KR20060058964A - 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치 - Google Patents

박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는, 게이트선, 게이트선과 절연되어 교차하고 있는 데이터선, 각각의 게이트선 및 데이터선과 연결되어 있으며, 드레인 전극을 가지는 박막 트랜지스터, 게이트선, 데이터선 및 박막 트랜지스터를 덮으며 부분적으로 다른 두께를 가지는 보호막, 그리고 드레인 전극과 직접 연결되어 있으며 보호막 위에 형성되어 있는 화소 전극을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판, 그리고 박막 트랜지스터 표시판과 마주하며, 공통 전극이 형성되어 있는 대향 표시판을 포함한다. 이때, 보호막의 두께에 따라 화소 전극과 공통 전극 사이의 셀 간격이 다르다.
액정표시장치, 수직배향, 절개부, 셀간격, 보호막

Description

박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치{THIN FILM TRANSISTOR ARRAY PANEL AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY INCLUDING THE PANEL}
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 배치도이고,
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치용 공통 전극 표시판의 배치도이고,
도 3은 도 1 및 도 2의 표시판을 포함하는 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이고,
도 4는 도 3의 액정 표시 장치를 IV-IV'선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 구조를 도시한 배치도이고,
도 6은 도 5의 액정 표시 장치를 V-V' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 구조를 도시한 배치도이고,
도 8은 도 7의 액정 표시 장치를 VIII-VIII' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표 시판의 구조를 도시한 배치도이고,
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 공통 전극 표시판의 구조를 도시한 배치도이고,
도 11은 도 9 및 도 10의 두 표시판을 포함하는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 구조를 도시한 배치도이고,
도 12는 도 11의 액정 표시 장치를 XII-XII'선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
* 도면 부호에 대한 설명 *
11, 21: 배향막 12, 22: 편광판
81, 82: 접촉 보조 부재 140: 게이트 절연막
100, 200: 표시판 110, 210: 절연 기판
121 : 게이트선 124: 게이트 전극
131 : 유지 전극선 135 : 유지 전극
151, 154: 반도체 161, 163, 165: 저항성 접촉 부재
171, 179: 데이터선 173: 소스 전극
175 : 드레인 전극 180, 180p, 180q: 절연막
181, 182, 185 : 접촉 구멍 190: 화소 전극
220: 차광 부재 250: 덮개막
270: 공통 전극 3: 액정층
310: 액정 분자
본 발명은 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 다중 도메인 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 화소 전극과 공통 전극 등 전계 생성 전극이 형성되어 있는 두 장의 표시판과 그 사이에 삽입되어 있는 액정층으로 이루어지며, 전계 생성 전극에 전압을 인가하여 액정층에 전계를 생성하고 이를 통하여 액정층의 액정 분자들의 배향을 결정하고 입사광의 편광을 제어함으로써 영상을 표시한다.
그 중에서도 전계가 인가되지 않은 상태에서 액정 분자의 장축을 상하 표시판에 대하여 수직을 이루도록 배열한 수직 배향 모드 액정 표시 장치는 대비비가 크고 광시야각 구현이 용이하여 각광받고 있다.
수직 배향 모드 액정 표시 장치에서 광시야각을 구현하기 위한 수단으로는 전계 생성 전극에 절개부를 형성하는 방법과 전계 생성 전극 위에 돌기를 형성하는 방법 등이 있다. 절개부와 돌기로 액정 분자가 기우는 방향을 결정할 수 있으므로, 이들을 사용하여 액정 분자의 경사 방향을 여러 방향으로 분산시킴으로써 광시야각을 확보할 수 있다.
그러나 수직 배향 방식의 액정 표시 장치는 전면 시인성에 비하여 측면 시 인성이 떨어지는 문제점이 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 시인성이 우수한 다중 도메인 액정 표시 장치를 구현하는 것이다.
이러한 과제를 해결하기 위하여 본 발명에서는 보호막은 적어도 둘 이상의 두께를 가지며, 화소 전극은 보호막 위에 형성되어 공통 전극과 사이이 셀 간격이 다르다.
본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판은 게이트선, 게이트선과 절연되어 교차하고 있는 데이터선, 각각의 게이트선 및 데이터선과 연결되어 있으며, 드레인 전극을 가지는 박막 트랜지스터, 게이트선, 데이터선 및 박막 트랜지스터를 덮고 있으며, 부분적으로 다른 두께를 가지는 보호막, 그리고 드레인 전극과 직접 연결되어 있는 다른 두께를 가지는 보호막 위에 형성되어 있는 화소 전극을 포함한다.
보호막은 서로 다른 절연 물질로 이루어진 다층 구조인 것이 바람직하며, 보호막은 질화 규소 또는 산화 규소로 이루어진 하부 절연막과 유기 절연 물질로 이루어진 상부 절연막을 포함할 수 있다.
하부 절연막과 하부 절연막을 드러내는 개구부를 가지는 상부 절연막을 포함하는 것이 바람직하며, 화소 전극 또는 드레인 전극 중 적어도 하나와 중첩하여 유지 용량을 형성하는 유지 전극을 가지는 유지 전극선을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는, 게이트선, 게이트선과 절연되어 교차하고 있는 데이터선, 각각의 게이트선 및 데이터선과 연결되어 있으며, 드레인 전극을 가지는 박막 트랜지스터, 게이트선, 데이터선 및 박막 트랜지스터를 덮으며 부분적으로 다른 두께를 가지는 보호막, 그리고 드레인 전극과 직접 연결되어 있으며 보호막 위에 형성되어 있는 화소 전극을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판, 그리고 박막 트랜지스터 표시판과 마주하며, 공통 전극이 형성되어 있는 대향 표시판을 포함한다.
보호막의 두께에 따라 화소 전극과 공통 전극 사이의 셀 간격이 다르다.
첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치에 대하여 설명한다.
