JP4791099B2 - 薄膜トランジスタ表示板 - Google Patents
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Description
突起を利用する方法は、上下表示板に形成されている画素電極と共通電極上に、それぞれ突起を形成して置き、突起によって歪曲される電場を利用して液晶分子の傾斜方向を調節する方法である。
このような多重ドメイン液晶表示装置は、1:10のコントラスト比を基準にするコントラスト比基準視野角や階調間の輝度反転の限界角度で定義される階調反転基準視野角が全ての方向において80゜以上で非常に優れている。
本願第1発明の薄膜トランジスタ表示板は、基板と、前記基板上に形成されている第1信号線と、前記第1信号線と交差している第2信号線と、前記第1信号線及び前記第2信号線と連結されている薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタと電気的に連結されている第1及び第2副画素電極と、前記第1及び第2副画素電極と容量性結合している第3副画素電極を有する画素電極とを含む。
本発明によれば、画素電極を分割して互いに異なる電圧を印加をすることによって液晶表示装置の側面視認性を向上させ、これによって視野角を拡張することができる。具体的には、画素電極が分割されて互いに異なる電圧が印加されることで、それぞれの第1副画素と第2副画素における液晶分子の傾斜角度が異なるため、二つの副画素の輝度が異なる。したがって、側面から眺める映像を正面から眺める映像に最大限近くすることができ、これによって側面視認性を向上することができる。
本願第3発明は、第1発明において、前記第1及び第2副画素電極と電気的に連結されており、前記第3副画素電極と容量性結合している結合電極をさらに含むことができる。
本願第4発明は、第3発明において、前記第1副画素電極、前記第2副画素電極及び前記結合電極のうちの少なくとも一つと重畳する維持電極をさらに含むことができる。
このような維持電極をもうけることで、1副画素電極、前記第2副画素電極及び前記結合電極の電位を補償することができる。
本願第6発明は、第5発明において、前記結合と前記画素電極との間に形成された絶縁膜をさらに含み、前記結合電極と前記第3副画素電極との間に位置する前記絶縁膜の部分は、前記絶縁膜の他の部分より薄い。
結合電極と前記第3副画素電極との間の絶縁膜を薄くすることで、キャパシタの容量を維持することができる。
本願第7発明は、第6発明において、前記絶縁膜は無機膜及び有機膜を含むことができる。無機膜により下部の膜との接触性を高め、有機膜により平坦性を確保し易くなる。
本願第9発明は、第5発明において、前記第3副画素電極と電気的に連結されており、前記結合電極と重畳する容量電極をさらに含むことができる。
本願第10発明は、第9発明において、前記第1信号線と前記第2信号線との間及び前記容量電極と前記結合電極との間に形成されている第1絶縁膜と、前記第2信号線と前記画素電極との間及び前記結合電極と前記第3副画素電極との間に形成されている第2絶縁膜と、をさらに含むことができる。
本願第11発明は、第10発明において、前記第2絶縁膜は、無機膜及び前記無機膜上の有機膜を含むことができる。
本願第13発明は、第12発明において、前記第1信号線と前記第2信号線との間及び前記容量電極と前記結合電極との間に形成されている絶縁膜をさらに含むことができる。
本願第14発明は、第3発明において、前記結合電極は前記薄膜トランジスタからのびる。
本願第15発明は、第1発明において、前記第3副画素電極と電気的に連結されており、前記第1または第2副画素電極に容量性結合された容量電極をさらに含むことができる。
本願第16発明は、第1発明において、前記第2信号線と前記画素電極との間に形成されている絶縁膜をさらに含むことができる。
本願第18発明は、第1発明において、前記画素電極を前記第1、第2、第3副画素電極に区画する区画部材をさらに含むことができる。
本願第19発明は、第1発明において、前記第1副画素電極及び前記第2副画素電極が互いに離れていることができる。
液晶表示板を提供する。
