JP2003270653A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 画素電極と突起との間に位置ずれが発生して
も、輝度の変化が小さく表示品質を良好な状態に維持で
きる液晶表示装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 ＴＦＴ基板側に画素電極１８及びＴＦＴ
１０を形成し、ＣＦ基板側にコモン電極及び突起２５を
形成する。そして、ＴＦＴ基板とＣＦ基板との間に負の
誘電率異方性を有する液晶を封入する。突起２５はデー
タバスライン１６ａに沿って形成する。画素電極１８
は、突起２５との重なり幅が一画素中で均一でない形状
に形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、一対の基板間に負
の誘電率異方性を有する液晶を封入した液晶表示装置及
びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置は、薄くて軽量であるとと
もに低電圧で駆動できて消費電力が少ないという長所が
あり、各種電子機器に広く使用されている。

【０００３】特に、ＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄
膜トランジスタ）等のスイッチング素子が画素毎に設け
られたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置は、表
示品質の点でもＣＲＴ（Cathode-Ray Tube）に匹敵する
ほど優れたものが得られるようになり、近年、携帯テレ
ビやパーソナルコンピュータ等のディスプレイにも使用
されるようになった。

【０００４】一般的なＴＮ（Twisted Nematic ）型液晶
表示装置は、２枚の透明基板の間に液晶を封入した構造
を有している。それらの透明基板の相互に対向する２つ
の面（対向面）のうち、一方の面側にはコモン電極、カ
ラーフィルタ及び配向膜等が形成され、他方の面側には
ＴＦＴ、画素電極及び配向膜等が形成されている。更
に、各透明基板の対向面と反対側の面には、それぞれ偏
光板が貼り付けられている。これらの２枚の偏光板は、
例えば偏光板の吸収軸が互いに直交するように配置さ
れ、これによれば、画素電極とコモン電極との間に電圧
を印加しない状態では光を透過し、電圧を印加した状態
では遮光するモード、すなわちノーマリーホワイトモー
ドとなる。また、２枚の偏光板の吸収軸が平行な場合に
は、ノーマリーブラックモードとなる。以下、ＴＦＴ及
び画素電極等が形成された基板をＴＦＴ基板と呼び、コ
モン電極及びカラーフィルタ等が形成された基板をＣＦ
基板と呼ぶ。

【０００５】一般的なＴＮ型液晶表示装置では、視野角
特性が悪く、画面を斜めから見たときにコントラストが
著しく低下し、極端な場合には明暗が反転するという欠
点がある。

【０００６】ＴＮ型液晶表示装置よりも視野角特性が優
れた液晶表示装置の一つに、ＶＡ（Vertical Alignmen
t）型液晶表示装置がある。ＶＡ型液晶表示装置では、
負の誘電率異方性を有する液晶と垂直配向膜とを使用す
る。これにより、ＶＡ型液晶表示装置では、画素電極と
コモン電極との間に電圧が印加されていないときに液晶
分子が基板面に対し垂直に配向し、電圧が印加されると
液晶分子は電界に垂直な方向に倒れようとする。

【０００７】実際のＶＡ型液晶表示装置では、電圧を印
加していないときに液晶分子を基板面の法線に対し約１
〜５°傾斜（プレチルト）させている。これは、電圧を
印加したときに、液晶分子が倒れる方向を偏光板の吸収
軸に対し一定の方向に規制するためである。液晶分子の
プレチルト方向を決定する方法には、例えば、配向膜に
紫外線を斜め方向から照射する方法がある。通常、一方
の基板の表面近傍の液晶分子のプレチルト方向と他方の
基板の表面近傍の液晶分子のプレチルト方向とが相互に
逆の方向になるようにするが、このような配向方法はホ
メオトロピック配向と呼ばれる。

【０００８】ＶＡ型液晶表示装置よりも更に視野角特性
が優れた液晶表示装置に、ＭＶＡ（Multi-domain Varti
cal Alignment ）型液晶表示装置がある。ＭＶＡ型液晶
表示装置では、１画素内に液晶分子の配向方向が相互に
異なる複数の領域を有している。これは、例えば、画素
の一部を遮光して紫外線を第１の方向から配向膜の第１
の領域に照射した後、次に遮光する部分をずらして、第
２の方向から紫外線を配向膜の第２の領域に照射するこ
とにより実現することができる。

【０００９】ところで、ＶＡ型液晶表示装置及びＭＶＡ
型液晶表示装置では、負の誘電率異方性を有する液晶分
子を使用するので、表示信号が流れるデータバスライン
の近傍では、データバスラインから発生する電界の影響
を受けて液晶分子が所定の方向に配向せず、ディスクリ
ネーションと呼ばれる配向不良が発生する。ディスクリ
ネーションが発生した部分は表示に寄与しないため、輝
度の低下や表示品質の低下の原因となる。

【００１０】これを防止するために、ＣＦ基板側に、デ
ータバスラインに沿って延びる突起（土手）を設けるこ
とがある。データバスラインからの電界はデータバスラ
インに垂直な方向に発生するため、液晶分子はデータバ
スラインに平行な方向に傾斜しようとする。一方、突起
の近傍の液晶分子はデータバスラインに垂直な方向に傾
斜しようとするので、データバスラインからの電界の影
響が突起により軽減される。これにより、ディスクリネ
ーションの発生が抑制される。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】突起によりディスクリ
ネーションを防止するためには、電極と突起との位置関
係が重要である。しかしながら、ＴＦＴ基板とＣＦ基板
とを接合する際に生じる位置ずれや、画素電極及び突起
等の形成時の生じる位置ずれにより、電極と突起との位
置関係が最適な状態からずれでしまうことがある。

【００１２】図２３，図２４は、従来の垂直配向型液晶
表示装置の問題点を示す模式図である。図２３（ａ）
は、画素電極５８と突起６５との位置関係が最適な場合
を示している。この場合、データバスライン５６ａから
発生する電界の影響がＣＦ基板側の突起６５により軽減
され、ディスクリネーションは図２３（ｂ）に示すよう
に画素電極５８よりも外側の部分（図中斜線で示した部
分）に発生する。この部分はブラックマトリクス（遮光
膜）により覆われるので、ディスクリネーションによる
表示品質の低下が回避される。

【００１３】図２４（ａ）はＣＦ基板側の突起６５が画
素電極５８に対し左側にずれた例を示している。この場
合、画素の左側部分では、突起６５と画素電極５８との
重なり幅が小さくなるので、図２４（ｂ）に示すよう
に、画素電極５８の内側にディスクリネーションが発生
する。また、画素の右側部分では、突起６５と画素電極
５８との重なり幅が大きくなりすぎて、画素電極５８の
内側に暗部が発生する。

【００１４】このように、従来の垂直配向型液晶表示装
置では、画素電極５８と突起６５との位置関係が最適な
状態からずれた場合に、輝度が大きく変化し表示品質が
著しく低下してしまうという欠点がある。

【００１５】以上から、本発明の目的は、画素電極と突
起との間に位置ずれが発生しても、輝度の変化が小さ
く、表示品質を良好な状態に維持できる液晶表示装置及
びその製造方法を提供することである。

【００１６】また、本発明の他の目的は、配向不良によ
る輝度の低下を抑制できる液晶表示装置及びその製造方
法を提供することである。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本願第１の液晶表示装置
は、相互に対向して配置された第１の基板及び第２の基
板と、前記第１の基板及び前記第２の基板の間に封入さ
れた負の誘電率異方性を有する液晶と、前記第１の基板
の前記液晶側の面に形成された画素電極と、前記第１の
基板に設けられて前記画素電極に表示信号を供給するデ
ータバスラインと、前記画素電極と前記データバスライ
ンとの間に接続されたスイッチング素子と、前記第１の
基板に設けられて前記スイッチング素子を駆動する信号
を供給するゲートバスラインと、前記第２の基板の前記
液晶側の面に形成されたコモン電極と、前記第２の基板
に前記データバスラインに沿って形成され、上から見た
ときに縁部が前記画素電極に重なる突起とを有し、前記
画素電極と前記突起との重なり幅が一画素中で均一でな
いことを特徴とする。

【００１８】本発明においては、画素電極と突起との重
なり幅が一画素中で均一ではなく、画素電極と突起との
重なり幅が大きい部分と、画素電極と突起との重なり幅
が小さい部分とを有している。

【００１９】このため、本発明の液晶表示装置は、画素
電極と突起と間に位置ずれがない場合の従来の液晶表示
装置に比べて輝度は低下する。しかし、画素電極と突起
との間に位置ずれが発生した場合、従来の液晶表示装置
では輝度が著しく低下するのに比べて、本発明の液晶表
示装置では、位置ずれにより輝度が低下する部分と、逆
に輝度が向上する部分とが存在するため、位置ずれによ
る輝度の低下が少ない。これにより、個々の液晶表示装
置の輝度のばらつきが抑制される。従って、表示品質が
良好な液晶表示装置を容易に製造することができる。

【００２０】本願第１の液晶表示装置の製造方法は、第
１の基板上に、画素電極と、該画素電極に表示信号を供
給するデータバスラインと、前記画素電極と前記データ
バスラインとの間を接続するスイッチング素子と、前記
スイッチング素子を駆動する信号を供給するゲートバス
ラインとを形成する工程と、第２の基板上に、コモン電
極と、前記データバスラインに対向する突起とを形成す
る工程と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に負
の誘電率異方性を有する液晶を封入する工程とを有し、
前記画素電極は、上から見たときに前記突起との重なり
幅が一画素中で部分的に変化するように形成することを
特徴とする。これにより、本願第１の液晶表示装置を製
造することができる。

【００２１】本願第２の液晶表示装置は、相互に対向し
て配置された第１の基板及び第２の基板と、前記第１の
基板及び前記第２の基板の間に封入された負の誘電率異
方性を有する液晶と、前記第１の基板の前記液晶側の面
に形成された画素電極と、前記画素電極に設けられて液
晶分子の配向を制御するスリットと、前記第１の基板に
設けられて前記画素電極に表示信号を供給するデータバ
スラインと、前記画素電極と前記データバスラインとの
間に接続されたスイッチング素子と、前記第１の基板に
設けられて前記スイッチング素子を駆動する信号を供給
するゲートバスラインと、前記第２の基板の前記液晶側
の面に形成されたコモン電極とを有し、前記画素電極の
前記データバスライン側の縁部のスリットと前記データ
バスラインとのなす角度が、前記画素電極の他の部分の
スリットと前記データバスラインとのなす角度よりも小
さいことを特徴とする。