먼저, 도 1 내지 도 4를 참고로 하여 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 구조를 도시한 배치도이고, 도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치용 공통 전극 표시판의 구조를 도시한 배치도이고, 도 3은 도 1의 박막 트랜지스터 표시판과 도 2의 박막 트랜지스터 표시판으로 이루어진 액정 표시 장치의 구조를 도시한 배치도이고, 도 4는 도 3의 액정 표시 장치를 IV-IV'선을 따라 자른 단면도이다.
본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 박막 트랜지스터 표시판(100), 공통 전극 표시판(200), 이들 두 표시판(100, 200) 사이에 삽입되어 있는 액정층(3)을 포함한다.
먼저, 도 1, 도 3 및 도 4를 참고로 하여 박막 트랜지스터 표시판(100)에 대하여 상세하게 설명한다.
절연 기판(110) 위에 복수의 게이트선(gate line)(121)과 복수의 유지 전극선(storage electrode lines)(131)이 형성되어 있다.
게이트선(121)은 주로 가로 방향으로 뻗어 있고 서로 분리되어 있으며, 게이트 신호를 전달한다. 각 게이트선(121)은 복수의 게이트 전극(gate electrode)(124)을 이루는 복수의 돌출부와 다른 층 또는 외부 장치의 접속을 위한 면적이 넓은 끝 부분(129)을 포함한다.
각각의 유지 전극선(131)은 주로 가로 방향으로 뻗어 있으며, 서로 이웃하는 게이트선(121) 사이에 배치되어 있다. 각각의 유지 전극선(131)은 서로 이웃하는 게이트선(121) 부근에 위치하고 있으며, 유지 전극(135)을 이루는 복수의 돌출부를 각각 포함한다. 유지 전극선(131)에는 액정 표시 장치의 공통 전극 표시판(200)의 공통 전극(common electrode)(270)에 인가되는 공통 전압(common voltage) 따위의 소정의 전압이 인가된다.
게이트선(121) 및 유지 전극선(131)은 알루미늄 계열 금속, 은 계열 금속, 구리 계열 금속, 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 티타늄, 탄탈륨 따위로 이루어지는 것이 바람직하며, 단일막 구조를 가지거나 다층막 구조로 이루어질 수 있다. 다층막, 예를 들어 물리적 성질이 다른 두 개의 막, 즉 하부막과 그 위의 상부막을 포함할 수 있다. 하나의 도전막은 신호 지연이나 전압 강하를 줄일 수 있도록 낮은 비저항(resistivity)의 금속, 예를 들면 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열의 금속, 은(Ag)이나 은 합금 등 은 계열의 금속, 구리(Cu)나 구리 합금 등 구리 계열의 금속으로 이루어질 수 있다. 이와는 달리, 다른 도전막은 다른 물질, 특히 ITO(indium tin oxide) 및 IZO(indium zinc oxide)와의 접촉 특성이 우수한 물질, 이를테면 크롬, 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금, 탄탈륨(Ta), 또는 티타늄(Ti) 등으로 이루어질 수 있다. 두 도전막의 좋은 예로는 크롬/알루미늄-네오디뮴(Nd) 합금 또는 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금/알루미늄 합금을 들 수 있다.
또한 게이트선(121) 및 유지 전극선(131)의 측면은 기판(110)의 표면에 대하여 경사져 있으며 그 경사각은 약 30-80°인 것이 바람직하다.
게이트선(121) 및 유지 전극선(131) 위에는 질화규소(SiNx) 따위로 이루어진 게이트 절연막(gate insulating layer)(140)이 형성되어 있다.
게이트 절연막(140) 상부에는 수소화 비정질 규소(hydrogenated amorphous silicon)(비정질 규소는 약칭 a-Si로 씀) 등으로 이루어진 복수의 선형 반도체(151)가 형성되어 있다. 각각의 선형 반도체(151)는 주로 세로 방향으로 뻗어 있으며, 이로부터 복수의 돌출부(154)가 게이트 전극(124)을 향하여 뻗어 나와 있다. 돌출부(154)는 게이트선(121) 및 유지 전극선(131)의 상부까지 확장되어 있다.
반도체(151)의 상부에는 실리사이드(silicide) 또는 인 따위의 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어진 복수의 선형 및 섬형 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(161, 165)가 형성되어 있다. 선형 접촉 부재(161)는 복수의 돌출부(163)를 가지고 있으며, 이 돌출부(163)와 섬형 저항성 접촉 부재(165)는 쌍을 이루어 반도체(154) 위에 배치되어 있는데, 게이트 전극(124)을 중심으로 서로 마주한다.
반도체(151)와 저항성 접촉 부재(161, 165)의 측면 역시 기판(110)의 표면에 대하여 경사져 있으며 그 경사각은 30-80°인 것이 바람직하다.
저항 접촉 부재(161, 165) 및 게이트 절연막(140) 위에는 각각 복수의 데이터선(data line)(171)과 이로부터 분리되어 있는 복수의 드레인 전극(drain electrode)(175)이 형성되어 있다.
데이터선(171)은 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121) 및 유지 전극선 (131)과 교차하며 데이터 전압(data voltage)을 전달한다. 각 데이터선(171)은 다른 층 또는 외부 장치와의 접속을 위한 넓은 끝 부분(179)을 가지고 있다.
각각의 드레인 전극(175)은 각각의 유지 전극(135)과 중첩하는 확장부를 포함한다. 게이트선(121)과 평행한 드레인 전극(175)의 확장부 변은 유지 전극(135)의 변과 실질적으로 평행하다. 데이터선(171) 각각은 복수의 돌출부를 포함하며, 이 돌출부는 반도체(154) 상부에 위치하는 드레인 전극(175)의 한쪽 끝 부분을 일부 둘러싸도록 휘어져 소스 전극(173)을 이룬다. 하나의 게이트 전극(124), 하나의 소스 전극(173) 및 하나의 드레인 전극(175)은 반도체의 돌출부(154)와 함께 하나의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 이루며, 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 돌출부(154)에 형성된다.