本願第22発明は、第21発明において、前記第1液晶キャパシタは、前記第1電極及び第2電極を含む第1ターミナルと、前記共通電極の第1重畳部を含む第2ターミナルと、絶縁体として前記第1ターミナル及び前記第2ターミナルの間に位置する液晶層の一部とを含み、前記第2液晶キャパシタは、前記第3電極を含む第1ターミナルと、前記共通電極の第2重畳部を含む第2ターミナルと、絶縁体として前記第1ターミナル及び前記第2ターミナルの間に位置する液晶層の一部とを含むことができる。
本願第23発明は、第20発明において、前記第1電圧は、前記第2電圧より大きいことができる。
本願第24発明は、第23発明において、前記第2電圧は、前記第1電圧の約60%〜80%であることができる。
本願第26発明は、第25発明において、前記結合電極の前記第1電極及び前記第2電極に対する位置を変えることにより、前記結合キャパシタの静電容量を変化させ、前記第1電圧と前記第2電圧との比率が調整されることができる。
図面では各種の層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体を通して類似した部分については同一な図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上に”あるとする時、これは他の部分の“すぐ上に”ある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“すぐ上に”あるとする時には、中間に他の部分がないことを意味する。
図1は本発明の一実施形態による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の配置図である。図2は本発明の一実施形態による液晶表示装置用共通電極表示板の配置図である。図3は本発明の一実施形態による液晶表示装置の配置図である。図4は図3の液晶表示装置をIV-IV’線に沿って切断した断面図である。図5は図1乃至図4に示す液晶表示装置の等価回路図である。
まず、薄膜トランジスタ表示板100について詳細に説明する。
透明なガラスまたはプラスチックなどで作られた絶縁基板110上に複数のゲート線121、複数の維持電極線131及び複数の容量電極136を含む複数のゲート導電体が形成されている。
容量電極136は、ゲート線121及び維持電極線131と分離されており、図中上方に突出した突出部139を含む広い横部とこれに連結された狭い縦部を有する。横部はゲート線121とほぼ平行にのびる長方形であって、隣接した二つのゲート線121とほぼ同一の距離を置いている。縦部は横部の右端から維持電極線131に向かってのびている。
ゲート導電体121、131、136の上には、窒化ケイ素(SiNx)などからなるゲート絶縁膜140が形成されている。
ゲート絶縁膜140上には水素化非晶質シリコン(非晶質シリコンは略称a-Siという)または多結晶シリコンなどで作られた複数の線状半導体151が形成されている。線状半導体151は主に図中縦方向にのびており、ゲート電極124に向かってのび出た複数の突出部154を含む。線状半導体151はゲート線121及び維持電極線131の付近で幅が広くなってこれらを幅広く覆っている。
各データ線171は主に縦方向にのびており、各ドレイン電極175に向かって複数の分岐を出してデータ線171から拡張されたソース電極173を有する。データ線171の一端部分に位置した接触部179は、外部からの画像信号をデータ線171に伝達する。
各ドレイン電極175は、また拡張部177及びこれと連結された結合電極176を含む。
一つのゲート電極124、一つのソース電極173及び一つのドレイン電極175は半導体151の突出部154と共に、一つの薄膜トランジスタ(TFT)を構成し、薄膜トランジスタのチャンネルはソース電極173とドレイン電極175の間の突出部154に形成される。
データ導電体171、175もまたその側面が基板110面に対して30°〜80°程度の傾斜角で傾くのが好ましい。
各画素電極190は四つの角が面取りされているほぼ四角形状であり、面取りされた斜辺はゲート線121に対して約45゜の角度を構成する。
間隙92は下部分92a及び上部分92b、そしてこれらを連結する縦部92cを含む。間隙92の下部分及び上部分92a、92bはほぼ画素電極190の右辺から左辺へのびており、ゲート線121に対して各々時計方向及び反時計方向に約45゜の角度を構成する。間隙92の縦部92cは下部分及び上部分92a、92bの左端を連結する。