【００２２】液晶分子の配向を制御するためのスリット
を有する画素を使用した液晶表示装置の場合、データバ
スラインからの電界の影響により、画素電極の縁部の液
晶分子がスリットの方向とは異なる方向に配向して、配
向不良による輝度の低下が発生する。

【００２３】そこで、本発明においては、画素電極のデ
ータバスライン側の縁部のスリットと前記データバスラ
インとのなす角度を、画素電極の他の部分のスリットと
データバスラインとのなす角度よりも小さくしている。
これにより、画素電極の縁部の液晶には、データバスラ
インの電界によりデータバスラインに垂直な方向に傾斜
しようとする力と、スリットの方向に傾斜しようとする
力とが作用し、所望の方向に液晶分子を傾斜させること
が可能になる。従って、画素電極の縁部の配向不良の発
生が回避され、液晶表示装置の輝度を向上させることが
できる。

【００２４】本願第２の液晶表示装置の製造方法は、第
１の基板上に、液晶分子の配向を制御するスリットを有
する画素電極と、該画素電極に表示信号を供給するデー
タバスラインと、前記画素電極と前記データバスライン
との間を接続するスイッチング素子と、前記スイッチン
グ素子を駆動する信号を供給するゲートバスラインとを
形成する工程と、第２の基板上に、コモン電極を形成す
る工程と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に負
の誘電率異方性を有する液晶を封入する工程とを有し、
前記画素電極の前記データバスライン側の縁部のスリッ
トと前記データバスラインとのなす角度を、前記画素電
極の他の部分のスリットと前記データバスラインとのな
す角度よりも小さくすることを特徴とする。これによ
り、本願第２の液晶表示装置を製造することができる。

【００２５】本願第３の液晶表示装置は、相互に対向し
て配置された第１の基板及び第２の基板と、前記第１の
基板及び前記第２の基板の間に封入された負の誘電率異
方性を有する液晶と、前記第１の基板の前記液晶側の面
に形成された画素電極と、前記画素電極に設けられて液
晶分子の配向を制御するスリットと、前記画素電極の表
面を覆う配向膜と、前記第１の基板に設けられて前記画
素電極に表示信号を供給するデータバスラインと、前記
画素電極と前記データバスラインとの間に接続されたス
イッチング素子と、前記第１の基板に設けられて前記ス
イッチング素子を駆動する信号を供給するゲートバスラ
インと、前記第２の基板の前記液晶側の面に形成された
コモン電極とを有し、前記配向膜のうちの前記画素電極
の前記データバスライン側の縁部の部分に傾斜垂直配向
処理が施されており、傾斜垂直配向処理方向と前記デー
タバスラインとのなす角度が、前記スリットと前記デー
タバスラインとのなす角度よりも小さいことを特徴とす
る。

【００２６】本発明においては、画素電極の表面を覆う
配向膜のうち、画素電極のデータバスライン側の縁部の
部分にはデータバスラインに対しほぼ平行な方向に傾斜
垂直配向処理を施している。これにより、画素電極の縁
部の液晶には、データバスラインの電界によりデータバ
スラインに垂直な方向に傾斜しようとする力と、スリッ
トの方向に傾斜しようとする力と、傾斜垂直配向処理の
方向に傾斜しようとする力とが作用し、所望の方向に液
晶分子を傾斜させることが可能になる。従って、画素電
極の縁部の配向不良の発生が回避され、液晶表示装置の
輝度を向上させることができる。

【００２７】本願第３の液晶表示装置の製造方法は、第
１の基板上に、液晶分子の配向を制御するスリットを有
する画素電極と、該画素電極に表示信号を供給するデー
タバスラインと、前記画素電極と前記データバスライン
との間を接続するスイッチング素子と、前記スイッチン
グ素子を駆動する信号を供給するゲートバスラインと、
前記画素電極の表面を覆う配向膜とを形成する工程と、
前記配向膜のうち、前記画素電極の前記データバスライ
ン側の縁部の部分に前記データバスラインに対しほぼ平
行な方向に傾斜垂直配向処理を施す工程と、第２の基板
上に、コモン電極を形成する工程と、前記第１の基板と
前記第２の基板との間に負の誘電率異方性を有する液晶
を封入する工程とを有することを特徴とする。これによ
り、本願第３の液晶表示装置を製造することができる。

【００２８】本願第４の液晶表示装置は、相互に対向し
て配置された第１の基板及び第２の基板と、前記第１の
基板及び前記第２の基板の間に封入された負の誘電率異
方性を有する液晶と、前記第１の基板の前記液晶側の面
に形成された画素電極と、前記画素電極の第１の領域に
第１の方向に向けて形成された第１のスリット、及び前
記画素電極の第２の領域に第２の方向に向けて形成され
た第２のスリットと、前記第１の基板に設けられて前記
画素電極に表示信号を供給するデータバスラインと、前
記画素電極と前記データバスラインとの間に接続された
スイッチング素子と、前記第１の基板に設けられて前記
スイッチング素子を駆動する信号を供給するゲートバス
ラインと、前記画素電極の表面を覆い、前記データバス
ラインに平行な方向に傾斜垂直配向処理が施された配向
膜と、前記第２の基板の前記液晶側の面に形成されたコ
モン電極とを有し、前記画素電極の前記第１の領域及び
前記第２の領域は水平方向に隣接し、前記第１及び第２
のスリットのうちの前記第１の領域及び前記第２の領域
の境界近傍の部分と前記データバスラインとのなす角度
が、前記第１及び第２のスリットの他の部分と前記デー
タバスラインとのなす角度よりも大きいことを特徴とす
る。

【００２９】画素電極に、スリットの方向が相互に異な
る第１及び第２の領域を水平方向に隣接して設けた場
合、第１及び第２の領域の境界部分ではスリットにより
液晶分子の配向方向を規制することができないので、第
１及び第２の領域の境界部分の液晶分子は傾斜垂直配向
処理の方向に配向する。液晶分子の配向方向はその近傍
の他の液晶分子の配向方向に影響されるので、第１及び
第２の領域の境界部分に比較的太い幅の線状の暗部が発
生する。

【００３０】そこで、本発明においては、画素電極に設
けた第１及び第２のスリットのうちの第１及び第２の領
域の境界近傍の部分と前記データバスラインとのなす角
度が、第１及び第２のスリットの他の部分とデータバス
ラインとのなす角度よりも大きくしている。これによ
り、第１及び第２の領域の境界近傍の液晶分子には、傾
斜垂直配向処理の方向に配向しようとする力と、第１及
び第２のスリットの方向に配向しようとする力とが作用
し、所望の方向に液晶分子を傾斜させることが可能にな
る。従って、画素電極の縁部の配向不良の発生が回避さ
れ、液晶表示装置の輝度を向上させることができる。

【００３１】本願第４の液晶表示装置の製造方法は、第
１の基板上に、液晶分子の配向を制御するスリットを有
する画素電極と、該画素電極に表示信号を供給するデー
タバスラインと、前記画素電極と前記データバスライン
との間を接続するスイッチング素子と、前記スイッチン
グ素子を駆動する信号を供給するゲートバスラインと、
前記画素電極の表面を覆う配向膜とを形成する工程と、
前記配向膜のうち、前記画素電極の前記データバスライ
ン側の縁部の部分に前記データバスラインと平行な方向
に傾斜垂直配向処理を施す工程と、第２の基板上に、コ
モン電極を形成する工程と、前記第１の基板と前記第２
の基板との間に負の誘電率異方性を有する液晶を封入す
る工程とを有し、前記スリットは、前記画素電極の第１
の領域では第１の方向に向けて形成し、前記第１の領域
に水平方向に隣接する第２の領域では第２の方向に向け
て形成し、且つ、前記スリットのうち前記第１の領域と
前記第２の領域との境界近傍の部分と前記データバスラ
インとのなす角度が、前記スリットの他の部分と前記デ
ータバスラインとのなす角度よりも大きくなるように形
成することを特徴とする。これにより、本願第４の液晶
表示装置を製造することができる。

【００３２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、添付の図面を参照して説明する。

【００３３】（第１の実施の形態）図１は本発明の第１
の実施の形態の液晶表示装置の構造を示す平面図、図２
は図１のＩ−Ｉ線による断面図、図３は図１のII−II線
による断面図である。

【００３４】本実施の形態の液晶表示装置は、対向して
配置されたガラス基板１１，２１と、これらのガラス基
板１１，２１間に封入された負の誘電率異方性を有する
液晶３０と、ガラス基板１１の下に配置された偏光板３
１と、ガラス基板２１の上に配置された偏光板３２とに
より構成されている。

【００３５】ガラス基板１１の上には、図１に示すよう
に、水平方向に延びる複数本のゲートバスライン１２ａ
と、垂直方向に延びる複数本のデータバスライン１６ａ
とが形成されている。これらのゲートバスライン１２ａ
及びデータバスライン１６ａにより区画される領域がそ
れぞれ画素領域である。また、ガラス基板１１上には、
各画素領域を横断するように、蓄積容量バスライン１２
ｂが形成されている。

【００３６】各画素領域には、それぞれＴＦＴ（スイッ
チング素子）１０と、ＩＴＯ（Indium-Tin Oxide）等の
透明導電体材料からなる画素電極１８とが形成されてい
る。ＴＦＴ１０はゲートバスライン１２ａの一部をゲー
ト電極としている。また、ＴＦＴ１０のドレイン電極１
６ｂはデータバスライン１６ａに接続され、ソース電極
１６ｃは画素電極１８に接続されている。

【００３７】データバスライン１６ａには表示信号が供
給され、ゲートバスライン１２ａには所定のタイミング
で走査信号が供給される。ゲートバスライン１２ａを介
して走査信号が供給されたＴＦＴ１０はオン状態にな
り、画素電極１８に表示信号が書き込まれる。これによ
り、画素電極１８とコモン電極２４との間に存在する液
晶分子の配向方向が変化し、光の透過率が変化する。画
素毎に透過率を制御することにより、液晶表示装置に所
望の画像を表示することができる。

