JP2010217899A - 表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1の表示面と、前記第1の表示面の裏面に形成された第2の表示面と、複数の画素を有し、前記複数の画素はそれぞれ、前記第1の表示面の表示に寄与する第1の発光素子と、前記第2の表示面の表示に寄与する第2の発光素子とを有し、前記第1の発光素子の発光輝度は、前記第2の発光素子の発光輝度と異なる表示装置とすることが好ましい。
【選択図】図1
Description
本発明の表示装置の表示方法は、基板の一表面に第1の表示面を有し、前記一表面と反対側の前記基板の表面に第2の表示面と、複数の画素とを有し、前記複数の画素はそれぞれ、前記第1の表示面の表示に寄与する第1の発光素子と、前記第2の表示面の表示に寄与する第2の発光素子とを有する両面表示パネルを搭載した表示装置の表示方法であって、前記第1の発光素子と、前記第2の発光素子は、発光輝度が互いに異なるようにすることを特徴としている。
実施の形態1では、両面表示パネルの第1の表示面と第2の表示面とで、発光輝度を異ならせることによって、第1の表示面と第2の表示面において、発光素子の輝度劣化速度の違いを補正する第1の例を示す。
本実施の形態では、第11図(図11)の回路構成において、第1のソース信号線11001と第2のソース信号線11013とに異なる電位を有する映像信号を供給する信号線駆動回路の例を以下に説明する。
実施の形態3では、両面表示パネルの第1の表示面と第2の表示面とで、発光輝度を異ならせることによって、第1の表示面と第2の表示面において、発光素子の輝度劣化速度の違いを補正する第2の例を示す。具体的には、両面表示パネルにおいて、第1の表示面と第2の表示面で互いの開口率を異ならせることによって、第1の表示面と第2の表示面において、発光素子の劣化速度の違いを補正する。
実施の形態4では、両面表示パネルの第1の表示面と第2の表示面の表示・非表示を制御するための回路構成について示す。本発明の一実施形態の回路図を第2図(図2)に示す。なお、ここではスイッチ素子や駆動素子として、薄膜トランジスタ(TFT)を用いているが、特に限定はしない。例えば、MOSトランジスタ、有機トランジスタ、分子トランジスタ等が挙げられるが、いずれも同様に用いて良い。また、TFTにおいては、ソース領域とドレイン領域とは、一方を第1の電極、他方を第2の電極として表記する。
本実施形態では、両面表示パネルにおいて、第1の表示面は多色表示、第2の表示面は単色表示とすることによって、第1の表示面と第2の表示面の発光素子の輝度劣化速度の違いを補正する例について説明する。
本実施形態では、両面表示パネルにおいて、第1の表示面はカラーフィルタを用いた多色表示、第2の表示面は単色表示とする例について説明する。
携帯情報端末の蓋部に両面表示パネルを設けた場合において蓋を閉じた状態でも操作することができるようにした例について、第1図(図1)を用いて説明する。
1002 第2の筐体
1003 第1の表示面
1004 操作キー
1101 第2の表示面
2001 ソース信号線
2002 ゲート信号線
2003 電流供給線
2004 スイッチング用TFT
2005 第1の駆動用TFT
2006 第2の駆動用TFT
2007 第1の発光素子
2008 第2の発光素子
2009 対向電極
2011 点線枠
3003 電流供給線
3005 第1の駆動用TFT
3006 第2の駆動用TFT
3007 第1の発光素子
3008 第2の発光素子
3009 第1のアナログスイッチ
3010 第2のアナログスイッチ
3013 表示面制御信号
4001 第1のアナログスイッチ
4002 第2のアナログスイッチ
4003 第1の表示面制御信号
4004 第2の表示面制御信号
5001 第1の駆動用TFT
5002 第2の駆動用TFT
5003 第1の画素電極
5004 第2の画素電極
5005 EL層
5006 対向電極
5007 反射膜
5008 第1の表示領域
5009 第2の表示領域
5010 矢印
5011 矢印
5012 発光素子
5013 発光素子
5101 第1の駆動用TFT
5102 第2の駆動用TFT
5103 画素電極
5104 画素電極
5105 EL層
5106 対向電極
5107 反射膜
5108 第1の表示領域
5109 第2の表示領域
5110 矢印
5111 矢印
5112 第1の発光素子
5113 第2の発光素子
6001 駆動用TFT
6002 画素電極
6003 EL層
6004 対向電極
6005 表示領域
6101 第1の駆動用TFT
6102 第2の駆動用TFT
6103 第1の画素電極
6104 第2の画素電極
6105 EL層
6106 対向電極
6107 反射膜
6108 第1の表示領域
6109 第2の表示領域
6110 矢印
6111 矢印
7001 第1の駆動用TFT
7002 第2の駆動用TFT
7003 第1の画素電極
7004 第2の画素電極
7005 EL層
7006 対向電極
7007 反射膜
7009 第1の表示領域
7010 第2の表示領域
7011 矢印
7012 矢印
8001 両面表示パネル
8002 ソース信号線駆動回路
8003 第1のゲート信号線駆動回路
8004 第2のゲート信号線駆動回路
8005 第1の表示面
8006 第1の透光性プラスチック