外側副画素電極190aは接触孔185を通じてドレイン電極175の拡張部177と連結されている。
内側副画素電極190bには切開部91が形成されている。切開部91は画素電極190の横中心線に沿ってのびて、右辺方向に入口を有している。切開部91の入口は間隙92の下部分92a及び上部分92bに各々ほぼ平行な一対の斜辺を有している。
この時、切開部の数または領域の数は画素電極190の大きさ、画素電極190の横辺と縦辺との長さ比、液晶層3の種類や特性など設計要素によって変わることがある。
次に、共通電極表示板200について図2乃至図4を参照して詳細に説明する。
絶縁基板210には光が漏れることを防止するためのブラックマトリックス220ともいう遮光部材220が形成されている。遮光部材220には画素電極190と対向して画素電極190とほぼ同一な形状を有する複数の開口部225が形成されている。これと違って、遮光部材220は薄膜トランジスタ表示板100のデータ線171に対応する線形部及び薄膜トランジスタに対応する面形部を含むことができる。
蓋膜250上には複数組みの切開部71、72a、72bを有する共通電極270が形成されている。共通電極270はITOまたはIZOなどの透明な導電体で形成する。
中央切開部71は中央横部、一対の斜線部及び一対の縦断縦部を含む。中央横部はほぼ画素電極190の左辺から画素電極190の横中心線に沿って右側へのびて、一対の斜線部は中央横部の端から画素電極190の右辺に向かって各々下部及び上部切開部72a、72bとほとんど並んでのびる。縦断縦部は当該斜線部の端から画素電極190の右辺に沿って右辺と重畳しながらのびて斜線部と鈍角をなす。
表示板100、200の内側面には配向膜11、21が塗布されており、これらは垂直配向膜であり得る。表示板100、200の外側面には偏光子12、22が備えられているが、二つの偏光子12、22の偏光軸は直交し、この中で一つの偏光軸はゲート線121に対して並んだのが好ましい。反射型液晶表示装置の場合には二つの偏光子12、22のうちの一つが省略できる。
液晶表示装置は偏光子12、22、位相遅延膜、表示板100、200及び液晶層3に光を供給する照明部(図示せず)を含むことができる。
このような液晶表示装置は図5の等価回路で表現することができる。
図5を参考にすれば、液晶表示装置の一つの画素は薄膜トランジスタ(Q)、第1液晶キャパシタ(CLCa)及びストレージキャパシタ(CST)を含む第1副画素、第2液晶キャパシタ(CLCb)を含む第2副画素、そして結合キャパシタ(Ccp)を含む。
結合キャパシタ(Ccp)は一つの端子として内側副画素電極190bと容量電極136を含み、他の一つの端子として結合電極176を含み、二つの端子の間の保護膜180及びゲート絶縁膜140部分を誘電体として含む。
薄膜トランジスタ(Q)はゲート線121からのゲート信号によってデータ線171からのデータ電圧を第1液晶キャパシタ(CLCa)及び結合キャパシタ(Ccp)に印加し、結合キャパシタ(Ccp)はこの電圧をその大きさを変えて第2液晶キャパシタ(CLCb)に伝達する。
Vb=Va×[Ccp/(Ccp+CLCb)]…(数1)
Ccp/(Ccp+CLCb)の値が1より小さいため、第2液晶キャパシタ(CLCb)に充電された電圧(Vb)は第1液晶キャパシタ(CLCa)に充電された電圧(Va)に比べて常に小さい。この関係は維持電極線131の電圧が共通電圧(Vcom)ではなくても同様に成立する。
第1副画素の下部及び上部画素電極190a1、190a2と第2副画素の中央画素電極190bとの面積比は1:0.85〜1:1.15の範囲であるのが好ましく、各副画素の副画素電極の数は変わることがある。
切開部71-72bの切欠は切開部71-72b上の液晶分子310の傾斜方向を決定し、切開部91-92bにも形成されることができて、多様な形状及び配置を有することができる。
次に、本発明の他の実施形態による液晶表示装置について図6及び図7を参照して説明する。
図6及び図7のように、本実施形態による液晶表示装置もまた薄膜トランジスタ表示板100、共通電極表示板200、二つの表示板100、200の間に入っている液晶層3、そして表示板100、200の外側面に付着されている一対の偏光子12、22を含む。