【００３８】本実施の形態においては、画素電極１８
は、一般的な矩形ではなく、上部から中央部にかけて幅
が連続的に減少し、中央部から下部にかけて幅が連続的
に増大する形状に形成されている。

【００３９】図２，図３の断面図を参照して、ガラス基
板（ＴＦＴ基板）１１側の構成を更に詳細に説明する。
ガラス基板１１の上には、Ｃｒ（クロム）等の金属によ
りゲートバスライン１２ａ及び蓄積容量バスライン１２
ｂが形成されている。また、ガラス基板１１の上にはシ
リコン酸化物（ＳｉＯ₂ ）等からなる絶縁膜１３が形成
されており、ゲートバスライン１２ａ及び蓄積容量バス
ライン１２ｂはこの絶縁膜１３に覆われている。

【００４０】絶縁膜１３上には、ＴＦＴ１０の動作層と
なるシリコン膜（アモルファスシリコン膜又はポリシリ
コン膜）１４が形成されており、シリコン膜１４の上に
は、シリコン窒化物等の絶縁材料からなるチャネル保護
膜１５と、高濃度に不純物が導入されたシリコン膜と金
属膜とが積層されてなるドレイン電極１６ｂ及びソース
電極１６ｃとが形成されている。ドレイン電極１６ｂ及
びソース電極１６ｃは、いずれもシリコン膜１４上から
チャネル保護膜１５上に延出して形成されている。ま
た、ドレイン電極１６ｂ及びソース電極１６ｃと同じ配
線層に、データバスライン１６ａが形成されている。

【００４１】絶縁膜１３の上には絶縁膜１７が形成され
ており、データバスライン１６ａ、ドレイン電極１６ｂ
及びソース電極１６ｃはこの絶縁膜１７に覆われてい
る。絶縁膜１７上には画素電極１８が形成されている。
この画素電極１８は、絶縁膜１７に形成されたコンタク
トホールを介してＴＦＴ１０のソース電極１６ｃと電気
的に接続されている。この画素電極１８の表面は、ポリ
イミド等からなる垂直配向膜１９により覆われている。

【００４２】一方、ガラス基板（ＣＦ基板）２１の下に
は、各画素領域の間及びＴＦＴ形成領域を覆うようにブ
ラックマトリクス２２が形成されている。また、ガラス
基板２１の下には、各画素毎に、赤色（Ｒ）、緑色
（Ｇ）及び青色（Ｂ）のいずれか１色のカラーフィルタ
２３が形成されている。

【００４３】カラーフィルタ２３の下には、ＩＴＯ等の
透明導電体材料からなるコモン電極２４が形成されてお
り、コモン電極２４の下には樹脂等の誘電体材料からな
るからなる突起２５が、データバスライン１６ａに沿っ
て形成されている。コモン電極２４及び突起２５の表面
は、ポリイミド等からなる垂直配向膜２６に覆われてい
る。

【００４４】本実施の形態においては、ゲートバスライ
ン１２ａ及びデータバスライン１６ａの幅はいずれも５
μｍである。また、ゲートバスライン１２ａの配設ピッ
チは２００μｍ、データバスライン１６ａの配設ピッチ
は７０μｍである。更に、画素電極２８の上部及び下部
における幅が６１μｍ、中央部における幅が５７μｍで
あり、画素電極１８とデータバスライン１６ａとの間隔
は３μｍである。更にまた、セルギャップは３〜５μｍ
である。更にまた、データバスライン１６ａの上方のブ
ラックマトリクス２２の幅は１１μｍ、突起２５の高さ
は０．５μｍ、突起２５の幅は１７μｍである。従っ
て、突起２５はブラックマトリクス２２から両側にそれ
ぞれ３μｍだけはみ出している。また、画素電極１８及
び突起２５に位置ずれがないとすると、上から見たとき
の画素電極１８と突起２５との重なり幅の最小値は１μ
ｍ、最大値は５μｍとなる。

【００４５】なお、突起２５の高さが０．１μｍ未満の
場合は突起２５により液晶分子の配向方向を規制する効
果が十分でない。一方、突起２５の高さが１μｍを超え
ると、位置ずれに対するマージンが少なくなる。このた
め、突起２５の高さは０．１〜１μｍとすることが好ま
しい。

【００４６】また、画素電極１８の最も幅が広い部分と
狭い部分との差が４μｍ未満の場合は、位置ずれに対す
るマージンが少ない。一方、画素電極１８の最も幅が広
い部分と狭い部分との差が８μｍを超える場合は、画素
電極１８に対する突起２５の位置ずれが無い場合であっ
ても、輝度が大きく低下してしまう。このため、、画素
電極１８の最も幅が広い部分と狭い部分との差は、４〜
８μｍとすることが好ましい。

【００４７】ガラス基板１１側の垂直配向膜１９及びガ
ラス基板２１側の垂直配向膜２６には、液晶分子が基板
面に対し１〜５°程度傾斜するように、傾斜垂直配向処
理が施されている。但し、画素の上半分の領域では液晶
分子が上側から下側に向う方向に傾斜するように、画素
の下半分の領域では液晶分子が下側から上側に向う方向
に傾斜するように、傾斜垂直配向処理が施されている。
この傾斜垂直配向処理は、例えば紫外線を垂直配向膜１
９，２６に対し斜め方向から照射することにより行われ
る。また、垂直配向膜１９，２６に対しラビングするこ
とによっても傾斜垂直配向処理を達成することができ
る。

【００４８】図４，図５は第１の実施の形態の効果を示
す模式図である。図４（ａ）は画素電極１８と突起２５
との位置関係が最適な状態を示しており、図４（ｂ）は
図４（ａ）に示す状態のときのディスクリネーションの
発生状態を示している。また、図５（ａ）は画素電極１
８に対し突起２５の位置がずれた状態を示しており、図
５（ｂ）は図５（ａ）に示す状態のときのディスクリネ
ーションの発生状態を示している。

【００４９】図４（ａ）に示すように、画素電極１８と
突起２５との位置関係が最適な状態では、図４（ｂ）中
に丸印で示す部分でディスクリネーションが最も小さく
なる。そして、画素電極１８の上部、下部及び中央部で
ディスクリネーションによる輝度の低下が発生するもの
の、その程度は比較的小さい。

【００５０】一方、図５（ａ）に示すように、画素電極
１８に対し突起２５の位置が水平方向にずれた場合は、
図５（ｂ）に示ようにディスクリネーションが最も小さ
くなる位置が変化するものの、通常の位置ずれの範囲で
は、位置ずれが無い場合と同様に、４箇所の位置でディ
スクリネーションが最も小さくなる。また、ディスクリ
ネーションによる輝度の低下は部分的に発生するもの
の、その程度は比較的小さい。

【００５１】例えば、画素電極１８に対し突起２５が水
平方向に２μｍずれた場合、従来の液晶表示装置（図２
３，図２４参照）では１５％程度の輝度の低下が発生す
る。一方、本実施の形態の液晶表示装置では、位置ずれ
が無いときは従来の液晶表示装置に比べて輝度が７％程
度減少する。しかし、画素電極１８に対し突起２５が水
平方向に２μｍずれた場合であっても、位置ずれがない
場合に比べて輝度が約５％しか低下しない。

【００５２】従って、本実施の形態の液晶表示装置で
は、個々の液晶表示装置の表示品質のばらつきが回避さ
れる。その結果、位置ずれに起因する不良品の発生率が
低減されるという効果を奏する。

【００５３】以下、本実施の形態の液晶表示装置の製造
方法について、図１〜図３を参照して説明する。

【００５４】まず、ＴＦＴ基板となるガラス基板１１を
用意し、このガラス基板１１の上に下地絶縁膜（図示せ
ず）としてシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜を、例え
ば１５〜３００ｎｍの厚さに形成する。その後、スパッ
タ法により、下地絶縁膜の上にＣｒ膜を約１５０ｎｍの
厚さに形成し、フォトリソグラフィ法によりＣｒ膜をパ
ターニングしてゲートバスライン１２ａ及び蓄積容量バ
スライン１２ｂを形成する。

【００５５】次に、ガラス基板１１の上側全面に、ＣＶ
Ｄ（Chemical Vapor Deposition ）法によりシリコン酸
化膜又はシリコン窒化膜を約３００ｎｍの厚さに形成し
て、絶縁膜１３とする。その後、絶縁膜１３上にシリコ
ン膜１４を約５０ｎｍの厚さに形成する。シリコン膜１
４はアモルファスシリコンにより形成されていてもよ
く、ポリシリコンにより形成されていてもよい。

【００５６】次に、シリコン膜１４上に、ＣＶＤ法によ
りシリコン窒化膜を約５０〜２００ｎｍの厚さに形成す
る。そして、フォトリソグラフィ法によりシリコン窒化
膜をパターニングして、チャネル保護膜１５を形成す
る。

【００５７】次に、ガラス基板１１の上側全面に、ｎ⁺
型シリコン膜を約３０ｎｍの厚さに形成し、更にその上
にＴｉ（チタン）／Ａｌ（アルミニウム）／Ｔｉ（チタ
ン）を順次積層する。そして、これらのｎ⁺ 型シリコン
膜及び金属膜（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ膜）をパターニングし
て、データバスライン１６ａ、ドレイン電極１６ｂ及び
ソース電極１６ｃを形成する。また、このとき同時にシ
リコン膜１４を所定の形状にパターニングする。

【００５８】次に、ガラス基板１１の上側全面に、例え
ばシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜を約１００〜６０
０ｎｍの厚さに形成し、絶縁膜１７とする。そして、フ
ォトリソグラフィ法により、絶縁膜１７にソース電極１
６ｃに到達するコンタクトホールを形成する。

