対向し、ゲート線１２１に対して４５°傾いた辺を有しており、画素電極１９１の仮想の横中心線に対して反転対称構造を有する。

第２副画素電極１９１ｂは中央切開部９１を有し、中央切開部９１は横中心線に沿って延びており、右辺側に入口を有する。中央切開部９１の入口は間隙９２に平行な一対の斜辺を有する。

ここで、第１副画素電極１９１ａそれぞれはコンタクトホール１８５を介してドレイン電極１７５に接続しており、これから直接データ電圧の印加を受けるのに対し、第２副画素電極１９１ｂは第１画素電極１９１ａに接続している容量性結合電極１７６と重畳する。よって、第２画素電極１９１ｂは第１画素電極１９１ａに電磁気的に結合（容量性）されている。

画素電極１９１は間隙９２及び中央切開部９１によって４つの領域に分割される。

図５及び図１６に示すように、各画素電極１９１は互いに対向する一対の第１主辺１９３、１９４とこれに接続している一対の第２主辺１９５、１９６を有する。第１主辺１９３、１９４はゲート線１２１にほぼ平行であり、第２主辺１９５、１９６はデータ線１７１にほぼ平行な内側及び外側の包絡線を有し、第１主辺１９３、１９４と第２主辺１９５、１９６の内側または外側の包絡線は概ね長方形をなす。画素電極１９１の左側角は面取りされて斜辺１９３ｃ、１９４ｃをなし、面取りされた斜辺１９３ｃ、１９４ｃはゲート線１２１に対して約４５°をなす。

画素電極１９１の第２主辺１９５、１９６は、内側の包絡線９５１、９６１上に位置する複数の縦線分９１５、９２５と、これから外側に突出した複数ののこぎり状部分９１０、９２０を有し、画素電極１９１の横中心線に対してほぼ対称である。

各々ののこぎり状部分９１０、９２０は互いに対向する第１斜辺９１１、９２１及び第２斜辺９１２、９２２、並びにこれらを連結し外側の包絡線９５２、９６２上に位置する上辺９１３、９２３を有する。第１斜辺９１１、９２１は縦線分９１５、９２５と約１３５°より大きい鈍角をなしながら交わり、第２斜辺９１２、９２２は縦線分９１５、９２５と約４５゜の角度をなし、第１斜辺９１１、９２１と第２斜辺９１２、９２２の延長線は約４５゜より小さい鋭角をなしながら互いに交わる。また、第２斜辺９１２、９２２は間隙９２と実質的に平行で間隙９２の延長線上にあり、第１斜辺９１１、９２１は間隙９２と約４５°より小さい角度、または１３５°より大きい角度をなす。

のこぎり状部分９１０、９２０の上部、つまり、上辺９１３、９２３付近はデータ線１７１と重畳し、データ線１７１を中心に左側に位置した画素電極１９１の右側辺１９６ののこぎり状部分９２０と右側に位置した画素電極１９１ののこぎり状部分９１０は噛み合うように配置されている。また、互いに噛み合うのこぎり状部分９１０、９２０の対向する辺は互いに平行である。

のこぎり状部分９１０、９２０の数は、切開部及び間隙９１、９２によって分割される画素電極１９１領域の数または切開部の数と密接な関係があり、画素電極１９１領域の数及びのこぎり状部分９１０、９２０の数は、画素電極１９１の大きさ、画素電極１９１の横辺と縦辺との長さの比率、液晶層３の種類や特性など設計要素によって異なる。

また、画素電極１９１は、隣接するゲート線１２１またはデータ線１７１と重なって開口率を向上させることができる。

接続ブリッジ８３はゲート線１２１を横切り、ゲート線１２１を間に介在して反対側に位置するコンタクトホール１８３ａ、１８３ｂを介して維持電極線１３１の露出した部分と第１維持電極１３３ａの自由端の露出した端部に接続している。維持電極１３３ａ、１３３ｂを始めとする維持電極線１３１は、接続ブリッジ８３と共にゲート線１２１やデータ線１７１、または薄膜トランジスタの欠陥修理に使用できる。

接触補助部材８１、８２はそれぞれコンタクトホール１８１、１８２を介してゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９に接続している。

以下、図１６、図１８、図１９及び図２０を参照して、共通電極表示板２００について説明する。

透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板２１０上に遮光部材２２０が形成されている。遮光部材２２０は画素電極１９１と対向し、ほぼ長方形状の複数の開口部２２５を有する。遮光部材２２０のデータ線１７１と対応する部分２２１の幅はデータ線１７１の幅とほぼ同一であり（ただし、表示板１００、２００の整列誤差を考慮できる）、遮光部材２２０はデータ線１７１の外側に突出した噛み合うのこぎり状部分９１０、９２０の間の空間を遮る拡張部２２２を有する。遮光部材２２０は薄膜トランジスタに対応する部分をさらに含むことが望ましい。

また、基板２１０上には複数のカラーフィルタ２３０が形成されている。カラーフィルタ２３０は、遮光部材２３０に囲まれた領域内に大部分存在し、画素電極１９１の列に沿って縦方向に長く延びることが望ましい。各カラーフィルタ２３０は、赤色、緑色及び青色の三原色など基本色のうちの１つを表示できる。

カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０上にはオーバーコート膜２５０が形成されている。オーバーコート膜２５０は（有機）絶縁物からなることが望ましく、カラーフィルタ２３０が露出することを防止し、平坦面を提供する。オーバーコート膜２５０は省略可能である。

オーバーコート膜２５０上には共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０はＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明な導電体などからなり、共通電極２７０には複数の切開部７１、７２ａ、７２ｂ群が形成されている。

共通電極２７０は複数組の切開部７１、７２ａ、７２ｂ群を有する。

１つの切開部７１−７２ｂ群は１つの画素電極１９１と対向し、中央切開部７１、下部切開部７２ａ及び上部切開部７２ｂを含む。切開部７１−７２ｂそれぞれは画素電極１９１の隣接切開部９１−９２ｂの間、または切開部９２ａ、９２ｂと画素電極１９１の面取りされた斜辺の間に配置されている。また、各切開部７１−７２ｂは画素電極１９１の下部切開部９２ａまたは上部切開部９２ｂにほぼ平行に延びており、少なくとも１つの斜線部を有する。切開部７１−７２ｂは画素電極１９１の横中心線に対してほぼ反転対称をなす。

下部及び上部切開部７２ａ、７２ｂそれぞれは斜線部及び横部を含む。斜線部はほぼ画素電極１９１上側辺または下側辺から左側辺に延びており、画素電極１９１の縦辺と重畳する。斜線部の対向する長い辺は、ほぼ画素電極１９１ののこぎり状部分の第１及び第２斜辺９１１、９１２、９２１、９２２、またはその延長線と交わるか、その延長線上に位置する。横部は斜線部の各端から画素電極１９１の横辺に沿って横辺と重畳しながら延びており、斜線部と鈍角をなす。

中央切開部７１は中央横部及び一対の斜線部を含む。中央横部はほぼ画素電極１９１の左側辺から画素電極１９１の横中心線に沿って右側に延びる。一対の斜線部は、中央横部の端から画素電極１９１の右側辺に向かって中央横部と鈍角をなしながら、それぞれ下部及び上部切開部７２ａ、７２ｂにほぼ平行に延びる。

また、切開部７１−７２ｂの数は設計要素によって異なり、遮光部材２２０が切開部７１−７２ｂと重畳して切開部７１−７２ｂ付近の光漏れを遮断することができる。

共通電極２７０上には絶縁物質からなり、２つの表示板１００、２００の間の間隔を一定に維持するための間隔材（図示せず）が形成されている。

遮光部材２２０は切開部７１、７２ａ、７２ｂと重畳して切開部７１、７２ａ、７２ｂ付近の光漏れを遮断することができる。本実施形態で、容量性結合電極１７６の斜線部１７６ａ、１７６ｂが切開部７１、７２ａ、７２ｂと重畳して切開部７１、７２ａ、７２ｂ付近の光漏れを遮断する。

この時、画素電極１９１ののこぎり状部分９１０、９２０の傾斜角は、共通電極２７０の中央切開部７１の斜線部の傾斜角より１°〜１５°さらに大きく形成してもよい。表示板１００、２００の内側面には垂直配向膜１１、２１がそれぞれ塗布されており、外側面には偏光子１２、２２が配置されている。

共通電極２７０に共通電圧を印加し、画素電極１９１にデータ電圧を印加すると、表示板の表面にほぼ垂直な電場が生成される。液晶分子３１０は電場に応答してその長軸が電場の方向に垂直をなすように方向を変えようとする。一方、共通電極２７０及び画素電極１９１の切開部７１、７２ａ、７２ｂ、９１、９２ａ、９２ｂと画素電極１９１ａの斜辺は、電場を歪ませて液晶分子の傾斜方向を決定する水平成分を形成する。電場の水平成分は切開部７１、７２ａ、７２ｂ、９１、９２ａ、９２ｂの辺と画素電極１９１ａの斜辺に垂直である。また、切開部７１、７２ａ、７２ｂ、９１、９２ａ、９２ｂの対向する２つの辺の主電場の水平成分は互いに逆方向である。

このような電場を通じて切開部７１、７２ａ、７２ｂ、９１、９２ａ、９２ｂは液晶層３の液晶分子が傾く方向を制御する。隣接する切開部７１、７２ａ、７２ｂ、９１、９２ａ、９２ｂによって定義されるか、切開部７２ａ、７２ｂと副画素電極１９１ａ、１９１ｂの右側及び左側の斜辺によって定義される各ドメイン内にある液晶分子は、切開部７１、７２ａ、７２ｂ、９１、９２ａ、９２ｂの長さ方向に対して垂直をなす方向に傾く。各ドメインの最長辺２つはほぼ平行であり、ゲート線１２１と約４５°をなし、ドメイン内で液晶分子の大部分は４つの方向に傾き、これによって視野角が拡張される。