데이터선(171) 및 드레인 전극(175)은 크롬 또는 몰리브덴 계열의 금속, 탄탈륨 및 티타늄 등 내화성 금속을 포함하는 것이 바람직하며, 내화성 금속 따위의 하부막(도시하지 않음)과 그 위에 위치한 저저항 물질의 상부막(도시하지 않음)으로 이루어진 다층막 구조를 가질 수 있다.
데이터선(171) 및 드레인 전극(175)도 게이트선(121) 및 유지 전극선(131)과 마찬가지로 그 측면이 약 30-80°의 각도로 각각 경사져 있다.
저항성 접촉 부재(161, 165)는 그 하부의 반도체(151)와 그 상부의 데이터선(171) 및 드레인 전극(175) 사이에만 존재하며 접촉 저항을 낮추어 주는 역할을 한다. 선형의 반도체(151)는 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이를 비롯하여 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)에 가리지 않고 노출된 부분을 가지고 있다.
데이터선(171) 및 드레인 전극(175)과 이들로 덮이지 않고 노출된 반도체(151) 부분의 위에는 보호막(passivation layer)(180)이 형성되어 있다. 보호막(180)은 평탄화 특성이 우수하며 감광성(photosensitivity)을 가지는 유기 물질, 플라스마 화학 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD)으로 형성되는 a-Si:C:O, a-Si:O:F 등 4.0 이하의 저유전율 절연 물질, 또는 무기 물질인 질화 규소나 산화 규소 따위로 이루어진 것이 바람직하다. 본 실시예에서 보호막은 무기 물질로 이루어진 하부 절연막(180p)과 유기 물질로 이루어진 상부 절연막(180q)을 포함한다. 이때, 보호막(180)은 부분적으로 서로 다른 두께를 가지고 있는데, 상부 절연막(180q)은 개구부(188)를 가지고 있어, 개구부(188)에서는 하부 절연막(180p)이 드러나 있다. 따라서, 하부 절연막(180p)과 상부 절연막(180q)으로 이루어진 보호막(180)은 두껍고, 하부 절연막(180p)만으로 이루어진 보호막(180)은 얇다.
보호막(180)에는 드레인 전극(175)의 확장부와 데이터선(171)의 끝 부분(179)을 각각 드러내는 복수의 접촉 구멍(contact hole)(182, 185)이 형성되어 있으며, 게이트 절연막(140)과 함께 게이트선(121)의 끝 부분(129)을 드러내는 복수의 접촉 구멍(181)이 형성되어 있다. 접촉 구멍(181, 182, 185)은 다각형 또는 원 모양 등 다양한 모양으로 만들어질 수 있다. 접촉 구멍(181, 182)의 면적은 약 0.5mm×15μm 이상, 약 2mm×60μm 이하인 것이 바람직하다. 접촉 구멍(181, 182, 185)의 측벽은 30° 내지 85°의 각도로 기울어져 있거나 계단형일 수 있다.
보호막(180) 위에는 ITO 또는 IZO로 이루어진 복수 쌍의 화소 전극(pixel electrode)(190) 및 복수의 접촉 보조 부재(contact assistant)(81, 82)가 형성되어 있다. 이와는 달리, 화소 전극(190)은 투명한 도전성 폴리머로 만들어질 수도 있고, 반사형 액정 표시 장치의 경우에는 화소 전극(190)이 불투명한 반사성 금속으로 만들어질 수도 있다. 이 경우, 접촉 보조 부재(81, 82)는 화소 전극(190)과 다른 물질, 예를 들면 ITO나 IZO로 만들어질 수 있다.
화소 전극(190)은 접촉 구멍(185)을 통하여 드레인 전극(175)과 물리적·전기적으로 연결되어 드레인 전극(175)으로부터 데이터 전압을 인가 받는다.
데이터 전압이 인가된 화소 전극(190)은 공통 전극(270)과 함께 전기장을 생성함으로써 액정층(3)의 액정 분자(310)를 재배열시킨다.
화소 전극(190)과 공통 전극(270)은 축전기[이하 “액정 축전기(liquid crystal capacitor)”라 함]를 이루어 박막 트랜지스터가 턴 오프된 후에도 인가된 전압을 유지하는데, 전압 유지 능력을 강화하기 위하여 액정 축전기와 병렬로 연결된 다른 축전기를 두며 이를 유지 축전기(storage capacitor)라 한다. 유지 축전기는 화소 전극(190)과 유지 전극선(131)의 중첩 등으로 만들어지며, 유지 축전기의 정전 용량, 즉 유지 용량을 늘리기 위하여, 유지 전극선(131)에 유지 전극(135)을 두고 화소 전극(190)에 연결된 드레인 전극(175)을 연장 및 확장시켜 중첩시킴으로써 단자 사이의 거리를 가깝게 하고 중첩 면적을 크게 한다.
한 쌍의 화소 전극(190)은 간극을 사이에 두고 서로 맞물려 있으며, 그 바깥 경계는 왼쪽 모퉁이가 모따기된 대략 사각형 형태이다.
한 쌍의 화소 전극(190)은 중앙 절개부(91), 하부 절개부(92a) 및 상부 절개부(92b)를 가지며, 화소 전극(190)은 이들 절개부(91, 92a, 92b)에 의하여 복수의 영역으로 분할된다. 절개부(91, 92a, 92b)는 화소 전극을 게이트선(121)과 평행하게 이등분하는 가로 중심선에 대하여 거의 반전 대칭을 이루고 있다.
하부 및 상부 절개부(92a, 92b)는 대략 화소 전극의 오른쪽 변에서부터 왼쪽 변으로 비스듬하게 뻗어 있으며, 화소 전극의 가로 중심선에 대하여 하반면과 상반면에 각각 위치하고 있다. 하부 및 상부 절개부(92a, 92b)는 게이트선(121)에 대하여 약 45도의 각도를 이루며 서로 수직하게 뻗어 있다.