8007 第2の透光性プラスチック
8008 第2の表示面
9001 本体
9002 音声出力部
9003 音声入力部
9004 両面表示パネル
9005 操作スイッチ
9006 アンテナ
9101 筐体
9102 両面表示パネル
9103 筐体
9104 操作スイッチ
10001 基板
10005 第1の表示面
10006 第2の表示面
10007 矢印
10008 矢印
11001 ソース信号線
11002 ゲート信号線
11003 電流供給線
11004 スイッチング用TFT
11005 第1の駆動用TFT
11006 第2の駆動用TFT
11007 第1の発光素子
11008 第2の発光素子
11009 対向電極
11011 点線枠
11012 スイッチング用TFT
11013 ソース信号線
12001 ソース信号線
12002 ゲート信号線
12003 電流供給線
12004 スイッチング用TFT
12005 第1の駆動用TFT
12006 第2の駆動用TFT
12007 第1の発光素子
12008 第2の発光素子
12009 対向電極
12011 点線枠
12012 電流供給線
13001 D−フリップフロップ
13002 シフトレジスタ
13004 レベルシフタ
13005 バッファ
14001 D−フリップフロップ
14002 シフトレジスタ
14004 レベルシフタ
14005 バッファ
13003a 第1のラッチ回路
13003b 第2のラッチ回路
Claims (7)
- 第1の表示面と、前記第1の表示面の裏面に形成された第2の表示面と、複数の画素を有し、
前記複数の画素はそれぞれ、前記第1の表示面の表示に寄与する第1の発光素子と、前記第2の表示面の表示に寄与する第2の発光素子とを有し、
前記第1の発光素子の発光輝度は、前記第2の発光素子の発光輝度と異なることを特徴とする表示装置。 - 第1乃至第4の配線と、第1の発光素子と、第2の発光素子と、第1乃至第4のトランジスタと、を有し、
前記第1の配線は、前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記第2の配線は、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記第3の配線は、前記第1のトランジスタのソース又はドレインのゲートと、前記第2のトランジスタのゲートと、に電気的に接続され、
前記第4の配線は、前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方と、前記第4のトランジスタのソース又はドレインの一方と、に電気的に接続され、
前記第1の発光素子は、前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され、
前記第2の発光素子は、前記第4のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第3のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第1の配線に印加される電位と、前記第2の配線に印加される電位と、が異なることを特徴とする表示装置。 - 第1乃至第4の配線と、第1の発光素子と、第2の発光素子と、第1乃至第3のトランジスタと、を有し、
前記第1の配線は、前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記第2の配線は、前記第1のトランジスタのソース又はドレインのゲートに電気的に接続され、
前記第3の配線は、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記第4の配線は、前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記第1の発光素子は、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され、
前記第2の発光素子は、前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第2のトランジスタのゲートと、前記第3のトランジスタのゲートと、に電気的に接続され、
前記第3の配線に印加される電位と、前記第4の配線に印加される電位と、が異なることを特徴とする表示装置。 - 請求項2又は請求項3において、
前記第1の発光素子の発光輝度は、前記第2の発光素子の発光輝度と異なることを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
前記第1の表示面と前記第2の表示面のうち使用頻度が高い方の発光素子の発光輝度を小さくすることを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、
前記第1の発光素子の有する画素電極の面積と前記第2の発光素子の有する画素電極の面積とは異なることを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、
前記第1のトランジスタのチャネルサイズと前記第2のトランジスタのチャネルサイズとは異なることを特徴とする表示装置。
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