また、画素電極１９１ａ、１９１ｂの辺のうちのデータ線１７１と隣接する辺をのこぎり状に形成すると、図１〜図４を用いて前記した実施形態で説明したように、隣接する画素電極の間に形成される副電場は副領域の液晶の配向を強化できる。

切開部７１、７２ａ、７２ｂ、９１、９２ａ、９２ｂの幅は約９μｍ〜約１２μｍであることが望ましい。

少なくとも１つの切開部７１、７２ａ、７２ｂ、９１、９２ａ、９２ｂは突起（図示せず）や陥没部（図示せず）で代替しても良い。突起は有機物または無機物からなることが望ましく、電場生成電極１９１ａ、１９１ｂ、２７０の上または下に配置すると良く、その幅は約５μｍ〜約１０μｍであることが望ましい。

一方、液晶分子３１の傾斜方向と偏光子１２、２２の透過軸が４５°をなすとき最高輝度が得られ、本実施形態では全ドメインの液晶分子３１の傾斜方向がゲート線１２１と４５°をなし、ゲート線１２１は表示板１００、２００の周縁と垂直または水平である。よって、本実施形態で、偏光子１２、２２の透過軸を表示板１００、２００の周縁に対して垂直または平行になるように付着すると最高輝度が得られると共に偏光子１２、２２を安価で製造することができる。

このような本発明の実施形態による液晶表示装置について、前述したように、第２副画素電極１９１ｂは第１副画素電極１９１ａに電磁気的に結合（容量性結合）されている。第１画素電極１９１ａはドレイン電極１７５を介して薄膜トランジスタ（Ｑ）に直接接続され薄膜トランジスタによってデータ線１７１を通じて伝達される画像信号電圧の印加を受けるのに対し、第２副画素電極１９１ｂの電圧は第１副画素電極１９１ａとの容量性結合に変わる。本実施形態で第２副画素電極１９１ｂの電圧は、第１副画素電極１９１ａの電圧に比べて絶対値が常に低い。

このような容量性結合構造は以下のような構造を有することが望ましい。

図２１は、本発明の他の実施形態による液晶表示装置の配置図であり、図２２は、図２１の液晶表示装置のXXII-XXII線に沿った断面図であり、図２４は、図２１に示した液晶表示装置の１つの画素に対する概略的な等価回路図である。

図２１〜図２４に示すように、本発明の一実施形態による液晶表示装置は、薄膜トランジスタ表示板１００、共通電極表示板２００、及びこれら２つの表示板１００、２００の間に挟持された液晶層３を備える。

以下、薄膜トランジスタ表示板１００について説明する。

透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板１１０上に複数のゲート線１２１、複数の維持電極線１３１及び複数の容量電極１３６を有する複数のゲート導電体が形成されている。

ゲート線１２１はゲート信号を伝達し、主に図２１の横方向に延びている。各ゲート線１２１は、上方に突出した複数のゲート電極１２４と他の層または外部駆動回路との接続のための広い面積を有する端部１２９を有する。維持電極線１３１は所定の電圧の印加を受け、ゲート線１２１にほぼ平行に延びた下部及び上部幹線（ｓｔｅｍ）１３１ａ１、１３１ａ２を含む。各維持電極線１３１は隣接した２つのゲート線１２１の間に位置し、下部幹線１３１ａ１は、２つのゲート線１２１のうちの下側に近く、上部幹線１３１ａ２は上側に近い。下部及び上部幹線１３１ａ１、１３１ａ２はそれぞれ下上に拡張された下部及び上部維持電極１３７ａ１、１３７ａ２を含む。

容量電極１３６は横方向に長い長方形状であり、ゲート線１２１及び維持電極線１３１と分離されている。容量電極１３６は一対の下部及び上部維持電極１３７ａ１、１３７ａ２の間に位置し、２つの維持電極１３７ａ１、１３７ａ２とほぼ同一な距離を置いて配置され、隣接した２つのゲート線１２１ともほぼ同一な距離を置いて配置される。しかし、維持電極線１３１の形状及び配置は様々な形態に変形することができる。

ゲート導電体１２１、１３１、１３６の側面は基板１１０面に対して傾斜し、その傾斜角は約３０°〜約８０°であることが望ましい。

ゲート導電体１２１、１３１、１３６上には窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などからなるゲート絶縁膜１４０が形成されている。

ゲート絶縁膜１４０上には水素化非晶質シリコン（非晶質シリコンはａ-Ｓｉと略称する）または多結晶シリコンなどからなる複数の島状半導体１５４が形成されている。半導体１５４はゲート電極１２４上に位置し、ゲート線１２１の境界を覆う延長部を有する。また、維持電極線１３１の境界を覆う別途の島状半導体が形成されてもよい。

半導体１５４上には複数の島状オーミック接触部材１６３、１６５が形成されている。オーミック接触部材１６３、１６５はリンなどのｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質からなるか、シリサイドからなることが望ましい。オーミック接触部材１６３、１６５は対をなして半導体１５４上に配置されている。

半導体１５４とオーミック接触部材１６３、１６５の側面も、基板１１０面に対して傾斜し、その傾斜角は３０°〜８０°程度である。

オーミック接触部材１６３、１６５及びゲート絶縁膜１４０上には複数のデータ線１７１と複数のドレイン電極１７５を含むデータ導電体が形成されている。

データ線１７１はデータ信号を伝達し、主に図２１の縦方向に延びてゲート線１２１及び維持電極線１３１と交差する。各データ線１７１は、ゲート電極１２４に向かって延びた複数のソース電極１７３と他の層または外部駆動回路との接続のための面積が広い端部１７９を含む。ドレイン電極１７５はデータ線１７１と分離され、ゲート電極１２４を中心にソース電極１７３と対向する棒状端部を含む。棒状端部はＵ字状に曲がったソース電極１７３に一部囲まれている。

また、各ドレイン電極１７５は、下部、上部及び中央拡張部１７７ａ１、１７７ａ２、１７６及びこれらを接続する一対の接続部１７８ａ１、１７８ａ２を含む。拡張部１７７ａ１、１７７ａ２、１７６は横方向に長い長方形であり、接続部１７８ａ１、１７８ａ２は拡張部１７７ａ１、１７７ａ２、１７６の両側でこれらを互いに接続しており、データ線１７１にほぼ平行である。

下部及び上部拡張部１７７ａ１、１７７ａ２はそれぞれ下部及び上部維持電極１３７ａ１、１３７ａ２と重畳する。

中央拡張部１７６は容量電極１３６と重畳し、以下、中央拡張部１７６を結合電極という。結合電極１７６の右側端付近にはコンタクトホール１７６Ｈが形成されている。結合電極１７６は容量電極１３６の形状とほぼ同様に作製される。

データ導電体１７１、１７５、１７６はその側面が基板１１０面に対して３０°〜８０°程度の角度で傾斜していることが望ましい。

オーミック接触部材１６３、１６５は、その下の半導体１５４とその上のデータ導電体１７１、１７５の間にのみ存在し、これらの間の接触抵抗を低くする。ゲート線１２１上に位置した半導体１５４の延長部は、表面の段差形状をゆるやかに形成することによって、データ線１７１が断線することを防止する。半導体１５４はデータ線１７１、ドレイン電極１７５及びその下のオーミック接触部材１６１、１６５と実質的に同一の平面形状である。しかし、半導体１５４にはソース電極１７３とドレイン電極１７５の間のようにデータ導電体１７１、１７５で覆われず露出した部分がある。

データ導電体１７１、１７５及び露出した半導体１５４部分上には保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０は無機絶縁物または有機絶縁物などからなり、表面を平坦化することができる。保護膜１８０にはデータ線１７１の端部１７９を露出させる複数のコンタクトホール１８２及びドレイン電極１７５の下部及び上部拡張部１７７ａ１、１７７ａ２をそれぞれ露出させる複数のコンタクトホール１８５ａ１、１８５ａ２が形成されている。保護膜１８０とゲート絶縁膜１４０にはゲート線１２１の端部１２９を露出する複数のコンタクトホール１８１及び結合電極１７６のコンタクトホール１７６Ｈを貫通して容量電極１３６を露出させる複数のコンタクトホール１８６が形成されている。

保護膜１８０上には複数の画素電極１９１及び複数の接触補助部材８１、８２が形成されている。これらはＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質やアルミニウム、銀、クロムまたはその合金などの反射性金属からなることが望ましい。

各画素電極１９１は、互いに対向する一対の第１主辺１９３、１９４と該第１主辺１９３、１９４に接続しており、複数ののこぎり状部分９０とこののこぎり状部分９０の間を接続する底辺９０ｃを含む第２主辺を有する。ここでのこぎり状部分９０は第１主辺１９３、１９４に対して傾いた第１斜辺９０ａと第２斜辺９０ｄ、及び第１斜辺９０ａと第２斜辺９０ｄの間を接続する上辺９０ｂを有する。第１主辺１９３、１９４はゲート線１２１に平行である。第１主辺１９３、１９４と第２主辺はほぼ長方形をなし、画素電極１９１の４つの角は面取りされてゲート線１２１に対して約４５°の角度をなす。第１斜辺９０ａはデータ線１７１と一部が重畳し、隣接する２つの画素電極１９１の第１斜辺９０ａは互いに対向し、平行となっている。

