JP2011173739A - Method for manufacturing carbon nanotube - Google Patents
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- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 89
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 title claims abstract description 84
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 84
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 11
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 85
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 claims abstract description 78
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 38
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 29
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 8
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 9
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 9
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 9
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 claims description 6
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 14
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 abstract description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910021387 carbon allotrope Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002048 multi walled nanotube Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002109 single walled nanotube Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Abstract
Description
本発明は、炭化水素ガスを原料ガスとした気相成長法によるカーボンナノチューブの製造方法に関するものである。 The present invention relates to a method for producing carbon nanotubes by vapor phase growth using hydrocarbon gas as a source gas.
カーボンナノチューブは、炭素で構成されたグラファイトのシート（グラフェン）を筒状に丸めた構造物であり、円筒の直径は最小で０．４ｎｍである。また、カーボンナノチューブには、円筒が１原子層のシートで構成された単層ナノチューブから複数枚のシートで構成された多層ナノチューブが存在する。このような構造のカーボンナノチューブは、将来ｎｍオーダーへと微細化する電子デバイスとして必要とされる高電流密度、バリステック伝導、高熱伝導度、細い線幅など優れた特性を備えている。 The carbon nanotube is a structure obtained by rolling a graphite sheet (graphene) made of carbon into a cylindrical shape, and the diameter of the cylinder is 0.4 nm at the minimum. Carbon nanotubes include multi-walled nanotubes composed of a plurality of sheets from single-walled nanotubes whose cylinder is composed of a single atomic layer sheet. The carbon nanotube having such a structure has excellent characteristics such as high current density, ballistic conduction, high thermal conductivity, and narrow line width, which are required as an electronic device to be miniaturized to the nm order in the future.
ところで、カーボンナノチューブでは、生成時に原子が結合する角度が決定され、結果的に形成される円筒部分の原子配列において、円筒の直径が同じものであっても、六員環の並ぶ方向とチューブの外周円方向とのなす角（カイラル角）が異なるものが生成される。カーボンナノチューブでは、このカイラル角と直径で決まる原子配列が、螺旋度（カイラリティ）として指数づけられている。また、この螺旋度に依存してカーボンナノチューブの電子物性が決まり、半導体や金属の性質を持つものが混在して生成される。 By the way, in the carbon nanotube, the angle at which atoms are bonded at the time of generation is determined, and in the resulting atomic arrangement of the cylindrical portion, even if the diameter of the cylinder is the same, the direction in which the six-membered rings are aligned and the tube Those having different angles (chiral angles) with the outer circumferential direction are generated. In carbon nanotubes, the atomic arrangement determined by the chiral angle and diameter is indexed as the spirality (chirality). In addition, the electronic properties of the carbon nanotubes are determined depending on the helical degree, and those having properties of semiconductors and metals are mixedly generated.
従って、電子デバイス材料としてのカーボンナノチューブの実用化には、螺旋度が同一のカーボンナノチューブを成長させることが重要であり、課題となっている。このような中で、同一螺旋度のカーボンナノチューブ成長を可能にするため、同じ炭素の同素体で中空構造をもつフラーレンの利用が期待されている。例えば、フラーレンをカーボンナノチューブの先端を閉じるキャップとすることにより、上述した螺旋度の均一化が達成できるのではないかと一般に期待されている。 Therefore, for practical use of carbon nanotubes as electronic device materials, it is important to grow carbon nanotubes having the same helical degree, which is a problem. Under such circumstances, in order to enable the growth of carbon nanotubes having the same helical degree, it is expected to use fullerene having the same carbon allotrope and having a hollow structure. For example, it is generally expected that the above-described homogeneity of the spirality can be achieved by using fullerene as a cap that closes the tip of the carbon nanotube.
しかしながら、触媒金属を用いたＣＶＤ法によるカーボンナノチューブの成長において、フラーレンを原料として用いた報告はあるが、この場合、生成されたカーボンナノチューブの直径は、明らかに分布があり、特定の螺旋度のものだけの成長は達成されていない。これは、触媒金属法を用いる場合、カーボンナノチューブの成長時にはフラーレンの構造が維持されておらず、フラーレンは炭素源として機能しているだけに過ぎないことが原因と推論される。 However, there have been reports of using fullerene as a raw material in the growth of carbon nanotubes by CVD using a catalytic metal. In this case, the diameter of the produced carbon nanotubes is clearly distributed and has a specific helical degree. Only growth has not been achieved. This is presumed to be because when the catalytic metal method is used, the fullerene structure is not maintained during the growth of the carbon nanotubes, and the fullerene only functions as a carbon source.