중앙 절개부(91)는 화소 전극(190)의 중앙에 배치되어 있으며 오른쪽 변 쪽에 입구를 가지고 있다. 중앙 절개부(91)의 입구는 하부 절개부(92a)와 상부 절개부(92b)에 각각 거의 평행한 한 쌍의 빗변을 가지고 있다.
따라서, 화소 전극(190)의 하반면은 하부 절개부(92a)에 의하여 두 개의 영역으로 나누어지고, 상반면 또한 상부 절개부(92b)에 의하여 두 개의 영역으로 분할된다. 이 때, 영역의 수효 또는 절개부의 수효는 화소의 크기, 화소 전극의 가로변과 세로 변의 길이 비, 액정층(3)의 종류나 특성 등 설계 요소에 따라서 달라지며, 기울어진 방향도 달라질 수 있다.
이때, 하부 절개부(92a)와 상부 절개부(92b) 사이의 두 영역에 위치하는 화소 전극(190) 일부는 상부 절연막(180q)의 개구부(188)를 통하여 드러나 하부 절연막(180p)만으로 이루어진 얇은 부분의 보호막(180) 위에 위치하며, 나머지 하부 절개부(92a)와 상부 절개부(92b) 밖에 위치하는 화소 전극(190)의 나머지 일부는 상 부 및 하부 절연막(180a, 180b)으로 이루어진 두꺼운 부분의 보호막(180) 위에 위치한다.
접촉 보조 부재(81, 82)는 접촉 구멍(181, 182)을 통하여 각각 데이터선(171) 및 게이트선(121)의 끝 부분(129, 179)과 연결된다. 접촉 보조 부재(81, 82)는 데이터선(171) 및 게이트선(121)의 끝 부분(179, 129)과 외부 장치와의 접착성을 보완하고 이들을 보호하는 역할을 한다.
다음, 도 2 내지 도 4를 참고로 하여, 공통 전극 표시판(200)에 대하여 설명한다.
투명한 유리 등으로 이루어진 절연 기판(210) 위에 차광 부재(220)가 형성되어 있다. 차광 부재(220)는 화소 전극(190)과 마주보며 화소 전극(190)과 거의 동일한 모양을 가지는 복수의 개구부를 가지고 있으며, 게이트선(121) 및 데이터선(171)에 대응하는 부분과 박막 트랜지스터에 대응하는 부분으로 이루어지는 것이 바람직하다.
기판(210) 위에는 또한 복수의 색필터(230)가 형성되어 있으며 차광 부재(230)로 둘러싸인 영역 내에 대부분 위치한다. 색필터(230)는 화소 전극(190)을 따라서 세로 방향으로 길게 뻗을 수 있다. 색필터(230)는 적색, 녹색 및 청색 등의 원색 중 하나를 표시할 수 있다.
색필터(230)의 위에는 덮개막(250)이 형성되어 있다.
덮개막(250)의 위에는 ITO, IZO 등의 투명한 도전체 따위로 이루어진 공통 전극(270)이 형성되어 있다.
공통 전극(270)은 복수 벌의 절개부(71, 72a, 72b) 집합을 가진다.
한 벌의 절개부(71, 72a, 72b)는 하나의 화소 전극(190)과 마주 보며 중앙 절개부(71), 하부 절개부(72a) 및 상부 절개부(72b)를 포함한다. 절개부(71, 72a, 72b) 각각은 화소 전극(190a, 190b)의 인접 절개부(91, 92a, 92b) 사이 또는 절개부(92a, 92b)와 제1 화소 전극(190a)의 모따기된 빗변 사이에 배치되어 있다. 또한, 각 절개부(71, 72a, 72b)는 화소 전극의 하부 절개부(92a) 또는 상부 절개부(92b)와 평행하게 뻗은 적어도 하나의 사선부를 포함한다.
하부 및 상부 절개부(72a, 2b) 각각은 대략 화소 전극의 왼쪽 변에서 위쪽 또는 아래쪽 변을 향하여 뻗은 사선부, 그리고 사선부의 각 끝에서부터 화소 전극의 변을 따라 변과 중첩하면서 뻗으며 사선부와 둔각을 이루는 가로부 및 세로부를 포함한다.
중앙 절개부(71)는 대략 화소 전극의 왼쪽 변에서부터 가로 방향으로 뻗은 중앙 가로부, 이 중앙 가로부의 끝에서 중앙 가로부와 빗각을 이루며 화소 전극의 오른쪽 변을 향하여 뻗은 한 쌍의 사선부, 그리고 사선부의 각 끝에서부터 화소 전극의 오른쪽 변을 따라 오른쪽 변과 중첩하면서 뻗으며 사선부와 둔각을 이루는 종단 세로부를 포함한다.
절개부(71, 72a, 72b)의 수효 및 방향 또한 설계 요소에 따라 달라질 수 있으며, 차광 부재(220)가 절개부(71, 72a, 72b)와 중첩하여 절개부(71, 72a, 72b) 부근의 빛샘을 차단할 수 있다.
표시판(100, 200)의 안쪽 면에는 수직 배향막(11, 21)이 도포되어 있고, 바 깥쪽 면에는 편광판(12, 22)이 구비되어 있다. 두 편광판의 투과축은 직교하며 이중 한 투과축은 게이트선(121)에 대하여 나란하다. 반사형 액정 표시 장치의 경우에는 두 개의 편광판(12, 22) 중 하나가 생략될 수 있다.
표시판(100, 200)과 편광자(12, 22)의 사이에는 각각 액정층(3)의 지연값을 보상하기 위한 위상 지연 필름(retardation film)이 낄 수 있다. 위상 지연 필름은 복굴절성(birefringce)을 가지며 액정층(3)의 복굴절성을 역으로 보상하는 역할을 한다. 지연 필름으로는 일축성 또는 이축성 광학 필름을 사용할 수 있으며, 특히 음성(negative) 일축성 광학 필름을 사용할 수 있다.