【００５９】次に、スパッタ法により、ガラス基板１１
の上側全面にＩＴＯ膜を約７０ｎｍの厚さに形成し、こ
のＩＴＯ膜をフォトリソグラフィ法によりパターニング
して、画素電極１８を形成する。この場合、図１に示す
ように、画素電極１８は、上部から中央部にかけて幅が
連続的に減少し、中央部から下部にかけて幅が連続的に
増加する形状とする。この画素電極１８は、絶縁膜１７
に設けられたコンタクトホールを介してＴＦＴ１０のソ
ース電極１６ｃに電気的に接続される。

【００６０】その後、画素電極１８の表面を、ポリイミ
ド等からなる垂直配向膜１９で被覆する。そして、この
垂直配向膜１９に、紫外線照射又はラビングによる傾斜
垂直配向処理を施す。このようにして、ＴＦＴ基板が形
成される。

【００６１】一方、ＣＦ基板となるガラス基板２１の上
にＣｒ膜を形成し、このＣｒ膜をパターニングして、ブ
ラックマトリクス２２を形成する。その後、赤色、緑色
及び青色の感光性樹脂を使用して、ガラス基板２１の上
に赤色、緑色及び青色のカラーフィルタ２３を形成す
る。

【００６２】その後、ガラス基板２１の上にＩＴＯ膜を
約７０ｎｍの厚さに形成し、コモン電極２４とする。そ
して、このコモン電極２４の上にフォトレジスト膜を形
成し、露光及び現像処理を施して、突起２５を形成す
る。この突起２５は、ＴＦＴ基板側のデータバスライン
１６ａに対向する位置に形成する。その後、コモン電極
２４及び突起２５の表面を、ポリイミド等からなる垂直
配向膜２６で被覆する。そして、この垂直配向膜２６
に、紫外線照射又はラビングによる傾斜垂直配向処理を
施す。

【００６３】垂直配向膜１９，２６へ傾斜配向を行う場
合、次のような方法が考えられる。図１において、ＴＦ
Ｔ基板に形成された垂直配向膜１９には、紙面の上から
下に向う方向の傾斜垂直配向処理を施し、ＣＦ基板に形
成された垂直配向膜２６には、紙面の下から上に向う方
向の傾斜垂直配向処理を施す。これは、モノドメインと
呼ばれる配向方法で、パネル全体に一様な方向の傾斜垂
直配向が与えられることとなる。

【００６４】また、もう一つの方法も考えられる。図１
において、蓄積容量バスライン１２ｂを境とした２つの
領域に、それぞれ別の方向に傾斜垂直配向処理を施す。
例えば、ＴＦＴ基板に形成された垂直配向膜１９に、蓄
積容量バスライン１２ｂを境として上半分の領域には上
から下へ向かう方向の傾斜垂直配向処理を施し、下半分
には下から上へ向う方向の傾斜垂直配向処理を施す。一
方、ＣＦ基板に形成された垂直配向膜２６には、蓄積容
量バスライン１２ｂを境として上半分の領域には下から
上へ向う方向の傾斜垂直配向処理を施し、下半分の領域
には上から下へ向う方向の傾斜垂直配向処理を施す。こ
れにより、一つの画素内で２つの配向方向をもつことが
可能となる。

【００６５】次に、ガラス基板１１及びガラス基板２１
を、配向膜１９，２６が形成された面を対向させて配置
する。この場合に、ガラス基板１１及びガラス基板２１
の間隔が一定となるように、両者の間にスペーサを介在
させる。そして、ガラス基板１１とガラス基板２１との
間に、負の誘電率異方性を有する液晶３０を封入する。

【００６６】次いで、ガラス基板１１の下に偏光板３１
を配置し、ガラス基板２１の上に偏光板３２を配置す
る。これらの偏光板３１，３２は、相互に吸収軸が直交
するように配置することが必要である。このようにし
て、本実施の形態の液晶表示装置が完成する。

【００６７】（変形例１）図６は、第１の実施の形態の
変形例１に係る液晶表示装置を示す平面図である。変形
例１が第１の実施の形態と異なる点は画素電極１８の形
状が異なることにあり、その他の構成は基本的に第１の
実施の形態と同様であるので、ここでは重複する部分の
説明は省略する。

【００６８】変形例１においては、画素電極１８が、上
側が狭く下側が狭い台形形状に形成されている。例え
ば、画素電極１８の上辺の長さは５７μｍ、下辺の長さ
は６１μｍである。そして、画素電極１８と突起２５と
の間に位置ずれが無いとすると、画素電極１８の中央部
でディスクリネーションが最も小さくなるように、突起
２５の位置及びサイズが設定されている。

【００６９】図７（ａ）は画素電極１８と突起２５との
位置関係が最適な状態を示す図であり、図７（ｂ）は図
７（ａ）に示す状態のときのディスクリネーションの発
生状態を示す図である。また、図８（ａ）は画素電極１
８に対し突起２５の位置が水平方向にずれた状態を示す
図であり、図８（ｂ）は図８（ａ）に示す状態のときの
ディスクリネーションの発生状態を示す図である。

【００７０】図７（ａ）に示すように、画素電極１８と
突起２５との位置関係が最適な状態では、図７（ｂ）に
丸印で示す部分でディスクリネーションが最も小さくな
る。そして、画素電極１８の上部及び下部でディスクリ
ネーションによる輝度の低下が発生するものの、その程
度は比較的小さい。

【００７１】一方、図８（ａ）に示すように、画素電極
１８に対し突起２５の位置がずれた場合は、図８（ｂ）
に示すようにディスクリネーションが最も小さくなる位
置が変化するものの、通常の位置ずれの範囲では、位置
ずれが無いときと同様に、２箇所の位置でディスクリネ
ーションが最も小さくなる。また、ディスクリネーショ
ンにより輝度の低下は部分的に発生するものの、その程
度は比較的小さい。

【００７２】（変形例２）図９は、第１の実施の形態の
変形例２に係る液晶表示装置を示す平面図である。変形
例２が第１の実施の形態と異なる点は画素電極１８の形
状が異なることにあり、その他の構成は基本的に第１の
実施の形態と同様であるので、ここでは重複する部分の
説明は省略する。

【００７３】変形例２においては、画素電極１８のデー
タバスライン１６ａに平行する２つの辺に、４μｍの振
幅で矩形の凹凸が設けられている。本実施の形態におい
ても、第１の実施の形態と同様に、画素電極１８に対し
突起２５の位置がずれたとしても、輝度の低下の割合は
少ない。

【００７４】（変形例３）図１０は、第１の実施の形態
の変形例３に係る液晶表示装置を示す平面図である。変
形例３が第１の実施の形態と異なる点は画素電極１８の
形状が異なることにあり、その他の構成は基本的に第１
の実施の形態と同様であるので、ここでは重複する部分
の説明は省略する。

【００７５】変形例３においては、画素電極１８のデー
タバスライン１６ａに平行する２つの辺の近傍に、幅が
４μｍの矩形のスリットが垂直方向に並んで形成されて
いる。本実施の形態においても、第１の実施の形態と同
様に、画素電極１８に対し突起２５の位置がずれたとし
ても、輝度の低下の割合は少ない。

【００７６】これらの第１の実施の形態及びその変形例
１〜３に示すように、画素電極の形状を、画素電極と突
起との重なり幅が一画素中で均一でない形状にすること
により、位置ずれによる輝度の低下が抑制される。

【００７７】図１１は、横軸にＣＦ基板の水平方向の位
置ずれ量をとり、縦軸に輝度低下率をとって、従来例１
〜３、実施例１〜４の位置ずれに対する輝度低下率の変
化をシミュレーションした結果を示す図である。

【００７８】従来例１〜３は画素電極が矩形の液晶表示
装置（図２３，図２４参照）であり、位置ずれが無い場
合の画素電極と突起との重なり幅はそれぞれ１μｍ、３
μｍ、５μｍである。実施例１，２は画素電極が台形の
液晶表示装置（図６参照）であり、画素電極の上側の辺
の長さと下側の辺の長さとの差は、それぞれ６μｍ、４
μｍである。実施例３，４は画素電極の縁部に凹凸が設
けられた液晶表示装置（図９参照）であり凹凸の振幅は
それぞれ６μｍ、４μｍである。

【００７９】図１２は、横軸にＣＦ基板の水平方向の位
置ずれ量をとり、縦軸に輝度変化率をとって、従来例１
〜３、実施例１〜４の液晶表示装置の位置ずれ幅と輝度
変化率との関係を示す図である。但し、図１２では、位
置ずれが無いときの輝度を基準にしている。

【００８０】これらの図１１，図１２から、従来例１〜
３ではいずれも位置ずれにより輝度が大きく変化するの
に対し、実施例１〜４では位置ずれに対する輝度の変化
量が小さいことがわかる（第２の実施の形態）以下、本
発明の第２の実施の形態の液晶表示装置について説明す
る。

【００８１】例えば、１画素内で液晶分子の配向方向が
４方向のマルチドメインを達成するためには、図１３に
示すようにスリット３７ａの向きが相互に異なる４つの
領域に分割された画素電極３７を使用することが考えら
れる。

【００８２】すなわち、第１の領域（右上の領域）では
スリット３７ａがＸ軸方向（水平方向）に対し４５°の
角度で設けられており、第２の領域（左上の領域）では
スリット３７ａがＸ軸方向に対し１３５°の角度で設け
られており、第３の領域（左下の領域）ではスリット３
７ａがＸ軸方向に対し２２５°の角度で設けられてお
り、第４の領域（右下の領域）ではスリット３７ａがＸ
軸方向に対し３１５°の角度で設けられている。なお、
この例の液晶表示装置のコモン電極側には、スリットや
突起等は設けられていない。また、２枚の偏光板は、吸
収軸が相互に直交し、且つスリット３７ａに対し４５°
の角度となるように配置される。

【００８３】このような形状の画素電極３７を使用した
場合は、画素電極３７とコモン電極との間に電圧を印加
すると、液晶分子３０ａはスリット３７ａと平行な方向
に傾斜する。このとき、４つの領域の境界部分の電極の
エッジの影響により、第１の領域と第３の領域とでは液
晶分子３０ａの倒れる方向が逆になり、第２の領域と第
４の領域とでは液晶分子３０ａの倒れる方向が逆にな
る。従って、液晶分子３０ａの傾斜方向は４つの領域で
それぞれ異なり、４ドメイン配向が実現される。