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、触媒金属を用いることなく、フラーレンを利用したカーボンナノチューブの成長ができるようにすることを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to enable the growth of carbon nanotubes using fullerene without using a catalyst metal.
本発明に係るカーボンナノチューブの製造方法は、基板の上にフラーレンを配置する第１工程と、基板を酸素が含まれている雰囲気で加熱する第２工程と、加熱した基板の上に原料ガスを導入して基板の上にカーボンナノチューブを形成する第３工程とを少なくとも備え、第２工程では、酸素が含まれている雰囲気の加熱で、フラーレンの重量が減少し始める温度より高く、フラーレンが消失する温度より低い温度範囲で加熱する。 The carbon nanotube manufacturing method according to the present invention includes a first step of disposing fullerene on a substrate, a second step of heating the substrate in an atmosphere containing oxygen, and a source gas on the heated substrate. And at least a third step of forming carbon nanotubes on the substrate. In the second step, the heating of the atmosphere containing oxygen is higher than the temperature at which the fullerene weight starts to decrease, and the fullerene disappears. Heat in a lower temperature range than the
上記カーボンナノチューブの製造方法において、第２工程は、大気の雰囲気で３４０〜６４０℃の範囲に加熱すればよい。また、第２工程は、酸素ガスの雰囲気で２２０〜４５５℃の範囲に加熱すればよい。また、原料ガスは、炭化水素のガスであり、第３工程では、基板を７００〜９００℃の範囲に加熱すればよい。また、原料ガスは、炭素数が２の炭化水素のガスであればよい。例えば、原料ガスは、エタノールおよびアセチレンの少なくとも１つであればよい。また、フラーレンは、Ｃ60であればよい。 In the carbon nanotube manufacturing method, the second step may be performed by heating in a range of 340 to 640 ° C. in an air atmosphere. Moreover, what is necessary is just to heat a 2nd process to the range of 220-455 degreeC by the atmosphere of oxygen gas. The source gas is a hydrocarbon gas, and the substrate may be heated in the range of 700 to 900 ° C. in the third step. The source gas may be a hydrocarbon gas having 2 carbon atoms. For example, the source gas may be at least one of ethanol and acetylene. Further, the fullerene may be any C 60.
以上説明したように、本発明によれば、酸素が含まれている雰囲気による加熱で、フラーレンの重量が減少し始める温度より高く、フラーレンが消失する温度より低い温度範囲で、酸素が含まれている雰囲気でフラーレンを加熱してからカーボンナノチューブの成長を行うので、触媒金属を用いることなく、フラーレンを利用したカーボンナノチューブの成長ができるようになるという優れた効果が得られる。 As described above, according to the present invention, oxygen is contained in a temperature range that is higher than the temperature at which the weight of fullerene starts to decrease and lower than the temperature at which fullerene disappears by heating in an atmosphere containing oxygen. Since the carbon nanotubes are grown after heating the fullerene in a certain atmosphere, an excellent effect is obtained that the carbon nanotubes can be grown using the fullerene without using a catalytic metal.
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。図１Ａ〜図１Ｃは、本発明の実施の形態におけるカーボンナノチューブの製造方法を説明するための、各段階（工程）における状態を示す説明図である。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1A to FIG. 1C are explanatory views showing states in respective steps (processes) for explaining a carbon nanotube production method according to an embodiment of the present invention.
本実施の形態におけるカーボンナノチューブの製造方法は、まず、図１Ａに示すように、基板１０１の上にフラーレン１０２を配置する。次に、基板１０１を酸素が含まれている雰囲気で加熱し、図１Ｂに示すように、上記処理が行われた前処理済みフラーレン１０３が、基板１０１の上に配置された状態とする。この加熱工程では、酸素が含まれている雰囲気による加熱で、フラーレン１０２の重量が減少し始める温度より高く、フラーレン１０２が消失する温度より低い温度範囲で加熱する。この後、加熱した基板１０１の上に原料ガスを導入してカーボンナノチューブの成長を行い、図１Ｃに示すように、基板１０１の上にカーボンナノチューブ１０４を形成する。 In the method for producing carbon nanotubes in the present embodiment, first, fullerenes 102 are arranged on a substrate 101 as shown in FIG. 1A. Next, the substrate 101 is heated in an atmosphere containing oxygen, and the pre-processed fullerene 103 subjected to the above-described processing is placed on the substrate 101 as shown in FIG. 1B. In this heating step, the heating is performed in an atmosphere containing oxygen, and the heating is performed in a temperature range higher than the temperature at which the weight of the fullerene 102 starts to decrease and lower than the temperature at which the fullerene 102 disappears. Thereafter, a raw material gas is introduced onto the heated substrate 101 to grow carbon nanotubes, and carbon nanotubes 104 are formed on the substrate 101 as shown in FIG. 1C.