액정 표시 장치는 또한 편광자(12, 22), 위상 지연 필름, 표시판(100, 200) 및 액정층(3)에 빛을 공급하는 조명부(backlight unit)를 포함할 수 있다.
액정층(3)은 음의 유전율 이방성을 가지며, 액정층(3)의 액정 분자(310)는 전계가 없는 상태에서 그 장축이 두 표시판의 표면에 대하여 수직을 이루도록 배향되어 있다. 따라서 입사광은 직교 편광자(12, 22)를 통과하지 못하고 차단된다.
배향막(11, 21)은 수평 배향막일 수 있다.
한편, 액정 분자(310)들의 경사 방향과 편광자(12, 22)의 투과축이 45도를 이루면 최고 휘도를 얻을 수 있는데, 본 실시예의 경우 모든 도메인에서 액정 분자(310)들의 경사 방향이 게이트선(121)과 45°의 각을 이루며 게이트선(121)은 표시판(100, 200)의 가장자리와 수직 또는 수평이다. 따라서 본 실시예의 경우 편광자(12, 22)의 투과축을 표시판(100, 200)의 가장자리에 대하여 수직 또는 평행이 되도록 부착하면 최고 휘도를 얻을 수 있을 뿐 아니라 편광자(12, 22)를 저렴하게 제 조할 수 있다.
공통 전극(270)에 공통 전압을 인가하고 화소 전극(190a, 190b)에 데이터 전압을 인가하면 표시판의 표면에 거의 수직인 주 전계(primary electric field)가 생성된다. 액정 분자(310)들은 전계에 응답하여 그 장축이 전계의 방향에 수직을 이루도록 방향을 바꾸고자 한다. 한편, 공통 전극(270) 및 화소 전극(190)의 절개부(71, 72a, 72b, 91, 92a, 92b)와 이들과 평행한 화소 전극(190)의 변은 주 전계를 왜곡하여 액정 분자들의 경사 방향을 결정하는 수평 성분을 만들어낸다. 주 전계의 수평 성분은 절개부(71, 72a, 72b, 91, 92a, 92b)의 변과 화소 전극(190)의 변에 수직이다. 또한 절개부(71, 72a, 72b, 91, 92a, 92b)의 마주보는 두 변에서의 주 전계의 수평 성분은 서로 반대 방향이다.
이러한 전계를 통하여 절개부(71, 72a, 72b, 91, 92a, 92b)는 액정층(3)의 액정 분자가 기울어지는 방향을 제어한다. 인접하는 절개부(71, 72a, 76b, 91, 92a, 92b)에 의하여 정의되거나 절개부(72a, 72b)와 화소 전극(190)의 왼쪽 빗변에 의하여 정의되는 각 도메인 내에 있는 액정 분자는 절개부(71, 72a, 72b, 91, 92a, 92b)의 길이 방향에 대하여 수직을 이루는 방향으로 기울어진다. 각 도메인의 가장 긴 변 2개는 거의 나란하고 게이트선(121)과 약 ±45도를 이루며, 도메인 내에서 액정 분자 대부분은 4방향으로 기울어진다.
절개부(91, 92a, 92b, 71, 72a, 72b)의 너비는 약 9μm 내지 약 12μm인 것이 바람직하다.
적어도 하나의 절개부(91, 92a, 92b, 71, 72a, 72b)는 돌기(protrusion)(도 시하지 않음)나 함몰부(depression)(도시하지 않음)로 대체할 수 있다. 돌기는 유기물 또는 무기물로 만들어질 수 있고 전계 생성 전극(190, 270)의 위 또는 아래에 배치될 수 있으며 그 너비는 약 5μm 내지 약 10μm인 것이 바람직하다.
화소 전극(190) 절개부(91, 92a, 92b)의 경계에서 이와 인접한 공통 전극(270) 절개부(71, 72a, 72b)의 경계까지의 간격과 화소 전극의 경계에서 이와 인접한 공통 전극(270) 절개부(71, 72a, 72b)의 경계까지의 간격은 약 12㎛ 내지 약 20㎛인 것이 바람직하며, 약 17㎛에서 약 19㎛ 범위인 것이 더욱 바람직하다. 이와 같은 범위로 간격을 정하였더니 개구율은 감소하였지만 액정의 응답 속도가 빨라져 필요한 투과율을 확보할 수 있었다.
한편 전기장은 공통 전극(270)의 절개부와 화소 전극(190)의 변으로 인하여 절개부의 변과 화소 전극(190)의 변에 수직인 수평 성분을 가진다. 따라서 각 부영역의 액정 분자(310)들의 경사 ??향은 서로 다르고 이에 따라 시야각이 확장된다.
절개부(91, 92a, 92b, 71, 72a, 72b)의 모양 및 배치는 변형될 수 있다.
또한, 공통 전극(270)과 화소 전극(190)을 포함하는 액정 축전기에 0이 아닌 전압이 걸리면 표시판(100, 200)의 표면에 대하여 대략 수직인 전계가 생성되고 액정 분자(310)들은 전계에 응답하여 그 장축이 전계 방향에 수직이 되도록 그 방향을 바꾸고자 한다. 이때, 화소 전극(190)은 부분적으로 다른 두께를 가지는 보호막(180) 상부에 위치하므로 보호막(180)의 두께에 따라 화소 전극(190)과 공통 전극(270) 사이에 형성되는 전기장은 부분적으로 다른 세기를 가진다. 즉, 얇은 부분의 보호막(180) 위에 위치하는 화소 전극(190)과 공통 전극(270) 사이의 전기장 은 두꺼운 부분의 보호막(180) 위에 위치하는 화소 전극(190)과 공통 전극(270) 사이의 전기장보다 약하다. 따라서, 전계의 세기가 다르기 때문에 다른 두께를 가지는 보호막(180)에 대응하는 액정 분자(310)는 서로 다른 힘을 받게 되고 이에 따라 서로 다른 경사각(tilt angle)으로 기울어진다. 따라서, 측면 시인성이 향상된다.