【００８４】しかし、このような画素電極３７を用いた
液晶表示装置を作成して実際に駆動すると、画素電極３
７の幅方向の両縁部に暗部が発生し、輝度が低下してし
まう。これは、以下のように考えることができる。

【００８５】図１４は図１３に示す形状の画素電極３７
を用いた液晶表示装置の白表示時における液晶分子の配
向方向を示す模式図である。但し、図１４ではＴＦＴの
図示を省略している。

【００８６】この図１４に示すように、データバスライ
ン１６ａから十分に離れた部分の液晶分子は、データバ
スライン１６ａからの電界の影響を受けないので、スリ
ット３８ａの方向に配向する。一方、データバスライン
１６ａの近傍の液晶分子は、データバスライン１６ａか
らの電界の影響により、データバスライン１６ａに垂直
な方向に配向する。この液晶分子の影響により、画素電
極３７の縁部の液晶分子はスリット３７ａの方向とは異
なる方向に配向し、配向不良が発生する。

【００８７】第２の実施の形態の液晶表示装置は、この
ようなデータバスライン１６ａからの電界の起因する輝
度の低下を防止することを目的としている。

【００８８】図１５は本発明の第２の実施の形態の液晶
表示装置を示す平面図、図１６は図１５のIII −III 線
による断面図である。なお、本実施の形態が第１の実施
の形態と異なる点は、画素電極の形状が異なること、及
びＣＦ基板側に突起が設けられていないことにあり、そ
の他の構成は基本的に第１の実施の形態と同様であるの
で、重複する部分の説明は省略する。

【００８９】ガラス基板１１の上には複数本のゲートバ
スライン１２ａと複数本のデータバスライン１６ａとが
形成されている。これらのゲートバスライン１２ａ及び
データバスライン１６ａにより区画された領域がそれぞ
れ画素領域である。各画素領域には、ＴＦＴ１０及び画
素電極３８が形成されている。

【００９０】画素電極３８は、スリット３８ａの向きが
相互に異なる４つの領域に分かれている。すなわち、第
１の領域（右上の領域）ではスリット３８ａがＸ軸方向
（水平方向）に対し４５°の角度で設けられており、第
２の領域（左上の領域）ではスリット３８ａがＸ軸方向
に対し１３５°の角度で設けられており、第３の領域
（左下の領域）ではスリット３８ａがＸ軸方向に対し２
２５°の角度で設けられており、第４の領域（右下の領
域）ではスリット３８ａがＸ軸方向に対し３１５°の角
度で設けられている。但し、いずれの領域においても、
データバスライン１６ａから約１５μｍのところでスリ
ット３８ａが屈曲しており、画素の縁部ではスリット３
８ａとデータバスライン１６ａとのなす角度（鋭角側の
角度）が約２０°となっている。

【００９１】スリット３８ａの幅は約３μｍであり、ス
リット３８ａの配設ピッチは約６μｍである。また、２
枚の偏光板は、吸収軸が相互に直交し、且つ、スリット
３８ａに対し４５°の角度となるように配置される。

【００９２】本実施の形態においては、第１の実施の形
態と同様に、ゲートバスライン１２ａの配設ピッチは２
００μｍ、データバスライン１６ａの配設ピッチは７０
μｍ、データバスライン１６ａの上方のブラックマトリ
クスの幅は１１μｍである。

【００９３】一方、ＣＦ基板側には、第１の実施の形態
と同様に、ブラックマトリクス２２、カラーフィルタ２
３、コモン電極２４及び垂直配向膜２６が形成されてい
る。但し、本実施の形態では、ＣＦ基板側には突起は設
けられていない。

【００９４】図１７は、本実施の形態の液晶表示装置の
白表示時の液晶分子の配向状態を示す模式図である。な
お、図１７ではＴＦＴの図示を省略している。

【００９５】この図１７に示すように、データバスライ
ン１６ａの近傍の液晶分子は、データバスライン１６ａ
からの電界の影響により、データバスライン１６ａに対
し垂直な方向に倒れようとする。一方、データバスライ
ン１６ａから十分に離れた部分では、液晶分子はデータ
バスライン１６ａからの電界の影響を受けないので、ス
リット３８ａに平行な方向、すなわちデータバスライン
１６ａに対し４５°の方向に倒れようとする。

【００９６】画素電極３８の縁部の液晶分子には、スリ
ット３８ａに平行な方向に倒れようとする力と、データ
バスライン１６ａの近傍の液晶分子の影響によりデータ
バスライン１６ａに垂直な方向に倒れようとする力とが
作用する。その結果、画素電極３８の縁部の液晶分子は
データバスライン１６ａに対しほぼ４５°の方向に倒れ
る。これにより、画素電極３８の縁部における配向不良
が防止され、液晶表示装置の輝度が向上する。

【００９７】実際に上記の構成の液晶表示セルを作製し
て輝度を調べたところ、図１３に示す画素電極３７を使
用した液晶表示セルに比べて、輝度が約１６％向上し
た。

【００９８】以下、本実施の形態の液晶表示装置の製造
方法について、図１５，図１６を参照して説明する。

【００９９】まず、ＴＦＴ基板となるガラス基板１１を
用意し、このガラス基板１１の上に下地絶縁膜（図示せ
ず）を例えば１５〜３００ｎｍの厚さに形成する。この
下地絶縁膜の上にＣｒ膜を約１５０ｎｍの厚さに形成
し、フォトリソグラフィ法によりＣｒ膜をパターニング
して、ゲートバスライン１２ａ及び蓄積容量バスライン
（図示せず）を形成する。

【０１００】次にガラス基板１１の上側全面にシリコン
酸化膜又はシリコン窒化膜を約３００ｎｍの厚さに形成
して、絶縁膜１３とする。その後、絶縁膜１３上に、Ｔ
ＦＴ１０の動作層となるシリコン膜を約５０ｎｍの厚さ
に形成する。

【０１０１】次に、シリコン膜上にＣＶＤ法によりシリ
コン窒化膜を形成し、このシリコン窒化膜をパターニン
グしてチャネル保護膜を形成する。

【０１０２】次に、ガラス基板１１の上側全面にｎ⁺ 型
シリコン膜を形成し、更にその上に、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ
膜を形成する。そして、これらのＴｉ／Ａｌ／Ｔｉ膜及
びｎ ⁺ 型シリコン膜をパターニングして、データバスラ
イン１６ａ、ドレイン電極１６ｂ及びソース電極１６ｃ
を形成する。

【０１０３】次に、ガラス基板１１の上側全面に、シリ
コン酸化膜又はシリコン窒化膜を約１００〜６００ｎｍ
の厚さに形成し、絶縁膜１７とする。そして、絶縁膜１
７に、ソース電極１６ｃに到達するコンタクトホールを
形成する。

【０１０４】次に、スパッタ法により、ガラス基板１１
の上側全面にＩＴＯ膜を約７０ｎｍの厚さに形成し、こ
のＩＴＯ膜をフォトリソグラフィ法によりパターニング
して、画素電極３８を形成する。この場合、画素電極３
８には、図１５に示すようにスリット３８ａを形成して
おく。

【０１０５】その後、画素電極３８の表面を、ポリイミ
ド等からなる垂直配向膜１９で被覆する。

【０１０６】一方、ＣＦ基板となるガラス基板２１の上
にＣｒ膜を形成し、このＣｒ膜をパターニングして、ブ
ラックマトリクス２２を形成する。その後、赤色、緑色
及び青色の感光性樹脂を使用して、ガラス基板２１の上
に赤色、緑色及び青色のカラーフィルタ２３を形成す
る。

【０１０７】その後、ガラス基板２１の上にＩＴＯ膜を
約７０ｎｍの厚さに形成し、コモン電極２４とする。そ
して、このコモン電極２４の表面をポリイミド等からな
る垂直配向膜２６で被覆する。

【０１０８】次に、ガラス基板１１及びガラス基板２１
を、配向膜１９，２６が形成された面を対向させて配置
し、両者の間にスペーサを介在させる。そして、ガラス
基板１１とガラス基板２１との間に、負の誘電率異方性
を有する液晶３０を封入する。

【０１０９】次いで、ガラス基板１１の下に偏光板３１
を配置し、ガラス基板２１の上に偏光板３２を配置す
る。これらの偏光板３１，３２は、相互に吸収軸が直交
するように配置する。このようにして、本実施の形態の
液晶表示装置が完成する。

【０１１０】なお、本実施の形態の液晶表示装置にポリ
マーにより配向を固定した液晶を使用してもよい。これ
は、例えば紫外線照射により重合する性質を有するモノ
マーを含んた液晶をＴＦＴ基板とＣＦ基板との間に封入
して形成する。そして、白表示になるように画素電極に
十分高い電圧を印加し、その状態で液晶に紫外線を照射
して、液晶層にモノマーが重合してポリマーとなった領
域を形成する。このように、予め輝度が高い状態で液晶
層にポリマーを形成しておくことにより、液晶層の液晶
分子の配向方向が固定されるため、画素電極に印加する
電圧を通常の表示時の電圧にしても、ディスクリネーシ
ョンが拡大することがなく、輝度の高い液晶表示装置を
実現することができる。

【０１１１】（第３の実施の形態）図１８は本発明の第
３の実施の形態の液晶表示装置を示す平面図である。本
実施の形態が第２の実施の形態と異なる点は、画素電極
の形状が異なること、及びＴＦＴ基板側の配向膜の一部
に傾斜垂直配向処理が施されていることにあり、その他
の構成は基本的に第２の実施の形態と同様であるので、
重複する部分の説明は省略する。

【０１１２】本実施の形態の液晶表示装置においても、
画素電極３９はスリット３９ａの向きが相互に異なる４
つの領域に分かれている。すなわち、第１の領域（右上
の領域）ではスリット３９ａがＸ軸方向（水平方向）に
対し４５°の角度で設けられており、第２の領域（左上
の領域）ではスリット３９ａがＸ軸方向に対し１３５°
の角度で設けられており、第３の領域（左下の領域）で
はスリット３９ａがＸ軸方向に対し２２５°の角度で設
けられており、第４の領域（右下の領域）ではスリット
３９ａがＸ軸方向に対し３１５°の角度で設けられてい
る。