例えば、基板１０１としては、熱酸化やスパッタ法などにより表面に酸化膜が形成されたシリコン基板を用いればよい。基板１０１には、この表面の活性が低いものがよく、例えば、石英基，ダイヤモンド基板，サファイア，グラファイト，ＭｇＯ，ＣａＦ2，およびマイカなどが適用できる。また、基板上にゲル状のシリカを配した構成を用いてもよい。このような基板１０１を用いれば、加熱により、フラーレン１０２が基板１０１と炭化物を形成することが抑制される。基板としては、温度を上げることによって、フラーレンと基板とが炭化物を形成しないことが重要となる。 For example, as the substrate 101, a silicon substrate having an oxide film formed on the surface by thermal oxidation or sputtering may be used. The substrate 101 preferably has a low surface activity. For example, quartz substrate, diamond substrate, sapphire, graphite, MgO, CaF 2 , mica, and the like can be applied. Moreover, you may use the structure which distribute | arranged the gel-like silica on the board | substrate. When such a substrate 101 is used, the fullerene 102 is prevented from forming carbide with the substrate 101 by heating. As the substrate, it is important that the fullerene and the substrate do not form carbides by increasing the temperature.
また、例えば、複数のフラーレンを分散させたエタノールを、基板１０１の上に滴下して塗布し、この後、エタノールを気化させれば、基板１０１の上に、フラーレン１０２を配置することができる。 Further, for example, if ethanol in which a plurality of fullerenes are dispersed is dropped onto the substrate 101 and applied, and then the ethanol is vaporized, the fullerene 102 can be disposed on the substrate 101.
次に、酸素が含まれている雰囲気で加熱を行う前処理は、例えば、カーボンナノチューブを成長させる成長装置において、成膜室内に大気を導入して基板１０１を加熱すればよい。また、成膜室内に酸素を導入して基板１０１を加熱すればよい。ここで、酸素が含まれている雰囲気で加熱を行う前処理では、加熱の温度が高すぎると、フラーレンが燃焼して消失してしまうので、この温度より低くすることが重要となる。また、上記前処理においては、後述するように、低くても２００℃程度に加熱しないと、この後の工程で、カーボンナノチューブの成長が起こらないことが確認されている。 Next, pretreatment for heating in an atmosphere containing oxygen may be performed by, for example, introducing the atmosphere into the deposition chamber and heating the substrate 101 in a growth apparatus for growing carbon nanotubes. In addition, oxygen may be introduced into the deposition chamber and the substrate 101 may be heated. Here, in the pretreatment in which the heating is performed in an atmosphere containing oxygen, if the heating temperature is too high, the fullerene burns and disappears. Therefore, it is important to make the temperature lower than this temperature. In the pretreatment, as will be described later, it has been confirmed that carbon nanotubes do not grow in the subsequent steps unless heated to about 200 ° C. at the lowest.
例えば、フラーレン１０２としてＣ60を用い、大気の雰囲気で加熱すると、図２に示すように、加熱温度に対して重量が変化する。この場合、３４０℃程度より重量の変化（減小）がはじまり、６４０℃を超えると重量がなくなる。このようにフラーレン１０２（前処理済みフラーレン１０３）の重量が変化する中で、重量の変化がはじまる３４０℃以上の条件で前処理を行うと、この後のカーボンナノチューブ成長工程で、カーボンナノチューブの成長が確認されている。当然ながら、６４０℃を超えて加熱するとフラーレンが消失し、この後の成長工程においてはカーボンナノチューブが成長しない。従って、大気を用いて前処理を行う場合、３４０〜６４０℃の範囲の条件で加熱を行えばよい。 For example, when C 60 is used as the fullerene 102 and heated in an air atmosphere, the weight changes with respect to the heating temperature as shown in FIG. In this case, a change (reduction) in weight starts from about 340 ° C., and the weight disappears when the temperature exceeds 640 ° C. In this way, if the pretreatment is performed under conditions of 340 ° C. or higher where the weight starts to change while the weight of the fullerene 102 (pretreated fullerene 103) changes, the growth of carbon nanotubes will occur in the subsequent carbon nanotube growth step. Has been confirmed. Naturally, when heated above 640 ° C., fullerene disappears and carbon nanotubes do not grow in the subsequent growth process. Therefore, when the pretreatment is performed using the atmosphere, the heating may be performed under conditions in the range of 340 to 640 ° C.