各画素電極１９１は、下部及び上部間隙９３ａ、９３ｂを間に介在して分割された下部、上部及び中央副画素電極１９１ａ１、１９１ａ２、１９１ｂを含む。下部及び上部間隙９３ａ、９３ｂはほぼ画素電極１９１の左側辺から右側辺に斜めに延びており、このため、中央副画素電極１９１ｂは、ほぼ９０°だけ回転した二等辺台形になり、下部及び上部副画素電極１９１ａ１、１９１ａ２はほぼ９０°だけ回転した直角三角形になる。下部及び上部間隙９３ａ、９３ｂはゲート線１２１に対して約４５°の角度をなし、互いに垂直である。

下部及び上部副画素電極１９１ａ１、１９１ａ２はそれぞれコンタクトホール１８５ａ１、１８５ａ２を介してドレイン電極１７５の下部及び上部拡張部１７７ａ１、１７７ａ２に接続している。

中央副画素電極１９１ｂはコンタクトホール１８６を介して容量電極１３６に接続し、結合電極１７６と重畳する。中央副画素電極１９１ｂと容量電極１３６は結合電極１７６と共に結合キャパシタを構成する。

中央副画素電極１９１ｂには中央切開部９１及び第１上部及び下部斜線切開部９２ａ、９２ｂが形成され、下部副画素電極１９１ａ１には第２下部斜線切開部９４ａが形成され、上部副画素電極１９１ａ２には第２上部斜線切開部９４ｂが形成されている。この切開部９１、９２ａ、９２ｂ、９４ａ、９４ｂは副画素電極１９１ｂ、１９１ａ１、１９１ａ２を複数の副領域に区画する。切開部９１、９２ａ、９２ｂ、９４ａ、９４ｂ及び間隙９３ａ、９３ｂ（以下、間隙も切開部と称する）を含む画素電極１９１は容量電極１３６に対してほぼ反転対称をなす。

下部及び上部斜線切開部９２ａ−９４ｂは、ほぼ画素電極１９１の左側角、下側辺または上側辺から右側辺に斜めに延びている。下部及び上部斜線切開部９２ａ−９４ｂはゲート線１２１に対して約４５°の角度をなし、互いに垂直に延びている。下部及び上部斜線切開部９２ａ、９２ｂ、９４ａ、９４ｂは、画素電極１９１の左側辺または右側辺に入口を有し、入口は凹部９０ｃに接続することが望ましい。

第２主辺ののこぎり状部分９０をなす第１斜辺９０ａは画素電極１９１の斜線切開部９２ａ〜９４ａと鈍角をなし、第２斜辺９０ｄは斜線切開部９２ａ−９４ｂにほぼ平行である。

中央切開部９１は維持電極線１３１に沿って延びており、左側辺に入口を有する。中央切開部９１の入口は下部切開部９２ａ〜９４ａと上部切開部９２ｂ〜９４ｂにそれぞれほぼ平行な一対の斜辺を有する。

この時、切開部の数または領域の数は画素電極１９１ａ１、１９１ａ２、１９１ｂの大きさ、画素電極１９１ａ１、１９１ａ２、１９１ｂの横辺と縦辺との長さの比率、液晶層３の種類や特性など設計要素によって異なる。

接触補助部材８１、８２はそれぞれコンタクトホール１８１、１８２を介してゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９に接続している。

以下、共通電極表示板２００について説明する。

透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板２１０上に遮光部材２２０が形成されている。遮光部材２２０はデータ線１７１に対応する線状部分２２１、一部分が拡張された拡張部２２２と薄膜トランジスタに対応する面状部分２２３を含み、画素電極１９１の間の光漏れを防止し、画素電極１９１と対向する開口領域を定義する。しかし、遮光部材２２０は画素電極１９１と対向し、画素電極１９１とほぼ同一形状である複数の開口部（図示せず）を有することが望ましい。

基板２１０上には、複数のカラーフィルタ２３０が形成されている。カラーフィルタ２３０は遮光部材２３０に囲まれた領域内に大部分存在し、画素電極１９１の列に沿って縦方向に長く延びることが望ましい。各カラーフィルタ２３０は、赤色、緑色及び青色の三原色など基本色のうちの１つを表示できる。

カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０上にはオーバーコート膜２５０が形成されている。オーバーコート膜２５０は（有機）絶縁物からなることが望ましく、カラーフィルタ２３０が露出することを防止し、平坦面を提供する。オーバーコート膜２５０は省略しても良い。

オーバーコート膜２５０上には共通電極２７０が形成されている。

共通電極２７０には複数の切開部７１、７２ａ、７２ｂ、７３ａ、７３ｂ、７４ａ、７４ｂ、７５が形成されている。

１つの切開部群７１〜７５は１つの画素電極１９１と対向し、中央切開部７１、第１〜第３下部斜線切開部７２ａ、７３ａ、７４ａ、第１〜第３上部斜線切開部７２ｂ、７３ｂ、７４ｂ及び接続部７５を含む。切開部７１〜７４ｂそれぞれは画素電極１９１の隣接切開部９１、９２、９３ａ、９３ｂ、９４ａ、９４ｂ、９５ａ、９５ｂの間または切開部９１、９２、９３ａ、９３ｂ、９４ａ、９４ｂ、９５ａ、９５ｂと画素電極１９１の面取りされた斜辺の間に配置されている。また、各切開部７１〜７４ｂは、画素電極１９１の下部切開部９３ａ、９４ａ、９５ａまたは上部切開部９３ｂ、９４ｂ、９５ｂに平行に延びた少なくとも１つの斜線部を含む。

第１下部及び第１上部斜線切開部７２ａ、７２ｂはほぼ画素電極１９１の右側辺から画素電極１９１の左側辺に延びており、第２下部及び第２上部斜線切開部７３ａ、７３ｂは、画素電極１９１の右側辺から画素電極１９１の左側上または左側下の角に延びている。そして、第３下部及び第３上部斜線切開部７４ａ、７４ｂは、画素電極１９１の右側辺から画素電極１９１の上側辺または下側辺に延びており、第３下部及び第３上部斜線切開部７４ａ、７４ｂの各端から画素電極１９１の下側辺と上側辺に沿ってそれぞれ重畳しながら延びた縦断横部を含む。縦断横部は斜線切開部７４ａ、７４ｂと鈍角をなす。

中央切開部７１は中央横部、一対の斜線部を含む。中央横部はほぼ画素電極１９１の右側辺から維持電極線１３１に沿って左側に延びており、一対の斜線部は中央横部の端から画素電極１９１の左側辺に向かってそれぞれ下部及び上部斜線切開部７２ａ〜７４ｂにほぼ平行に延びる。

中央切開部７１のうちの斜線部の一端と隣り合う画素電極の第２下部切開部７３ａの一端、中央切開部７１の他の斜線部の一端と隣り合う画素電極の第２上部切開部７３ｂの一端、第１下部斜線切開部７２ａの一端と隣り合う画素電極の第３下部斜線切開部７４ａの一端、及び第１上部斜線切開部７２ｂの一端と隣り合う画素電極の第３上部斜線切開部７４ｂの一端はそれぞれ接続部７５に接続している。接続部７５は、画素電極１９１の第１斜辺９０ａに平行であり、データ線１７１と対応する部分に位置する。接続部７５の幅は画素電極１９１と画素電極１９１との間の間隔より約８μｍ程度広く、遮光部材２２０の拡張部２２２は接続部７５と対応し他の部分より幅が広いことが望ましい。

そして、各切開部７１〜７４ｂには一定の距離を置いて規則的に配置された複数の凹んだノッチ７が形成されている。

表示板１００、２００の内側面には配向膜１１、２１が塗布されており、これらは垂直配向膜であっても良い。表示板１００、２００の外側面には偏光子（図示せず）を有しており、２つの偏光子の偏光軸は直交し、このうちの１つの偏光軸はゲート線１２１に対して平行であることが望ましい。反射型液晶表示装置の場合、２つの偏光子のうちの１つは省略してもよい。

本実施形態による液晶表示装置は、液晶層３の遅延値を補償するための位相遅延膜（図示せず）をさらに含むことが望ましい。位相遅延膜は複屈折性を有し、液晶層３の位相遅延を逆に補償する。

液晶表示装置は、偏光子、位相遅延膜、表示板１００、２００及び液晶層３に光を供給する照明部（図示せず）を備えることが望ましい。

液晶層３は負の誘電率異方性を有し、液晶層３の液晶分子は電場がない状態で、その長軸が２つの表示板の表面に対して垂直をなすように配向されている。このため、入射光は直交偏光子を通過できず遮断される。

図２１〜図２５に示した液晶表示装置において、維持電極線１３１、容量電極１３６、ドレイン電極１７５の拡張部１７７ａ１、１７７ａ２、１７６及び接続部１７８ａ１、１７８ａ２などの不透明部材と、切開部９１−９４ｂ、７１−７５を有する画素電極１９１及び共通電極２７０などの透明部材が隣接した２つのゲート線１２１から等距離にある容量電極１３６を中心に対称に配置されている。このような液晶表示装置について図２４を参照して説明する。

図２４に示すように、液晶表示装置の１つの画素は薄膜トランジスタ（Ｑ）、第１液晶キャパシタ（Ｃ_LCａ）及びストレージキャパシタ（Ｃ_ST）を含む第１副画素、第２液晶キャパシタ（Ｃ_LCｂ）を含む第２副画素、並びに結合キャパシタ（Ｃｃｐ）を有する。

