JP2009212300A - 半導体ウエハのバックグラインド方法、半導体ウエハのダイシング方法、及び半導体チップの実装方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体ウエハ10のバックグラインド方法は、突出電極10aを埋め込むように、半導体ウエハ10の主面S1上に絶縁性接着剤層13を形成する接着剤層形成工程と、接着剤層形成工程で形成された絶縁性接着剤層13上にバックグラインドテープBTを設置するテープ設置工程と、バックグラインドテープBTが設置された面の反対側に位置する半導体ウエハの裏面S2を研削し、半導体ウエハ10を薄化する研削工程と、を備える。
【選択図】図4
Description
まず、図1に示されるような半導体ウエハ10を用意する。半導体ウエハ10は、半導体プロセスにより回路が形成された回路面(主面)S1と、回路面S1の反対側の面である裏面S2とを有している。そして、半導体ウエハ10の回路面S1には、回路面S1から突出する突出電極10aが複数形成されている。なお、このときの半導体ウエハ10の厚さは、バックグラインド前の状態であり、通常約550μm〜750μmである。
この実施形態では、ダイシング工程において、図10に示すように、積層体R1のバックグラインドテープBT側にダイシングテープ16を貼り付ける。そして、図11に示すように、半導体ウエハ10の裏面S2が上方を向いた状態で、ダイシングブレードDBによって、裏面S2側から半導体ウエハ10をバックグラインドテープBTと共にダイシングする(いわゆる、フェイスダウンダイシング)。
図13に示すように、まず、半導体ウエハ10と、バックグラインドテープF2とを準備する。バックグラインドテープF2は、後述の研削工程において半導体ウエハ10の破損を抑制及び安定した裏面研削を実現するバックグラインドテープとしての本来の機能を持つと共に、後述のチップ接着工程における絶縁性接着剤としての機能を併せ持っている。具体的には、バックグラインドテープF2は、弾性層31と粘着層33とが積層された2層構造をなしている。そして、弾性層31は、粘着層33よりも弾性率が高く粘着性が低い材料からなり、後述の研削工程において半導体ウエハ10の破損抑制等の機能を発揮させると共に、絶縁性接着剤として接着機能を発揮させる。一方、粘着層33は、このバックグラインドテープF2を半導体ウエハ10に固定させる機能と、絶縁性接着剤としての機能を合わせ持っている。
1上にバックグラインドテープF2が設置され、研削工程においては、このバックグラインドテープF2が、バックグラインドテープとしての本来の機能を発揮し、安定した裏面S2の研削が行われる。また、チップ接着工程では、このバックグラインドテープF2が絶縁性接着剤として機能するので、チップ接着工程においては、バックグラインドテープF2の除去が不要であり、工程の簡略化を図ることができる。
Claims (4)
- 突出電極が主面から突出して形成された半導体ウエハを薄化するバックグラインド方法であって、
前記突出電極を埋め込むように、前記半導体ウエハの前記主面上に接着剤層を形成する接着剤層形成工程と、
前記接着剤層形成工程で形成された前記接着剤層上にバックグラインドテープを設置するテープ設置工程と、
前記バックグラインドテープが設置された面の反対側に位置する前記半導体ウエハの裏面を研削し、前記半導体ウエハを薄化する研削工程と、
を備えたことを特徴とする半導体ウエハのバックグラインド方法。 - 突出電極が主面から突出して形成された半導体ウエハを個片化するダイシング方法であって、
前記突出電極を埋め込むように、前記半導体ウエハの前記主面上に接着剤層を形成する接着剤層形成工程と、
前記接着剤層形成工程で形成された前記接着剤層上にバックグラインドテープを設置するテープ設置工程と、
前記バックグラインドテープが設置された面の反対側に位置する前記半導体ウエハの裏面を研削し、前記半導体ウエハを薄化する研削工程と、
前記研削工程で得られた前記バックグラインドテープと前記接着剤層と前記半導体ウエハとの積層体を、前記バックグラインドテープ側からダイシングするダイシング工程と、
を備えたことを特徴とする半導体ウエハのダイシング方法。 - 突出電極が主面から突出して形成された半導体ウエハを個片化するダイシング方法であって、
前記突出電極を埋め込むように、前記半導体ウエハの前記主面上に接着剤層を形成する接着剤層形成工程と、
前記接着剤層形成工程で形成された前記接着剤層上にバックグラインドテープを設置するテープ設置工程と、
前記バックグラインドテープが設置された面の反対側に位置する前記半導体ウエハの裏面を研削し、前記半導体ウエハを薄化する研削工程と、
前記研削工程で得られた前記バックグラインドテープと前記接着剤層と前記半導体ウエハとの積層体の前記バックグラインドテープ側をダイシングテープに付着させて、前記積層体を前記半導体ウエハの裏面側からダイシングするダイシング工程と、
を備えたことを特徴とする半導体ウエハのダイシング方法。 - 突出電極が主面から突出して形成された半導体チップを実装基板上に実装する実装方法であって、
前記突出電極を埋め込むように、前記半導体ウエハの前記主面上にバックグラインドテープを設置するテープ設置工程と、
前記バックグラインドテープが設置された面の反対側に位置する前記半導体ウエハの裏面を研削し、前記半導体ウエハを薄化する研削工程と、
前記研削工程で得られた前記バックグラインドテープと前記半導体ウエハとの積層体をダイシングするダイシング工程と、
前記ダイシング工程で得られた前記バックグラインドテープと前記半導体チップとの積層チップを、前記バックグラインドテープ側を前記実装基板に向けた状態で前記実装基板にマウントし、前記バックグラインドテープによって前記半導体チップを前記実装基板に接着させるチップ接着工程と、
を備えたことを特徴とする半導体チップの実装方法。
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