ところで、前処理において酸素ガスを用いる場合、上述した加熱に対する重量の変化が２２０℃ではじまり、４５５℃を超えると重量がなくなることが報告されている（非特許文献１参照）。従って、前処理において酸素ガスを用いる場合、２２０〜４５５℃の範囲の条件で加熱を行えばよいものと考えられる。これらの大気の場合と酸素ガスの場合との違いは、酸素の分圧が異なることに起因しているものと考えることができる。いずれにおいても、前処理においては、酸素が存在する雰囲気での加熱を、フラーレンの重量が減少し始める温度より高く、フラーレンが消失する温度より低い温度範囲で行えばよい。 By the way, when oxygen gas is used in the pretreatment, it has been reported that the change in weight with respect to the heating described above starts at 220 ° C., and the weight is lost when it exceeds 455 ° C. (see Non-Patent Document 1). Therefore, when oxygen gas is used in the pretreatment, it is considered that heating should be performed under conditions in the range of 220 to 455 ° C. It can be considered that the difference between the case of the atmosphere and the case of oxygen gas is caused by the difference in the partial pressure of oxygen. In any case, in the pretreatment, heating in an atmosphere in which oxygen is present may be performed in a temperature range that is higher than the temperature at which the weight of fullerene starts to decrease and lower than the temperature at which fullerene disappears.
以上の前処理を行った後、カーボンナノチューブの成長温度まで昇温する。この昇温においては、フラーレンの蒸発を抑制するために、大気圧に近い圧力のガス雰囲気とすることが重要となる。ここで、圧力上限は、成長装置（成膜室）からのガスの漏れのない与圧限界とすればよい。与圧限界は、成長装置に依存するが、典型的には、１４７０９９．７５Ｐａ（１．５気圧）程度である。また、Ｃ60を用いた場合には、基板温度９００℃で蒸気圧が３０１３．０７７２Ｐａ（２２．６Ｔｏｒｒ）と推定される（非特許文献２参照）。従って、すぐにはフラーレンを蒸発させない（フラーレンが蒸発しにくい状態とする）ためには、３０１３．０７７２Ｐａ（２２．６Ｔｏｒｒ）以上の圧力に設定する必要がある。また、昇温時の雰囲気に供給するガスとしては、不活性ガスまたは還元性のガスが適当であり、例えばＡｒガスやＡｒに水素を添加したガスが適当である。 After performing the above pretreatment, the temperature is raised to the growth temperature of the carbon nanotubes. In this temperature increase, in order to suppress evaporation of fullerene, it is important to set the gas atmosphere at a pressure close to atmospheric pressure. Here, the upper limit of the pressure may be a pressurization limit at which no gas leaks from the growth apparatus (deposition chamber). The pressurization limit depends on the growth apparatus, but is typically about 147099.75 Pa (1.5 atm). When C 60 is used, the vapor pressure is estimated to be 3013.0772 Pa (22.6 Torr) at a substrate temperature of 900 ° C. (see Non-Patent Document 2). Therefore, in order not to evaporate fullerene immediately (to make fullerene difficult to evaporate), it is necessary to set the pressure to 3013.0772 Pa (22.6 Torr) or more. Further, as the gas supplied to the atmosphere at the time of raising the temperature, an inert gas or a reducing gas is suitable, for example, Ar gas or a gas obtained by adding hydrogen to Ar is suitable.
以上のようにして基板１０１を成長温度にまで昇温した後、カーボンナノチューブの成長工程では、成膜室において、基板１０１の温度を成長温度に維持しつつ、ここに炭化水素ガスを供給して設定された時間保持すればよい。成長材料（原料ガス）である炭化水素ガスについては、成長するカーボンナノチューブの収量を多くするために、エタノールおよびアセチレンが挙げられる。これらは、少ない量でカーボンナノチューブを製造できるガスであり、２つの炭素原子が結合したＣ2構造を分子構造に含むことが効率よく成長できる原因と推察している。この観点より、他にもエチレンもよい成長材料ガスである。また、成長温度については、７００℃以上９００℃以下で成長が確認され、この範囲を外れると成長が認められていないので、この範囲に設定することが重要となる。 After the temperature of the substrate 101 is raised to the growth temperature as described above, in the carbon nanotube growth step, a hydrocarbon gas is supplied to the film formation chamber while maintaining the temperature of the substrate 101 at the growth temperature. What is necessary is just to hold | maintain for the set time. With respect to the hydrocarbon gas that is a growth material (raw material gas), ethanol and acetylene can be used in order to increase the yield of the growing carbon nanotubes. These are gases that can produce carbon nanotubes in a small amount, and it is presumed that the inclusion of a C 2 structure in which two carbon atoms are bonded in the molecular structure allows efficient growth. From this point of view, ethylene is another good growth material gas. As for the growth temperature, growth is confirmed at 700 ° C. or more and 900 ° C. or less. If the growth temperature is out of this range, growth is not recognized.