第１液晶キャパシタ（Ｃ_LCａ）は一端子として下部副画素電極１９１ａ１及び上部副画素電極１９１ａ２を含み、他の一端子として共通電極２７０の当該部分を含み、２つの端子の間の液晶層３部分を誘電体として含む。これと同様に、第２液晶キャパシタ（Ｃ_LCｂ）は一端子として中央副画素電極１９１ｂを含み、他の一端子として共通電極２７０の当該部分を含み、２つの端子の間の液晶層３部分を誘電体として含む。

ストレージキャパシタ（Ｃ_ST）は一端子としてドレイン電極１７５の下部及び上部拡張部１７７ａ１、１７７ａ２を含み、他の一端子として下部及び上部維持電極１３７ａ１、１３７ａ２を含み、２つの端子の間のゲート絶縁膜１４０部分を誘電体として含む。結合キャパシタ（Ｃｃｐ）は一端子として中央副画素電極１９１ｂと容量電極１３６を含み、他の一端子として結合電極１７６を含み、２つの端子の間の保護膜１８０及びゲート絶縁膜１４０部分を誘電体として含む。

第１液晶キャパシタ（Ｃ_LCａ）とストレージキャパシタ（Ｃ_ST）は薄膜トランジスタ（Ｑ）のドレインに接続しており、結合キャパシタ（Ｃｃｐ）は薄膜トランジスタ（Ｑ）と第２液晶キャパシタ（Ｃ_LCｂ）の間に接続している。共通電極２７０には共通電圧（Ｖｃｏｍ）が印加されるものであり、維持電極線１３１にも共通電圧（Ｖｃｏｍ）を印加することもできる。

薄膜トランジスタ（Ｑ）は、ゲート線１２１からのゲート信号に従ってデータ線１７１からのデータ電圧を第１液晶キャパシタ（Ｃ_LCａ）及び結合キャパシタ（Ｃｃｐ）に印加し、結合キャパシタ（Ｃｃｐ）は該電圧をその大きさを変えて第２液晶キャパシタ（Ｃ_LCｂ）に伝達する。

維持電極線１３１に共通電圧（Ｖｃｏｍ）が印加され、キャパシタ（Ｃ_LCａ、Ｃ_ST、Ｃ_LCｂ、Ｃｃｐ）とその静電容量を同じ図面符号で示す場合、第１液晶キャパシタ（Ｃ_LCａ）に充電された電圧（Ｖａ）と、第２液晶キャパシタ（Ｃ_LCｂ）に充電された電圧（Ｖｂ）は次のような関係を有する。

Ｖｂ＝Ｖａ［Ｃｃｐ／（Ｃｃｐ＋Ｃ_LCｂ）］
Ｃｃｐ／（Ｃｃｐ＋Ｃ_LCｂ）の値が１より小さいため、第２液晶キャパシタ（Ｃ_LCｂ）に充電された電圧（Ｖｂ）は、第１液晶キャパシタ（Ｃ_LCａ）に充電された電圧（Ｖａ）より常に小さい。この関係は、維持電極線１３１の電圧が共通電圧（Ｖｃｏｍ）でない場合にも同様に成立する。

このように、第１または第２液晶キャパシタ（Ｃ_LCａ、Ｃ_LCｂ）の両端に電位差が生じると、表示板１００、２００の面にほぼ垂直な電場が液晶層３に生成される。すると液晶層３の液晶分子は電場に応答して、その長軸が電場の方向に垂直をなすように傾き、液晶分子が傾いた程度によって液晶層３を通過した光の偏光の変化程度が異なる。このような偏光の変化は偏光子１２、２２によって透過率の変化として表れ、これによって液晶表示装置は映像を表示する。

液晶分子が傾く角度は電場の強さによって異なるが、第１液晶キャパシタ（Ｃ_LCａ）の電圧（Ｖａ）と第２液晶キャパシタ（Ｃ_LCｂ）の電圧（Ｖｂ）が互いに異なるため、第１副画素と第２副画素で液晶分子が傾く角度が異なり、このため、２つの副画素の輝度が異なる。よって、第１液晶キャパシタ（Ｃ_LCａ）の電圧（Ｖａ）と第２液晶キャパシタ（Ｃ_LCｂ）の電圧（Ｖｂ）を適切に合せることによって側面から見る映像を正面から見る映像に最大に近づけることができ、その結果、側面視認性を向上させることができる。

第１液晶キャパシタ（Ｃ_LCａ）の電圧（Ｖａ）と第２液晶キャパシタ（Ｃ_LCｂ）の電圧（Ｖｂ）との比率は、結合キャパシタ（Ｃｃｐ）の静電容量を変化させて調整し、結合キャパシタ（Ｃｃｐ）の静電容量は、第２副画素電極１９１ｂ及び容量電極１３６と結合電極１７６の重畳面積と距離を調整することによって変更できる。例えば、容量電極１３６を除去し、結合電極１７６をその位置に配置すると結合電極１７６と第２画素電極１９１ｂの間の距離を遠くすることができる。第２液晶キャパシタ（Ｃ_LCｂ）電圧（Ｖｂ）は、第１液晶キャパシタ（Ｃ_LCａ）電圧（Ｖａ）の０．６〜０．８倍であることが望ましい。

これに対し、第２液晶キャパシタ（Ｃ_LCｂ）の電圧（Ｖｂ）を第１液晶キャパシタ（Ｃ_LCａ）の電圧（Ｖａ）より高くしてもよいが、これは、第２液晶キャパシタ（Ｃ_LCｂ）を共通電圧などのような所定の電圧で事前充電することによって可能である。

第１副画素の下部及び上部画素電極１９１ａ１、１９１ａ２と第２副画素の中央画素電極１９１ｂとの面積比率は１：０．８５〜１：１．１５の範囲であることが望ましく、各副画素の副画素電極の数は変更しても良い。

また、画素電極１９１の辺のうちのデータ線１７１と隣接する辺をのこぎり状部分９０と同様形状に形成することによって、隣り合う画素電極１９１の間に形成された副電場は、副領域の液晶の配向を強化する方向に形成される。また、隣り合う２つの画素電極１９１の第１斜辺９０ａが互いに対向する領域と対応する位置に接続部７５を設けることで、副領域の液晶の配向を一段と強化することができる。

図２５は、本発明の他の実施形態による液晶表示装置の配置図であり、図２６は、図２５の液晶表示装置のXXVI-XXVI線に沿った断面図であり、図２７は、図２５の液晶表示装置のXXVII-XXVII線に沿った断面図である。

図２５〜図２７に示すように、本発明の一実施形態による液晶表示板組立体は、薄膜トランジスタ表示板１００、共通電極表示板２００、これら２つの表示板１００、２００の間に挟持された液晶層３を備える。

以下、薄膜トランジスタ表示板１００について説明する。

透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板１１０上に複数対の第１及び第２ゲート線１２１ａ、１２１ｂと複数の維持電極線１３１を含む複数のゲート導電体が形成されている。

第１及び第２ゲート線１２１ａ、１２１ｂはゲート信号を伝達し、主に横方向に延びており、それぞれ維持電極線１３１の上側及び下側に位置する。

第１ゲート線１２１ａは下方に突出した複数の第１ゲート電極１２４ａと他の層または外部駆動回路との接続のために面積が広く、それぞれ左側に配置された端部１２９ａを含む。

第２ゲート線１２１ｂは上方に突出した複数の第２ゲート電極１２４ｂと他の層または外部駆動回路との接続のために面積が広く、左側に配置された端部１２９ｂを含む。

しかし、この端部１２９ａ、１２９ｂは２つとも右側に配置することもでき、互いに異なる側に配置することもできる。維持電極線１３１は所定の電圧の印加を受け、主に図２５の横方向に延びている。各維持電極線１３１は第１及び第２ゲート線１２１ａ、１２１ｂの間に位置し、第２ゲート線１２１ｂよりも第１ゲート線１２１ａにさらに近く、隣接した２つの第２ゲート線１２１ｂとほぼ同じ距離を置く。各維持電極線１３１は下上に拡張された維持電極１３７を含み、維持電極１３７はほぼ長方形で、維持電極線１３１に対称である。維持電極１３７を始めとする維持電極線１３１の形状及び配置は様々な形態に変形することができる。

ゲート導電体１２１ａ、１２１ｂ、１３１の側面は基板１１０面に対して傾斜し、その傾斜角は約３０°〜約８０°であることが望ましい。

ゲート導電体１２１ａ、１２１ｂ、１３１上には、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などからなるゲート絶縁膜１４０が形成されている。

ゲート絶縁膜１４０上には水素化非晶質シリコン（非晶質シリコンはａ-Ｓｉと略称する）または多結晶シリコンなどからなる複数の島状半導体１５４ａ、１５４ｂ、１５６、１５７ａ、１５７ｂが形成されている。半導体１５４ａ、１５４ｂはそれぞれゲート電極１２４ａ、１２４ｂ上に位置する。半導体１５６は維持電極線１３１の境界を覆う。半導体１５７ａ、１５７ｂは維持電極１３７の境界線と一部重畳する。

半導体１５４ａ、１５４ｂ、１５７ｂ上には複数の島状オーミック接触部材１６３ａ、１６３ｂ、１６５ａ、１６５ｂ、１６７ｂが形成され、半導体１５６、１５７ａ上にも島状オーミック接触部材（図示せず）が形成されている。オーミック接触部材１６３ａ、１６３ｂ、１６５ａ、１６５ｂ、１６７ｂは、リンなどのｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質からなるか、シリサイドからなることが望ましい。オーミック接触部材１６３ａ、１６５ａとオーミック接触部材１６３ｂ、１６５ｂはそれぞれ対をなして半導体１５４ａ、１５４ｂ上に配置されている。