【０１１３】この画素電極３９を覆う垂直配向膜のう
ち、データバスライン１６ａから１５μｍまでの部分に
は、図中矢印で示す方向に液晶分子が傾斜するように、
すなわち画素の上側半分の領域（第１及び第２の領域）
では上側から下側に向う方向に液晶分子が倒れ、画素の
下側半分の領域（第３及び第４の領域）では下側から上
側に向う方向に液晶分子が倒れるように、傾斜垂直配向
処理が施されている。傾斜垂直配向処理は、例えば露光
マスクを用いて配向膜の所定部分に紫外線を斜め方向か
ら照射することにより実現する。

【０１１４】図１９は本実施の形態の液晶表示装置の白
表示時における液晶分子の配向方向を示す模式図であ
る。但し、図１９ではＴＦＴの図示を省略している。

【０１１５】この図１９に示すように、データバスライ
ン１６ａの近傍の液晶分子は、データバスライン１６ａ
からの電界の影響により、データバスライン１６ａに対
し垂直な方向に倒れようとする。一方、データバスライ
ン１６ａから十分に離れた部分の液晶分子は、データバ
スライン１６ａからの電界の影響を受けないので、スリ
ット３９ａに平行な方向、すなわちデータバスライン１
６ａに対し４５°の方向に倒れようとする。

【０１１６】画素電極３９の縁部の液晶分子には、スリ
ット３９ａに平行な方向に倒れようとする力と、データ
バスライン１６ａの近傍の液晶分子の影響によりデータ
バスライン１６ａに対し垂直な方向に倒れようとする力
と、垂直配向膜の傾斜垂直配向処理方向に倒れようとす
る力とが作用する。その結果、画素電極３９の縁部の液
晶分子はデータバスライン１６ａに対しほぼ４５°の方
向に倒れる。これにより、画素電極３９の縁部における
配向不良が防止され、液晶表示装置の輝度が向上する。

【０１１７】実際に上記の構成の液晶表示セルを作製し
て輝度を調べたところ、配向膜に傾斜垂直配向処理が施
されていない場合に比べて輝度が約１６％向上した。

【０１１８】本実施の形態の液晶表示装置は、画素電極
３９を図１８に示す形状に形成すること、及びＴＦＴ基
板側の配向膜のうちデータバスライン１６ａの近傍の部
分に傾斜垂直配向処理を施すことを除けば、第２の実施
の形態と同様にして製造することができる。

【０１１９】なお、本実施の形態においては、傾斜垂直
配向処理方向をデータバスライン１６ａに平行な方向と
したが、これにより、本発明の液晶表示装置の傾斜垂直
配向処理方向がデータバスライン１６ａに平行な方向に
限定されるものではない。すなわち、傾斜垂直配向処理
方向とデータバスライン１６ａとのなす角度をスリット
３９ａとデータバスライン１６ａとのなす角度よりも小
さくすれば、画素の縁部での配向不良による輝度の低下
を抑制する効果を得ることができる。

【０１２０】（第４の実施の形態）図１３に示すように
液晶分子の配向方向を規制するためのスリットを設けた
画素電極を使用する液晶表示装置の場合、画素電極のス
リットだけで液晶分子を所定の方向に配向させるように
すると応答速度が遅くなるとともに、液晶分子の配向方
向を完全に制御することが難しいという欠点があるた
め、配向膜に予め一定方向の配向規制力を与えておき、
電圧印加時の液晶分子の倒れる方向を決めておくことが
好ましい。

【０１２１】図２０は、このような液晶表示装置の例を
示す模式図である。この液晶表示装置は、スリット１７
ａの向きが相互に異なる４つの領域に分割された画素電
極３９を有し、且つ画素の上半分の領域の配向膜には液
晶分子が上側から下側に向う方向に配向し、画素の下半
分の領域の配向膜には液晶分子が下側から上側に向う方
向に配向するように傾斜垂直配向処理が施されている。

【０１２２】このような液晶表示装置では、データバス
ライン１６ａから十分に離れた部分では、データバスラ
イン１６ａからの電界の影響はなく、液晶分子はスリッ
ト３９ａの方向に配向する。しかし、画素の中心、すな
わち第１の領域と第２の領域との境界部分及び第３の領
域と第４の領域との境界部分ではスリットがないため、
液晶分子は傾斜垂直配向処理方向（データバスライン１
６ａに対し平行な方向）に配向する。この液晶分子の影
響を受けて、画素の中心部近傍（図中破線で囲んだ部
分）の液晶分子は、スリット３７ａとは異なる方向に傾
斜して配向不良が発生する。これにより、画素の中心部
近傍に比較的太い幅の縦線状の暗部が発生する。

【０１２３】第４の実施の形態の液晶表示装置は、この
ような画素の中心部に発生する縦線状の暗部の幅を縮小
することを目的としている。

【０１２４】図２１は本発明の第４の実施の形態の液晶
表示装置を示す平面図である。なお、本実施の形態が第
２の実施の形態と異なる点は、画素電極の形状が異なる
こと、及び配向膜に傾斜垂直配向処理が施されているこ
とにあり、その他の構成は基本的に第２の実施の形態と
同様であるので、重複する部分の説明は省略する。

【０１２５】本実施の形態の液晶表示装置では、第２の
実施の形態と同様に、画素電極４０が、スリット４０ａ
の向きが相互に異なる４つの領域に分かれている。但
し、画素の中心近傍でスリット４０ａは屈曲しており、
この部分のスリット４０ａの方向はデータバスライン１
６ａに対し４５°よりも垂直に近い方向に傾いている。

【０１２６】この画素電極４０は垂直配向膜に覆われて
いる。画素の上側半分の領域（第１及び第２の領域）の
垂直配向膜には上側から下側に向う方向に液晶分子が配
向するように傾斜垂直配向処理が施されており、画素の
下側半分の領域（第３及び第４の領域）の垂直配向膜に
は下側から上側に向う方向に液晶分子が配向するように
傾斜垂直配向処理が施されている。傾斜垂直配向処理
は、例えば配向膜に対し紫外線を斜め方向から照射する
ことにより実現される。

【０１２７】図２２は本実施の形態の液晶表示装置の白
表示時における液晶分子の配向方向を示す模式図であ
る。但し、図２２ではＴＦＴの図示を省略している。

【０１２８】この図２２に示すように、第１の領域と第
２の領域の境界部分、及び第３の領域と第４の領域との
境界部分の液晶分子は、傾斜垂直配向処理の方向に倒れ
ようとする。一方、画素の中心、すなわち第１の領域と
第２の領域との境界及び第３の領域と第４の領域との境
界から十分に離れた部分では、液晶分子はスリット４０
ａに平行な方向に倒れようとする。

【０１２９】画素の中心部近傍の液晶分子は、スリット
４０ａに平行な方向に倒れようとする力と、傾斜垂直配
向処理により規制される方向に倒れようとする力とが作
用し、その結果、データバスライン１６ａに対しほぼ４
５°の方向に倒れる。これにより、画素の中央の縦線状
の暗部（図中、破線で示す部分）の幅が縮小され、液晶
表示装置の輝度が向上する。

【０１３０】実際に上記の構成の液晶表示セルを作製し
て輝度を調べたところ、画素の中央部でスリットが屈曲
していない場合に比べて輝度が約２６％向上した。

【０１３１】本実施の形態の液晶表示装置は、画素電極
４０を図２１に示す形状に形成すること、及び画素の上
側半分の領域の配向膜に液晶分子が上側から下側に向う
方向に配向するように傾斜垂直配向処理を施し、下側半
分の領域の配向膜に液晶分子が下側から上側に向い方向
に配向するように傾斜垂直配向処理を施すことを除け
ば、第２の実施の形態と同様にして製造することができ
る。

【０１３２】（付記１）相互に対向して配置された第１
の基板及び第２の基板と、前記第１の基板及び前記第２
の基板の間に封入された負の誘電率異方性を有する液晶
と、前記第１の基板の前記液晶側の面に形成された画素
電極と、前記第１の基板に設けられて前記画素電極に表
示信号を供給するデータバスラインと、前記画素電極と
前記データバスラインとの間に接続されたスイッチング
素子と、前記第１の基板に設けられて前記スイッチング
素子を駆動する信号を供給するゲートバスラインと、前
記第２の基板の前記液晶側の面に形成されたコモン電極
と、前記第２の基板に前記データバスラインに沿って形
成され、上から見たときに縁部が前記画素電極に重なる
突起とを有し、前記画素電極と前記突起との重なり幅が
一画素中で均一でないことを特徴とする液晶表示装置。

【０１３３】（付記２）前記画素電極が、上部及び下部
の幅に比べて中央部の幅が狭い形状であることを特徴と
する付記１に記載の液晶表示装置。

【０１３４】（付記３）前記画素電極が、台形形状であ
ることを特徴とする付記１に記載の液晶表示装置。

【０１３５】（付記４）前記画素電極の縁部には、凹凸
及びスリットのいずれかが設けられていることを特徴と
する付記１に記載の液晶表示装置。

【０１３６】（付記５）前記画素電極の上及び前記コモ
ン電極の上にはそれぞれ傾斜垂直配向処理が施された配
向膜が形成されていることを特徴とする付記１に記載の
液晶表示装置。

【０１３７】（付記６）前記配向膜には、液晶分子が第
１の方向に傾斜垂直配向するように傾斜垂直配向処理が
施された第１の領域と、液晶分子が第２の方向に傾斜垂
直配向するように傾斜垂直配向処理が施された第２の領
域とが設けられていることを特徴とする付記５に記載の
液晶表示装置。

【０１３８】（付記７）第１の基板上に、画素電極と、
該画素電極に表示信号を供給するデータバスラインと、
前記画素電極と前記データバスラインとの間を接続する
スイッチング素子と、前記スイッチング素子を駆動する
信号を供給するゲートバスラインとを形成する工程と、
第２の基板上に、コモン電極と、前記データバスライン
に対向する突起とを形成する工程と、前記第１の基板と
前記第２の基板との間に負の誘電率異方性を有する液晶
を封入する工程とを有し、前記画素電極は、上から見た
ときに前記突起との重なり幅が一画素中で部分的に変化
するように形成することを特徴とする液晶表示装置の製
造方法。