以下、実験例を説明する。 Hereinafter, experimental examples will be described.
［実験１］
まず、フラーレン１０２としてＣ60を用い、前処理においては、基板１０１を、大気中，５５０℃・１０分の条件で加熱する。次に、成長工程では、成膜室内をアルゴン９５％，水素５％の混合ガス雰囲気で圧力９３３２５．４Ｐａ（７００Ｔｏｒｒ）に設定して基板１０１を８５０℃まで加熱し、基板１０１が８５０℃に加熱された状態で、成膜室内にエタノールのガスを導入する。成膜室としては、管径３６ｍｍの石英管を用いる。また、エタノールは、流量１〜１０ｓｃｃｍで導入し、成膜室内の圧力（成長圧力）は、１．３３３２２〜９３３２５．４Ｐａ（１０-2〜７００Ｔｏｒｒ）とし、成長時間は３０分とする。上述した条件で各ガスを導入している状態で、排気調製することで上記圧力に制御する。なお、ｓｃｃｍは流量の単位であり、０℃・１気圧の流体が１分間に１ｃｍ3流れることを示す。
[Experiment 1]
First, C 60 is used as the fullerene 102, and in the pretreatment, the substrate 101 is heated in the atmosphere at 550 ° C. for 10 minutes. Next, in the growth process, the substrate 101 is heated to 850 ° C. under a mixed gas atmosphere of 95% argon and 5% hydrogen in the film formation chamber at a pressure of 933325.4 Pa (700 Torr), and the substrate 101 is heated to 850 ° C. In this state, ethanol gas is introduced into the film formation chamber. A quartz tube having a tube diameter of 36 mm is used as the film forming chamber. In addition, ethanol is introduced at a flow rate of 1 to 10 sccm, a pressure (growth pressure) in the deposition chamber is set to 1.33322 to 933325.4 Pa (10 −2 to 700 Torr), and a growth time is set to 30 minutes. In the state where each gas is introduced under the above-described conditions, the pressure is controlled by adjusting the exhaust. Note that sccm is a unit of flow rate, and indicates that a fluid at 0 ° C. and 1 atm flows 1 cm 3 per minute.
以上の条件による実験の結果、図３の走査型電子顕微鏡写真に示すように、カーボンナノチューブが形成される。白く長い紐状に見えるものがカーボンナノチューブである。また、同様な製造工程を経て、成長工程に関しては、エタノール流量１〜１０ｓｃｃｍ，成長圧力１．３３３２２〜９３３２５．４Ｐａの範囲で、異なる成長条件とした場合においても、カーボンナノチューブの成長が確認されている。 As a result of the experiment under the above conditions, carbon nanotubes are formed as shown in the scanning electron micrograph of FIG. A carbon nanotube is a white long string. Further, through the same manufacturing process, regarding the growth process, the growth of carbon nanotubes was confirmed even under different growth conditions in the range of an ethanol flow rate of 1 to 10 sccm and a growth pressure of 1.333322 to 933325.4 Pa. Yes.
［実験例２］
また、原料ガスとしてアセチレンを用いた場合においても、カーボンナノチューブが成長する。まず、フラーレン１０２としてＣ60を用い、前処理においては、基板１０１を、大気中，５５０℃・１０分の条件で加熱する。次に、成長工程では、成膜室内をアルゴン９５％，水素５％の混合ガス雰囲気で圧力９３３２５．４Ｐａ（７００Ｔｏｒｒ）に設定して基板１０１を７００〜８５０℃まで加熱し、基板１０１が設定温度に加熱された状態で、成膜室内にアセチレンのガスを導入する。また、アセチレンは、流量２ｓｃｃｍで導入し、成膜室内の圧力（成長圧力）は、０．００１３３３２２〜１３．３３２２Ｐａ（１０-5Ｔｏｒｒ〜１０-1Ｔｏｒｒ）とし、成長時間は３０分とする。この場合、成長温度は、７００℃から８５０℃までを試みた。この実験においても、図４の走査型電子顕微鏡写真に示すように、カーボンナノチューブが形成される。白く長い紐状に見えるものがカーボンナノチューブである。
[Experiment 2]
Carbon nanotubes grow even when acetylene is used as the source gas. First, C 60 is used as the fullerene 102, and in the pretreatment, the substrate 101 is heated in the atmosphere at 550 ° C. for 10 minutes. Next, in the growth process, the substrate 101 is heated to 700 to 850 ° C. under a mixed gas atmosphere of 95% argon and 5% hydrogen in the film formation chamber at a pressure of 933325.4 Pa (700 Torr). The acetylene gas is introduced into the film formation chamber while being heated. Acetylene is introduced at a flow rate of 2 sccm, the pressure (growth pressure) in the deposition chamber is 0.00133322 to 13.3322 Pa (10 −5 Torr to 10 −1 Torr), and the growth time is 30 minutes. In this case, the growth temperature was tried from 700 ° C. to 850 ° C. Also in this experiment, carbon nanotubes are formed as shown in the scanning electron micrograph of FIG. A carbon nanotube is a white long string.