薄膜トランジスタ表示板100を見れば、基板110上にゲート電極124と端部129を含む複数のゲート線121、維持電極137を含む複数の維持電極線131及び複数の容量電極136が形成されており、その上にゲート絶縁膜140、突出部154を含む複数の線状半導体151、突出部163を各々含む複数の線状抵抗性接触部材161及び複数の島状抵抗性接触部材165が順次に形成されている。抵抗性接触部材161、165上にはソース電極173と端部179を含む複数のデータ線171、拡張部177と結合電極176を含む複数のドレイン電極175が形成されており、その上に第1絶縁膜180pと第2絶縁膜180qを含む保護膜180が形成されている。保護膜180及び/またはゲート絶縁膜140には複数の接触孔181、182、185、186が形成されている。保護膜180上には副画素電極190a、190bを含んで切開部91‐92bを有する複数の画素電極190と複数の接触補助部材81、82が形成されており、その上には配向膜が形成されている。
しかし、図1乃至図4に示す液晶表示装置と違い、本実施形態による薄膜トランジスタ表示板において、半導体151はデータ線171、ドレイン電極175及びその下部の抵抗性接触部材161、165と実質的に同一な平面形態を有している。しかし、線状半導体151はソース電極173とドレイン電極175との間などデータ線171及びドレイン電極175で覆われず露出された部分を有している。
このような写真工程で使用する感光膜は、位置によって厚さが異なり、特に厚さが薄くなる順序に第1部分と第2部分を含む。第1部分はデータ線171、ドレイン電極175及び金属片178が占める配線領域に位置し、第2部分は薄膜トランジスタのチャンネル領域に位置する。
図1乃至図4に示す液晶表示装置の多くの特徴が図6及び図7に示す液晶表示装置にも適用できる。
本発明の他の実施形態による液晶表示装置について図8を参照して詳細に説明する。
図8は本発明の他の実施形態による液晶表示装置の配置図である。
図8に示すように、本実施形態による液晶表示装置もまた薄膜トランジスタ表示板100、共通電極表示板200、二つの表示板100、200の間に入っている液晶層3、そして表示板100、200の外側面に付着されている一対の偏光子12、22を含む。
しかし、図1乃至図4に示す液晶表示装置と違って、結合電極176各々はドレイン電極175の拡張部177から上へのびて共通電極270の中央切開部71と合った後、方向を変えて中央切開部71に沿ってのびる。容量電極136は結合電極176と同一な平面形状を有するか、副画素電極190bとの接続のための突出部139を有している。
図1乃至図4に示す液晶表示装置の多くの特徴が図8に示す液晶表示装置にも適用できる。
図9は本発明の他の実施形態による薄膜トランジスタ表示板の配置図であり、図10は本発明の他の実施形態による共通電極の配置図であり、図11は図9及び図10の二つの表示板を含む液晶表示装置の配置図である。
図9乃至図11に示すように、本実施形態による液晶表示装置もまた薄膜トランジスタ表示板100、共通電極表示板200、二つの表示板100、200の間に入っている液晶層3、そして表示板100、200の外側面に付着されている一対の偏光子12、22を含む。
しかし、図1乃至図4に示す液晶表示装置と違って、画素電極190は五つの切開部93、94、95、96a、96bを有する。切開部95は画素電極190を副画素電極190a、190bに分ける間隙であって、副画素電極190bにある切開部93は容量電極136の横部に沿ってのびて、画素電極190の右辺に入口を有している。副画素電極190bにある切開部94は容量電極136の横部に沿ってのびた短い横部と、横部から画素電極190の右辺に向かってななめにのびた一対の斜線部とを含む。副画素電極190aの切開部96a、96b各々は、ほぼ画素電極190の下辺または上辺から出発して画素電極190の左辺に向かってななめにのびる。切開部93-96bの斜線部または辺はゲート線121と約45°の角度を構成する。
本発明の他の実施形態による液晶表示装置について図12、図13、図14及び図15を参照して詳細に説明する。