半導体１５４ａ、１５４ｂ、１５６、１５７ａ、１５７ｂとオーミック接触部材１６３ａ、１６３ｂ、１６５ａ、１６５ｂ、１６７ｂの側面は基板１１０面に対して傾斜し、その傾斜角は３０°〜８０°程度である。

オーミック接触部材１６３ａ、１６３ｂ、１６５ａ、１６５ｂ、１６７ｂ及びゲート絶縁膜１４０上には、複数のデータ線１７１と複数対の第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂを含むデータ導電体が形成されている。

データ線１７１はデータ信号を伝達し、主に図２５の縦方向に延びゲート線１２１ａ、１２１ｂ及び維持電極線１３１と交差する。各データ線１７１は第１及び第２ゲート電極１２４ａ、１２４ｂに向かって延びた複数の第１及び第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂと他の層または外部駆動回路との接続のための面積が広い端部１７９を含む。

第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂは互いに分離され、データ線１７１とも分離されている。

第１ドレイン電極１７５ａは、第１ゲート電極１２４ａを中心に第１ソース電極１７３ａと対向する棒状端部１７６ａ、棒状端部１７６ａの反対側の端にある広い長方形状の拡張部１７７ａ、並びに拡張部１７７ａと端部１７６ａを接続する線状接続部１７６ａａを含む。拡張部１７７ａは維持電極１３７と重畳し、棒状端部１７６ａは、第１ゲート電極１２４ａと重畳しＵ字状に曲がった第１ソース電極１７３ａに一部囲まれている。第１ドレイン電極１７５ａの接続部１７６ａａは大部分延長部１３９上に位置し、延長部１３９に平行に延びており、延長部１３９の縦境界線内に位置する。

これと同様に、第２ドレイン電極１７５ｂは第２ゲート電極１２４ｂを中心に第２ソース電極１７３ｂと対向する棒状端部１７６ｂ、棒状端部１７６ｂの反対側の端にある広い長方形状の拡張部１７７ｂ、並びに拡張部１７７ｂと端部１７６ｂを接続する線状接続部１７６ｂｂを含む。拡張部１７７ｂは維持電極１３７と重畳し、棒状端部１７６ｂは第２ゲート電極１２４ｂと重畳し、Ｕ字状に曲がった第２ソース電極１７３ｂに一部囲まれている。第２ドレイン電極１７５ｂの拡張部１７７ｂの面積は、第１ドレイン電極の拡張部１７７ａの面積より小さい。

このように第１ドレイン電極１７５ａの接続部１７６ａａの下に延長部１３９を設けて保持容量を増加させることができるので、維持電極１３７の面積を小さくし、開口率を向上させることができる。

第１、第２ゲート電極１２４ａ、１２４ｂ、第１、第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂ、及び第１、第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂは、第１、第２半導体１５４ａ、１５４ｂと共に第１、第２薄膜トランジスタ（Ｑａ、Ｑｂ）を構成し、第１、第２薄膜トランジスタ（Ｑａ、Ｑｂ）のチャンネルは第１、第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂと第１、第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂの間の第１、第２半導体１５４ａ、１５４ｂに形成される。

データ導電体１７１、１７５ａ、１７５ｂはその側面が基板１１０面に対して３０°〜８０°程度の角度で傾斜していることが望ましい。

オーミック接触部材１６３ａ、１６３ｂ、１６５ａ、１６５ｂ、１６７ｂはその下の半導体１５４ａ、１５４ｂ、１５７ｂとその上のデータ導電体１７１、１７５ａ、１７５ｂの間にのみ存在し、これらの間の接触抵抗を低くする。ゲート線１２１ａ、１２１ｂ及び維持電極線１３１上に位置した半導体１５６、１５７ａ、１５７ｂは、表面の段差形状をゆるやかに形成することによりデータ線１７１及びドレイン電極１７５ａ、１７５ｂの断線を防止する。島状半導体１５４ａ、１５４ｂにはソース電極１７３ａ、１７３ｂとドレイン電極１７５ａ、１７５ｂの間のようにデータ導電体１７１、１７５ａ、１７５ｂで覆われず露出した部分がある。

データ導電体１７１、１７５ａ、１７５ｂ及び露出した半導体１５４ａ、１５４ｂ上には保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０は無機絶縁物または有機絶縁物などからなり、表面を平坦化することもできる。保護膜１８０にはデータ線１７１の端部１７９及び第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂの拡張部１７７ａ、１７７ｂをそれぞれ露出させる複数のコンタクトホール１８２、１８５ａ、１８５ｂが形成され、保護膜１８０とゲート絶縁膜１４０にはゲート線１２１ａ、１２１ｂの端部１２９ａ、１２９ｂを露出させる複数のコンタクトホール１８１ａ、１８１ｂが形成されている。

保護膜１８０上には第１副画素電極１９１ａ及び第２副画素電極１９１ｂを含む複数の画素電極１９１及び複数の接触補助部材８１ａ、８１ｂ、８２が形成されている。これらはＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質やアルミニウム、銀、クロムまたはその合金などの反射性金属からなることが望ましい。

各画素電極１９１は４つの角が面取りされたほぼ四角形状であり、面取りされた斜辺はゲート線１２１ａ、１２１ｂに対して約４５°の角度をなす。

各画素電極１９１を構成する一対の第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂは間隙（ｇａｐ）９２、９３を介在して互いに噛み合っている。第２副画素電極１９１ｂはほぼ回転した等辺台形で、底辺が台形状に凹んだ形状であり、大部分が第１副画素電極１９１ａに囲まれている。第１副画素電極１９１ａは左側辺で互いに接続している上部、下部及び中央台形部からなる。

各画素電極１９１は互いに対向する一対の第１主辺１９３、１９４とこれら第１主辺１９３、１９４に接続しており、複数ののこぎり状部分９０とこれらのこぎり状部分９０の間を接続する底辺９０ｃを含む第２主辺を有する。ここでのこぎり状部分９０は、第１主辺１９３、１９４に対して傾いた第１斜辺９０ａと第２斜辺９０ｄ及び第１斜辺９０ａと第２斜辺９０ｄの間を接続する上辺９０ｂを有する。第１主辺１９３、１９４はゲート線１２１に平行である。第１主辺１９３、１９４と第２主辺はほぼ長方形をなし、画素電極１９１の４つの角は面取りされてゲート線１２１に対して約４５°の角度をなす。第１斜辺９０ａはデータ線１７１と一部分が重畳し、隣り合う２つの画素電極１９１の第１斜辺９０ａは互いに対向し、平行となっている。

第１副画素電極１９１ａは上部台形部の上辺及び下部台形部の下辺から右側辺に向かって延びた切開部９４ａ、９４ｂを有する。第１副画素電極１９１ａの中央台形部は、第２副画素電極１９１ｂの凹んだ底辺に挟まれている。また、第１副画素電極１９１ａは横部及びこれに接続している一対の斜線部を含む中央切開部９１を有する。横部は第１副画素電極１９１ａの横中心線に沿って短く延びており、一対の斜線部は横部から第１副画素電極１９１ａの左側辺に向かって延びており、維持電極線１３１に対して約４５°の角度をなす。第１副画素電極１９１ａと第２副画素電極１９１ｂの間の間隙９２、９３は、ゲート線１２１ａ、１２１ｂと約４５°をなす二対の上部及び下部斜線部と縦部を含む。以下、説明上、間隙９２、９３も切開部と称する。切開部９１−９４ｂは維持電極線１３１に対してほぼ反転対称をなし、これらはゲート線１２１ａ、１２１ｂに対して約４５°の角度をなし互いに垂直に延びている。画素電極１９１はこの切開部９１−９４ｂによって複数の領域に分割される。

これにより、画素電極１９１を横方向に二等分する維持電極線１３１を中心にした上半部と下半部は、切開部９１−９４ｂによってそれぞれ４つの領域に分割される。

この時、領域の数または切開部の数は、画素電極１９１の大きさ、画素電極１９１の横辺と縦辺の長さの比率、液晶層３の種類や特性など設計要素によって異なる。

第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂはそれぞれコンタクトホール１８５ａ、１８５ｂを介して第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂに接続しており、第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂからデータ電圧の印加を受ける。一対の副画素電極１９１ａ、１９１ｂには１つの入力映像信号に対して予め設定された互いに異なるデータ電圧が印加されるが、その大きさは副画素電極１９１ａ、１９１ｂの大きさ及び形状に応じて設定できる。また、副画素電極１９１ａ、１９１ｂの面積は互いに異なるようにしても良い。例えば、第２副画素電極１９１ｂは第１副画素電極１９１ａに比べて高い電圧の印加を受け、第１副画素電極１９１ａより面積が小さい。

データ電圧が印加された副画素電極１９１ａ、１９１ｂと共通電圧の印加を受ける共通電極２７０は、第１及び第２液晶キャパシタを構成し、薄膜トランジスタがターンオフした後にも印加された電圧を維持する。各液晶キャパシタは液晶層３部分を誘電体として含む。

第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂ及びこれに電気的に接続しているドレイン電極１７３ａ、１７３ｂの拡張部１７７ａ、１７７ｂは、維持電極１３７及び延長部１３９を始めとする維持電極線１３１と重畳して、液晶キャパシタの電圧維持能力を強化するストレージキャパシタを構成する。

接触補助部材８１ａ、８１ｂ、８２はそれぞれコンタクトホール１８１ａ、１８１ｂ、１８２を介してゲート線１２１ａ、１２１ｂの端部１２９ａ、１２９ｂ及びデータ線１７１の端部１７９に接続している。