以上に説明したように、本実施の形態によれば、触媒金属を用いることなく、フラーレンを利用したカーボンナノチューブの成長ができるようになる。本実施の形態によれば、フラーレンがほぼこの構造または一部分が残った構造の状態で存在している状態で、カーボンナノチューブ成長が行えるものと考えられ、フラーレンを核としたカーボンナノチューブの成長による特性の揃った同じ螺旋度のカーボンナノチューブ形成が期待できる。 As described above, according to the present embodiment, it becomes possible to grow carbon nanotubes using fullerene without using a catalytic metal. According to the present embodiment, it is considered that carbon nanotubes can be grown in a state where the fullerene is present in a state in which this fullerene or a part of the fullerene remains, and the characteristics due to the growth of carbon nanotubes with fullerene as a nucleus. The formation of carbon nanotubes with the same spiral degree can be expected.
以下、上述したカーボンナノチューブの製造方法について検討する。前述したように、フラーレンを用いることで、カーボンナノチューブの均一化の達成が期待されている中で、例えば、フラーレンをキャップとしてカーボンナノチューブを成長する技術が試みられている。フラーレンをキャップとして成長するには、フラーレンの一部分を触媒金属に溶融させ、キャップとする部分だけについてフラーレンの構造を維持した状態で残して触媒金属の上に配置する必要がある。 Hereinafter, a method for producing the above-described carbon nanotube will be examined. As described above, the use of fullerene is expected to achieve homogenization of carbon nanotubes. For example, a technique for growing carbon nanotubes using fullerene as a cap has been attempted. In order to grow fullerene as a cap, it is necessary that a part of fullerene is melted in the catalyst metal, and only the part to be the cap is left on the catalyst metal while maintaining the fullerene structure.
しかしながら、フラーレン構造が触媒金属に溶解することにより壊れる場合には、フラーレン構造全体が壊れて触媒金属に溶解するものと予測され、期待するように、一部分だけ溶融させてフラーレン構造の一部分だけを残すようなことは極めて困難と考えられる。従って、従来の典型的なカーボンナノチューブの製造方法に必要な触媒金属の使用を前提とした上では、フラーレンを利用したカーボンナノチューブの均一化は実現できていないと推察される。 However, if the fullerene structure is broken by dissolving in the catalyst metal, it is expected that the entire fullerene structure will be broken and dissolved in the catalyst metal, and as expected, only a part of the fullerene structure is melted to leave only a part of the fullerene structure. Such things are considered extremely difficult. Therefore, it is presumed that homogenization of carbon nanotubes using fullerene has not been realized on the premise of using a catalyst metal necessary for a conventional typical carbon nanotube production method.
このため、触媒金属を用いる方法ではなく、フラーレン構造の一部分を分解して（壊して）化学的に活性な部分を露出させ、露出した箇所に成長材料を供給することで、カーボンナノチューブがフラーレンを核構造として成長の基点とすることができるのではないかと着想した。この方法は、従来の触媒金属とフラーレンを用いてカーボンナノチューブを成長する方法と対比させると、従来の方法では成長用の炭素材料がフラーレンであるのに対し、成長用の炭素材料に炭化水素のガスを用いる点が、根本的に異なる。 Therefore, instead of using a catalytic metal, the carbon nanotubes are made to break down the fullerene structure by breaking (breaking) it to expose the chemically active part and supplying the growth material to the exposed part. I thought that it could be the starting point of growth as a nuclear structure. When this method is compared with the conventional method of growing carbon nanotubes using catalytic metals and fullerenes, the growth carbon material is fullerene in the conventional method, whereas the growth carbon material is made of hydrocarbon. There is a fundamental difference in using gas.