서로 다른 두께를 가지는 보호막(180)의 두께의 비를 조절하면 전계의 비를 효과적으로 제어할 수 있다.
보호막(180) 중에서 두꺼운 부분과 낮은 부분 사이의 면적 비는 1:0.85-1:1.15 범위인 것이 바람직하며, 보호막(180)은 세 부분 이상으로 다른 두께를 가질 수 있다.
보호막의 두꺼운 부분과 얇은 부분의 위치는 다양하게 변경될 수 있으며, 도면을 참조하여 구체적으로 설명하기로 한다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 구조를 도시한 단면도이고, 도 6은 도 5의 액정 표시 장치를 VI-VI' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
본 실시예에 따른 액정 표시 장치도 박막 트랜지스터 표시판(100), 공통 전극 표시판(200), 이들 두 표시판(100, 200) 사이에 삽입되어 있는 액정층(3), 두 표시판(100, 200)의 바깥 면에 부착되어 있는 한 쌍의 편광자(12, 22)를 포함한다.
본 실시예에 따른 표시판(100, 200)의 층상 구조는 도 1 내지 도 4와 거의 동일하다.
박막 트랜지스터 표시판(100)에 대하여 설명하자면, 게이트 전극(124)을 포 함하는 복수의 게이트선(121) 및 유지 전극(135)을 각각 포함하는 복수의 유지 전극선(131)이 기판(110) 위에 형성되어 있고, 그 위에 게이트 절연막(140), 돌출부(154)를 포함하는 선형 반도체(151) 및 돌출부(163)를 포함하는 복수의 선형 저항성 접촉 부재(161) 및 복수의 섬형 저항성 접촉 부재(165)가 차례로 형성되어 있다. 소스 전극(173)을 포함하는 복수의 데이터선(171) 및 복수의 드레인 전극(175)이 저항성 접촉 부재(161, 165) 및 게이트 절연막(140) 위에 형성되어 있고, 이중 구조의 보호막(180)이 그 위에 형성되어 있으며, 보호막(180) 및 게이트 절연막(140)에는 복수의 접촉 구멍(181, 182, 185)이 형성되어 있다. 보호막(180) 위에는 복수의 화소 전극(190) 및 복수의 접촉 보조 부재(81, 82)가 형성되어 있고, 그 위에는 배향막(11)이 도포되어 있다.
공통 전극 표시판(200)에 대하여 설명하자면, 차광 부재(220), 복수의 색필터(230), 덮개막(250), 공통 전극(270) 및 배향막(21)이 절연 기판(210) 위에 형성되어 있다.
하지만, 보호막(180)의 두꺼운 부분과 얇은 부분이 교대로 배치되어 있다. 즉, 화소 전극(190)의 경계선과 화소 전극(190)의 절개부(91, 92a, 92b)로 정의되는 네 영역 중 서로 인접하지 않은 두 영역에서는 상부 절연막(180q)이 개구부를 가지고 있어 하부 절연막(180p)만으로 보호막(180)의 얇은 부분을 이루며, 나머지 두 영역에서는 상부 및 하부 절연막(180p, 180q)이 보호막의 두꺼운 부분을 이룬다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 구조를 도시한 배치도이고, 도 8은 도 7의 액정 표시 장치를 VIII-VIII'선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 7 및 도 8을 참고하면, 본 실시예에 따른 액정 표시 장치도 박막 트랜지스터 표시판(100), 공통 전극 표시판(200), 이들 두 표시판(100, 200) 사이에 삽입되어 있는 액정층(3), 두 표시판(100, 200)의 바깥 면에 부착되어 있는 한 쌍의 편광자(12, 22)를 포함한다.
본 실시예에 따른 표시판(100, 200)의 층상 구조는 도 5 및 도 6과 거의 동일하다.
박막 트랜지스터 표시판(100)에 대하여 설명하자면, 게이트 전극(124)을 포함하는 복수의 게이트선(121) 및 유지 전극(135)을 포함하는 복수의 유지 전극선(131)이 기판(110) 위에 형성되어 있고, 그 위에 게이트 절연막(140), 돌출부(154)를 포함하는 복수의 선형 반도체(151), 돌출부(163)를 포함하는 복수의 선형 저항성 접촉 부재(161) 및 복수의 섬형 저항성 접촉 부재(165)가 차례로 형성되어 있다. 소스 전극(173)을 포함하는 복수의 데이터선(171)과 복수의 드레인 전극(175)이 저항성 접촉 부재(161, 165) 위에 형성되어 있고, 보호막(180)이 그 위에 형성되어 있으며, 보호막(180) 및 게이트 절연막(140)에는 복수의 접촉 구멍(181, 182, 185)이 형성되어 있다. 보호막(180) 위에는 복수의 화소 전극(190), 복수의 차폐 전극(88) 및 복수의 접촉 보조 부재(81, 82)가 형성되어 있고, 그 위에는 배향막(11)이 도포되어 있다.
공통 전극 표시판(200)에 대하여 설명하자면, 차광 부재(220), 복수의 색필 터(230), 덮개막(250), 공통 전극(270) 및 배향막(21)이 절연 기판(210) 위에 형성되어 있다.
하지만, 도 5 및 도 6의 액정 표시 장치와는 달리, 선형 반도체(151)는 데이터선(171)과 드레인 전극(171) 및 그 아래의 저항성 접촉 부재(161, 165)와 거의 동일한 모양을 가진다. 그러나, 돌출부(154)는 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 부분과 같이 데이터선(171)과 드레인 전극(175)으로 덮이지 않는 부분을 가진다.
이러한 박막 트랜지스터 표시판을 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 방법에서는 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)과 반도체(151) 및 저항성 접촉 부재(161, 165)를 한 번의 사진 공정으로 형성한다.