図12は本発明の他の実施形態による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の配置図であり、図13は本発明の他の実施形態による液晶表示装置用共通電極表示板の配置図であり、図14は図12の薄膜トランジスタ表示板と図13の共通電極表示板を含む液晶表示装置の配置図であり、図15は図14の液晶表示装置をXV-XV’線に沿って切断した断面図である。
大部分の薄膜トランジスタ表示板100と共通電極表示板200の層状構造は図1乃至図4と同一である。
しかし、図1乃至図4に示す液晶表示装置と違って、容量電極がない。
維持電極線131は隣接した二つのゲート線121から同一な距離に位置し、維持電極137は外側及び内側副画素電極190a、190b全ての下方向へのびている。結合電極176は維持電極137と完全に重畳し、ドレイン電極175と物理的に分離されている。ドレイン電極175は維持電極線131と重畳する拡張部を有しない。
外側副画素電極190a各々は下部分及び上部分とこれらを連結する縦部を含む。縦部は接触孔187を通じて結合電極176と連結されている突出部191を含む。
図1乃至図4に示す液晶表示装置の多くの特徴が図12乃至図15に示す液晶表示装置にも適用できる。
図16A、図17A、図18A及び図20Aは、図12乃至図15に示す液晶表示装置の薄膜トランジスタ表示板を本発明の一実施形態によって製造する方法の中間段階での配置図であって、その順序によって羅列した図面である。図16Bは図16Aに示す薄膜トランジスタ表示板をXVIb-XVIb’線に沿って切断した断面図であり、図17Bは図17Aに示す薄膜トランジスタ表示板をXVIIb-XVIIb’線に沿って切断した断面図であり、図18Bは図18Aに示す薄膜トランジスタ表示板をXVIIIb-XVIIIb’線に沿って切断した断面図である。図19は図18Aに示す薄膜トランジスタ表示板をXVIIIb-XVIIIb’線に沿って切断した断面図であって、図18Bの次の段階を示した図面である。図20Bは図20Aに示す薄膜トランジスタ表示板をXXb-XXb’線に沿って切断した断面図であって、図19の次の段階を示した図面である。図21は図20Aに示す薄膜トランジスタ表示板をXXb-XXb’線に沿って切断した断面図であって、図20Bの次の段階を示した図面である。
次に、図16A及び図16Bに示すように、感光膜パターンを利用した写真エッチング工程で金属膜をパターニングして複数のゲート電極124を含むゲート線121と、複数の維持電極137を含む維持電極線131とを形成する。
次に、データ線171及びドレイン電極175上部の感光膜を除去するか、又はそのまま置いた状態で、データ導電体171、175で覆われず露出された不純物添加半導体164の一部を除去することにより、複数の突出部163をそれぞれ含む複数の線状抵抗性接触部材161と複数の島状抵抗性接触部材165を完成する一方、その下の真性半導体151部分を露出させる。
次に、図19に示すように、窒化ケイ素のような無機絶縁膜の第1絶縁膜180pと、低い誘電率を有する有機絶縁膜の第2絶縁膜180qとを順次に積層して保護膜180を形成し、その上部に感光膜をスピンコーティング方法で塗布した後、マスクを利用した写真工程で感光膜パターン52、54を形成する。
次に、図20A及び図20Bに示すように、感光膜パターン52、54をエッチングマスクで第2絶縁膜180qと第1絶縁膜180pとを順次にエッチングしてドレイン電極175及び結合電極176を各々露出する接触孔185、186を形成する。この時、ゲート線121及びデータ線171それぞれの端部129、179を露出する接触孔181、82も共に形成する。次に、結合領域(B)に残っている第2部分54をアッシングで除去する。
この時、第2絶縁膜180qを感光性有機絶縁物質で形成する他の実施形態では、第2絶縁膜180qを感光膜パターン52、54のように形成した後、前述した順序によってエッチング工程を進行する。
図22は本発明の他の実施形態による液晶表示装置の構造を示した配置図であり、図23は図12の液晶表示装置をXII-XII’線に沿って切断した断面図である。
図22及び図23に示すように、本実施形態による液晶表示装置もまた薄膜トランジスタ表示板100、共通電極表示板200、二つの表示板100、200の間に入っている液晶層3、そして表示板100、200の外側面に付着されている一対の偏光子12、22を含む。