また、上述した着想は、発明者らが、ダイヤモンドやＳｉＣなどを成長核としてカーボンナノチューブの成長に成功し、この成果から提唱している独自の成長機構を基本になされたものである。カーボンナノチューブの成長時に、通常用いられる触媒能のある金属を用いる一般的な発想にとらわれていては容易に着想できなかったものである。 The above-mentioned idea is based on the original growth mechanism that the inventors have succeeded in growing carbon nanotubes using diamond, SiC, or the like as a growth nucleus, and has been proposed from this result. When growing carbon nanotubes, it was difficult to come up with a general idea of using a metal having catalytic ability that is usually used.
フラーレンの一部を分解することは、非特許文献３に報告されており、酸素が含まれている雰囲気で加熱すること（酸化反応）により可能なものと考えられる。ただし、フラーレンの一部を分解し、単純に開口部のあるフラーレンを形成するだけでは、カーボンナノチューブの成長に用いることは容易ではない。フラーレンの蒸気圧は比較的高いため、カーボンナノチューブ成長に必要な高温に至る前にまでフラーレンが蒸発し、基板上に留めておくことが困難なためである。 Decomposing a part of fullerene has been reported in Non-Patent Document 3, and is considered to be possible by heating in an atmosphere containing oxygen (oxidation reaction). However, it is not easy to grow carbon nanotubes by simply decomposing part of fullerenes and simply forming fullerenes having openings. This is because the vapor pressure of fullerene is relatively high, so that fullerene evaporates before reaching the high temperature necessary for carbon nanotube growth and it is difficult to keep it on the substrate.
従って、フラーレンを利用する場合、この一部を分解するだけではなく、一部を分解したフラーレンを、カーボンナノチューブの成長温度まで基板上に留めておく工夫も重要となる。このために、フラーレンが蒸発してしまう温度より低温でフラーレン同士が結合することにより分子量を大きくすれば、蒸発を防ぐことができると考えた。これに関連し、非特許文献１には、２００℃程度の低温で酸素を介してフラーレンが結合することが、酸化反応によって引き起こされることが報告されている。 Therefore, when fullerene is used, it is important not only to decompose this part but also to keep the partially decomposed fullerene on the substrate up to the growth temperature of the carbon nanotube. For this reason, it was thought that evaporation can be prevented by increasing the molecular weight by combining fullerenes at a lower temperature than the temperature at which fullerenes evaporate. In relation to this, Non-Patent Document 1 reports that fullerenes are bonded through oxygen at a low temperature of about 200 ° C. due to an oxidation reaction.
これらの知見により、発明者らは、酸素の存在する雰囲気でフラーレンを加熱することで発生するものと考えられる上記２つの原料を利用すれば、前述したカーボンナノチューブの成長のための核となり得るフラーレンの構造を形成することが可能なものと考えた。 Based on these findings, the inventors can use the above-mentioned two raw materials, which are considered to be generated by heating fullerene in an oxygen-containing atmosphere, as a nucleus for the growth of carbon nanotubes described above. It was considered possible to form the structure.
上述した実施の形態において、前処理として、酸素が存在する雰囲気での加熱を、フラーレンの重量が減少し始める温度より高く、フラーレンが消失する温度より低い温度範囲で行うことで、まず、基板の上に配置したフラーレンの一部が分解して籠構造の一部が壊れ、化学的に活性な部分を露出するものと考えられる。このことが、図２を用いて説明した重量の変化に関連するものと考えられる。また、この前処理により、一部が分解しているフラーレン同士が結合し、大きな分子量の状態となるものと考えられる。 In the above-described embodiment, as the pretreatment, the heating in the atmosphere in which oxygen is present is performed in a temperature range higher than the temperature at which fullerene weight starts to decrease and lower than the temperature at which fullerene disappears. It is considered that a part of the fullerene disposed above decomposes and a part of the cocoon structure breaks, exposing a chemically active part. This is considered to be related to the change in weight described with reference to FIG. In addition, it is considered that the fullerenes, which are partially decomposed, are bonded to each other by this pretreatment, resulting in a large molecular weight state.
実際に、基板の上にフラーレンを配置することなく、前処理を行った後に成長温度にまで昇温し、この温度を維持して原料ガスを導入しても、基板の上にはカーボンナノチューブが成長しない。これに対し、基板の上にフラーレンを配置しておけば、前処理を行った後に成長温度にまで昇温し、この温度を維持して原料ガスを導入すれば、カーボンナノチューブが成長する。これら結果が、フラーレンがほぼこの構造の状態で存在している状態で、カーボンナノチューブ成長が行われていることを示し、フラーレンを核としたカーボンナノチューブの成長が行われていることを示しているものといえる。このため、本発明によれば、特性の揃った同じ螺旋度のカーボンナノチューブ形成が期待できる。 In fact, without placing fullerene on the substrate, the temperature is raised to the growth temperature after the pretreatment, and even if the raw material gas is introduced while maintaining this temperature, carbon nanotubes are not formed on the substrate. Does not grow. On the other hand, if fullerene is arranged on the substrate, the temperature is raised to the growth temperature after the pretreatment, and the carbon nanotube grows if the raw material gas is introduced while maintaining this temperature. These results indicate that carbon nanotubes are growing with fullerenes almost in this state, and that carbon nanotubes are growing with fullerene as the nucleus. It can be said that. For this reason, according to the present invention, formation of carbon nanotubes with the same helical degree and uniform characteristics can be expected.