以下、共通電極表示板２００について説明する。

透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板２１０上に遮光部材２２０が形成されている。遮光部材２２０はデータ線１７１に対応する線状部分、一部分が拡張された拡張部と薄膜トランジスタに対応する面状部分を含み、画素電極１９１の間の光漏れを防止し、画素電極１９１と対向する開口領域を定義する。しかし、遮光部材２２０は、画素電極１９１と対向し画素電極１９１とほぼ同一形状である複数の開口部（図示せず）を有することが望ましい。

基板２１０上には、複数のカラーフィルタ２３０が形成されている。カラーフィルタ２３０は遮光部材２３０に囲まれた領域内に大部分存在し、画素電極１９１の列に沿って縦方向に長く延びることが望ましい。各カラーフィルタ２３０は、赤色、緑色及び青色の三原色など基本色のうちの１つを表示できる。

カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０上にはオーバーコート膜２５０が形成されている。オーバーコート膜２５０は（有機）絶縁物からなることが望ましく、カラーフィルタ２３０が露出することを防止し、平坦面を提供する。オーバーコート膜２５０は省略しても良い。

オーバーコート膜２５０上には共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０はＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明な導電体などからなる。

共通電極２７０には複数の切開部７１、７２、７３ａ、７３ｂ、７４ａ、７４ｂ、７５が形成されている。

１つの切開部群７１〜７５は、１つの画素電極１９１と対向し、中央切開部７１、第１〜第３下部斜線切開部７２、７３ａ、７４ａ、第１〜第３上部斜線切開部７２、７３ｂ、７４ｂ及び接続部７５を含む。切開部７１〜７４ｂそれぞれは画素電極１９１の隣接切開部９１、９２、９３、９４ａ、９４ｂの間または切開部９１、９２、９３、９４ａ、９４ｂと画素電極１９１の面取りされた斜辺の間に配置されている。また、各切開部７１〜７４ｂは、画素電極１９１の下部切開部９３、９４ａまたは上部切開部９３、９４ｂに平行に延びて少なくとも１つの斜線部を含む。

第１下部及び第１上部斜線切開部７２はほぼ画素電極１９１の右側辺から画素電極１９１の左側辺に延びており、第２下部及び第２上部斜線切開部７３ａ、７３ｂは画素電極１９１の右側辺から画素電極１９１の左上または左下角に延びている。そして、第３下部及び第３上部斜線切開部７４ａ、７４ｂは、画素電極１９１の右側辺から画素電極１９１の上側辺または下側辺に延びており、第３下部及び第３上部斜線切開部７４ａ、７４ｂの各端から画素電極１９１の下側辺と上側辺に沿ってそれぞれ重畳しながら延びた縦断横部を含む。縦断横部は斜線切開部７４ａ、７４ｂと鈍角をなす。

中央切開部７１は中央横部、一対の斜線部を含む。中央横部はほぼ画素電極１９１の右側辺から維持電極線１３１に沿って左に延びており、一対の斜線部は中央横部の端から画素電極１９１の左側辺に向かってそれぞれ下部及び上部斜線切開部７２〜７４ｂにほぼ平行に延びる。

中央切開部７１のうちの斜線部の一端と隣り合う画素電極の第２下部切開部７３ａの一端、中央切開部７１の他の斜線部の一端と隣り合う画素電極の第２上部切開部７３ｂの一端、第１下部斜線切開部７２の一端と隣り合う画素電極の第３下部斜線切開部７４ａの一端、及び第１上部斜線切開部７２の一端と隣り合う画素電極の第３上部斜線切開部７４ｂの一端はそれぞれ接続部７５に接続している。接続部７５は、画素電極１９１の第１斜辺９０ａに平行であり、データ線１７１と対応する部分に位置する。接続部７５の幅は画素電極１９１と画素電極１９１との間の間隔より約８μｍ程度広く、遮光部材２２０の拡張部２２２は接続部７５と対応し他の部分に比べて幅が広いことが望ましい。

切開部７１〜７４ｂの斜線部には三角形状のノッチ７が形成されている。このようなノッチは四角形、台形または半円形であるか、突出した形状や凹んだ形状であっても良い。このようなノッチは、切開部７１−７４ｂに対応する領域境界に位置する液晶分子３の配列方向を決定する。

切開部７１−７５の数及び方向は設計要素によって異なり、遮光部材２２０が切開部７１〜７５と重畳して切開部７１−７５付近の光漏れを遮断することができる。

表示板１００、２００の内側面には配向膜１１、２１が塗布されており、これらは垂直配向膜であっても良い。

表示板１００、２００の外側面には偏光子（図示せず）が備えられており、２つの偏光子の偏光軸は直交し、このうちの１つの偏光軸はゲート線１２１ａ、１２１ｂに対して平行であることが望ましい。反射型液晶表示装置の場合、２つの偏光子のうちの１つは省略しても良い。

本実施形態による液晶表示装置は、液晶層３の遅延値を補償するための位相遅延膜（図示せず）をさらに備えることが望ましい。位相遅延膜は、複屈折性を有し、液晶層３の位相遅延を逆補償する。

液晶層３は負の誘電率異方性を有し、液晶層３の液晶分子は電場がない状態でその長軸が２つの表示板１００、２００の表面に対して垂直をなすように配向されている。このため、入射光は直交偏光子を通過できず遮断される。

共通電極２７０に共通電圧を印加し、画素電極１９１にデータ電圧を印加して第１または第２液晶キャパシタの両端に電位差が生じると表示板１００、２００の面にほぼ垂直な電場が液晶層３に生成される。このため、液晶層３の液晶分子は電場に応答してその長軸が電場の方向に垂直をなすように傾き、液晶分子が傾いた程度によって液晶層３に入射した光の偏光の変化程度が異なる。このような偏光の変化は偏光子によって透過率の変化として表れ、これによって液晶表示装置は映像を表示する。

液晶分子が傾く角度は電場の強さによって異なっており、第１副画素電極には低い電圧が印加され、第２副画素電極には高い電圧が印加される場合、第１液晶キャパシタの電圧（Ｖａ）が第２液晶キャパシタの電圧（Ｖｂ）より大きいので、第１副画素と第２副画素とで液晶分子が傾いた角度が異なり、このため、２つの副画素の輝度が異なる。よって、第１液晶キャパシタの電圧（Ｖａ）と第２液晶キャパシタの電圧（Ｖｂ）を適切に合せることによって、側面から見る映像を正面から見る映像に最大限近似させることができ、その結果、側面視認性を向上させることができる。

液晶分子が傾く方向は、電場生成電極１９１、２７０の切開部７１−７４ｂ、９１−９４ｂと画素電極１９１の斜辺が電場を歪ませて形成する水平成分によって決定され、このような電場の水平成分は切開部７１−７４ｂ、９１−９４ｂの辺と画素電極１９１の辺に垂直である。

図２６に示すように、１つの切開部群７１−７４ｂ、９１−９４ｂは、画素電極１９１をそれぞれ２つの傾いた主辺（ｍａｊｏｒ ｅｄｇｅ）を有する複数の副領域（ｓｕｂ-ａｒｅａ）に分割し、各副領域の液晶分子の傾斜方向は電場の水平成分によって決定される方向に決定され、傾く方向は概ね４つの方向となる。このように液晶分子が傾く方向を多様にすることで液晶表示装置の基準視野角を広くできる。

また、画素電極１９１の辺のうちのデータ線１７１と隣接する辺をのこぎり状に形成することによって、隣り合う画素電極１９１の間に形成される副電場は副領域の液晶の配向を強化する方向に作用する。また、隣り合う２つの画素電極１９１の第１斜辺９０ａが互いに対向する領域と対応する位置に接続部７５を設けることで、副領域の液晶の配向を一段と強化することができる。

液晶分子の傾斜方向を決定するための切開部７１−７４ｂ、９１−９４ｂの形状及び配置は変更可能であり、少なくとも１つの切開部７１−７４ｂ、９１−９４ｂは、突起（図示せず）や陥没部（図示せず）で代替しても良い。突起は有機物または無機物からなり、電場生成電極１９１、２７０の上または下に配置すると良い。

また、高い電圧の印加を受ける第２副画素電極１９１ｂの面積を第１副画素電極１９１ａの面積より小さくすることで側面ガンマ曲線の歪みを小さくすることができる。特に、第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂの面積比率がほぼ２：１である場合、側面ガンマ曲線が正面ガンマ曲線にさらに近づいて側面視認性が一段と良くなる。

本発明の他の実施形態による液晶表示装置について図２８〜図３０を参照して詳細に説明する。

図２８は、本発明の他の実施形態による液晶表示装置の配置図であり、図２９は、図２８の液晶表示装置を各々XXIX-XXIX線に沿って切断した断面図であり、図３０は、図２８の液晶表示装置を各々XXX-XXX線に沿って切断した断面図である。

図２８〜図３０に示すように、本実施形態による液晶表示装置は、薄膜トランジスタ表示板１００、共通電極表示板２０１及びその間の液晶層３を備える。

まず、薄膜トランジスタ表示板１００について詳細に説明する。

透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板１１０上に複数のゲート線１２１と複数の維持電極線１３１を含む複数のゲート導電体が形成されている。

ゲート線１２１はゲート信号を伝達し、主に図２８の横方向に延びている。各ゲート線１２１は上方に突出した第１及び第２ゲート電極１２４ａ、１２４ｂと他の層または外部駆動回路との接続のために面積が広い端部１２９を含む。維持電極線１３１は所定の電圧の印加を受けて主に図２８の横方向に延びている。各維持電極線１３１は隣接した２つのゲート線１２１の間に位置し、２つのゲート線１２１とほぼ同じ距離を置いて位置する。各維持電極線１３１は、下上に拡張された維持電極１３７と維持電極１３７から下方に長く延びた棒状延長部１３９を含む。維持電極１３７はほぼ長方形で、維持電極線１３１と対称であり、延長部１３９は第１ゲート電極１２４ａ付近まで延びている。しかし、維持電極１３７を始めとする維持電極線１３１の形状及び配置は様々な形態に変形することができる。