【０１３９】（付記８）相互に対向して配置された第１
の基板及び第２の基板と、前記第１の基板及び前記第２
の基板の間に封入された負の誘電率異方性を有する液晶
と、前記第１の基板の前記液晶側の面に形成された画素
電極と、前記画素電極に設けられて液晶分子の配向を制
御するスリットと、前記第１の基板に設けられて前記画
素電極に表示信号を供給するデータバスラインと、前記
画素電極と前記データバスラインとの間に接続されたス
イッチング素子と、前記第１の基板に設けられて前記ス
イッチング素子を駆動する信号を供給するゲートバスラ
インと、前記第２の基板の前記液晶側の面に形成された
コモン電極とを有し、前記画素電極の前記データバスラ
イン側の縁部のスリットと前記データバスラインとのな
す角度が、前記画素電極の他の部分のスリットと前記デ
ータバスラインとのなす角度よりも小さいことを特徴と
する液晶表示装置。

【０１４０】（付記９）前記画素電極は、スリットの向
きが異なる複数の領域を有することを特徴とする付記１
０に記載の液晶表示装置。

【０１４１】（付記１０）第１の基板上に、液晶分子の
配向を制御するスリットを有する画素電極と、該画素電
極に表示信号を供給するデータバスラインと、前記画素
電極と前記データバスラインとの間を接続するスイッチ
ング素子と、前記スイッチング素子を駆動する信号を供
給するゲートバスラインとを形成する工程と、第２の基
板上に、コモン電極を形成する工程と、前記第１の基板
と前記第２の基板との間に負の誘電率異方性を有する液
晶を封入する工程とを有し、前記画素電極の前記データ
バスライン側の縁部のスリットと前記データバスライン
とのなす角度を、前記画素電極の他の部分のスリットと
前記データバスラインとのなす角度よりも小さくするこ
とを特徴とする液晶表示装置の製造方法。

【０１４２】（付記１１）相互に対向して配置された第
１の基板及び第２の基板と、前記第１の基板及び前記第
２の基板の間に封入された負の誘電率異方性を有する液
晶と、前記第１の基板の前記液晶側の面に形成された画
素電極と、前記画素電極に設けられて液晶分子の配向を
制御するスリットと、前記画素電極の表面を覆う配向膜
と、前記第１の基板に設けられて前記画素電極に表示信
号を供給するデータバスラインと、前記画素電極と前記
データバスラインとの間に接続されたスイッチング素子
と、前記第１の基板に設けられて前記スイッチング素子
を駆動する信号を供給するゲートバスラインと、前記第
２の基板の前記液晶側の面に形成されたコモン電極とを
有し、前記配向膜のうちの前記画素電極の前記データバ
スライン側の縁部の部分に傾斜垂直配向処理が施されて
おり、傾斜垂直配向処理方向と前記データバスラインと
のなす角度が、前記スリットと前記データバスラインと
のなす角度よりも小さいことを特徴とする液晶表示装
置。

【０１４３】（付記１２）前記画素電極は、スリットの
向きが異なる複数の領域を有することを特徴とする付記
１１に記載の液晶表示装置。

【０１４４】（付記１３）第１の基板上に、液晶分子の
配向を制御するスリットを有する画素電極と、該画素電
極に表示信号を供給するデータバスラインと、前記画素
電極と前記データバスラインとの間を接続するスイッチ
ング素子と、前記スイッチング素子を駆動する信号を供
給するゲートバスラインと、前記画素電極の表面を覆う
配向膜とを形成する工程と、前記配向膜のうち、前記画
素電極の前記データバスライン側の縁部の部分に前記デ
ータバスラインに対しほぼ平行な方向に傾斜垂直配向処
理を施す工程と、第２の基板上に、コモン電極を形成す
る工程と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に負
の誘電率異方性を有する液晶を封入する工程とを有する
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。

【０１４５】（付記１４）相互に対向して配置された第
１の基板及び第２の基板と、前記第１の基板及び前記第
２の基板の間に封入された負の誘電率異方性を有する液
晶と、前記第１の基板の前記液晶側の面に形成された画
素電極と、前記画素電極の第１の領域に第１の方向に向
けて形成された第１のスリット、及び前記画素電極の第
２の領域に第２の方向に向けて形成された第２のスリッ
トと、前記第１の基板に設けられて前記画素電極に表示
信号を供給するデータバスラインと、前記画素電極と前
記データバスラインとの間に接続されたスイッチング素
子と、前記第１の基板に設けられて前記スイッチング素
子を駆動する信号を供給するゲートバスラインと、前記
画素電極の表面を覆い、前記データバスラインに平行な
方向に傾斜垂直配向処理が施された配向膜と、前記第２
の基板の前記液晶側の面に形成されたコモン電極とを有
し、前記画素電極の前記第１の領域及び前記第２の領域
は水平方向に隣接し、前記第１及び第２のスリットのう
ちの前記第１の領域及び前記第２の領域の境界近傍の部
分と前記データバスラインとのなす角度が、前記第１及
び第２のスリットの他の部分と前記データバスラインと
のなす角度よりも大きいことを特徴とする液晶表示装
置。

【０１４６】（付記１５）第１の基板上に、液晶分子の
配向を制御するスリットを有する画素電極と、該画素電
極に表示信号を供給するデータバスラインと、前記画素
電極と前記データバスラインとの間を接続するスイッチ
ング素子と、前記スイッチング素子を駆動する信号を供
給するゲートバスラインと、前記画素電極の表面を覆う
配向膜とを形成する工程と、前記配向膜のうち、前記画
素電極の前記データバスライン側の縁部の部分に前記デ
ータバスラインと平行な方向に傾斜垂直配向処理を施す
工程と、第２の基板上に、コモン電極を形成する工程
と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に負の誘電
率異方性を有する液晶を封入する工程とを有し、前記ス
リットは、前記画素電極の第１の領域では第１の方向に
向けて形成し、前記第１の領域に水平方向に隣接する第
２の領域では第２の方向に向けて形成し、且つ、前記ス
リットのうち前記第１の領域と前記第２の領域との境界
近傍の部分と前記データバスラインとのなす角度が、前
記スリットの他の部分と前記データバスラインとのなす
角度よりも大きくなるように形成することを特徴とする
液晶表示装置の製造方法。

【０１４７】

【発明の効果】以上説明したように、本願第１の液晶表
示装置によれば、画素電極とデータバスラインとの重な
り幅が一画素中で均一でないので、画素電極に対しデー
タバスラインが位置ずれしても、輝度の低下を抑制する
ことができる。

【０１４８】本願第２の液晶表示装置によれば、画素電
極のデータバスライン側の縁部のスリットとデータバス
ラインとのなす角度が画素電極の他の部分のスリットと
データバスラインとのなす角度よりも小さいので、デー
タバスラインからの電界による画素電極の縁部での液晶
分子の配向不良が抑制される。これにより、白表示時の
輝度が向上するという効果が得られる。

【０１４９】本願第３の液晶表示装置によれば、配向膜
のうち、画素電極のデータバスライン側の縁部の部分に
はデータバスラインに傾斜垂直配向処理が施されてお
り、傾斜垂直配向処理方向とデータバスラインとのなす
角度が、スリットとデータバスラインとのなす角度より
も小さいので、データバスラインからの電界による画素
電極の縁部での液晶分子の配向不良が抑制される。これ
により、白表示時の輝度が向上するという効果が得られ
る。

【０１５０】本願第４の液晶表示装置によれば、第１及
び第２のスリットのうちの第１及び第２の領域の境界近
傍の部分とデータバスラインとのなす角度が、第１及び
第２のスリットの他の部分とデータバスラインとのなす
角度よりも大きいので、第１及び第２の領域の境界部分
での液晶分子の配向不良が抑制される。これにより、白
表示時の輝度が向上するという効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は本発明の第１の実施の形態の液晶表示装
置の構造を示す平面図である。

【図２】図２は図１のＩ−Ｉ線による断面図である。

【図３】図３は図１のII−II線による断面図である。

【図４】図４（ａ）は第１の実施の形態の液晶表示装置
において、画素電極と突起との位置関係が最適な状態を
示す図、図４（ｂ）は図４（ａ）に示す状態のときのデ
ィスクリネーションの発生状態を示す図である。

【図５】図５（ａ）は第１の実施の形態の液晶表示装置
において、画素電極に対し突起の位置がずれた状態を示
す図、図５（ｂ）は図５（ａ）に示す状態のときのディ
スクリネーションの発生状態を示す図である。

【図６】図６は、第１の実施の形態の変形例１に係る液
晶表示装置を示す平面図である。

【図７】図７（ａ）は変形例１の液晶表示装置におい
て、画素電極と突起との位置関係が最適な状態を示す
図、図７（ｂ）は図７（ａ）に示す状態のときのディス
クリネーションの発生状態を示す図である。

【図８】図８（ａ）は変形例１の液晶表示装置におい
て、画素電極に対し突起の位置が水平方向にずれた状態
を示す図、図８（ｂ）は図８（ａ）に示す状態のときの
ディスクリネーションの発生状態を示す図である。

【図９】図９は、第１の実施の形態の変形例２に係る液
晶表示装置を示す平面図である。

【図１０】図１０は、第１の実施の形態の変形例３に係
る液晶表示装置を示す平面図である。

【図１１】図１１は、横軸にＣＦ基板の水平方向の位置
ずれ量をとり、縦軸に輝度低下率をとって、従来例１〜
３、実施例１〜４の位置ずれに対する輝度低下率の変化
をシミュレーションした結果を示す図である。

【図１２】図１２は、横軸にＣＦ基板の水平方向の位置
ずれ量をとり、縦軸に輝度変化率をとって、従来例１〜
３、実施例１〜４の液晶表示装置の位置ずれ幅と輝度変
化率との関係を示す図である。