薄膜トランジスタ表示板100を見れば、基板110上にゲート電極124と端部129を含む複数のゲート線121及び維持電極137を含む複数の維持電極線131が形成されており、その上にゲート絶縁膜140、突出部154を含む複数の線状半導体151、突出部163を各々含む複数の線状抵抗性接触部材161及び複数の島状抵抗性接触部材165が順次に形成されている。抵抗性接触部材161、165上にはソース電極173と端部179を含む複数のデータ線171、複数のドレイン電極175及び複数の結合電極176が形成されており、その上に第1絶縁膜180pと第2絶縁膜180qを含む保護膜180が形成されている。保護膜180及びゲート絶縁膜140には複数の接触孔181が形成されており、第1及び第2絶縁膜180p、180qには複数の接触孔182、185が形成されており、第1絶縁膜180pには複数の接触孔187が形成されており、第2絶縁膜180qには複数の開口部188が形成されている。保護膜180上には副画素電極190a、190bを含んで切開部91-92bを有する複数の画素電極190と複数の接触補助部材81、82が形成されており、その上には配向膜11が形成されている。
しかし、図12、図14及び図15に示す液晶表示装置と違って、半導体151はデータ線171、ドレイン電極175及びその下部の抵抗性接触部材161、165と実質的に同一な平面形態を有している。しかし、線状半導体151はソース電極173とドレイン電極175との間などデータ線171及びドレイン電極175で覆われず露出された部分を有している。
このような薄膜トランジスタ表示板100を本発明の一実施形態によって製造する方法では、データ線171、ドレイン電極175及び結合電極176と半導体151及び抵抗性接触部材161、165を一回の写真工程で形成する。
本発明の他の実施形態による液晶表示装置について図24、図25及び図26を参照して詳細に説明する。
図24は本発明の他の実施形態による薄膜トランジスタ表示板の構造を示す配置図であり、図25は図24の薄膜トランジスタ表示板を含む液晶表示装置の配置図であり、図26は図25のXXVI-XXVI’線に沿って切断した断面図である。
本実施形態による液晶表示装置用表示板100、200の層状構造は、大抵図1乃至図4に示す液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の層状構造と同一である。
しかし、図1乃至図4の液晶表示装置と違って、本実施形態による薄膜トランジスタ表示板には、外側副画素電極190aが下部190a1及び上部190a2(今後、下部及び上部副画素電極という)の二つの部分に分れている。つまり、各切開部92が画素電極190を真っすぐ貫通する二つの斜線部92a、92bを含む。したがって、切開部92には縦部がなく、外側副画素電極190aにも縦連結部がない。
容量電極136各々は画素電極190の左辺付近に位置し、データ線171と平行にのびて下部及び上部副画素電極190a1、190a2に全てのびる。容量電極136は右側に突出した突出部139を含み、突出部139は接触孔186によって露出されて内側副画素電極190bと連結される。接触孔186は有効表示領域に相当しない切開部91と一直線上に位置するので、表示特性が良くなる。
保護膜180は結合電極176の両端を露出する複数対の接触孔185a1、185a2を有し、下部及び上部副画素電極190a1、190a2は接触孔185a1、185a2を通じて結合電極176と連結されている。
図1乃至図4に示す液晶表示装置の多くの特徴が図24乃至図26に示す液晶表示装置にも適用できる。
次に、図28及び図29を参照して本発明の他の実施形態による液晶表示装置について詳細に説明する。
図27乃至図29に示すように、本実施形態による液晶表示装置もまた薄膜トランジスタ表示板100、共通電極表示板200、二つの表示板100、200の間に入っている液晶層3、そして表示板100、200の外側面に付着されている一対の偏光子12、22を含む。