なお、本発明は以上に説明した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で、当分野において通常の知識を有する者により、多くの変形が実施可能であることは明白である。例えば、フラーレンはＣ60に限るものではなく、炭素数が７０，７４，７６，７８などの高次フラーレンであっても用いることが可能である。用いるフラーレンに対応し、酸素が含まれている雰囲気での加熱処理の条件、カーボンナノチューブの成長条件などを適宜に設定すればよい。また、カーボンナノチューブ成長においては、複数の炭化水素ガスを混合して原料ガスとして用いるようにしてもよい。 It should be noted that the present invention is not limited to the embodiment described above, and that many modifications can be implemented by those having ordinary knowledge in the art within the technical idea of the present invention. It is obvious. For example, fullerenes are not limited to C 60 , and even higher-order fullerenes having 70, 74, 76, 78 carbon atoms can be used. Corresponding to the fullerene to be used, heat treatment conditions in an atmosphere containing oxygen, carbon nanotube growth conditions, and the like may be set as appropriate. In carbon nanotube growth, a plurality of hydrocarbon gases may be mixed and used as a raw material gas.
１０１…基板、１０２…フラーレン、１０３…前処理済みフラーレン、１０４…カーボンナノチューブ。 101 ... Substrate, 102 ... Fullerene, 103 ... Pretreated fullerene, 104 ... Carbon nanotube.
Claims (7)
前記基板を酸素が含まれている雰囲気で加熱する第２工程と、
加熱した前記基板の上に原料ガスを導入して前記基板の上にカーボンナノチューブを形成する第３工程と
を少なくとも備え、
前記第２工程では、酸素が含まれている雰囲気による加熱で、前記フラーレンの重量が減少し始める温度より高く、前記フラーレンが消失する温度より低い温度範囲で加熱することを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。 A first step of arranging fullerene on a substrate;
A second step of heating the substrate in an atmosphere containing oxygen;
And at least a third step of introducing a source gas onto the heated substrate to form carbon nanotubes on the substrate,
In the second step, heating in an atmosphere containing oxygen is performed in a temperature range higher than a temperature at which the weight of the fullerene starts to decrease and lower than a temperature at which the fullerene disappears. Production method.
前記第２工程は、大気の雰囲気で３４０〜６４０℃の範囲に加熱することを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。 In the manufacturing method of the carbon nanotube of Claim 1,
In the second step, the carbon nanotube manufacturing method is characterized by heating in a range of 340 to 640 ° C. in an air atmosphere.
前記第２工程は、酸素ガスの雰囲気で２２０〜４５５℃の範囲に加熱することを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。 In the manufacturing method of the carbon nanotube of Claim 1,
In the second step, the carbon nanotube manufacturing method is characterized in that heating is performed in a range of 220 to 455 ° C. in an oxygen gas atmosphere.
前記原料ガスは、炭化水素のガスであり、前記第３工程では、前記基板を７００〜９００℃の範囲に加熱することを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。 In the manufacturing method of the carbon nanotube of any one of Claims 1-3,
The raw material gas is a hydrocarbon gas, and in the third step, the substrate is heated in a range of 700 to 900 ° C.
前記原料ガスは、炭素数が２の炭化水素のガスであることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。 In the manufacturing method of the carbon nanotube of Claim 4,
The method for producing carbon nanotubes, wherein the source gas is a hydrocarbon gas having 2 carbon atoms.
前記原料ガスは、エタノールおよびアセチレンの少なくとも１つであることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。 In the manufacturing method of the carbon nanotube of Claim 5,
The method for producing carbon nanotubes, wherein the source gas is at least one of ethanol and acetylene.
前記フラーレンは、Ｃ60であることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。 In the manufacturing method of the carbon nanotube of any one of Claims 1-6,
The fullerenes manufacturing method of a carbon nanotube, which is a C 60.
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| JP2013253011A (en) * | 2012-02-13 | 2013-12-19 | Osaka Univ | High-purity carbon nanotube, method for producing the same, and transparent conductive film using the same |
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