【図１３】図１３は、１画素内で液晶分子の配向方向が
４方向のマルチドメインを達成するための画素電極の例
を示す平面図である。

【図１４】図１４は図１３に示す形状の画素電極を用い
た液晶表示装置の白表示時における液晶分子の配向方向
を示す模式図である。

【図１５】図１５は本発明の第２の実施の形態の液晶表
示装置を示す平面図である。

【図１６】図１６は図１５のIII −III 線による断面図
である。

【図１７】図１７は、第２の実施の形態の液晶表示装置
の白表示時の液晶分子の配向状態を示す模式図である。

【図１８】図１８は本発明の第３の実施の形態の液晶表
示装置を示す平面図である。

【図１９】図１９は第３の実施の形態の液晶表示装置の
白表示時における液晶分子の配向方向を示す模式図であ
る。

【図２０】図２０は、配向膜に予め一定方向の配向規制
力を与えておき、電圧印加時の液晶分子の倒れる方向を
決めるようにした液晶表示装置の例を示す模式図であ
る。

【図２１】図２１は本発明の第４の実施の形態の液晶表
示装置を示す平面図である。

【図２２】図２２は第４実施の形態の液晶表示装置の白
表示時における液晶分子の配向方向を示す模式図であ
る。

【図２３】図２３（ａ），（ｂ）は従来の液晶表示装置
を示す図であり、図２３（ａ）は画素電極と突起との位
置関係が最適な場合を示し、図２３（ｂ）はそのときの
ディスクリネーションの発生状態を示している。

【図２４】図２４（ａ），（ｂ）は従来の液晶表示装置
を示す図であり、図２４（ａ）は突起が画素電極に対し
左側にずれた例を示し、図２４（ｂ）はそのときのディ
スクリネーションの発生状態を示している。

【符号の説明】

１０…ＴＦＴ、 １１，２１…ガラス基板、 １２ａ…ゲートバスライン、 １３，１７…絶縁膜、 １４…シリコン膜、 １５…チャネル保護膜、 １６ａ，５６ａ…データバスライン、 １６ｂ…ドレイン電極、 １６ｃ…ソース電極、 １８，３７，３８，３９，４０，５８…画素電極、 １９，２６…垂直配向膜、 ２２…ブラックマトリクス、 ２３…カラーフィルタ、 ２４…コモン電極、 ２５，６５…突起、 ３１，３２…偏光板、 ３７ａ，３８ａ，３９ａ，４０ａ…スリット。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉田 秀史 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 千田 秀雄 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 2H092 GA13 HA04 JA24 JB05 NA04 PA01 PA08 PA09 QA09

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 相互に対向して配置された第１の基板及
   び第２の基板と、 前記第１の基板及び前記第２の基板の間に封入された負
   の誘電率異方性を有する液晶と、 前記第１の基板の前記液晶側の面に形成された画素電極
   と、 前記第１の基板に設けられて前記画素電極に表示信号を
   供給するデータバスラインと、 前記画素電極と前記データバスラインとの間に接続され
   たスイッチング素子と、 前記第１の基板に設けられて前記スイッチング素子を駆
   動する信号を供給するゲートバスラインと、 前記第２の基板の前記液晶側の面に形成されたコモン電
   極と、 前記第２の基板に前記データバスラインに沿って形成さ
   れ、上から見たときに縁部が前記画素電極に重なる突起
   とを有し、 前記画素電極と前記突起との重なり幅が一画素中で均一
   でないことを特徴とする液晶表示装置。
2. 【請求項２】 第１の基板上に、画素電極と、該画素電
   極に表示信号を供給するデータバスラインと、前記画素
   電極と前記データバスラインとの間を接続するスイッチ
   ング素子と、前記スイッチング素子を駆動する信号を供
   給するゲートバスラインとを形成する工程と、 第２の基板上に、コモン電極と、前記データバスライン
   に対向する突起とを形成する工程と、 前記第１の基板と前記第２の基板との間に負の誘電率異
   方性を有する液晶を封入する工程とを有し、 前記画素電極は、上から見たときに前記突起との重なり
   幅が一画素中で部分的に変化するように形成することを
   特徴とする液晶表示装置の製造方法。
3. 【請求項３】 相互に対向して配置された第１の基板及
   び第２の基板と、 前記第１の基板及び前記第２の基板の間に封入された負
   の誘電率異方性を有する液晶と、 前記第１の基板の前記液晶側の面に形成された画素電極
   と、 前記画素電極に設けられて液晶分子の配向を制御するス
   リットと、 前記第１の基板に設けられて前記画素電極に表示信号を
   供給するデータバスラインと、 前記画素電極と前記データバスラインとの間に接続され
   たスイッチング素子と、 前記第１の基板に設けられて前記スイッチング素子を駆
   動する信号を供給するゲートバスラインと、 前記第２の基板の前記液晶側の面に形成されたコモン電
   極とを有し、 前記画素電極の前記データバスライン側の縁部のスリッ
   トと前記データバスラインとのなす角度が、前記画素電
   極の他の部分のスリットと前記データバスラインとのな
   す角度よりも小さいことを特徴とする液晶表示装置。
4. 【請求項４】 第１の基板上に、液晶分子の配向を制御
   するスリットを有する画素電極と、該画素電極に表示信
   号を供給するデータバスラインと、前記画素電極と前記
   データバスラインとの間を接続するスイッチング素子
   と、前記スイッチング素子を駆動する信号を供給するゲ
   ートバスラインとを形成する工程と、 第２の基板上に、コモン電極を形成する工程と、 前記第１の基板と前記第２の基板との間に負の誘電率異
   方性を有する液晶を封入する工程とを有し、 前記画素電極の前記データバスライン側の縁部のスリッ
   トと前記データバスラインとのなす角度を、前記画素電
   極の他の部分のスリットと前記データバスラインとのな
   す角度よりも小さくすることを特徴とする液晶表示装置
   の製造方法。
5. 【請求項５】 相互に対向して配置された第１の基板及
   び第２の基板と、 前記第１の基板及び前記第２の基板の間に封入された負
   の誘電率異方性を有する液晶と、 前記第１の基板の前記液晶側の面に形成された画素電極
   と、 前記画素電極に設けられて液晶分子の配向を制御するス
   リットと、 前記画素電極の表面を覆う配向膜と、 前記第１の基板に設けられて前記画素電極に表示信号を
   供給するデータバスラインと、 前記画素電極と前記データバスラインとの間に接続され
   たスイッチング素子と、 前記第１の基板に設けられて前記スイッチング素子を駆
   動する信号を供給するゲートバスラインと、 前記第２の基板の前記液晶側の面に形成されたコモン電
   極とを有し、 前記配向膜のうちの前記画素電極の前記データバスライ
   ン側の縁部の部分に傾斜垂直配向処理が施されており、
   傾斜垂直配向処理方向と前記データバスラインとのなす
   角度が、前記スリットと前記データバスラインとのなす
   角度よりも小さいことを特徴とする液晶表示装置。
6. 【請求項６】 第１の基板上に、液晶分子の配向を制御
   するスリットを有する画素電極と、該画素電極に表示信
   号を供給するデータバスラインと、前記画素電極と前記
   データバスラインとの間を接続するスイッチング素子
   と、前記スイッチング素子を駆動する信号を供給するゲ
   ートバスラインと、前記画素電極の表面を覆う配向膜と
   を形成する工程と、 前記配向膜のうち、前記画素電極の前記データバスライ
   ン側の縁部の部分に前記データバスラインに対しほぼ平
   行な方向に傾斜垂直配向処理を施す工程と、 第２の基板上に、コモン電極を形成する工程と、 前記第１の基板と前記第２の基板との間に負の誘電率異
   方性を有する液晶を封入する工程とを有することを特徴
   とする液晶表示装置の製造方法。
7. 【請求項７】 相互に対向して配置された第１の基板及
   び第２の基板と、 前記第１の基板及び前記第２の基板の間に封入された負
   の誘電率異方性を有する液晶と、 前記第１の基板の前記液晶側の面に形成された画素電極
   と、 前記画素電極の第１の領域に第１の方向に向けて形成さ
   れた第１のスリット、及び前記画素電極の第２の領域に
   第２の方向に向けて形成された第２のスリットと、 前記第１の基板に設けられて前記画素電極に表示信号を
   供給するデータバスラインと、 前記画素電極と前記データバスラインとの間に接続され
   たスイッチング素子と、 前記第１の基板に設けられて前記スイッチング素子を駆
   動する信号を供給するゲートバスラインと、 前記画素電極の表面を覆い、前記データバスラインに平
   行な方向に傾斜垂直配向処理が施された配向膜と、 前記第２の基板の前記液晶側の面に形成されたコモン電
   極とを有し、 前記画素電極の前記第１の領域及び前記第２の領域は水
   平方向に隣接し、前記第１及び第２のスリットのうちの
   前記第１の領域及び前記第２の領域の境界近傍の部分と
   前記データバスラインとのなす角度が、前記第１及び第
   ２のスリットの他の部分と前記データバスラインとのな
   す角度よりも大きいことを特徴とする液晶表示装置。
8. 【請求項８】 第１の基板上に、液晶分子の配向を制御
   するスリットを有する画素電極と、該画素電極に表示信
   号を供給するデータバスラインと、前記画素電極と前記
   データバスラインとの間を接続するスイッチング素子
   と、前記スイッチング素子を駆動する信号を供給するゲ
   ートバスラインと、前記画素電極の表面を覆う配向膜と
   を形成する工程と、 前記配向膜のうち、前記画素電極の前記データバスライ
   ン側の縁部の部分に前記データバスラインと平行な方向
   に傾斜垂直配向処理を施す工程と、 第２の基板上に、コモン電極を形成する工程と、 前記第１の基板と前記第２の基板との間に負の誘電率異
   方性を有する液晶を封入する工程とを有し、 前記スリットは、前記画素電極の第１の領域では第１の
   方向に向けて形成し、前記第１の領域に水平方向に隣接
   する第２の領域では第２の方向に向けて形成し、且つ、
   前記スリットのうち前記第１の領域と前記第２の領域と
   の境界近傍の部分と前記データバスラインとのなす角度
   が、前記スリットの他の部分と前記データバスラインと
   のなす角度よりも大きくなるように形成することを特徴
   とする液晶表示装置の製造方法。