이러한 사진 공정에서 사용하는 감광막 패턴은 위치에 따라 두께가 다르며, 위치에 따라 감광막 패턴의 두께를 달리하는 방법으로 여러 가지가 있을 수 있는데, 예를 들면 광마스크에 투명 영역(transparent area) 및 차광 영역(light blocking area) 외에 반투명 영역(translucent area)을 두는 방법이 있다. 반투명 영역에는 슬릿(slit) 패턴, 격자 패턴(lattice pattern) 또는 투과율이 중간이거나 두께가 중간인 박막이 구비된다. 슬릿 패턴을 사용할 때에는, 슬릿의 폭이나 슬릿 사이의 간격이 사진 공정에 사용하는 노광기의 분해능(resolution)보다 작은 것이 바람직하다. 다른 예로는 리플로우가 가능한 감광막을 사용하는 방법이 있다. 즉, 투명 영역과 차광 영역만을 지닌 통상의 노광 마스크로 리플로우 가능한 감광막 패턴을 형성한 다음 리플로우시켜 감광막이 잔류하지 않은 영역으로 흘러내리도록 함으로써 얇은 부분을 형성하는 것이다. 이와 같이 하면 한 번의 사진 공정을 줄일 수 있으므로 제조 방법이 간단해진다.
앞서 설명한 도 1 내지 도 4의 액정 표시 장치에 대한 많은 특징들이 이와 같은 실시예에서도 적용될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대하여 도 9 내지 도 12를 참고로 하여 상세하게 설명한다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 배치도이고, 도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치용 공통 전극 표시판의 배치도이고, 도 11은 도 9에 도시한 박막 트랜지스터 표시판과 도 10에 도시한 공통 전극 표시판을 포함하는 액정 표시 장치의 배치도이고, 도 12는 도 11의 액정 표시 장치를 XII-XII' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 9 내지 도 12를 참고하면, 본 실시예에 따른 액정 표시 장치도 박막 트랜지스터 표시판(100), 공통 전극 표시판(200), 이들 두 표시판(100, 200) 사이에 삽입되어 있는 액정층(3) 및 두 표시판(100, 200)의 바깥 면에 부착되어 있는 한 쌍의 편광자(12, 22)를 포함한다.
본 실시예에 따른 표시판(100, 200)의 층상 구조는 도 1 내지 도 4에 도시한 표시판(100, 200)의 층상 구조와 거의 동일하다.
박막 트랜지스터 표시판(100)에 대하여 설명하자면, 게이트 전극(124)을 포함하는 복수의 게이트선(121) 및 복수의 유지 전극(135)을 각각 포함하는 복수의 유지 전극선(131)이 기판(110) 위에 형성되어 있고, 그 위에 게이트 절연막(140), 복수의 섬형 반도체(154) 및 복수의 저항성 접촉 부재(163, 165)가 차례로 형성되어 있다. 소스 전극(173)을 포함하는 복수의 데이터선(171)과 복수의 드레인 전극(175)이 저항성 접촉 부재(163, 165) 및 게이트 절연막(140) 위에 형성되어 있고, 이중 구조의 보호막(180)이 그 위에 형성되어 있으며, 보호막(180) 및 게이트 절연막(140)에는 복수의 접촉 구멍(181, 182, 185)이 형성되어 있다. 보호막(180) 위에는 복수의 화소 전극(190) 및 복수의 접촉 보조 부재(81, 82)가 형성되어 있고 그 위에는 배향막(11)이 형성되어 있다.
공통 전극 표시판(200)에 대하여 설명하자면, 차광 부재(220), 복수의 색필터(230), 덮개막(250), 공통 전극(270) 및 배향막(21)이 절연 기판(210) 위에 형성되어 있다.
도 1 내지 도 4와 달리, 복수의 반도체(154) 및 저항성 접촉 부재(163, 165)는 섬형으로 소스 전극(173)과 드레인 전극(175)의 사이에 주로 위치하며, 게이트선(121)과 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)이 만나는 곳까지 뻗어 이들의 교차점에서 표면 프로파일을 완만하게 하여 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)의 단선을 방지한다. 섬형 반도체(154)와 동일한 층으로 데이터선(171)이 지나갈 유지 전극선(131)의 상부에도 버퍼층이 추가될 수 있다.
화소 전극(190)의 화소 전극 네 모퉁이가 모따기되어 빗변을 이루고 있으며, 이들과 동일한 층에는 차폐 전극(88)이 형성되어 있다.
이때, 모따기 구조에서 모따기된 빗변의 길이는 약 4-10㎛ 범위인 것이 바람직한데, 특히 화소 전극(190) 및 차폐 전극(88)을 형성하기 위한 사진 공정에서 사 용하는 노광기의 분해능보다 2배 이상인 것이 바람직하다. 이와 같이 하면 화소 전극(190)의 모퉁이(A)에서 도전체가 잔류할 확률을 크게 줄일 수 있으므로 화소 전극(190)과 차폐 전극(88)이 서로 단락(short circuit)되는 것을 방지할 수 있으며, 화소 전극(190)과 차폐 전극(88) 사이의 거리를 가깝게 할 수 있다.
또한, 화소 전극(190)과 차폐 전극(88)이 화소 전극(190)의 모퉁이(A)에서 단락된 경우, 그곳에서 차폐 전극(88)과 화소 전극(190)의 간격이 넓기 때문에 저배율 광학기를 사용하여 단락 위치를 용이하게 검출할 수 있을 뿐 아니라 레이저(laser)를 사용하여 단락을 용이하게 수리할 수 있다.
차폐 전극(88)은 데이터선(171)을 따라 뻗은 세로부와 게이트선(121)을 따라 뻗은 가로부를 포함하고 있는데, 세로부는 데이터선(171)을 완전히 덮고 있으며, 가로부는 게이트선(121)의 경계선 안쪽에 위치한다.
차폐 전극(88)에는 공통 전압이 인가되는데, 이를 위하여 보호막(180) 및 게이트 절연막(140)의 접촉 구멍(도시하지 않음)을 통하여 유지 전극선(131)에 연결되거나, 공통 전압을 박막 트랜지스터 표시판(100)에서 공통 전극 표시판(200)으로 전달하는 단락점(short point)(도시하지 않음)에 연결될 수도 있다. 이때, 개구율 감소가 최소가 되도록 차폐 전극(88)과 화소 전극(190) 사이의 거리를 최소로 하는 것이 바람직하다.