薄膜トランジスタ表示板100を見れば、基板110上にゲート電極124と端部129を含む複数のゲート線121及び維持電極137を含む複数の維持電極線131が形成されており、その上にゲート絶縁膜140、突出部154を含む複数の線状半導体151、突出部163を各々含む複数の線状抵抗性接触部材161及び複数の島状抵抗性接触部材165が順次に形成されている。抵抗性接触部材161、165及びゲート絶縁膜140上にはソース電極173と端部179を含む複数のデータ線171、複数のドレイン電極175及び複数の結合電極176が形成されており、その上に第1絶縁膜180pと第2絶縁膜180qを含む保護膜180が形成されている。保護膜180及びゲート絶縁膜140には複数の接触孔181が形成されており、第1及び第2絶縁膜180p、180qには複数の接触孔182が形成されており、第2絶縁膜180qには複数の開口部188が形成されている。保護膜180上には副画素電極190a、190bを含んで切開部91-92bを有する複数の画素電極190と複数の接触補助部材81、82が形成されており、その上には配向膜11が形成されている。
しかし、図12、図14及び図15の薄膜トランジスタ表示板と違い、本実施形態による薄膜トランジスタ表示板では、外側画素電極190aが下部190a1及び上部190a2(今後、下部及び上部副画素電極という)の二つの部分に分れている。つまり、各切開部92が画素電極190を真っすぐ貫通する二つの斜線部92a、92bを含む。したがって切開部92には縦部がなく、外側画素電極190aにも縦連結部がない。
各ドレイン電極175はまた、結合電極176をドレイン電極175に連結する下部連結部178a1と、結合電極176から上部副画素電極190a2までのびた上部連結部178a2を含む。下部連結部178a1は切開部72aに沿ってななめにのびて切開部72aの光漏れを遮断して開口率を高めて、再び上に方向を変えて結合電極176に連結される。
図12乃至図15に示す液晶表示装置の多くの特徴が図27乃至図29に示す液晶表示装置にも適用できる。
本実施形態は捩じれたネマチック方式(TN)液晶表示装置や平面駆動方式(IPS)液晶表示装置にも適用できる。
本発明によれば、画素電極を分割して互いに異なる電圧を印加をすることによって液晶表示装置の側面視認性を向上させ、これによって視野角を拡張することができる。
また、切開部を延長させて副画素電極を拡張させ、ドレイン電極と結合電極との連結部分を画像が表示されない切開部と重畳配置することにより、画素の開口率を向上させることができる。接触孔によって発生するテクスチャーを画像が表示される領域の外部に誘導することによって表示特性を向上することができる。
124 ゲート電極
131、137 維持電極
151、154 半導体
161、163、165 抵抗性接触部材
171 データ線
173 ソース電極
175 ドレイン電極
176 結合電極
181、182、185、186 接触孔
1851、1852 接触孔
190 画素電極
191、192、193 切開部
270 対向電極
271、272、273 切開部
180p、180q 第1、第2絶縁膜
Claims (17)
- 基板と、
前記基板上に形成されている第1信号線と、
前記第1信号線と交差している第2信号線と、
前記第1信号線及び前記第2信号線と連結されている薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタと電気的に連結されている第1及び第2副画素電極と、前記第1及び第2副画素電極と容量性結合している第3副画素電極を有する画素電極と、
前記第1及び第2副画素電極と電気的に連結されており、前記第3副画素電極と容量性結合している結合電極と、
前記第3副画素電極と電気的に連結されており、前記結合電極と重畳する容量電極と、
を含む、薄膜トランジスタ表示板。 - 前記第1及び第2副画素電極は前記第3副画素電極を間に置いて両側に配置されている、請求項1に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記第1副画素電極、前記第2副画素電極及び前記結合電極のうちの少なくとも一つと重畳する維持電極をさらに含む、請求項1に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記結合電極は前記第3副画素電極と重畳する、請求項1に記載の薄膜トランジスタ表