ゲート導電体１２１、１３１上には、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などからなるゲート絶縁膜１４０が形成されている。

ゲート絶縁膜１４０上には、水素化非晶質シリコンまたは多結晶シリコンなどからなる複数の島状半導体１５４ａ、１５４ｂ、１５７ａ、１５７ｂが形成されている。半導体１５４ａ、１５４ｂはそれぞれゲート電極１２４ａ、１２４ｂ上に位置する。

半導体１５４ａ、１５４ｂ、１５７ａ、１５７ｂ上には、複数の島状オーミック接触部材１６３ａ、１６３ｂ、１６５ａ、１６５ｂ、１６７ａ、１６７ｂが形成されている。オーミック接触部材１６３ａ-１６７ｂは、リンなどのｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質からなるか、シリサイドからなることが望ましい。オーミック接触部材１６３ａ、１６５ａとオーミック接触部材１６３ｂ、１６５ｂはそれぞれ対をなして半導体１５４ａ、１５４ｂ上に位置し、オーミック接触部材１６７ａ、１６７ｂはそれぞれ半導体１５７ａ、１５７ｂ上に位置する。

ゲート絶縁膜１４０及びオーミック接触部材１６３ａ、１６３ｂ、１６５ａ、１６５ｂ、１６７ａ、１６７ｂ上には、複数のデータ線１７１ａ、１７１ｂと複数対の第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂを含むデータ導電体が形成されている。

データ線１７１ａ、１７１ｂはデータ信号を伝達し、主に図２８の縦方向に延びてゲート線１２１及び維持電極線１３１と交差する。各データ線１７１ａ、１７１ｂは、第１及び第２ゲート電極１２４ａ、１２４ｂに向かって延びた複数の第１及び第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂと他の層または外部駆動回路との接続のために面積が広い端部１７９ａ、１７９ｂを含む。

第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂは互いに分離されており、データ線１７１ａ、１７１ｂとも分離されている。各ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂは、ゲート電極１２４ａ、１２４ｂを中心に第１及び第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂと対向し、一方端には面積が広い長方形状の拡張部１７７ａ、１７７ｂ、棒状である他方端部１７６ａ、１７６ｂ、並びに拡張部１７７ａ、１７７ｂと端部１７６ａ、１７６ｂを接続する接続部１７６ａａ、１７６ｂｂを含む。各拡張部１７７ａ、１７７ｂは維持電極１３７と重畳し、棒状端部１７６ａ、１７６ｂはゲート電極１２４ａ、１２４ｂと重畳し、Ｕ字状に曲がったソース電極１７３ａ、１７３ｂに一部囲まれている。

第１ドレイン電極１７３５ａの接続部１７６ａａは、大部分延長部１３９上に位置し、延長部１３９に平行に延び延長部１３９の縦境界線内に位置する。第２ドレイン電極１７５ｂの拡張部１７７ｂの面積は第１ドレイン電極１７５ａの拡張部１７７ａの面積より小さい。

第１、第２ゲート電極１２４ａ、１２４ｂ、第１、第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂ及び第１、第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂは、半導体１５４ａ、１５４ｂと共に第１、第２薄膜トランジスタ（Ｑａ、Ｑｂ）を構成し、薄膜トランジスタ（Ｑａ、Ｑｂ）のチャンネルは、第１、第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂと第１、第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂの間の半導体１５４ａ、１５４ｂに形成される。

オーミック接触部材１６３ａ−１６７ｂはその下の半導体１５４ａ、１５４ｂ、１５７ａ、１５７ｂとその上のデータ線１７１ａ、１７１ｂ及びドレイン電極１７５ａ、１７５ｂの間にのみ存在し、これらの間の接触抵抗を低くする。島状半導体１５４ａ、１５４ｂにはソース電極１７３ａ、１７３ｂとドレイン電極１７５ａ、１７５ｂの間を始めとするこれらで覆われず露出した部分がある。

データ線１７１ａ、１７１ｂ、ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂ及び露出した半導体１５４ａ、１５４ｂ部分上には保護膜１８０が形成されている。

保護膜１８０にはドレイン電極１７５ａ、１７５ｂの拡張部１７７ａ、１７７ｂとデータ線１７１ａ、１７１ｂの端部１７９ａ、１７９ｂをそれぞれ露出させる複数のコンタクトホール１８５ａ、１８５ｂ、１８２ａ、１８２ｂが形成されており、保護膜１８０とゲート絶縁膜１４０にはゲート線１２１の端部１２９を露出させる複数のコンタクトホール１８１が形成されている。

保護膜１８０上には、第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂを含む複数の画素電極１９１及び複数の接触補助部材８１、８２ａ、８２ｂが形成されている。これらはＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質やアルミニウム、銀、クロムまたはその合金などの反射性金属からなることが望ましい。

各画素電極１９１は４つの角が面取りされたほぼ四角形状であり、面取りされた斜辺はゲート線１２１に対して約４５°の角度をなす。

各画素電極１９１を構成する一対の第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂは、間隙（ｇａｐ）９２、９３を介在して互いに噛み合っている。第２副画素電極１９１ｂはほぼ回転した等辺台形で、底辺が台形状に凹んだ形状に構成されており、大部分第１副画素電極１９１ａに囲まれている。第１副画素電極１９１ａは、左側辺で互いに接続している上部、下部及び中央台形部からなる。

各画素電極１９１は互いに対向する一対の第１主辺１９３、１９４とこれら第１主辺１９３、１９４に接続しており、複数ののこぎり状部分９０とこれらのこぎり状部分９０の間を接続する底辺９０ｃを含む第２主辺を有する。ここでのこぎり状部分９０は、第１主辺１９３、１９４に対して傾いた第１斜辺９０ａと第２斜辺９０ｄ及び第１斜辺９０ａと第２斜辺９０ｄの間を接続する上辺９０ｂを有する。第１主辺１９３、１９４はゲート線１２１に平行である。第１主辺１９３、１９４と第２主辺はほぼ長方形をなし、画素電極１９１の４つの角は面取りされてゲート線１２１に対して約４５°の角度をなす。第１斜辺９０ａはデータ線１７１と一部分が重畳しており、隣り合う２つの画素電極１９１の第１斜辺９０ａは互いに対向し、平行となっている。

第１副画素電極１９１ａは、上部台形部の上辺及び下部台形部の下辺から右側辺に向かって延びた切開部９４ａ、９４ｂを有している。第１副画素電極１９１ａの中央台形部は、第２副画素電極１９１ｂの凹んだ形状の底辺に挟まれている。また、第１副画素電極１９１ａは横部及びこれに接続している一対の斜線部を含む中央切開部９１を有する。横部は第１副画素電極１９１ａの横中心線に沿って短く延びており、一対の斜線部は横部から第１副画素電極１９１ａの左側辺に向かって延びており、維持電極線１３１に対して約４５°の角度をなす。第１副画素電極１９１ａと第２副画素電極１９１ｂの間の間隙９２、９３は、ゲート線１２１と約４５°をなす二対の上部及び下部斜線部と縦部を含む。

切開部９１−９４ｂは維持電極線１３１に対してほぼ反転対称をなしており、これらはゲート線１２１に対して約４５°の角度をなしながら互いに垂直に延びている。画素電極１９１は該切開部９１−９４ｂによって複数の領域に分割される。

これにより、画素電極１９１を横方向に二等分する維持電極線１３１を中心にした上半部と下半部は、切開部９１−９４ｂによってそれぞれ４つの領域に分割される。

この時、領域の数または切開部の数は画素電極１９１の大きさ、画素電極１９１の横辺と縦辺との長さの比率、液晶層３の種類や特性など設計要素によって異なる。

第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂはそれぞれコンタクトホール１８５ａ、１８５ｂを介して第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂに接続しており、第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂからデータ電圧の印加を受ける。一対の副画素電極１９１ａ、１９１ｂには１つの入力映像信号に対して予め設定されていた互いに異なるデータ電圧が印加されるが、その大きさは副画素電極１９１ａ、１９１ｂの大きさ及び形状に応じて設定できる。また、副画素電極１９１ａ、１９１ｂの面積は互いに異なるようにしても良い。例えば、第２副画素電極１９１ｂは第１副画素電極１９１ａより高い電圧の印加を受け、第１副画素電極１９１ａより面積が小さい。

第１、第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂは、コンタクトホール１８５ａ、１８５ｂを介して第１、第２ドレイン電極１７３ａ、１７３ｂと物理的、電気的に接続しており、第１、第２ドレイン電極１７３ａ、１７３ｂからデータ電圧の印加を受ける。一対の副画素電極１９１ａ、１９１ｂには１つの入力映像信号に対して予め設定されていた互いに異なるデータ電圧が印加されるが、その大きさは副画素電極１９１ａ、１９１ｂの大きさ及び形状に応じて設定できる。また、副画素電極１９１ａ、１９１ｂの面積は互いに異なるようにしても良い。例えば、第２副画素電極１９１ｂは第１副画素電極１９１ａより高い電圧の印加を受け、第１副画素電極１９１ａより面積が小さい。