이와 같이 공통 전압이 인가되는 차폐 전극(88)을 데이터선(171) 상부에 배치하면 차폐 전극(88)이 데이터선(171)과 화소 전극(190) 사이 및 데이터선(171)과 공통 전극(270) 사이에서 형성되는 전계를 차단하여 화소 전극(190)의 전압 왜곡 및 데이터선(171)이 전달하는 데이터 전압의 신호 지연이 줄어든다.
또한, 화소 전극(190)과 차폐 전극(88)의 단락을 방지하기 위하여 이들 사이에 거리를 두어야 하므로, 화소 전극(190)이 데이터선(171)으로부터 더 멀어져 이들 사이의 기생 용량이 줄어든다. 더욱이, 액정층(3)의 유전율(permittivity)이 보호막(180)의 유전율보다 높기 때문에, 데이터선(171)과 차폐 전극(88) 사이의 기생 용량이 차폐 전극(88)이 없을 때 데이터선(171)과 공통 전극(270) 사이의 기생 용량에 비하여 작다.
뿐만 아니라, 화소 전극(190)과 차폐 전극(88)이 동일한 층으로 만들어지기 때문에 이들 사이의 거리가 일정하게 유지되며 이에 따라 이들 사이의 기생 용량이 일정하다.
또한 화소 전극(190)의 절개부(91, 92, 93a, 93b, 94a, 94b, 95a, 95b) 및 공통 전극(270)의 절개부(71, 72, 73, 74a, 74b, 75a, 75b, 76a, 76b)의 배치 및 모양이 앞의 실시예와 다르다. 특히, 공통 전극(270)의 절개부(72, 73a, 73b, 74a, 74b, 75a, 75b)에는 절개부(72, 73a, 73b, 74a, 74b, 75a, 75b) 내의 액정 분자(310)의 배향을 제어하는 노치가 형성되어 있다.
차광 부재(220)는 데이터선(171)에 대응하는 부분과 박막 트랜지스터에 대응하는 부분으로 이루어져 있다.
또한 공통 전극(270)과 차폐 전극(88)에 동일한 공통 전압이 인가되므로 둘 사이에는 전계가 거의 없다. 따라서 공통 전극(270)과 차폐 전극(88) 사이에 위치한 액정 분자들(310)은 초기 수직 배향 상태를 그대로 유지하므로 이 부분에 입사 된 빛은 투과되지 못하고 차단된다.
이때, 보호막(180)의 하부 절연막(180p)을 드러내는 상부 절연막(180q)의 개구부(188) 경계선은 화소 전극(190)의 절개부(93a, 93b)와 중첩하며, 두 절개부(93a, 93b) 사이에서 하부 절연막(180p)이 개구부(188)를 통하여 드러나 있다.
이전의 실시예에서 도시한 액정 표시 장치의 많은 특징들이 도 9 내지 도 12에 도시한 액정 표시 장치에도 적용될 수 있다.
이상과 같이 화소를 분할하여 절연막을 다른 두께로 배치하여 셀 간격을 다르게 조절하여 다른 셀 간격 사이의 액정 분자에 다른 전기장을 형성함으로써 액정 표시 장치의 측면 시인성을 향상시키고 이를 통하여 시야각을 확장할 수 있다.
또한, 화소 전극과 동일한 층으로 차폐 전극을 형성함으로써 액정 표시 장치의 표시 특성을 향상시킬 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다. 특히, 화소 전극과 공통 전극에 형성하는 절개부의 배치는 여러 다양한 변형이 있을 수 있다.

Claims (7)

  1. 게이트선,
    상기 게이트선과 절연되어 교차하고 있는 데이터선,
    각각의 상기 게이트선 및 상기 데이터선과 연결되어 있으며, 드레인 전극을 가지는 박막 트랜지스터,
    상기 게이트선, 상기 데이터선 및 상기 박막 트랜지스터를 덮고 있으며, 부분적으로 다른 두께를 가지는 보호막, 그리고
    상기 드레인 전극과 직접 연결되어 있는 다른 두께를 가지는 상기 보호막 위에 형성되어 있는 화소 전극
    을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판.
  2. 제1항에서,
    상기 보호막은 서로 다른 절연 물질로 이루어진 다층 구조로 이루어진 박막 트랜지스터 표시판.
  3. 제2항에서,
    상기 보호막은 질화 규소 또는 산화 규소로 이루어진 하부 절연막과 유기 절연 물질로 이루어진 상부 절연막을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판.
  4. 제2항에서,
    상기 하부 절연막과 상기 하부 절연막을 드러내는 개구부를 가지는 상부 절연막을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판.
  5. 제1항에서,
    상기 화소 전극 또는 상기 드레인 전극 중 적어도 하나와 중첩하여 유지 용량을 형성하는 유지 전극을 가지는 유지 전극선을 더 포함하는 박막 트랜지스터 표시판.
  6. 게이트선, 상기 게이트선과 절연되어 교차하고 있는 데이터선, 각각의 상기 게이트선 및 상기 데이터선과 연결되어 있으며, 드레인 전극을 가지는 박막 트랜지스터, 상기 게이트선, 상기 데이터선 및 상기 박막 트랜지스터를 덮으며 부분적으로 다른 두께를 가지는 보호막, 그리고 상기 드레인 전극과 직접 연결되어 있으며 상기 보호막 위에 형성되어 있는 화소 전극을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판, 그리고
    상기 박막 트랜지스터 표시판과 마주하며, 공통 전극이 형성되어 있는 대향 표시판을 포함하는 액정 표시 장치.
  7. 제6항에서,
    상기 보호막의 두께에 따라 상기 화소 전극과 공통 전극 사이의 셀 간격이 다른 액정 표시 장치.
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