示板。 - 前記結合電極と前記画素電極との間に形成された絶縁膜をさらに含み、前記結合電極と前記第3副画素電極との間に位置する前記絶縁膜の部分は、前記絶縁膜の他の部分より薄い、請求項4に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記絶縁膜は無機膜及び有機膜を含む、請求項5に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記有機膜は、前記結合電極上に位置する開口部を有し、前記有機膜の開口部を介し前記第3副画素電極に結合している前記結合電極は、結合キャパシタを形成する、請求項6に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記第1信号線と前記第2信号線との間及び前記容量電極と前記結合電極との間に形成されている第1絶縁膜と、
前記第2信号線と前記画素電極との間及び前記結合電極と前記第3副画素電極との間に形成されている第2絶縁膜と、をさらに含む、請求項1記載の薄膜トランジスタ表示板。 - 前記第2絶縁膜は、無機膜及び前記無機膜上の有機膜を含む、請求項8に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記第1信号線と前記第2信号線との間及び前記容量電極と前記結合電極との間に形成されている絶縁膜をさらに含む、請求項1に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記結合電極は前記薄膜トランジスタからのびる、請求項1に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記画素電極は、前記画素電極を前記第1、第2、第3副画素電極に区画する切開部を含む、請求項1に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 液晶表示板であり、
共通電極を含む共通電極表示板と、
前記共通電極に対向する位置にある薄膜トランジスタ表示板と、
前記共通電極表示板と前記薄膜トランジスタ表示板との間に位置する液晶層と、を含み
前記薄膜トランジスタ表示板は、
基板と、
前記基板上に形成されている第1信号線と、
前記第1信号線と交差している第2信号線と、
前記第1信号線及び前記第2信号線と連結されている薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに電気的に連結されている第1及び第2電極と、前記第1及び第2電極と容量性結合している第3電極とを含む画素電極と、を有し、
前記画素電極は、
第1電圧が印加される前記第1電極及び前記第2電極を含む第1副画素と、
第2電圧が印加される前記第3電極を含む第2副画素と、を有し、
前記第1副画素は、第1液晶キャパシタ及びストレージキャパシタを含み、
前記第2副画素は、第2液晶キャパシタ及び結合キャパシタを含み、
前記第1液晶キャパシタは、前記第1電極及び第2電極を含む第1端子と、前記共通電極の第1重畳部を含む第2端子と、絶縁体として前記第1端子及び前記第2端子の間に位置する液晶層の一部とを含み、
前記第2液晶キャパシタは、前記第3電極を含む第1端子と、前記共通電極の第2重畳部を含む第2端子と、絶縁体として前記第1端子及び前記第2端子の間に位置する液晶層の一部とを含む、
液晶表示板。 - 前記第1電圧は、前記第2電圧より大きい、請求項13に記載の液晶表示板。
- 前記第2電圧は、前記第1電圧の約60%〜80%である、請求項14に記載の液晶表示板。
- 前記ストレージキャパシタは、前記薄膜トランジスタのドレイン電極の拡張部を含む第1端子と、前記基板上のストレージ電極を含む第2端子と、絶縁体として前記第1端子及び前記第2端子の間に位置するゲート絶縁膜の一部と、を含み、
前記結合キャパシタは、第3電極及び、前記基板上の容量電極を含む第1端子と、ドレイン電極の拡張部に電気的に連結されている結合電極を含む第2端子と、絶縁体として前記第1端子及び前記第2端子の間に位置するゲート絶縁膜及び保護膜の一部と、を含む、請求項13に記載の液晶表示板。 - 前記結合電極の前記第1電極及び前記第2電極に対する位置を変えることにより、前記結合キャパシタの静電容量を変化させ、前記第1電圧と前記第2電圧との比率が調整される、請求項16に記載の液晶表示板。
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