データ電圧が印加された副画素電極１９１ａ、１９１ｂにおいて、共通電圧の印加を受ける共通電極２７０は第１及び第２液晶キャパシタを構成して薄膜トランジスタがターンオフされた後にも印加された電圧を維持する。各液晶キャパシタは液晶層３部分を誘電体として含む。

第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂ及びこれに電気的に接続しているドレイン電極１７３ａ、１７３ｂの拡張部１７７ａ、１７７ｂは、ゲート絶縁膜１４０を介在して維持電極１３７及び延長部１３９を始めとする維持電極線１３１と重畳し、液晶キャパシタの電圧維持能力を強化するストレージキャパシタを構成する。

接触補助部材８１、８２ａ、８２ｂはそれぞれコンタクトホール１８１、１８２ａ、１８２ｂを介してゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１ａ、１７１ｂの端部１７９ａ、１７９ｂに接続している。

以下、共通電極表示板２００について説明する。

透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板２１０上に遮光部材２２０が形成されている。遮光部材２２０はデータ線１７１に対応する線状部分、一部分が拡張された拡張部と薄膜トランジスタに対応する面状部分を有し、画素電極１９１の間の光漏れを防止し、画素電極１９１と対向する開口領域を定義する。しかし、遮光部材２２０は画素電極１９１と対向し、画素電極１９１とほぼ同一形状である複数の開口部（図示せず）を有することが望ましい。

基板２１０上には、複数のカラーフィルタ２３０が形成されている。カラーフィルタ２３０は遮光部材２３０に囲まれた領域内に大部分存在し、画素電極１９１の列に沿って縦方向に長く延びることが望ましい。各カラーフィルタ２３０は、赤色、緑色及び青色の三原色など基本色のうちの１つを表示できる。

カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０上にはオーバーコート膜２５０が形成されている。オーバーコート膜２５０は（有機）絶縁物からなることが望ましく、カラーフィルタ２３０が露出することを防止し、平坦面を提供する。オーバーコート膜２５０は省略しても良い。

オーバーコート膜２５０上には共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０はＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明な導電体で形成される。

共通電極２７０には複数の切開部７１、７２、７３ａ、７３ｂ、７４ａ、７４ｂ、７５が形成されている。

１つの切開部群７１〜７５は、１つの画素電極１９１と対向し、中央切開部７１、第１〜第３下部斜線切開部７２、７３ａ、７４ａ、第１〜第３上部斜線切開部７２、７３ｂ、７４ｂ及び接続部７５を含む。切開部７１〜７４ｂそれぞれは画素電極１９１の隣接切開部９１、９２、９３、９４ａ、９４ｂの間または切開部９１、９２、９３、９４ａ、９４ｂと画素電極１９１の面取りされた斜辺の間に配置されている。また、各切開部７１〜７４ｂは、画素電極１９１の下部切開部９２、９３、９４ａまたは上部切開部９２、９３、９４ｂに平行に延びた少なくとも１つの斜線部を含む。

第１下部及び第１上部斜線切開部７２はほぼ画素電極１９１の右側辺から画素電極１９１の左側辺に延びており、第２下部及び第２上部斜線切開部７３ａ、７３ｂは画素電極１９１の右側辺から画素電極１９１の左上または左下角に延びている。そして、第３下部及び第３上部斜線切開部７４ａ、７４ｂは、画素電極１９１の右側辺から画素電極１９１の上側辺または下側辺に延びており、第３下部及び第３上部斜線切開部７４ａ、７４ｂの各端から画素電極１９１の下側辺と上側辺に沿ってそれぞれ重畳しながら延長された縦断横部を含む。縦断横部は斜線切開部７４ａ、７４ｂと鈍角をなす。

中央切開部７１は中央横部、一対の斜線部を含む。中央横部はほぼ画素電極１９１の右側辺から維持電極線１３１に沿って左に延びており、一対の斜線部は中央横部の端から画素電極１９１の左側辺に向かってそれぞれ下部及び上部斜線切開部７２〜７４ｂにほぼ平行に延びる。

中央切開部７１のうちの斜線部の一端と隣り合う画素電極の第２下部切開部７３ａの一端、中央切開部７１の他の斜線部の一端と隣り合う画素電極の第２上部切開部７３ｂの一端、第１下部斜線切開部７２の一端と隣り合う画素電極の第３下部斜線切開部７４ａの一端、及び第１上部斜線切開部７２の一端と隣り合う画素電極の第３上部斜線切開部７４ｂの一端はそれぞれ接続部７５に接続している。接続部７５は、画素電極１９１の第１斜辺９０ａに平行であり、データ線１７１と対応する部分に位置する。接続部７５の幅は、画素電極１９１と画素電極１９１の間の間隔より約８μｍ程度広く、遮光部材２２０の拡張部２２２は接続部７５と対応し他の部分より幅が広いことが望ましい。

切開部７１−７４ｂの斜線部には三角形状のノッチ７が形成されている。このようなノッチは四角形、台形または半円形の形状であるか、突出した形状や凹んだ形状であっても良い。このようなノッチは、切開部７１−７４ｂに対応する領域境界に位置する液晶分子３の配列方向を決定する。

切開部７１−７５の数及び方向は設計要素によって異なり、遮光部材２２０が切開部７１〜７５と重畳して切開部７１−７５付近の光漏れを遮断することができる。

また、画素電極１９１の辺のうちのデータ線１７１と隣接する辺をのこぎり状に形成することで、隣り合う画素電極１９１の間に形成される副電場は副領域の液晶の配向を強化する方向に作用する。また、隣り合う２つの画素電極１９１の第１斜辺９０ａが互いに対向する領域と対応する位置に接続部７５を設けることで、副領域の液晶の配向を一段と強化することができる。

表示板１０１、２０１の内側面には配向膜１１、２１が塗布されており、外側面には偏光子（図示せず）が備えられている。

以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、これは例示的なものに過ぎず、該当技術分野における通常の知識を有する者であれば、本発明に基づいて様々な変形及び均等な他の実施例が可能であることが理解できるであろう。よって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多様な変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。

１１、２１ 配向膜
１２、２２ 偏光子
７１、７２ａ、７２ｂ、７３ａ、７３ｂ、７４ａ、７４ｂ、７５ 共通電極の切開部
８１、８１ａ、８１ｂ、８２、８２ａ、８２ｂ 接触補助部材
９１、９２、９２ａ、９２ｂ、９３、９４ａ、９４ｂ 画素電極の切開部
１１０、２１０ 基板
１２１、１２１ａ、１２１ｂ、１２９ａ、１２９ｂ、１２９ ゲート線
１２４、１２４ａ、１２４ｂ ゲート電極
１４０ ゲート絶縁膜
１５１、１５４、１５４ａ、１５４ｂ 半導体
１６１、１６３、１６３ａ、１６３ｂ、１６５、１６５ａ、１６５ｂ、１６６ オーミック接触部材
１７１、１７１ａ、１７１ｂ、１７９、１７９ａ、１７９ｂ データ線
１７３、１７３ａ、１７３ｂ ソース電極
１７５、１７５ａ、１７５ｂ ドレイン電極
１８０ 保護膜
１８１、１８１ａ、１８１ｂ、１８２、１８２ａ、１８２ｂ、１８３ａ、１８３ｂ、１８５、１８５ａ、１８５ｂ コンタクトホール（接触孔）
１９１ 画素電極
２３０ カラーフィルタ
２５０ オーバーコート膜
２７０ 共通電極

Claims (16)

1. 各画素に形成され、各画素を複数の副領域に区画する第１切開部を有する画素電極と、
   前記第１切開部とともに各画素を複数の副領域に区画する第２切開部を有し、前記画素電極と対向する共通電極と、
   前記画素電極と前記共通電極の間に位置している液晶層と、
   を備え、
   前記副領域それぞれは互いに対向する一対の主辺と、これに接続している複数の副辺を有し、
   隣接した２つの画素電極にそれぞれ含まれる２つの副領域の主辺は互いにずれており、
   前記共通電極は、隣接する画素電極の間隙に位置し、隣り合う画素の前記第２切開部を接続する接続切開部を有することを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記主辺は前記第１及び第２切開部と斜角をなすことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記各副領域の副辺のうちの少なくとも１つは１３５°より大きい角度で主辺と交わることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
4. 前記各副領域の主辺は第１主辺と前記第１主辺より短い第２主辺を含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
5. 前記画素電極の辺のうちの一部は前記副領域の副辺をなし、前記第２切開部は前記副領域の副辺をなす前記画素電極の辺のうちの一部とは重畳しないことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
6. 前記接続切開部と第２切開部は鈍角をなすことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
7. 前記接続切開部の幅は前記間隙の幅より広いことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
8. 前記副領域の副辺と重畳するデータ線をさらに含むことを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
9. 前記接続切開部は前記データ線と対向することを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
10. 前記データ線と対向する遮光部材をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
11. 前記副領域の副辺のうちの一部は前記データ線と重畳せず、前記遮光部材は前記データ線と重畳しない前記副領域の副辺のうちの一部を遮る拡張部をさらに含むことを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
12. 前記画素電極は前記第１切開部のうちの一部によって物理的に互いに分離された少なくとも２つの副画素電極を含むことを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
13. 前記１つの画素電極において、各々の副画素電極は互いに異なるデータ線に接続しており、
    前記１つの画素電極において、各々の副画素電極は同じゲート線に接続していることを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置。
14. 前記１つの画素電極において、各々の副画素電極は互いに異なるゲート線に接続しており、
    前記１つの画素電極において、各々の副画素電極は同じデータ線に接続していることを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置。
15. 前記画素電極は前記接続切開部と交互に配置されている第３切開部を含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
16. ゲート線と前記接続切開部とは４５°をなすことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。

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